JP6567996B2 - Power semiconductor module - Google Patents
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Description
本発明は、パワー半導体モジュールに関する。 The present invention relates to a power semiconductor module.
パワー半導体モジュールの小型化、軽量化を図る手段として、ベース基板を樹脂ケースよりも小さくする方法が知られている。この場合において、放熱に関与しない部分のベース基板を取り除き、樹脂ケースでベース基板を放熱板に押し付けて取り付ける手法がとられるが、この方法は外形サイズの大きなパワー半導体モジュールへの適用が難しい。 As a means for reducing the size and weight of the power semiconductor module, a method of making the base substrate smaller than the resin case is known. In this case, a method of removing the base substrate that does not participate in heat dissipation and attaching the base substrate to the heat dissipation plate with a resin case is employed, but this method is difficult to apply to a power semiconductor module having a large outer size.
ベース基板を小型化し、樹脂ケースを押し付けてパワー半導体モジュールを放熱板に取り付ける方法において、特に寸法の大きなパワー半導体モジュールの場合、樹脂ケースの撓みによりカバーに浮きや割れ、外れが生ずる虞がある。従って、樹脂ケースとカバーとを接着する等の工夫が必要となるが、このことは、接着のための工数の増大につながり、製造コストが上昇する原因となる。 In the method of downsizing the base substrate and attaching the power semiconductor module to the heat sink by pressing the resin case, particularly in the case of a power semiconductor module having a large size, there is a possibility that the cover may be lifted, cracked or detached due to the bending of the resin case. Therefore, it is necessary to devise such as bonding the resin case and the cover, but this leads to an increase in man-hours for bonding and causes an increase in manufacturing cost.
また、使用する材料の線膨張係数の差によって樹脂ケース等に反りが発生するという問題がある。モールド型などの一体成型を除き、樹脂ケースおよびカバーを用いる方式のパワー半導体モジュールにおいては、放熱板への取付け時に樹脂ケースが撓んでしまい、カバーの割れや浮き、外れが生じる虞があった。 In addition, there is a problem that the resin case is warped due to the difference in the linear expansion coefficient of the material used. In a power semiconductor module using a resin case and a cover except for integral molding such as a mold, the resin case may be bent when attached to a heat sink, and the cover may be cracked, floated, or detached.
本発明に係るパワー半導体モジュールは、複数のパワー半導体素子を内蔵し、第2方向に長手方向を有する樹脂成型品および樹脂成型品を覆うカバーを有するパワー半導体モジュールであって、カバーは、第1方向に延び、第1方向から見た場合に第2方向に長手方向を有する第1の爪と、第1方向に延び、第1方向から見た場合に第2方向と交差する第3方向に長手方向を有する第2の爪とを有し、カバーにおいて、第1の爪は、第3方向の両端に位置し、第2の爪は、第2方向の一方の端部に位置せず、一方の端部とは反対側の他方の端部に位置し、樹脂成型品は、第1の爪、第2の爪とそれぞれ嵌合する第1の嵌合部および第2の嵌合部を有することを特徴とする。 A power semiconductor module according to the present invention is a power semiconductor module that includes a plurality of power semiconductor elements, a resin molded product having a longitudinal direction in the second direction, and a cover that covers the resin molded product. A first claw having a longitudinal direction in the second direction when viewed from the first direction and a third direction extending in the first direction and intersecting the second direction when viewed from the first direction. A second claw having a longitudinal direction, and in the cover, the first claw is located at both ends in the third direction, the second claw is not located at one end in the second direction, The resin molded product is located at the other end opposite to the one end, and the resin molded product includes a first fitting portion and a second fitting portion that are respectively fitted to the first claw and the second claw. It is characterized by having.
直交する方向を向くように配置された複数の爪をカバーに設けて樹脂ケースと嵌合させることにより、接着剤を使用しなくとも両者を確実に固定することができ、放熱板へ樹脂ケースを取付ける際にパワー半導体モジュールが撓んでもカバーの割れや浮き、外れを防止できる。 By providing a plurality of claws arranged so as to face in a direction perpendicular to the cover and mating with the resin case, both can be securely fixed without using an adhesive, and the resin case is attached to the heat sink. Even if the power semiconductor module is bent during installation, the cover can be prevented from cracking, floating, and coming off.
また、折り曲げる端子を利用してカバーを固定することにより、樹脂ケースとカバーとの接着が不要となり、放熱板へ樹脂ケースを取付ける際にパワー半導体モジュールが撓んでもカバーの割れや浮き、外れを防止できる。 Also, by fixing the cover using the terminals to be bent, it is not necessary to bond the resin case to the cover, and even if the power semiconductor module bends when attaching the resin case to the heat sink, the cover will not crack, float, or come off. Can be prevented.
以上のように、本発明に係るパワー半導体モジュールにおいて、樹脂ケースとカバーとの接着が不要となるため組み立て工数を削減でき、さらに接着剤を硬化させるための加熱も不要となり、熱ストレスを削減することができる。 As described above, in the power semiconductor module according to the present invention, since the bonding between the resin case and the cover is not required, the number of assembling steps can be reduced, and further, heating for curing the adhesive is not required, thereby reducing thermal stress. be able to.
以下、図面を参照して本発明に係るパワー半導体モジュールについて説明する。 Hereinafter, a power semiconductor module according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施の形態に係るパワー半導体モジュール100の分解斜視図である。図1に示すように、本実施の形態に係るパワー半導体モジュール100は、カバー1、樹脂ケース10、およびベース基板20を備える。
[First Embodiment]
FIG. 1 is an exploded perspective view of a
図1に示すように、カバー1は、X方向(第2方向)に長手方向を有する略板状に形成され、樹脂ケース10の上面と嵌合するための爪P1〜P4を有する。また、樹脂ケース10の凸部R1〜R3および逃げ凹部18と重ならないように、長手方向の両端部にコの字状の凹部2,4が形成され、中央部に穴3が形成されている。爪P1〜P4の詳細については、後述する。
As shown in FIG. 1, the
樹脂ケース10は、X方向に長手方向を有する略直方体状であり、上面からZ方向(第1方向)に突出する凸部R1〜R3を有する。また、樹脂ケース10の長手方向の両端部には、放熱板への取付け用の取付け穴19が形成されており、当該取付け穴19へのねじ挿入等を阻害しないための逃げ凹部18が設けられている。また、樹脂ケース10は、爪P1〜P4と嵌合するための嵌合部Q1〜Q4、端子11〜17を有する。樹脂ケース10の詳細な構成については後述する。
The
ベース基板20は、X方向に長手方向を有する略板状に形成され、搭載面24に回路21が形成され、回路21上にパワー半導体素子22,23が搭載されている。このベース基板20と樹脂ケース10の底面部とが嵌合することで、樹脂ケース10が備える端子とパワー半導体素子22,23とが接続される。
The
次に、図2Aおよび図2Bを参照して、本実施の形態に係るカバー1について説明する。図2Aは、図1に示したカバー1をZ方向(第1方向)から見た平面図である。図2Bは、図1に示したカバー1をY方向(第3方向)から見た平面図である。
Next, the
図1、図2Aおよび図2Bに示すように、カバー1は、複数の爪Pを備える。図2Aおよび図2Bに示す例においては、カバー1は、X方向の一方の端部に第1の爪P1、P2を有し、他方の端部に第2の爪P3、P4を有する。第1の爪P1、P2は、Y方向の両端にそれぞれ形成されており、Z方向に延び、Z方向から見た場合にX方向に長手方向を有する短冊状になっている。一方、第2の爪P3、P4は、X方向において第1の爪P1、P2を有しない方の端部に形成され、Z方向に延び、Z方向から見た場合にY方向に長手方向を有する短冊状になっている。
As shown in FIGS. 1, 2A and 2B, the
また、図2Bに示すように、各爪P1〜P4はその端部に突起部P1a〜P4aを有し、樹脂ケース10と嵌合した際に、この突起部P1a〜P4aが樹脂ケース10に応力を及ぼすため、カバー1が樹脂ケース10から容易に外れないようになっている。さらに、カバー1は、各爪P1〜P4が形成される近傍に略コの字状の切り欠き部P1b〜P4bを有する。この切り欠き部P1b〜P4bを有することで、放熱板(図示せず)へ樹脂ケース10を取付ける際に樹脂ケース10等が撓んでも、セルフアライメントされるためカバー1に応力が生じなくなり、カバー1の浮きや外れ、割れ等を防止することができる。
Further, as shown in FIG. 2B, each of the claws P <b> 1 to P <b> 4 has protrusions P <b> 1 a to P <b> 4 a at the ends thereof, and the protrusions P <b> 1 a to P <b> 4 a stress on the
