JP6596366B2 - マスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)〜図1(d)は、第1の実施形態に係るマスクを例示する模式図である。
図1(a)は、図1(b)〜図1(d)の矢印AAからみた平面図である。図1(b)、図1(c)及び図1(d)は、それぞれ、図1(a)のA1−A2線、B1−B2線及びC1−C2線による断面図である。
例えば、図1(b)に示すように、線状パターン20の第1部分20aと基板10との間には、粒40(異物)がある。例えば、粒40は、第1部分20aの中にあってもよい。この例では、図1(c)に示すように、第2部分20bと基板10との間には、粒40は無い。
第2の実施形態は、マスクの製造方法に係る。この製造方法により、例えば、第1の実施形態において説明したマスクが得られる。
図2(a)〜図4(b)は、第2の実施形態に係るマスクの製造方法を例示する模式図である。
図5は、第2の実施形態に係るマスクの製造方法を例示するフローチャート図である。
図5のステップS14において、欠陥位置及び欠陥の大きさの測定が行われる。欠陥は例えば位相欠陥である。例えば、AFM(原子間力顕微鏡:Atomic Force Microscope)またはSEM(走査型電子顕微鏡:Scanning Electron Microscope)での測定を実施する。複数の線状マスクパターン30との位置関係、が取得される。さらに欠陥の大きさが取得されても良い。AFMまたはSEMでの測定の前に、積層膜MLfを形成した際の欠陥検査で、欠陥位置の大まかなデータを取得してもよい。例えば、アクティニック検査により、欠陥位置及び欠陥の大きさのデータを取得してもよい。このとき、欠陥部26上に位置する線状マスクパターン30の部分のEUV光の反射特性のデータを取得してもよい。
図6(a)及び図6(b)は、第2の実施形態に係るマスクの別の製造方法を例示する模式図である。
図6(a)は、図6(b)の矢印AAからみた平面図である。図6(b)は、図6(a)のF1−F2線断面図である。
本実施形態は、マスクの製造方法に係る。この製造方法では、欠陥に対応して、マスクの描画データ(描画パターン)が補正される。この製造方法により、例えば、第1の実施形態において説明したマスクが得られる。
図7に示すように、本実施形態に係るマスクの製造方法は、積層膜MLf、マスク膜30f、及びアライメントマークを形成する(ステップS21)。例えば、アライメントマークは、基板10に形成される。アライメントマークは、基板10上に形成された積層膜MLfに形成されてもよい。アライメントマークは、積層膜MLf上に形成されたマスク膜30fに形成されてもよい。アライメントマークは、描画パターンを描画する工程及び欠陥を検査する工程において位置合わせに用いられる。例えば、描画パターンを描画する工程及び欠陥を検査する工程においてアライメントマークを用いて位置合わせを行うことにより、10nm以上、100nm未満の精度で位置合わせが可能となる。アライメントマークは、例えば、基板10を加工するEUVリソグラフィの際にEUVの露光領域に干渉しない箇所に形成される。
図9(a)に示すように、この例では、位相欠陥は基板10の突起部10aに起因して生じる。この場合、位相欠陥部(欠陥部26)の少なくとも一部は、突起部10aとZ方向において重なる。例えば、欠陥部26の上面は、凸状である。突起部は、線状パターン20(第1部分20a)内に生じてもよい。
Claims (18)
- 基板上に交互に積層された複数の第1層と複数の第2層とを含む複数の線状積層体を備え、
前記複数の線状積層体は、それぞれが第1方向に延び、前記第1方向と交差する第2方向に並び、前記第2方向において隣接する前記複数の線状積層体の間に前記基板が露出し、
前記複数の線状積層体のうちの1つは、前記第2方向における幅が、他の部分の前記第2方向における幅よりも太い部分を有する、マスク。 - 前記太い部分の前記第1方向の長さは、前記他の部分の前記第1方向の長さよりも短い、請求項1記載のマスク。
- 前記複数の積層体は、前記第2方向に沿って第1ピッチで並び、
前記太い部分の前記幅と前記他の部分の前記幅との差は、前記第1ピッチの0.1倍以上0.8倍以下である、請求項1または2に記載のマスク。 - 前記複数の第1層の1つは、前記複数の線状積層体のうちの前記1つの前記太い部分の位置において、前記複数の第1層及び前記複数の第2層が積層される第3方向に沿う第1レベルに位置し、
前記複数の第1層の前記1つは、前記複数の線状積層体のうちの前記1つの前記他の部分の位置において、前記第3方向に沿う第2レベルに位置し、
前記第1レベルは、前記第2レベルとは異なる、請求項1〜3のいずれか1つに記載のマスク。 - 前記基板と前記第1レベルとの間の前記第3方向に沿う第1長さは、前記基板と前記第2レベルとの間の前記第3方向に沿う第2長さよりも長い、請求項4記載のマスク。
- 前記複数の第1層は、モリブデンを含み、
前記複数の第2層は、シリコンを含む、請求項1〜5のいずれか1つに記載のマスク。 - 前記太い部分は、粒を含む請求項1〜6のいずれか1つに記載のマスク。
- 前記基板と前記太い部分との間に位置する粒をさらに備えた請求項1〜6のいずれか1つに記載のマスク。
- 前記複数の線状積層体は、第3層をさらに含み、
前記複数の第1層及び複数の第2層は、前記第3層と前記基板との間に位置する、請求項1〜8のいずれか1つに記載のマスク。 - 前記第3層は、ルテニウムを含む請求項9記載のマスク。
- 基板上に交互に積層された複数の第1膜と複数の第2膜とを含む積層膜の上に複数の線状マスクパターンを形成する工程と、
前記複数の線状マスクパターン及び前記積層膜の少なくとも一部を検査する工程と、
前記複数の線状マスクパターンのうちの前記検査する前記工程で検出された欠陥部に対応する部分の周囲に、補正パターンを形成する工程と、
前記複数の線状マスクパターン及び前記補正パターンをマスクとして前記積層膜を、複数の線状積層体に加工して前記基板を露出させる工程と、
を備え、
前記複数の線状積層体のうちの前記欠陥部に対応する部分は、他の部分よりも太く加工される、マスクの製造方法。 - 前記複数の線状マスクパターンは、第1線状パターン、第2線状パターン及び第3線状
パターンを含み、
前記第1線状パターンは、前記第2線状パターンと前記第3線状パターンとの間に形成され、
前記第1線状パターンは、前記複数の第1膜及び前記複数の第2膜の積層方向において前記欠陥部と重なるマスク欠陥領域を含み、
前記補正パターンは、前記マスク欠陥領域と前記第2線状パターンとの間、及び、前記マスク欠陥領域と前記第3線状パターンとの間において、前記積層膜と接する、請求項11記載のマスクの製造方法。 - 前記補正パターンは、前記第1線状パターンの前記マスク欠陥領域上にさらに形成される、請求項12記載のマスクの製造方法。
- 前記線状マスクパターンは、タンタルを含む請求項11〜13のいずれか1つに記載のマスクの製造方法。
- 前記補正パターンは、タンタル及びシリコン酸化物のうちの少なくともいずれか1つを含む請求項11〜14のいずれか1つに記載のマスクの製造方法。
- 基板の上において交互に積層された複数の第1膜と複数の第2膜とを含む積層膜の上にマスク膜を形成する工程と、
前記積層膜及び前記マスク膜を検査する工程と、
前記検査する工程で検出された欠陥に関するデータを基に描画データを補正する工程と、
前記補正する工程により補正された前記描画データを基に、前記マスク膜にパターンを描画して、前記マスク膜から線状マスクパターンを形成する工程であって、前記線状マスクパターンのうち前記欠陥と重なる部分の幅が前記欠陥と重ならない部分の幅よりも広い、前記線状パターンを形成する工程と、
前記線状マスクパターンをマスクとして、前記積層膜を加工する工程と、
を備えたマスクの製造方法。 - 前記マスク膜は、タンタルを含む請求項16記載のマスクの製造方法。
- 前記複数の第1膜は、モリブデンを含み、
前記複数の第2膜は、シリコンを含む、請求項11〜17のいずれか1つに記載のマスクの製造方法。
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