JP6541623B2 - プラズマ処理装置、及び波形補正方法 - Google Patents
プラズマ処理装置、及び波形補正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6541623B2 JP6541623B2 JP2016121596A JP2016121596A JP6541623B2 JP 6541623 B2 JP6541623 B2 JP 6541623B2 JP 2016121596 A JP2016121596 A JP 2016121596A JP 2016121596 A JP2016121596 A JP 2016121596A JP 6541623 B2 JP6541623 B2 JP 6541623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- waveform
- unit
- voltage
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 72
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 27
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 8
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32128—Radio frequency generated discharge using particular waveforms, e.g. polarised waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
図1は、第1の実施形態に係るプラズマ処理装置10の構成例を示す図である。図1に示すプラズマ処理装置10は、容量結合プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)を用いたプラズマ処理装置として構成される。プラズマ処理装置10は、略円筒状の処理容器12を備えている。処理容器12の内壁面は、例えば、陽極酸化処理されたアルミニウムから構成されている。この処理容器12は保安接地されている。
第2の実施形態では、歪み成分を抽出する際に、高周波電力又は実効吸収電力に代えて、下部電極18の電圧値を測定して、波形を取得する点が第1の実施形態と異なる。以下の説明では、第1の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
第3の実施形態では、下部電極18の電圧値として静電チャック19の電圧を測定し、静電チャック19の電圧に関して、波形を取得する点が第2の実施形態と異なる。以下の説明では、第2の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
第4の実施形態では、下部電極18の電圧値としてフォーカスリングFRの電圧を測定し、フォーカスリングFRの電圧に関して、波形を取得する点が第2の実施形態と異なる。以下の説明では、第2の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
12 処理容器
18 下部電極
18a 第1プレート
18b 第2プレート
19 静電チャック
30 上部電極
61 高周波生成部
62 増幅器
63 整合器
64 高周波電源
65 整合器
66、166、266、366 歪み成分抽出部
67 波形補正部
91、92 電力測定部
95、195、295、395 波形取得部
96 フーリエ変換部
97 比較部
191、291、391 電圧測定部
FR フォーカスリング
Claims (6)
- 電極を有するプラズマ処理装置であって、
予め定められた周波数を有する設定周波数成分を含む波形データを用いて、プラズマ生成用の高周波を生成する高周波生成部と、
前記高周波生成部により生成された前記高周波を前記電極に伝送する経路において前記高周波に付与される歪み成分を抽出する歪み成分抽出部と、
前記歪み成分の位相を逆転して得られる逆位相成分を、前記高周波生成部における前記高周波の生成に用いられる波形データの前記設定周波数成分に合成することによって、前記波形データを補正する波形補正部と
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記歪み成分抽出部は、
前記電極に印加される前記高周波の電力、前記高周波の電力と前記高周波がプラズマで反射された反射波の電力との差分、又は前記電極の電圧値に関して、波形を取得する波形取得部と、
前記波形をフーリエ変換することによって、前記波形に含まれる複数の周波数成分を抽出するフーリエ変換部と、
前記複数の周波数成分と、前記設定周波数成分とを比較することによって、前記設定周波数成分以外の周波数成分を前記歪み成分として抽出する比較部と
を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記歪み成分抽出部は、
前記高周波生成部により生成された前記高周波を前記電極に伝送する経路の電圧を前記電極の電圧値として測定する電圧測定部をさらに有し、
前記波形取得部は、
前記電圧測定部により測定された前記経路の電圧に関して、波形を取得することを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電極は、被処理体の載置台として機能し、
前記電極上には、前記被処理体を静電力により吸着する静電チャックが設けられ、
前記歪み成分抽出部は、
前記静電チャックの電圧を前記電極の電圧値として測定する電圧測定部をさらに有し、
前記波形取得部は、
前記電圧測定部により測定された前記静電チャックの電圧に関して、波形を取得することを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電極は、被処理体の載置台として機能し、
前記電極上には、前記被処理体が載置される領域を囲むようにフォーカスリングが設けられ、
前記歪み成分抽出部は、
前記フォーカスリングの電圧を前記電極の電圧値として測定する電圧測定部をさらに有し、
前記波形取得部は、
前記電圧測定部により測定された前記フォーカスリングの電圧に関して、波形を取得することを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 電極を備えたプラズマ処理装置における波形補正方法であって、
予め定められた周波数を有する設定周波数成分を含む波形データを用いて、プラズマ生成用の高周波を生成し、
生成された前記高周波を前記電極に伝送する経路において前記高周波に付与される歪み成分を抽出し、
前記歪み成分の位相を逆転して得られる逆位相成分を、前記高周波の生成に用いられる波形データの前記設定周波数成分に合成することによって、前記波形データを補正する
ことを特徴とする波形補正方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016121596A JP6541623B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 |
TW106118818A TWI794176B (zh) | 2016-06-20 | 2017-06-07 | 電漿處理裝置及波形修正方法 |
KR1020170077136A KR102358730B1 (ko) | 2016-06-20 | 2017-06-19 | 플라즈마 처리 장치 및 파형 보정 방법 |
US15/626,502 US9934947B2 (en) | 2016-06-20 | 2017-06-19 | Plasma processing apparatus and waveform correction method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016121596A JP6541623B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017228558A JP2017228558A (ja) | 2017-12-28 |
JP2017228558A5 JP2017228558A5 (ja) | 2018-08-16 |
JP6541623B2 true JP6541623B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=60659760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016121596A Active JP6541623B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9934947B2 (ja) |
JP (1) | JP6541623B2 (ja) |
KR (1) | KR102358730B1 (ja) |
TW (1) | TWI794176B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7037964B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定器、及びフォーカスリングを検査するためのシステムの動作方法 |
JP6846384B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の高周波電源を制御する方法 |
JP6842443B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2021-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマを生成する方法 |
KR20210107716A (ko) * | 2019-01-22 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 펄스 전압 파형을 제어하기 위한 피드백 루프 |
JP7122268B2 (ja) * | 2019-02-05 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11721526B2 (en) * | 2019-05-31 | 2023-08-08 | Mks Instruments, Inc. | System and method of power generation with phase linked solid-state generator modules |
KR102175086B1 (ko) * | 2019-07-15 | 2020-11-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN113035677B (zh) * | 2019-12-09 | 2023-01-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备以及等离子体处理方法 |