このように、第1の爪P1、P2および第2の爪P3、P4が互いに交差する向きに配置されていることで、接着剤等を使用しなくともカバー1と樹脂ケース10とを確実に嵌合させることができる。
As described above, the first claws P1 and P2 and the second claws P3 and P4 are arranged so as to cross each other, so that the
本実施の形態において、カバー1に設けられる爪は、Z方向から見た場合に一つがX方向に長手方向を有し、一つがY方向に長手方向を有するように配置されていれば良く、爪の数や形状、位置、大きさ等は図示しているものに限定されない。図示の例では、第1の爪P1,P2および第2の爪P3,P4がそれぞれX方向において同じ側の端部に形成されているが、例えば、第1の爪P2が、X方向における右側の端部にY方向を向くように配置され、第2の爪P4が、X方向における左側の端部にX方向を向くように配置される場合においても、本発明の効果は達成される。また、図示の例では、第1の爪P1、P2および第2の爪P3、P4は互いに直交する向きに配置されているが、完全に直交しなくともよい。さらに、カバー1の大きさや形状、厚さ等も任意に変更可能である。
In the present embodiment, the claws provided in the
次に、図3を参照して、本実施の形態に係る樹脂ケース10について説明する。図3は、本実施の形態に係る樹脂ケース10の平面図である。図3に示すように、樹脂ケース10は、一例として、X方向に長手方向を有し、上面の中央部にはX方向に並ぶ凸部R1〜R3を有する。
Next, the
樹脂ケース10は、メイン端子11,12,13、制御信号系端子14〜17を有する。各端子11〜17は、非常に精密且つ三軸方向(XYZ方向)に高い位置精度で位置決め固定されている。メイン端子11〜13は、凸部R1〜R3の上面において、外部接続部11a〜13aが樹脂ケース10の上面と平行になるように外部に露出している。外部接続部11a〜13aの中央部には、ボルト挿通孔11c〜13cが形成されている。
The
また、樹脂ケース10の長手方向の一方の端部の上面には、制御信号系端子14〜17の一部(先端部側)が外部に露出している。各端子11〜17は、樹脂ケース10の内部において基板側接続部11b〜17bを有しており、ベース基板20を樹脂ケース10の底面部と嵌合させることで、各基板側接続部11b〜17bがパワー半導体素子22,23や回路21と接続される。
Further, on the upper surface of one end portion in the longitudinal direction of the
さらに、樹脂ケース10には、カバー1と嵌合するための嵌合部Q1〜Q4が設けられている。第1の嵌合部Q1、Q2は第1の爪P1、P2と嵌合する位置に、第2の嵌合部Q3、Q4は第2の爪P3、P4と嵌合する位置に形成されている。すなわち、第1の嵌合部Q1、Q2は、第1の爪P1、P2と同様に、Z方向から見た場合にX方向に長手方向を有し、第2の嵌合部Q3、Q4は、第1の爪P3、P4と同様に、Z方向から見た場合にY方向に長手方向を有する。各嵌合部Q1〜4は、爪の突起部P1a〜P4aが通ることができる程度の大きさに形成され、樹脂ケース10とカバー1とが嵌合した際に、各突起部P1a〜P4aがQ1〜Q4の内壁面に応力を及ぼすため、カバー1が容易に外れないように固定される。
Further, the
次に、図4を参照して、本実施の形態に係るベース基板20について説明する。図4は、本実施の形態に係るベース基板20の平面図である。図4に示すように、ベース基板20は、略矩形状の外形を備えており、ベース基板20の搭載面24に絶縁基板(図示せず)を有し、絶縁基板上に回路21が形成されている。この回路21上の所定位置に、パワー半導体素子22,23が搭載されている。ベース基板20に樹脂ケース10を搭載する際、例えば、メイン端子11の基板側接続部11bがパワー半導体素子22の電極板上に位置し、メイン端子12の基板側接続部12bがパワー半導体素子23の電極板上に位置するようになっている。
Next, the
上述のように、本実施の形態によると、カバーに設けられた複数の爪のうち少なくとも2つが、互いに交差する方向に配置されることで、カバーと樹脂ケースとを固定することができる。また、それぞれの爪の周囲に切り欠き部を有することで、放熱板への取付け時に樹脂ケース等が撓んでも、セルフアライメントされるためカバーに応力が生じなくなり、カバーの浮きや破損を防ぐことができる。 As described above, according to the present embodiment, the cover and the resin case can be fixed by arranging at least two of the plurality of claws provided on the cover in directions intersecting each other. In addition, by having a notch around each nail, even if the resin case or the like bends when attached to the heat sink, self-alignment prevents stress from occurring on the cover, preventing the cover from floating or breaking Can do.
また、樹脂ケースとカバーとの接着が不要になることで接着剤の硬化のための加熱も不要になり、組立工数を削減させることができ、さらに熱ストレスをより与えずにパワー半導体モジュールを形成することができる。 In addition, since there is no need to bond the resin case to the cover, heating for curing the adhesive is also unnecessary, reducing the number of assembly steps, and forming a power semiconductor module without further applying thermal stress. can do.
以上、第1の実施の形態に係るパワー半導体モジュールについて説明したが、カバーや樹脂ケース、ベース基板等、これらの構造や機能は図示しているものに限られない。例えば、ベース基板を用いず、絶縁基板の裏面を放熱板に直接接触させる構造のパワー半導体モジュールにおいても、本実施形態は適用可能である。 The power semiconductor module according to the first embodiment has been described above. However, the structure and functions of the cover, the resin case, the base substrate, and the like are not limited to those illustrated. For example, the present embodiment can also be applied to a power semiconductor module having a structure in which the back surface of the insulating substrate is in direct contact with the heat sink without using the base substrate.
[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態に係るパワー半導体モジュールについて、図5〜図7を参照して説明する。第1の実施の形態と同様の構成を有する箇所には同様の符号を付してその説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a power semiconductor module according to a second embodiment will be described with reference to FIGS. Parts having the same configuration as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
図5は、第2の実施の形態に係るパワー半導体モジュール200の分解斜視図である。本実施の形態に係るパワー半導体モジュール200は、第1の実施の形態と同様に、ベース基板20、このベース基板20の搭載面24を覆う樹脂ケース10、および樹脂ケース10を覆うカバー1を備える。なお、樹脂ケース10の内部の配線は図示を省略している。カバー1は、上面においてZ方向(第1方向)に延びる凸部R1〜R3を有する。樹脂ケース10は、Y方向(第3方向)の一方の端部においてメイン端子11〜13が外部に露出している。本実施の形態においては、カバー1と樹脂ケース10との嵌合方法が第1の実施の形態と異なっている。カバー1、樹脂ケース10の詳細な構成については後述する。
FIG. 5 is an exploded perspective view of a
次に、図6Aおよび図6Bを参照して本実施の形態に係るカバー1について説明する。図6Aは、図5に示したカバー1をZ方向(第1方向)から見た平面図である。図6Bは、図5に示したカバー1をY方向(第3方向)から見た平面図である。
Next, the
図5、図6Aおよび図6Bに示すように、カバー1は、上面部に3つの凸部R1〜R3を有し、凸部R1〜R3においてメイン端子11〜13の外部接続部11a〜13aを貫通させる空洞部S1〜S3、導電ナットU1〜U3を取り付けるためのナット配置穴T1〜T3を有する。
As shown in FIGS. 5, 6A and 6B, the
図6Aに示すように、空洞部S1〜S3は、Y方向の一方の端部に形成され、X方向(第2方向)に長手方向を有する。空洞部S1〜S3は、外部接続部11a〜13aを貫通させた際に隙間が生じる大きさに形成されている。この隙間を有することにより、放熱板への取付けの際に樹脂ケース10に撓みが生じても、カバーの位置がずれたり、カバー1が割れたりしないようになっている。この隙間が大きすぎると、カバー1が樹脂ケース10にしっかりと固定されなくなる虞があるため好ましくない。また、全く隙間がない状態だと、樹脂ケース10が熱等により撓んだ場合にカバー1に応力が生じて浮きや割れが生じる虞がある。
As shown in FIG. 6A, the hollow portions S1 to S3 are formed at one end portion in the Y direction and have a longitudinal direction in the X direction (second direction). The cavities S1 to S3 are formed in a size that creates a gap when the
カバー1の上面部のY方向における長さは、樹脂ケース10のY方向における長さに等しい。一方、カバー1の底面部は、図6Bに示すように、X方向、Y方向における長さが上面部のX方向、Y方向における長さよりも小さくなっており、底面部が樹脂ケース10の上部と嵌合するようになっている。
The length of the upper surface portion of the
次に、図7を参照して本実施の形態に係る樹脂ケース10について説明する。図7は、本実施の形態に係るカバー1と樹脂ケース10とを嵌合させた状態の平面図である。樹脂ケース10は、外部導出端子であるメイン端子11〜13を有する。なお、その他の端子は図示を省略している。各端子11〜13は、非常に精密且つ三軸方向(XYZ方向)に高い位置精度で位置決め固定されている。図5に示すように、メイン端子11〜13は、外部接続部11a〜13aがZ方向に延びるように樹脂ケース10のY方向の一方の端部に配置されている。外部接続部11a〜13aはZ方向から見た場合にX方向に長手方向を有するように配置され、Y方向を向いている。図5および7に示すように、外部接続部11a〜13aの中央部には、ボルト挿通孔11c〜13cが形成されている。
Next, the
図7に示すように、メイン端子11〜13は、Y方向に折り曲げるための折り曲げ部11d〜13dを有する。カバー1と樹脂ケース10を嵌合させる際、外部接続部11a〜13aをカバー1の空洞部S1〜S3に貫通させ、Y方向に折り曲げることでカバー1を固定している。このとき、カバー1のナット配置穴T1〜T3と、外部接続部11a〜13aのボルト挿通孔11c〜13cとが重なるように、基板側接続部11b〜17bをY方向に折り曲げる。
As shown in FIG. 7, the
このように、樹脂ケース10およびカバー1の長手方向(X方向)と交差する方向(Y方向)に端子を折り曲げることで、接着剤を使用しなくとも樹脂ケース10とカバー1とを固定することができる。
In this way, the
また、折り曲げ部11d〜13dのX方向の長さは、外部接続部11a〜13aのX方向の長さよりも小さく形成されており、これにより、折り曲げ部11d〜13dとカバー1の空洞部S1〜S3との間、すなわちX方向における空洞部S1〜S3の両端部に隙間ができるようになっている。この隙間により、放熱板への取付けの際に樹脂ケース10に撓みが生じても、カバーの位置がずれたり、カバー1が割れたりしないようになっている。
Further, the lengths of the
図示は省略しているが、第1の実施の形態と同様に、メイン端子11〜13は、樹脂ケース10の内部において基板側接続部11b〜13bを有し、パワー半導体素子を搭載したベース基板20を樹脂ケース10の底面部と嵌合させることで、各基板側接続部11b〜13bがパワー半導体素子22,23または回路21と接続される。
Although not shown, as in the first embodiment, the
上述のように、本実施の形態によると、カバーに空洞部を設けて端子を貫通させて、樹脂ケースの長手方向と交差する方向に端子を折り曲げることで、接着剤を用いなくとも両者を固定することができる。従って、接着剤の硬化のための加熱が不要になり、組立工数を削減することができ、さらに熱ストレスを削減してパワー半導体モジュールを製造することができる。 As described above, according to the present embodiment, a hollow portion is provided in the cover, the terminal is penetrated, and the terminal is bent in a direction crossing the longitudinal direction of the resin case, thereby fixing both without using an adhesive. can do. Therefore, heating for curing the adhesive becomes unnecessary, the number of assembling steps can be reduced, and furthermore, the power semiconductor module can be manufactured while reducing thermal stress.
また、カバーと端子との間に隙間ができるようにすることで、放熱板への取付け時に樹脂ケース等が撓んでも、セルフアライメントされるためカバーに応力が生じなくなり、カバーの浮きや破損を防ぐことができる。 In addition, by creating a gap between the cover and the terminal, even if the resin case or the like bends when attached to the heat sink, self-alignment prevents the cover from being stressed, and the cover is lifted or damaged. Can be prevented.
以上、第2の実施形態に係るパワー半導体モジュールについて説明したが、カバーや樹脂ケース、ベース基板等、これらの構造や機能は図示しているものに限定されない。各端子11〜17や空洞部S1〜S3等の数や形状、位置、大きさは図示しているものに限られず、任意に変更可能である。例えば、ベース基板を用いず、絶縁基板の裏面を放熱板に直接接触させる構造のパワー半導体モジュールにおいても、本実施形態は適用可能である。
Although the power semiconductor module according to the second embodiment has been described above, the structure and functions of the cover, the resin case, the base substrate, and the like are not limited to those illustrated. The number, shape, position, and size of each of the
また、3つの外部接続部11a〜13aが、すべてカバー1の凸部R1〜R3のY方向における一方の端部から折り曲げられる場合を説明したが、例えば、外部接続部11bのみが、凸部R2のY方向における他端部から折り曲げられるような場合においても、同様の効果が得られる。すなわち、1または複数のメイン端子の外部接続部は、その位置を問わず、それぞれが樹脂ケースおよびカバーの長手方向と交差する方向に折り曲げられていればよい。
Moreover, although the case where all the three
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
1 カバー
10 樹脂ケース
11〜13 メイン端子
14〜17 制御信号系端子
18 取付け穴
19 逃げ凹部
20 ベース基板
21 回路
22,23 パワー半導体素子
P1〜P4 爪
Q1〜Q4 嵌合部
R1〜R3 凸部
S1〜S3 空洞部
T1〜T3 ナット配置穴
U1〜U3 導電ナット
100、200 パワー半導体モジュール
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記カバーは、第1方向に延び、前記第1方向から見た場合に前記第2方向に長手方向を有する第1の爪と、前記第1方向に延び、前記第1方向から見た場合に前記第2方向と交差する第3方向に長手方向を有する第2の爪とを有し、
前記カバーにおいて、
前記第1の爪は、前記第3方向の両端に位置し、
前記第2の爪は、前記第2方向の一方の端部に位置せず、前記一方の端部とは反対側の他方の端部に位置し、
前記樹脂成型品は、前記第1の爪、前記第2の爪とそれぞれ嵌合する第1の嵌合部および第2の嵌合部を有する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 A power semiconductor module including a plurality of power semiconductor elements, a resin molded product having a longitudinal direction in a second direction, and a cover covering the resin molded product,
The cover extends in a first direction, the first pawl having a longitudinal direction in the second direction when viewed from the first direction, extending in the first direction, when viewed from the first direction A second claw having a longitudinal direction in a third direction intersecting the second direction,
In the cover,
The first claws are located at both ends in the third direction,
The second claw is not located at one end in the second direction, and is located at the other end opposite to the one end,
The said resin molded product has a 1st fitting part and a 2nd fitting part which each fit with the said 1st nail | claw and the said 2nd nail | claw, The power semiconductor module characterized by the above-mentioned.
ことを特徴とする請求項1記載のパワー半導体モジュール。 The power semiconductor module according to claim 1, wherein the cover has a notch in the vicinity of the first claw and the second claw.
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワー半導体モジュール。 The first claw has a first protrusion that faces the third direction, and the second claw has a second protrusion that faces the second direction. Or the power semiconductor module of Claim 2 .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048870A JP6567996B2 (en) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | Power semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048870A JP6567996B2 (en) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | Power semiconductor module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017163113A JP2017163113A (en) | 2017-09-14 |
JP6567996B2 true JP6567996B2 (en) | 2019-08-28 |
Family
ID=59857452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016048870A Active JP6567996B2 (en) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | Power semiconductor module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6567996B2 (en) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3419915B2 (en) * | 1994-11-17 | 2003-06-23 | 株式会社東芝 | Leadless semiconductor module |
JPH11126842A (en) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JP2000068446A (en) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | Power semiconductor module |
JP2002141673A (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | Electronic circuit module |
JP5283277B2 (en) * | 2009-09-04 | 2013-09-04 | 日本インター株式会社 | Power semiconductor module |
JP5659171B2 (en) * | 2012-02-23 | 2015-01-28 | 株式会社 日立パワーデバイス | Semiconductor device and inverter device using the same |
JP5939041B2 (en) * | 2012-06-01 | 2016-06-22 | 住友電気工業株式会社 | Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module |
-
2016
- 2016-03-11 JP JP2016048870A patent/JP6567996B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017163113A (en) | 2017-09-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Written amendment |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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