JP6548698B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1に係る電力変換装置の構成を示したブロック図である。但し、図1においては、電力変換装置における過電流検出部100の構成のみを示している。電力変換装置は、実際には、電源1からの電力を変換するための電力変換処理部も備えているが、図1においては電力変換処理部の構成については図示を省略している。
図3は、この発明の実施の形態2に係る電力変換装置の構成を示したブロック図である。但し、図3においては、図1と同様に、電力変換装置における過電流検出部100Aの構成のみを示している。すなわち、図3においては、電力変換装置における電力変換処理部の構成については図示を省略している。また、図4は、過電流検出部100Aにおける過電流検出処理の温度対電流の関係を示す相関図である。図3および図4において、図1および図2に示した実施の形態1と対応もしくは相当する部分には、同一の符号を付すとともに、ここでは、その説明を省略し、相違点のみを説明する。
図5は、この発明の実施の形態3に係る電力変換装置の構成を示したブロック図である。但し、図5においては、図1と同様に、電力変換装置における過電流検出部100Bの構成のみを示している。すなわち、図5においては、電力変換装置における電力変換処理部の構成については図示を省略している。図5において、図1に示した実施の形態1と対応もしくは相当する部分には、同一の符号を付すとともに、ここでは、その説明を省略し、相違点のみを説明する。
Claims (6)
- 電源と負荷とを接続している経路に接続された半導体スイッチと、
上記半導体スイッチに印加される電圧を検出する電圧検出部と、
上記半導体スイッチの温度を検出する温度検出部と、
上記電圧検出部の構成要素の変動要素を含む特性を示す電圧検出パラメータと、上記温度検出部で検出された上記半導体スイッチの温度とが入力され、上記電圧検出パラメータおよび上記温度と、上記半導体スイッチにおいて過電流として判定される電流の下限値との相関に基づいて、入力された上記電圧検出パラメータおよび上記温度に対する、上記過電流として判定される電流の下限値を求める過電流演算部と、
上記過電流演算部によって演算された上記電流の下限値に対応する電圧値を求めて過電流判定閾値として出力する閾値演算部と、
上記閾値演算部によって演算された過電流判定閾値と、上記電圧検出部によって検出された上記電圧とを比較して、上記電圧が上記過電流判定閾値以上の場合に、駆動制御信号を出力する比較部と、
上記比較部からの上記駆動制御信号に基づいて、上記半導体スイッチをオフする制御部と
を備え、
上記過電流演算部は、上記過電流として判定される上記電流の上記下限値が、正常動作時に上記半導体スイッチに通流される最大電流値より大きく、且つ、上記半導体スイッチのアバランシェ耐量に基づいたアバランシェ電流値より小さい範囲内になるように、上記過電流として判定される上記電流の上記下限値を求める、
電力変換装置。 - 上記電源と上記負荷とを接続する上記経路に接続され、予め設定された動作電流値以上の電流が流れたときに、当該電流の流れを遮断する遮断動作を実行する、回路保護部
をさらに備えた、
請求項1に記載の電力変換装置。 - 上記回路保護部の上記動作電流値は、上記半導体スイッチのアバランシェ耐量に基づく電流値より小さい値に設定される、
請求項2に記載の電力変換装置。 - 上記回路保護部の上記動作電流値は、上記半導体スイッチの安全動作領域に基づく電流値より小さい値に設定される、
請求項2に記載の電力変換装置。 - 上記温度検出部は、上記半導体スイッチと同一チップ上に配置された温度検出用ダイオードを用いて、上記半導体スイッチの温度を検出する、
請求項1から4までのいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 上記電圧検出パラメータごと、および、上記半導体スイッチの上記温度ごとに、上記過電流として判定される上記電流の上記下限値が記憶されたマップを格納したマップ格納部をさらに備え、
上記過電流演算部は、上記マップを用いて、上記過電流として判定される上記電流の上記下限値を求める、
請求項1から5までのいずれか1項に記載の電力変換装置。
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