US20230103714A1 (en) * | 2019-12-17 | 2023-04-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and operating method of plasma processing apparatus |
JP2021168231A (ja) * | 2020-04-09 | 2021-10-21 | 東京計器株式会社 | 高周波生成装置 |
US11775199B2 (en) * | 2021-01-20 | 2023-10-03 | Micron Technology, Inc. | Voltage resonance mitigation of memory dies |
WO2023019145A1 (en) * | 2021-08-12 | 2023-02-16 | Lam Research Corporation | Distortion of pulses for wafer biasing |
JP2024062195A (ja) | 2022-10-24 | 2024-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 周波数可変電源及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5965034A (en) * | 1995-12-04 | 1999-10-12 | Mc Electronics Co., Ltd. | High frequency plasma process wherein the plasma is executed by an inductive structure in which the phase and anti-phase portion of the capacitive currents between the inductive structure and the plasma are balanced |
US6252354B1 (en) * | 1996-11-04 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control |
JP3808973B2 (ja) * | 1996-05-15 | 2006-08-16 | 株式会社ダイヘン | プラズマ処理装置 |
JP3122618B2 (ja) * | 1996-08-23 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP0840350A2 (en) | 1996-11-04 | 1998-05-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma apparatus and process with filtering of plasma sheath-generated harmonics |
US20010045832A1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-11-29 | Kenneth W. Belt | Peripheral vascular array |
JP4633881B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2011-02-16 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
KR20020021808A (ko) * | 2000-06-12 | 2002-03-22 | 이에츠구 히사시 | 면역분석법 및 면역분석장치 |
TWI391035B (zh) * | 2002-12-16 | 2013-03-21 | Japan Science & Tech Agency | Plasma generation device, plasma control method and substrate manufacturing method (1) |
US8835869B2 (en) * | 2003-02-04 | 2014-09-16 | Veeco Instruments, Inc. | Ion sources and methods for generating an ion beam with controllable ion current density distribution |
JP4408707B2 (ja) | 2004-01-13 | 2010-02-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4920991B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2012-04-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5376816B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
JP4978566B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | 大気圧プラズマ発生方法及び装置 |
US9111795B2 (en) * | 2011-04-29 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film |
JP2014049362A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ発生装置および基板処理装置 |
US9924883B2 (en) * | 2013-06-28 | 2018-03-27 | University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education | Biomimetic coating for neural implants |
JP6140093B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2017-05-31 | 株式会社東芝 | キャッシュメモリ、誤り訂正回路およびプロセッサシステム |
US9798256B2 (en) * | 2015-06-30 | 2017-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing toner |
-
2016
- 2016-06-20 JP JP2016121596A patent/JP6541623B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-07 TW TW106118818A patent/TWI794176B/zh active
- 2017-06-19 US US15/626,502 patent/US9934947B2/en active Active
- 2017-06-19 KR KR1020170077136A patent/KR102358730B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201810419A (zh) | 2018-03-16 |
US9934947B2 (en) | 2018-04-03 |
TWI794176B (zh) | 2023-03-01 |
US20170365445A1 (en) | 2017-12-21 |
JP2017228558A (ja) | 2017-12-28 |
KR20170142925A (ko) | 2017-12-28 |
KR102358730B1 (ko) | 2022-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6541623B2 (ja) | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 | |
CN111029238B (zh) | 等离子体处理装置和控制方法 | |
WO2019244734A1 (ja) | 制御方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2020004710A (ja) | 制御方法及びプラズマ処理装置 | |
US20130284369A1 (en) | Two-phase operation of plasma chamber by phase locked loop | |
JP7000521B2 (ja) | プラズマ処理装置及び制御方法 | |
KR20200083330A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 제어 방법 | |
JP6625122B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
TW201802934A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP6817889B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2021068880A (ja) | 吸着方法、載置台及びプラズマ処理装置 | |
KR102421082B1 (ko) | 바이어스 동작에 대한 rf 맞춤조정된 전압 | |
US9859101B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP7442365B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法および基板処理システムの制御方法 | |
WO2023074816A1 (ja) | プラズマ処理装置、給電システム、制御方法、プログラム、及び記憶媒体 | |
US20240136154A1 (en) | Frequency-variable power supply and plasma processing apparatus | |
CN111293024B (zh) | 控制方法和等离子体处理装置 | |
JP2023001473A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2007115867A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法 | |
JP2020119938A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180706 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190426 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6541623 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |