JP6599372B2 - 基板上へ原子層を堆積させるための方法及び装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 73
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 71
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 204
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 73
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 47
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 295
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 19
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000007062 medium k Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
基板上に原子層を堆積する方法であって、
当該方法は、
ガス源からガスを受け取るシーリング部に対して回転可能であるドラムに備えられた前駆体ガス供給部から前駆体ガスを供給することを備え、
前記ドラム又はシーリング部の一方は、前記前駆体ガス供給部に流体接続された1つ以上のガス供給チャンネルを備え、
前記ドラム又はシーリング部の他方は、その表面に前記ドラム又はシーリング部の前記一方によって密閉された1つ以上の円周溝を備え、それにより、径方向の流体流路を防ぎ、周方向に流体流路を開放し、
前記前駆体ガス供給部から前記基板に向かって前記前駆体ガスを供給する間、前記ガス供給チャンネルは、前記密閉された溝に隣接し、前記ガス流路の一部が、前記密閉された溝によって形成され、
少なくとも1つの密閉された溝は、前記密閉された溝内のプロセスガス供給部の隣接するゾーンを分離する1つ以上の分離部を備え、それにより、ゾーンが互いに異なるプロセスガス組成物を提供することを可能とし、且つ、
当該方法は、
前記前駆体ガスを供給しながら前記ドラムを回転軌道に沿って回転させることによって、前記前駆体ガスを前記基板近傍、例えば、前記基板上で反応させて、原子層を形成し、それにより、組成勾配を有する原子層の積層を堆積する、ことを備える、
方法を提供する。
−窒素インサートと接続し、周方向に窒素スリットを生成する。
−従来通りドラムをベアする軸として、又はエアベアリングとして機能する。
−フィードスループレートに嵌めるため外側の端でより大きな半径、例えば一般に220mmの半径を提供する。
−ガスを通して供給するためのホールを提供する。
−ドラムのための軸(ガス)ベアリングとして機能する。
[付記1]
基板上に原子層を堆積する方法であって、
当該方法は、
ガス源からガスを受け取るシーリング部に対して回転可能であるドラムに備えられた前駆体ガス供給部から前駆体ガスを供給することを備え、
前記ドラム又はシーリング部の一方は、前記前駆体ガス供給部に流体接続された1つ以上のガス供給チャンネルを備え、
前記ドラム又はシーリング部の他方は、その表面に前記ドラム又はシーリング部の前記一方によって密閉された1つ以上の円周溝を備え、それにより、径方向の流体流路を防ぎ、周方向に流体流路を開放し、
前記前駆体ガス供給部から前記基板に向かって前記前駆体ガスを供給する間、前記ガス供給チャンネルは、前記密閉された溝に隣接し、前記ガス流路の一部が、前記密閉された溝によって形成され、
少なくとも1つの密閉された溝は、前記密閉された溝内のプロセスガス供給部の隣接するゾーンを分離する1つ以上の分離部を備え、それにより、ゾーンが互いに異なるプロセスガス組成物を提供することを可能とし、且つ、
当該方法は、
前記前駆体ガスを供給しながら前記ドラムを回転軌道に沿って回転させることによって、前記前駆体ガスを前記基板近傍、例えば、前記基板上で反応させて、原子層を形成し、それにより、組成勾配を有する原子層の積層を堆積する、ことを備える、
方法。
[付記2]
前記少なくとも1つの溝は、前記シーリング部又はドラムの一方の隣接する面によって密閉されている直立する壁によって形成され、前記分離部は、前記直立する壁と比べてくぼんでおり、それにより、隣接するゾーン間で制御されたクロスフローを提供するために、前記隣接する面に対して流れの制限を形成する、
付記1に記載の方法。
[付記3]
前記分離部は、隣接するゾーンの間で制御されたクロスフローを提供するために、対応する供給チャンネルの直径より小さい壁の厚みを備える、
付記1に記載の方法。
[付記4]
前記回転軌道の第1の部分に渡って前記前駆体ガス供給部から前記基板に向けて前記前駆体ガスを供給することと、
前記回転軌道の前記第2の部分に渡って、前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断することと、
の間で切り替えること、を更に備える、
付記1に記載の方法。
[付記5]
前記回転軌道の前記第1の部分に渡って、前記基板は、前記原子層を堆積するための前記出力面に近接しており、
前記回転軌道の前記第2の部分に渡って、前記基板は除去され、又は出力面から離されており、
前記中断は、前記前駆体ガス供給部を介した前駆体ガスの流れを方向転換する又はオフ(switching off)することによって提供され、前記回転軌道の前記第2の部分に渡って、前記前駆体ガスの漏れを防止する、
付記4に記載の方法。
[付記6]
前記密閉された円周溝は、前記回転軌道の前記第1の部分に沿って延在し、前記回転軌道の前記第2の部分に渡って前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断する間、前記ガス流路が前記ドラム又はシーリング部の前記他方の表面によって遮られるように、前記回転軌道の前記第1と第2の部分の間で終わる、
付記4に記載の方法。
[付記7]
前記ガス供給部は、相対的に回転する部分を構成するガス流路を介して固定のガス源からガスを受け取る前記ドラムに備えられ、
前記相対的に動く部分の間の開口を通る前記前駆体ガスの漏れは、前記前駆体ガスよりも高い圧を有する前記開口の周囲に提供されたパージガスによって防がれる、
付記3に記載の方法。
[付記8]
堆積ヘッドとシーリング部とを備えるドラムであって、前記シーリング部は当該ドラムの表面の少なくとも一部を密閉し、当該ドラムはガス源からガスを受け取る前記シーリング部に対して回転可能である、ドラムを備え、
前記ドラム又はシーリング部の一方は、前記前駆体ガス供給部と流体接続された1つ以上のガス供給チャンネルを備え、
前記ドラム又はシーリング部の他方は、その表面に前記ドラム又はシーリング部の前記一方によって密閉された1つ以上の円周溝を備え、それにより、径方向の流体流路を防ぎ、周方向に流体流路を開放し、
使用の際、前記前駆体ガス供給部から前記基板に向かって前記前駆体ガスを供給する間、前記ガス供給チャンネルは、前記密閉された溝に隣接し、前記ガス流路の一部が、前記密閉された溝によって形成され、
少なくとも1つの密閉された溝は、前記密閉された溝内のプロセスガス供給部の隣接するゾーンを分離する1つ以上の分離部を備え、それにより、ゾーンが互いに異なるプロセスガス組成物を提供することを可能とし、
前記堆積ヘッドは、前記前駆体ガスを供給しながら前記ドラムを回転軌道に沿って回転させることによって、前記供給された前駆体ガスを前記基板近傍、例えば、前記基板上で反応させて、原子層を形成し、それにより、組成勾配を備える原子層の積層を堆積するように構成されている、
基板上に原子層を堆積するための装置。
[付記9]
前記少なくとも1つの溝は、前記シーリング部又はドラムの一方の隣接する面によって密閉された直立する壁によって形成され、前記分離部は、前記直立する壁と比べてくぼんでおり、それにより隣接するゾーン間で制御されたクロスフローを提供するために、前記隣接する面に対して流れの制限を形成する、
付記8に記載の装置。
[付記10]
前記分離部は、対応する供給チャンネルの直径より小さい壁の厚みを備え、それにより隣接するゾーン間の制御されたクロスフローを提供するために流れの制限を形成する、
付記8に記載の装置。
[付記11]
前記回転軌道の第1の部分に渡って前記前駆体ガス供給部から前記基板に向かって前記前駆体ガスを供給することと、
前記回転軌道の第2の部分に渡って前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断することと、
の間で切り替えるために配置され、構成されたガススイッチング構造を更に備える、
付記8に記載の装置。
[付記12]
前記密閉された円周溝は、端壁を構成する前記回転軌道の前記第1の部分に沿って延在し、前記回転軌道の前記第2の部分に渡って前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断する間、前記ドラム又はシーリング部の前記他方の表面によって、前記ガス流路が遮られるように、該端壁によって前記回転軌道の前記第1及び第2の部分の間で前記溝が終わる、
付記11に記載の装置。
[付記13]
前記密閉された円周溝は、前記回転可能なドラムの端面に沿って延在する、
付記8に記載の装置。
Claims (11)
- 基板上に原子層を堆積する方法であって、
当該方法は、
ガス源からガスを受け取るシーリング部に対して回転可能であるドラムに備えられた前駆体ガス供給部から前駆体ガスを供給することを備え、
前記ドラム又はシーリング部の一方は、前記前駆体ガス供給部に流体接続された1つ以上のガス供給チャンネルを備え、
前記ドラム又はシーリング部の他方は、その表面に前記ドラム又はシーリング部の前記一方によって密閉された1つ以上の円周溝を備え、それにより、径方向の流体流路を防ぎ、周方向に流体流路を開放し、
前記前駆体ガス供給部から前記基板に向かって前記前駆体ガスを供給する間、前記ガス供給チャンネルは、前記密閉された溝に隣接し、ガス流路の一部が、前記密閉された溝によって形成され、
少なくとも1つの密閉された溝は、前記密閉された溝内のプロセスガス供給部の隣接するゾーンを分離する1つ以上の分離部を備え、それにより、ゾーンが互いに異なるプロセスガス組成物を提供することを可能とし、且つ、
当該方法は、
前記前駆体ガスを供給しながら前記ドラムを回転軌道に沿って回転させることによって、原子層を形成するために、前記前駆体ガスを前記基板近傍、例えば、前記基板上で反応させるために前記前駆体ガス供給部と前記基板との間の相対動作を提供し、それにより、組成勾配を有する原子層の積層を堆積する、ことを更に備え、
前記少なくとも1つの溝は、前記シーリング部又はドラムの一方の隣接する面によって密閉されている直立する壁によって形成され、前記分離部は、前記直立する壁と比べてくぼんでおり、それにより、前駆体の流れの中断を防ぐための隣接するゾーン間で制御されたクロスフローを提供するために、前記隣接する面に対して流れの制限を形成することを特徴とする、
方法。 - 前記分離部は、隣接するゾーンの間で制御されたクロスフローを提供するために、対応する供給チャンネルの直径より小さい壁の厚みを備える、
請求項1に記載の方法。 - 前記回転軌道の第1の部分に渡って前記前駆体ガス供給部から前記基板に向けて前記前駆体ガスを供給することと、
前記回転軌道の第2の部分に渡って、前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断することと、
の間で切り替えること、を更に備える、
請求項1に記載の方法。 - 前記回転軌道の前記第1の部分に渡って、前記基板は、前記原子層を堆積するための出力面に近接しており、
前記回転軌道の前記第2の部分に渡って、前記基板は除去され、又は前記出力面から離されており、
前記中断は、前記前駆体ガス供給部を介した前駆体ガスの流れを方向転換する又はオフ(switching off)することによって提供され、前記回転軌道の前記第2の部分に渡って、前記前駆体ガスの漏れを防止する、
請求項3に記載の方法。 - 前記密閉された円周溝は、前記回転軌道の前記第1の部分に沿って延在し、前記回転軌道の前記第2の部分に渡って前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断する間、前記ガス流路が前記ドラム又はシーリング部の前記他方の表面によって遮られるように、前記回転軌道の前記第1と第2の部分の間で終わる、
請求項3に記載の方法。 - 前記ガス供給部は、相対的に回転する部分を構成するガス流路を介して固定のガス源からガスを受け取る前記ドラムに備えられ、
前記相対的に動く部分の間の開口を通る前記前駆体ガスの漏れは、前記前駆体ガスよりも高い圧を有する前記開口の周囲に提供されたパージガスによって防がれる、
請求項3に記載の方法。 - 堆積ヘッドとシーリング部とを備えるドラムであって、前記シーリング部は当該ドラムの表面の少なくとも一部を密閉し、当該ドラムはガス源からガスを受け取る前記シーリング部に対して回転可能である、ドラムを備え、
前記ドラム又はシーリング部の一方は、前駆体ガス供給部と流体接続された1つ以上のガス供給チャンネルを備え、
前記ドラム又はシーリング部の他方は、その表面に前記ドラム又はシーリング部の前記一方によって密閉された1つ以上の円周溝を備え、それにより、径方向の流体流路を防ぎ、周方向に流体流路を開放し、
使用の際、前記前駆体ガス供給部から基板に向かって前駆体ガスを供給する間、前記ガス供給チャンネルは、前記密閉された溝に隣接し、ガス流路の一部が、前記密閉された溝によって形成され、
少なくとも1つの密閉された溝は、前記密閉された溝内のプロセスガス供給部の隣接するゾーンを分離する1つ以上の分離部を備え、それにより、ゾーンが互いに異なるプロセスガス組成物を提供することを可能とし、
前記堆積ヘッドは、前記前駆体ガスを供給しながら前記ドラムを回転軌道に沿って回転させることによって、原子層を形成するために、前記供給された前駆体ガスを前記基板近傍、例えば、前記基板上で反応させるために前記前駆体ガス供給部と前記基板との間の相対動作を実現するように構成されており、それにより、組成勾配を備える原子層の積層を堆積するように構成されており、
前記少なくとも1つの溝は、前記シーリング部又はドラムの一方の隣接する面によって密閉された直立する壁によって形成され、前記分離部は、前記直立する壁と比べてくぼんでおり、それにより、前駆体の流れの中断を防ぐための隣接するゾーン間で制御されたクロスフローを提供するために、前記隣接する面に対して流れの制限を形成することを特徴とする、
基板上に原子層を堆積するための装置。 - 前記分離部は、対応する供給チャンネルの直径より小さい壁の厚みを備え、それにより隣接するゾーン間の制御されたクロスフローを提供するために流れの制限を形成する、
請求項7に記載の装置。 - 前記回転軌道の第1の部分に渡って前記前駆体ガス供給部から前記基板に向かって前記前駆体ガスを供給することと、
前記回転軌道の第2の部分に渡って前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断することと、
の間で切り替えるために配置され、構成されたガススイッチング構造を更に備える、
請求項7に記載の装置。 - 前記密閉された円周溝は、端壁を構成する前記回転軌道の前記第1の部分に沿って延在し、前記回転軌道の前記第2の部分に渡って前記前駆体ガス供給部からの前記前駆体ガスの供給を中断する間、前記ドラム又はシーリング部の前記他方の表面によって、前記ガス流路が遮られるように、該端壁によって前記回転軌道の前記第1及び第2の部分の間で前記溝が終わる、
請求項9に記載の装置。 - 前記密閉された円周溝は、前記回転可能なドラムの端面に沿って延在する、
請求項7に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14173327.9 | 2014-06-20 | ||
EP14173327.9A EP2957656A1 (en) | 2014-06-20 | 2014-06-20 | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
PCT/NL2015/050452 WO2015194959A1 (en) | 2014-06-20 | 2015-06-19 | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017519906A JP2017519906A (ja) | 2017-07-20 |
JP6599372B2 true JP6599372B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=51059277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016574069A Active JP6599372B2 (ja) | 2014-06-20 | 2015-06-19 | 基板上へ原子層を堆積させるための方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10428423B2 (ja) |
EP (2) | EP2957656A1 (ja) |
JP (1) | JP6599372B2 (ja) |
KR (1) | KR20170028937A (ja) |
CN (1) | CN106574366A (ja) |
TW (1) | TW201610216A (ja) |
WO (1) | WO2015194959A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017103337A1 (de) | 2016-03-02 | 2017-09-07 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Prozessmodul zum Behandeln von bandförmigen Substraten |
JP7098677B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2022-07-11 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
FR3123661B1 (fr) * | 2021-06-02 | 2024-01-12 | Centre Nat Rech Scient | Tête de dépôt pour les revêtements tubulaires/non planaires. |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2557198A (en) * | 1947-05-21 | 1951-06-19 | American Locomotive Co | Gas turbine |
JP2007063096A (ja) | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
EP2159304A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition |
US20110076421A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface |
EP2360293A1 (en) | 2010-02-11 | 2011-08-24 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
EP2557198A1 (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
-
2014
- 2014-06-20 EP EP14173327.9A patent/EP2957656A1/en not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-06-11 TW TW104118879A patent/TW201610216A/zh unknown
- 2015-06-19 US US15/320,424 patent/US10428423B2/en active Active
- 2015-06-19 WO PCT/NL2015/050452 patent/WO2015194959A1/en active Application Filing
- 2015-06-19 JP JP2016574069A patent/JP6599372B2/ja active Active
- 2015-06-19 EP EP15736667.5A patent/EP3158106B1/en active Active
- 2015-06-19 CN CN201580044636.9A patent/CN106574366A/zh active Pending
- 2015-06-19 KR KR1020177001846A patent/KR20170028937A/ko unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3158106B1 (en) | 2019-08-07 |
CN106574366A (zh) | 2017-04-19 |
EP3158106A1 (en) | 2017-04-26 |
EP2957656A1 (en) | 2015-12-23 |
US20170191158A1 (en) | 2017-07-06 |
JP2017519906A (ja) | 2017-07-20 |
WO2015194959A1 (en) | 2015-12-23 |
KR20170028937A (ko) | 2017-03-14 |
US10428423B2 (en) | 2019-10-01 |
TW201610216A (zh) | 2016-03-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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