JP6545074B2 - 複芯プラスチックファイバの製造方法及び複芯プラスチックファイバ製造装置 - Google Patents
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Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態に係る複芯ファイバの製造方法の一例を示すフロー図である。図1に示すように、本実施の形態に係る複芯ファイバの製造方法は、単芯ファイバが形成されるステップS11と、バンドルプリフォームが形成されるステップS12と、バンドルプリフォームが洗浄されるステップS13と、複芯ファイバが形成されるステップS14とから構成される。各ステップについて順を追って説明する。
直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム(LAS)等の直鎖アルキルベンゼン系;
ラウリル硫酸ナトリウム(SLS)等のアルキル硫酸エステルナトリウム(AS)、およびアルキルエーテル硫酸エステルナトリウム(AES)等の高級アルコール系;
アルファオレフィンスルホン酸ナトリウム(AOS)等のアルファオレフィン系;
アルキルスルホン酸ナトリウム等のノルマルパラフィン系等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩、およびアルキルベンジルジメチルアンモニウム塩等が挙げられる。
ポリオキシエチレンアルキルエーテル(AE)等の高級アルコール系;
ポリオキシエチレンアルキルフェニールエーテル(APE)等のアルキルフェノール系;
蔗糖脂肪酸塩エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、およびアルカノールアミド等の脂肪酸系等が挙げられる。
上述したように、本実施の形態では、界面活性剤中でバンドルプリフォームを形成することにより、単芯ファイバ素線35が傷つくことを防いでいる。一方で、芯ファイバ素線を束ねる際に使用した界面活性剤を完全に除去されていない場合、残留した界面活性剤等の成分が析出してコアを圧迫して、光損失が増大するコアが発生し、コア間の光信号にばらつきが生じる怖れがある。また、単芯ファイバを束ねる際に単芯ファイバ素線間に異物が混入した場合にも同様に、コア間の光信号にばらつきが生じる怖れがある。
強度保持材60は、バンドルプリフォームの周囲を覆う保持材である。
圧力計62は、アスピレーター64への配管内の圧力を測定する圧力計である。
バンドル内の単芯ファイバ間の隙間を、アスピレーターを用いて減圧状態にする。開とすべき電磁弁は61、63であり、その他の電磁弁は全て閉である。圧力計62の到達圧力が−80.8kPa(−608Torr)以下まで減圧できたら操作2に移る。
超純水タンクに溜めている超純水を注水ポンプで加圧してバンドルプリフォーム40に注入する。このとき、超純水は中空糸フィルターを通してバンドルプリフォーム40に流水させて異物のない超純水を流入させる必要がある。例えば、流入量は100ccとした。開とすべき電磁弁は57、54であり、その他の電磁弁は全て閉である。圧力計62の到達圧力が40.4kPa(0.4kgf/cm2)まで上昇したら操作3に移る。
操作2で注入している超純水を停止する。電磁弁は全て閉である。
バンドルプリフォーム40に溜まった水を減圧することで排水する。開とすべき電磁弁は61、63であり、その他の電磁弁は全て閉である。圧力計62の圧力が0Pa(0kgf/cm2)以下になれば、操作5に移る。操作4の完了時点では、バンドルプリフォーム内の単芯ファイバ素線間には超純水が残っている状態になっている。
バンドルプリフォーム内の単芯ファイバ素線間に残っている超純水を、窒素ガスを噴射することで除去する。その衝撃力で異物をバンドルプリフォーム40内から追い出す。開とすべき電磁弁は59、61、63であり、その他の電磁弁は全て閉である。窒素ガス噴射時間は例えば、1〜10秒程度でよい。
バンドルプリフォーム40の単芯ファイバ素線の下に溜まった超純水を排水する。開とすべき電磁弁は61、54であり、その他の電磁弁は全て閉である。圧力計62の到達圧力が−80.8kPa(−608Torr)以下まで減圧できたら操作7.に移る。
電磁弁は全て閉である。
(実施例1)
はじめに、外径53mmφのポリスチレン(PS、屈折率1.59)製のコアロッドと、内径55mmφ、外径70mmφのポリメチルメタクリレート(PMMA、屈折率1.494)製の第1のクラッドパイプとを用意した。次に図2に示したように、上記の第1のクラッドパイプの中空部に上記のコアロッドを挿入して、単芯のクラッド/コア複合材を得た。
