JP6549510B2 - Gas detection system - Google Patents

Description

本発明は、被検出雰囲気中に存在するガスの濃度を検出するガス検出システムに関する。   The present invention relates to a gas detection system that detects the concentration of gas present in a detected atmosphere.

近年、環境保護および自然保護などの社会的要求から、高い効率を有し且つ環境への負荷が少ないエネルギー源として、燃料電池の研究が活発に行われている。燃料電池の中で、固体高分子型燃料電池が、作動温度が低く出力密度が高いなどの利点により、家庭用のエネルギー源または車載用のエネルギー源として着目されている。固体高分子型燃料電池は水素を燃料として用いているため、水素漏れを検出するガス検出装置が必要になる。   BACKGROUND ART In recent years, research on fuel cells has been actively conducted as an energy source having high efficiency and low environmental impact due to social demands such as environmental protection and nature protection. Among fuel cells, a polymer electrolyte fuel cell has attracted attention as a home energy source or a vehicle energy source because of advantages such as low operating temperature and high output density. Since a polymer electrolyte fuel cell uses hydrogen as a fuel, a gas detection device for detecting a hydrogen leak is required.

従来、設定周期毎に第１設定温度および第２設定温度の何れか一方に交互に制御される発熱抵抗体の端子間電圧と、被検出雰囲気の温度に応じて抵抗値が変化する測温抵抗体の端子間電圧とに基づいて、被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスの濃度を検出する可燃性ガス検出装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。   Conventionally, a temperature measuring resistance whose resistance value changes according to the temperature of the detected atmosphere and the voltage between the terminals of the heating resistor alternately controlled to any one of the first set temperature and the second set temperature at each set period. BACKGROUND A flammable gas detection device is known that detects the concentration of flammable gas present in a detected atmosphere based on the voltage between terminals of the body (see, for example, Patent Document 1).

特許第４３０２６１１号公報Patent No. 4302611

特許文献１に記載の可燃性ガス検出装置は、被検出雰囲気の湿度と温度の変化に応じて可燃性ガスの濃度を補正することができる。しかし、特許文献１に記載の可燃性ガス検出装置は、その他の環境条件（例えば、被検出雰囲気の圧力）が変化した場合には、この環境条件の変化に応じて可燃性ガスの濃度を補正することができず、ガス濃度の検出精度が低下してしまうという問題があった。   The combustible gas detection device described in Patent Document 1 can correct the concentration of the combustible gas according to changes in the humidity and temperature of the detected atmosphere. However, the combustible gas detection device described in Patent Document 1 corrects the concentration of the combustible gas according to the change of the environmental condition, when the other environmental condition (for example, the pressure of the detected atmosphere) changes. There is a problem that the detection accuracy of the gas concentration is lowered.

本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、ガス濃度の検出精度を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to improve the detection accuracy of the gas concentration.

上記目的を達成するためになされた本発明のガス検出システムは、被検出雰囲気内における検出対象ガスの濃度に応じて電気的特性が変化するガス検出素子と、検出回路と、濃度算出部とを有するガス検出装置を複数備える。検出回路は、ガス検出素子における検出対象ガスの濃度に応じた電気的特性の変化に基づいて検出対象ガスの濃度を示す濃度出力値を出力する。濃度算出部は、濃度出力値に基づいて検出対象ガスの濃度を算出する。   A gas detection system according to the present invention made to achieve the above object comprises a gas detection element whose electrical characteristics change according to the concentration of a detection target gas in a detection atmosphere, a detection circuit, and a concentration calculation unit. A plurality of gas detection devices are provided. The detection circuit outputs a concentration output value indicating the concentration of the gas to be detected based on the change in the electrical characteristics according to the concentration of the gas to be detected in the gas detection element. The concentration calculation unit calculates the concentration of the gas to be detected based on the concentration output value.

複数のガス検出装置はそれぞれ、互いに同一のガス検出素子と、互いに同一の検出回路とを有する。なお、ガス検出素子における「互いに同一」とは、その電気的特性が、ガス検出素子の公差の範囲内または製造ばらつきの許容範囲内で一致している（実質的に一致する傾向を示す）ことをいう。また、検出回路における「互いに同一」とは、ガス検出素子の電気的特性に基づいて濃度出力値を出力する出力特性が、検出回路の公差の範囲内または製造ばらつきの許容範囲内で一致している（実質的に一致する傾向を示す）ことをいう。   Each of the plurality of gas detection devices has the same gas detection element and the same detection circuit. In the gas detection element, "the same as each other" means that the electrical characteristics are matched (showing a tendency to substantially match) within the tolerance of the gas detection element or within the tolerance of the manufacturing variation. Say Also, “identical to each other” in the detection circuit means that the output characteristics that output concentration output values based on the electrical characteristics of the gas detection element match within the tolerance of the detection circuit or within the tolerance of manufacturing variations. (Having a tendency to substantially match).

また、ガス検出装置が検出対象ガスの漏れを検出する対象となる箇所を漏れ検出箇所として、複数のガス検出装置はそれぞれ、互いに異なる漏れ検出箇所に設置される。
そして、複数のガス検出装置はそれぞれ、濃度取得部と、補正部とを備える。 Further, a plurality of gas detection devices are installed at mutually different leak detection locations, with the location at which the gas detection device detects a leak of the detection target gas as the leak detection location.
Each of the plurality of gas detection devices includes a concentration acquisition unit and a correction unit.

濃度取得部は、少なくとも１つの他のガス検出装置の濃度算出部が算出した検出対象ガスの濃度を示すガス濃度情報を取得する。補正部は、濃度取得部により取得されたガス濃度情報を他ガス濃度情報として、他ガス濃度情報を用いて、濃度算出部により算出された検出対象ガスの濃度を補正する。   The concentration acquisition unit acquires gas concentration information indicating the concentration of the detection target gas calculated by the concentration calculation unit of at least one other gas detection device. The correction unit corrects the concentration of the detection target gas calculated by the concentration calculation unit using the gas concentration information acquired by the concentration acquisition unit as the other gas concentration information and using the other gas concentration information.

このように構成された本発明のガス検出システムでは、複数のガス検出装置がそれぞれ、互いに異なる漏れ検出箇所における検出対象ガスの漏れを検出する。そして、複数のガス検出装置はそれぞれ、他のガス検出装置の濃度算出部が算出した濃度を用いて、自身の濃度算出部が算出した検出対象ガスの濃度を補正する。   In the gas detection system of the present invention configured as described above, the plurality of gas detection devices respectively detect leaks of the detection target gas at different leak detection locations. Then, each of the plurality of gas detection devices corrects the concentration of the detection target gas calculated by the concentration calculation unit of itself using the concentration calculated by the concentration calculation unit of the other gas detection device.

なお、複数の漏れ検出箇所で同時に検出対象ガスの漏れが発生する可能性は非常に小さいと仮定すると、０より大きい濃度を算出するガス検出装置が同時に２つ以上存在する場合には、少なくとも１つのガス検出装置は、検出対象ガスの漏れ以外の原因で０より大きい濃度を算出したと判断することができる。また、互いに異なる漏れ検出箇所に設置される複数のガス検出装置は、検出対象ガスの漏れ以外の環境条件に対して実質的に同条件に晒され得るため、複数のガス検出装置に対する上記環境条件の変化による濃度の算出結果の誤差も実質的に同様に生じるものと考えることができる。   In addition, assuming that the possibility of the leak of the detection target gas occurring simultaneously at a plurality of leak detection points is very small, at least one when two or more gas detection devices for calculating the concentration larger than 0 exist at the same time. It can be determined that one gas detection device has calculated a concentration greater than 0 for reasons other than leakage of the gas to be detected. In addition, since the plurality of gas detection devices installed at different leak detection points can be substantially exposed to the same conditions with respect to environmental conditions other than the leak of the detection target gas, the above environmental conditions for the plurality of gas detection devices It can be considered that the error of the calculation result of the concentration due to the change of is substantially the same.

このため、複数のガス検出装置はそれぞれ、検出対象ガスの漏れ以外の原因で０より大きい濃度を算出したと判断されたガス検出装置により算出された濃度に基づいて、検出対象ガスの漏れ以外の原因に起因した濃度分を補正することができる。   For this reason, each of the plurality of gas detection devices is based on the concentration calculated by the gas detection device that is determined to have calculated the concentration greater than 0 for reasons other than leakage of the detection target gas. It is possible to correct the concentration due to the cause.

したがって、本発明のガス検出システムは、検出対象ガスの漏れ以外の原因（検出対象ガスの漏れ以外の環境条件の変化）に起因して濃度の算出結果に誤差が生じるのを抑制し、検出対象ガスの濃度の検出精度を向上させることができる。   Therefore, the gas detection system of the present invention suppresses the occurrence of an error in the calculation result of the concentration due to the cause other than the leak of the gas to be detected (change in environmental conditions other than the leak of the gas to be detected) The detection accuracy of the concentration of gas can be improved.

なお、本発明のガス検出システムでは、検出対象ガスの漏れ以外の環境条件の変化に起因して濃度の算出結果に誤差が生じるのを抑制することができるため、従来の特許文献１に記載された可燃性ガス検出装置のように、各検出装置において被検出雰囲気の湿度を決定して濃度補正を実行する処理を不要にすることも可能となる。これにより、ガス検出装置１つあたりの構成（例えば、検出回路の実装部品の構成、濃度算出部の処理内容）をシンプルにすることができ、複数のガス検出装置を用いてガス検出システムを構成する場合に、システムトータルのコスト低減を図ることも可能となる。   In the gas detection system of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of an error in the calculation result of the concentration due to the change in environmental conditions other than the leak of the gas to be detected. As in the case of the flammable gas detection device, it is also possible to eliminate the need for the process of performing concentration correction by determining the humidity of the atmosphere to be detected in each detection device. This makes it possible to simplify the configuration per gas detection device (for example, the configuration of the mounted components of the detection circuit, the processing content of the concentration calculation unit), and a gas detection system is configured using a plurality of gas detection devices. In this case, it is also possible to reduce the total cost of the system.

また本発明のガス検出システムでは、補正部は、濃度取得部により取得された少なくとも１つの他ガス濃度情報が示す濃度と、自身の濃度算出部が算出した濃度との中で、最も小さい濃度を基準濃度とし、自身の濃度算出部により算出された検出対象ガスの濃度から、基準濃度が減算された減算値が、検出対象ガスの濃度の補正値となるように検出対象ガスの濃度を補正するようにしてもよい。   Further, in the gas detection system of the present invention, the correction unit is the smallest concentration among the concentration indicated by the at least one other gas concentration information acquired by the concentration acquisition unit and the concentration calculated by the concentration calculation unit of itself. As the reference concentration, the concentration of the detection target gas is corrected so that the subtraction value obtained by subtracting the reference concentration from the concentration of the detection target gas calculated by the concentration calculation unit of itself becomes the correction value of the concentration of the detection target gas. You may do so.

また本発明のガス検出システムでは、補正部は、異常判断部と、更新部と、禁止部とを備えるようにしてもよい。異常判断部は、算出された基準濃度が予め設定された異常判定値以上であるか否かを判断する。更新部は、基準濃度が算出される毎に基準濃度を更新する。禁止部は、基準濃度が異常判定値以上であると異常判断部が判断した場合に、更新部が基準濃度を更新するのを禁止する。   In the gas detection system of the present invention, the correction unit may include an abnormality determination unit, an update unit, and a prohibition unit. The abnormality determination unit determines whether the calculated reference concentration is equal to or more than a predetermined abnormality determination value. The updating unit updates the reference concentration each time the reference concentration is calculated. The inhibition unit prohibits the updating unit from updating the reference concentration when the abnormality determining unit determines that the reference concentration is equal to or higher than the abnormality determination value.

これにより、本発明のガス検出システムは、基準濃度が異常判定値以上になるという異常が発生した場合に、前回に算出された基準濃度を用いて、検出対象ガスの濃度を補正することができる。   Thereby, the gas detection system according to the present invention can correct the concentration of the gas to be detected using the previously calculated reference concentration when an abnormality occurs such that the reference concentration becomes equal to or higher than the abnormality determination value. .

このように、複数のガス濃度情報が示す濃度の中で最も小さい濃度である基準濃度が異常判定値以上となるということは、可能性は非常に低いものの複数の漏れ検出箇所で同時に検出対象ガスの漏れが発生している可能性がある。このような状況において、異常判定値以上となっている基準濃度を減算することにより検出対象ガスの濃度を補正すると、複数の漏れ検出箇所で実際に漏れが発生したとしても、これら複数の漏れ検出箇所で漏れを検出することができなくなってしまう事態の発生が懸念される。   As described above, the fact that the reference concentration, which is the smallest concentration among the concentrations indicated by the plurality of gas concentration information, is equal to or higher than the abnormality determination value is that the possibility is very low, but the gas to be detected simultaneously at a plurality of leak detection locations Leakage may have occurred. In such a situation, if the concentration of the gas to be detected is corrected by subtracting the reference concentration that is equal to or higher than the abnormality determination value, even if leaks actually occur at a plurality of leak detection locations, these leaks are detected There is a concern that the situation where the leak can not be detected at the place will occur.

これに対し、本発明のガス検出システムは、算出された基準濃度が異常判定値以上になる前に算出された基準濃度を用いて検出対象ガスの濃度を補正することができる。これにより、本発明のガス検出システムは、複数の漏れ検出箇所で漏れが発生したとしても、複数の漏れ検出箇所での漏れを検出することが可能となる。   On the other hand, the gas detection system of the present invention can correct the concentration of the gas to be detected using the reference concentration calculated before the calculated reference concentration becomes equal to or higher than the abnormality determination value. Thus, the gas detection system of the present invention can detect leaks at a plurality of leak detection locations even if leaks occur at a plurality of leak detection locations.

また本発明のガス検出システムでは、補正部は、基準濃度が異常判定値以上であると異常判断部が判断した場合に、基準濃度を予め設定された異常時設定値に設定する基準設定部を備えるようにしてもよい。これにより、本発明のガス検出システムは、異常判定値より小さい値を基準濃度として検出対象ガスの濃度を補正することができ、複数の漏れ検出箇所で漏れが発生したとしても、複数の漏れ検出箇所での漏れを検出することが可能となる。   Further, in the gas detection system according to the present invention, the correction unit sets the reference setting unit to set the reference concentration to a preset abnormality setting value when the abnormality determination unit determines that the reference concentration is equal to or more than the abnormality determination value. It may be provided. As a result, the gas detection system of the present invention can correct the concentration of the gas to be detected using the value smaller than the abnormality determination value as the reference concentration, and even if leaks occur at a plurality of leak detection locations, a plurality of leak detections It is possible to detect leaks at places.

可燃性ガス検出装置１の配置を示す燃料電池自動車３００の側面図である。FIG. 2 is a side view of a fuel cell vehicle 300 showing the arrangement of the flammable gas detection device 1; 可燃性ガス検出装置１の構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a flammable gas detection device 1; ガス検出素子２の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the gas detection element 2; ガス検出素子２の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a gas detection element 2; 第１実施形態の濃度演算処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows concentration operation processing of a 1st embodiment. 水素漏れおよび外乱の状態に対応する自ガス濃度Ｎａと補正ガス濃度Ｎｄを示す図表である。It is a graph which shows self-gas concentration Na and correction | amendment gas concentration Nd corresponding to the state of hydrogen leak and disturbance. 第２実施形態の濃度演算処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows concentration operation processing of a 2nd embodiment. 第３実施形態の濃度演算処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows density operation processing of a 3rd embodiment.

（第１実施形態）
以下に本発明の第１実施形態を図面とともに説明する。
本発明が適用された実施形態のガス検出システム２００は、図１に示すように、燃料電池自動車３００に搭載された可燃性ガス検出装置１ａと可燃性ガス検出装置１ｂを備える。 First Embodiment
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the gas detection system 200 of the embodiment to which the present invention is applied includes a flammable gas detection device 1a and a flammable gas detection device 1b which are mounted on a fuel cell vehicle 300.

燃料電池自動車３００は、前輪３０１付近に形成されたモータルーム３０２の内部に設置される燃料電池３０３と、後輪３０４付近に形成されたタンクルーム３０５の内部に設置される複数の水素タンク３０６とを備える。燃料電池３０３と水素タンク３０６とは、図示しないガス供給管で接続されており、ガス供給管を介して水素タンク３０６から燃料電池３０３へ水素ガスが供給される。   Fuel cell automobile 300 includes a fuel cell 303 installed inside motor room 302 formed near front wheel 301, and a plurality of hydrogen tanks 306 installed inside tank room 305 formed near rear wheel 304. Equipped with The fuel cell 303 and the hydrogen tank 306 are connected by a gas supply pipe (not shown), and hydrogen gas is supplied from the hydrogen tank 306 to the fuel cell 303 via the gas supply pipe.

可燃性ガス検出装置１ａは、モータルーム３０２の内部における燃料電池３０３の上方に設置される。可燃性ガス検出装置１ｂは、タンクルーム３０５の内部における水素タンク３０６の上方に設置される。   The combustible gas detection device 1 a is installed above the fuel cell 303 inside the motor room 302. The combustible gas detection device 1 b is installed above the hydrogen tank 306 inside the tank room 305.

以下、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂを代表した１つの可燃性ガス検出装置を可燃性ガス検出装置１という。
可燃性ガス検出装置１は、熱伝導式のガス検出器であり、被検出雰囲気内（例えば、燃料電池自動車のモータールーム）に設置されて、水素の漏れを検出する目的等に用いられる。なお、被検出雰囲気とは、可燃性ガス検出装置１の検出対象となるガス雰囲気をいう。 Hereinafter, one flammable gas detection device representing the flammable gas detection devices 1a and 1b is referred to as a flammable gas detection device 1.
The combustible gas detection device 1 is a heat conduction type gas detector, is installed in a detected atmosphere (for example, a motor room of a fuel cell vehicle), and is used for the purpose of detecting a leak of hydrogen and the like. The detected atmosphere refers to a gas atmosphere to be detected by the combustible gas detection device 1.

可燃性ガス検出装置１は、図２に示すように、ガス検出素子２、制御部３、演算部４、直流電源５および無線通信部６を備える。
ガス検出素子２は、水素ガスの濃度を検出する。制御部３は、ガス検出素子２の動作を制御する。演算部４は、ガス検出素子２からの出力信号に基づいて水素ガス濃度を算出する処理を実行する。直流電源５は、制御部３と演算部４と無線通信部６に電力を供給する。無線通信部６は、互いに異なる可燃性ガス検出装置１の無線通信部６との間で無線データ通信を行う。 As shown in FIG. 2, the combustible gas detection device 1 includes a gas detection element 2, a control unit 3, a calculation unit 4, a DC power supply 5, and a wireless communication unit 6.
The gas detection element 2 detects the concentration of hydrogen gas. The control unit 3 controls the operation of the gas detection element 2. The calculation unit 4 executes a process of calculating the hydrogen gas concentration based on the output signal from the gas detection element 2. The DC power supply 5 supplies power to the control unit 3, the calculation unit 4, and the wireless communication unit 6. The wireless communication unit 6 performs wireless data communication with the wireless communication units 6 of the combustible gas detection devices 1 different from each other.

ガス検出素子２は、図３に示すように、基部１１と、発熱抵抗体１２と、電極１３，１４と、配線１５，１６とを備える。
基部１１は、ガス検出素子２の本体を構成するものであり、主にシリコンを材料として矩形板状に形成された部材である。基部１１は、縦横ともに数ｍｍ程度の大きさ（本実施形態では、３ｍｍ×３ｍｍ程度の大きさ）に形成されている。 As shown in FIG. 3, the gas detection element 2 includes a base 11, a heating resistor 12, electrodes 13 and 14, and wirings 15 and 16.
The base 11 constitutes the main body of the gas detection element 2 and is a member formed in a rectangular plate shape mainly using silicon as a material. The base 11 is formed to have a size of about several mm in both the vertical and horizontal directions (in the present embodiment, a size of about 3 mm × 3 mm).

基部１１は、図４に示すように、シリコン基板２１と、シリコン基板２１の表面に形成された絶縁層２２とを備える。絶縁層２２は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）および窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）等の絶縁性材料で形成されている。 As shown in FIG. 4, the base 11 includes a silicon substrate 21 and an insulating layer 22 formed on the surface of the silicon substrate 21. The insulating layer 22 is formed of, for example, an insulating material such as silicon dioxide (SiO ₂ ) and silicon nitride (Si ₃ N ₄ ).

シリコン基板２１の中央には、平面視において正方形状に形成されてシリコン基板２１を貫通する空洞部２３が形成される。これにより基部１１は、シリコン基板２１を枠体とし絶縁層２２を薄膜としたダイヤフラム構造を有する。   At the center of the silicon substrate 21, a hollow portion 23 which is formed in a square shape in plan view and penetrates the silicon substrate 21 is formed. Thus, the base 11 has a diaphragm structure in which the silicon substrate 21 is used as a frame and the insulating layer 22 is used as a thin film.

発熱抵抗体１２は、自身の温度変化により抵抗値が変化するとともに温度抵抗係数が大きい導電性材料（本実施形態では白金（Ｐｔ））で線状に形成されている。そして、線状の発熱抵抗体１２は、絶縁層２２のうち空洞部２３と対向する領域の内部に、渦巻き状に埋め込まれている（図３参照）。   The heating resistor 12 is linearly formed of a conductive material (in this embodiment, platinum (Pt) in the present embodiment) whose resistance value changes due to its own temperature change and whose temperature resistance coefficient is large. The linear heating resistor 12 is spirally embedded in a region of the insulating layer 22 facing the cavity 23 (see FIG. 3).

電極１３，１４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）または金（Ａｕ）で形成され、基部１１の表面に設置される。図３に示すように、電極１３および電極１４はそれぞれ、配線１５，１６を介して、線状の発熱抵抗体１２の一端および他端に接続される。   The electrodes 13 and 14 are made of, for example, aluminum (Al) or gold (Au), and are disposed on the surface of the base 11. As shown in FIG. 3, the electrodes 13 and 14 are connected to one end and the other end of the linear heating resistor 12 through the wirings 15 and 16, respectively.

また、絶縁層２２の内部には測温抵抗体１７が設けられている。測温抵抗体１７は、電気抵抗が温度に比例して変化する導電性材料で線状に形成されている。この測温抵抗体１７は、絶縁層２２の内部に、蛇行状に埋め込まれている（図３参照）。本実施形態では、測温抵抗体１７は、温度の上昇に伴って抵抗値が増大する導電性材料（本実施形態では白金（Ｐｔ））で形成されている。   Further, a temperature measuring resistor 17 is provided inside the insulating layer 22. The temperature measuring resistor 17 is linearly formed of a conductive material whose electric resistance changes in proportion to the temperature. The temperature measuring resistor 17 is embedded in a meandering manner inside the insulating layer 22 (see FIG. 3). In the present embodiment, the temperature measuring resistor 17 is formed of a conductive material (in the present embodiment, platinum (Pt)) whose resistance value increases as the temperature rises.

さらに基部１１の表面には、電極１８，１９が設置される。電極１８および電極１９はそれぞれ、線状に形成された測温抵抗体１７における長手方向の一端および他端に接続される。   Furthermore, electrodes 18 and 19 are provided on the surface of the base 11. The electrode 18 and the electrode 19 are connected to one end and the other end in the longitudinal direction, respectively, of the temperature-measuring resistor 17 formed linearly.

制御部３は、図２に示すように、通電制御回路３１と、温度検出回路３２とを備える。
通電制御回路３１は、発熱抵抗体１２の温度を一定に保つ回路であり、ブリッジ回路４１と増幅回路４２と電流調整回路４３とを備える。 The control part 3 is provided with the electricity supply control circuit 31 and the temperature detection circuit 32, as shown in FIG.
The conduction control circuit 31 is a circuit for keeping the temperature of the heating resistor 12 constant, and includes a bridge circuit 41, an amplification circuit 42, and a current adjustment circuit 43.

ブリッジ回路４１は、発熱抵抗体１２と、固定抵抗５１，５２，５３とを備えるホイートストンブリッジ回路である。
発熱抵抗体１２は、一端が固定抵抗５２に接続され、他端が固定抵抗５１に接続されている。以下、発熱抵抗体１２と固定抵抗５２との接続点を接続点Ｐ１＋という。また、発熱抵抗体１２と固定抵抗５１との接続点を接続点ＰＧという。接続点ＰＧは接地される。 The bridge circuit 41 is a Wheatstone bridge circuit including the heat generating resistor 12 and the fixed resistors 51, 52, 53.
The heating resistor 12 has one end connected to the fixed resistor 52 and the other end connected to the fixed resistor 51. Hereinafter, a connection point between the heating resistor 12 and the fixed resistor 52 is referred to as a connection point P1 +. Further, a connection point between the heating resistor 12 and the fixed resistor 51 is referred to as a connection point PG. The connection point PG is grounded.

固定抵抗５１は、発熱抵抗体１２に接続されていない側の端部が固定抵抗５３に接続される。以下、固定抵抗５１と固定抵抗５３との接続点を接続点Ｐ１−という。
固定抵抗５２は、発熱抵抗体１２に接続されていない側の端部が、固定抵抗５３において固定抵抗５１に接続されていない側の端部と接続される。以下、固定抵抗５２と固定抵抗５３との接続点を接続点ＰＶという。 The fixed resistor 51 is connected to the fixed resistor 53 at the end not connected to the heating resistor 12. Hereinafter, a connection point between the fixed resistor 51 and the fixed resistor 53 is referred to as a connection point P1-.
The end of the fixed resistor 52 not connected to the heat generating resistor 12 is connected to the end of the fixed resistor 53 not connected to the fixed resistor 51. Hereinafter, a connection point between the fixed resistor 52 and the fixed resistor 53 is referred to as a connection point PV.

そしてブリッジ回路４１は、接続点Ｐ１＋と接続点Ｐ１−との間に生ずる電位差がゼロになるように、電流調整回路４３から制御電圧が印加される。これにより、発熱抵抗体１２の抵抗値、つまり、発熱抵抗体１２の温度が一定になるように制御される。   The control circuit 43 applies a control voltage to the bridge circuit 41 such that the potential difference between the connection point P1 + and the connection point P1− is zero. Thereby, the resistance value of the heat generating resistor 12, that is, the temperature of the heat generating resistor 12 is controlled to be constant.

なお固定抵抗５１は、発熱抵抗体１２が設定温度（例えば、４００℃）になるように制御される抵抗値を有する。
増幅回路４２は、差動増幅回路であって、演算増幅器８１と、固定抵抗８２，８３，８４と、コンデンサ８５とを備える。 The fixed resistor 51 has a resistance value controlled such that the heating resistor 12 reaches a set temperature (for example, 400 ° C.).
The amplification circuit 42 is a differential amplification circuit, and includes an operational amplifier 81, fixed resistors 82, 83 and 84, and a capacitor 85.

固定抵抗８２は、演算増幅器８１の非反転入力端子と接続点Ｐ１＋との間に接続される。固定抵抗８３は、演算増幅器８１の反転入力端子と接続点Ｐ１−との間に接続される。固定抵抗８４およびコンデンサ８５は、演算増幅器８１の反転入力端子と出力端子との間に並列接続される。   The fixed resistor 82 is connected between the noninverting input terminal of the operational amplifier 81 and the connection point P1 +. The fixed resistor 83 is connected between the inverting input terminal of the operational amplifier 81 and the connection point P1−. The fixed resistor 84 and the capacitor 85 are connected in parallel between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 81.

非反転入力端子の入力電圧が反転入力端子の入力電圧より大きい場合には、増幅回路４２が出力する調整信号Ｃの値が大きくなる。一方、非反転入力端子の入力電圧が反転入力端子の入力電圧より小さい場合には、調整信号Ｃの値が小さくなる。   When the input voltage of the non-inverted input terminal is larger than the input voltage of the inverted input terminal, the value of the adjustment signal C output from the amplifier circuit 42 is increased. On the other hand, when the input voltage of the non-inverted input terminal is smaller than the input voltage of the inverted input terminal, the value of the adjustment signal C decreases.

電流調整回路４３は、ＰＮＰ型のトランジスタであり、エミッタ、コレクタおよびベースを有する。電流調整回路４３のエミッタは、直流電源Ｖｃｃを供給する電源ラインに接続される。電流調整回路４３のコレクタは、接続点ＰＶに接続される。電流調整回路４３のベースは、演算増幅器８１の出力端子に接続される。   The current adjustment circuit 43 is a PNP transistor, and has an emitter, a collector and a base. The emitter of the current adjustment circuit 43 is connected to a power supply line for supplying a DC power supply Vcc. The collector of the current adjustment circuit 43 is connected to the connection point PV. The base of the current adjustment circuit 43 is connected to the output terminal of the operational amplifier 81.

このため、調整信号Ｃの値が大きくなると、電流調整回路４３を構成するトランジスタのオン抵抗が大きくなり、電流調整回路４３を介して直流電源Ｖｃｃからブリッジ回路４１へ流れる電流が減少する。一方、調整信号Ｃの値が小さくなると、オン抵抗が小さくなり、直流電源Ｖｃｃからブリッジ回路４１へ流れる電流が増大する。   Therefore, when the value of the adjustment signal C is increased, the on resistance of the transistor constituting the current adjustment circuit 43 is increased, and the current flowing from the DC power supply Vcc to the bridge circuit 41 via the current adjustment circuit 43 is reduced. On the other hand, when the value of the adjustment signal C decreases, the on resistance decreases, and the current flowing from the DC power supply Vcc to the bridge circuit 41 increases.

このように構成された通電制御回路３１では、直流電源５からブリッジ回路４１への通電が開始されると、増幅回路４２および電流調整回路４３は、接続点Ｐ１＋と接続点Ｐ１−との間に生じる電位差がゼロになるようにブリッジ回路４１に流れる電流を調整するフィードバック制御を行う。これにより、発熱抵抗体１２の抵抗値、すなわち発熱抵抗体１２の温度が、固定抵抗５１によって決まる一定値に制御される。   In energization control circuit 31 configured as described above, when energization from bridge DC power supply 5 to bridge circuit 41 is started, amplification circuit 42 and current adjustment circuit 43 are placed between connection point P1 + and connection point P1-. Feedback control is performed to adjust the current flowing through the bridge circuit 41 so that the potential difference generated is zero. Thereby, the resistance value of the heat generating resistor 12, that is, the temperature of the heat generating resistor 12 is controlled to a constant value determined by the fixed resistor 51.

具体的には、被検出雰囲気中の可燃性ガスの濃度が変化することにより、発熱抵抗体１２から可燃性ガスに奪われる熱量が、発熱抵抗体１２において発生する熱量より大きくなった場合には、発熱抵抗体１２の温度が低下して、発熱抵抗体１２の抵抗値が減少する。逆に、発熱抵抗体１２から可燃性ガスに奪われる熱量が、発熱抵抗体１２において発生する熱量より小さくなった場合には、発熱抵抗体１２の温度が上昇して、発熱抵抗体１２の抵抗値が増大する。   Specifically, when the concentration of the flammable gas in the atmosphere to be detected changes, the amount of heat taken from the heat generating resistor 12 to the flammable gas becomes larger than the amount of heat generated from the heat generating resistor 12. The temperature of the heat generating resistor 12 decreases, and the resistance value of the heat generating resistor 12 decreases. Conversely, when the amount of heat taken from the heat generating resistor 12 to the flammable gas becomes smaller than the heat generated from the heat generating resistor 12, the temperature of the heat generating resistor 12 rises and the resistance of the heat generating resistor 12 The value increases.

上述のように発熱抵抗体１２の抵抗値が減少すると、増幅回路４２および電流調整回路４３は、ブリッジ回路４１に流れる電流、言い換えると、発熱抵抗体１２において発生する熱量を増大させる。逆に、発熱抵抗体１２の抵抗値が増大すると、ブリッジ回路４１に流れる電流、言い換えると、発熱抵抗体１２において発生する熱量を減少させる。このようにして、増幅回路４２および電流調整回路４３は、発熱抵抗体１２の抵抗値、言い換えると発熱抵抗体１２の温度を一定の値に近づけるフィードバック制御を行う。   As described above, when the resistance value of the heating resistor 12 decreases, the amplifier circuit 42 and the current adjusting circuit 43 increase the current flowing through the bridge circuit 41, in other words, the amount of heat generated in the heating resistor 12. Conversely, when the resistance value of the heat generating resistor 12 increases, the current flowing through the bridge circuit 41, in other words, the amount of heat generated in the heat generating resistor 12, is reduced. Thus, the amplifier circuit 42 and the current adjustment circuit 43 perform feedback control to bring the resistance value of the heat generating resistor 12, in other words, the temperature of the heat generating resistor 12, close to a predetermined value.

そして、接続点Ｐ１＋の電圧を測定することにより、発熱抵抗体１２に流れる電流の大きさを検出することができる。この電流の大きさは、発熱抵抗体１２の温度（言い換えると抵抗値）を一定に保つために必要な熱量、つまり、発熱抵抗体１２から可燃性ガスへ奪われる熱量に対応する。そして、発熱抵抗体１２から可燃性ガスへ奪われる熱量は、可燃性ガスの濃度に依存する。このため、接続点Ｐ１＋の電圧を測定することにより、可燃性ガスの濃度を検出することができる。   Then, by measuring the voltage at the connection point P1 +, the magnitude of the current flowing through the heating resistor 12 can be detected. The magnitude of this current corresponds to the amount of heat required to keep the temperature (in other words, the resistance value) of the heating resistor 12 constant, that is, the amount of heat taken from the heating resistor 12 to the combustible gas. The amount of heat removed from the heating resistor 12 to the flammable gas depends on the concentration of the flammable gas. Therefore, the concentration of the flammable gas can be detected by measuring the voltage at the connection point P1 +.

なお、発熱抵抗体１２が設定温度（本実施形態では、４００℃）になるように制御されている場合における接続点Ｐ１＋の電圧を発熱抵抗体電圧Ｖｈという。
次に温度検出回路３２は、ブリッジ回路９１と増幅回路９２とを備える。 The voltage at the connection point P1 + when the heating resistor 12 is controlled to a set temperature (400 ° C. in this embodiment) is referred to as a heating resistor voltage Vh.
Next, the temperature detection circuit 32 includes a bridge circuit 91 and an amplifier circuit 92.

ブリッジ回路９１は、測温抵抗体１７と、固定抵抗１０１，１０２，１０３とを備えるホイートストンブリッジ回路である。
測温抵抗体１７は、一端が固定抵抗１０３に接続され、他端が接地される。以下、測温抵抗体１７と固定抵抗１０３との接続点を接続点Ｐ２−という。 The bridge circuit 91 is a Wheatstone bridge circuit including a temperature measuring resistor 17 and fixed resistors 101, 102, and 103.
One end of the resistance temperature detector 17 is connected to the fixed resistor 103, and the other end is grounded. Hereinafter, a connection point between the temperature measuring resistor 17 and the fixed resistor 103 is referred to as a connection point P2-.

固定抵抗１０１は、一端が固定抵抗１０２に接続され、他端が接地される。以下、固定抵抗１０１と固定抵抗１０２との接続点を接続点Ｐ２＋という。
固定抵抗１０２は、固定抵抗１０１に接続されていない側の端部が、直流電源Ｖｃｃを供給する電源ラインに接続される。 One end of the fixed resistor 101 is connected to the fixed resistor 102, and the other end is grounded. Hereinafter, a connection point between the fixed resistor 101 and the fixed resistor 102 is referred to as a connection point P2 +.
The fixed resistor 102 is connected at the end not connected to the fixed resistor 101 to a power supply line for supplying the DC power supply Vcc.

固定抵抗１０３は、測温抵抗体１７に接続されていない側の端部が、直流電源Ｖｃｃを供給する電源ラインに接続される。
増幅回路９２は、差動増幅回路であって、演算増幅器１１１と、固定抵抗１１２，１１３，１１４と、コンデンサ１１５とを備える。 The fixed resistor 103 is connected at the end not connected to the resistance temperature detector 17 to a power supply line for supplying the DC power supply Vcc.
The amplification circuit 92 is a differential amplification circuit, and includes an operational amplifier 111, fixed resistors 112, 113 and 114, and a capacitor 115.

固定抵抗１１２は、演算増幅器１１１の非反転入力端子と接続点Ｐ２＋との間に接続される。固定抵抗１１３は、演算増幅器１１１の反転入力端子と接続点Ｐ２−との間に接続される。固定抵抗１１４およびコンデンサ１１５は、演算増幅器１１１の反転入力端子と出力端子との間に並列接続される。   The fixed resistor 112 is connected between the noninverting input terminal of the operational amplifier 111 and the connection point P2 +. The fixed resistor 113 is connected between the inverting input terminal of the operational amplifier 111 and the connection point P2-. The fixed resistor 114 and the capacitor 115 are connected in parallel between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 111.

そして増幅回路９２は、接続点Ｐ２＋と接続点Ｐ２−との電圧差を増幅して増幅電圧差Ｖｔを演算部４へ出力する。以下、増幅電圧差Ｖｔを測温抵抗体電圧Ｖｔという。
演算部４は、ＣＰＵ１３１、ＲＯＭ１３２、ＲＡＭ１３３および信号入出力部１３４等を有する周知のマイクロコンピュータを備えている。 Then, the amplification circuit 92 amplifies the voltage difference between the connection point P2 + and the connection point P2− and outputs an amplified voltage difference Vt to the calculation unit 4. Hereinafter, the amplified voltage difference Vt is referred to as a resistance temperature detector voltage Vt.
The arithmetic unit 4 includes a known microcomputer including a CPU 131, a ROM 132, a RAM 133, a signal input / output unit 134, and the like.

演算部４のＲＯＭ１３２は、基準電圧換算データ１４１と、濃度換算データ１４２を記憶する。基準電圧換算データ１４１は、基準電圧Ｖｈ０と測温抵抗体電圧Ｖｔとの相関関係を示す。基準電圧Ｖｈ０は、予め設定された安定環境における発熱抵抗体電圧Ｖｈの値であり、被検出雰囲気の温度の変化により値が変化する。安定環境とは、水素ガスの濃度が０であり、且つ、湿度が予め設定された一定値（本実施形態では、ほぼ０％）になっている環境である。なお、「水素ガスの濃度が０」とは、可燃性ガス検出装置１による検出限界より小さい濃度であることをいう。濃度換算データ１４２は、発熱抵抗体電圧Ｖｈから基準電圧Ｖｈ０を減算した減算値と、水素ガス濃度との相関関係を示す。   The ROM 132 of the calculation unit 4 stores reference voltage conversion data 141 and concentration conversion data 142. The reference voltage conversion data 141 indicates the correlation between the reference voltage Vh0 and the temperature measuring resistor voltage Vt. The reference voltage Vh0 is a value of the heating resistor voltage Vh in a stable environment set in advance, and its value changes according to the change of the temperature of the detected atmosphere. The stable environment is an environment in which the concentration of hydrogen gas is 0 and the humidity is a preset constant value (approximately 0% in the present embodiment). Note that “the concentration of hydrogen gas is 0” means that the concentration is smaller than the detection limit of the flammable gas detection device 1. The concentration conversion data 142 shows the correlation between the hydrogen gas concentration and the subtraction value obtained by subtracting the reference voltage Vh0 from the heating resistor voltage Vh.

演算部４は、直流電源５から給電が開始されると起動し、演算部４の各部を初期化した後に、後述する濃度演算処理を開始する。
次に、濃度演算処理の手順を説明する。 Arithmetic unit 4 is activated when power supply is started from DC power supply 5, and after initializing each unit of arithmetic unit 4, it starts concentration arithmetic processing to be described later.
Next, the procedure of density calculation processing will be described.

濃度演算処理が開始されると、演算部４の演算処理装置は、図５に示すように、まずＳ１０にて、発熱抵抗体１２と測温抵抗体１７に通電する制御を開始する。
そしてＳ２０にて、通電制御回路３１から発熱抵抗体電圧Ｖｈを取得し、温度検出回路３２から測温抵抗体電圧Ｖｔを取得する。その後Ｓ３０にて、Ｓ２０で取得した測温抵抗体電圧Ｖｔと、基準電圧換算データ１４１とに基づいて、測温抵抗体電圧Ｖｔに対応する基準電圧Ｖｈ０を算出する。 When the concentration calculation process is started, the calculation processing device of the calculation unit 4 first starts control of energizing the heating resistor 12 and the temperature measuring resistor 17 in S10, as shown in FIG.
Then, in S20, the heating resistor voltage Vh is acquired from the energization control circuit 31, and the temperature measuring resistor voltage Vt is acquired from the temperature detection circuit 32. After that, in S30, based on the temperature measuring resistor voltage Vt acquired in S20 and the reference voltage conversion data 141, the reference voltage Vh0 corresponding to the temperature measuring resistor voltage Vt is calculated.

さらにＳ４０にて、Ｓ２０で取得された発熱抵抗体電圧Ｖｈから、Ｓ３０で算出された基準電圧Ｖｈ０を減算した減算値を算出し、この減算値と濃度換算データ１４２とに基づいて、減算値に対応する水素ガス濃度を算出する。以下、Ｓ４０で算出された水素ガス濃度を自ガス濃度Ｎａという。   Further, in S40, a subtraction value is calculated by subtracting the reference voltage Vh0 calculated in S30 from the heating resistor voltage Vh acquired in S20, and based on the subtraction value and the concentration conversion data 142, a subtraction value is calculated. The corresponding hydrogen gas concentration is calculated. Hereinafter, the hydrogen gas concentration calculated in S40 is referred to as a self-gas concentration Na.

次にＳ５０にて、Ｓ４０で算出された自ガス濃度Ｎａを示す自ガス濃度情報を無線通信部６から送信する。さらにＳ６０にて、他の可燃性ガス検出装置１から送信された自ガス濃度Ｎａを示す自ガス濃度情報を無線通信部６で受信する。なお、この濃度演算処理を可燃性ガス検出装置１ａの演算部４が実行している場合には、他の可燃性ガス検出装置１は可燃性ガス検出装置１ｂである。一方、この濃度演算処理を可燃性ガス検出装置１ｂの演算部４が実行している場合には、他の可燃性ガス検出装置１は可燃性ガス検出装置１ａである。以下、他の可燃性ガス検出装置１から受信した自ガス濃度Ｎａを他ガス濃度Ｎｂという。   Next, in S50, the wireless communication unit 6 transmits the own gas concentration information indicating the own gas concentration Na calculated in S40. Further, at S60, the wireless communication unit 6 receives the own gas concentration information indicating the own gas concentration Na transmitted from the other flammable gas detection device 1. When the concentration calculation process is performed by the calculation unit 4 of the flammable gas detection device 1a, the other flammable gas detection device 1 is the flammable gas detection device 1b. On the other hand, when the concentration calculation process is performed by the calculation unit 4 of the flammable gas detection device 1b, the other flammable gas detection device 1 is the flammable gas detection device 1a. Hereinafter, the self-gas concentration Na received from the other flammable gas detection device 1 is referred to as the other gas concentration Nb.

そしてＳ７０にて、基準濃度Ｎｃを算出する。具体的には、Ｓ４０で算出された自ガス濃度Ｎａと、Ｓ６０で受信された他ガス濃度Ｎｂとを比較し、小さい方を基準濃度Ｎｃとする。その後Ｓ８０にて、Ｓ７０で算出された基準濃度Ｎｃを演算部４のＲＡＭ１３３に記憶する。またＳ９０にて、Ｓ４０で算出された自ガス濃度Ｎａから、ＲＡＭ１３３に記憶されている基準濃度Ｎｃを減算した減算値を補正ガス濃度Ｎｄとして算出する。   Then, in S70, the reference density Nc is calculated. Specifically, the self-gas concentration Na calculated in S40 and the other gas concentration Nb received in S60 are compared, and the smaller one is taken as the reference concentration Nc. Thereafter, at S80, the reference density Nc calculated at S70 is stored in the RAM 133 of the calculation unit 4. Further, at S90, a subtraction value obtained by subtracting the reference concentration Nc stored in the RAM 133 from the self-gas concentration Na calculated at S40 is calculated as the correction gas concentration Nd.

次にＳ１００にて、Ｓ９０で算出された補正ガス濃度Ｎｄが０未満であるか否かを判断する。ここで、補正ガス濃度Ｎｄが０以上である場合には、Ｓ１２０に移行する。一方、補正ガス濃度Ｎｄが０未満である場合には、Ｓ１１０にて、補正ガス濃度Ｎｄを０に設定し、Ｓ１２０に移行する。   Next, in S100, it is determined whether the correction gas concentration Nd calculated in S90 is less than zero. Here, when the correction gas concentration Nd is 0 or more, the process proceeds to S120. On the other hand, when the correction gas concentration Nd is less than 0, the correction gas concentration Nd is set to 0 in S110, and the process proceeds to S120.

そしてＳ１２０に移行すると、Ｓ９０で算出した補正ガス濃度Ｎｄを示す情報、またはＳ１１０で設定された補正ガス濃度Ｎｄを示す情報を、演算部４の信号入出力部１３４から出力する。そしてＳ１３０にて、演算部４のＲＡＭ１３３に設けられている再計算カウンタをインクリメント（１加算）する。   When the process proceeds to S120, the signal input / output unit 134 of the arithmetic unit 4 outputs information indicating the correction gas concentration Nd calculated in S90 or information indicating the correction gas concentration Nd set in S110. Then, at S130, the recalculation counter provided in the RAM 133 of the calculation unit 4 is incremented (one added).

その後Ｓ１４０にて、Ｓ２０と同様にして、発熱抵抗体電圧Ｖｈと測温抵抗体電圧Ｖｔを取得する。その後Ｓ１５０にて、Ｓ３０と同様にして、基準電圧Ｖｈ０を算出する。さらにＳ１６０にて、Ｓ４０と同様にして、自ガス濃度Ｎａを算出する。次にＳ１７０にて、Ｓ５０と同様にして、Ｓ１６０で算出された自ガス濃度Ｎａを示す自ガス濃度情報を無線通信部６から送信する。   After that, in S140, the heating resistor voltage Vh and the temperature measuring resistor voltage Vt are acquired in the same manner as in S20. Thereafter, in S150, the reference voltage Vh0 is calculated in the same manner as in S30. Further, at S160, the own gas concentration Na is calculated in the same manner as S40. Next, at S170, the wireless communication unit 6 transmits the own gas concentration information indicating the own gas concentration Na calculated at S160 in the same manner as S50.

またＳ１８０にて、Ｓ９０と同様にして、Ｓ１６０で算出された自ガス濃度Ｎａから、ＲＡＭ１３３に記憶されている基準濃度Ｎｃを減算した減算値を補正ガス濃度Ｎｄとして算出する。そしてＳ１９０にて、Ｓ１８０で算出した補正ガス濃度Ｎｄを示す情報を、演算部４の信号入出力部１３４から出力する。   At S180, similarly to S90, a subtraction value obtained by subtracting the reference concentration Nc stored in the RAM 133 from the self-gas concentration Na calculated at S160 is calculated as the correction gas concentration Nd. Then, in S190, information indicating the correction gas concentration Nd calculated in S180 is output from the signal input / output unit 134 of the calculation unit 4.

その後Ｓ２００にて、再計算カウンタの値が予め設定された再計算判定回数（本実施形態では、例えば１００回）以上であるか否かを判断する。ここで、再計算カウンタの値が再計算判定回数未満である場合には、Ｓ１３０に移行する。一方、再計算カウンタの値が再計算判定回数以上である場合には、Ｓ２１０にて、再計算カウンタをクリア（０に設定）し、Ｓ２０に移行する。これにより、再計算カウンタの値が予め設定された再計算判定回数を満たす毎に、基準濃度Ｎｃの更新が行なわれることになる。   Thereafter, in S200, it is determined whether the value of the recalculation counter is equal to or more than a predetermined number of recalculation determinations (for example, 100 times in the present embodiment). Here, when the value of the recalculation counter is less than the number of recalculation determinations, the process proceeds to S130. On the other hand, if the value of the recalculation counter is equal to or more than the number of recalculation determinations, the recalculation counter is cleared (set to 0) in S210, and the process proceeds to S20. Thus, the reference density Nc is updated each time the value of the recalculation counter satisfies the preset number of recalculation determinations.

このように構成されたガス検出システム２００における可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂの出力の具体例を以下に説明する。
図６に示すように、第１状態は、水素漏れも外乱もない状態である。第２状態は、水素漏れがなく且つ外乱がある状態である。第３状態は、燃料電池３０３で水素漏れがあり且つ外乱がない状態である。第４状態は、燃料電池３０３で水素漏れがあり且つ外乱がある状態である。第５状態は、水素タンク３０６で水素漏れがあり且つ外乱がない状態である。第６状態は、水素タンク３０６で水素漏れがあり且つ外乱がある状態である。 A specific example of the output of the flammable gas detection devices 1a and 1b in the gas detection system 200 configured as described above will be described below.
As shown in FIG. 6, the first state is a state in which there is neither hydrogen leakage nor disturbance. The second state is a state in which there is no hydrogen leak and there is a disturbance. The third state is a state in which there is a hydrogen leak in the fuel cell 303 and no disturbance. The fourth state is a state in which there is a hydrogen leak in the fuel cell 303 and there is a disturbance. The fifth state is a state where there is a hydrogen leak in the hydrogen tank 306 and no disturbance. The sixth state is a state where there is a hydrogen leak in the hydrogen tank 306 and there is a disturbance.

第１状態において、可燃性ガス検出装置１ａの自ガス濃度Ｎａが０ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの自ガス濃度Ｎａが０ｐｐｍであるとする。この場合には、可燃性ガス検出装置１ａの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍである。   In the first state, it is assumed that the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1a is 0 ppm, and the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1b is 0 ppm. In this case, the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1a is 0 ppm, and the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1b is 0 ppm.

第２状態において、可燃性ガス検出装置１ａの自ガス濃度Ｎａが５０００ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの自ガス濃度Ｎａが５０００ｐｐｍであるとする。この場合には、可燃性ガス検出装置１ａの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍである。   In the second state, it is assumed that the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1a is 5000 ppm and the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1b is 5000 ppm. In this case, the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1a is 0 ppm, and the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1b is 0 ppm.

第３状態において、可燃性ガス検出装置１ａの自ガス濃度Ｎａが３００００ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの自ガス濃度Ｎａが０ｐｐｍであるとする。この場合には、可燃性ガス検出装置１ａの補正ガス濃度Ｎｄは３００００ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍである。   In the third state, it is assumed that the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1a is 30,000 ppm and the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1b is 0 ppm. In this case, the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1a is 30000 ppm, and the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1b is 0 ppm.

第４状態において、可燃性ガス検出装置１ａの自ガス濃度Ｎａが３５０００ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの自ガス濃度Ｎａが５０００ｐｐｍであるとする。この場合には、可燃性ガス検出装置１ａの補正ガス濃度Ｎｄは３００００ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍである。   In the fourth state, it is assumed that the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1a is 35000 ppm, and the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1b is 5000 ppm. In this case, the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1a is 30000 ppm, and the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1b is 0 ppm.

第５状態において、可燃性ガス検出装置１ａの自ガス濃度Ｎａが０ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの自ガス濃度Ｎａが３００００ｐｐｍであるとする。この場合には、可燃性ガス検出装置１ａの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの補正ガス濃度Ｎｄは３００００ｐｐｍである。   In the fifth state, it is assumed that the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1a is 0 ppm, and the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1b is 30000 ppm. In this case, the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1a is 0 ppm, and the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1b is 30000 ppm.

第６状態において、可燃性ガス検出装置１ａの自ガス濃度Ｎａが５０００ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの自ガス濃度Ｎａが３５０００ｐｐｍであるとする。この場合には、可燃性ガス検出装置１ａの補正ガス濃度Ｎｄは０ｐｐｍであり、可燃性ガス検出装置１ｂの補正ガス濃度Ｎｄは３００００ｐｐｍである。   In the sixth state, it is assumed that the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1a is 5000 ppm and the self-gas concentration Na of the flammable gas detection device 1b is 35000 ppm. In this case, the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1a is 0 ppm, and the correction gas concentration Nd of the flammable gas detection device 1b is 30000 ppm.

このように構成されたガス検出システム２００は、可燃性ガス検出装置１を２つ備える。可燃性ガス検出装置１は、被検出雰囲気内における水素ガスの濃度に応じて発熱抵抗体１２の抵抗値が変化するガス検出素子２と、通電制御回路３１とを備える。通電制御回路３１は、ガス検出素子２における水素ガスの濃度に応じた発熱抵抗体１２の抵抗値の変化に基づいて水素ガスの濃度を示す発熱抵抗体電圧Ｖｈを出力する。可燃性ガス検出装置１は、発熱抵抗体電圧Ｖｈに基づいて水素ガスの濃度を算出する。   The gas detection system 200 configured in this manner includes two flammable gas detection devices 1. The combustible gas detection device 1 includes a gas detection element 2 in which the resistance value of the heating resistor 12 changes in accordance with the concentration of hydrogen gas in the detected atmosphere, and the conduction control circuit 31. The energization control circuit 31 outputs a heating resistor voltage Vh indicating the concentration of hydrogen gas based on the change in the resistance value of the heating resistor 12 according to the concentration of hydrogen gas in the gas detection element 2. The combustible gas detection device 1 calculates the concentration of hydrogen gas based on the heating resistor voltage Vh.

可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂはそれぞれ、互いに同一のガス検出素子２と、互いに同一の通電制御回路３１とを有する。
また、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂはそれぞれ、可燃性ガス検出装置１が水素ガスの漏れを検出する対象となる漏れ検出箇所として、互いに異なるモータルーム３０２とタンクルーム３０５に設置される。 The flammable gas detection devices 1a and 1b each have the same gas detection element 2 and the same energization control circuit 31.
Further, the flammable gas detection devices 1a and 1b are respectively installed in different motor rooms 302 and tank rooms 305 as leak detection points which are targets for the flammable gas detection device 1 to detect a leak of hydrogen gas.

そして、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂはそれぞれ、他の可燃性ガス検出装置１が算出した他ガス濃度Ｎｂを示す情報を取得する。また、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂはそれぞれ、他ガス濃度Ｎｂを示す情報を用いて、算出された自ガス濃度Ｎａを補正して、補正ガス濃度Ｎｄを算出する。   And combustible gas detection apparatus 1a, 1b each acquires the information which shows other gas concentration Nb which the other combustible gas detection apparatus 1 calculated. Further, the combustible gas detection devices 1a and 1b respectively correct the calculated own gas concentration Na using information indicating the other gas concentration Nb to calculate a correction gas concentration Nd.

このようにガス検出システム２００では、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂがそれぞれ、互いに異なる漏れ検出箇所における水素ガスの漏れを検出する。そして、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂはそれぞれ、他の可燃性ガス検出装置１が算出した他ガス濃度Ｎｂを用いて、自身が算出した自ガス濃度Ｎａを補正する。   As described above, in the gas detection system 200, the combustible gas detection devices 1a and 1b respectively detect leaks of hydrogen gas at different leak detection locations. Then, the flammable gas detection devices 1a and 1b respectively correct the self-gas concentration Na calculated by itself using the other gas concentration Nb calculated by the other flammable gas detection device 1.

なお、複数の漏れ検出箇所で同時に水素ガスの漏れが発生する可能性は非常に小さいと仮定すると、０より大きい濃度を算出する可燃性ガス検出装置１が同時に２つ以上存在する場合には、少なくとも１つの可燃性ガス検出装置１は、水素ガスの漏れ以外の原因で０より大きい濃度を算出したと判断することができる。   In addition, assuming that the possibility that hydrogen gas leaks simultaneously at a plurality of leak detection points is very small, if there are two or more flammable gas detection devices 1 for calculating the concentration larger than 0 at the same time, It can be determined that the at least one combustible gas detection device 1 has calculated the concentration greater than 0 for reasons other than the hydrogen gas leak.

このため、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂはそれぞれ、水素ガスの漏れ以外の原因で０より大きい濃度を算出したと判断された可燃性ガス検出装置１により算出された濃度に基づいて、水素ガスの漏れ以外の原因に起因した濃度分を補正することができる。   For this reason, each of the flammable gas detection devices 1a and 1b is a hydrogen gas based on the concentration calculated by the flammable gas detection device 1 determined to have calculated the concentration greater than 0 for reasons other than the leak of hydrogen gas. It is possible to correct the concentration due to causes other than the leakage of

したがって、ガス検出システム２００は、水素ガスの漏れ以外の原因に起因して濃度の算出結果に誤差が生じるのを抑制し、水素ガスの濃度の検出精度を向上させることができる。   Therefore, the gas detection system 200 can suppress an error in the calculation result of the concentration due to causes other than the leak of the hydrogen gas, and can improve the detection accuracy of the concentration of the hydrogen gas.

またガス検出システム２００では、可燃性ガス検出装置１は、取得された他ガス濃度Ｎｂと、自身が算出した自ガス濃度Ｎａとの中で、最も小さい濃度を基準濃度Ｎｃとし、自ガス濃度Ｎａから基準濃度Ｎｃが減算された減算値が、補正ガス濃度Ｎｄとなるように補正する。   In the gas detection system 200, the flammable gas detection device 1 sets the lowest concentration as the reference concentration Nc among the acquired other gas concentration Nb and the own gas concentration Na calculated by itself, and the own gas concentration Na Thus, the subtraction value obtained by subtracting the reference concentration Nc is corrected to the correction gas concentration Nd.

以上説明した実施形態において、可燃性ガス検出装置１は本発明におけるガス検出装置、通電制御回路３１は本発明における検出回路、Ｓ４０，Ｓ１６０の処理は本発明における濃度算出部、Ｓ６０の処理は本発明における濃度取得部、Ｓ７０〜Ｓ１１０，Ｓ１８０の処理は本発明における補正部である。   In the embodiment described above, the flammable gas detection device 1 is the gas detection device of the present invention, the conduction control circuit 31 is the detection circuit of the present invention, the processing of S40 and S160 is the concentration calculation unit of the present invention, and the processing of S60 is this The concentration acquisition unit in the present invention, the processing of S70 to S110 and S180 is a correction unit in the present invention.

また、水素ガスは本発明における検出対象ガス、発熱抵抗体１２の抵抗値は本発明における電気的特性、発熱抵抗体電圧Ｖｈは本発明における濃度出力値、モータルーム３０２とタンクルーム３０５は本発明における漏れ検出箇所である。   The hydrogen gas is the gas to be detected in the present invention, the resistance value of the heating resistor 12 is the electrical characteristics in the present invention, the heating resistor voltage Vh is the concentration output value in the present invention, and the motor room 302 and the tank room 305 are the present invention. Leak detection point in

また、他ガス濃度Ｎｂを示す情報は本発明における他ガス濃度情報、補正ガス濃度Ｎｄは本発明における検出対象ガスの濃度の補正値である。
（第２実施形態）
以下に本発明の第２実施形態を図面とともに説明する。なお第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分を説明する。 Further, the information indicating the other gas concentration Nb is the other gas concentration information in the present invention, and the correction gas concentration Nd is a correction value of the concentration of the detection target gas in the present invention.
Second Embodiment
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the second embodiment, parts different from the first embodiment will be described.

第２実施形態のガス検出システム２００は、濃度演算処理が変更された点以外は第１実施形態と同じである。
第２実施形態の濃度演算処理は、Ｓ７２の処理が追加された点以外は第１実施形態と同じである。 The gas detection system 200 of the second embodiment is the same as the first embodiment except that the concentration calculation process is changed.
The density calculation process of the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that the process of S72 is added.

すなわち、図７に示すように、Ｓ７０の処理が終了すると、Ｓ７２にて、Ｓ７０で算出された基準濃度Ｎｃが予め設定された異常判定値未満であるか否かを判断する。ここで、基準濃度Ｎｃが異常判定値未満である場合には、Ｓ８０に移行する。一方、基準濃度Ｎｃが異常判定値以上である場合には、Ｓ９０に移行する。   That is, as shown in FIG. 7, when the process of S70 is completed, it is determined in S72 whether or not the reference density Nc calculated in S70 is less than a predetermined abnormality determination value. Here, when the reference concentration Nc is less than the abnormality determination value, the process proceeds to S80. On the other hand, when the reference concentration Nc is equal to or more than the abnormality determination value, the process proceeds to S90.

このように構成されたガス検出システム２００では、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、算出された基準濃度Ｎｃが予め設定された異常判定値以上であるか否かを判断する。可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、基準濃度Ｎｃが算出される毎に、基準濃度Ｎｃを演算部４のＲＡＭ１３３に記憶することにより、基準濃度Ｎｃを更新する。可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、基準濃度Ｎｃが異常判定値以上であると判断した場合に、基準濃度Ｎｃを演算部４のＲＡＭ１３３に記憶するのを禁止することにより、基準濃度Ｎｃを更新するのを禁止する。   In the gas detection system 200 configured as described above, the combustible gas detection devices 1a and 1b determine whether the calculated reference concentration Nc is equal to or higher than a predetermined abnormality determination value. The combustible gas detection devices 1a and 1b update the reference concentration Nc by storing the reference concentration Nc in the RAM 133 of the calculation unit 4 each time the reference concentration Nc is calculated. The combustible gas detection devices 1a and 1b update the reference concentration Nc by inhibiting storing the reference concentration Nc in the RAM 133 of the calculation unit 4 when determining that the reference concentration Nc is equal to or higher than the abnormality determination value. Do not

これにより、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、基準濃度Ｎｃが異常判定値以上になるという異常が発生した場合に、前回に算出された基準濃度Ｎｃを用いて、自ガス濃度Ｎａを補正して、補正ガス濃度Ｎｄを算出することができる。   Thereby, the flammable gas detectors 1a and 1b correct the self-gas concentration Na using the previously calculated reference concentration Nc when an abnormality occurs such that the reference concentration Nc becomes equal to or more than the abnormality determination value. Thus, the correction gas concentration Nd can be calculated.

このように、取得された他ガス濃度Ｎｂと、自身が算出した自ガス濃度Ｎａとの中で、最も小さい濃度である基準濃度Ｎｃが異常判定値以上となるということは、可能性は非常に低いもののモータルーム３０２とタンクルーム３０５で同時に水素ガスの漏れが発生している可能性がある。このような状況において、異常判定値以上となっている基準濃度Ｎｃを減算することにより水素ガスの濃度を補正すると、モータルーム３０２とタンクルーム３０５で実際に漏れが発生したとしても、モータルーム３０２とタンクルーム３０５で漏れを検出することができなくなってしまう事態の発生が懸念される。   Thus, it is very possible that the reference concentration Nc which is the smallest concentration among the acquired other gas concentration Nb and the own gas concentration Na calculated by itself becomes equal to or higher than the abnormality determination value. It is possible that hydrogen gas leaks at the same time in the motor room 302 and the tank room 305 at the same time. In such a situation, if the concentration of hydrogen gas is corrected by subtracting the reference concentration Nc which is equal to or higher than the abnormality determination value, the motor room 302 and the tank room 305 may be actually leaked. There is a concern that the tank room 305 may not be able to detect a leak.

これに対し、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、算出された基準濃度Ｎｃが異常判定値以上になる前に算出された基準濃度Ｎｃを用いて水素ガスの濃度を補正することができる。これにより、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、モータルーム３０２とタンクルーム３０５で漏れが同時に発生したとしても、モータルーム３０２とタンクルーム３０５での漏れを検出することが可能となる。   On the other hand, the combustible gas detection devices 1a and 1b can correct the concentration of hydrogen gas using the reference concentration Nc calculated before the calculated reference concentration Nc becomes equal to or higher than the abnormality determination value. As a result, even if leaks occur simultaneously in the motor room 302 and the tank room 305, the flammable gas detectors 1a and 1b can detect leaks in the motor room 302 and the tank room 305.

以上説明した実施形態において、Ｓ７２の処理は本発明における異常判断部および禁止部、Ｓ８０の処理は本発明における更新部である。
（第３実施形態）
以下に本発明の第３実施形態を図面とともに説明する。なお第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分を説明する。 In the embodiment described above, the process of S72 is an abnormality judgment unit and a prohibition unit in the present invention, and the process of S80 is an update unit in the present invention.
Third Embodiment
Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the third embodiment, parts different from the first embodiment will be described.

第３実施形態のガス検出システム２００は、濃度演算処理が変更された点以外は第１実施形態と同じである。
第３実施形態の濃度演算処理は、Ｓ７２とＳ７４の処理が追加された点以外は第１実施形態と同じである。 The gas detection system 200 of the third embodiment is the same as the first embodiment except that the concentration calculation process is changed.
The density calculation process of the third embodiment is the same as that of the first embodiment except that the processes of S72 and S74 are added.

すなわち、図８に示すように、Ｓ７０の処理が終了すると、Ｓ７２にて、Ｓ７０で算出された基準濃度Ｎｃが予め設定された異常判定値未満であるか否かを判断する。ここで、基準濃度Ｎｃが異常判定値未満である場合には、Ｓ８０に移行する。一方、基準濃度Ｎｃが異常判定値以上である場合には、Ｓ７４にて、基準濃度Ｎｃを０に設定して、Ｓ８０に移行する。   That is, as shown in FIG. 8, when the process of S70 is completed, it is determined in S72 whether the reference density Nc calculated in S70 is less than the abnormality determination value set in advance. Here, when the reference concentration Nc is less than the abnormality determination value, the process proceeds to S80. On the other hand, if the reference concentration Nc is equal to or higher than the abnormality determination value, the reference concentration Nc is set to 0 in S74, and the process proceeds to S80.

このように構成されたガス検出システム２００では、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、基準濃度Ｎｃが異常判定値以上であると判断した場合に、基準濃度Ｎｃを０に設定する。これにより、可燃性ガス検出装置１ａ，１ｂは、異常判定値より小さい値を基準濃度Ｎｃとして水素ガスの濃度を補正することができ、モータルーム３０２とタンクルーム３０５で漏れが同時に発生したとしても、モータルーム３０２とタンクルーム３０５での漏れを検出することが可能となる。   In the gas detection system 200 configured as described above, the combustible gas detection devices 1a and 1b set the reference concentration Nc to 0 when determining that the reference concentration Nc is equal to or higher than the abnormality determination value. As a result, the flammable gas detectors 1a and 1b can correct the hydrogen gas concentration with the value smaller than the abnormality determination value as the reference concentration Nc, and even if the leak occurs simultaneously in the motor room 302 and the tank room 305. Leaks in the motor room 302 and the tank room 305 can be detected.

以上説明した実施形態において、Ｓ７４の処理は本発明における基準設定部、Ｓ７４において設定される０は本発明における異常時設定値である。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。 In the embodiment described above, the process of S74 is a reference setting unit in the present invention, and 0 set in S74 is an abnormality set value in the present invention.
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, As long as it belongs to the technical scope of this invention, a various form can be taken.

例えば上記実施形態では、無線で自ガス濃度Ｎａを送信するものを示したが、有線で送信するようにしてもよい。
また上記実施形態では、可燃性ガス検出装置１が水素ガスの濃度を検出するものを示したが、本発明のガス検出システムは、水素ガスの濃度を検出するものに限定されるものではなく、その他のガスを検出するシステムにも適用することが可能である。 For example, although the above-mentioned embodiment showed what transmits self-gas concentration Na by radio, it may be made to transmit by a wire.
In the above embodiment, although the flammable gas detection device 1 detects the concentration of hydrogen gas, the gas detection system of the present invention is not limited to the one that detects the concentration of hydrogen gas. It is possible to apply also to the system which detects other gas.

また上記実施形態では、ガス検出システム２００が２つの可燃性ガス検出装置１を備えるものを示した。しかし、ガス検出システム２００が３つ以上の可燃性ガス検出装置１を備えるようにしてもよい。この場合には、濃度演算処理のＳ６０とＳ７０の処理が変更される。すなわち、３つ以上の可燃性ガス検出装置１はそれぞれ、濃度演算処理のＳ６０において他の複数の可燃性ガス検出装置１から他ガス濃度Ｎｂを受信する。また、濃度演算処理のＳ７０では、Ｓ４０で算出された自ガス濃度Ｎａと、Ｓ６０で受信された複数の他ガス濃度Ｎｂとの中で最も小さいものを基準濃度Ｎｃとする。   Moreover, in the said embodiment, the gas detection system 200 showed what was provided with the two combustible gas detection apparatuses 1. As shown in FIG. However, the gas detection system 200 may include three or more combustible gas detection devices 1. In this case, the processes of S60 and S70 of the density calculation process are changed. That is, each of the three or more combustible gas detectors 1 receives the other gas concentration Nb from the plurality of other combustible gas detectors 1 in S60 of concentration calculation processing. Further, in S70 of the concentration calculation process, the smallest one among the own gas concentration Na calculated in S40 and the plurality of other gas concentrations Nb received in S60 is taken as the reference concentration Nc.

また上記実施形態では、漏れ検出箇所がモータルーム３０２とタンクルーム３０５であるものを示したが、その他に客室内、ガス供給管部であってもよい。   Further, in the above embodiment, the leak detection points are the motor room 302 and the tank room 305, but in addition, they may be in the passenger compartment or in the gas supply pipe.

１，１ａ，１ｂ…可燃性ガス検出装置、２…ガス検出素子、３…制御部、４…演算部、６…無線通信部、１２…発熱抵抗体、１７…測温抵抗体、３１…通電制御回路、３２…温度検出回路、１３１…ＣＰＵ、１３２…ＲＯＭ、１３３…ＲＡＭ、１３４…信号入出力部、２００…ガス検出システム、３００…燃料電池自動車、３０２…モータルーム、３０３…燃料電池、３０５…タンクルーム、３０６…水素タンク   1, 1a, 1b: flammable gas detection device, 2: gas detection element, 3: control unit, 4: operation unit, 6: wireless communication unit, 12: heating resistor, 17: resistance temperature detector, 31: energization Control circuit, 32 Temperature detection circuit, 131 CPU, 132 ROM, 133 RAM, 134 Signal input / output unit 200 Gas detection system 300 Fuel cell automobile 302 Motor room 303 Fuel cell 305 ... tank room, 306 ... hydrogen tank

Claims (4)

被検出雰囲気内における検出対象ガスの濃度に応じて電気的特性が変化するガス検出素子と、前記ガス検出素子における前記検出対象ガスの濃度に応じた電気的特性の変化に基づいて前記検出対象ガスの濃度を示す濃度出力値を出力する検出回路と、前記濃度出力値に基づいて前記検出対象ガスの濃度を算出する濃度算出部とを有するガス検出装置を複数備えるガス検出システムであって、
複数の前記ガス検出装置はそれぞれ、互いに同一の前記ガス検出素子と、互いに同一の前記検出回路とを有し、
前記ガス検出装置が前記検出対象ガスの漏れを検出する対象となる箇所を漏れ検出箇所として、複数の前記ガス検出装置はそれぞれ、互いに異なる前記漏れ検出箇所に設置され、
複数の前記ガス検出装置はそれぞれ、
少なくとも１つの他の前記ガス検出装置の前記濃度算出部が算出した前記検出対象ガスの濃度を示すガス濃度情報を取得する濃度取得部と、
前記濃度取得部により取得された前記ガス濃度情報を他ガス濃度情報として、前記他ガス濃度情報を用いて、前記濃度算出部により算出された前記検出対象ガスの濃度を補正する補正部とを備える
ことを特徴とするガス検出システム。 A gas detection element whose electrical characteristics change according to the concentration of the detection target gas in the detected atmosphere, and the detection target gas based on the change of the electrical characteristics according to the concentration of the detection target gas in the gas detection device A gas detection system comprising a plurality of gas detection devices each including a detection circuit that outputs a concentration output value that indicates the concentration of and a concentration calculation unit that calculates the concentration of the detection target gas based on the concentration output value,
Each of the plurality of gas detection devices has the same gas detection element as each other and the same detection circuit as each other,
A plurality of the gas detection devices are installed at mutually different leak detection locations, where the gas detection device detects a leak of the detection target gas as a leak detection location.
Each of the plurality of gas detection devices
A concentration acquisition unit that acquires gas concentration information indicating the concentration of the detection target gas calculated by the concentration calculation unit of at least one other gas detection device;
The gas concentration information acquired by the concentration acquisition unit is used as the other gas concentration information, and the correction unit is configured to correct the concentration of the detection target gas calculated by the concentration calculation unit using the other gas concentration information A gas detection system characterized by 前記補正部は、前記濃度取得部により取得された少なくとも１つの前記他ガス濃度情報が示す濃度と、自身の前記濃度算出部が算出した濃度との中で、最も小さい濃度を基準濃度とし、自身の前記濃度算出部により算出された前記検出対象ガスの濃度から、前記基準濃度が減算された減算値が、前記検出対象ガスの濃度の補正値となるように前記検出対象ガスの濃度を補正する
ことを特徴とする請求項１に記載のガス検出システム。 The correction unit sets the lowest concentration as the reference concentration among the concentration indicated by the at least one other gas concentration information acquired by the concentration acquisition unit and the concentration calculated by the concentration calculation unit of itself. The concentration of the detection target gas is corrected so that the subtraction value obtained by subtracting the reference concentration from the concentration of the detection target gas calculated by the concentration calculation unit in the above becomes a correction value of the concentration of the detection target gas. The gas detection system according to claim 1, characterized in that: 前記補正部は、
算出された前記基準濃度が予め設定された異常判定値以上であるか否かを判断する異常判断部と、
前記基準濃度が算出される毎に前記基準濃度を更新する更新部と、
前記基準濃度が前記異常判定値以上であると前記異常判断部が判断した場合に、前記更新部が前記基準濃度を更新するのを禁止する禁止部とを備える
ことを特徴とする請求項２に記載のガス検出システム。 The correction unit is
An abnormality determination unit that determines whether the calculated reference concentration is equal to or greater than a predetermined abnormality determination value;
An updating unit that updates the reference concentration each time the reference concentration is calculated;
3. The apparatus according to claim 2, further comprising: a prohibition unit that prohibits the updating unit from updating the reference concentration when the abnormality determination unit determines that the reference concentration is equal to or higher than the abnormality determination value. Gas detection system as described. 前記補正部は、
前記基準濃度が前記異常判定値以上であると前記異常判断部が判断した場合に、前記基準濃度を予め設定された異常時設定値に設定する基準設定部を備える
ことを特徴とする請求項３に記載のガス検出システム。 The correction unit is
A reference setting unit is provided for setting the reference concentration to a preset abnormality setting value when the abnormality determination unit determines that the reference concentration is equal to or higher than the abnormality determination value. The gas detection system as described in.

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