JP6541476B2 - ウェーハの研磨方法 - Google Patents
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Description
13 サファイア基板
15 エピタキシャル層
19 光デバイス
21 保護部材
24 スピンドル
26,35,37 スラリー溶液供給穴
32 研磨ホイール
36 研磨パッド
46 チャックテーブル
74 スラリー容器供給源
76 純水供給ノズル
78 スラリー溶液供給範囲
80 純水供給範囲
Claims (3)
- ウェーハより大径の研磨面を有する研磨パッドとスラリー溶液を用いてウェーハを研磨するウェーハの研磨方法であって、
チャックテーブルの保持面にウェーハを保持する保持ステップと、
ウェーハを保持した該チャックテーブルを回転させると共に、研磨パッドを回転させつつ該チャックテーブルに保持されたウェーハに該研磨パッドの研磨面を押圧し、スラリー溶液を供給しながらウェーハを研磨する研磨ステップと、を備え、
該研磨ステップでは、
ウェーハに対面して該研磨面に開口したスラリー溶液供給穴から該スラリー溶液を供給しつつ、
該研磨面のウェーハに接触しない領域に純水を供給しながら研磨を実施して、
該研磨パッドの該純水が供給される純水供給範囲で該研磨パッドの該スラリー溶液が供給されるスラリー溶液供給範囲を囲繞することを特徴とするウェーハの研磨方法。 - 該研磨ステップで供給されるスラリー溶液の流量の方が純水の流量より少ないことを特徴とする請求項1記載のウェーハの研磨方法。
- 前記ウェーハは、サファイアウェーハ又はSiCウェーハから構成される請求項1又は2記載のウェーハの研磨方法。
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