JP6554404B2 - ガス温度測定方法及びガス導入システム - Google Patents

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Description

本発明は、ガス温度測定方法及びガス導入システムに関する。
半導体デバイスの製造工程では、処理ガスから生成したプラズマを用いることが多いため、プラズマの生成に係わるパラメータは重要なパラメータである。プラズマの生成に係わるパラメータとしては、例えば、処理室の減圧度、印加される高周波電力の周波数の他に処理ガスの流量が該当する。処理ガスの流量は、ＦＣＳ（Flow Control System）（登録商標）やＭＦＣ（Mass Flow Controller）等のガス流量制御器によって制御されるが、ガス流量制御器における流量の設定値と、ガス流量制御器が実際に制御する流量は、製造誤差や経時劣化等により、一致しない場合がある。したがって、ガス流量制御器の出荷時や定期メンテナンス時においてガス流量制御器の校正が行われる。
ガス流量制御器の校正方法としては、ガス流量制御器へ直列に接続される、内部容積が既知のビルドアップタンクへ設定流量のガスを流し、ビルドアップタンクのガス温度及びガス圧力から実際の流量を算出して設定流量と比較する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、ガス流量制御器の下流に配置された、内部容積が既知の配管へガスを流した際、異なるタイミングで配管におけるガス温度及びガス圧力を測定し、測定したガス温度及びガス圧力からそれぞれのタイミングにおいて流入したガスの質量を求め、これらのガス質量の差からガス流量制御器の絶対流量を検定する方法も知られている（例えば、特許文献２参照。）。
さらに、処理室の容積を算出する方法として、まず内部容積が既知である配管へ所定流量のガスを導入し、その後、配管から処理室へガスを導入し、配管内のガスの圧力と処理室内のガスの圧力の変化代に基づいて処理室の容積を推定する方法も知られている。
上述したガス流量制御器の校正方法や処理室の容積の算出方法では、いずれもガス温度を室温や配管の温度と同じと見なしている。
特開２０１２−３２９８３号公報 特開２００６−３３７３４６号公報
しかしながら、配管内やビルドアップタンク内の実際のガス温度は室温や配管の温度と異なる場合がある。この場合、ガス流量制御器の校正や処理室容積の算出を正しく行うことができない。一方、配管はガスボックス等に収容されることが多く、温度センサを追加で配置することが難しいため、配管内のガス温度を直接測定するのは困難であるという問題がある。
本発明の目的は、配管内のガス温度を測定することができるガス温度測定方法及びガス導入システムを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明のガス温度測定方法は、両端がガス供給源及び減圧器のそれぞれに接続される配管であって、前記ガス供給源側から順に配置される開閉自在の第１のバルブ、第２のバルブ及び第３のバルブにより、前記第１のバルブ及び前記第２のバルブの間の第１の配管、並びに前記第２のバルブ及び前記第３のバルブの間の第２の配管に仕切られ、前記第２の配管の内部容積は既知である配管におけるガス温度測定方法において、所定流量のガスを前記第１の配管及び前記第２の配管に導入したときの前記第１の配管内のガスの第１の圧力上昇率を測定するステップと、前記所定流量のガスを前記第１の配管のみに導入したときの前記第１の配管内のガスの第２の圧力上昇率を測定するステップと、前記第２の配管の内部容積、前記第１の圧力上昇率及び前記第２の圧力上昇率に基づいて前記第１の配管内のガス温度を算出するステップとを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明のガス導入システムは、ガス供給源と、減圧器と、両端が前記ガス供給源及び前記減圧器のそれぞれに接続される配管と、前記配管において前記ガス供給源側から順に配置される開閉自在の第１のバルブ、第２のバルブ及び第３のバルブと、制御部とを備えるガス導入システムであって、前記配管は、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ及び前記第３のバルブにより、前記第１のバルブ及び前記第２のバルブの間の第１の配管、並びに前記第２のバルブ及び前記第３のバルブの間の第２の配管に仕切られ、前記第２の配管の内部容積は既知であり、前記制御部は、所定流量のガスを前記第１の配管及び前記第２の配管に導入したときの前記第１の配管内のガスの第１の圧力上昇率を測定し、前記所定流量のガスを前記第１の配管のみに導入したときの前記第１の配管内のガスの第２の圧力上昇率を測定し、前記第２の配管の内部容積、前記第１の圧力上昇率及び前記第２の圧力上昇率に基づいて前記第１の配管内のガス温度を算出することを特徴とする。
本発明によれば、第２の配管の内部容積、第１の配管内及び第２の配管内のガスの第１の圧力上昇率、第１の配管内のガスの第２の圧力上昇率に基づいて第１の配管内のガス温度が算出されるので、第１の配管に温度センサ等を配置しなくても第１の配管内のガス温度を測定することができる。
本発明の実施の形態に係るガス温度測定方法を実行するガス導入システムの構成を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態に係るガス温度測定方法を示すフローチャートである。 図２のガス温度測定方法を実行したときの圧力上昇率を示すグラフである。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るガス温度測定方法を実行するガス導入システムの構成を概略的に示す図である。
図１において、ガス導入システム１０は、図示しないガス供給源及び処理室１１のそれぞれに両端が接続される配管１２と、配管１２においてガス供給源側（図中左方）から順に配置される開閉自在の第１のバルブ１３、第２のバルブ１４及び第３のバルブ１５と、処理室１１を介して配管１２と接続される真空ポンプ１６（減圧器）と、第１のバルブ１３及び第２のバルブ１４の間に配置されるＦＣＳ１７（ガス流量制御器）と、第１のバルブ１３及び第２のバルブ１４の間において配管１２から分岐した支管１８に取り付けられる圧力計１９と、ガス導入システム１０の各構成要素の動作を制御するコントローラ２０（制御部）とを備える。配管１２において、第１のバルブ１３及び第２のバルブ１４の間の部分は第１の配管１２ａを構成し、第２のバルブ１４及び第３のバルブ１５の間の部分は第２の配管１２ｂを構成する。第１の配管１２ａにはヒータ２１が配置され、第２の配管１２ｂにはヒータ２２が配置される。圧力計１９は第１の配管１２ａ内のガスの圧力を測定する。また、第１のバルブ１３、ＦＣＳ１７、第１の配管１２ａ及び圧力計１９はガスボックス２３内に収容される。ガス導入システム１０では、ガス供給源から供給されるガスがＦＣＳ１７によって流量を制御された上で処理室１１内へ導入される。真空ポンプ１６は処理室１１内、及び処理室１１を介して第１の配管１２ａ内や第２の配管１２ｂ内を減圧する。
ところで、上述したように、処理室１１の容積を算出する方法として、配管１２へまず所定量のガスを導入し、その後、配管１２から処理室１１へガスを導入し、配管１２内のガスの圧力と処理室１１内のガスの圧力の変化代に基づいて処理室１１の容積を推定する方法が知られている。この方法では容積の推定に配管１２内のガスの温度が必要であるが、第１の配管１２ａはガスボックス２３に収容されるため、温度センサの配置が困難であり、温度センサによって第１の配管１２ａ内のガスの温度を直接測定するのは不可能である。本実施の形態では、これに対応して、第１の配管１２ａに温度センサを配置することなく第１の配管１２ａ内のガスの温度を測定する。
ガス導入システム１０において、第３のバルブ１５のみを閉鎖し、第１の配管１２ａ及び第２の配管１２ｂへ流量Ｑ（ｓｃｃｍ）でガスを導入したときの第１の配管１２ａ（及び第２の配管１２ｂ）内のガスの圧力上昇率ｂ１に関しては、気体の状態方程式に基づいて下記式（１）が成立する。ここで、Ｖ１は第１の配管１２ａの内部容積であり、Ｖ２は第２の配管１２ｂの内部容積であり、Ｔｕは第１の配管１２ａや第２の配管１２ｂへ導入されるガスの温度であり、Ｔｋは第１の配管１２ａ内のガスの温度である。
また、ガス導入システム１０において第３のバルブ１５だけでなく第２のバルブ１４を閉鎖し、第１の配管１２ａのみへ流量Ｑでガスを導入したときの第１の配管１２ａ内のガスの圧力上昇率ｂ２に関しては、気体の状態方程式に基づいて下記式（２）が成立する。
ここで、上記式（１），（２）を第１の配管１２ａの内部容積Ｖ１を消去するように連立させ、流量ＱをＳＩ単位系の流量Ｑ０に置き換え、流量ＱのＳＩ単位系への置き換えに伴い導入されるガスの温度Ｔｕを絶対温度Ｔｏに置き換えると、第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋは下記式（３）に示す通りとなる。
また、第１の配管１２ａの内部容積Ｖ１は下記式（４）に示す通りとなる。
本実施の形態では、上記式（３）を用い、第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋを算出する。
図２は、本発明の実施の形態に係るガス温度測定方法を示すフローチャートである。本方法はコントローラ２０においてＣＰＵがプログラムを実行することによって実現される。また、第２の配管１２ｂの内部容積Ｖ２は事前の測定や設計図面等から既知であるものとする。
図２において、まず、第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ導入されるガスの温度Ｔｕが室温の差と所定温度差以上の温度、例えば、１００℃となるように、ヒータ２１，２２によって第１の配管１２ａ及び第２の配管１２ｂを加熱する。次いで、第１のバルブ１３を閉鎖する一方、第２のバルブ１４及び第３のバルブ１５を開弁し、処理室１１を介して真空ポンプ１６によって第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内を減圧する（ステップＳ２０１）。なお、第１の配管１２ａ及び第２の配管１２ｂを真空ポンプ１６と直接接続するバイパス管又は別の真空ポンプと接続する別のバイパス管を設け、該バイパス管によって第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内を直接減圧してもよい。
次いで、第３のバルブ１５を閉鎖し、圧力計１９によって第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内の圧力Ｐ１を測定する。その後、第１のバルブ１３を開弁するともにガス供給源からガス、例えば、窒素（Ｎ２）ガスを第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ導入する（ステップＳ２０２）。導入する窒素ガスの流量は、ＦＣＳ１７によって所定の流量、例えば、２００ｓｃｃｍに制御される。
次いで、圧力計１９によって第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内の圧力Ｐ２を測定する。さらに、第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内の圧力が圧力Ｐ１から圧力Ｐ２に達するために要した時間Ｔ１及び圧力差Ｐ２−Ｐ１に基づき、導入される窒素ガスによる第１の配管１２ａ内（及び第２の配管１２ｂ内）のガスの圧力上昇率ｂ１を算出して測定する（ステップＳ２０３）。その後、第１のバルブ１３を閉鎖するとともに第３のバルブ１５を開弁し、処理室１１を介して真空ポンプ１６によって第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内を減圧する（ステップＳ２０４）。
次いで、ガスの圧力上昇率ｂ１の測定回数が３回未満か否かを判別し（ステップＳ２０５）、３回未満であれば、ステップＳ２０２に戻り、３回以上であれば、第２のバルブ１４を閉鎖し、圧力計１９によって第１の配管１２ａ内の圧力Ｐ３を測定する。その後、第１のバルブ１３を開弁するともにガス供給源から窒素ガスを第１の配管１２ａ内のみへ導入する（ステップＳ２０６）。このときも、導入する窒素ガスの流量は、ＦＣＳ１７によって所定の流量、例えば、２００ｓｃｃｍに制御される。なお、窒素ガスの導入前に第１の配管１２ａを真空ポンプ１６によって再度減圧してもよい。
次いで、圧力計１９によって第１の配管１２ａ内の圧力Ｐ４を測定する。さらに、第１の配管１２ａ内の圧力が圧力Ｐ３から圧力Ｐ４に達するために要した時間Ｔ２及び圧力差Ｐ４−Ｐ３に基づき、導入される窒素ガスによる第１の配管１２ａ内のガスの圧力上昇率ｂ２を算出して測定する（ステップＳ２０７）。その後、第１のバルブ１３を閉鎖するとともに第２のバルブ１４及び第３のバルブ１５を開弁し、処理室１１を介して真空ポンプ１６によって第１の配管１２ａ内を減圧する（ステップＳ２０８）。
次いで、ガスの圧力上昇率ｂ２の測定回数が３回未満か否かを判別し（ステップＳ２０９）、３回未満であれば、ステップＳ２０２に戻り、３回以上であれば、既知の第２の配管１２ｂの内部容積Ｖ２、ステップＳ２０３で測定されたガスの圧力上昇率ｂ１、ステップＳ２０７で測定されたガスの圧力上昇率ｂ２、ＳＩ単位系に置き換えられた窒素ガスの流量Ｑ０及び絶対温度に置き換えられた窒素ガスの温度Ｔｏを用い、上記式（３）に基づいて第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋを算出し（ステップＳ２１０）、本方法を終了する。
図２のガス温度測定方法によれば、第２の配管１２ｂの内部容積Ｖ２、第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ窒素ガスを導入したときの第１の配管１２ａ内のガスの圧力上昇率ｂ１、第１の配管１２ａ内のみへ窒素ガスを導入したときの第１の配管１２ａ内のガスの圧力上昇率ｂ２、ＳＩ単位系に置き換えられた導入される窒素ガスの流量Ｑ０及び絶対温度に置き換えられた窒素ガスの温度Ｔｏに基づいて第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋが算出されるので、第１の配管１２ａに温度センサ等を配置しなくても第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋを測定することができる。
また、図２のガス温度測定方法では、第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ導入されるガスの温度Ｔｕが室温の差と所定温度差以上の温度、例えば、１００℃となるように第１の配管１２ａ及び第２の配管１２ｂが加熱される。これにより、導入されるガスの温度は外気温や室温の影響を受けにくくなり、もって、ガスの圧力上昇率ｂ１やガスの圧力上昇率ｂ２を安定した状態で測定することができる。その結果、正確なガスの圧力上昇率ｂ１やガスの圧力上昇率ｂ２を測定することができる。
さらに、図２のガス温度測定方法では、ガスの圧力上昇率ｂ１の測定を繰り返す際、ガスの圧力上昇率ｂ２の測定を繰り返す際、さらには、ガスの圧力上昇率ｂ１の測定後に初めてガスの圧力上昇率ｂ２の測定を行う前に、第１の配管１２ａ内や第２の配管１２ｂ内が減圧されるので、ガスの圧力上昇率ｂ１やガスの圧力上昇率ｂ２の測定条件をほぼ同じにすることができ、もって、繰り返し測定されるガスの圧力上昇率ｂ１やガスの圧力上昇率ｂ２がばらついて信頼性が低下するのを防止することができる。
なお、図２のガス温度測定方法では、ヒータ２１，２２によって第１の配管１２ａ及び第２の配管１２ｂを加熱したが、第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ導入されるガスの温度Ｔｕは上記式（３）において用いられないため、スループットを優先する場合、ヒータ２１，２２によって第１の配管１２ａ及び第２の配管１２ｂを加熱しなくてもよい。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
例えば、図２のガス温度測定方法では、先に第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ窒素ガスを導入したときのガスの圧力上昇率ｂ１の測定が繰り返され、その後、第１の配管１２ａ内のみへ窒素ガスを導入したときのガスの圧力上昇率ｂ２の測定が繰り返されたが、先に第１の配管１２ａ内のみへ窒素ガスを導入したときのガスの圧力上昇率ｂ２の測定が繰り返され、その後、第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ窒素ガスを導入したときのガスの圧力上昇率ｂ１の測定が繰り返されてもよい。
本実施の形態では、特に処理室１１を特定しないが、容積を測定する必要がある処理室であれば処理室１１に該当し、例えば、ドライエッチング装置の処理室や成膜装置の処理室が処理室１１に該当する。
また、本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、ガス導入システム１０が備えるコントローラ２０に供給し、コントローラ２０のＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコントローラ２０に供給されてもよい。
また、コントローラ２０が読み出したプログラムコードを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コントローラ２０に挿入された機能拡張ボードやコントローラ２０に接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
次に、本発明の実施例について説明する。
ここでは、ガス供給源から導入される窒素ガスの流量をＦＣＳ１７によって２００ｓｃｃｍに制御して図２のガス温度測定方法を実行した。
図３は、図２のガス温度測定方法を実行したときの圧力上昇率を示すグラフである。ここでは、ステップＳ２０３及びステップＳ２０７において、第１の配管１２ａ内の圧力が凡そ６０Ｔｏｒｒへ達したときに窒素ガスの導入を停止し、直ちに、続くステップＳ２０４やステップＳ２０８を実行した。
図３において、第１の配管１２ａ内及び第２の配管１２ｂ内へ窒素ガスを導入したときの第１の配管１２ａ内のガスの圧力上昇率ｂ１は１５．４４７Ｔｏｒｒ／秒、１５．４３６Ｔｏｒｒ／秒、１５．４４８Ｔｏｒｒ／秒であり、第１の配管１２ａ内のみへ窒素ガスを導入したときの第１の配管１２ａ内のガスの圧力上昇率ｂ２は３０．５３３Ｔｏｒｒ／秒、３０．５４６Ｔｏｒｒ／秒、３０．５３４Ｔｏｒｒ／秒であった。本実施例では、圧力上昇率ｂ１及び圧力上昇率ｂ２のそれぞれのばらつきが小さいことから、それぞれの最初の測定結果を用いた。また、第２の配管１２ｂの内部容積Ｖ２は設計図面から０．１０５１１Ｌと算出され、２００ｓｃｃｍの流量ＱがＳＩ単位系に置き換えられた流量Ｑ０は２．５４０９３Ｔｏｒｒ・Ｌ／秒であることから、上記式（３）に基づいて第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋは８０．１℃と算出された。また、上記式（４）に基づいて第１の配管１２ａの内部容積Ｖ１は０．１０８６３Ｌと算出された。算出結果の正確性を確認するため、算出された第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋ（８０．１℃）と、第１の配管１２ａの内部容積Ｖ１及び第２の配管１２ｂの内部容積Ｖ２の合計値（０．２１３７４Ｌ）とを用い、下記式（５）に基づいて流量Ｑを逆算したところ、流量Ｑとして２００．６ｓｃｃｍが得られた。これは、ＦＣＳ１７によって制御される流量Ｑ（２００ｓｃｃｍ）とほぼ一致した。
以上より、図２のガス温度測定方法によって算出された第１の配管１２ａ内のガスの温度Ｔｋはほぼ正確であることが確認された。
１０ ガス導入システム
１２ 配管
１２ａ 第１の配管
１２ｂ 第２の配管
１３ 第１のバルブ
１４ 第２のバルブ
１５ 第３のバルブ
１６ 真空ポンプ
１７ ガス流量制御器
１９ 圧力計
２０ コントローラ

Claims (6)

  1. 両端がガス供給源及び減圧器のそれぞれに接続される配管であって、前記ガス供給源側から順に配置される開閉自在の第１のバルブ、第２のバルブ及び第３のバルブにより、前記第１のバルブ及び前記第２のバルブの間の第１の配管、並びに前記第２のバルブ及び前記第３のバルブの間の第２の配管に仕切られ、前記第２の配管の内部容積は既知である配管におけるガス温度測定方法において、
    所定流量のガスを前記第１の配管及び前記第２の配管に導入したときの前記第１の配管内のガスの第１の圧力上昇率を測定するステップと、
    前記所定流量のガスを前記第１の配管のみに導入したときの前記第１の配管内のガスの第２の圧力上昇率を測定するステップと、
    前記第２の配管の内部容積、前記第１の圧力上昇率及び前記第２の圧力上昇率に基づいて前記第１の配管内のガス温度を算出するステップとを有することを特徴とするガス温度測定方法。
  2. 下記式に基づいて前記第１の配管内のガス温度を算出することを特徴とする請求項１記載のガス温度測定方法。

    但し、Ｔｋ：前記第１の配管内のガス温度、ｂ１：前記第１の圧力上昇率、ｂ２：前記第２の圧力上昇率、Ｖ２：前記第２の配管の内部容積、Ｑ０：前記導入されるガスの所定流量（ＳＩ単位系）、Ｔ０：前記導入されるガスの絶対温度
  3. 前記導入されるガスを加熱して該導入されるガスの温度及び室温の差を所定温度差以上に設定することを特徴とする請求項１又は２記載のガス温度測定方法。
  4. 前記第１の圧力上昇率の測定及び前記第２の圧力上昇率の測定の間に前記第１の配管及び前記第２の配管を減圧するステップをさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のガス温度測定方法。
  5. 前記第１の圧力上昇率を測定するステップと、前記第２の圧力上昇率を測定するステップとのいずれも複数回繰り返して実行することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のガス温度測定方法。
  6. ガス供給源と、減圧器と、両端が前記ガス供給源及び前記減圧器のそれぞれに接続される配管と、前記配管において前記ガス供給源側から順に配置される開閉自在の第１のバルブ、第２のバルブ及び第３のバルブと、制御部とを備えるガス導入システムであって、 前記配管は、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ及び前記第３のバルブにより、前記第１のバルブ及び前記第２のバルブの間の第１の配管、並びに前記第２のバルブ及び前記第３のバルブの間の第２の配管に仕切られ、
    前記第２の配管の内部容積は既知であり、
    前記制御部は、所定流量のガスを前記第１の配管及び前記第２の配管に導入したときの前記第１の配管内のガスの第１の圧力上昇率を測定し、前記所定流量のガスを前記第１の配管のみに導入したときの前記第１の配管内のガスの第２の圧力上昇率を測定し、前記第２の配管の内部容積、前記第１の圧力上昇率及び前記第２の圧力上昇率に基づいて前記第１の配管内のガス温度を算出することを特徴とするガス導入システム。
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