JP6555208B2 - リンギング抑制回路 - Google Patents

Description

本発明は、一対の通信線を介した差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制するリンギング抑制回路に関する。

一対の通信線からなる伝送線路を介してデジタル信号を伝送する場合、受信側においては、信号レベルが変化するタイミングで信号エネルギーの一部が反射することで、オーバーシュートやアンダーシュートのような波形の歪み、すなわちリンギングが生じる問題がある。従来、このような波形歪みを抑制するため、様々な技術が提案されている。

例えば、通信バス間にスイッチング素子を設け、差動信号のレベルが変化したことを検出すると上記スイッチング素子を一定期間オンさせるといった簡単な構成のリンギング抑制回路でリンギングを抑制して通信の信頼性を高める技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−２５７２０５号公報

上述した従来技術の構成においては、通信線にノイズが重畳した場合、リンギングを抑制する抑制動作が誤って実行されることがある。抑制動作が行われると、通信線間における直流的なインピーダンスは瞬間的に例えば１００ｋΩから１２０Ωへと大きく変化する。そのため、通信線間に流れる直流電流の変化が大きくなり、通信バスの信号レベルがノイズの影響を受ける前の状態に戻るまでに比較的長い時間を要してしまう。そうすると、通信バスに致命的な障害、例えば誤ったデータの受信などが発生するおそれがある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ノイズにより誤動作した場合でも致命的な障害を引き起こすことを防止することができるリンギング抑制回路を提供することにある。

請求項１、２に記載のリンギング抑制回路（５、２１、２３、３１、３３、３５）は、一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノード（２）との通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたものであり、抑制部（７、２２、２４、３２、３４、３６）を備えている。抑制部は、一対の通信線間に、抵抗成分および容量成分が直列接続された構成を含む調整回路（１２）を接続することにより前記差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う。請求項１に記載のリンギング抑制回路は、抵抗成分として、ＭＯＳトランジスタ（Ｔ４）のオン抵抗および抵抗素子（Ｒ３１、Ｒ３２）を含み、抵抗素子の抵抗値は、ＭＯＳトランジスタのオン抵抗の値よりも高い値に設定されている。請求項２に記載のリンギング抑制回路は、抵抗成分として、ＭＯＳトランジスタ（Ｔ４）のオン抵抗を含み、容量成分は、高電位側の通信線（３Ｐ）とＭＯＳトランジスタのオン抵抗との間に接続された第１コンデンサ（Ｃ２１）と、低電位側の通信線（３Ｎ）とＭＯＳトランジスタのオン抵抗との間に接続された第２コンデンサ（Ｃ２）と、を含む。

このような構成によれば、抑制動作が行われる際、一対の通信線間には抵抗成分および容量成分が直列接続された状態となり、通信線間における直流的なインピーダンスが大きく変化することはない。そのため、通信線にノイズが重畳するなどして抑制動作が誤って実行されたとしても、通信線間に流れる直流電流が大きく変化することがなく、差動信号の信号レベルは比較的短い時間でノイズの影響を受ける前の状態に戻る。したがって、上記構成によれば、ノイズにより抑制部が誤動作した場合でも、例えば誤ったデータの受信などの致命的な障害を引き起こすことを防止できるという優れた効果が得られる。

第１実施形態に係るリンギング抑制回路の概略構成を模式的に示す図 通信ネットワークの構成を模式的に示す図 リンギング抑制回路の具体的な構成を模式的に示す図 比較例および本実施形態に係るリンギング抑制回路の動作をシミュレーションした結果を示す図 第２実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図その１ 第２実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図その２ 第２実施形態に係るリンギング抑制回路の動作をシミュレーションした結果を示す図 第３実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図その１ 第３実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図その２ 第３実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図その３

以下、本発明の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図１〜図４を参照して説明する。

図２に示す通信ネットワーク１は、車両に搭載される複数のノード２間の制御通信のために、それらのノード２がツイストペア線で構成される伝送線路３を介して接続されたネットワークである。各ノード２は、それぞれ車両の状態を検出するためのセンサ類やセンサからの情報に基づいてアクチュエータをコントロールする電子制御装置である。

各ノード２には、それぞれ図示しない通信回路が設けられており、伝送線路３での通信プロトコル、例えばＣＡＮプロトコルに従って送信データや受信データを通信信号に変換し、他のノード２との間で通信、つまりデータの送受信を行う。伝送線路３、つまり通信バスの途中には、適宜、伝送線路３を分岐するための分岐コネクタ４が設けられている。

なお、図２に示したノード２のうち、長方形内に「Ｔ」と記載したノード２は、その外部に終端抵抗を持つノードを示している。また、図２に示したノード２のうち、単なる長方形のシンボルで表したノード２は終端抵抗を備えていないノードを示している。この場合、終端抵抗の抵抗値は、例えば１２０Ωとなっている。

図１に示すリンギング抑制回路５は、データの送信および受信を行う通信回路６とともに、図２に示したノード２に設けられる。リンギング抑制回路５は、抑制部７および動作制御部８を備える。抑制部７は、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎからなる伝送線路３のインピーダンスを低下させることにより、差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う。なお、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎは、一対の通信線に相当するものであり、以下、単に信号線３Ｐおよび信号線３Ｎと省略することもある。

抑制部７は、スイッチ９、抵抗成分１０および容量成分１１を備えている。スイッチ９、抵抗成分１０および容量成分１１は、この順に信号線３Ｐ、３Ｎ間に直列接続されている。なお、抵抗成分１０および容量成分１１の直列回路により、調整回路１２が構成されている。

スイッチ９は、動作制御部８により制御されるもので、抑制動作が実行されるときにはオンされるとともに、抑制動作が実行されないときにはオフされる。スイッチ９がオンされることにより、信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗成分１０および容量成分１１が直列接続された構成を含む調整回路１２が接続され、伝送線路３がＡＣ終端される。これにより、信号線３Ｐ、３Ｎ間の交流的なインピーダンス（以下、線間インピーダンスと呼ぶ）が低下する。この場合、線間インピーダンスは、スイッチ９がオフのときには例えば１００ｋΩ程度であるものが、スイッチ９がオンのときには例えば１２０Ω程度となる。

なお、抵抗成分１０の抵抗値、容量成分１１の容量値などは、伝送線路３の特性インピーダンスや伝送線路３の長さなどに応じて設定されている。具体的には、抵抗成分１０の抵抗値、容量成分１１の容量値などは、スイッチ９がオンの時の線間インピーダンスが伝送線路３の特性インピーダンス（通信バスの配線インピーダンス）に合致するように設定されている。そのため、抑制部７の動作によるリンギング抑制の効果が一層高まるようになっている。

動作制御部８は、抑制部７による動作を制御する。具体的には、動作制御部８は、差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことを検出すると、抑制部７のスイッチ９をオンすることにより抑制部７による抑制動作を開始させる。

このようなリンギング抑制回路５の具体的な構成としては、例えば図３に示すような構成を採用することができる。図３に示すように、リンギング抑制回路５は、通信回路６とともに、信号線３Ｐ、３Ｎの間に並列に接続されている。リンギング抑制回路５は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるトランジスタＴ１〜Ｔ４を備えている。

トランジスタＴ１〜Ｔ３のソースは、信号線３Ｎに接続されている。トランジスタＴ１、Ｔ３のゲートは、信号線３Ｐに接続されている。トランジスタＴ２、Ｔ３のドレインは、トランジスタＴ４のゲートに接続されているとともに抵抗素子Ｒ１を介して電源線１３に接続されている。電源線１３には、リンギング抑制回路５の動作用の電源電圧Ｖｃｃ（例えば５Ｖ）が供給される。

トランジスタＴ１のドレインは、抵抗素子Ｒ２を介して電源線１３に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ３を介してトランジスタＴ２のゲートに接続されている。また、トランジスタＴ２のゲートは、コンデンサＣ１を介して信号線３Ｎに接続されている。抵抗素子Ｒ３およびコンデンサＣ１は、ＲＣフィルタ回路１４を構成している。

トランジスタＴ４のドレインは信号線３Ｐに接続され、そのソースはコンデンサＣ２を介して信号線３Ｎに接続されている。つまり、信号線３Ｐ、３Ｎ間に、トランジスタＴ４およびコンデンサＣ２が直列接続されている。

このような構成において、トランジスタＴ４およびコンデンサＣ２により抑制部７が構成されている。つまり、この場合、トランジスタＴ４のオン抵抗が抵抗成分１０として機能するとともに、トランジスタＴ４によるスイッチング動作がスイッチ９として機能する。また、コンデンサＣ２が容量成分１１に相当する。そして、トランジスタＴ１〜Ｔ３、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３およびコンデンサＣ１により動作制御部８が構成されている。

次に、上記構成の作用について説明する。
この場合、伝送線路３は、ハイレベル、ロウレベルの２値信号を差動信号として伝送する。例えば、電源電圧が５Ｖの場合、信号線３Ｐ、３Ｎは、非ドライブ状態においていずれも中間電位である２．５Ｖに設定され、差動電圧は０Ｖであり、差動信号はレセッシブを表すロウレベルとなる。

そして、通信回路６の送信回路（図示略）が伝送線路３をドライブすると、信号線３Ｐは例えば３．５Ｖ以上に、信号線３Ｎは例えば１．５Ｖ以下にドライブされ、差動電圧は２Ｖ以上となり、差動信号はドミナントを表すハイレベルとなる。また、図示しないが、信号線３Ｐ、３Ｎの両端は１２０Ωの終端抵抗により終端されている。したがって、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する際には、伝送線路３が非ドライブ状態となり伝送線路３のインピーダンスが高くなることから、差動信号波形にリンギングが発生する。

そこで、リンギング抑制回路５は、差動信号の信号レベルがハイレベルからレセッシブを表すロウレベルに変化したことをトリガとして、トランジスタＴ４をターンオンさせることで抑制部７による抑制動作を開始する。この動作は、次のようにして実現される。すなわち、差動信号のレベルがハイレベルの場合、トランジスタＴ１、Ｔ３がオンしているため、トランジスタＴ２はオフしている。したがって、トランジスタＴ４はオフ状態となっている。

この状態から、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化すると、トランジスタＴ１、Ｔ３がターンオフするため、トランジスタＴ４がターンオンする。すると、信号線３Ｐ、３Ｎの間は、トランジスタＴ４のオン抵抗およびコンデンサＣ２を介して接続されることになり、交流的なインピーダンスが低下する。これにより、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する立ち下がり期間に発生する波形歪みのエネルギーが上記オン抵抗により消費され、リンギングが抑制される。

以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
本実施形態により得られる効果は、リンギング抑制回路が設けられていない構成（以下、第１比較例と呼ぶ）および抑制動作時に信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗成分だけを接続する従来のリンギング抑制回路が設けられた構成（以下、第２比較例と呼ぶ）と比較することで一層明確になる。

そこで、以下では、各比較例および本実施形態のそれぞれにおける回路動作のシミュレーション結果を表す図４を参照しながら、各比較例と本実施形態とを比較しつつ本実施形態により得られる効果を説明する。なお、図４は、各比較例および本実施形態において、差動信号がドミナントを表す期間にノイズが重畳した場合における信号線３Ｐ、３Ｎ間の差動出力波形および電流総和波形を示している。

［１］第１比較例
第１比較例の場合、ノード２にリンギング抑制回路が設けられていないため、伝送線路３にノイズが重畳すると、比較的大きなリンギングが発生している。そのため、差動信号のレベルがドミナントを表すレベルに戻って安定するまでに比較的長い時間を要している。したがって、第１比較例の場合、例えば誤ったデータの受信など、通信バスに致命的な障害が生じるおそれがある。なお、この場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間を接続する構成自体が存在しないため、信号線３Ｐ、３Ｎ間の電流総和はゼロで一定となっている。

［２］第２比較例
第２比較例の場合、伝送線路３にノイズが重畳した際、リンギング抑制回路による抑制動作が実行されることにより、第１比較例に比べリンギングが小さく抑えられている。しかし、この場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間における直流的なインピーダンスが瞬間的に大きく変化するため、信号線３Ｐ、３Ｎ間の電流変化が大きくなり、差動信号の信号レベルがドミナントを表すレベルに戻って安定するまでに比較的長い時間を要している。したがって、第２比較例の場合も、第１比較例と同様に、通信バスに致命的な障害が生じるおそれがある。また、第２比較例の場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間の電流変化が大きいことから、エミッションノイズへの影響が大きくなり問題となるおそれがある。

［３］本実施形態
本実施形態の場合、伝送線路３にノイズが重畳した際、リンギング抑制回路５による抑制動作が実行されることにより、第１比較例に比べリンギングが小さく抑えられている。しかも、リンギング抑制回路５による抑制動作が行われる際、信号線３Ｐ、３Ｎ間には抵抗成分１０であるトランジスタＴ４のオン抵抗および容量成分１１であるコンデンサＣ２が直列接続された状態となり、信号線３Ｐ、３Ｎ間における直流的なインピーダンスが大きく変化することはない。

そのため、信号線３Ｐ、３Ｎ間の電流変化が第２比較例に比べ小さく抑えられ、各比較例に比べると非常に短い時間で差動信号の信号レベルが本来のドミナントを表すレベルに戻って安定する。したがって、本実施形態によれば、ノイズの影響により抑制部７が誤動作した場合でも、致命的な障害を引き起こすことを防止できるという優れた効果が得られる。また、本実施形態の場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間の電流変化が小さいため、エミッションノイズへの影響を大幅に低減することができる。

（第２実施形態）
以下、第２実施形態について図５〜図７を参照して説明する。
本実施形態では、抑制部の具体的な他の構成例を示している。

図５に示すリンギング抑制回路２１の抑制部２２は、図３に示した抑制部７に対し、コンデンサＣ２に代えてコンデンサＣ２１を備えている点が異なる。この場合、トランジスタＴ４のドレインはコンデンサＣ２１を介して信号線３Ｐに接続され、そのソースは信号線３Ｎに接続されている。つまり、抑制部２２は、抑制部７に対し、容量成分１１の挿入位置が変更されている。

このような構成によっても、抑制動作が実行される際、信号線３Ｐ、３Ｎ間には容量成分１１であるコンデンサＣ２および抵抗成分１０であるトランジスタＴ４のオン抵抗が直列接続された状態となるため、第１実施形態と同様の効果が得られる。

図６に示すリンギング抑制回路２３の抑制部２４は、図３に示した抑制部７に対し、図５に示したコンデンサＣ２１が追加されている点が異なる。この場合、トランジスタＴ４のドレインはコンデンサＣ２１を介して信号線３Ｐに接続され、そのソースはコンデンサＣ２を介して信号線３Ｎに接続されている。

このような構成において、コンデンサＣ２１は、信号線３ＰとトランジスタＴ４のオン抵抗との間に接続された第１コンデンサに相当し、コンデンサＣ２は、トランジスタＴ４のオン抵抗と信号線３Ｎとの間に接続された第２コンデンサに相当する。

このような構成のリンギング抑制回路２３によっても、抑制動作が実行される際、信号線３Ｐ、３Ｎ間には容量成分１１であるコンデンサＣ２、Ｃ２１および抵抗成分１０であるトランジスタＴ４のオン抵抗が直列接続された状態となるため、第１実施形態と同様の効果が得られる。

また、この場合、トランジスタＴ４のオン抵抗を挟んで、その上下に同一の容量値のコンデンサＣ２１、Ｃ２が配置された構成、つまり対称性の有る構成となっている。このような構成によれば、ノイズの影響により抑制動作が実行された際、差動信号の信号レベルが本来のレベルに復帰するまでの期間を一層短くすることができる。なお、コンデンサＣ２、Ｃ２１の各容量値を等しくすれば、上記効果を一層高めることができる。

このような効果は、リンギング抑制回路５、２１、２３の回路動作をシミュレーションした結果を表す図７からも明らかである。なお、図７は、差動信号がドミナントを表す期間にノイズが重畳した場合における信号線３Ｐ、３Ｎ間の差動出力波形を示している。図７に示すように、リンギング抑制回路５、２１、２３のいずれについても、伝送線路３にノイズが重畳した際、抑制動作が実行されることにより、リンギングが抑制されている。

しかし、トランジスタＴ４の上下両側に容量成分が配置された抑制部２４を有するリンギング抑制回路２３では、トランジスタＴ４の上側または下側に容量成分が配置された抑制部７、２２を有するリンギング抑制回路５、２１に比べ、差動信号の信号レベルがドミナントを表すレベルに戻って安定するまでに要する時間が短くなっていることが分かる。したがって、リンギング抑制回路２３によれば、致命的な障害が引き起こされる可能性が一層低く抑えられるという効果が得られる。

（第３実施形態）
以下、第３実施形態について図８〜図１０を参照して説明する。
本実施形態では、抑制部の具体的な他の構成例を示している。

図８に示すリンギング抑制回路３１の抑制部３２は、図３に示した抑制部７に対し、抵抗素子Ｒ３１が追加されている点が異なる。この場合、トランジスタＴ４のソースは、コンデンサＣ２および抵抗素子Ｒ３１を介して信号線３Ｎに接続されている。つまり、信号線３Ｐ、３Ｎ間に、トランジスタＴ４、コンデンサＣ２および抵抗素子Ｒ３１が直列接続されている。なお、コンデンサＣ２および抵抗素子Ｒ３１の接続位置は入れ替え可能である。

上記構成では、トランジスタＴ４のオン抵抗および抵抗素子Ｒ３１による直列合成抵抗が抵抗成分１０として機能する。このような構成のリンギング抑制回路３１によっても、抑制動作が実行される際、信号線３Ｐ、３Ｎ間には抵抗成分１０であるトランジスタＴ４のオン抵抗および抵抗素子Ｒ３１と、容量成分１１であるコンデンサＣ２とが直列接続された状態となるため、第１実施形態と同様の効果が得られる。

図９に示すリンギング抑制回路３３の抑制部３４は、図５に示した抑制部２２に対し、抵抗素子Ｒ３２が追加されている点が異なる。この場合、トランジスタＴ４のドレインは、コンデンサＣ２１および抵抗素子Ｒ３２を介して信号線３Ｐに接続されている。つまり、信号線３Ｐ、３Ｎに、抵抗素子Ｒ３２、コンデンサＣ２１およびトランジスタＴ４が直列接続されている。なお、コンデンサＣ２１および抵抗素子Ｒ３２の接続位置は入れ替え可能である。

上記構成では、抵抗素子Ｒ３２およびトランジスタＴ４のオン抵抗による直列合成抵抗が抵抗成分１０として機能する。このような構成のリンギング抑制回路３３によっても、抑制動作が実行される際、信号線３Ｐ、３Ｎ間には抵抗成分１０である抵抗素子Ｒ３２およびトランジスタＴ４のオン抵抗と、容量成分１１であるコンデンサＣ２１とが直列接続された状態となるため、第１実施形態と同様の効果が得られる。

図１０に示すリンギング抑制回路３５の抑制部３６は、図６に示した抑制部２４に対し、抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２が追加されている点が異なる。この場合、トランジスタＴ４のドレインは、コンデンサＣ２１および抵抗素子Ｒ３２を介して信号線３Ｐに接続されている。また、トランジスタＴ４のソースは、コンデンサＣ２および抵抗素子Ｒ３１を介して信号線３Ｎに接続されている。つまり、信号線３Ｐ、３Ｎに、抵抗素子Ｒ３２、コンデンサＣ２１、トランジスタＴ４、コンデンサＣ２および抵抗素子Ｒ３１が直列接続されている。

上記構成では、抵抗素子Ｒ３２、トランジスタＴ４のオン抵抗および抵抗素子Ｒ３１による直列合成抵抗が抵抗成分１０として機能する。このような構成のリンギング抑制回路３５によっても、抑制動作が実行される際、信号線３Ｐ、３Ｎ間には抵抗成分１０である抵抗素子Ｒ３２、トランジスタＴ４のオン抵抗および抵抗素子Ｒ３１と、容量成分１１であるコンデンサＣ２１、Ｃ２とが直列接続された状態となるため、第１実施形態と同様の効果が得られる。

以上説明したように、抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２が追加された本実施形態の各構成によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態の各構成によれば、次のような効果も得られる。すなわち、ＭＯＳトランジスタであるトランジスタＴ４のオン抵抗は、ばらつきが大きい場合がある。このようなことから、抵抗成分１０としてトランジスタＴ４のオン抵抗だけを用いた構成の場合、抑制動作が行われた際における線間インピーダンス（以下、整合インピーダンスと呼ぶ）を精度良く設定することが難しくなるおそれがある。

一方、抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２は、ＭＯＳトランジスタのオン抵抗に比べ、その抵抗値のばらつきを小さく抑えることが可能である。そこで、本実施形態の各構成において、抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２の抵抗値を、トランジスタＴ４のオン抵抗の値よりも高い値に設定するとよい。このようにすれば、整合インピーダンスの設定に関して、ばらつきの大きいオン抵抗の値の影響を小さく抑えることができ、ひいては整合インピーダンスを精度良く設定することができる。

（その他の実施形態）
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
抑制部の具体的構成としては、差動信号のレベルが変化すると伝送線路３の交流的なインピーダンスを低下させて差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する動作を行い得る構成であれば、適宜変更可能である。例えば、抑制部として、特開２０１２−２４４２２０号公報に記載されているような構成、つまり信号線３Ｐ、３Ｎ間に複数のスイッチング素子を直列接続した構成を採用してもよい。また、スイッチング素子としては、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴに限らずともよく、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴであってもよい。また、特開２０１２−２５７２０５号公報の図６などに記載されている構成のように、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを含む抑制部とＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴを含む抑制部とを、伝送線路３に並列接続した構成を採用してもよい。Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを含む抑制部とする場合、動作制御部８の構成についても、抑制部の変更に合わせて変更すればよい。なお、いずれの構成を採用する場合にも、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗などの抵抗成分に対して直列にコンデンサなどの容量成分を挿入すればよい。
通信プロトコルはＣＡＮに限ることなく、一対の通信線を介して差動信号を伝送する通信プロトコルであれば適用が可能である。

本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

２…ノード、３Ｐ…高電位側信号線、３Ｎ…低電位側信号線、５、２１、２３、３１、３３、３５…リンギング抑制回路、６…通信回路、７、２２、２４、３２、３４、３６…抑制部、１２…調整回路。

Claims (6)

1. 一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノード（２）との通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたリンギング抑制回路（５、２１、２３、３１、３３、３５）であって、
   前記一対の通信線間に、抵抗成分（１０）および容量成分（１１）が直列接続された構成を含む調整回路（１２）を接続することにより前記差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う抑制部（７、２２、２４、３２、３４、３６）と、
   を備え、
   前記抵抗成分として、ＭＯＳトランジスタ（Ｔ４）のオン抵抗を含み、
   前記抵抗成分として、さらに、抵抗素子（Ｒ３１、Ｒ３２）を含み、
   前記抵抗素子の抵抗値は、前記ＭＯＳトランジスタのオン抵抗の値よりも高い値に設定されているリンギング抑制回路。
2. 一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノード（２）との通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたリンギング抑制回路（５、２１、２３、３１、３３、３５）であって、
   前記一対の通信線間に、抵抗成分（１０）および容量成分（１１）が直列接続された構成を含む調整回路（１２）を接続することにより前記差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う抑制部（７、２２、２４、３２、３４、３６）と、
   を備え、
   前記抵抗成分として、ＭＯＳトランジスタ（Ｔ４）のオン抵抗を含み、
   前記容量成分は、高電位側の前記通信線（３Ｐ）と前記ＭＯＳトランジスタのオン抵抗との間に接続された第１コンデンサ（Ｃ２１）と、低電位側の前記通信線（３Ｎ）と前記ＭＯＳトランジスタのオン抵抗との間に接続された第２コンデンサ（Ｃ２）と、を含むリンギング抑制回路。
3. 前記抵抗成分として、さらに、抵抗素子（Ｒ３１、Ｒ３２）を含む請求項２に記載のリンギング抑制回路。
4. 前記容量成分として、コンデンサ（Ｃ２、Ｃ２１）を含む請求項１に記載のリンギング抑制回路。
5. 前記容量成分は、高電位側の前記通信線（３Ｐ）と前記ＭＯＳトランジスタのオン抵抗との間に接続された第１コンデンサ（Ｃ２１）と、低電位側の前記通信線（３Ｎ）と前記ＭＯＳトランジスタのオン抵抗との間に接続された第２コンデンサ（Ｃ２）と、を含む請求項１に記載のリンギング抑制回路。
6. 前記抵抗成分の抵抗値は、前記一対の通信線からなる伝送線路（３）の特性インピーダンスに合致するような値に設定されている請求項１から５のいずれか一項に記載のリンギング抑制回路。

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