次に図4に示したように、得られた単芯のクラッド/コア複合材に対して、真空雰囲気下で先端部を加熱し、線引きし、切断して、単芯ファイバ素線を得た。
上記の単芯ファイバ素線を5200本用意した。
次に図7に示したように、得られたファイバ素線束を、外径70mmφ、肉厚2mmのポリメチルメタクリレート(PMMA、屈折率1.494)製の第2のクラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得た。
水流洗浄の操作2.〜操作10.を1000回繰り返した以外は実施例1と同じである。得られたPIFについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、全画素数の約5%の暗欠陥が見られた。光学顕微鏡による断面写真を図13に示す。図13は、実施例2の光学顕微鏡による断面写真である。主な製造条件と評価結果を表2に示す。
水流洗浄の操作2.〜操作10.を10回繰り返した以外は実施例1と同じである。得られたPIFについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、全画素数の約10%の暗欠陥が見られた。光学顕微鏡による断面写真を図14に示す。図14は、実施例3の光学顕微鏡による断面写真である。主な製造条件と評価結果を表2に示す。
0.5質量%のラウリル硫酸ナトリウム(SLS)水溶液に代えて、純水中でファイバ素線を束ねた以外は実施例1と同じである。得られたPIFについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、全画素数の約1%の暗欠陥が見られた。六方稠密配列の画素の数の割合は、50%以下であった。
加圧ラインの窒素ガスの圧力をかけない、注水ポンプを使用しないで洗浄した以外は実施例1と同じである。水圧は20.2kPa(0.2kgf/cm2)、アスピレーター64での減圧到達圧力は−80.8kPa(−608Torr)であり、圧力差は20.2−(−80.8)=101kPaであった。得られたPIFについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、全画素数の約20%の暗欠陥が見られた。光学顕微鏡による断面写真を図15に示す。図15は、比較例1の光学顕微鏡による断面写真である。主な製造条件と評価結果を表3に示す。
加圧ラインの窒素ガスの圧力を121.2kPa(1.2kgf/cm2)とし、注水ポンプの圧力も121.2kPa(1.2kgf/cm2)として洗浄した以外は実施例1と同じである。圧力差は121.2−(−80.8)=202kPaであった。得られたPIFについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、全画素数の約15%の暗欠陥が見られた。光学顕微鏡による断面写真を図16に示す。図16は、比較例2の光学顕微鏡による断面写真である。主な製造条件と評価結果を表3に示す。
水流洗浄を実施しない以外は実施例1と同である。得られたPIFについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、全画素数の約50%の暗欠陥が見られた。光学顕微鏡による断面写真を図17に示す。図17は、比較例3の光学顕微鏡による断面写真である。主な製造条件と評価結果を表3に示す。
0.5質量%のラウリル硫酸ナトリウム(SLS)水溶液に代えて、純水中でファイバ素線を束ねた以外は比較例1と同じである。得られたPIFについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、全画素数の約5%の暗欠陥が見られた。六方稠密配列の画素の数の割合は、50%以下であった。
sd=sa+2×st (1)
sE(%)=(sa/sd)2×100 (2)
単芯ファイバ素線35のクラッド層厚stは、0.4〜0.6mmが好ましい。
単芯ファイバ素線35の外径sdは、4.0〜4.8mmが好ましい。
ポリスチレン(PS、例えば屈折率1.59程度)/ポリメチルメタクリレート(PMMA、例えば屈折率1.494程度)、
ポリベンジルメタクリレート(PBzMA、例えば屈折率1.57程度)/ポリメチルメタクリレート(PMMA、例えば屈折率1.494程度)、および、
ポリメチルメタクリレート(PMMA、例えば屈折率1.494程度)/メタクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル(例えば屈折率1.42程度)等が好ましい。
ここで、mtは、個々のコア71を被覆する仮想クラッド層42の厚み(仮想クラッド層厚)である。PIF70において、1つの画素は、1つのコア71とこれを被覆する仮想クラッド層42とからなる。画素径は、ma+2×mtである。1つの画素において、コア71が実質的な点灯部分である。PIF70の画素数N(コア数)は用途等に応じて設計される。画素数Nが多くなる程、高精細となる。
mE(%)=(ma/mp)2×100 (3)
mp=ma+2×mt (4)
(mp2+mp3+mp4+mp5+mp6+mp7)/6 ・・・(5)
22 クラッドパイプ
23 コア複合材
30 単芯ファイバ形成装置
31、81 加熱手段
32、82 線引き手段
33 切断手段
34 真空ポンプ
35 単芯ファイバ素線
40 バンドルプリフォーム
41 コア
42 クラッド層
43 クラッドパイプ
44 空隙
45 ファイバ素線束
50 洗浄装置
51 超純水タンク
52 加圧ライン
53 注水ポンプ
54、57、59、61、63 電磁弁
55 中空糸フィルター
56、62 圧力計
58 サブミクロンポアフィルター
60 強度保持材
64 アスピレーター
65 減圧ライン
71 コア
72 クラッド
80 複芯ファイバ形成装置
90 複芯ファイバ製造装置
91 単芯ファイバ形成部
92 バンドルプリフォーム形成部
93 洗浄部
94 複芯ファイバ形成部
Claims (6)
- クラッドと、前記クラッドの中に形成された複数のコアとを有する複芯プラスチックファイバの製造方法において、
コアがクラッド層で被覆されている単芯プラスチックファイバ素線を、前記クラッド層と同じ材料からなるクラッドパイプの中空部に複数挿入して、バンドルプリフォームを得るバンドルプリフォーム形成工程と、
減圧雰囲気下で、前記バンドルプリフォームの先端部を加熱し、線引きして、クラッドと、前記クラッドの中に形成された複数のコアとを有する前記複芯プラスチックファイバを形成する複芯プラスチックファイバ形成工程と、を有する複芯プラスチックファイバの製造方法であって、
前記複芯プラスチックファイバの製造方法は、バンドルプリフォーム形成工程と複芯ファイバ形成工程の間において、前記バンドルプリフォーム内の前記複数の単芯プラスチックファイバ素線と前記クラッドパイプとの空間に液体を加圧送出して、250kPa以上の圧力差をかけて洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする複芯プラスチックファイバの製造方法。 - 前記バンドルプリフォーム形成工程において、界面活性剤を含む溶液中で前記複数の単芯プラスチックファイバ素線を前記クラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得る請求項1に記載の複芯プラスチックファイバの製造方法。
- 前記洗浄工程において、液体を加圧送出して後にバンドルプリフォーム内に気体の送出と排気を交互に2回以上繰り返す請求項1または2に記載の複芯プラスチックファイバの製造方法。
- コアがクラッド層で被覆された単芯プラスチックファイバ素線を、前記クラッド層と同じ材料からなるクラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得るバンドルプリフォーム形成部と、
減圧雰囲気下で、前記バンドルプリフォームの先端部を加熱し、線引きして、複芯プラスチックファイバを形成する複芯プラスチックファイバ形成部と、を有する複芯プラスチックファイバ製造装置であって、
前記複芯プラスチックファイバ製造装置は、バンドルプリフォーム形成部において形成された前記バンドルプリフォーム内の複数の単芯プラスチックファイバ素線と前記クラッドパイプとの空間(隙間)に液体を加圧送出して洗浄する洗浄部を有し、
前記複芯プラスチックファイバ形成部は、前記洗浄部において洗浄された前記バンドルプリフォームから前記複芯プラスチックファイバを形成することを特徴とする複芯プラスチックファイバ製造装置。 - 前記バンドルプリフォーム形成部は、界面活性剤を含む溶液中で前記複数の単芯プラスチックファイバ素線を前記クラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得る請求項4に記載の複芯プラスチックファイバ製造装置。
- 前記洗浄部は、においてバンドルプリフォーム内に気体の送出と排気を交互に2回以上繰り返す請求項4または5に記載の複芯プラスチックファイバ製造装置。
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