JP6564734B2 - フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6564734B2 JP6564734B2 JP2016100228A JP2016100228A JP6564734B2 JP 6564734 B2 JP6564734 B2 JP 6564734B2 JP 2016100228 A JP2016100228 A JP 2016100228A JP 2016100228 A JP2016100228 A JP 2016100228A JP 6564734 B2 JP6564734 B2 JP 6564734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- resistance
- resistivity
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
請求項1:
波長が200nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクを製造するための素材であるフォトマスクブランクであり、
該フォトマスクブランクが、透明基板と、該透明基板から離間する側の最表部に形成された抵抗率が0.1Ω・cm以上の抵抗層と、該抵抗層の上記透明基板側に接して形成された抵抗率が0.1Ω・cm未満であり、かつクロムを含有する材料で形成された導電層とを有し、
該抵抗層が、単層で又は2以上の副層で構成された多層で構成され、
上記単層又は副層の各々の抵抗率(単位をΩ・cmとし、抵抗率の値が、7.5×105(Ω・cm)以下の場合はその値とし、7.5×105(Ω・cm)を超える場合は7.5×105(Ω・cm)とする)と厚さ(単位をcmとする)とについて、上記抵抗層が単層の場合はその抵抗率と厚さとの積、上記抵抗層が多層の場合は各々の副層における抵抗率と厚さとの積の和である抵抗指数Aが、下記式(1)
1.5×105≧A×α+ρC/dC (1)
(式中、αは定数(単位をcm-2とする)、ρCは導電層の抵抗率(単位をΩ・cmとする)、dCは導電層の厚さ(単位をcmとする)である)
を満たすことを特徴とするフォトマスクブランク。
請求項2:
上記導電層のシート抵抗値が1×104Ω/□以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
請求項3:
上記透明基板と導電層との間に、ケイ素を含有する材料又はケイ素とモリブデンとを含有する材料で形成された位相シフト膜を有することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
請求項4:
上記透明基板と導電層との間に、ケイ素を含有する材料又はケイ素とモリブデンとを含有する材料で形成された遮光膜を有する請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
請求項5:
上記抵抗層が、金属又は合金に、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素を添加した材料で形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項6:
フォトマスクに加工する過程において、アース端子を上記抵抗層に接触させ、アース端子で、アース端子と上記導電層との導通が得られる程度に抵抗層を押圧することにより接地して電子線描画を行うフォトマスクブランクであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項7:
透明基板と、該透明基板から離間する側の最表部に形成された抵抗率が0.1Ω・cm以上の抵抗層と、該抵抗層の上記透明基板側に接して形成された抵抗率が0.1Ω・cm未満であり、かつクロムを含有する材料で形成された導電層とを有し、上記抵抗層が、単層で又は2以上の副層で構成された多層で構成されたフォトマスクブランクから波長が200nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクを製造する方法であって、
上記単層又は副層の各々の抵抗率(単位をΩ・cmとし、抵抗率の値が、7.5×105(Ω・cm)以下の場合はその値とし、7.5×105(Ω・cm)を超える場合は7.5×105(Ω・cm)とする)と厚さ(単位をcmとする)とについて、上記抵抗層が単層の場合はその抵抗率と厚さとの積、上記抵抗層が多層の場合は各々の副層における抵抗率と厚さとの積の和である抵抗指数Aが、下記式(1)
1.5×105≧A×α+ρC/dC (1)
(式中、αは定数(単位をcm-2とする)、ρCは導電層の抵抗率(単位をΩ・cmとする)、dCは導電層の厚さ(単位をcmとする)である)
を満たすフォトマスクブランクを準備する工程、
上記抵抗層上にフォトレジスト膜を形成する工程、及び
アース端子を上記抵抗層に接触させ、アース端子で、アース端子と上記導電層との導通が得られる程度に抵抗層を押圧することにより接地して、上記フォトレジスト膜を電子線描画する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
本発明のフォトマスクブランクは、波長が200nm以下の露光光、例えば、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)などでパターン転写が行われるフォトマスクを製造するための素材として用いられる。また、このような波長が200nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクでは、例えば、欠陥検査では、波長257nmの光、アライメントマークの読取りには、波長405nm(固体レーザダイオード)の光などが適用される。
1.5×105≧A×α+ρC/dC (1)
(式中、αは定数(単位をcm-2とする)であって、後述するように、抵抗層を電流が流れる経路を横断する断面積Sに関連する定数であり、ρCは導電層の抵抗率(単位をΩ・cmとする)、dCは導電層の厚さ(単位をcmとする)である)
を満たすように抵抗層と導電層とを構成する。ここで、抵抗層の抵抗率は、いずれも、単位をΩ・cmとし、抵抗率の値が、7.5×105(Ω・cm)以下の場合はその値をそのまま適用し、7.5×105(Ω・cm)を超える場合は7.5×105(Ω・cm)を抵抗率の値として適用する。また厚さの単位はcmとする。
A=ρI1×dI1+・・・+ρIn×dIn (1−1)
(式中、ρI1は1番目の層の抵抗率(Ω・cm)、dI1は1番目の層の厚さ(cm)、ρInはn番目の層の抵抗率(Ω・cm)、dInはn番目の層の厚さ(cm)である)
で表わすことができる。即ち、抵抗層を構成する層の数をnとした場合、その数nに応じて、抵抗率と厚さとの積が存在し、それらの和を抵抗指数Aとするものである。抵抗層と導電層とを上記式(1)を満たすように構成することにより、電子線描画装置で加工する際に、高精度の描画性能が確保されたフォトマスクブランクとなり、このようなフォトマスクブランクからフォトマスクを製造すれば、より寸法精度が高いマスクパターンを有するフォトマスクを得ることができる。
1.5×105≧2×RI1+RC (2)
を満たす必要がある。
1.5×105≧2×(RI1+RI2)+RC (2−1)
を満たすようにし、更に、抵抗層がn個の副層で構成された多層構造の場合は、下記式(2−2)
1.5×105≧2×(RI1+・・・+RIn)+RC (2−2)
を満たすようにすればよいことになる。なお、式中の、RI2及びRInは、RI1及びRI1’に対応し、各々、2番目の層の抵抗(Ω)、n番目の層の抵抗(Ω)である。
1.5×105≧2×(ρI1×dI1+・・・+ρIn×dIn)/S+ρC/dC (2−3)
となり、2/S=αとし、上記式(1−1)から、本発明の上記式(1)が導き出される。ここで、通常、2つのプローブの抵抗層との接触面積は同じとされ、断面積Sは、一方又は他方のプローブの接触面積と一致する。例えば、2つのプローブの抵抗層との接触面として、各々、直径50μmの円形面を想定すれば、断面積Sは約2×10-5(cm2)となり、αは1×105(cm-2)となる。αの値は、例えば、電子線描画装置のアースピンのフォトマスクブランクへの接触面積の大きさから定めることができ、例えば1×102〜1×108(cm-2)とすればよい。プローブとフォトマスクブランクとの接触面積は、小さいほど欠陥が抑えられるが、接触面積が小さくなりすぎると、プローブの寿命が短くなる可能性がある。例えば、30nm以細の世代のフォトマスクに対応するフォトマスクブランクにおいては、αが1×104〜1×106(cm-2)、特に1×105(cm-2)において、抵抗指数Aが上記式(1)を満たすように抵抗層と導電層とを構成することが好ましい。
DCマグネトロンスパッタ成膜により、152mm角、厚さ6mmの石英基板の上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを10sccm、O2ガスを15sccm、N2ガスを30sccmの流量で導入して、高抵抗の半透明の反射防止膜を形成した。次に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを10sccm、O2ガスを2sccm、N2ガスを15sccmの流量で導入して、導電層(C層)に相当する導電性の遮光膜を形成した。更に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを11sccm、O2ガスを16sccm、N2ガスを30sccmの流量で導入して、単層の抵抗層(I1層)に相当する高抵抗の半透明の反射防止膜を形成して、3層からなる積層膜を有するフォトマスクブランクを得た。
DCマグネトロンスパッタ成膜により、152mm角、厚さ6mmの石英基板の上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを10sccm、O2ガスを11sccm、N2ガスを20sccmの流量で導入して、高抵抗の半透明の反射防止膜を形成した。次に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを20sccm、O2ガスを2sccm、N2ガスを2sccmの流量で導入して、導電層(C層)に相当する導電性の遮光膜を形成した。更に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを12sccm、O2ガスを11sccm、N2ガスを30sccmの流量で導入して、単層の抵抗層(I1層)に相当する高抵抗の半透明の反射防止膜を形成して、3層からなる積層膜を有するフォトマスクブランクを得た。
DCマグネトロンスパッタ成膜により、152mm角、厚さ6mmの石英基板の上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを10sccm、O2ガスを15sccm、N2ガスを30sccmの流量で導入して、高抵抗の半透明の反射防止膜を形成した。次に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを10sccm、O2ガスを2sccm、N2ガスを15sccmの流量で導入して、導電層(C層)に相当する導電性の遮光膜を形成した。次に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを11sccm、O2ガスを16sccm、N2ガスを30sccmの流量で導入して、抵抗層の副層(I1層)に相当する高抵抗の半透明の反射防止膜を形成した。更に、その上に、ケイ素ターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを18sccm、O2ガスを5sccmの流量で導入して、抵抗層の副層(I2層)に相当する高抵抗のエッチングマスク膜を形成して、4層からなる積層膜を有するフォトマスクブランクを得た。
DCマグネトロンスパッタ成膜により、152mm角、厚さ6mmの石英基板の上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを10sccm、O2ガスを11sccm、N2ガスを20sccmの流量で導入して、高抵抗の半透明の反射防止膜を形成した。次に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを20sccm、O2ガスを2sccm、N2ガスを2sccmの流量で導入して、導電層(C層)に相当する導電性の遮光膜を形成した。次に、その上に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを12sccm、O2ガスを11sccm、N2ガスを30sccmの流量で導入して、抵抗層の副層(I1層)に相当する高抵抗の半透明の反射防止膜を形成した。更に、その上に、ケイ素ターゲットを用い、スパッタリングガスとして、Arガスを5sccm、O2ガスを50sccmの流量で導入して、抵抗層の副層(I2層)に相当する高抵抗のエッチングマスク膜を形成して、4層からなる積層膜を有するフォトマスクブランクを得た。
2 位相シフト膜
3 裏面側反射防止膜
4 遮光膜
5 表面側反射防止膜
6 エッチングマスク膜
10 フォトマスクブランク
21,22 プローブ
23 電流経路
24a,24b,24c 抵抗
31 導電層
32 抵抗層
Claims (7)
- 波長が200nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクを製造するための素材であるフォトマスクブランクであり、
該フォトマスクブランクが、透明基板と、該透明基板から離間する側の最表部に形成された抵抗率が0.1Ω・cm以上の抵抗層と、該抵抗層の上記透明基板側に接して形成された抵抗率が0.1Ω・cm未満であり、かつクロムを含有する材料で形成された導電層とを有し、
該抵抗層が、単層で又は2以上の副層で構成された多層で構成され、
上記単層又は副層の各々の抵抗率(単位をΩ・cmとし、抵抗率の値が、7.5×105(Ω・cm)以下の場合はその値とし、7.5×105(Ω・cm)を超える場合は7.5×105(Ω・cm)とする)と厚さ(単位をcmとする)とについて、上記抵抗層が単層の場合はその抵抗率と厚さとの積、上記抵抗層が多層の場合は各々の副層における抵抗率と厚さとの積の和である抵抗指数Aが、下記式(1)
1.5×105≧A×α+ρC/dC (1)
(式中、αは定数(単位をcm-2とする)、ρCは導電層の抵抗率(単位をΩ・cmとする)、dCは導電層の厚さ(単位をcmとする)である)
を満たすことを特徴とするフォトマスクブランク。 - 上記導電層のシート抵抗値が1×104Ω/□以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
- 上記透明基板と導電層との間に、ケイ素を含有する材料又はケイ素とモリブデンとを含有する材料で形成された位相シフト膜を有することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
- 上記透明基板と導電層との間に、ケイ素を含有する材料又はケイ素とモリブデンとを含有する材料で形成された遮光膜を有する請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
- 上記抵抗層が、金属又は合金に、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素を添加した材料で形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- フォトマスクに加工する過程において、アース端子を上記抵抗層に接触させ、アース端子で、アース端子と上記導電層との導通が得られる程度に抵抗層を押圧することにより接地して電子線描画を行うフォトマスクブランクであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 透明基板と、該透明基板から離間する側の最表部に形成された抵抗率が0.1Ω・cm以上の抵抗層と、該抵抗層の上記透明基板側に接して形成された抵抗率が0.1Ω・cm未満であり、かつクロムを含有する材料で形成された導電層とを有し、上記抵抗層が、単層で又は2以上の副層で構成された多層で構成されたフォトマスクブランクから波長が200nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクを製造する方法であって、
上記単層又は副層の各々の抵抗率(単位をΩ・cmとし、抵抗率の値が、7.5×105(Ω・cm)以下の場合はその値とし、7.5×105(Ω・cm)を超える場合は7.5×105(Ω・cm)とする)と厚さ(単位をcmとする)とについて、上記抵抗層が単層の場合はその抵抗率と厚さとの積、上記抵抗層が多層の場合は各々の副層における抵抗率と厚さとの積の和である抵抗指数Aが、下記式(1)
1.5×105≧A×α+ρC/dC (1)
(式中、αは定数(単位をcm-2とする)、ρCは導電層の抵抗率(単位をΩ・cmとする)、dCは導電層の厚さ(単位をcmとする)である)
を満たすフォトマスクブランクを準備する工程、
上記抵抗層上にフォトレジスト膜を形成する工程、及び
アース端子を上記抵抗層に接触させ、アース端子で、アース端子と上記導電層との導通が得られる程度に抵抗層を押圧することにより接地して、上記フォトレジスト膜を電子線描画する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16178198.4A EP3125041B1 (en) | 2015-07-27 | 2016-07-06 | Method for preparing a photomask |
US15/206,537 US9880459B2 (en) | 2015-07-27 | 2016-07-11 | Photomask blank and method for preparing photomask |
KR1020160093061A KR102052790B1 (ko) | 2015-07-27 | 2016-07-22 | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법 |
TW105123587A TWI701502B (zh) | 2015-07-27 | 2016-07-26 | 光罩基底及光罩之製造方法 |
SG10201606180YA SG10201606180YA (en) | 2015-07-27 | 2016-07-26 | Photomask Blank And Method For Preparing Photomask |
CN201610597860.7A CN106406022B (zh) | 2015-07-27 | 2016-07-27 | 光掩模坯和制备光掩模的方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015147819 | 2015-07-27 | ||
JP2015147819 | 2015-07-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017027020A JP2017027020A (ja) | 2017-02-02 |
JP6564734B2 true JP6564734B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=57950533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016100228A Active JP6564734B2 (ja) | 2015-07-27 | 2016-05-19 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6564734B2 (ja) |
KR (1) | KR102052790B1 (ja) |
CN (1) | CN106406022B (ja) |
SG (1) | SG10201606180YA (ja) |
TW (1) | TWI701502B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7027895B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2022-03-02 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、及びフォトマスクの製造方法 |
JP7034867B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2022-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 異常判定方法および描画装置 |
JP7037513B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2022-03-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置および描画方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267054A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Arubatsuku Seimaku Kk | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
JPS6385553A (ja) | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 |
JPH01217349A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ブランク板、ブランク板を用いたフォトマスクおよびそれらの製造方法 |
JPH07282962A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Hitachi Cable Ltd | フレキシブルシート状ヒータ、その製造方法およびフォトマスク |
JPH08137089A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
JP3006558B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2000-02-07 | 日本電気株式会社 | フォトマスクの帯電防止方法およびそれに用いる装置 |
JP4686006B2 (ja) | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
JP2003057802A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法、それによって得られたフォトマスクおよびマスクパターン寸法の疎密差改善方法 |
JP2003195479A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2003195483A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法 |
JP3093632U (ja) | 2002-03-01 | 2003-05-16 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク |
JP4933754B2 (ja) | 2005-07-21 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
EP1746460B1 (en) * | 2005-07-21 | 2011-04-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and fabrication method thereof |
JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP5345333B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-11-20 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
TWI422966B (zh) * | 2009-07-30 | 2014-01-11 | Hoya Corp | 多調式光罩、光罩基底、多調式光罩之製造方法、及圖案轉印方法 |
JP5368392B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用レジスト膜及び有機導電性膜が積層された被加工基板、該被加工基板の製造方法、及びレジストパターンの形成方法 |
JP5606264B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2014-10-15 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
WO2013046627A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 凸版印刷株式会社 | 反射型露光用マスクブランクおよび反射型露光用マスク |
JP5788923B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池 |
US9559333B2 (en) * | 2012-08-21 | 2017-01-31 | Nec Lighting, Ltd. | Organic el lighting panel substrate, method for manufacturing organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device |
JP6105367B2 (ja) | 2013-04-24 | 2017-03-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6229466B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-11-15 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
-
2016
- 2016-05-19 JP JP2016100228A patent/JP6564734B2/ja active Active
- 2016-07-22 KR KR1020160093061A patent/KR102052790B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-26 SG SG10201606180YA patent/SG10201606180YA/en unknown
- 2016-07-26 TW TW105123587A patent/TWI701502B/zh active
- 2016-07-27 CN CN201610597860.7A patent/CN106406022B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10201606180YA (en) | 2017-02-27 |
KR20170013164A (ko) | 2017-02-06 |
TWI701502B (zh) | 2020-08-11 |
CN106406022B (zh) | 2021-05-11 |
TW201719269A (zh) | 2017-06-01 |
KR102052790B1 (ko) | 2019-12-05 |
JP2017027020A (ja) | 2017-02-02 |
CN106406022A (zh) | 2017-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI630455B (zh) | 空白光罩 | |
TWI648591B (zh) | 空白光罩 | |
KR102116205B1 (ko) | 포토마스크 블랭크의 설계 방법 및 포토마스크 블랭크 | |
JP6564734B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
US9880459B2 (en) | Photomask blank and method for preparing photomask | |
JP6708247B2 (ja) | フォトマスクブランク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190312 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190510 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20190513 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6564734 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |