JP6586799B2 - Abrasive, abrasive set, and substrate polishing method - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 256
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 118
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 82
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 71
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 54
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 15
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 13
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 11
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 63
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 32
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 22
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 21
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- -1 FinFET structure Chemical compound 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 14
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 11
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 9
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 7
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 5
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 5
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 5
- TXHZNLCKXHJYNX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound COCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOC(=O)C(C)=C TXHZNLCKXHJYNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 4
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 3
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000010130 dispersion processing Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-2,4-dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C#C)C(OC)=C1 IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 1
- 239000001879 Curdlan Substances 0.000 description 1
- 229920002558 Curdlan Polymers 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229920002907 Guar gum Polymers 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000008351 acetate buffer Substances 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005377 adsorption chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 1
- 229940023476 agar Drugs 0.000 description 1
- 235000010419 agar Nutrition 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005102 attenuated total reflection Methods 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 229940105329 carboxymethylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 235000019316 curdlan Nutrition 0.000 description 1
- 229940078035 curdlan Drugs 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 239000000665 guar gum Substances 0.000 description 1
- 235000010417 guar gum Nutrition 0.000 description 1
- 229960002154 guar gum Drugs 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 229920003175 pectinic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005199 ultracentrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Description
本発明は、研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法に関する。特に、本発明は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）用の研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法に関する。 The present invention relates to an abrasive, an abrasive set, and a method for polishing a substrate. In particular, the present invention relates to an abrasive for chemical mechanical polishing (CMP), an abrasive set, and a method for polishing a substrate.
近年、半導体素子の製造工程では、更なる配線の微細化を達成することが求められており、研磨時に発生する研磨傷が問題となっている。例えば、従来の酸化セリウム系研磨剤を用いて研磨を行った際に微小な研磨傷が発生しても、この研磨傷の大きさが従来の配線幅より小さいものであれば問題にならなかったが、更なる配線の微細化を達成しようとする場合には、研磨傷が微小であっても問題となってしまう。 In recent years, in the manufacturing process of a semiconductor element, it has been required to achieve further miniaturization of wiring, and polishing scratches generated during polishing have become a problem. For example, even when a fine polishing flaw occurs when polishing using a conventional cerium oxide-based abrasive, there is no problem if the size of the polishing flaw is smaller than the conventional wiring width. However, when trying to achieve further miniaturization of the wiring, there is a problem even if the polishing scratches are minute.
この問題に対し、４価金属元素の水酸化物の粒子を用いた研磨剤が検討されている（例えば、下記特許文献１〜３参照）。また、４価金属元素の水酸化物の粒子の製造方法についても検討されている（例えば、下記特許文献４、５参照）。これらの技術は、４価金属元素の水酸化物の粒子が有する化学的作用を活かしつつ機械的作用を極力小さくすることによって、粒子による研磨傷を低減しようとするものである。
In order to solve this problem, an abrasive using a hydroxide particle of a tetravalent metal element has been studied (for example, see Patent Documents 1 to 3 below). Further, a method for producing hydroxide particles of a tetravalent metal element has been studied (for example, see
ところで、近年、窒化珪素がハードマスク又はキャップの構成材料として用いられる半導体素子がある。このような半導体素子の製造工程では、窒化珪素の一部又は全部を除去する必要がある。窒化珪素を除去する方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。しかしながら、窒化珪素をＣＭＰプロセスで除去することができれば、プロセスを簡略化できるため、スループットの向上及びコスト低減が可能である。 By the way, in recent years, there is a semiconductor element in which silicon nitride is used as a constituent material of a hard mask or a cap. In the manufacturing process of such a semiconductor element, it is necessary to remove part or all of silicon nitride. An example of a method for removing silicon nitride is dry etching. However, if silicon nitride can be removed by a CMP process, the process can be simplified, and thus throughput and cost can be reduced.
窒化珪素を除去するためのＣＭＰ用研磨剤としては、研磨砥粒（例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ、セリア等を含有する砥粒）、ｐＨ調整剤、添加剤などを組み合わせた研磨剤組成物が種々検討されている（例えば、下記特許文献６〜８参照）。 As an abrasive for CMP for removing silicon nitride, an abrasive composition in which abrasive grains (for example, abrasive grains containing fumed silica, colloidal silica, ceria, etc.), a pH adjuster, an additive, and the like are combined. Have been studied in various ways (for example, see Patent Documents 6 to 8 below).
近年研究が盛んに行われているトランジスタ構造であるＦｉｎＦＥＴ構造、半導体素子のゲート部等のように、窒化珪素に加えて他の様々な被研磨材料（酸化珪素、ポリシリコン等）を含む被研磨面の研磨では、複数の被研磨材料を同時に研磨して除去すること、又は、特定の被研磨材料が被研磨面に露出した際に研磨を止めることが必要である場合がある。このような場合、例えば、窒化珪素のみを除去する、又は、窒化珪素及び他の被研磨材料（例えば酸化珪素）の両方を除去するといったように、状況に応じて、対象物の研磨速度を制御することが必要である場合がある。しかしながら、窒化珪素は、酸化珪素、ポリシリコン等の被研磨材料と比べて充分な研磨速度が得られにくい（除去されにくい）。そのため、窒化珪素の研磨速度を改善すると共に、窒化珪素と、酸化珪素等の他の被研磨材料との研磨速度の調整は課題とされている。 Polishing including various other materials to be polished (silicon oxide, polysilicon, etc.) in addition to silicon nitride, such as FinFET structure, which is a transistor structure that has been actively studied in recent years, and gate portions of semiconductor elements In surface polishing, it may be necessary to simultaneously polish and remove a plurality of materials to be polished, or to stop polishing when a specific material to be polished is exposed to the surface to be polished. In such a case, for example, only the silicon nitride is removed, or both the silicon nitride and other materials to be polished (for example, silicon oxide) are removed. It may be necessary to do. However, silicon nitride is difficult to obtain (not easily removed) at a sufficient polishing rate as compared with materials to be polished such as silicon oxide and polysilicon. Therefore, while improving the polishing rate of silicon nitride, adjustment of the polishing rate of silicon nitride and other materials to be polished such as silicon oxide is an issue.
本発明は、上記課題を解決しようとするものであり、酸化珪素の研磨速度を抑制しつつ、窒化珪素を高速に研磨できる研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an abrasive, an abrasive set, and a substrate polishing method capable of polishing silicon nitride at a high speed while suppressing the polishing rate of silicon oxide. To do.
本発明者は、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒と、カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物とを併用することにより、酸化珪素の研磨速度を抑制しつつ、窒化珪素を高速に研磨できることを見出した。 The present inventor uses a combination of abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element and a polyoxyalkylene compound containing a carboxyl group to polish silicon nitride at high speed while suppressing the polishing speed of silicon oxide. I found out that I can do it.
すなわち、本発明は、液状媒体と、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒と、カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物と、を含有し、前記ポリオキシアルキレン化合物の重量平均分子量が３５００以上である、研磨剤を提供する。本発明に係る研磨剤によれば、酸化珪素の研磨速度を抑制しつつ、窒化珪素を高速に研磨することができる。 That is, the present invention contains a liquid medium, abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element, and a polyoxyalkylene compound containing a carboxyl group, and the polyoxyalkylene compound has a weight average molecular weight of 3500 or more. An abrasive is provided. According to the polishing agent of the present invention, silicon nitride can be polished at high speed while suppressing the polishing rate of silicon oxide.
前記ポリオキシアルキレン化合物の含有量は、研磨剤の全質量を基準として０．００１質量％以上であることが好ましい。これにより、酸化珪素の研磨速度を更に抑制できると共に、窒化珪素を更に高速に研磨することができる。 The content of the polyoxyalkylene compound is preferably 0.001% by mass or more based on the total mass of the abrasive. Thereby, the polishing rate of silicon oxide can be further suppressed, and silicon nitride can be polished at a higher speed.
前記ポリオキシアルキレン化合物のポリオキシアルキレン部の分子量は、４００以上であることが好ましい。これにより、酸化珪素の研磨速度を更に抑制することができる。 The molecular weight of the polyoxyalkylene part of the polyoxyalkylene compound is preferably 400 or more. Thereby, the polishing rate of silicon oxide can be further suppressed.
前記４価金属元素は、４価セリウムであることが好ましい。これにより、窒化珪素の研磨速度を更に向上させつつ、被研磨面における研磨傷の発生を抑制できる。ところで、従来、セリウム系粒子は、酸化珪素を高速に研磨できる材料として使われており、酸化珪素の研磨速度を窒化珪素の研磨速度以下に調整することは非常に困難である。一方、本発明では、前記４価金属元素が４価セリウムである場合であっても、酸化珪素の研磨速度を窒化珪素の研磨速度以下に調整することができる。 The tetravalent metal element is preferably tetravalent cerium. Thereby, generation | occurrence | production of the grinding | polishing damage | wound in a to-be-polished surface can be suppressed, further improving the grinding | polishing speed | rate of silicon nitride. Conventionally, cerium-based particles have been used as a material capable of polishing silicon oxide at a high speed, and it is very difficult to adjust the polishing rate of silicon oxide to be equal to or lower than the polishing rate of silicon nitride. On the other hand, in the present invention, even when the tetravalent metal element is tetravalent cerium, the polishing rate of silicon oxide can be adjusted to be equal to or lower than the polishing rate of silicon nitride.
前記砥粒は、当該砥粒の含有量を１．０質量％に調整した水分散液を遠心加速度１．５９×１０５Ｇで５０分遠心分離したときに不揮発分含量３００ｐｐｍ以上の液相を与えるものであることが好ましい。これにより、窒化珪素を更に高速に研磨することができる。なお、「ｐｐｍ」は、質量ｐｐｍ、すなわち「ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ ｍａｓｓ」を意味するものとする。 The abrasive grains have a liquid phase with a nonvolatile content of 300 ppm or more when an aqueous dispersion whose content is adjusted to 1.0% by mass is centrifuged at a centrifugal acceleration of 1.59 × 10 5 G for 50 minutes. It is preferable to give. Thereby, silicon nitride can be polished at a higher speed. “Ppm” means mass ppm, that is, “parts per million mass”.
本発明の一態様は、窒化珪素を含む被研磨面の研磨への前記研磨剤の使用に関する。すなわち、本発明に係る研磨剤は、窒化珪素を含む被研磨面を研磨するために使用されることが好ましい。 One embodiment of the present invention relates to the use of the above-described abrasive for polishing a surface to be polished containing silicon nitride. That is, the abrasive according to the present invention is preferably used for polishing a surface to be polished containing silicon nitride.
本発明は、前記研磨剤の構成成分が第一の液と第二の液とに分けて保存され、前記第一の液が前記砥粒及び液状媒体を含み、前記第二の液が前記ポリオキシアルキレン化合物及び液状媒体を含む、研磨剤セットを提供する。本発明に係る研磨剤セットによれば、本発明に係る研磨剤と同様の上記効果を得ることができる。 In the present invention, the constituents of the abrasive are stored separately in a first liquid and a second liquid, the first liquid contains the abrasive grains and a liquid medium, and the second liquid is the polycrystal. An abrasive set comprising an oxyalkylene compound and a liquid medium is provided. According to the abrasive | polishing agent set which concerns on this invention, the said effect similar to the abrasive | polishing agent which concerns on this invention can be acquired.
本発明は、前記研磨剤を用いて基体の被研磨面を研磨する工程を備え、前記被研磨面が窒化珪素を含む、基体の研磨方法を提供する。このような基体の研磨方法によれば、本発明に係る研磨剤と同様の上記効果を得ることができる。 The present invention provides a method for polishing a substrate, comprising the step of polishing a surface to be polished of the substrate using the polishing agent, wherein the surface to be polished contains silicon nitride. According to such a method for polishing a substrate, the same effects as those of the abrasive according to the present invention can be obtained.
本発明は、前記研磨剤セットにおける前記第一の液と前記第二の液とを混合して得られる研磨剤を用いて基体の被研磨面を研磨する工程を備え、前記被研磨面が窒化珪素を含む、基体の研磨方法を提供する。このような基体の研磨方法によれば、本発明に係る研磨剤と同様の上記効果を得ることができる。 The present invention includes a step of polishing a surface to be polished of a substrate using an abrasive obtained by mixing the first liquid and the second liquid in the abrasive set, and the surface to be polished is nitrided A method for polishing a substrate comprising silicon is provided. According to such a method for polishing a substrate, the same effects as those of the abrasive according to the present invention can be obtained.
本発明によれば、酸化珪素の研磨速度を抑制しつつ、窒化珪素を高速に研磨できる研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法を提供することができる。また、本発明によれば、窒化珪素の研磨への研磨剤又は研磨剤セットの使用を提供できる。さらに、本発明によれば、窒化珪素と他の被研磨材料（例えば、酸化珪素等の絶縁材料；ポリシリコン、シリコン等のシリコン類）とを含む被研磨面において窒化珪素を研磨しつつ他の被研磨材料の研磨量を調整する研磨工程への研磨剤又は研磨剤セットの使用を提供することができる。特に、本発明によれば、酸化珪素に対する窒化珪素の研磨選択比（研磨速度比：窒化珪素の研磨速度／酸化珪素の研磨速度）を１以上（酸化珪素の研磨速度に比べて窒化珪素が同等又はそれより高い研磨速度を有する）に調整することができる研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a polishing agent, a polishing agent set, and a substrate polishing method that can polish silicon nitride at high speed while suppressing the polishing rate of silicon oxide. Moreover, according to this invention, use of the abrasive | polishing agent or abrasive | polishing agent set for grinding | polishing of silicon nitride can be provided. Furthermore, according to the present invention, while polishing silicon nitride on the surface to be polished containing silicon nitride and other materials to be polished (for example, insulating materials such as silicon oxide; silicons such as polysilicon and silicon) It is possible to provide the use of an abrasive or an abrasive set in a polishing process for adjusting the polishing amount of a material to be polished. In particular, according to the present invention, the polishing selectivity ratio of silicon nitride to silicon oxide (polishing rate ratio: polishing rate of silicon nitride / polishing rate of silicon oxide) is 1 or more (silicon nitride is equivalent to the polishing rate of silicon oxide) Or a polishing method that can be adjusted to a higher polishing rate, a polishing agent set, and a method for polishing a substrate.
以下、本発明の一実施形態に係る研磨剤、研磨剤セット、及び、前記研磨剤又は前記研磨剤セットを用いた基体の研磨方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the abrasive | polishing agent which concerns on one Embodiment of this invention, an abrasive | polishing agent set, and the grinding | polishing method of the base | substrate using the said abrasive | polishing agent or the said abrasive | polishing agent set are demonstrated in detail.
＜定義＞
本明細書において、「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
<Definition>
In this specification, the term “process” is not limited to an independent process, and is included in the term if the intended action of the process is achieved even when it cannot be clearly distinguished from other processes. It is.
本明細書において、組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。 In the present specification, the amount of each component in the composition is the total amount of the plurality of substances present in the composition unless there is a specific indication when there are a plurality of substances corresponding to each component in the composition. means.
本明細書において、「研磨速度（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｒａｔｅ）」とは、単位時間当たりに材料が除去される速度（除去速度＝Ｒｅｍｏｖａｌ Ｒａｔｅ）を意味する。 In this specification, “polishing rate” means a rate at which material is removed per unit time (removal rate = removal rate).
本明細書において、「研磨剤（Ａｂｒａｓｉｖｅ）」とは、研磨時に被研磨面に触れる組成物として定義される。「研磨剤」という語句自体は、研磨剤に含有される成分を何ら限定しない。後述するように、本実施形態に係る研磨剤は砥粒（Ａｂｒａｓｉｖｅ Ｇｒａｉｎ）を含有する。砥粒は、「研磨粒子」（Ａｂｒａｓｉｖｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）ともいわれるが、本明細書では「砥粒」という。砥粒は、一般的には固体粒子である。この場合、研磨時に、砥粒が有する機械的作用、及び、砥粒（主に砥粒の表面）が有する化学的作用によって、除去対象物が除去（Ｒｅｍｏｖｅ）されると考えられるが、メカニズムはこれに限定されない。 In this specification, “abrasive” is defined as a composition that touches a surface to be polished during polishing. The phrase “abrasive” itself does not limit the components contained in the abrasive. As will be described later, the abrasive according to the present embodiment contains abrasive grains. Abrasive grains are also referred to as “Abrasive Particles”, but are referred to herein as “abrasive grains”. Abrasive grains are generally solid particles. In this case, it is considered that the object to be removed is removed (removed) by the mechanical action of the abrasive grains and the chemical action of the abrasive grains (mainly the surface of the abrasive grains) during polishing. It is not limited to this.
＜研磨剤及び研磨剤セット＞
本実施形態に係る研磨剤は、例えばＣＭＰ用研磨剤である。具体的には、本実施形態に係る研磨剤は、液状媒体と、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒と、カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物とを少なくとも含有する。本実施形態に係る研磨剤によれば、窒化珪素を高速に研磨することができると共に、窒化珪素と他の被研磨材料との研磨速度を調整することができる。他の被研磨材料としては、絶縁材料（本明細書において「窒化珪素」は絶縁材料に含まれないものとする。）、シリコン材料等が挙げられる。絶縁材料としては、酸化珪素等が挙げられる。シリコン材料としては、ポリシリコン、シリコン等のシリコン類などが挙げられる。
<Abrasive and abrasive set>
The abrasive according to this embodiment is, for example, an abrasive for CMP. Specifically, the abrasive | polishing agent which concerns on this embodiment contains a liquid medium, the abrasive grain containing the hydroxide of a tetravalent metal element, and the polyoxyalkylene compound containing a carboxyl group at least. According to the polishing agent according to the present embodiment, silicon nitride can be polished at high speed, and the polishing rate between silicon nitride and another material to be polished can be adjusted. Examples of other materials to be polished include an insulating material (in this specification, “silicon nitride” is not included in the insulating material), a silicon material, and the like. Examples of the insulating material include silicon oxide. Examples of the silicon material include polysilicon such as polysilicon and silicon.
以下、必須成分、及び、任意に添加できる成分について説明する。 The essential components and components that can be optionally added are described below.
（砥粒）
本実施形態に係る研磨剤は、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒を含有する。「４価金属元素の水酸化物」は、４価の金属（Ｍ４＋）と、少なくとも一つの水酸化物イオン（ＯＨ−）とを含む化合物である。４価金属元素の水酸化物は、水酸化物イオン以外の陰イオン（例えば、硝酸イオンＮＯ３ −、硫酸イオンＳＯ４ ２−）を含んでいてもよい。例えば、４価金属元素の水酸化物は、４価金属元素に結合した陰イオン（例えば硝酸イオン、硫酸イオン）を含んでいてもよい。前記４価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、シリカ粒子、アルミナ粒子、セリア粒子等の従来の砥粒と比較して、窒化珪素を高研磨速度で研磨できる。
(Abrasive grains)
The abrasive | polishing agent which concerns on this embodiment contains the abrasive grain containing the hydroxide of a tetravalent metal element. The “tetravalent metal element hydroxide” is a compound containing a tetravalent metal (M 4+ ) and at least one hydroxide ion (OH − ). The hydroxide of a tetravalent metal element may contain an anion (for example, nitrate ion NO 3 − , sulfate ion SO 4 2− ) other than hydroxide ions. For example, a hydroxide of a tetravalent metal element may contain an anion (for example, nitrate ion or sulfate ion) bonded to the tetravalent metal element. The abrasive grains containing the tetravalent metal element hydroxide can polish silicon nitride at a higher polishing rate than conventional abrasive grains such as silica particles, alumina particles, and ceria particles.
４価金属元素は、窒化珪素を更に高速に研磨すると共に被研磨面における研磨傷の発生を更に抑制する観点から、希土類元素及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。４価金属元素としては、窒化珪素を更に高速に研磨すると共に被研磨面における研磨傷の発生を更に抑制する観点から、希土類元素が好ましい。４価を取り得る希土類元素としては、セリウム、プラセオジム、テルビウム等のランタノイドなどが挙げられ、入手が容易であると共に窒化珪素の研磨速度に更に優れる観点から、セリウム（４価セリウム）がより好ましい。希土類元素の水酸化物とジルコニウムの水酸化物とを併用してもよく、希土類元素から二種以上を選択して使用することもできる。 The tetravalent metal element preferably contains at least one selected from the group consisting of rare earth elements and zirconium from the viewpoint of further polishing silicon nitride at a higher speed and further suppressing the generation of polishing flaws on the surface to be polished. The tetravalent metal element is preferably a rare earth element from the viewpoint of polishing silicon nitride at a higher speed and further suppressing the generation of polishing flaws on the surface to be polished. Examples of rare earth elements that can be tetravalent include lanthanoids such as cerium, praseodymium, terbium, and the like, and cerium (tetravalent cerium) is more preferable from the viewpoint of easy availability and excellent polishing rate of silicon nitride. A rare earth element hydroxide and a zirconium hydroxide may be used in combination, and two or more rare earth elements may be selected and used.
４価金属元素の水酸化物は、４価金属元素を含む塩と、塩基性化合物（アルカリ源）とを反応させることにより作製できる。例えば、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒を作製する方法としては、４価金属元素を含む塩と、塩基性化合物を含むアルカリ液とを混合する手法が使用できる。この方法は、例えば、「希土類の科学」［足立吟也編、株式会社化学同人、１９９９年］３０４〜３０５頁に説明されている。また、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒を作製する方法としては、前記特許文献５に記載の方法を用いてもよい。 A hydroxide of a tetravalent metal element can be produced by reacting a salt containing a tetravalent metal element with a basic compound (alkali source). For example, as a method for producing abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element, a technique of mixing a salt containing a tetravalent metal element and an alkaline liquid containing a basic compound can be used. This method is described in, for example, “Science of rare earths” [edited by Adiya Ginya, Kagaku Dojin, 1999] pages 304-305. Further, as a method for producing abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element, the method described in Patent Document 5 may be used.
４価金属元素を含む塩としては、従来公知のものを特に制限なく使用でき、Ｍ（ＳＯ４）２、Ｍ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６、Ｍ（ＮＨ４）４（ＳＯ４）４（Ｍは希土類元素を示す。）、Ｚｒ（ＳＯ４）２・４Ｈ２Ｏ等が挙げられ、中でも、Ｍ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６が好ましい。Ｍとしては、化学的に活性なセリウム（Ｃｅ）が好ましい。以上より、４価金属元素を含む塩としては、Ｃｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６がより好ましい。 As the salt containing a tetravalent metal element, a conventionally known salt can be used without particular limitation, and M (SO 4 ) 2 , M (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 , M (NH 4 ) 4 (SO 4 ) 4 (M represents a rare earth element), Zr (SO 4 ) 2 .4H 2 O, and the like. Among them, M (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 is preferable. M is preferably chemically active cerium (Ce). As described above, Ce (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 is more preferable as the salt containing a tetravalent metal element.
塩基性化合物としては、従来公知のものを特に制限なく使用できる。塩基性化合物としては、イミダゾール、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、グアニジン、トリエチルアミン、ピリジン、ピペリジン、ピロリジン、キトサン等の有機塩基；アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム等の無機塩基などが挙げられる。これらのうち、窒化珪素の研磨速度を更に向上させる観点から、アンモニア及びイミダゾールからなる群より選択される少なくとも一種が好ましく、イミダゾールがより好ましい。 As the basic compound, conventionally known compounds can be used without particular limitation. Basic compounds include organic bases such as imidazole, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), guanidine, triethylamine, pyridine, piperidine, pyrrolidine and chitosan; inorganic bases such as ammonia, potassium hydroxide, sodium hydroxide and calcium hydroxide Etc. Among these, from the viewpoint of further improving the polishing rate of silicon nitride, at least one selected from the group consisting of ammonia and imidazole is preferable, and imidazole is more preferable.
前記方法で合成された４価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、洗浄して金属不純物を除去できる。砥粒の洗浄方法としては、遠心分離等で固液分離を数回繰り返す方法などが使用できる。遠心分離、透析、限外濾過、イオン交換樹脂等によるイオンの除去などの工程で砥粒を洗浄することもできる。 Abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element synthesized by the above method can be washed to remove metal impurities. As a method for cleaning the abrasive grains, a method of repeating solid-liquid separation several times by centrifugation or the like can be used. The abrasive grains can also be washed in steps such as centrifugation, dialysis, ultrafiltration, ion removal with an ion exchange resin or the like.
前記で得られた砥粒が凝集している場合、適切な方法で砥粒を液状媒体（例えば水）中に分散させることが好ましい。砥粒を液状媒体に分散させる方法としては、通常の撹拌機による分散処理；ホモジナイザ、超音波分散機、湿式ボールミル等を用いた機械的な分散処理；遠心分離、透析、限外ろ過、イオン交換樹脂等による夾雑イオンの除去処理などが挙げられる。分散方法及び粒径制御方法については、例えば、「分散技術大全集」［株式会社情報機構、２００５年７月］第三章「各種分散機の最新開発動向と選定基準」に記述されている方法を用いることができる。前記洗浄処理を行って、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒を含有する分散液の電気伝導度を下げる（例えば５００ｍＳ／ｍ以下）ことによっても、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒の分散性を高めることができる。前記洗浄処理を分散処理として適用してもよく、前記洗浄処理と分散処理とを併用してもよい。
When the abrasive grains obtained above are agglomerated, it is preferable to disperse the abrasive grains in a liquid medium (for example, water) by an appropriate method. As a method of dispersing abrasive grains in a liquid medium, dispersion processing with a normal stirrer; mechanical dispersion processing using a homogenizer, an ultrasonic disperser, a wet ball mill, etc .; centrifugation, dialysis, ultrafiltration, ion exchange Examples of the treatment include removing impurities from the resin. Regarding the dispersion method and the particle size control method, for example, the method described in
本実施形態に係る研磨剤において、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒と、他の砥粒とを併用してもよい。このような他の砥粒としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、セリア粒子等が挙げられる。４価金属元素の水酸化物を含む砥粒として、４価金属元素の水酸化物粒子とシリカ粒子とを含む複合粒子等を用いることもできる。 In the abrasive | polishing agent which concerns on this embodiment, you may use together the abrasive grain containing the hydroxide of a tetravalent metal element, and another abrasive grain. Examples of such other abrasive grains include silica particles, alumina particles, and ceria particles. As the abrasive grains containing a tetravalent metal element hydroxide, composite particles containing tetravalent metal element hydroxide particles and silica particles can also be used.
前記４価金属元素の水酸化物の含有量の下限は、砥粒の全質量を基準として８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上が更に好ましく、９８質量％以上が特に好ましく、９９質量％以上が極めて好ましい。前記砥粒は、研磨剤の調製が容易であると共に研磨特性に更に優れる観点から、前記４価金属元素の水酸化物からなる（実質的に砥粒の１００質量％が前記４価金属元素の水酸化物である）ことが好ましい。 The lower limit of the content of the tetravalent metal element hydroxide is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% by mass or more, and 98% by mass based on the total mass of the abrasive grains. The above is particularly preferable, and 99% by mass or more is extremely preferable. The abrasive grains are composed of a hydroxide of the tetravalent metal element from the viewpoint of easy preparation of an abrasive and further excellent polishing characteristics (substantially 100% by mass of the abrasive grains are composed of the tetravalent metal element). It is preferably a hydroxide).
４価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、窒化珪素の研磨速度を更に向上させる観点から、当該砥粒の含有量を１．０質量％に調整した水分散液において、波長４００ｎｍの光に対して吸光度１．００以上を与えるものであることが好ましい。なお、砥粒の含有量を所定量に調整した「水分散液」とは、所定量の砥粒と水とを含む液を意味する。研磨速度の向上効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は次のように考えている。すなわち、４価金属元素の水酸化物の製造条件等に応じて、４価の金属（Ｍ４＋）、１〜３つの水酸化物イオン（ＯＨ−）及び１〜３つの陰イオン（Ｘｃ−）からなるＭ（ＯＨ）ａＸｂ（式中、ａ＋ｂ×ｃ＝４である）を含む粒子が砥粒の一部として生成するものと考えられる（なお、このような粒子も「４価金属元素の水酸化物を含む砥粒」である）。Ｍ（ＯＨ）ａＸｂでは、電子吸引性の陰イオン（Ｘｃ−）が作用して水酸化物イオンの反応性が向上しており、Ｍ（ＯＨ）ａＸｂの存在量が増加するに伴い研磨速度が向上するものと考えられる。そして、Ｍ（ＯＨ）ａＸｂを含む粒子が波長４００ｎｍの光を吸光するため、Ｍ（ＯＨ）ａＸｂの存在量が増加して波長４００ｎｍの光に対する吸光度が高くなるに伴い、研磨速度が向上するものと考えられる。 From the viewpoint of further improving the polishing rate of silicon nitride, the abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element are light having a wavelength of 400 nm in an aqueous dispersion in which the content of the abrasive grains is adjusted to 1.0 mass%. It is preferable to give an absorbance of 1.00 or more. The “aqueous dispersion” in which the content of abrasive grains is adjusted to a predetermined amount means a liquid containing a predetermined amount of abrasive grains and water. The reason why the polishing rate can be improved is not necessarily clear, but the present inventor thinks as follows. That is, depending on the production conditions of the hydroxide of the tetravalent metal element, the tetravalent metal (M 4+ ), 1 to 3 hydroxide ions (OH − ), and 1 to 3 anions (X c− It is considered that particles containing M (OH) a X b (where a + b × c = 4) are formed as part of the abrasive grains. Abrasive grains containing elemental hydroxides). In M (OH) a X b , electron-withdrawing anions (X c− ) act to improve the reactivity of hydroxide ions, and the amount of M (OH) a X b increases. It is considered that the polishing rate is improved along with this. And since the particle | grains containing M (OH) a Xb absorb the light of wavelength 400nm, since the abundance of M (OH) a Xb increases and the light absorbency with respect to the light of wavelength 400nm becomes high, polishing rate Is thought to improve.
なお、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、例えば、Ｍｄ（ＯＨ）ａＸｂ（式中、ａ＋ｂ×ｃ＝４ｄである）のように複核化合物又は複核錯体であってもよい。以下においては、Ｍ（ＯＨ）ａＸｂを一例として説明する。 Note that the abrasive grains containing a tetravalent metal element hydroxide may be a binuclear compound or a binuclear complex such as M d (OH) a X b (where a + b × c = 4d). Good. Hereinafter, M (OH) a X b will be described as an example.
４価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、Ｍ（ＯＨ）ａＸｂだけでなく、Ｍ（ＯＨ）４、ＭＯ２等も含み得る。陰イオン（Ｘｃ−）としては、ＮＯ３ −、ＳＯ４ ２−等が挙げられる。 The abrasive grains containing a tetravalent metal element hydroxide may contain not only M (OH) a X b but also M (OH) 4 , MO 2, and the like. Examples of the anion (X c− ) include NO 3 − and SO 4 2− .
なお、砥粒がＭ（ＯＨ）ａＸｂを含むことは、砥粒を純水でよく洗浄した後にＦＴ−ＩＲ ＡＴＲ法（Ｆｏｕｒｉｅｒ ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ法、フーリエ変換赤外分光光度計全反射測定法）で陰イオン（Ｘｃ−）に該当するピークを検出する方法により確認できる。ＸＰＳ法（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、Ｘ線光電子分光法）により、陰イオン（Ｘｃ−）の存在を確認することもできる。 It should be noted that the abrasive grains contain M (OH) a Xb after the abrasive grains are thoroughly washed with pure water, and then the FT-IR ATR method (Fourier transform Infrared Spectrometer Attenuated Total Reflection method, Fourier transform infrared spectrophotometer This can be confirmed by a method of detecting a peak corresponding to an anion (X c− ) by reflection measurement method). The presence of an anion (X c− ) can also be confirmed by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy).
前記砥粒は、窒化珪素の研磨速度を更に向上させる観点から、当該砥粒の含有量を０．００６５質量％に調整した水分散液において、波長２９０ｎｍの光に対して吸光度１．０００以上を与えるものであることが好ましい。このような研磨速度の向上効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は次のように考えている。すなわち、４価金属元素の水酸化物の製造条件等に応じて生成するＭ（ＯＨ）ａＸｂを含む粒子は、計算上、波長２９０ｎｍ付近に吸収のピークを有し、例えばＣｅ４＋（ＯＨ−）３ＮＯ３ −からなる粒子は波長２９０ｎｍに吸収のピークを有する。そのため、Ｍ（ＯＨ）ａＸｂの存在量が増加して波長２９０ｎｍの光に対する吸光度が高くなるに伴い、研磨速度が向上するものと考えられる。 From the viewpoint of further improving the polishing rate of silicon nitride, the abrasive has an absorbance of 1.000 or more with respect to light having a wavelength of 290 nm in an aqueous dispersion in which the content of the abrasive is adjusted to 0.0065% by mass. It is preferable to give. The reason why such an effect of improving the polishing rate is not necessarily clear, but the present inventor considers as follows. That is, particles containing M (OH) a X b produced according to the production conditions of a hydroxide of a tetravalent metal element have an absorption peak around a wavelength of 290 nm in calculation, for example, Ce 4+ (OH − ) Particles composed of 3 NO 3 — have an absorption peak at a wavelength of 290 nm. Therefore, it is considered that the polishing rate is improved as the abundance of M (OH) a Xb increases and the absorbance to light having a wavelength of 290 nm increases.
前記４価金属元素の水酸化物（例えばＭ（ＯＨ）ａＸｂ）は、波長４５０ｎｍ以上、特に波長４５０〜６００ｎｍの光を吸光しない傾向がある。従って、不純物を含むことにより研磨に対して悪影響が生じることを抑制して、更に優れた研磨速度で窒化珪素を研磨する観点で、前記砥粒は、当該砥粒の含有量を０．００６５質量％に調整した水分散液において、波長４５０〜６００ｎｍの光に対して吸光度０．０１０以下を与えるものであることが好ましい。 The tetravalent metal element hydroxide (for example, M (OH) a X b ) tends not to absorb light having a wavelength of 450 nm or more, particularly 450 to 600 nm. Therefore, from the viewpoint of suppressing the adverse effect on polishing due to the inclusion of impurities and polishing silicon nitride at a further excellent polishing rate, the abrasive has a content of the abrasive of 0.0065 mass. In the aqueous dispersion adjusted to%, it is preferable to give an absorbance of 0.010 or less to light having a wavelength of 450 to 600 nm.
前記砥粒は、窒化珪素の研磨速度を更に向上させる観点から、当該砥粒の含有量を１．０質量％に調整した水分散液において、波長５００ｎｍの光に対して光透過率５０％／ｃｍ以上を与えるものであることが好ましい。このような研磨速度の向上効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は次のように考えている。すなわち、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒が有する砥粒としての作用は、機械的作用よりも化学的作用の方が支配的になると考えられる。そのため、砥粒の大きさよりも砥粒の数の方が、より研磨速度に寄与すると考えられる。 From the viewpoint of further improving the polishing rate of silicon nitride, the abrasive grains have a light transmittance of 50% / light with respect to light having a wavelength of 500 nm in an aqueous dispersion in which the content of the abrasive grains is adjusted to 1.0 mass%. It is preferable that it gives cm or more. The reason why such an effect of improving the polishing rate is not necessarily clear, but the present inventor considers as follows. That is, it is considered that the chemical action is more dominant than the mechanical action of the action of the abrasive grains containing the hydroxide of the tetravalent metal element. Therefore, it is considered that the number of abrasive grains contributes more to the polishing rate than the size of the abrasive grains.
砥粒の含有量を１．０質量％に調整した水分散液において光透過率が低い場合、その水分散液に存在する砥粒は、粒径の大きい粒子（以下「粗大粒子」という。）が相対的に多く存在すると考えられる。このような砥粒を含む研磨剤に添加剤を添加すると、粗大粒子を核として他の粒子が凝集する。その結果、単位面積当たりの被研磨面に作用する砥粒数（有効砥粒数）が減少し、被研磨面に接する砥粒の比表面積が減少するため、研磨速度が低下する場合があると考えられる。 When the light transmittance is low in an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 1.0 mass%, the abrasive grains present in the aqueous dispersion are particles having a large particle size (hereinafter referred to as “coarse particles”). It is thought that there are relatively many. When an additive is added to an abrasive containing such abrasive grains, other particles aggregate with coarse particles as nuclei. As a result, the number of abrasive grains acting on the surface to be polished per unit area (the number of effective abrasive grains) decreases, and the specific surface area of the abrasive grains in contact with the surface to be polished decreases, so the polishing rate may decrease. Conceivable.
一方、砥粒の含有量を１．０質量％に調整した水分散液において光透過率が高い場合、その水分散液に存在する砥粒は、前記「粗大粒子」が少ない状態であると考えられる。このように粗大粒子の存在量が少ない場合は、研磨剤に添加剤を添加しても、凝集の核になるような粗大粒子が少ないため、砥粒同士の凝集が抑えられるか、又は、凝集粒子の大きさが小さくなる。その結果、単位面積当たりの被研磨面に作用する砥粒数（有効砥粒数）が維持され、被研磨面に接する砥粒の比表面積が維持されるため、研磨速度が低下し難くなり、窒化珪素の研磨速度が向上し易くなると考えられる。 On the other hand, when the light transmittance is high in an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 1.0% by mass, the abrasive grains present in the aqueous dispersion are considered to be in a state where there are few “coarse particles”. It is done. In this way, when the amount of coarse particles is small, even if an additive is added to the abrasive, there are few coarse particles that become the core of agglomeration. Particle size is reduced. As a result, the number of abrasive grains acting on the surface to be polished per unit area (effective number of abrasive grains) is maintained, and the specific surface area of the abrasive grains in contact with the surface to be polished is maintained, so that the polishing rate is difficult to decrease, It is considered that the polishing rate of silicon nitride is easily improved.
研磨剤に含まれる砥粒が水分散液において与える吸光度及び光透過率は、例えば、株式会社日立製作所製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）を用いて測定できる。具体的には例えば、砥粒の含有量を１．０質量％又は０．００６５質量％に調整した水分散液を測定サンプルとして調製する。この測定サンプルを１ｃｍ角のセルに約４ｍＬ（Ｌは「リットル」を示す。以下同じ）入れ、装置内にセルを設置する。次に、波長２００〜６００ｎｍの範囲で吸光度測定を行い、得られたチャートから吸光度及び光透過率を判断する。 The absorbance and light transmittance that the abrasive grains contained in the abrasive give in the aqueous dispersion can be measured using, for example, a spectrophotometer (device name: U3310) manufactured by Hitachi, Ltd. Specifically, for example, an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 1.0 mass% or 0.0065 mass% is prepared as a measurement sample. About 4 mL of this measurement sample is placed in a 1 cm square cell (L indicates “liter”; the same applies hereinafter), and the cell is installed in the apparatus. Next, the absorbance is measured in the wavelength range of 200 to 600 nm, and the absorbance and light transmittance are determined from the obtained chart.
研磨剤に含まれる砥粒が水分散液において与える吸光度及び光透過率は、砥粒以外の固体成分、及び、水以外の液体成分を除去した後、所定の砥粒の含有量の水分散液を調製し、当該水分散液を用いて測定することができる。研磨剤に含まれる成分によっても異なるが、固体成分又は液体成分の除去には、数千Ｇ以下の重力加速度をかけられる遠心機を用いた遠心分離、数万Ｇ以上の重力加速度をかけられる超遠心機を用いた超遠心分離等の遠心分離法；分配クロマトグラフィー、吸着クロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、イオン交換クロマトグラフィー等のクロマトグラフィー法；自然ろ過、減圧ろ過、加圧ろ過、限外ろ過等のろ過法；減圧蒸留、常圧蒸留等の蒸留法などを用いることができ、これらを適宜組み合わせてもよい。 The absorbance and light transmittance that the abrasive grains contained in the abrasive give in the aqueous dispersion are obtained by removing the solid components other than abrasive grains and the liquid components other than water, and then an aqueous dispersion having a predetermined abrasive grain content. Can be prepared and measured using the aqueous dispersion. Although it depends on the components contained in the abrasive, the solid component or liquid component can be removed by centrifugation using a centrifugal machine that can apply gravitational acceleration of several thousand G or less, Centrifugal methods such as ultracentrifugation using a centrifuge; chromatography methods such as distribution chromatography, adsorption chromatography, gel permeation chromatography, ion exchange chromatography; natural filtration, vacuum filtration, pressure filtration, ultrafiltration Filtration methods such as distillation; distillation methods such as vacuum distillation and atmospheric distillation can be used, and these may be combined as appropriate.
例えば、重量平均分子量が数万以上（例えば５万以上）の化合物を含む場合は、クロマトグラフィー法、ろ過法等が挙げられ、ゲル浸透クロマトグラフィー、限外ろ過が好ましい。ろ過法を用いる場合は、研磨剤に含まれる砥粒は、適切な条件の設定により、フィルタを通過させることができる。重量平均分子量が数万以下（例えば５万未満）の化合物を含む場合は、クロマトグラフィー法、ろ過法、蒸留法等が挙げられ、ゲル浸透クロマトグラフィー、限外ろ過、減圧蒸留が好ましい。複数種類の砥粒が含まれる場合、ろ過法、遠心分離法等が挙げられ、ろ過法の場合はろ液に、遠心分離法の場合は液相に、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒がより多く含まれる。 For example, when a compound having a weight average molecular weight of tens of thousands or more (for example, 50,000 or more) is included, a chromatography method, a filtration method and the like can be mentioned, and gel permeation chromatography and ultrafiltration are preferable. When the filtration method is used, the abrasive grains contained in the abrasive can be passed through the filter by setting appropriate conditions. When a compound having a weight average molecular weight of tens of thousands or less (for example, less than 50,000) is used, examples thereof include a chromatography method, a filtration method, and a distillation method, and gel permeation chromatography, ultrafiltration, and vacuum distillation are preferable. When multiple types of abrasive grains are included, examples thereof include filtration methods and centrifugal separation methods. In the case of filtration methods, abrasives containing a tetravalent metal element hydroxide in the filtrate and in the case of centrifugal methods in the liquid phase. Contains more grains.
前記クロマトグラフィー法で砥粒を分離する方法として、例えば、下記条件によって、砥粒及び／又は他成分を分取することができる。 As a method of separating the abrasive grains by the chromatography method, for example, the abrasive grains and / or other components can be fractionated under the following conditions.
試料溶液：研磨剤１００μＬ
検出器：株式会社日立製作所製、ＵＶ−ＶＩＳディテクター、商品名「Ｌ−４２００」、波長：４００ｎｍ
インテグレータ：株式会社日立製作所製、ＧＰＣインテグレータ、商品名「Ｄ−２５００」
ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ−７１００」
カラム：日立化成株式会社製、水系ＨＰＬＣ用充填カラム、商品名「ＧＬ−Ｗ５５０Ｓ」
溶離液：脱イオン水
測定温度：２３℃
流速：１ｍＬ／ｍｉｎ（圧力：４０〜５０ｋｇ／ｃｍ２程度）
測定時間：６０分
Sample solution: 100 μL of abrasive
Detector: manufactured by Hitachi, Ltd., UV-VIS detector, trade name “L-4200”, wavelength: 400 nm
Integrator: Hitachi, Ltd., GPC integrator, product name “D-2500”
Pump: Hitachi, Ltd., trade name “L-7100”
Column: Hitachi Chemical Co., Ltd., packed column for water-based HPLC, trade name “GL-W550S”
Eluent: Deionized water Measurement temperature: 23 ° C
Flow rate: 1 mL / min (pressure: about 40-50 kg / cm 2 )
Measurement time: 60 minutes
なお、クロマトグラフィーを行う前に、脱気装置を用いて溶離液の脱気処理を行うことが好ましい。脱気装置を使用できない場合は、溶離液を事前に超音波等で脱気処理することが好ましい。 In addition, it is preferable to deaerate the eluent using a deaeration device before performing chromatography. When the deaerator cannot be used, it is preferable to deaerate the eluent in advance with ultrasonic waves or the like.
研磨剤に含まれる成分によっては、上記条件では砥粒を分取できない可能性がある。この場合、試料溶液量、カラム種類、溶離液種類、測定温度、流速等を最適化することで分離することができる。また、研磨剤のｐＨを調整することで、研磨剤に含まれる成分の留出時間を調整し、砥粒と分離できる可能性がある。研磨剤に不溶成分がある場合、必要に応じて、ろ過、遠心分離等で不溶成分を除去することが好ましい。 Depending on the components contained in the abrasive, the abrasive grains may not be collected under the above conditions. In this case, the sample solution can be separated by optimizing the sample solution amount, column type, eluent type, measurement temperature, flow rate, and the like. In addition, by adjusting the pH of the abrasive, the distillation time of components contained in the abrasive may be adjusted and separated from the abrasive grains. When there are insoluble components in the abrasive, it is preferable to remove the insoluble components by filtration, centrifugation or the like, if necessary.
前記砥粒は、窒化珪素の更に優れた研磨速度を得る観点から、当該砥粒の含有量を１．０質量％に調整した水分散液を遠心加速度１．５９×１０５Ｇで５０分遠心分離したときに不揮発分含量３００ｐｐｍ以上の上澄み液（液相）を与えるものであることが好ましい。 From the viewpoint of obtaining a further excellent polishing rate of silicon nitride, the abrasive grains are centrifuged for 50 minutes at a centrifugal acceleration of 1.59 × 10 5 G with an aqueous dispersion adjusted to 1.0 mass%. It is preferable to provide a supernatant (liquid phase) having a nonvolatile content of 300 ppm or more when separated.
遠心分離後の上澄み液に含まれる不揮発分含量が高い場合に研磨速度の向上効果が得られる理由について、本発明者は次のように考えている。一般的に、砥粒を含む研磨剤において、遠心加速度１．５９×１０５Ｇで５０分遠心分離した場合には、ほとんど全ての砥粒が沈降する。しかしながら、本実施形態に係る研磨剤は、含まれる砥粒の粒径が充分に小さいため、前記条件で遠心分離を行っても沈降しない微細粒子が多く含まれる。すなわち、不揮発分含量が増加するに伴い砥粒中の微細粒子の割合が増加し、被研磨面に接する砥粒の表面積が増大するものと考えられる。これにより、化学的作用による研磨の進行が促進され、研磨速度が向上すると考えられる。 The present inventor considers the reason why the polishing rate can be improved when the non-volatile content in the supernatant after centrifugation is high, as follows. In general, in an abrasive containing abrasive grains, when the centrifugal acceleration is performed at a centrifugal acceleration of 1.59 × 10 5 G for 50 minutes, almost all of the abrasive grains settle. However, since the abrasive according to the present embodiment has a sufficiently small particle size of the abrasive grains contained therein, the abrasive contains a large amount of fine particles that do not settle even when centrifuged under the above conditions. That is, it is considered that as the nonvolatile content increases, the proportion of fine particles in the abrasive grains increases and the surface area of the abrasive grains in contact with the surface to be polished increases. Thereby, it is considered that the progress of polishing by chemical action is promoted and the polishing rate is improved.
砥粒の含有量が１．０質量％に調整された水分散液を遠心分離した際の上澄み液の不揮発分含量の下限は、窒化珪素の更に優れた研磨速度を容易に得る観点から、４００ｐｐｍ以上がより好ましく、５００ｐｐｍ以上が更に好ましく、６００ｐｐｍ以上が特に好ましく、７００ｐｐｍ以上が極めて好ましく、７５０ｐｐｍ以上が非常に好ましい。上澄み液の不揮発分含量の上限は、例えば１００００ｐｐｍ（１．０質量％）である。 The lower limit of the non-volatile content of the supernatant liquid when the aqueous dispersion whose content of abrasive grains is adjusted to 1.0 mass% is centrifuged is 400 ppm from the viewpoint of easily obtaining a further excellent polishing rate of silicon nitride. The above is more preferable, 500 ppm or more is further preferable, 600 ppm or more is particularly preferable, 700 ppm or more is very preferable, and 750 ppm or more is very preferable. The upper limit of the non-volatile content of the supernatant is, for example, 10,000 ppm (1.0% by mass).
前記遠心分離を行う装置としては、チューブが所定の角度で配置されてなるアングルロータ、及び、チューブの角度が可変であり遠心分離中にチューブが水平又はほぼ水平になるスイングロータのいずれも使用することができる。 As an apparatus for performing the centrifugation, an angle rotor in which a tube is arranged at a predetermined angle, and a swing rotor in which the tube angle is variable and the tube is horizontal or almost horizontal during centrifugation are used. be able to.
図１は、アングルロータの一例を示す断面模式図である。アングルロータＡＲは、回転軸Ａ１を中心として左右対称であり、図１では、その一方側（図中左側）のみを図示し、他方側（図中右側）を省略している。図１において、Ａ２はチューブ角であり、Ｒｍｉｎは回転軸Ａ１からチューブまでの最小半径であり、Ｒｍａｘは回転軸Ａ１からチューブまでの最大半径である。Ｒａｖは回転軸Ａ１からチューブまでの平均半径であり、「（Ｒｍｉｎ＋Ｒｍａｘ）／２」として求められる。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an angle rotor. The angle rotor AR is bilaterally symmetric about the rotation axis A1, and in FIG. 1, only one side (left side in the figure) is shown, and the other side (right side in the figure) is omitted. In FIG. 1, A2 is a tube angle, Rmin is a minimum radius from the rotation axis A1 to the tube, and Rmax is a maximum radius from the rotation axis A1 to the tube. R av is an average radius from the rotation axis A1 to the tube, and is obtained as “(R min + R max ) / 2”.
このような遠心分離装置において、遠心加速度［単位：Ｇ］は下記式（１）から求めることができる。
遠心加速度［Ｇ］＝１１１８×Ｒ×Ｎ２×１０−８ ・・・（１）
［式中、Ｒは回転半径（ｃｍ）を示し、Ｎは１分間当たりの回転数（ｒｐｍ＝ｍｉｎ−１）を示す。］
In such a centrifugal separator, the centrifugal acceleration [unit: G] can be obtained from the following formula (1).
Centrifugal acceleration [G] = 1118 × R × N 2 × 10 −8 (1)
[In the formula, R represents a rotation radius (cm), and N represents the number of rotations per minute (rpm = min −1 ). ]
本実施形態においては、式（１）中の回転半径Ｒとして図１中の平均半径Ｒａｖの値を用いて、遠心加速度が１．５９×１０５Ｇとなるように回転数Ｎを設定して遠心分離を行う。なお、図１のようなアングルロータに代えてスイングロータを使用する場合は、遠心分離中のチューブの状態から最小半径Ｒｍｉｎ、最大半径Ｒｍａｘ、平均半径Ｒａｖをそれぞれ求めて条件を設定する。 In the present embodiment, using the value of the average radius R av in FIG. 1 as the rotation radius R in the formula (1), the rotation speed N is set so that the centrifugal acceleration becomes 1.59 × 10 5 G. Centrifuge. When a swing rotor is used instead of the angle rotor as shown in FIG. 1, the minimum radius R min , the maximum radius R max , and the average radius R av are obtained from the tube state during the centrifugation, and the conditions are set. .
前記砥粒は、例えば、アングルロータとして日立工機株式会社製の超遠心分離機７０Ｐ−７２を用いて、大粒子と微細粒子とに分離できる。７０Ｐ−７２を用いた水分散液の遠心分離は、具体的には例えば、以下のようにして行うことができる。まず、砥粒の含有量を１．０質量％に調整した水分散液を調製し、これを遠沈管（チューブ）に充填した後に遠沈管をロータに設置する。そして、回転数５００００ｍｉｎ−１で５０分間回転させた後、ロータから遠沈管を取出し、遠沈管内の上澄み液を採取する。上澄み液の不揮発分含量は、採取した上澄み液の質量と、上澄み液を乾燥した後の残留分の質量とを量ることにより算出できる。 The abrasive grains can be separated into large particles and fine particles, for example, using an ultracentrifuge 70P-72 manufactured by Hitachi Koki Co., Ltd. as an angle rotor. Specifically, the centrifugation of the aqueous dispersion using 70P-72 can be performed, for example, as follows. First, an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 1.0% by mass is prepared, and after filling this into a centrifuge tube (tube), the centrifuge tube is installed in the rotor. Then, after rotating for 50 minutes at a rotational speed of 50000 min −1 , the centrifuge tube is taken out of the rotor, and the supernatant liquid in the centrifuge tube is collected. The non-volatile content of the supernatant can be calculated by measuring the mass of the collected supernatant and the mass of the residue after drying the supernatant.
砥粒の平均粒径の下限は、窒化珪素の更に優れた研磨速度を得る観点から、１ｎｍ以上が好ましく、２ｎｍ以上がより好ましく、３ｎｍ以上が更に好ましく、５ｎｍ以上が特に好ましい。砥粒の平均粒径の上限は、被研磨面に傷がつくことを更に抑制する観点から、３００ｎｍ以下が好ましく、２５０ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下が更に好ましい。上記観点から、砥粒の平均粒径は、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。 The lower limit of the average grain size of the abrasive grains is preferably 1 nm or more, more preferably 2 nm or more, further preferably 3 nm or more, and particularly preferably 5 nm or more from the viewpoint of obtaining a further excellent polishing rate of silicon nitride. The upper limit of the average grain size of the abrasive grains is preferably 300 nm or less, more preferably 250 nm or less, and still more preferably 200 nm or less, from the viewpoint of further suppressing the surface to be polished from being scratched. From the above viewpoint, the average grain size of the abrasive grains is more preferably 1 nm or more and 300 nm or less.
砥粒の「平均粒径」とは、砥粒の平均二次粒径を意味する。砥粒の平均粒径は、例えば、研磨剤、又は、後述する研磨剤セットにおけるスラリについて、光子相関法で測定できる。具体的には例えば、砥粒の平均粒径は、マルバーン社製の装置名：ゼータサイザー３０００ＨＳ、ベックマンコールター社製の装置名：Ｎ５等で測定できる。Ｎ５を用いた測定方法は、下記のとおりである。具体的には例えば、砥粒の含有量を０．２質量％に調整した水分散液を調製し、この水分散液を１ｃｍ角のセルに約４ｍＬ入れ、装置内にセルを設置する。分散媒の屈折率を１．３３、粘度を０．８８７ｍＰａ・ｓに設定し、２５℃において測定を行い、表示される平均粒径値を砥粒の平均粒径として採用できる。 The “average particle diameter” of the abrasive grains means the average secondary particle diameter of the abrasive grains. The average particle diameter of the abrasive grains can be measured, for example, by a photon correlation method for a slurry or a slurry in a polishing agent set described later. Specifically, for example, the average particle size of the abrasive grains can be measured by Malvern's device name: Zetasizer 3000HS, Beckman Coulter's device name: N5, and the like. The measuring method using N5 is as follows. Specifically, for example, an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 0.2% by mass is prepared, about 4 mL of this aqueous dispersion is placed in a 1 cm square cell, and the cell is installed in the apparatus. The dispersion medium is set to have a refractive index of 1.33 and a viscosity of 0.887 mPa · s, measured at 25 ° C., and the displayed average particle diameter value can be adopted as the average particle diameter of the abrasive grains.
砥粒の含有量の下限は、窒化珪素の更に優れた研磨速度を得る観点から、研磨剤の全質量を基準として０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、０．０４質量％以上が特に好ましい。砥粒の含有量の上限は、研磨剤の保存安定性が高くなる観点から、研磨剤の全質量を基準として２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。上記観点から、砥粒の含有量は、研磨剤の全質量を基準として０．００５質量％以上２０質量％以下であることがより好ましい。 The lower limit of the abrasive content is preferably 0.005% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, based on the total mass of the abrasive, from the viewpoint of obtaining a further excellent polishing rate of silicon nitride. 0.02% by mass or more is more preferable, and 0.04% by mass or more is particularly preferable. The upper limit of the content of the abrasive is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and further preferably 10% by mass or less, based on the total mass of the abrasive, from the viewpoint of increasing the storage stability of the abrasive. preferable. From the above viewpoint, the content of the abrasive grains is more preferably 0.005% by mass or more and 20% by mass or less based on the total mass of the abrasive.
また、砥粒の含有量を更に少なくすることにより、コスト及び研磨傷を更に低減できる点で好ましい。従来、砥粒の含有量が少なくなると、窒化珪素等の研磨速度が低下する傾向がある。一方、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、少量でも所定の研磨速度を得ることができるため、研磨速度と、砥粒の含有量を少なくすることによる利点とのバランスをとりつつ、砥粒の含有量を更に低減することができる。このような観点で、砥粒の含有量の上限は、５．０質量％以下が好ましく、３．０質量％以下がより好ましく、１．０質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が特に好ましく、０．３質量％以下が極めて好ましい。 Further, it is preferable in that the cost and polishing scratches can be further reduced by further reducing the content of abrasive grains. Conventionally, when the content of abrasive grains decreases, the polishing rate of silicon nitride or the like tends to decrease. On the other hand, abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element can obtain a predetermined polishing rate even with a small amount, so that the balance between the polishing rate and the advantage of reducing the content of abrasive grains is balanced. Further, the content of abrasive grains can be further reduced. From such a viewpoint, the upper limit of the content of the abrasive is preferably 5.0% by mass or less, more preferably 3.0% by mass or less, still more preferably 1.0% by mass or less, and 0.5% by mass or less. Is particularly preferable, and 0.3% by mass or less is extremely preferable.
（液状媒体）
本実施形態に係る研磨剤における液状媒体としては、特に制限はないが、脱イオン水、超純水等の水が好ましい。液状媒体の含有量は、他の構成成分の含有量を除いた研磨剤の残部でよく、特に限定されない。
(Liquid medium)
Although there is no restriction | limiting in particular as a liquid medium in the abrasive | polishing agent which concerns on this embodiment, Water, such as deionized water and ultrapure water, is preferable. The content of the liquid medium may be the remainder of the abrasive excluding the content of other components, and is not particularly limited.
（添加剤）
本実施形態に係る研磨剤は、添加剤を含有する。ここで、「添加剤」とは、研磨速度、研磨選択性等の研磨特性；砥粒の分散性、保存安定性等の研磨剤特性などを調整するために、液状媒体及び砥粒以外に研磨剤が含有する物質を指す。添加剤は、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。
(Additive)
The abrasive | polishing agent which concerns on this embodiment contains an additive. Here, “additive” means polishing other than the liquid medium and abrasive grains in order to adjust polishing characteristics such as polishing rate and polishing selectivity; and abrasive characteristics such as abrasive dispersibility and storage stability. It refers to the substance contained in the agent. An additive can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
［第一の添加剤］
本実施形態に係る研磨剤は、第一の添加剤として、カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物を含有する。第一の添加剤は、窒化珪素の研磨速度を高速に維持しつつ、酸化珪素の研磨速度を抑える効果がある。この効果が得られる理由としては、第一の添加剤が酸化珪素を保護することで研磨速度を抑制していると推測される。
[First additive]
The abrasive | polishing agent which concerns on this embodiment contains the polyoxyalkylene compound containing a carboxyl group as a 1st additive. The first additive has an effect of suppressing the polishing rate of silicon oxide while maintaining the polishing rate of silicon nitride at a high speed. The reason why this effect is obtained is presumed that the first additive protects the silicon oxide to suppress the polishing rate.
第一の添加剤としては、例えば、アルコキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートと（メタ）アクリル酸との共重合体が挙げられる。アルコキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートのアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。アルコキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートのポリオキシアルキレン部としては、ポリオキシエチレン鎖、ポリオキシプロピレン鎖等が挙げられる。第一の添加剤としては、メトキシポリエチレングリコールモノアクリレートとアクリル酸との共重合体、メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレートとアクリル酸との共重合体、メトキシポリエチレングリコールモノアクリレートとメタクリル酸との共重合体、メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレートとメタクリル酸との共重合体等が挙げられる。 As a 1st additive, the copolymer of alkoxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate and (meth) acrylic acid is mentioned, for example. Examples of the alkoxy group of the alkoxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate include a methoxy group and an ethoxy group. Examples of the polyoxyalkylene part of the alkoxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate include a polyoxyethylene chain and a polyoxypropylene chain. As the first additive, a copolymer of methoxypolyethylene glycol monoacrylate and acrylic acid, a copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate and acrylic acid, a copolymer of methoxypolyethylene glycol monoacrylate and methacrylic acid, Examples thereof include a copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate and methacrylic acid.
（メタ）アクリル酸に対するアルコキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートの共重合比（モル比）は、８０／２０以上が好ましく、８５／１５以上がより好ましく、９０／１０以上が更に好ましい。（メタ）アクリル酸に対するアルコキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートの共重合比（モル比）は、９８／２以下が好ましく、９５／５以下がより好ましく、９０／１０以下が更に好ましい。 The copolymerization ratio (molar ratio) of alkoxypolyalkylene glycol mono (meth) acrylate to (meth) acrylic acid is preferably 80/20 or more, more preferably 85/15 or more, and still more preferably 90/10 or more. The copolymerization ratio (molar ratio) of the alkoxypolyalkylene glycol mono (meth) acrylate to (meth) acrylic acid is preferably 98/2 or less, more preferably 95/5 or less, and still more preferably 90/10 or less.
第一の添加剤は、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。第一の添加剤は、いずれも窒化珪素の研磨速度を高速に維持しつつ、酸化珪素の研磨速度を抑制する効果がある。 A 1st additive can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Each of the first additives has an effect of suppressing the polishing rate of silicon oxide while maintaining the polishing rate of silicon nitride at a high speed.
第一の添加剤は、特に限定されないが、水溶性が高い観点から、ポリオキシエチレン化合物が好ましい。 The first additive is not particularly limited, but a polyoxyethylene compound is preferable from the viewpoint of high water solubility.
第一の添加剤のポリオキシアルキレン部の分子量は、酸化珪素の研磨速度を更に抑制できる観点から、高いほうが好ましい。第一の添加剤のポリオキシアルキレン部の分子量は、４００以上が好ましく、６００以上がより好ましく、８００以上が更に好ましく、１０００以上が特に好ましい。前記ポリオキシアルキレン部の分子量の上限は、例えば５００００であってもよい。 The molecular weight of the polyoxyalkylene part of the first additive is preferably higher from the viewpoint of further suppressing the polishing rate of silicon oxide. The molecular weight of the polyoxyalkylene part of the first additive is preferably 400 or more, more preferably 600 or more, still more preferably 800 or more, and particularly preferably 1000 or more. The upper limit of the molecular weight of the polyoxyalkylene moiety may be 50000, for example.
第一の添加剤の重量平均分子量は、酸化珪素の研磨速度を抑制しつつ窒化珪素を高速に研磨する観点から、３５００以上である。第一の添加剤の重量平均分子量は、酸化珪素の研磨速度を更に抑制できる観点から、分子量が大きいほうが好ましい。第一の添加剤の重量平均分子量は、４０００以上が好ましく、５０００以上がより好ましく、１００００以上が更に好ましく、２００００以上が特に好ましい。第一の添加剤の重量平均分子量の上限は、特に限定されないが、水溶性や取扱いの容易さの観点から、１００００００以下が好ましく、９０００００以下がより好ましく、８０００００以下が更に好ましく、７０００００以下が特に好ましい。 The weight average molecular weight of the first additive is 3500 or more from the viewpoint of polishing silicon nitride at a high speed while suppressing the polishing rate of silicon oxide. The weight average molecular weight of the first additive is preferably larger from the viewpoint of further suppressing the polishing rate of silicon oxide. The weight average molecular weight of the first additive is preferably 4000 or more, more preferably 5000 or more, still more preferably 10,000 or more, and particularly preferably 20000 or more. The upper limit of the weight average molecular weight of the first additive is not particularly limited, but is preferably 1000000 or less, more preferably 900000 or less, still more preferably 800000 or less, and particularly preferably 700000 or less from the viewpoint of water solubility and ease of handling. preferable.
なお、重量平均分子量は、例えば、標準ポリスチレンの検量線を用いてゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により下記の条件で測定することができる。
使用機器：ＬＣ−２０ＡＤ（株式会社島津製作所製）
カラム：Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ｗ５４０＋Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ｗ５５０（日立化成株式会社製、商品名、計２本、カラムサイズ：１０．７ｍｍＩ．Ｄ．×３００ｍｍ）
溶離液：０．１Ｍ ＮａＣｌ水溶液
測定温度：４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料濃度：０．２質量％
検出器：ＲＩＤ−１０Ａ（株式会社島津製作所製）
In addition, a weight average molecular weight can be measured on condition of the following by the gel permeation chromatography method (GPC) using the calibration curve of a standard polystyrene, for example.
Equipment used: LC-20AD (manufactured by Shimadzu Corporation)
Column: Gelpack GL-W540 + Gelpack GL-W550 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name, 2 in total, column size: 10.7 mm ID × 300 mm)
Eluent: 0.1M NaCl aqueous solution Measurement temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min
Sample concentration: 0.2% by mass
Detector: RID-10A (manufactured by Shimadzu Corporation)
第一の添加剤の含有量の下限は、酸化珪素の研磨速度を更に抑制できる観点、及び、窒化珪素を更に高速に研磨することができる観点から、研磨剤の全質量を基準として０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、０．０３質量％以上が特に好ましく、０．０５質量％以上が極めて好ましい。第一の添加剤の含有量の上限は、砥粒の分散安定性に優れる観点から、研磨剤の全質量を基準として１０質量％以下が好ましく、５．０質量％以下がより好ましく、３．０質量％以下が更に好ましく、２．０質量％以下が特に好ましく、１．０質量％以下が極めて好ましく、０．７質量％以下が非常に好ましく、０．５質量％以下がより一層好ましい。上記観点から、第一の添加剤の含有量は、研磨剤の全質量を基準として０．００１質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。 The lower limit of the content of the first additive is 0.001 based on the total mass of the polishing agent from the viewpoint of further suppressing the polishing rate of silicon oxide and from the viewpoint of polishing silicon nitride at a higher speed. % By mass or more is preferable, 0.005% by mass or more is more preferable, 0.01% by mass or more is further preferable, 0.03% by mass or more is particularly preferable, and 0.05% by mass or more is extremely preferable. The upper limit of the content of the first additive is preferably 10% by mass or less, more preferably 5.0% by mass or less, based on the total mass of the abrasive, from the viewpoint of excellent dispersion stability of the abrasive grains. 0 mass% or less is still more preferable, 2.0 mass% or less is especially preferable, 1.0 mass% or less is very preferable, 0.7 mass% or less is very preferable, and 0.5 mass% or less is still more preferable. From the above viewpoint, the content of the first additive is more preferably 0.001% by mass or more and 10% by mass or less based on the total mass of the abrasive.
［第二の添加剤］
本実施形態に係る研磨剤は、研磨速度、研磨選択性等の研磨特性；砥粒の分散性、保存安定性等の研磨剤特性などを調整する目的で、前記第一の添加剤の他に、第二の添加剤を更に含有していてもよい。
[Second additive]
The abrasive according to the present embodiment is used in addition to the first additive for the purpose of adjusting polishing characteristics such as polishing speed and polishing selectivity; and abrasive characteristics such as abrasive dispersibility and storage stability. The second additive may be further contained.
第二の添加剤としては、カルボン酸（前記第一の添加剤に該当する化合物を除く）、アミノ酸等が挙げられる。これらは、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。これらの化合物を用いることにより、砥粒の分散性及び研磨特性のバランスが向上する。なお、アミノ酸はカルボキシル基を有するが、カルボン酸としては、アミノ酸に該当する化合物を除く。 Examples of the second additive include carboxylic acids (excluding compounds corresponding to the first additive), amino acids, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. By using these compounds, the balance of abrasive dispersibility and polishing characteristics is improved. In addition, although an amino acid has a carboxyl group, the compound corresponding to an amino acid is excluded as carboxylic acid.
カルボン酸は、ｐＨを安定化させると共に窒化珪素の研磨速度を更に向上させる効果がある。カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、乳酸等が挙げられる。 Carboxylic acid has the effect of stabilizing the pH and further improving the polishing rate of silicon nitride. Examples of the carboxylic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, and lactic acid.
アミノ酸は、前記４価金属元素の水酸化物を含む砥粒の分散性を向上させ、窒化珪素の研磨速度を更に向上させる効果がある。アミノ酸としては、アルギニン、リシン、アスパラギン酸、グルタミン酸、アスパラギン、グルタミン、ヒスチジン、プロリン、チロシン、トリプトファン、セリン、トレオニン、グリシン、α−アラニン、β−アラニン、メチオニン、システイン、フェニルアラニン、ロイシン、バリン、イソロイシン等が挙げられる。 The amino acid has an effect of improving the dispersibility of the abrasive grains containing the hydroxide of the tetravalent metal element and further improving the polishing rate of silicon nitride. As amino acids, arginine, lysine, aspartic acid, glutamic acid, asparagine, glutamine, histidine, proline, tyrosine, tryptophan, serine, threonine, glycine, α-alanine, β-alanine, methionine, cysteine, phenylalanine, leucine, valine, isoleucine Etc.
第二の添加剤を使用する場合、第二の添加剤の含有量の下限は、砥粒の沈降を抑制しつつ第二の添加剤の添加効果を得る観点から、研磨剤の全質量を基準として０．００１質量％以上が好ましく、０．００３質量％以上がより好ましく、０．００５質量％以上が更に好ましい。第二の添加剤の含有量の上限は、砥粒の沈降を抑制しつつ第二の添加剤の添加効果を得る観点から、研磨剤の全質量を基準として１０質量％以下が好ましく、５．０質量％以下がより好ましく、３．０質量％以下が更に好ましい。上記観点から、第二の添加剤の含有量は、研磨剤の全質量を基準として０．００１質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。 When using the second additive, the lower limit of the content of the second additive is based on the total mass of the abrasive from the viewpoint of obtaining the additive effect of the second additive while suppressing the settling of the abrasive grains. Is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.003% by mass or more, and still more preferably 0.005% by mass or more. The upper limit of the content of the second additive is preferably 10% by mass or less based on the total mass of the abrasive from the viewpoint of obtaining the effect of adding the second additive while suppressing sedimentation of the abrasive grains. 0 mass% or less is more preferable, and 3.0 mass% or less is still more preferable. From the above viewpoint, the content of the second additive is more preferably 0.001% by mass or more and 10% by mass or less based on the total mass of the abrasive.
［水溶性高分子］
本実施形態に係る研磨剤は、平坦性、面内均一性、酸化珪素に対する窒化珪素の研磨選択性（窒化珪素の研磨速度／酸化珪素の研磨速度）、ポリシリコンに対する窒化珪素の研磨選択性（窒化珪素の研磨速度／ポリシリコンの研磨速度）等の研磨特性を調整する目的で、水溶性高分子を含有していてもよい。ここで、「水溶性高分子」とは、２５℃において水１００ｇに対して０．１ｇ以上溶解する高分子として定義する。なお、第一の添加剤に該当する高分子は「水溶性高分子」に含まれないものとする。
[Water-soluble polymer]
The polishing agent according to this embodiment has flatness, in-plane uniformity, polishing selectivity of silicon nitride to silicon oxide (silicon nitride polishing rate / silicon oxide polishing rate), and silicon nitride polishing selectivity to polysilicon ( A water-soluble polymer may be contained for the purpose of adjusting polishing characteristics such as (silicon nitride polishing rate / polysilicon polishing rate). Here, the “water-soluble polymer” is defined as a polymer that dissolves 0.1 g or more in 100 g of water at 25 ° C. The polymer corresponding to the first additive is not included in the “water-soluble polymer”.
水溶性高分子としては、特に制限はなく、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン、グアーガム、デキストリン、シクロデキストリン、プルラン等の多糖類；ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン等のビニル系ポリマ；ポリグリセリン、ポリグリセリン誘導体等のグリセリン系ポリマなどが挙げられる。水溶性高分子は、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。 The water-soluble polymer is not particularly limited and is a polysaccharide such as alginic acid, pectinic acid, carboxymethylcellulose, agar, curdlan, guar gum, dextrin, cyclodextrin, pullulan; vinyl type such as polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, polyacrolein, etc. Polymers; glycerin polymers such as polyglycerin and polyglycerin derivatives. The water-soluble polymer can be used alone or in combination of two or more.
水溶性高分子を使用する場合、水溶性高分子の含有量の下限は、砥粒の沈降を抑制しつつ水溶性高分子の添加効果を得る観点から、研磨剤の全質量を基準として０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましい。水溶性高分子の含有量の上限は、砥粒の沈降を抑制しつつ水溶性高分子の添加効果を得る観点から、研磨剤の全質量を基準として１０質量％以下が好ましく、５．０質量％以下がより好ましく、１．０質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が特に好ましい。上記の観点から、水溶性高分子の含有量は、研磨剤の全質量を基準として０．０００１質量％以上１０質量％以下がより好ましい。 When the water-soluble polymer is used, the lower limit of the content of the water-soluble polymer is 0. 0 based on the total mass of the abrasive from the viewpoint of obtaining the effect of adding the water-soluble polymer while suppressing sedimentation of the abrasive grains. 0001 mass% or more is preferable, 0.001 mass% or more is more preferable, and 0.01 mass% or more is still more preferable. The upper limit of the content of the water-soluble polymer is preferably 10% by mass or less, based on the total mass of the abrasive, from the viewpoint of obtaining the effect of adding the water-soluble polymer while suppressing sedimentation of the abrasive grains, and 5.0% by mass. % Or less is more preferable, 1.0% by mass or less is more preferable, and 0.5% by mass or less is particularly preferable. From the above viewpoint, the content of the water-soluble polymer is more preferably 0.0001% by mass or more and 10% by mass or less based on the total mass of the abrasive.
［その他の添加剤］
本実施形態に係る研磨剤は、研磨特性を調整する目的で、前記第一の添加剤、前記第二の添加剤及び水溶性高分子の他に、その他の添加剤を更に含有していてもよい。その他の添加剤としては、酸化剤（例えば過酸化水素）、並びに、後述するｐＨ調整剤及び緩衝剤等が挙げられる。これらは、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。
[Other additives]
The abrasive according to this embodiment may further contain other additives in addition to the first additive, the second additive, and the water-soluble polymer for the purpose of adjusting polishing characteristics. Good. Examples of other additives include an oxidizing agent (for example, hydrogen peroxide), a pH adjuster and a buffering agent described later, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
（研磨剤の特性）
本実施形態に係る研磨剤のｐＨの下限は、窒化珪素の研磨速度を更に向上させる観点から、３．０以上が好ましく、３．５以上がより好ましく、４．０以上が更に好ましく、４．５以上が特に好ましい。研磨剤のｐＨの上限は、窒化珪素の研磨速度を更に向上させる観点から、９．０以下が好ましく、８．５以下がより好ましく、８．０以下が更に好ましく、７．５以下が特に好ましい。上記の観点から、研磨剤のｐＨは、３．０以上９．０以下がより好ましい。ｐＨは液温２５℃におけるｐＨと定義する。
(Abrasive properties)
The lower limit of the pH of the abrasive according to this embodiment is preferably 3.0 or more, more preferably 3.5 or more, still more preferably 4.0 or more, from the viewpoint of further improving the polishing rate of silicon nitride. 5 or more is particularly preferable. The upper limit of the pH of the abrasive is preferably 9.0 or less, more preferably 8.5 or less, still more preferably 8.0 or less, and particularly preferably 7.5 or less from the viewpoint of further improving the polishing rate of silicon nitride. . From the above viewpoint, the pH of the abrasive is more preferably from 3.0 to 9.0. The pH is defined as the pH at a liquid temperature of 25 ° C.
研磨剤のｐＨは、無機酸、有機酸等の酸成分；アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、イミダゾール、２−メチルイミダゾール等のアルカリ成分などによって調整できる。また、ｐＨを安定化させるため、緩衝液を添加してもよい。このような緩衝液としては、酢酸塩緩衝液、フタル酸塩緩衝液等が挙げられる。 The pH of the abrasive can be adjusted by an acid component such as an inorganic acid or an organic acid; an alkali component such as ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), imidazole, or 2-methylimidazole. A buffer may be added to stabilize the pH. Examples of such a buffer include acetate buffer and phthalate buffer.
本実施形態に係る研磨剤のｐＨは、ｐＨメータ（例えば、電気化学計器株式会社製の型番ＰＨＬ−４０）で測定できる。具体的には例えば、フタル酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ４．０１）と中性リン酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ６．８６）とを標準緩衝液として用いてｐＨメータを２点校正した後、ｐＨメータの電極を研磨剤に入れて、２ｍｉｎ以上経過して安定した後の値を測定する。このとき、標準緩衝液及び研磨剤の液温は共に２５℃とする。 The pH of the abrasive according to this embodiment can be measured with a pH meter (for example, model number PHL-40 manufactured by Electrochemical Instrument Co., Ltd.). Specifically, for example, the pH meter is calibrated at two points using a phthalate pH buffer solution (pH 4.01) and a neutral phosphate pH buffer solution (pH 6.86) as standard buffers, and then the pH meter The value after the electrode was stabilized after 2 minutes or more had passed was measured. At this time, the liquid temperature of the standard buffer solution and the abrasive is both 25 ° C.
本実施形態に係る研磨剤は、砥粒、第一の添加剤及び液状媒体を少なくとも含む一液式研磨剤として保存してもよく、スラリ（第一の液）と添加液（第二の液）とを混合して前記研磨剤となるように前記研磨剤の構成成分をスラリと添加液とに分けた二液式の研磨剤セット（例えばＣＭＰ用研磨剤セット）として保存してもよい。スラリは、例えば、砥粒及び液状媒体を少なくとも含む。添加液は、例えば、第一の添加剤及び液状媒体を少なくとも含む。第一の添加剤、第二の添加剤、水溶性高分子及び緩衝液は、スラリ及び添加液のうち添加液に含まれることが好ましい。なお、前記研磨剤の構成成分は、三液以上に分けた研磨剤セットとして保存してもよい。 The abrasive according to the present embodiment may be stored as a one-part abrasive containing at least abrasive grains, a first additive, and a liquid medium. A slurry (first liquid) and an additive liquid (second liquid) ) May be stored as a two-part abrasive set (for example, a CMP abrasive set) in which the constituents of the abrasive are divided into a slurry and an additive liquid so as to be the abrasive. The slurry includes at least abrasive grains and a liquid medium, for example. The additive liquid includes, for example, at least a first additive and a liquid medium. It is preferable that the first additive, the second additive, the water-soluble polymer, and the buffer solution are contained in the additive solution among the slurry and the additive solution. The constituents of the abrasive may be stored as an abrasive set divided into three or more liquids.
前記研磨剤セットにおいては、研磨直前又は研磨時に、スラリ及び添加液が混合されて研磨剤が調製される。また、一液式研磨剤は、液状媒体の含有量を減じた研磨剤用貯蔵液として保存されると共に、研磨時に液状媒体で希釈して用いられてもよい。二液式の研磨剤セットは、液状媒体の含有量を減じたスラリ用貯蔵液及び添加液用貯蔵液として保存されると共に、研磨時に液状媒体で希釈して用いられてもよい。 In the abrasive set, the slurry and additive liquid are mixed immediately before or during polishing to prepare an abrasive. In addition, the one-component abrasive may be stored as an abrasive stock solution in which the content of the liquid medium is reduced, and may be diluted with the liquid medium during polishing. The two-component abrasive set may be stored as a slurry storage solution and an additive storage solution with a reduced content of the liquid medium, and may be diluted with the liquid medium during polishing.
一液式研磨剤を用いて研磨する場合、研磨定盤上への研磨剤の供給方法としては、研磨剤を直接送液して供給する方法；研磨剤用貯蔵液及び液状媒体を別々の配管で送液し、これらを合流、混合させて供給する方法；あらかじめ研磨剤用貯蔵液及び液状媒体を混合しておき供給する方法等を用いることができる。 When polishing with a one-component abrasive, the abrasive is supplied onto the polishing platen by supplying the abrasive directly; supplying the abrasive storage liquid and the liquid medium in separate pipes And a method of supplying them by mixing and mixing them; a method of mixing and supplying an abrasive stock solution and a liquid medium in advance, and the like.
スラリと添加液とに分けた二液式の研磨剤セットとして保存する場合、これら二液の配合を任意に変えることにより研磨速度を調整できる。研磨剤セットを用いて研磨する場合、研磨定盤上への研磨剤の供給方法としては、例えば、下記に示す方法が挙げられる。例えば、スラリと添加液とを別々の配管で送液し、これらの配管を合流、混合させて供給する方法；スラリ用貯蔵液、添加液用貯蔵液及び液状媒体を別々の配管で送液し、これらを合流、混合させて供給する方法；あらかじめスラリ及び添加液を混合しておき供給する方法；あらかじめスラリ用貯蔵液、添加液用貯蔵液及び液状媒体を混合しておき供給する方法を用いることができる。また、前記研磨剤セットにおけるスラリと添加液とをそれぞれ研磨定盤上へ供給する方法を用いることもできる。この場合、研磨定盤上においてスラリ及び添加液が混合されて得られる研磨剤を用いて被研磨面が研磨される。 When storing as a two-component type abrasive set divided into slurry and additive solution, the polishing rate can be adjusted by arbitrarily changing the combination of these two components. When polishing using an abrasive set, examples of the method for supplying the abrasive onto the polishing platen include the methods described below. For example, a method in which slurry and additive liquid are fed through separate pipes, and these pipes are combined, mixed and supplied; a slurry storage liquid, an additive liquid storage liquid, and a liquid medium are fed through separate pipes. , A method of supplying these by mixing and mixing them; a method of supplying the slurry and additive liquid by mixing them in advance; and a method of mixing and supplying the slurry storage liquid, the storage liquid for additive liquids and the liquid medium in advance. be able to. Moreover, the method of supplying the slurry and additive liquid in the said abrasive | polishing agent set on a polishing surface plate, respectively can also be used. In this case, the surface to be polished is polished using an abrasive obtained by mixing the slurry and the additive liquid on the polishing platen.
＜基体の研磨方法＞
本実施形態に係る基体の研磨方法は、前記一液式研磨剤を用いて基体の被研磨面を研磨する研磨工程を備えていてもよく、前記研磨剤セットにおけるスラリと添加液とを混合して得られる研磨剤を用いて基体の被研磨面を研磨する研磨工程を備えていてもよい。
<Polishing method of substrate>
The method for polishing a substrate according to this embodiment may include a polishing step of polishing the surface to be polished of the substrate using the one-component abrasive, and the slurry in the abrasive set and the additive solution are mixed. There may be provided a polishing step of polishing the surface to be polished of the substrate using the abrasive obtained in this manner.
本実施形態に係る基体の研磨方法において、被研磨面は、例えば窒化珪素を含む。研磨工程は、前記一液式研磨剤、又は、前記研磨剤セットにおけるスラリと添加液とを混合して得られる研磨剤を用いて、窒化珪素と他の被研磨材料とを含む被研磨面において特定の被研磨材料（例えば窒化珪素）を選択的に研磨する研磨工程であってもよい。この場合、基体は、例えば、窒化珪素を含む部材と、他の被研磨材料を含む部材とを有していてもよい。他の被研磨材料としては、絶縁材料（本明細書において「窒化珪素」は絶縁材料に含まれないものとする。）、シリコン材料等が挙げられる。絶縁材料としては、酸化珪素等が挙げられる。シリコン材料としては、ポリシリコン、シリコン等のシリコン類などが挙げられる。 In the substrate polishing method according to the present embodiment, the surface to be polished contains, for example, silicon nitride. The polishing step is performed on the surface to be polished containing silicon nitride and another material to be polished by using the one-component type polishing agent or a polishing agent obtained by mixing the slurry and additive liquid in the polishing agent set. It may be a polishing step of selectively polishing a specific material to be polished (for example, silicon nitride). In this case, the base may have, for example, a member containing silicon nitride and a member containing another material to be polished. Examples of other materials to be polished include an insulating material (in this specification, “silicon nitride” is not included in the insulating material), a silicon material, and the like. Examples of the insulating material include silicon oxide. Examples of the silicon material include polysilicon such as polysilicon and silicon.
窒化珪素の研磨速度は、３０ｎｍ／ｍｉｎ以上が好ましく、４０ｎｍ／ｍｉｎ以上がより好ましく、４５ｎｍ／ｍｉｎ以上が更に好ましく、５０ｎｍ／ｍｉｎ以上が特に好ましい。研磨速度が３０ｎｍ／ｍｉｎ以上であることにより、デバイス製造におけるスループット向上に大きく貢献できる。 The polishing rate of silicon nitride is preferably 30 nm / min or more, more preferably 40 nm / min or more, still more preferably 45 nm / min or more, and particularly preferably 50 nm / min or more. When the polishing rate is 30 nm / min or more, it can greatly contribute to the improvement of throughput in device manufacturing.
研磨工程では、例えば、被研磨材料（窒化珪素、及び／又は、窒化珪素以外の被研磨材料）を有する基体の当該被研磨材料を研磨定盤の研磨パッド（研磨布）に押圧した状態で、前記研磨剤を被研磨材料と研磨パッドとの間に供給し、基体と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨材料を研磨する。研磨工程では、例えば、被研磨材料の少なくとも一部を研磨により除去する。被研磨材料は、例えば膜状（被研磨膜）であってもよい。 In the polishing step, for example, in a state where the material to be polished of the substrate having the material to be polished (silicon nitride and / or material to be polished other than silicon nitride) is pressed against the polishing pad (polishing cloth) of the polishing surface plate, The abrasive is supplied between the material to be polished and the polishing pad, and the substrate and the polishing surface plate are moved relatively to polish the material to be polished. In the polishing step, for example, at least a part of the material to be polished is removed by polishing. The material to be polished may be in the form of a film (film to be polished), for example.
研磨対象である基体としては、基板等が挙げられる。基体としては、半導体素子製造に係る基板（例えば、ＳＴＩパターン、ゲートパターン、配線パターン等が形成された半導体基板）上に被研磨材料が形成された基体などが挙げられる。 Examples of the substrate to be polished include a substrate. Examples of the substrate include a substrate in which a material to be polished is formed on a substrate (for example, a semiconductor substrate on which an STI pattern, a gate pattern, a wiring pattern, etc.) are formed.
本実施形態に係る基体の研磨方法の具体例について、図面を用いて詳細に説明する。 A specific example of the substrate polishing method according to the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
図２は、Ｈｉｇｈ−ｋメタルゲート製造工程の一部を示す断面模式図である。まず、図２（ａ）に示す基板１００ａを用意する。基板１００ａでは、シリコン基板１の上に、ポリシリコン等のダミーゲート材料２からなる凸部が間隔をおいて設けられている。ダミーゲート材料２から構成される凹凸形状に追従するように窒化珪素のキャップ材料３が設けられている。凹部を埋め込み、かつ、キャップ材料３全体が覆われるように酸化珪素等の絶縁材料（例えば絶縁膜）４が設けられている。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a part of the high-k metal gate manufacturing process. First, a
次に、絶縁材料を除去可能であり、かつ、窒化珪素の研磨速度の小さい公知のＣＭＰ用研磨剤を用いて基板１００ａを研磨する。これにより、絶縁材料４の表層部を除去して凸部のキャップ材料３を露出させることにより、図２（ｂ）に示す基板１００ｂを得る。
Next, the
続いて、本実施形態に係る研磨剤を用いて凸部のキャップ材料３を除去し、ダミーゲート材料２が露出した段階で研磨を停止することにより、図２（ｃ）に示す基板１００ｃを得る。ここで用いる研磨剤としては、窒化珪素に対して高い研磨速度を有し、かつ、酸化珪素等の絶縁材料及びポリシリコン等のダミーゲート材料に対して低い研磨速度を示す研磨剤を用いることが好ましい。
Subsequently, the
図３は、Ｆｉｎ−ＦＥＴと呼ばれるマルチゲート素子の製造工程の一部を示す断面模式図である。図３（ａ）に示すように、所定の形状に加工されたシリコン基板１１と、酸化珪素等の絶縁材料１２と、窒化珪素のハードマスク１３とを有する基板１１０ａを用意する。ハードマスク１３は、シリコン基板１１上に設けられている。絶縁材料１２は、シリコン基板１１及びハードマスク１３を覆うように設けられている。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a part of a manufacturing process of a multi-gate element called Fin-FET. As shown in FIG. 3A, a
次に、絶縁材料を除去可能であり、かつ、窒化珪素の研磨速度の小さい公知のＣＭＰ用研磨剤を用いて基板１１０ａを研磨する。これにより、絶縁材料１２の表層部を除去してハードマスク１３を露出させることにより、図３（ｂ）に示す基板１１０ｂを得る。
Next, the
続いて、本実施形態に係る研磨剤を用いてハードマスク１３を除去し、シリコン基板１１が露出した段階で研磨を停止することにより、図３（ｃ）に示す基板１１０ｃを得る。ここで用いる研磨剤としては、窒化珪素に対して高い研磨速度を有し、かつ、酸化珪素等の絶縁材料に対して低い研磨速度を示す研磨剤を用いることが好ましい。
Subsequently, the
図４は、トランジスタにおけるゲート構造の製造工程の一部を示す断面模式図である。図４（ａ）に示すように、所定の形状に加工されたシリコン基板２１と、酸化珪素等の絶縁材料２２と、窒化珪素のキャップ材料２３と、ポリシリコン等のダミーゲート材料２４とを有する基板１２０ａを用意する。絶縁材料２２及びダミーゲート材料２４は、シリコン基板２１上に設けられている。キャップ材料２３は、シリコン基板２１、絶縁材料２２及びダミーゲート材料２４を覆うように設けられている。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the gate structure in the transistor. As shown in FIG. 4A, a
次に、本実施形態に係る研磨剤を用いてキャップ材料２３の表層部を除去し、絶縁材料２２が露出した段階で研磨を停止することにより、図４（ｂ）に示す基板１２０ｂを得る。ここで用いる研磨剤としては、窒化珪素に対して高い研磨速度を有し、かつ、酸化珪素等の絶縁材料に対して低い研磨速度を示す研磨剤を用いることが好ましい。
Next, the surface layer portion of the
以下、本実施形態に係る基体（半導体基板等）の研磨方法を更に説明する。本実施形態に係る研磨方法において、研磨装置としては、被研磨面を有する基体（半導体基板等）を保持可能なホルダーと、研磨パッドを貼り付け可能な研磨定盤とを有する一般的な研磨装置を使用できる。ホルダー及び研磨定盤のそれぞれには、例えば、回転数が変更可能なモータ等が取り付けてある。研磨装置としては、ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製の研磨装置（商品名：Ｍｉｒｒａ−３４００、Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ ＬＫ）、株式会社荏原製作所製の研磨装置（商品名：Ｆ ＲＥＸ−３００）等が挙げられる。 Hereinafter, the method for polishing a substrate (semiconductor substrate or the like) according to this embodiment will be further described. In the polishing method according to the present embodiment, as a polishing apparatus, a general polishing apparatus having a holder capable of holding a substrate (semiconductor substrate or the like) having a surface to be polished and a polishing surface plate to which a polishing pad can be attached. Can be used. For example, a motor or the like whose rotation speed can be changed is attached to each of the holder and the polishing surface plate. Examples of the polishing apparatus include a polishing apparatus manufactured by APPLIED MATERIALS (trade name: Mira-3400, Reflexion LK), a polishing apparatus manufactured by Ebara Corporation (trade name: FREX-300), and the like.
研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡体、非発泡体等が使用できる。研磨パッドの材質としては、ポリウレタン、アクリル樹脂、ポリエステル、アクリル−エステル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ４−メチルペンテン、セルロース、セルロースエステル、ポリアミド（例えば、ナイロン（商標名）及びアラミド）、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリシロキサン共重合体、オキシラン化合物、フェノール樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等の樹脂が使用できる。研磨パッドの材質としては、特に、研磨速度及び平坦性に更に優れる観点から、発泡ポリウレタン及び非発泡ポリウレタンが好ましい。研磨パッドには、研磨剤がたまるような溝加工が施されていてもよい。 As the polishing pad, a general nonwoven fabric, foam, non-foam, or the like can be used. The material of the polishing pad is polyurethane, acrylic resin, polyester, acrylic-ester copolymer, polytetrafluoroethylene, polypropylene, polyethylene, poly-4-methylpentene, cellulose, cellulose ester, polyamide (for example, nylon (trade name)) And aramid), polyimide, polyimide amide, polysiloxane copolymer, oxirane compound, phenol resin, polystyrene, polycarbonate, epoxy resin and the like. As the material of the polishing pad, foamed polyurethane and non-foamed polyurethane are particularly preferable from the viewpoint of further excellent polishing speed and flatness. The polishing pad may be grooved so that the abrasive is collected.
研磨条件に制限はないが、研磨定盤の回転速度は、基体が飛び出さないように２００ｍｉｎ−１以下が好ましく、基体にかける研磨圧力（加工荷重）は、研磨傷が発生することを充分に抑制し易い観点から、１００ｋＰａ以下が好ましい。研磨している間、ポンプ等で連続的に研磨剤を研磨パッドに供給することが好ましい。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。 The polishing conditions are not limited, but the rotation speed of the polishing platen is preferably 200 min −1 or less so that the substrate does not pop out, and the polishing pressure (working load) applied to the substrate is sufficient to cause polishing scratches. From the viewpoint of easy suppression, 100 kPa or less is preferable. During polishing, it is preferable to continuously supply the polishing agent to the polishing pad with a pump or the like. Although there is no restriction | limiting in this supply amount, it is preferable that the surface of a polishing pad is always covered with the abrasive | polishing agent.
研磨終了後の基体は、流水中でよく洗浄して、基体に付着した粒子を除去することが好ましい。洗浄には、純水以外に希フッ酸又はアンモニア水を用いてもよく、洗浄効率を高めるためにブラシを用いてもよい。また、洗浄後は、基体に付着した水滴を、スピンドライヤ等を用いて払い落としてから基体を乾燥させることが好ましい。 The substrate after completion of polishing is preferably washed well under running water to remove particles adhering to the substrate. For cleaning, dilute hydrofluoric acid or ammonia water may be used in addition to pure water, and a brush may be used to improve cleaning efficiency. Further, after washing, it is preferable to dry the substrate after water droplets adhering to the substrate are removed using a spin dryer or the like.
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples.
＜４価金属元素の水酸化物の合成＞
７．６０３Ｌの水を容器に入れた後、濃度５０質量％の硝酸セリウムアンモニウム水溶液（化学式：Ｃｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６、式量：５４８．２ｇ／ｍｏｌ、日本化学産業株式会社製、商品名５０％ＣＡＮ液）を０．７１５Ｌ加えて混合した。その後、液温を４０℃に調整して金属塩水溶液（金属塩濃度：０．１１４ｍｏｌ／Ｌ）を得た。
<Synthesis of hydroxides of tetravalent metal elements>
7. After putting 603 L of water into the container, an aqueous solution of cerium ammonium nitrate having a concentration of 50% by mass (chemical formula: Ce (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 , formula weight: 548.2 g / mol, Nippon Chemical Industry Co., Ltd. (Product name, 50% CAN solution) was added and mixed. Thereafter, the liquid temperature was adjusted to 40 ° C. to obtain an aqueous metal salt solution (metal salt concentration: 0.114 mol / L).
次に、イミダゾールを水に溶解させて濃度０．７ｍｏｌ／Ｌの水溶液を４．５６６Ｌ用意した後、液温を４０℃に調整してアルカリ液を得た。 Next, after dissolving imidazole in water and preparing 4.566L of aqueous solution with a density | concentration of 0.7 mol / L, liquid temperature was adjusted to 40 degreeC and the alkali liquid was obtained.
前記金属塩水溶液の入った容器を、水を張った水槽に入れた。外部循環装置クールニクスサーキュレータ（東京理化器械株式会社（ＥＹＥＬＡ）製、商品名クーリングサーモポンプ ＣＴＰ１０１）を用いて、水槽の水温を４０℃に調整した。水温を４０℃に保持しつつ、撹拌速度４００ｍｉｎ−１で金属塩水溶液を撹拌しながら、前記アルカリ液を混合速度８．５×１０−６ｍ３／ｍｉｎ（８．５ｍＬ／ｍｉｎ）で容器内に加え、４価セリウムの水酸化物を含む砥粒を含有するスラリ前駆体１を得た。スラリ前駆体１のｐＨは２．２であった。なお、羽根部全長５ｃｍの３枚羽根ピッチパドルを用いて金属塩水溶液を撹拌した。 The container containing the metal salt aqueous solution was placed in a water tank filled with water. The water temperature of the water tank was adjusted to 40 ° C. using an external circulation device COOLNICS circulator (manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd. (EYELA), trade name cooling thermopump CTP101). While maintaining the water temperature at 40 ° C., while stirring the aqueous metal salt solution at a stirring speed of 400 min −1 , the alkaline solution was mixed in the container at a mixing speed of 8.5 × 10 −6 m 3 / min (8.5 mL / min). In addition, a slurry precursor 1 containing abrasive grains containing tetravalent cerium hydroxide was obtained. The pH of the slurry precursor 1 was 2.2. The aqueous metal salt solution was stirred using a three-blade pitch paddle with a total length of 5 cm.
分画分子量５００００の中空糸フィルタを用いて、得られたスラリ前駆体１を循環させながら限外ろ過して、導電率が５０ｍＳ／ｍ以下になるまでイオン分を除去することにより、スラリ前駆体２を得た。前記限外ろ過は、液面センサを用いて、スラリ前駆体１の入ったタンクの水位を一定にするように水を添加しながら行った。得られたスラリ前駆体２を適量とり、乾燥前後の質量を量ることにより、スラリ前駆体２の不揮発分含量（４価セリウムの水酸化物を含む砥粒の含量）を算出した。なお、この段階で不揮発分含量が１．０質量％未満であった場合には、水を添加せずに限外ろ過を更に行うことにより、１．１質量％を超える程度に濃縮した。最後に、適量の水を追加し、セリウム水酸化物（４価セリウムの水酸化物）を含む砥粒を含有するセリウム水酸化物スラリ用貯蔵液（砥粒の含有量：１．０質量％）を調製した。
Using a hollow fiber filter with a molecular weight cut off of 50000, the obtained slurry precursor 1 was ultrafiltered while being circulated, and the ion content was removed until the conductivity was 50 mS / m or less. 2 was obtained. The ultrafiltration was performed using a liquid level sensor while adding water so that the water level of the tank containing the slurry precursor 1 was kept constant. By taking an appropriate amount of the obtained
＜平均粒径の測定＞
セリウム水酸化物スラリ用貯蔵液を適量採取し、砥粒の含有量が０．２質量％となるように水で希釈して測定サンプル（水分散液）を得た。測定サンプルを１ｃｍ角のセルに約４ｍＬ入れ、ベックマンコールター社製の装置名：Ｎ５内にセルを設置した。分散媒の屈折率を１．３３、粘度を０．８８７ｍＰａ・ｓに設定し、２５℃において測定を行い、表示された平均粒径値を平均二次粒径（平均粒径）とした。結果は２１ｎｍであった。
<Measurement of average particle size>
An appropriate amount of a cerium hydroxide slurry stock solution was collected and diluted with water so that the abrasive grain content was 0.2% by mass to obtain a measurement sample (aqueous dispersion). About 4 mL of the measurement sample was placed in a 1 cm square cell, and the cell was installed in a device name: N5 manufactured by Beckman Coulter. The refractive index of the dispersion medium was set to 1.33, the viscosity was set to 0.887 mPa · s, the measurement was performed at 25 ° C., and the displayed average particle size value was defined as the average secondary particle size (average particle size). The result was 21 nm.
＜吸光度及び光透過率の測定＞
セリウム水酸化物スラリ用貯蔵液（砥粒の含有量：１．０質量％）を適量採取し、砥粒の含有量が０．００６５質量％（６５ｐｐｍ）となるように水で希釈して測定サンプル（水分散液）を得た。測定サンプルを１ｃｍ角のセルに約４ｍＬ入れ、株式会社日立製作所製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）内にセルを設置した。波長２００〜６００ｎｍの範囲で吸光度測定を行い、波長２９０ｎｍの光に対する吸光度と、波長４５０〜６００ｎｍの光に対する吸光度とを測定した。波長２９０ｎｍの光に対する吸光度は、１．２４８であった。波長４５０〜６００ｎｍの光に対する吸光度は、０．０１０以下であった。
<Measurement of absorbance and light transmittance>
An appropriate amount of cerium hydroxide slurry storage solution (abrasive grain content: 1.0 mass%) is sampled and diluted with water so that the abrasive grain content is 0.0065 mass% (65 ppm). A sample (aqueous dispersion) was obtained. About 4 mL of the measurement sample was placed in a 1 cm square cell, and the cell was installed in a spectrophotometer (device name: U3310) manufactured by Hitachi, Ltd. Absorbance was measured in the wavelength range of 200 to 600 nm, and the absorbance to light having a wavelength of 290 nm and the absorbance to light having a wavelength of 450 to 600 nm were measured. Absorbance with respect to light having a wavelength of 290 nm was 1.248. Absorbance with respect to light having a wavelength of 450 to 600 nm was 0.010 or less.
セリウム水酸化物スラリ用貯蔵液（砥粒の含有量：１．０質量％）を１ｃｍ角のセルに約４ｍＬ入れ、株式会社日立製作所製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）内にセルを設置した。波長２００〜６００ｎｍの範囲で吸光度測定を行い、波長４００ｎｍの光に対する吸光度と、波長５００ｎｍの光に対する光透過率とを測定した。波長４００ｎｍの光に対する吸光度は、１．４３６であった。波長５００ｎｍの光に対する光透過率は、９９％／ｃｍであった。 About 4 mL of cerium hydroxide slurry storage solution (abrasive grain content: 1.0 mass%) is placed in a 1 cm square cell, and the cell is placed in a spectrophotometer (device name: U3310) manufactured by Hitachi, Ltd. installed. Absorbance was measured in the wavelength range of 200 to 600 nm, and the absorbance with respect to light with a wavelength of 400 nm and the light transmittance with respect to light with a wavelength of 500 nm were measured. Absorbance with respect to light having a wavelength of 400 nm was 1.436. The light transmittance for light having a wavelength of 500 nm was 99% / cm.
＜上澄み液の不揮発分含量の測定＞
セリウム水酸化物スラリ用貯蔵液（砥粒の含有量：１．０質量％）を日立工機株式会社製の超遠心分離機（装置名：７０Ｐ−７２）に付属の遠沈管（チューブ）に充填し、前記超遠心分離機を用いて回転数５００００ｍｉｎ−１で５０分間遠心分離した。前記超遠心分離機において、チューブ角は２６°、最小半径Ｒｍｉｎは３．５３ｃｍ、最大半径Ｒｍａｘは７．８３ｃｍ、平均半径Ｒａｖは５．６８ｃｍであった。平均半径Ｒａｖから計算される遠心加速度は、１５８７５６Ｇ≒１．５９×１０５Ｇであった。遠心分離後の遠沈管から上澄み液を５．０ｇとり、アルミシャーレに入れて１５０℃で１時間乾燥させた。乾燥前後の質量を量ることにより、上澄み液に含まれる不揮発分含量（４価セリウムの水酸化物を含む砥粒の含量）を算出したところ、７６４ｐｐｍであった。
<Measurement of non-volatile content of supernatant>
The storage solution for cerium hydroxide slurry (abrasive content: 1.0 mass%) is placed in a centrifuge tube (tube) attached to an ultracentrifuge (device name: 70P-72) manufactured by Hitachi Koki Co., Ltd. Filled and centrifuged for 50 minutes at a rotational speed of 50000 min −1 using the ultracentrifuge. In the ultracentrifuge, the tube angle was 26 °, the minimum radius R min was 3.53 cm, the maximum radius R max was 7.83 cm, and the average radius R av was 5.68 cm. The centrifugal acceleration calculated from the average radius R av was 158756G≈1.59 × 10 5 G. 5.0 g of the supernatant was taken from the centrifuge tube after centrifugation, put in an aluminum petri dish, and dried at 150 ° C. for 1 hour. By measuring the mass before and after drying, the non-volatile content (content of abrasive grains containing tetravalent cerium hydroxide) contained in the supernatant was calculated to be 764 ppm.
＜ＣＭＰ用研磨剤の調製＞
研磨剤を下記のとおり調製した。研磨剤のｐＨは、下記表１に示したとおりに調整した。
<Preparation of abrasive for CMP>
An abrasive was prepared as follows. The pH of the abrasive was adjusted as shown in Table 1 below.
［実施例１］
メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−４００）とアクリル酸（大阪有機化学工業株式会社製）との共重合体：重量平均分子量Ｍｗ６８００（モル比９０／１０）（以下、「カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物Ａ１」と呼ぶ）０．２質量％を含有する添加液用貯蔵液５００ｇと、セリウム水酸化物スラリ用貯蔵液５０ｇと、水４５０ｇとを混合することにより、表１に記載される組成のＣＭＰ用研磨剤（１０００ｇ）を調製した。当該ＣＭＰ用研磨剤は、セリウム水酸化物を含む砥粒を０．０５質量％、カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物Ａ１を０．１質量％含有する。
[Example 1]
Copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate (manufactured by NOF Corporation PME-400) and acrylic acid (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.): weight average molecular weight Mw6800 (molar ratio 90/10) (hereinafter referred to as “carboxyl group”) Table 1 is obtained by mixing 500 g of an additive liquid storage solution containing 0.2% by mass, 50 g of a cerium hydroxide slurry storage solution, and 450 g of water. An abrasive for CMP (1000 g) having the composition described was prepared. The abrasive for CMP contains 0.05% by mass of abrasive grains containing cerium hydroxide and 0.1% by mass of polyoxyalkylene compound A1 containing a carboxyl group.
［実施例２］
カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物Ａ１をメトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−１０００）とアクリル酸（大阪有機化学工業株式会社製）との共重合体Ａ２：重量平均分子量Ｍｗ２２８００（モル比９０／１０）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、表１に記載される組成のＣＭＰ用研磨剤を調製した。
[Example 2]
Polyoxyalkylene compound A1 containing a carboxyl group is a copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate (manufactured by NOF Corporation PME-1000) and acrylic acid (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) A2: weight average molecular weight Mw22800 (mol) A polishing slurry for CMP having the composition described in Table 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ratio was changed to 90/10).
［比較例１］
カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物Ａ１をメトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−２００）とアクリル酸（大阪有機化学工業株式会社製）との共重合体Ａ３：重量平均分子量Ｍｗ３０００（モル比９０／１０）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、表１に記載される組成のＣＭＰ用研磨剤を調製した。
[Comparative Example 1]
A polyoxyalkylene compound A1 containing a carboxyl group is a copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate (PME-200 manufactured by NOF Corporation) and acrylic acid (produced by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) A3: weight average molecular weight Mw 3000 (mol) A polishing slurry for CMP having the composition described in Table 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ratio was changed to 90/10).
［比較例２］
カルボキシル基を含むポリオキシアルキレン化合物Ａ１をメトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−４００）の重合体Ａ４に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、表１に記載される組成のＣＭＰ用研磨剤を調製した。
[Comparative Example 2]
It describes in Table 1 like Example 1 except having changed the polyoxyalkylene compound A1 containing a carboxyl group into the polymer A4 of the methoxypolyethyleneglycol monomethacrylate (NOF Corporation PME-400). An abrasive for CMP having a composition was prepared.
［比較例３］
セリウム水酸化物スラリ用貯蔵液５０ｇと、水９５０ｇとを混合することにより、表１に記載される組成のＣＭＰ用研磨剤（１０００ｇ）を調製した。
[Comparative Example 3]
A polishing slurry for CMP (1000 g) having the composition shown in Table 1 was prepared by mixing 50 g of a cerium hydroxide slurry stock solution and 950 g of water.
＜液状特性評価＞
前記で得られたＣＭＰ用研磨剤のｐＨを下記の条件で評価した。
<Liquid property evaluation>
The pH of the CMP polishing slurry obtained above was evaluated under the following conditions.
（ｐＨ測定条件）
測定温度：２５±５℃
測定装置：電気化学計器株式会社製、型番ＰＨＬ−４０
測定方法：標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液、ｐＨ：４．０１（２５℃）；中性リン酸塩ｐＨ緩衝液、ｐＨ６．８６（２５℃））を用いて２点校正した後、電極をＣＭＰ用研磨剤に入れて、２ｍｉｎ以上経過して安定した後のｐＨを前記測定装置により測定した。
(PH measurement conditions)
Measurement temperature: 25 ± 5 ° C
Measuring device: manufactured by Electrochemical Instrument Co., Ltd., model number PHL-40
Measurement method: After calibrating two points using a standard buffer (phthalate pH buffer, pH: 4.01 (25 ° C.); neutral phosphate pH buffer, pH 6.86 (25 ° C.)), The electrode was placed in a CMP abrasive and the pH after being stabilized for 2 min or longer was measured with the measuring device.
＜ＣＭＰ評価：ブランケットウエハ評価＞
前記ＣＭＰ用研磨剤のそれぞれを用いて下記ＣＭＰ条件で被研磨基板を研磨した。
<CMP evaluation: Blanket wafer evaluation>
The substrate to be polished was polished under the following CMP conditions using each of the CMP polishing agents.
（ＣＭＰ条件）
・研磨装置：Ｍｉｒｒａ−３４００（ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製）
・ＣＭＰ用研磨剤流量：２００ｍＬ／ｍｉｎ
・被研磨基板：パターンが形成されていないブランケットウエハとして、厚さ１０００ｎｍの酸化珪素膜をシリコン基板上にプラズマＣＶＤ法で形成した基板と、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜をシリコン基板上にＣＶＤ法で形成した基板とを用いた。
・研磨パッド：独立気泡を有する発泡ポリウレタン樹脂（ローム・アンド・ハース・ジャパン株式会社製、型番ＩＣ１０１０）、ショアＤ硬度＝６０
・研磨圧力：２０ｋＰａ（３．０ｐｓｉ）
・基板及び研磨定盤の回転数：基板／研磨定盤＝９３／８７ｍｉｎ−１
・研磨時間：１ｍｉｎ
・ウエハの洗浄及び乾燥：ＣＭＰ処理後、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）ブラシによる洗浄を行い、続いて、スピンドライヤで乾燥させた。
(CMP conditions)
・ Polishing device: Mirra-3400 (manufactured by APPLIED MATERIALS)
・ CMP abrasive flow rate: 200 mL / min
Substrate to be polished: As a blanket wafer on which no pattern is formed, a substrate in which a silicon oxide film having a thickness of 1000 nm is formed on a silicon substrate by a plasma CVD method, and a silicon nitride film having a thickness of 200 nm is formed on a silicon substrate by a CVD method. And the substrate formed in (1) was used.
Polishing pad: foamed polyurethane resin having closed cells (Rohm and Haas Japan, model number IC1010), Shore D hardness = 60
Polishing pressure: 20 kPa (3.0 psi)
Rotation speed of substrate and polishing surface plate: Substrate / polishing surface plate = 93/87 min −1
・ Polishing time: 1 min
-Cleaning and drying of wafer: After CMP treatment, cleaning with a PVC (polyvinyl chloride) brush was performed, followed by drying with a spin dryer.
（ブランケットウエハ研磨速度の測定）
前記条件で研磨及び洗浄した各被研磨膜（酸化珪素膜、窒化珪素膜）の研磨速度（酸化珪素膜の研磨速度：ＳｉＯ２ＲＲ、窒化珪素膜の研磨速度：ＳｉＮＲＲ）を下記式より求めた。また、研磨選択比ＳｉＮＲＲ／ＳｉＯ２ＲＲを求めた。なお、研磨前後での各被研磨膜の膜厚差は、光干渉式膜厚装置（フィルメトリクス社製、商品名：Ｆ８０）を用いて求めた。
（研磨速度：ＲＲ）＝（研磨前後での各被研磨膜の膜厚差（ｎｍ））／（研磨時間（ｍｉｎ））
(Measurement of blanket wafer polishing rate)
The polishing rate (silicon oxide film polishing rate: SiO 2 RR, silicon nitride film polishing rate: SiNRR) of each film to be polished (silicon oxide film, silicon nitride film) polished and cleaned under the above conditions was obtained from the following formula. . Further, the polishing selection ratio SiNRR / SiO 2 RR was determined. In addition, the film thickness difference of each to-be-polished film | membrane before and behind grinding | polishing was calculated | required using the optical interference type | formula film thickness apparatus (Filmetrics company make, brand name: F80).
(Polishing rate: RR) = (Thickness difference of each film to be polished before and after polishing (nm)) / (Polishing time (min))
実施例及び比較例で得られた各測定結果を表１に示す。なお、表１中の記号は下記のとおりである。
Ａ１：メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−４００）とアクリル酸との共重合体（モル比９０／１０）
Ａ２：メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−１０００）とアクリル酸との共重合体（モル比９０／１０）
Ａ３：メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−２００）とアクリル酸との共重合体（モル比９０／１０）
Ａ４：メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（日油株式会社製ＰＭＥ−４００）の重合体
Table 1 shows the measurement results obtained in the examples and comparative examples. The symbols in Table 1 are as follows.
A1: Copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate (PME-400 manufactured by NOF Corporation) and acrylic acid (molar ratio 90/10)
A2: Copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate (PME-1000 manufactured by NOF Corporation) and acrylic acid (molar ratio 90/10)
A3: Copolymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate (manufactured by NOF Corporation PME-200) and acrylic acid (molar ratio 90/10)
A4: Polymer of methoxypolyethylene glycol monomethacrylate (PME-400 manufactured by NOF Corporation)
本発明によれば、酸化珪素の研磨速度を抑制しつつ、窒化珪素を高速に研磨できる研磨剤、研磨剤セット及び研磨方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the abrasive | polishing agent which can grind | polish silicon nitride at high speed, the abrasive | polishing agent set, and the grinding | polishing method can be provided, suppressing the grinding | polishing rate of silicon oxide.
１，１１，２１…シリコン基板、２，２４…ダミーゲート材料、３，２３…キャップ材料、４，１２，２２…絶縁材料、１３…ハードマスク、１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１２０ａ，１２０ｂ…基板、ＡＲ…アングルロータ、Ａ１…回転軸、Ａ２…チューブ角、Ｒｍｉｎ…最小半径、Ｒｍａｘ…最大半径、Ｒａｖ…平均半径。
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記ポリオキシアルキレン化合物の重量平均分子量が３５００以上であり、
前記ポリオキシアルキレン化合物が、アルコキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートと（メタ）アクリル酸との共重合体であり、
前記（メタ）アクリル酸に対する前記アルコキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートの共重合比（モル比）が８０／２０以上である、研磨剤。 Containing a liquid medium, abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element, and a polyoxyalkylene compound containing a carboxyl group,
The weight average molecular weight of the polyoxyalkylene compound Ri der 3500 or more,
The polyoxyalkylene compound is a copolymer of alkoxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate and (meth) acrylic acid,
The abrasive | polishing agent whose copolymerization ratio (molar ratio) of the said alkoxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate with respect to the said (meth) acrylic acid is 80/20 or more .
A step of polishing a surface to be polished of a substrate using an abrasive obtained by mixing the first liquid and the second liquid in the abrasive set according to claim 7, wherein the surface to be polished is A method for polishing a substrate, comprising silicon nitride.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015136393A JP6586799B2 (en) | 2015-07-07 | 2015-07-07 | Abrasive, abrasive set, and substrate polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015136393A JP6586799B2 (en) | 2015-07-07 | 2015-07-07 | Abrasive, abrasive set, and substrate polishing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017019893A JP2017019893A (en) | 2017-01-26 |
| JP6586799B2 true JP6586799B2 (en) | 2019-10-09 |
Family
ID=57887503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015136393A Active JP6586799B2 (en) | 2015-07-07 | 2015-07-07 | Abrasive, abrasive set, and substrate polishing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6586799B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179061A1 (en) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | Polishing liquid, polishing liquid set, and polishing method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100786948B1 (en) * | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | Adjuvant capable of controlling a polishing selectivity and chemical mechanical polishing slurry comprising the same |
| TWI431080B (en) * | 2009-10-13 | 2014-03-21 | Lg Chemical Ltd | Slurry composition for chemical mechanical polishing and polishing method |
| US9881801B2 (en) * | 2010-11-22 | 2018-01-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Slurry, polishing liquid set, polishing liquid, method for polishing substrate, and substrate |
| JP6101552B2 (en) * | 2013-04-30 | 2017-03-22 | 株式会社クラレ | Chemical mechanical polishing slurry and chemical mechanical polishing method using the slurry |
| EP2826827B1 (en) * | 2013-07-18 | 2019-06-12 | Basf Se | CMP composition comprising abrasive particles containing ceria |
| JP6256482B2 (en) * | 2013-12-26 | 2018-01-10 | 日立化成株式会社 | Abrasive, abrasive set, and substrate polishing method |
-
2015
- 2015-07-07 JP JP2015136393A patent/JP6586799B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017019893A (en) | 2017-01-26 |
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