JP6577849B2 - 電源回路用起動回路 - Google Patents
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Description
本発明の他の態様による電源回路用起動回路は、電源ICにより制御される電源回路を起動するためのものであって、直流電源から前記電源ICへの給電を行うための直列接続された複数の半導体素子と、前記電源ICへの給電の際に前記半導体素子に定電流源状態を維持させるためのクランプ回路または分圧回路と、を備える。前記複数の半導体素子は、前記直流電源側に接続された第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子よりも前記電源IC側に接続された第2の半導体素子と、を含んで構成され、前記第1の半導体素子は、MOSFETであり、前記クランプ回路または前記分圧回路は、前記MOSFETのゲート端子に接続されており、前記ゲート端子の電圧が前記第2の半導体素子の耐圧より小さくかつ前記直流電源の電圧から前記第1の半導体素子の耐圧を差し引いた電圧より大きくなるように制御する。
本発明のさらに別の態様による電源回路用起動回路は、電源ICにより制御される電源回路を起動するためのものであって、前記電源ICへの給電を行うための直列接続された複数の半導体素子と、前記電源ICへの給電の際に前記半導体素子に定電流源状態を維持させるためのクランプ回路および分圧回路と、を備える。前記複数の半導体素子のうち最下段の半導体素子は、バイポーラトランジスタであり、前記複数の半導体素子のうち前記最下段の半導体素子以外の半導体素子は、MOSFETであり、前記クランプ回路は、前記バイポーラトランジスタのベース端子に接続されており、前記ベース端子に流入する電流を制御することで、前記バイポーラトランジスタに前記定電流源状態を維持させ、前記分圧回路は、前記MOSFETのゲート端子に接続されており、前記ゲート端子の電圧を制御することで、前記MOSFETに前記定電流源状態を維持させる。
図2は、本発明の第1の実施形態に係る起動回路101の構成を示す図である。本実施形態では、2つのバイポーラトランジスタを直列接続した起動回路101の回路構成例を説明する。図2に示すように、本実施形態の起動回路101は、直列接続されたバイポーラトランジスタ201、202と、クランプ回路203、204により構成されている。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る起動回路101の構成を示す図である。本実施形態では、2つのMOSFETを直列接続した起動回路101の回路構成例を説明する。図3に示すように、本実施形態の起動回路101は、直列接続されたMOSFET251、252と、クランプ回路203、204により構成されている。すなわち、本実施形態の起動回路101の回路構成は、図2で説明した第1の実施形態の回路構成におけるバイポーラトランジスタ201、202を、それぞれMOSFET251、252に置き換えたものである。
図4は、本発明の第3の実施形態に係る起動回路101の構成を示す図である。本実施形態では、分圧回路を設けた起動回路101の回路構成例を説明する。図4に示すように、本実施形態の起動回路101は、直列接続されたバイポーラトランジスタ401、402と、分圧回路403、404により構成されている。すなわち、本実施形態の起動回路101の回路構成は、図2で説明した第1の実施形態の回路構成におけるクランプ回路203、204を、それぞれ分圧回路403、404に置き換えたものである。
図5は、本発明の第4の実施形態に係る起動回路101の構成を示す図である。本実施形態では、2つのMOSFETを直列接続し、分圧回路を設けた起動回路101の回路構成例を説明する。図5に示すように、本実施形態の起動回路101は、直列接続されたMOSFET451、452と、分圧回路403、404により構成されている。すなわち、本実施形態の起動回路101の回路構成は、図4で説明した第3の実施形態の回路構成におけるバイポーラトランジスタ401、402を、それぞれMOSFET451、452に置き換えたものである。
なお、以上説明した第1〜第4の各実施形態は、任意に組み合わせてもよい。たとえば、第3の実施形態で説明した図4の回路構成において、直列接続されたバイポーラトランジスタ401、402のうち一方は、MOSFETでも代用可能である。また、図4の回路構成において、バイポーラトランジスタ401、402のベース端子にそれぞれ接続される分圧回路403、404のうち一方は、クランプ回路でも代用可能である。本実施形態では、その一例を説明する。
なお、以上説明した第1、第2の各実施形態において、直列接続されたバイポーラトランジスタ201および202、またはMOSFET251および252にそれぞれ接続されているクランプ回路203、204を共通化してもよい。本実施形態では、第1の実施形態においてクランプ回路203、204を共通化した例を説明する。
Vce1=Vh−(Vh+Vz)/2=(Vh−Vz)/2 ・・・(1)
Vce2=(Vh+Vz)/2−Vz=(Vh−Vz)/2 ・・・(2)
101:起動回路
102:バッテリ
103:電源IC
201,202,401,402,701,702:バイポーラトランジスタ
203,204,604,703:クランプ回路
205,208,405,406,407,408,608,704,705:抵抗
206,209,609,706:ツェナーダイオード
207,210,610,707:コンデンサ
251,252,451,452,601:MOSFET
403,404:分圧回路
Claims (4)
- 電源ICにより制御される電源回路を起動するための電源回路用起動回路であって、
直流電源から前記電源ICへの給電を行うための直列接続された複数の半導体素子と、
前記電源ICへの給電の際に前記半導体素子に定電流源状態を維持させるためのクランプ回路または分圧回路と、を備え、
前記複数の半導体素子は、前記直流電源側に接続された第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子よりも前記電源IC側に接続された第2の半導体素子と、を含んで構成され、
前記第1の半導体素子は、バイポーラトランジスタであり、
前記クランプ回路または前記分圧回路は、前記バイポーラトランジスタのベース端子に接続されており、前記ベース端子に印加される電圧が前記第2の半導体素子の耐圧より小さくかつ前記直流電源の電圧から前記第1の半導体素子の耐圧を差し引いた電圧より大きくなるように制御する電源回路用起動回路。 - 電源ICにより制御される電源回路を起動するための電源回路用起動回路であって、
直流電源から前記電源ICへの給電を行うための直列接続された複数の半導体素子と、
前記電源ICへの給電の際に前記半導体素子に定電流源状態を維持させるためのクランプ回路または分圧回路と、を備え、
前記複数の半導体素子は、前記直流電源側に接続された第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子よりも前記電源IC側に接続された第2の半導体素子と、を含んで構成され、
前記第1の半導体素子は、MOSFETであり、
前記クランプ回路または前記分圧回路は、前記MOSFETのゲート端子に接続されており、前記ゲート端子の電圧が前記第2の半導体素子の耐圧より小さくかつ前記直流電源の電圧から前記第1の半導体素子の耐圧を差し引いた電圧より大きくなるように制御する電源回路用起動回路。 - 電源ICにより制御される電源回路を起動するための電源回路用起動回路であって、
前記電源ICへの給電を行うための直列接続された複数の半導体素子と、
前記電源ICへの給電の際に前記半導体素子に定電流源状態を維持させるためのクランプ回路および分圧回路と、を備え、
前記複数の半導体素子のうち最下段の半導体素子は、バイポーラトランジスタであり、
前記複数の半導体素子のうち前記最下段の半導体素子以外の半導体素子は、MOSFETであり、
前記クランプ回路は、前記バイポーラトランジスタのベース端子に接続されており、前記ベース端子に流入する電流を制御することで、前記バイポーラトランジスタに前記定電流源状態を維持させ、
前記分圧回路は、前記MOSFETのゲート端子に接続されており、前記ゲート端子の電圧を制御することで、前記MOSFETに前記定電流源状態を維持させる電源回路用起動回路。 - 請求項1または2に記載の電源回路用起動回路において、
前記クランプ回路は、前記複数の半導体素子に共通に接続されている、電源回路用起動回路。
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2015233207A JP6577849B2 (ja) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 電源回路用起動回路 |
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JP2017103852A JP2017103852A (ja) | 2017-06-08 |
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Family Applications (1)
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2015
- 2015-11-30 JP JP2015233207A patent/JP6577849B2/ja active Active
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