JP6560680B2 - Mriシステム用電磁干渉シールドコイル - Google Patents
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Description
10 イメージングシステム
11 超伝導磁石アセンブリ
12 超伝導磁石
13 シールドコイル、熱シールド
14 ヘリウム容器
15 真空容器
17 クライオスタット
18 1次勾配コイル
19 シールド勾配コイル
20 RF送信コイル
30 コントローラ
32 1次磁場制御部
34 勾配磁場制御部
36 メモリ
38 表示装置
40 T−Rスイッチ
42 RF送信器
44 受信器
46 ボア
48 プロセッサ
C1 第1サブコイル
C2 第2サブコイル
C3 第3サブコイル
C4 第4サブコイル
L1 第1接続分岐線
L2 第2接続分岐線
S1 第1スイッチ
S2 第2スイッチ
S3 第3スイッチ
Z1−1 コイル
Z2−1 コイル
Claims (9)
- 磁気共鳴イメージングの磁場発生アセンブリで用いるための磁場調整システムであって、
磁気共鳴イメージングが必要とする第1の磁場を発生させるための第1磁場発生アセンブリであって、電磁干渉シールド磁場を発生させるために使用される第1の磁場発生アセンブリと、
スイッチおよび電流分岐線を含む追加のアセンブリであって、前記第1磁場発生アセンブリと協働して、前記磁気共鳴イメージングが必要とする第2の磁場を発生させる追加のアセンブリとを備え、
前記第1磁場発生アセンブリが、順に直列に接続されている第1サブコイル(C1)、第2サブコイル(C2)、第3サブコイル(C3)、および第4サブコイル(C4)、ならびに第1スイッチ(S1)を備え、
前記追加のアセンブリが、第2スイッチ(S2)、第3スイッチ(S3)、第1接続分岐線(L1)、および第2接続分岐線(L2)を備え、
前記第1サブコイル(C1)、前記第1接続分岐線(L1)、および前記第1スイッチ(S1)を含む第1ループ(i1)を形成し、前記第2サブコイル(C2)、前記第3サブコイル(C3)、前記第1接続分岐線(L1)、前記第2接続分岐線(L2)、および前記第2スイッチ(S2)を含む第2ループ(i2)を形成し、かつ前記第2接続分岐線(L2)、前記第4サブコイル(C4)、および前記第2スイッチ(S3)を含む第3ループ(i3)を形成するために、前記第1接続分岐線(L1)の一端が、前記第1サブコイル(C1)と前記第2サブコイル(C2)とが互いに接続する場所である一方の極に接続され、前記第1接続分岐線(L1)の他端が、前記第1スイッチ(S1)と前記第2スイッチ(S2)とが互いに接続する場所である一方の極に接続されており、前記第2接続分岐線(L2)の一端が、前記第3サブコイル(C3)と前記第4サブコイル(C4)とが互いに接続する場所である一方の極に接続され、前記第2接続分岐線(L2)の前記第2スイッチ(S2)と前記第2スイッチ(S3)とが互いに接続する場所である一方の極に接続されている磁場調整システム。 - 前記第1磁場発生アセンブリおよび前記追加のアセンブリが協働して、一様な磁場を発生させる、請求項1に記載の磁場調整システム。
- 前記第1ループ(i1)および前記第3ループ(i3)内の電流は、大きさが同一であり、方向が反対である、請求項1又は2に記載の磁場調整システム。
- 前記第1のサブコイル、前記第2のサブコイル、前記第3のサブコイル、および前記第4のサブコイルが超伝導コイルである、請求項1又は2に記載の磁場調整システム。
- 磁気共鳴イメージングの磁場発生アセンブリで用いるための磁場調整方法であって、
磁気共鳴イメージングが必要とする第1の磁場を発生させるように第1磁場発生アセンブリを配置することであって、電磁干渉シールド磁場を発生させるために使用される第1の磁場発生アセンブリを配置することと、
前記第1磁場発生アセンブリと協働して、磁気共鳴イメージングが必要とする第2の磁場を発生させるために、スイッチおよび電流分岐線を含む追加のアセンブリを配置することとを含み、
前記第1磁場発生アセンブリが、順に直列に接続されている第1サブコイル(C1)、第2サブコイル(C2)、第3サブコイル(C3)、および第4サブコイル(C4)、ならびに第1スイッチ(S1)を含むように配置されており、
前記追加のアセンブリが、第2スイッチ(S2)、第3スイッチ(S3)、第1接続分岐線、および第2接続分岐線(L2)を含むように配置されており、
前記第1サブコイル(C1)、前記第1接続分岐線(L1)、および前記第1スイッチ(S1)を含む第1ループ(i1)を形成し、前記第2サブコイル(C2)、前記第3サブコイル(C3)、前記第1接続分岐線(L1)、前記第2接続分岐線(L2)、および前記第2スイッチ(S2)を含む第2ループ(i2)を形成し、かつ前記第2接続分岐線(L2)、前記第4サブコイル(C4)、および前記第2スイッチ(S3)を含む第3ループ(i3)を形成するために、前記第1接続分岐線(L1)の一端が、前記第1サブコイル(C1)と前記第2サブコイル(C2)とが互いに接続する場所である一方の極に接続され、前記第1接続分岐線(L1)の他端が、前記第1スイッチ(S1)と前記第2スイッチ(S2)とが互いに接続する場所である一方の極に接続されており、前記第2接続分岐線(L2)の一端が、前記第3サブコイル(C3)と前記第4サブコイル(C4)とが互いに接続する場所である一方の極に接続され、前記第2接続分岐線(L2)の前記第2スイッチ(S2)と前記第2スイッチ(S3)とが互いに接続する場所である一方の極に接続されている磁場調整方法。 - 前記第1磁場発生アセンブリおよび前記追加のアセンブリが協働して、一様な磁場を発生させる、請求項5に記載の磁場調整システム。
- 前記第1ループ(i1)および前記第3ループ(i3)内の電流は、大きさが同一であり、方向が反対である、請求項5又は6に記載の磁場調整方法。
- 前記第1のサブコイル、前記第2のサブコイル、前記第3のサブコイル、および前記第4のサブコイルが超伝導コイルである、請求項5又は6に記載の磁場調整方法。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁場調整システムを備える磁気共鳴イメージングシステム。
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