JP6589987B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 98
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 90
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 102
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 45
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 79
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 16
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
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Description
本発明は、窒化物半導体発光素子、特に、深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子に関する。
ＧａＮをはじめとする窒化物半導体は、直接遷移型の半導体であり、さらに、ＡｌやＩｎを含む三元混晶や四元混晶では組成を適宜設定してバンドギャップを変化させることにより赤外から深紫外までの光を発光できる。特に、Ａｌを含むバンドギャップの大きい窒化物半導体を活性層に用いた窒化物半導体発光素子は、アルミニウム組成を適宜設定することにより、波長２２０〜３５０ｎｍの深紫外を発光するように構成できることから、深紫外光源（例えば、ＬＥＤ及びＬＤ）としてその実用化が期待されている。
例えば特許文献１には、Ａｌを含むバンドギャップの大きい窒化物半導体からなる活性層上に、電子ブロック層を形成することによって発光効率が改善された窒化物半導体発光素子が開示されている。
しかしながら、従来のＡｌを含むバンドギャップの大きい窒化物半導体を活性層に用いた窒化物半導体発光素子は、青色ＬＥＤ等に比べて寿命が短い傾向にある。
そこで、本発明の実施形態は、Ａｌを含むバンドギャップの大きい窒化物半導体を活性層に用いて構成された寿命の長い窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子は、
ｎ側層と、
ｐ側層と、
前記ｎ側層と前記ｐ側層の間に設けられ、ＡｌとＧａとＮとを含む井戸層と、ＡｌとＧａとＮとを含み、Ａｌの含有量が前記井戸層より大きい障壁層とを有してなる活性層と、
を備えた窒化物半導体発光素子であって、
前記活性層と前記ｐ側層との間に電子ブロック構造層を有し、
前記電子ブロック構造層は、
バンドギャップが前記障壁層より大きい第１電子ブロック層と、
前記ｐ側層と前記第１電子ブロック層の間に設けられ、前記障壁層より大きく前記第１電子ブロック層より小さいバンドギャップを有する第２電子ブロック層と、
前記第１電子ブロック層と前記第２電子ブロック層の間に設けられ、バンドギャップが前記第２電子ブロック層より小さい中間層を有することを特徴とする。
ｎ側層と、
ｐ側層と、
前記ｎ側層と前記ｐ側層の間に設けられ、ＡｌとＧａとＮとを含む井戸層と、ＡｌとＧａとＮとを含み、Ａｌの含有量が前記井戸層より大きい障壁層とを有してなる活性層と、
を備えた窒化物半導体発光素子であって、
前記活性層と前記ｐ側層との間に電子ブロック構造層を有し、
前記電子ブロック構造層は、
バンドギャップが前記障壁層より大きい第１電子ブロック層と、
前記ｐ側層と前記第１電子ブロック層の間に設けられ、前記障壁層より大きく前記第１電子ブロック層より小さいバンドギャップを有する第２電子ブロック層と、
前記第１電子ブロック層と前記第２電子ブロック層の間に設けられ、バンドギャップが前記第２電子ブロック層より小さい中間層を有することを特徴とする。
以上のように構成された本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子によれば、前記第１電子ブロック層と前記第２電子ブロック層の間に前記中間層を有しているので、Ａｌを含むバンドギャップの大きい窒化物半導体を活性層に用いて構成された寿命の長い窒化物半導体発光素子を提供することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る窒化物半導体発光素子について説明する。尚、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
実施形態
本実施形態の窒化物半導体発光素子は、図１に示すように、基板１０上に、ｎ側層１３と、ｐ側層１５と、ｎ側層１３とｐ側層１５の間に設けられた活性層１４とを含み、例えば、２２０〜３５０ｎｍの深紫外光を発光するように構成されている。本実施形態の窒化物半導体発光素子において、活性層１４は、例えば、ＡｌとＧａとＮとを含む井戸層１４２と、ＡｌとＧａとＮとを含む障壁層１４１，１４３とを含む量子井戸構造を有してなる。活性層１４において、井戸層１４２は、所望の深紫外光の波長に対応するバンドギャップとなるように、例えば、アルミニウム組成が設定され、障壁層１４１，１４３は、バンドキャップが井戸層１４２より大きくなるように、例えば、アルミニウム組成ｘが設定される。
例えば、ピーク波長が２８０ｎｍの深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子では、例えば、井戸層１４２を、アルミニウム組成ｘが０．４５であるＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる窒化物半導体により構成し、障壁層１４１，１４３を、アルミニウム組成ｙが０．５６であるＡｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎからなる窒化物半導体により構成する。
尚、本明細書において、ＡｌとＧａとＮを含む３元混晶の窒化物半導体を、単にＡｌＧａＮと表記することもある。
本実施形態の窒化物半導体発光素子は、図１に示すように、基板１０上に、ｎ側層１３と、ｐ側層１５と、ｎ側層１３とｐ側層１５の間に設けられた活性層１４とを含み、例えば、２２０〜３５０ｎｍの深紫外光を発光するように構成されている。本実施形態の窒化物半導体発光素子において、活性層１４は、例えば、ＡｌとＧａとＮとを含む井戸層１４２と、ＡｌとＧａとＮとを含む障壁層１４１，１４３とを含む量子井戸構造を有してなる。活性層１４において、井戸層１４２は、所望の深紫外光の波長に対応するバンドギャップとなるように、例えば、アルミニウム組成が設定され、障壁層１４１，１４３は、バンドキャップが井戸層１４２より大きくなるように、例えば、アルミニウム組成ｘが設定される。
例えば、ピーク波長が２８０ｎｍの深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子では、例えば、井戸層１４２を、アルミニウム組成ｘが０．４５であるＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる窒化物半導体により構成し、障壁層１４１，１４３を、アルミニウム組成ｙが０．５６であるＡｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎからなる窒化物半導体により構成する。
尚、本明細書において、ＡｌとＧａとＮを含む３元混晶の窒化物半導体を、単にＡｌＧａＮと表記することもある。
また、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、ｐ側層１５と活性層１４の間に、設けられ、ｎ側層１３から活性層１４に注入された電子が井戸層１４２で再結合することなくｐ側層に流出するのを阻止する電子ブロック構造層２０を有している。
ここで、特に、本実施形態の窒化物半導体発光素子において、電子ブロック構造層２０は、
（ｉ）障壁層１４１，１４３より大きいバンドギャップを有する第１電子ブロック層２１を、活性層１４側に含み、
（ii）障壁層１４１，１４３より大きく第１電子ブロック層２１より小さいバンドギャップを有する第２電子ブロック層２３を、ｐ側層１５側に含み、
（iii）第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３の間に、第１電子ブロック層２１及び第２電子ブロック層２３より小さいバンドギャップを有する中間層（負担軽減層）２２を含む。
以上のように構成された電子ブロック構造層２０は、第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３とを有することによって、電子ブロック効果、すなわち、電子のオーバーフローを抑制して活性層１４への電子注入効率を高め、発光効率を向上させることができる。一方、この電子ブロック効果で生じる強い電界に起因して、第２電子ブロック層２３が劣化することが考えられる。しかし、本実施形態では、電子ブロック構造層２０に中間層２２を有することによって、第２電子ブロック層２３の劣化を抑制することができる。より具体的には、第２電子ブロック層２３を越えた正孔が、第１電子ブロック層２１にブロックされ、電子の豊富な活性層１４側に近い中間層２２に溜まる結果、第２電子ブロック層２３にかかる電界が緩和されるためと考えられる。したがって、本実施形態に係る電子ブロック構造層２０を備えた窒化物半導体発光素子は、発光効率を高くできかつ寿命を長くできる。
（ｉ）障壁層１４１，１４３より大きいバンドギャップを有する第１電子ブロック層２１を、活性層１４側に含み、
（ii）障壁層１４１，１４３より大きく第１電子ブロック層２１より小さいバンドギャップを有する第２電子ブロック層２３を、ｐ側層１５側に含み、
（iii）第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３の間に、第１電子ブロック層２１及び第２電子ブロック層２３より小さいバンドギャップを有する中間層（負担軽減層）２２を含む。
以上のように構成された電子ブロック構造層２０は、第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３とを有することによって、電子ブロック効果、すなわち、電子のオーバーフローを抑制して活性層１４への電子注入効率を高め、発光効率を向上させることができる。一方、この電子ブロック効果で生じる強い電界に起因して、第２電子ブロック層２３が劣化することが考えられる。しかし、本実施形態では、電子ブロック構造層２０に中間層２２を有することによって、第２電子ブロック層２３の劣化を抑制することができる。より具体的には、第２電子ブロック層２３を越えた正孔が、第１電子ブロック層２１にブロックされ、電子の豊富な活性層１４側に近い中間層２２に溜まる結果、第２電子ブロック層２３にかかる電界が緩和されるためと考えられる。したがって、本実施形態に係る電子ブロック構造層２０を備えた窒化物半導体発光素子は、発光効率を高くできかつ寿命を長くできる。
電子ブロック構造層２０は、電子ブロック効果が得られる限り、第１電子ブロック層２１と活性層１４の間に他の層を含んでいても良く、第２電子ブロック層２３とｐ側層１５の間に他の層を含んでいても良い。しかしながら、本実施形態の窒化物半導体発光素子では、第１電子ブロック層２１と活性層１４とは接していることが好ましく、これにより、第１電子ブロック層２１による高い電子ブロック効果が得られる。尚、第１電子ブロック層２１が活性層１４と接する場合、第１電子ブロック層２１は井戸層と接していても良いし、障壁層と接していてもよい。また、第２電子ブロック層２３とｐ側層１５とは接していることが好ましく、これにより、活性層１４への正孔の注入効率の低下を抑えることができ、光出力の低下を抑制できる。さらに、中間層２２と第１電子ブロック層２１の間及び中間層２２と第２電子ブロック層２３の間には、第２電子ブロック層２３の劣化を抑制することができる限り、他の層を含んでいても良い。しかしながら、本実施形態では、中間層２２は第１電子ブロック層２１又は第２電子ブロック層２３に接していることが好ましく、中間層２２が第１電子ブロック層２１及び第２電子ブロック層２３の双方に接していることがより好ましい。中間層２２が第１電子ブロック層２１及び第２電子ブロック層２３のいずれか一方、好ましくは双方に接していると、第２電子ブロック層２３にかかる電界の緩和効果を大きくでき、第２電子ブロック層２３の劣化を効果的に抑制できる。
実施形態の電子ブロック構造層２０は、第１電子ブロック層２１、中間層２２及び第２電子ブロック層２３を含んで構成されているので、第１電子ブロック層２１を第２電子ブロック層２３より薄くしても良好な電子ブロック効果が得られる。第１電子ブロック層２１を第２電子ブロック層２３より薄くすると、トンネル効果によって電子が第１電子ブロック層２１を通過して活性層に到達することが可能になる。これにより、中間層における発光を防止しながら中間層に正孔を留めることができるので、第２電子ブロック層２３への電界集中を緩和でき、第２電子ブロック層２３の劣化を抑制できる。また、バンドギャップの大きい第１電子ブロック層２１を薄く設けることにより、順方向電圧の増大を抑制しながらに、電子ブロック効果を高めることができる。
第１電子ブロック層２１が厚すぎると、井戸層のバンドギャップに生じる歪みが大きくなるため電界が集中しやすく、言い換えると、バンドギャップが小さくなるので、発光再結合のほとんどがこのバンドギャップの小さな部分で起こる結果、電界が集中して、発光素子の寿命が短くなる。かかる点からも、第１電子ブロック層２１は薄い方が好ましい。ただし、第１電子ブロック層２１が薄すぎると、電子ブロック効果が低下して、第２電子ブロック層２３の劣化抑制効果が小さくなる。また、中間層２２の厚さを第２電子ブロック層２３の厚さよりも薄くすることにより、第２電子ブロック層２３の電界の集中を防ぎつつ、より効果的に中間層２２による発光を防止できる。尚、第１電子ブロック層２１と中間層２２とを合わせた厚さは、第２電子ブロック層２３の厚さよりも薄いことがより好ましい。
第１電子ブロック層２１は、例えば、アルミニウム組成ｚ１が障壁層１４１，１４３のアルミニウム組成ｙより大きいＡｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。第１電子ブロック層２１は、電子ブロック効果を高くするために、アルミニウム組成ｚ１は大きいほど好ましく、より好ましくはアルミニウム組成ｚ１が１であるＡｌＮにより構成する。
第２電子ブロック層２３は、例えば、アルミニウム組成ｚ２が、障壁層１４１，１４３のアルミニウム組成ｙより大きく第１電子ブロック層２１のアルミニウム組成ｚ１より小さいＡｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。井戸層１４２を、Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる窒化物半導体により構成し、障壁層１４１，１４３を、Ａｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎからなる窒化物半導体により構成し、第１電子ブロック層２１をＡｌＮにより構成した場合、例えば、第２電子ブロック層２３は、アルミニウム組成ｚ２が０．７８であるＡｌ０．７８Ｇａ０．２２Ｎからなる窒化物半導体により構成する。
中間層２２は、例えば、第２電子ブロック層２３のアルミニウム組成ｚ２より小さい、好ましくは障壁層１４１，１４３のアルミニウム組成ｙより小さいアルミニウム組成ｒであるＡｌｒＧａ１−ｒＮからなる窒化物半導体により構成することができ、好ましくは、井戸層１４２のアルミニウム組成ｘと等しいか又は大きいアルミニウム組成ｒのＡｌｒＧａ１−ｒＮからなる窒化物半導体により構成する。
本実施形態の窒化物半導体発光素子において、電子ブロック構造層２０は、例えば、上記（i）〜（iii）に示した条件を満足する限り、以下の種々の形態をとることができる。以下、図２及び図３を参照しながら、電子ブロック構造層２０の構成例について説明する。
図２及び図３にはそれぞれ、形態１〜３の電子ブロック構造層２０のバンド構造を示している。尚、図２及び図３には、後述するｎ側の第２の組成傾斜層１３２、活性層１４、ｐ側クラッド層１５１、ｐ側組成傾斜クラッド層１５２、ｐ側低濃度ドープ層１５３を含めて示している。
図２及び図３にはそれぞれ、形態１〜３の電子ブロック構造層２０のバンド構造を示している。尚、図２及び図３には、後述するｎ側の第２の組成傾斜層１３２、活性層１４、ｐ側クラッド層１５１、ｐ側組成傾斜クラッド層１５２、ｐ側低濃度ドープ層１５３を含めて示している。
電子ブロック構造層２０の形態１．
図２には、形態１の電子ブロック構造層２０のバンド構造を示している。
この形態１の電子ブロック構造層２０では、中間層２２のバンドギャップを井戸層１４２のバンドギャップと同一に設定している。例えば、井戸層１４２を、ＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる窒化物半導体により構成した場合、中間層２２を、アルミニウム組成ｒが井戸層１４２のアルミニウム組成ｘと等しいＡｌｒＧａ１−ｒＮからなる窒化物半導体により構成する。
以上の形態１の電子ブロック構造層２０によれば、中間層２２により第２電子ブロック層２３の負担を軽減することができる結果、第２電子ブロック層２３の劣化に起因した寿命の低下を抑制することができる。
図２には、形態１の電子ブロック構造層２０のバンド構造を示している。
この形態１の電子ブロック構造層２０では、中間層２２のバンドギャップを井戸層１４２のバンドギャップと同一に設定している。例えば、井戸層１４２を、ＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる窒化物半導体により構成した場合、中間層２２を、アルミニウム組成ｒが井戸層１４２のアルミニウム組成ｘと等しいＡｌｒＧａ１−ｒＮからなる窒化物半導体により構成する。
以上の形態１の電子ブロック構造層２０によれば、中間層２２により第２電子ブロック層２３の負担を軽減することができる結果、第２電子ブロック層２３の劣化に起因した寿命の低下を抑制することができる。
電子ブロック構造層２０の形態２．
図３には、形態２の電子ブロック構造層２０のバンド構造を示している。
この形態２の電子ブロック構造層２０では、中間層２２のバンドギャップを井戸層１４２のバンドギャップより大きくして、障壁層１４１，１４３のバンドギャップより小さくしている。例えば、井戸層１４２を、ＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる窒化物半導体により構成し、障壁層１４１，１４３を、ＡｌｙＧａ１−ｙＮからなる窒化物半導体により構成した場合、中間層２２を、アルミニウム組成ｒが井戸層１４２のアルミニウム組成ｘより大きく、障壁層１４１，１４３のアルミニウム組成ｙより小さいＡｌｒＧａ１−ｒＮからなる窒化物半導体により構成する。
以上の形態２の電子ブロック構造層２０によれば、井戸層１４２へのキャリア注入効率の低下をより抑制することができると共に、形態１と同様に第２電子ブロック層２３の負担を軽減することができる。
図３には、形態２の電子ブロック構造層２０のバンド構造を示している。
この形態２の電子ブロック構造層２０では、中間層２２のバンドギャップを井戸層１４２のバンドギャップより大きくして、障壁層１４１，１４３のバンドギャップより小さくしている。例えば、井戸層１４２を、ＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる窒化物半導体により構成し、障壁層１４１，１４３を、ＡｌｙＧａ１−ｙＮからなる窒化物半導体により構成した場合、中間層２２を、アルミニウム組成ｒが井戸層１４２のアルミニウム組成ｘより大きく、障壁層１４１，１４３のアルミニウム組成ｙより小さいＡｌｒＧａ１−ｒＮからなる窒化物半導体により構成する。
以上の形態２の電子ブロック構造層２０によれば、井戸層１４２へのキャリア注入効率の低下をより抑制することができると共に、形態１と同様に第２電子ブロック層２３の負担を軽減することができる。
以上の形態１及び２の電子ブロック構造層２０は、いずれも中間層２２のバンドギャップを障壁層１４１，１４３のバンドギャップより小さくした。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、中間層２２のバンドギャップは、第１電子ブロック層２１及び第２電子ブロック層２３より小さければよく、障壁層１４１，１４３のバンドギャップと同一又は大きくてなっていてもよい。
電子ブロック構造層２０のｐ型不純物
電子ブロック構造層２０は、活性層１４とｐ側層１５の間に設けられる層であることから必要に応じてｐ型不純物を含む。しかしながら、本実施形態では、第１電子ブロック層２１、中間層２２及び第２電子ブロック層２３の少なくとも１つの層は、ノンドープ層であることが好ましい。電子ブロック構造層２０を構成する少なくとも１つの層がノンドープ層であると、井戸層１４２に拡散するｐ型不純物を減らすことができるため、寿命の低下を抑制することができる。
さらに、本実施形態では、第１電子ブロック層２１がノンドープ層であることがより好ましく、第１電子ブロック層２１がノンドープ層であると、井戸層１４２に拡散するｐ型不純物をさらに減らすことができるため、寿命の低下をより効果的に抑制することができる。
電子ブロック構造層２０は、活性層１４とｐ側層１５の間に設けられる層であることから必要に応じてｐ型不純物を含む。しかしながら、本実施形態では、第１電子ブロック層２１、中間層２２及び第２電子ブロック層２３の少なくとも１つの層は、ノンドープ層であることが好ましい。電子ブロック構造層２０を構成する少なくとも１つの層がノンドープ層であると、井戸層１４２に拡散するｐ型不純物を減らすことができるため、寿命の低下を抑制することができる。
さらに、本実施形態では、第１電子ブロック層２１がノンドープ層であることがより好ましく、第１電子ブロック層２１がノンドープ層であると、井戸層１４２に拡散するｐ型不純物をさらに減らすことができるため、寿命の低下をより効果的に抑制することができる。
ここで、ノンドープ層とは、当該層を成長させる際に、ｐ型又はｎ型不純物の不純物をドープすることなく形成した層（例えば、有機金属気相成長法で当該層を成長させる場合には、不純物の原料ガスを止めて成長した層）のことをいい、不純物濃度が１×１０−１６以下の実質的に不純物を含まない層を意味する。
以上のように構成された電子ブロック構造層２０は、図５に示すように、中間層２２を設けることなく、第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３の２層により構成された電子ブロック構造に比較すると、電子ブロック構造層２０にかかる負担が軽減され、電子ブロック構造層２０の劣化を抑えることができる。
したがって、電子ブロック構造層２０を備えた本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３の２層により構成された電子ブロック構造を有する窒化物半導体発光素子に比較すると、寿命を長くすることができる。
したがって、電子ブロック構造層２０を備えた本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３の２層により構成された電子ブロック構造を有する窒化物半導体発光素子に比較すると、寿命を長くすることができる。
また、以上のように構成された電子ブロック構造層２０は、図４の参考例に示す
第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３とを同じバンドギャップを持つように構成した参考例の窒化物半導体発光素子に比較すると発光強度を高くできる。
すなわち、実施形態の電子ブロック構造層２０を備えた窒化物半導体発光素子は、発光強度を高くできかつ寿命を長くすることができる。
第１電子ブロック層２１と第２電子ブロック層２３とを同じバンドギャップを持つように構成した参考例の窒化物半導体発光素子に比較すると発光強度を高くできる。
すなわち、実施形態の電子ブロック構造層２０を備えた窒化物半導体発光素子は、発光強度を高くできかつ寿命を長くすることができる。
尚、本実施形態に窒化物半導体発光素子において、中間層２２は、井戸層１４２と同じ又は井戸層１４２より大きいバンドギャップを有している。このため、発光波長を２５０ｎｍ以上に設定すると、中間層２２と、第１電子ブロック層２１及び第２電子ブロック層２３との間でバンドギャップの差が大きくなるように設定することができる結果、中間層２２により負担軽減効果がより顕著に現れる。また、発光波長が３１０ｎｍ以下になると、第１電子ブロック層２１及び第２電子ブロック層２３の電子ブロック効果で生じる電界がより強くなることから、中間層２２により負担軽減効果がより効果的に発揮される。したがって、本実施形態に窒化物半導体発光素子において、発光波長を２５０ｎｍ〜３１０ｎｍの範囲に設定した場合には、電子ブロック構造層２０の劣化をより効果的に抑えることができる。
本実施形態の窒化物半導体発光素子において、第１電子ブロック層２１は井戸層１４２に接して設けられている。このように井戸層１４２に接して第１電子ブロック層２１を設けると、電子のオーバーフローを効果的に抑制することができる。
しかしながら、本実施形態の窒化物半導体発光素子では、活性層１４のｐ層側の最外層として障壁層を設けるようにして、第１電子ブロック層２１を最外層の障壁層に接するように設けてもよい。このように最外層の障壁層に接して第１電子ブロック層２１を設けると、井戸層１４２へのｐ型不純物の拡散を効果的に抑制することができる。
さらに、本実施形態の窒化物半導体発光素子では、活性層１４と第１電子ブロック層２１の間に必要に応じて別の層を設けてもよい。
しかしながら、本実施形態の窒化物半導体発光素子では、活性層１４のｐ層側の最外層として障壁層を設けるようにして、第１電子ブロック層２１を最外層の障壁層に接するように設けてもよい。このように最外層の障壁層に接して第１電子ブロック層２１を設けると、井戸層１４２へのｐ型不純物の拡散を効果的に抑制することができる。
さらに、本実施形態の窒化物半導体発光素子では、活性層１４と第１電子ブロック層２１の間に必要に応じて別の層を設けてもよい。
以下、本実施形態における電子ブロック構造２０以外の層の構成について詳細に説明する。
［基板１０］
基板１０として、例えば、サファイア基板を用いることができる。サファイア基板は、深紫外光に対して透明であり、深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子用の基板として適している。さらに、ｃ面、より好ましくはｃ面からａ軸方向又はｍ軸方向に０．２°以上２°以下の範囲で傾いた面を上面とするサファイア基板が窒化物半導体の成長に適している。
基板１０として、例えば、サファイア基板を用いることができる。サファイア基板は、深紫外光に対して透明であり、深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子用の基板として適している。さらに、ｃ面、より好ましくはｃ面からａ軸方向又はｍ軸方向に０．２°以上２°以下の範囲で傾いた面を上面とするサファイア基板が窒化物半導体の成長に適している。
［バッファ層１１］
バッファ層１１は、例えば、基板１０の上面に成長されたＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなり、その上に成長される窒化物半導体層とサファイアとの格子不整合を緩和する。
窒化アルミニウムはバンドギャップが極めて大きく、深紫外光に対して透明であり、サファイア基板側から深紫外光を取り出す場合には適している。バッファ層１１の成長初期には、サファイア基板との格子不整合および熱膨張係数差に起因する多数の欠陥が導入されることがある。したがって、バッファ層１１は、一定以上の厚み以上形成することが好ましく、例えば、２μｍ以上の厚さに形成する。一方、バッファ層１１の厚さの上限は特に制限はないが、生産性を低下させることかせないよう例えば４μｍ以下とする。バッファ層１１（窒化アルミニウム）は、単結晶であることが好ましく、単結晶の窒化アルミニウムはｃ軸配向性を高くできるので、活性層１４の結晶配向が向上する結果、発光効率を向上させることができる。
バッファ層１１は、例えば、基板１０の上面に成長されたＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなり、その上に成長される窒化物半導体層とサファイアとの格子不整合を緩和する。
窒化アルミニウムはバンドギャップが極めて大きく、深紫外光に対して透明であり、サファイア基板側から深紫外光を取り出す場合には適している。バッファ層１１の成長初期には、サファイア基板との格子不整合および熱膨張係数差に起因する多数の欠陥が導入されることがある。したがって、バッファ層１１は、一定以上の厚み以上形成することが好ましく、例えば、２μｍ以上の厚さに形成する。一方、バッファ層１１の厚さの上限は特に制限はないが、生産性を低下させることかせないよう例えば４μｍ以下とする。バッファ層１１（窒化アルミニウム）は、単結晶であることが好ましく、単結晶の窒化アルミニウムはｃ軸配向性を高くできるので、活性層１４の結晶配向が向上する結果、発光効率を向上させることができる。
［超格子層１２］
超格子層１２は、格子定数の小さい第１層と第１層より格子定数の大きい第２層とを交互に多周期積層することで、上層に形成される層に加わる応力を緩和させる。これにより、第１の組成傾斜層１３１におけるクラックの発生を防止する。超格子層１２は、例えば、交互に積層された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層と窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層により構成される。
超格子層１２は、格子定数の小さい第１層と第１層より格子定数の大きい第２層とを交互に多周期積層することで、上層に形成される層に加わる応力を緩和させる。これにより、第１の組成傾斜層１３１におけるクラックの発生を防止する。超格子層１２は、例えば、交互に積層された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層と窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層により構成される。
バッファ層１１に接する超格子層１２の最下層は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層であってもよいし、窒化アルミニウムガリウム層（ＡｌＧａＮ）であってもよい。第１の組成傾斜層１３１に接する超格子層１２の最上層も、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層であってもよいし、窒化アルミニウムガリウム層（ＡｌＧａＮ）であってもよい。また、窒化アルミニウム層及び／又は窒化アルミニウムガリウム層には、目的に応じて例えばｎ型不純物などの添加元素をドープさせても良い。サファイア基板１０側から深紫外光を取り出す場合には、窒化アルミニウムガリウム層の組成は、活性層から発せられる深紫外光の光子エネルギーよりも大きなバンドギャップを持つように調整される。
［ｎ側層１３］
ｎ側層１３は、第１の組成傾斜層１３１と第２の組成傾斜層１３２を含む。
第１の組成傾斜層１３１
第１の組成傾斜層１３１は、超格子層側から第２の組成傾斜層側に向けて（この方向を上方向とする）組成が連続的に変化する層であり、例えば、超格子層の上面に接して形成される。この第１の組成傾斜層１３１により、第１の組成傾斜層１３１に接して形成される第２の組成傾斜層１３２の結晶性を高めることができる。
第１の組成傾斜層１３１は、例えば、アンドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｍＡｌ１Ｇａ１−ｍＡｌ１Ｎ）におけるアルミニウム比ｍＡｌ１が、上方向に順次又は徐々に減少する。なお、アルミニウム比ｍＡｌ１は、窒化アルミニウムガリウム中のガリウム及びアルミニウムの和に対するアルミニウムの比で定義する。なお、サファイア基板１０側から深紫外光を取り出す場合には、第１の組成傾斜層全体が、活性層から発せられる深紫外光に対して透明であるよう、ｍＡｌ１の最小値は調整される。
ｎ側層１３は、第１の組成傾斜層１３１と第２の組成傾斜層１３２を含む。
第１の組成傾斜層１３１
第１の組成傾斜層１３１は、超格子層側から第２の組成傾斜層側に向けて（この方向を上方向とする）組成が連続的に変化する層であり、例えば、超格子層の上面に接して形成される。この第１の組成傾斜層１３１により、第１の組成傾斜層１３１に接して形成される第２の組成傾斜層１３２の結晶性を高めることができる。
第１の組成傾斜層１３１は、例えば、アンドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｍＡｌ１Ｇａ１−ｍＡｌ１Ｎ）におけるアルミニウム比ｍＡｌ１が、上方向に順次又は徐々に減少する。なお、アルミニウム比ｍＡｌ１は、窒化アルミニウムガリウム中のガリウム及びアルミニウムの和に対するアルミニウムの比で定義する。なお、サファイア基板１０側から深紫外光を取り出す場合には、第１の組成傾斜層全体が、活性層から発せられる深紫外光に対して透明であるよう、ｍＡｌ１の最小値は調整される。
第２の組成傾斜層１３２
第２の組成傾斜層１３２は、第１の組成傾斜層１３１側から活性層１４側に向けて組成が連続的に変化する層であり、第１の組成傾斜層１３１の上面に接して形成される。この第２の組成傾斜層１３２は、例えば、ｎ型不純物ドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｍＡｌ２Ｇａ１−ｍＡｌ２Ｎ）におけるアルミニウム比ｍＡｌ２が、上方向に順次又は徐々に減少する。このような第２の組成傾斜層１３２によれば、ｎ電極が設けられる部分を低アルミニウム組成にすることができる。つまり低アルミニウム組成とすることにより、ｎ型不純物をより活性化することができ、ｎ電極と第２の組成傾斜層１３２との接触抵抗を低減することができる。ここで、ｎ型不純物は、例えば、シリコンである。
なお、サファイア基板１０側から深紫外光を取り出す場合には、第２の組成傾斜層全体が、活性層から発せられる深紫外光に対して透明であるよう、ｍＡｌ２の最小値は調整される。
第２の組成傾斜層１３２は、第１の組成傾斜層１３１側から活性層１４側に向けて組成が連続的に変化する層であり、第１の組成傾斜層１３１の上面に接して形成される。この第２の組成傾斜層１３２は、例えば、ｎ型不純物ドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｍＡｌ２Ｇａ１−ｍＡｌ２Ｎ）におけるアルミニウム比ｍＡｌ２が、上方向に順次又は徐々に減少する。このような第２の組成傾斜層１３２によれば、ｎ電極が設けられる部分を低アルミニウム組成にすることができる。つまり低アルミニウム組成とすることにより、ｎ型不純物をより活性化することができ、ｎ電極と第２の組成傾斜層１３２との接触抵抗を低減することができる。ここで、ｎ型不純物は、例えば、シリコンである。
なお、サファイア基板１０側から深紫外光を取り出す場合には、第２の組成傾斜層全体が、活性層から発せられる深紫外光に対して透明であるよう、ｍＡｌ２の最小値は調整される。
第１及び第２の組成傾斜層の関係
第１の組成傾斜層１３１及び第２の組成傾斜層１３２の組成及びその組成変化の仕方は夫々独立して設定することができる。しかし、第１の組成傾斜層１３１上面におけるアルミニウム比ｍＡｌ１（以下、ｍＡｌ１ｕとする。）が第２の組成傾斜層１３２下面におけるアルミニウム比ｍＡｌ２（以下、ｍＡｌ２ｂとする。）以上であると、第２の組成傾斜層１３２全体に圧縮応力を加えることができ、クラックの発生を抑制できるため好ましい。ｍＡｌ１ｕ＞ｍＡｌ２とし、かつｍＡｌ１ｕとｍＡｌ２ｂの差を比較的小さくすると、格子不整合による界面での欠陥発生を防ぐことができるためより好ましい。より好ましい範囲を比で表すと、ｍＡｌ１ｕ／ｍＡｌ２ｂとして１．００以上１．０２以下である。また、第１の組成傾斜層１３１及び第２の組成傾斜層１３２によりｎ側層１３が構成され、第１の組成傾斜層１３１の上面に接してｎ電極３１が形成される。
第１の組成傾斜層１３１及び第２の組成傾斜層１３２の組成及びその組成変化の仕方は夫々独立して設定することができる。しかし、第１の組成傾斜層１３１上面におけるアルミニウム比ｍＡｌ１（以下、ｍＡｌ１ｕとする。）が第２の組成傾斜層１３２下面におけるアルミニウム比ｍＡｌ２（以下、ｍＡｌ２ｂとする。）以上であると、第２の組成傾斜層１３２全体に圧縮応力を加えることができ、クラックの発生を抑制できるため好ましい。ｍＡｌ１ｕ＞ｍＡｌ２とし、かつｍＡｌ１ｕとｍＡｌ２ｂの差を比較的小さくすると、格子不整合による界面での欠陥発生を防ぐことができるためより好ましい。より好ましい範囲を比で表すと、ｍＡｌ１ｕ／ｍＡｌ２ｂとして１．００以上１．０２以下である。また、第１の組成傾斜層１３１及び第２の組成傾斜層１３２によりｎ側層１３が構成され、第１の組成傾斜層１３１の上面に接してｎ電極３１が形成される。
［活性層１４］
活性層１４は、例えば、深紫外光を発するＩＩＩ族窒化物半導体からなる井戸層１４２及び障壁層１４１，１４３を有し、第２の組成傾斜層１３２の上面に形成される。井戸層１４２及び障壁層１４１，１４３は、例えば、一般式ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦０．１、０．４≦ｂ≦１．０、ａ＋ｂ≦１．０）で表されるＩＩＩ族窒化物により構成することができる。本実施形態において、ピーク波長が２８０ｎｍの深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子とする場合、例えば、井戸層１４２を、ＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる３元の窒化物半導体とし、アルミニウム組成ｘが０．４５であるＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。その場合、障壁層１４１，１４３は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮからなる３元の窒化物半導体とし、アルミニウム組成ｙが０．５６であるＡｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。図１には、２つの井戸層１４２と２つの障壁層１４１，１４３、具体的には、第２の組成傾斜層１３２に接して障壁層１４１を含み、電子ブロック構造２０に向かって順に、井戸層１４２，障壁層１４３及び井戸層１４２を含む活性層１４を例示している。また、活性層１４において、各層の膜厚は、例えば、障壁層１４１の膜厚：５０ｎｍ、障壁層１４３の膜厚：２．５ｎｍ、井戸層１４２の膜厚：４．４ｎｍに設定される。尚、図１には、最下層に障壁層１４１を形成してその障壁層１４１が第２の組成傾斜層１３２に接するように、最上層に井戸層１４２を形成してその井戸層１４２が第１電子ブロック層２１に接するように活性層１４を設けている。このように構成した活性層１４によれば、電子のオーバーフローを抑制すると共に、正孔の活性層１４への拡散を促進することができる。
しかしながら、本実施形態では、活性層１４において、井戸層と障壁層は目的に応じて種々の配置をとることができ、例えば、最上層に障壁層を形成することもできるし、最下層に井戸層を形成するようにもできる。
また、本実施形態では、活性層１４は、井戸層を２以上含む多重量子井戸構造に限定されるものではなく、単一量子井戸構造であってもよく、また、量子井戸構造でなくてもよい。
活性層１４は、例えば、深紫外光を発するＩＩＩ族窒化物半導体からなる井戸層１４２及び障壁層１４１，１４３を有し、第２の組成傾斜層１３２の上面に形成される。井戸層１４２及び障壁層１４１，１４３は、例えば、一般式ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦０．１、０．４≦ｂ≦１．０、ａ＋ｂ≦１．０）で表されるＩＩＩ族窒化物により構成することができる。本実施形態において、ピーク波長が２８０ｎｍの深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子とする場合、例えば、井戸層１４２を、ＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる３元の窒化物半導体とし、アルミニウム組成ｘが０．４５であるＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。その場合、障壁層１４１，１４３は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮからなる３元の窒化物半導体とし、アルミニウム組成ｙが０．５６であるＡｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。図１には、２つの井戸層１４２と２つの障壁層１４１，１４３、具体的には、第２の組成傾斜層１３２に接して障壁層１４１を含み、電子ブロック構造２０に向かって順に、井戸層１４２，障壁層１４３及び井戸層１４２を含む活性層１４を例示している。また、活性層１４において、各層の膜厚は、例えば、障壁層１４１の膜厚：５０ｎｍ、障壁層１４３の膜厚：２．５ｎｍ、井戸層１４２の膜厚：４．４ｎｍに設定される。尚、図１には、最下層に障壁層１４１を形成してその障壁層１４１が第２の組成傾斜層１３２に接するように、最上層に井戸層１４２を形成してその井戸層１４２が第１電子ブロック層２１に接するように活性層１４を設けている。このように構成した活性層１４によれば、電子のオーバーフローを抑制すると共に、正孔の活性層１４への拡散を促進することができる。
しかしながら、本実施形態では、活性層１４において、井戸層と障壁層は目的に応じて種々の配置をとることができ、例えば、最上層に障壁層を形成することもできるし、最下層に井戸層を形成するようにもできる。
また、本実施形態では、活性層１４は、井戸層を２以上含む多重量子井戸構造に限定されるものではなく、単一量子井戸構造であってもよく、また、量子井戸構造でなくてもよい。
［ｐ側層１５］
ｐ側層１５は、ｐ側クラッド層１５１、ｐ側組成傾斜クラッド層１５２，ｐ側低濃度ドープ層１５３，ｐ側コンタクト層１５４を含み、電子ブロック構造層２０から離れるにしたがって、段階的又は徐々にバンドギャップが小さくなるように構成される。このように、電子ブロック構造層２０に近づくにしたがって、バンドギャップが大きくなるようにすると、ｐ側低濃度ドープ層１５３のホールがｐ側組成傾斜クラッド層１５２を越えやすくなり、活性層にホールを効率良く供給できる。
ｐ側層１５は、ｐ側クラッド層１５１、ｐ側組成傾斜クラッド層１５２，ｐ側低濃度ドープ層１５３，ｐ側コンタクト層１５４を含み、電子ブロック構造層２０から離れるにしたがって、段階的又は徐々にバンドギャップが小さくなるように構成される。このように、電子ブロック構造層２０に近づくにしたがって、バンドギャップが大きくなるようにすると、ｐ側低濃度ドープ層１５３のホールがｐ側組成傾斜クラッド層１５２を越えやすくなり、活性層にホールを効率良く供給できる。
ｐ側クラッド層１５１
ｐ側クラッド層１５１は、第２電子ブロック層２３よりバンドギャップが小さくなるように構成され、例えば、アルミニウム比が第２電子ブロック層２３より小さいＡｌＧａＮ層からなる。例えば、第２電子ブロック層２３を、アルミニウム組成ｚ２が０．７８であるＡｌ０．７８Ｇａ０．２２Ｎからなる窒化物半導体により構成した場合、ｐ側クラッド層１５１は、例えば、Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。
ｐ側クラッド層１５１は、第２電子ブロック層２３よりバンドギャップが小さくなるように構成され、例えば、アルミニウム比が第２電子ブロック層２３より小さいＡｌＧａＮ層からなる。例えば、第２電子ブロック層２３を、アルミニウム組成ｚ２が０．７８であるＡｌ０．７８Ｇａ０．２２Ｎからなる窒化物半導体により構成した場合、ｐ側クラッド層１５１は、例えば、Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ｎからなる窒化物半導体により構成することができる。
ｐ側組成傾斜クラッド層１５２
ｐ側組成傾斜クラッド層１５２は、ｐ側クラッド層１５１から離れるにしたがってバンドギャップが徐々に小さくなるように構成される。例えば、ｐ側クラッド層１５１を、Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ｎからなる窒化物半導体により構成し、ｐ側低濃度ドープ層１５３をＧａＮで構成する場合、ｐ側組成傾斜クラッド層１５２を、ＡｌｍＡｌ３Ｇａ１−ｍＡｌ３Ｎにより構成し、Ａｌ０．６Ｇａ０．４ＮからＧａＮまでアルミニウム比ｍＡｌ３が順次減少するように構成する。これにより、ｐ側低濃度ドープ層１５３のホールがｐ側組成傾斜クラッド層１５２をより越えやすくなり、活性層にホールをより効率良く供給できる。
ｐ側組成傾斜クラッド層１５２は、ｐ側クラッド層１５１から離れるにしたがってバンドギャップが徐々に小さくなるように構成される。例えば、ｐ側クラッド層１５１を、Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ｎからなる窒化物半導体により構成し、ｐ側低濃度ドープ層１５３をＧａＮで構成する場合、ｐ側組成傾斜クラッド層１５２を、ＡｌｍＡｌ３Ｇａ１−ｍＡｌ３Ｎにより構成し、Ａｌ０．６Ｇａ０．４ＮからＧａＮまでアルミニウム比ｍＡｌ３が順次減少するように構成する。これにより、ｐ側低濃度ドープ層１５３のホールがｐ側組成傾斜クラッド層１５２をより越えやすくなり、活性層にホールをより効率良く供給できる。
ｐ側低濃度ドープ層１５３
ｐ側低濃度ドープ層１５３は、例えば、ＧａＮからなり、電流を横方向に拡散する役割を果たす。
ｐ側低濃度ドープ層１５３は、例えば、ＧａＮからなり、電流を横方向に拡散する役割を果たす。
ｐ側コンタクト層１５４
ｐ側コンタクト層１５４は、例えば、ＧａＮからなり、ｐ側低濃度ドープ層１５３より高い濃度でｐ型不純物を含む。ｐ型不純物は、好ましくはマグネシウムである。
ｐ側コンタクト層１５４は、例えば、ＧａＮからなり、ｐ側低濃度ドープ層１５３より高い濃度でｐ型不純物を含む。ｐ型不純物は、好ましくはマグネシウムである。
以下、実施例を用いてより具体的に説明する。
実施例１．
直径７．６２ｃｍ（３インチ）の、ｃ面を上面とするサファイア基板１０の上面に、厚さ３．５μｍの窒化アルミニウムからなるバッファ層１１を形成した。
次に、バッファ層１１が形成された基板１０を反応容器に設置し、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いて、厚さ約０．１μｍの単結晶の窒化アルミニウムからなるバッファ層を成長させた。
直径７．６２ｃｍ（３インチ）の、ｃ面を上面とするサファイア基板１０の上面に、厚さ３．５μｍの窒化アルミニウムからなるバッファ層１１を形成した。
次に、バッファ層１１が形成された基板１０を反応容器に設置し、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いて、厚さ約０．１μｍの単結晶の窒化アルミニウムからなるバッファ層を成長させた。
引き続きアンモニア、ＴＭＡ及びトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、厚さ約２７．０ｎｍのＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎからなる層（層ａ）を形成した。次にＴＭＧの導入を止め、アンモニア及びＴＭＡを用いて、厚さ約１０．２ｎｍのＡｌＮからなる層（層ｂ）を形成した。層ａ及び層ｂを交互に夫々３０回繰り返し形成し、超格子層１２を形成した。
引き続きアンモニア、ＴＭＡ及びＴＭＧを用いて、アンドープであり、Ａｌ０．７Ｇａ０．３ＮからＡｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎまで上方向へｍＡｌ１が順次減少する第１の組成傾斜層１３１を５００ｎｍの厚さに形成した。
引き続きアンモニア、ＴＭＡ、ＴＭＧ及びモノシラン用いて、シリコンドープであり、Ａｌ０．５６Ｇａ０．４４ＮからＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎまで上方向へｍＡｌ２が順次減少する第２の組成傾斜層１３２を２５００ｎｍの厚さに形成した。
第２の組成傾斜層１３２の形成後、全てのガスを一旦止め、反応容器内を９７０℃、２６．７ｋＰａ（２００Ｔｏｒｒ）に調整した。調整後、アンモニア、ＴＭＡ、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）及びモノシランを用いて、厚さ約５０．０ｎｍのシリコンドープのＡｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎからなる障壁層１４１を形成した。
次にモノシランの導入を止め、アンモニア、ＴＭＡ及びＴＥＧを用いて、厚さ約４．４ｎｍのＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層１４２を形成した。引き続きアンモニア、ＴＭＡ、ＴＥＧ及びモノシランを用いて、厚さ約２．５ｎｍのシリコンドープのＡｌ０．５６Ｇａ０．４４Ｎからなる障壁層１４３を形成した。次いで、モノシランの導入を止め、アンモニア、ＴＭＡ及びＴＥＧを用いて、厚さ約４．４ｎｍのＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層１４２を形成した。
以上のようにして、活性層１４を形成した。
以上のようにして、活性層１４を形成した。
活性層形成後、全てのガスを一旦止め、反応容器内を８７０℃、１３．３ｋＰａに調整する。調整後、アンモニア及びＴＭＡを用いて、厚さ約１．０ｎｍのｐ型不純物（Ｍｇ）ドープの窒化アルミニウムからなる第１電子ブロック層２１を形成した。
次に、アンモニア、ＴＭＡ、及びＴＭＧ（又はＴＥＧ）を用いて、厚さ約１．０ｎｍのＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる中間層２２を形成した。
引き続きアンモニア、ＴＭＡ、及びＴＭＧ（又はＴＥＧ）を用いて、厚さ約４．０ｎｍのｐ型不純物ドープのＡｌ０．７８Ｇａ０．２２Ｎからなる第２電子ブロック層２３を形成した。
引き続きアンモニア、ＴＭＡ、ＴＭＧ（又はＴＥＧ）、及びビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ；マグネソセン）を用いて、厚さ約７８．０ｎｍのマグネシウムドープのＡｌ０．６３Ｇａ０．３７Ｎからなるｐ側クラッド層１５１を形成した。
引き続きアンモニア、ＴＭＡ、ＴＭＧ（又はＴＥＧ）、及びＣｐ２Ｍｇを用いて、マグネシウムドープであり、Ａｌ０．６Ｇａ０．４ＮからＧａＮまで上方向へｍＡｌ３が順次減少するｐ側組成傾斜層１５２を２３ｎｍの厚さに形成した。
引き続きアンモニア、ＴＭＧ及びＣｐ２Ｍｇを用いて、厚さ約３００．０ｎｍのマグネシウムドープの窒化ガリウムからなるｐ側低濃度ドープ層１５３を形成した。
続いて、アンモニア、ＴＭＧ及びＣｐ２Ｍｇを用いて、厚さ約１５ｎｍのマグネシウムドープの窒化ガリウムからなるｐ側コンタクト層１５４を形成した。
［ｎ側層露出］
所定の領域のみエッチングされる様、その所定の領域を除いてマスクを形成した。マスクを形成した後、半導体積層体をドライエッチング装置に入れ、ｐ側層側から約０．８μｍエッチングを施し、所定の領域にｎ側層を露出させた。エッチング後ドライエッチング装置から半導体積層体を取り出し、マスクを除去した。
所定の領域のみエッチングされる様、その所定の領域を除いてマスクを形成した。マスクを形成した後、半導体積層体をドライエッチング装置に入れ、ｐ側層側から約０．８μｍエッチングを施し、所定の領域にｎ側層を露出させた。エッチング後ドライエッチング装置から半導体積層体を取り出し、マスクを除去した。
［ｎ電極形成］
露出したｎ側層の電極形成領域のみスパッタされるようマスクを形成した。続いて、半導体積層体をスパッタ装置に入れ、例えばチタンとアルミニウムの合金をスパッタした。その後、マスクを除去することにより、露出したｎ側層の上面にｎ電極が形成された。この時点では一枚のウェハに複数の半導体積層体が形成され、個々の半導体積層体は同一のｎ側層を共有している状態である。
露出したｎ側層の電極形成領域のみスパッタされるようマスクを形成した。続いて、半導体積層体をスパッタ装置に入れ、例えばチタンとアルミニウムの合金をスパッタした。その後、マスクを除去することにより、露出したｎ側層の上面にｎ電極が形成された。この時点では一枚のウェハに複数の半導体積層体が形成され、個々の半導体積層体は同一のｎ側層を共有している状態である。
［ｐ電極形成］
ｐ側コンタクト層１５４の上面のみスパッタされるようマスクを形成した。続いて、半導体積層体をスパッタ装置に入れ、例えばＩＴＯをスパッタした。その後、マスクを除去することにより、ｐ側コンタクト層１５４の上面にｐ電極が形成された。
ｐ側コンタクト層１５４の上面のみスパッタされるようマスクを形成した。続いて、半導体積層体をスパッタ装置に入れ、例えばＩＴＯをスパッタした。その後、マスクを除去することにより、ｐ側コンタクト層１５４の上面にｐ電極が形成された。
［個片化］
以上の工程を経た後、ウェハを個々の素子ごとに分割した。
以上の工程を経た後、ウェハを個々の素子ごとに分割した。
以上のようにして、波長２８０ｎｍの深紫外を発光するように実施例１の窒化物半導体発光素子を作製することができた。
［寿命試験］
上記実施例１と同じ条件で半導体積層体を形成した個片化前のウェハと、比較例として中間層２２を形成せずに第１電子ブロック層２１上に第２電子ブロック層２２を形成した以外は実施例１と同じ条件のウェハとについて、それぞれ常温下で１５０ｍＡを印加して継続使用し、１分間隔で光出力を測定（２０ｍＡ）する寿命試験を行った。この結果を図６に示す。なお、図６は、初期の光出力を１００％としたときの経時変化を示している。
上記実施例１と同じ条件で半導体積層体を形成した個片化前のウェハと、比較例として中間層２２を形成せずに第１電子ブロック層２１上に第２電子ブロック層２２を形成した以外は実施例１と同じ条件のウェハとについて、それぞれ常温下で１５０ｍＡを印加して継続使用し、１分間隔で光出力を測定（２０ｍＡ）する寿命試験を行った。この結果を図６に示す。なお、図６は、初期の光出力を１００％としたときの経時変化を示している。
実施例１の窒化物半導体発光素子は、８００分経過後も８５％を維持しているのに対して、比較例の窒化物半導体発光素子は６０％を下回っており、実施例１の窒化物半導体発光素子の寿命が改善されているのが分かる。
実施例２．
実施例２として、第１電子ブロック層２１の厚さを変更した以外は、実施例１の窒化物半導体発光素子と同様にして６個の窒化物半導体発光素子（サンプルＮｏ．１〜６）を作製して、一定時間経過後の発光出力の維持率を評価した。
維持率は、加速試験により評価した。具体的には、各発光素子につき、加速試験前と１５０ｍＡにて７００分通電した加速試験後にそれぞれ２０ｍＡにおける光出力を測定し、試験前後における光出力の維持率を算出したものである。
その結果を、図７に示す。
ここで、各窒化物半導体発光素子における第１電子ブロック層２１の厚さは、以下の表１に示すようにした。
実施例２として、第１電子ブロック層２１の厚さを変更した以外は、実施例１の窒化物半導体発光素子と同様にして６個の窒化物半導体発光素子（サンプルＮｏ．１〜６）を作製して、一定時間経過後の発光出力の維持率を評価した。
維持率は、加速試験により評価した。具体的には、各発光素子につき、加速試験前と１５０ｍＡにて７００分通電した加速試験後にそれぞれ２０ｍＡにおける光出力を測定し、試験前後における光出力の維持率を算出したものである。
その結果を、図７に示す。
ここで、各窒化物半導体発光素子における第１電子ブロック層２１の厚さは、以下の表１に示すようにした。
表１
以上の図７に示す結果から、ＡｌＮからなる第１電子ブロック層２１の厚さが、０．９〜２．０ｎｍ範囲の厚さであるときに高い電子ブロック効果が得られ、０．９〜１．３ｎｍの範囲の厚さであるときにより高い電子ブロック効果が得られることが確認された。
第１電子ブロック層２１（ＡｌＮ層）が０．５ｎｍ程度まで薄くなると、電子ブロック効果の低下に起因すると思われる維持率の低下が見られた。第１電子ブロック層２１（ＡｌＮ層）が２．３ｎｍ程度まで厚くなると、維持率の低下が見られた。これは、井戸層のバンドギャップに生じる歪みが大きくなるため電界が集中しやすく、すなわち、バンドギャップが小さくなるので、発光再結合のほとんどがこのバンドギャップの小さな部分で起こる結果、電界が集中して、素子寿命が低下したものと考えられる。
１０ 基板
１１ バッファ層
１２ 超格子層
１３ ｎ側層
１４ 活性層
１５ ｐ側層
２０ 電子ブロック構造層
２１ 第１電子ブロック層
２２ 中間層
２３ 第２電子ブロック層
１３１ 第１の組成傾斜層
１３２ 第２の組成傾斜層
１４１，１４３ 障壁層
１４２ 井戸層
１５１ ｐ側クラッド層
１５２ ｐ側組成傾斜クラッド層
１５３ ｐ側低濃度ドープ層
１５４ ｐ側コンタクト層
１１ バッファ層
１２ 超格子層
１３ ｎ側層
１４ 活性層
１５ ｐ側層
２０ 電子ブロック構造層
２１ 第１電子ブロック層
２２ 中間層
２３ 第２電子ブロック層
１３１ 第１の組成傾斜層
１３２ 第２の組成傾斜層
１４１，１４３ 障壁層
１４２ 井戸層
１５１ ｐ側クラッド層
１５２ ｐ側組成傾斜クラッド層
１５３ ｐ側低濃度ドープ層
１５４ ｐ側コンタクト層
Claims (13)
- ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層の間に設けられ、ＡｌとＧａとＮとを含む井戸層と、ＡｌとＧａとＮとを含み、Ａｌの含有量が前記井戸層より大きい障壁層とを有してなる活性層と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、
前記活性層と前記ｐ側層との間に電子ブロック構造層を有し、
前記電子ブロック構造層は、
バンドギャップが前記障壁層より大きい第１電子ブロック層と、
前記ｐ側層と前記第１電子ブロック層の間に設けられ、前記障壁層より大きく前記第１電子ブロック層より小さいバンドギャップを有する第２電子ブロック層と、
前記第１電子ブロック層と前記第２電子ブロック層の間に設けられ、バンドギャップが前記第２電子ブロック層より小さい中間層と、を有し、前記中間層のバンドギャップは、前記障壁層のバンドギャップより小さい窒化物半導体発光素子。 - ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層の間に設けられ、ＡｌとＧａとＮとを含む井戸層と、ＡｌとＧａとＮとを含み、Ａｌの含有量が前記井戸層より大きい障壁層とを有してなる活性層と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、
前記活性層と前記ｐ側層との間に電子ブロック構造層を有し、
前記電子ブロック構造層は、
バンドギャップが前記障壁層より大きい第１電子ブロック層と、
前記ｐ側層と前記第１電子ブロック層の間に設けられ、前記障壁層より大きく前記第１電子ブロック層より小さいバンドギャップを有する第２電子ブロック層と、
前記第１電子ブロック層と前記第２電子ブロック層の間に設けられ、バンドギャップが前記第２電子ブロック層より小さい中間層と、を有し、
前記ｐ側層は、前記第２電子ブロック層よりバンドギャップが小さいｐ側クラッド層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記中間層のバンドギャップは、前記障壁層のバンドギャップより小さい請求項２記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第１電子ブロック層は、前記井戸層に接している請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第１電子ブロック層の厚さは、前記第２電子ブロック層の厚さよりも薄い請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層の厚さは、前記第２電子ブロック層の厚さよりも薄い請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、前記井戸層と同じ又は前記井戸層より大きいバンドギャップを有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
- ２５０〜３１０ｎｍの範囲に発光ピーク波長を有する請求項７に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第１電子ブロック層は、ＡｌＮからなる請求項８に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、ＡｌＧａＮからなる請求項８又は９に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第２電子ブロック層は、ＡｌＧａＮからなる請求項８〜１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第１電子ブロック層の厚さは、０．９〜２．０ｎｍである請求項９〜１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第１電子ブロック層は、ｐ型不純物を実質的に含まないノンドープ層である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015190294 | 2015-09-28 | ||
| JP2015190294 | 2015-09-28 | ||
| PCT/JP2016/077888 WO2017057149A1 (ja) | 2015-09-28 | 2016-09-21 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2017057149A1 JPWO2017057149A1 (ja) | 2018-07-26 |
| JP6589987B2 true JP6589987B2 (ja) | 2019-10-16 |
Family
ID=58423482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017543193A Active JP6589987B2 (ja) | 2015-09-28 | 2016-09-21 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10505074B2 (ja) |
| JP (1) | JP6589987B2 (ja) |
| KR (1) | KR102618238B1 (ja) |
| CN (1) | CN108028300B (ja) |
| DE (1) | DE112016004375T5 (ja) |
| TW (1) | TWI688120B (ja) |
| WO (1) | WO2017057149A1 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6477642B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| JP6486401B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2019-03-20 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| US10978612B2 (en) * | 2017-07-31 | 2021-04-13 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd | Semiconductor light emitting device |
| US11557693B2 (en) | 2017-07-31 | 2023-01-17 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| CN107394019B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-07-12 | 安徽三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件及其制备方法 |
| JP2019054023A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
| JP6379265B1 (ja) * | 2017-09-12 | 2018-08-22 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP6691090B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2020-04-28 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2019110168A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体素子 |
| CN109962132A (zh) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
| JP6727185B2 (ja) | 2017-12-28 | 2020-07-22 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP6727186B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-07-22 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP7221593B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2023-02-14 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP7295371B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2023-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| US11984535B2 (en) * | 2018-11-05 | 2024-05-14 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same |
| CN111146282B (zh) * | 2018-11-06 | 2023-03-28 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 高电子迁移率晶体管装置及其制造方法 |
| JP2020167321A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP6698925B1 (ja) * | 2019-08-06 | 2020-05-27 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| US11114555B2 (en) * | 2019-08-20 | 2021-09-07 | Vanguard International Semiconductor Corporation | High electron mobility transistor device and methods for forming the same |
| JP6727385B1 (ja) | 2019-08-20 | 2020-07-22 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP7141425B2 (ja) * | 2020-04-28 | 2022-09-22 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP7041715B2 (ja) * | 2020-06-23 | 2022-03-24 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP7166318B2 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-11-07 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| CN112331748A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-02-05 | 安徽中医药大学 | 一种发光二极管的外延结构及其制备方法 |
| CN113451470B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-05-31 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 电子阻挡层、发光器件及其制备方法和显示装置 |
| CN112909141A (zh) * | 2021-02-28 | 2021-06-04 | 安徽三安光电有限公司 | 一种氮化物半导体发光元件及其制作方法 |
| JP2022172792A (ja) * | 2021-05-07 | 2022-11-17 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| CN113571613B (zh) * | 2021-06-15 | 2022-10-04 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 发光二极管结构 |
| JP2023008449A (ja) * | 2021-07-06 | 2023-01-19 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| CN113594314B (zh) * | 2021-08-05 | 2023-04-25 | 江西力特康光学有限公司 | 一种深紫外发光二极管的结构及其制备方法 |
| CN114188449B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-07-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种电子阻挡层生长方法、外延层及led芯片 |
| JP7291357B1 (ja) | 2022-02-24 | 2023-06-15 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 紫外発光素子およびそれを備える電気機器 |
| CN116544325B (zh) * | 2023-05-11 | 2024-02-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种高光效led外延结构及制备方法 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340580A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 |
| US6555403B1 (en) | 1997-07-30 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser, semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same |
| US6466597B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2000077795A (ja) | 1998-06-17 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ―ザ装置 |
| JP2000196194A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US6586762B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
| JP3803696B2 (ja) | 2000-11-21 | 2006-08-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP4161603B2 (ja) | 2001-03-28 | 2008-10-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP2002314205A (ja) | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子ならびにそれを用いた光学装置および発光装置 |
| ATE387736T1 (de) | 2001-11-05 | 2008-03-15 | Nichia Corp | Halbleiterelement |
| US20070290230A1 (en) * | 2003-09-25 | 2007-12-20 | Yasutoshi Kawaguchi | Nitride Semiconductor Device And Production Method Thereof |
| US7326963B2 (en) * | 2004-12-06 | 2008-02-05 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Nitride-based light emitting heterostructure |
| JP4850453B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-01-11 | ローム株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
| KR101000279B1 (ko) | 2008-04-15 | 2010-12-10 | 우리엘에스티 주식회사 | 비대칭적 단위 유닛으로 구성된 클래드층을 이용한발광소자 |
| US8742440B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same |
| WO2011104969A1 (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-01 | 独立行政法人理化学研究所 | 窒化物半導体多重量子障壁を有する発光素子及びその製造方法 |
| TW201230389A (en) | 2010-10-27 | 2012-07-16 | Univ California | Method for reduction of efficiency droop using an (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N superlattice electron blocking layer in nitride based light emitting diodes |
| US8748919B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-06-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Ultraviolet light emitting device incorporating optically absorbing layers |
| US20140191192A1 (en) * | 2011-07-29 | 2014-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| US9252329B2 (en) | 2011-10-04 | 2016-02-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Ultraviolet light emitting devices having compressively strained light emitting layer for enhanced light extraction |
| JP5862177B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| CN102544285B (zh) * | 2012-01-16 | 2015-12-09 | 北京大学 | 利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件 |
| KR101923670B1 (ko) * | 2012-06-18 | 2018-11-29 | 서울바이오시스 주식회사 | 전자 차단층을 갖는 발광 소자 |
| KR101953716B1 (ko) | 2012-08-23 | 2019-03-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
| KR101936312B1 (ko) * | 2012-10-09 | 2019-01-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US8890114B2 (en) * | 2012-10-16 | 2014-11-18 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| KR101976455B1 (ko) | 2012-10-19 | 2019-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
| TWI565094B (zh) | 2012-11-15 | 2017-01-01 | 財團法人工業技術研究院 | 氮化物半導體結構 |
| US20160005919A1 (en) | 2013-02-05 | 2016-01-07 | Tokuyama Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
| JP6466653B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2019-02-06 | スタンレー電気株式会社 | 窒化物半導体発光素子、および窒化物半導体ウェーハ |
| JP6192378B2 (ja) | 2013-06-18 | 2017-09-06 | 学校法人 名城大学 | 窒化物半導体発光素子 |
| US10141477B1 (en) * | 2017-07-28 | 2018-11-27 | Lumileds Llc | Strained AlGaInP layers for efficient electron and hole blocking in light emitting devices |
-
2016
- 2016-09-21 JP JP2017543193A patent/JP6589987B2/ja active Active
- 2016-09-21 KR KR1020187008112A patent/KR102618238B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-21 CN CN201680055494.0A patent/CN108028300B/zh active Active
- 2016-09-21 WO PCT/JP2016/077888 patent/WO2017057149A1/ja active Application Filing
- 2016-09-21 US US15/763,375 patent/US10505074B2/en active Active
- 2016-09-21 DE DE112016004375.9T patent/DE112016004375T5/de active Pending
- 2016-09-23 TW TW105130741A patent/TWI688120B/zh active
-
2019
- 2019-08-20 US US16/546,204 patent/US10686098B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190371968A1 (en) | 2019-12-05 |
| KR20180082424A (ko) | 2018-07-18 |
| CN108028300A (zh) | 2018-05-11 |
| JPWO2017057149A1 (ja) | 2018-07-26 |
| CN108028300B (zh) | 2020-09-04 |
| US10505074B2 (en) | 2019-12-10 |
| WO2017057149A1 (ja) | 2017-04-06 |
| US10686098B2 (en) | 2020-06-16 |
| KR102618238B1 (ko) | 2023-12-26 |
| US20180287014A1 (en) | 2018-10-04 |
| TWI688120B (zh) | 2020-03-11 |
| TW201724560A (zh) | 2017-07-01 |
| DE112016004375T5 (de) | 2018-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190820 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190902 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |