JP6573498B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6573498B2 JP6573498B2 JP2015145124A JP2015145124A JP6573498B2 JP 6573498 B2 JP6573498 B2 JP 6573498B2 JP 2015145124 A JP2015145124 A JP 2015145124A JP 2015145124 A JP2015145124 A JP 2015145124A JP 6573498 B2 JP6573498 B2 JP 6573498B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting table
- plasma processing
- exhaust
- processing apparatus
- baffle plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32633—Baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
図1は、プラズマ処理装置10の一例を示す断面図である。プラズマ処理装置10は、例えば図1に示すように、気密に構成されたチャンバ1を備える。チャンバ1は、例えば表面に陽極酸化処理が施されたアルミニウム等により、略円筒状に形成され、接地されている。チャンバ1内には、被処理基板の一例である半導体ウエハWを水平に支持する載置台2が設けられている。
図5は、半導体ウエハWの周方向におけるチャンバ1内の圧力分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。図5の横軸は、半導体ウエハW上の所定の位置を基準とした周方向の角度を示す。図5の縦軸は、半導体ウエハWの周方向におけるチャンバ1内の圧力と、半導体ウエハWの周方向におけるチャンバ1内の平均圧力との圧力差を示す。図5では、半導体ウエハWの中心から150mm離れた円周上の処理空間S内の圧力を示している。図5に示した比較例1は、排気路71内にバッフル板18のみが設けられており、排気路71内に整流板19が設けられていないプラズマ処理装置10におけるシミュレーション結果である。
上記した実施例1および2において、バッフル板18は、載置台2から離れるほど位置が高くなるように、載置台2の周囲に斜めに設けられているが、開示の技術はこれに限られない。例えば、バッフル板18は、載置台2の周囲に略水平に設けられてもよく、載置台2から離れるほど位置が低くなるように、載置台2の周囲に斜めに設けられてもよい。なお、バッフル板18と整流板19との間の距離は、バッフル板18と水平面とのなす角度が小さいほど長く、バッフル板18と水平面とのなす角度が大きいほど短いことが好ましい。ただし、いずれの場合でも、バッフル板18と整流板19との間の距離は、整流板19の厚さよりも長い。
W 半導体ウエハ
10 プラズマ処理装置
1 チャンバ
2 載置台
6 静電チャック
16 シャワーヘッド
18 バッフル板
180 貫通孔
19 整流板
190 外周面
191 内周面
20 隙間
71 排気路
72 排気管
73 排気装置
75 開口
76 内壁
77 内壁
Claims (10)
- 気密に構成され、内部で生成されたプラズマにより、内部に搬入された被処理基板に所定の処理を行うチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を載置する載置台と、
前記載置台を囲むように前記載置台の周囲に設けられ、前記載置台に載置された前記被処理基板の上方の処理空間内のガスを排気する排気路と、
前記排気路に接続され、前記排気路を介して前記処理空間内のガスを排気する排気装置と、
複数の貫通孔を有し、前記載置台を囲むように前記処理空間と前記排気路との間に設けられたバッフル板と、
前記バッフル板よりも前記処理空間から遠い位置の前記排気路内に、前記載置台を囲むように前記載置台の周囲に設けられた整流板と
を備え、
前記整流板は、
前記載置台の周囲において、前記排気装置が接続された前記排気路内の位置から離れるほど、前記排気路内の流路の断面積が大きくなる開口を前記排気路内に形成することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記整流板は、
前記載置台の周囲に設けられた前記排気路の内壁において、前記載置台に近い側の前記排気路の内壁に設けられ、前記整流板の外周面と、前記載置台から遠い側の前記排気路の内壁との間の隙間により、前記開口が形成されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記整流板の形状は、上方から見た場合に環状であり、内周面が前記排気路の内壁に接し、外周面の中心が、前記被処理基板が載置される前記載置台の載置面の中心より前記排気装置に近い位置にあることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記整流板は、
前記載置台の周囲に設けられた前記排気路の内壁において、前記載置台から遠い側の前記排気路の内壁に設けられ、前記整流板の内周面と、前記載置台に近い側の前記排気路の内壁との間の隙間により、前記開口が形成されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記整流板の形状は、上方から見た場合に環状であり、外周面が前記排気路の内壁に接し、内周面の中心が、前記被処理基板が載置される前記載置台の載置面の中心より前記排気装置から遠い位置にあることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記バッフル板は、
前記被処理基板が載置される前記載置台の載置面よりも低い位置に設けられることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記バッフル板と前記整流板とは、前記整流板の厚さよりも長い距離、離れていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記バッフル板は、
前記載置台から離れるほど位置が高くなるように、前記載置台の周囲に斜めに設けられていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の貫通孔は、
前記バッフル板の面内に略均等な間隔で設けられることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記整流板は、
前記排気路内に単一の前記開口を形成することを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015145124A JP6573498B2 (ja) | 2015-07-22 | 2015-07-22 | プラズマ処理装置 |
US15/212,400 US10304666B2 (en) | 2015-07-22 | 2016-07-18 | Plasma processing apparatus having a baffle plate and a rectifying plate |
KR1020160092026A KR102664176B1 (ko) | 2015-07-22 | 2016-07-20 | 플라즈마 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015145124A JP6573498B2 (ja) | 2015-07-22 | 2015-07-22 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017028099A JP2017028099A (ja) | 2017-02-02 |
JP6573498B2 true JP6573498B2 (ja) | 2019-09-11 |
Family
ID=57836189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015145124A Active JP6573498B2 (ja) | 2015-07-22 | 2015-07-22 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10304666B2 (ja) |
JP (1) | JP6573498B2 (ja) |
KR (1) | KR102664176B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6423706B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102303066B1 (ko) * | 2016-06-03 | 2021-09-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계 |
JP2019075517A (ja) | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び拡散路を有する部材 |
JP7285152B2 (ja) | 2019-07-08 | 2023-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN114639586A (zh) * | 2020-12-16 | 2022-06-17 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH054466U (ja) | 1991-06-25 | 1993-01-22 | 国際電気株式会社 | ウエーハ処理装置 |
JP2927211B2 (ja) * | 1995-06-21 | 1999-07-28 | 国際電気株式会社 | ウェーハ処理装置 |
JP4592856B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及びガス処理装置 |
US7686918B2 (en) * | 2002-06-21 | 2010-03-30 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
JP4236873B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2009-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | マグネトロンプラズマ処理装置 |
US8236105B2 (en) * | 2004-04-08 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling gas flow in a semiconductor substrate processing chamber |
WO2005124845A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5008478B2 (ja) * | 2007-06-27 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびシャワーヘッド |
US20100081284A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for improving flow uniformity in a process chamber |
KR20110062534A (ko) * | 2009-12-03 | 2011-06-10 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
JP5597463B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2015
- 2015-07-22 JP JP2015145124A patent/JP6573498B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-18 US US15/212,400 patent/US10304666B2/en active Active
- 2016-07-20 KR KR1020160092026A patent/KR102664176B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170025256A1 (en) | 2017-01-26 |
JP2017028099A (ja) | 2017-02-02 |
US10304666B2 (en) | 2019-05-28 |
KR102664176B1 (ko) | 2024-05-07 |
KR20170012084A (ko) | 2017-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6812224B2 (ja) | 基板処理装置及び載置台 | |
TWI553729B (zh) | Plasma processing method | |
JP5102706B2 (ja) | バッフル板及び基板処理装置 | |
JP6573498B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10103011B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP6974088B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US10755902B2 (en) | Plasma processing apparatus and focus ring | |
US9991100B2 (en) | Plasma processing apparatus and control method | |
KR101898079B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR20140092257A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP2019207960A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2019067846A (ja) | 温度制御方法 | |
JP2018063974A (ja) | 温度制御装置、温度制御方法、および載置台 | |
US11133203B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP6932070B2 (ja) | フォーカスリング及び半導体製造装置 | |
JP2019153686A (ja) | 真空処理装置および排気制御方法 | |
JP6570971B2 (ja) | プラズマ処理装置およびフォーカスリング | |
WO2020059596A1 (ja) | 載置台及び基板処理装置 | |
JP2022023211A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2021125637A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2021019099A (ja) | 載置台アセンブリ、基板処理装置及びエッジリング | |
JP2021090018A (ja) | エッジリング及び基板処理装置 | |
JP7479236B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2022078404A (ja) | 温度調整装置及び基板処理装置 | |
JP2022068768A (ja) | リフターピンの突出量測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6573498 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |