JP6541030B2 - Transparent electrode, touch panel, and display device with touch position detection function - Google Patents
Transparent electrode, touch panel, and display device with touch position detection function Download PDFInfo
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本発明は、透視性電極に関する。また本発明は、透視性電極を備えたタッチパネルに関する。また本発明は、タッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置に関する。 The present invention relates to a transparent electrode. The present invention also relates to a touch panel provided with a transparent electrode. The present invention also relates to a display device with a touch position detection function obtained by combining a touch panel and a display device.
今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネル、タッチパネル上への接触位置を検出する制御回路、配線、およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を備えている。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置が組み込まれた様々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機、ノートＰＣ、スマートフォン、タブレット端末）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力、特に表示画像の位置座標及び該位置座標と対応付けられた情報の入力が可能になっている。タッチパネルのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルのこの領域が、接触位置（或いは接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。 Today, touch panel devices are widely used as input means. The touch panel device includes a touch panel, a control circuit that detects a contact position on the touch panel, wiring, and an FPC (flexible printed circuit board). Touch panel devices are often used for various devices (for example, ticket vending machines, ATM devices, mobile phones, game machines, notebook PCs, smartphones, tablet terminals) in which display devices such as liquid crystal displays and organic EL displays are incorporated. It is used with a display as an input means. In such a device, the touch panel is disposed on the display surface of the display device, whereby an extremely direct input to the display device, in particular the position coordinates of the display image and the information associated with the position coordinates Input is enabled. An area of the touch panel facing the display area of the display device is transparent, and this area of the touch panel constitutes an active area where the touch position (or approach position) can be detected.
タッチパネルとして、投影型容量結合方式のタッチパネルが知られている。容量結合方式のタッチパネルにおいては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルに接触（或いは接近）する際、新たに寄生容量が発生する。この寄生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネル上における外部導体の位置が検出される。このような投影型容量結合方式のタッチパネルは例えば、ＰＥＴなどの透明基材と、透明基材上に設けられた複数の導電パターンと、を備えた透視性電極を含んでいる。導電パターンは、例えば、透光性および導電性を有するＩＴＯ（酸化インジウム錫）透明導電材料から構成される。 A projected capacitive coupling type touch panel is known as a touch panel. In a capacitive coupling type touch panel, parasitic capacitance is newly generated when an external conductor (typically, a finger) whose position is to be detected contacts (or approaches) the touch panel via a dielectric. The position of the outer conductor on the touch panel is detected based on the change in capacitance caused by the parasitic capacitance. Such a projection-type capacitive coupling touch panel includes, for example, a transparent electrode including a transparent substrate such as PET and a plurality of conductive patterns provided on the transparent substrate. The conductive pattern is made of, for example, an ITO (indium tin oxide) transparent conductive material having translucency and conductivity.
また、導電パターンの電気抵抗値を低くし、これによってタッチ位置の検出精度を向上させるため、導電パターンを構成する材料として、透明導電材料よりも高い導電性を有する銀や銅などの金属材料を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。但し、これら金属材料は不透明の為、導電パターンが金属材料から構成される場合、導電パターンには、表示装置からの映像光を適切な比率で透過させるための開口部が形成されている。例えば導電パターンは、網目状に配置された導線によって構成されている。 In addition, in order to lower the electric resistance value of the conductive pattern and thereby improve the detection accuracy of the touch position, a metal material such as silver or copper having conductivity higher than that of the transparent conductive material is used as a material constituting the conductive pattern. It has been proposed to use (see, for example, Patent Document 1). However, since these metal materials are opaque, when the conductive pattern is made of a metal material, the conductive pattern is formed with an opening for transmitting image light from the display device at an appropriate ratio. For example, the conductive pattern is constituted by conducting wires arranged in a mesh.
ところで銅などの金属材料は、高い導電性を有する一方で、金属光沢を示す。このため、未処理の金属材料が導線として用いられると、表示装置からの映像光の視認性が、導線の金属光沢によって妨げられることになる。特に銅は、銅に特有の赤味を帯びた色を示すため、銀などのその他の金属材料に比べて目立ち易く、このため表示装置からの映像光の視認性がより妨げられることになる。 By the way, metallic materials such as copper have high conductivity while exhibiting metallic luster. For this reason, when an untreated metal material is used as a conducting wire, the visibility of the image light from the display device is hindered by the metallic luster of the conducting wire. In particular, copper exhibits a reddish color peculiar to copper and is thus more noticeable than other metal materials such as silver, which further hinders the visibility of image light from the display device.
このような銅特有の金属光沢を和らげるため、例えば上述の特許文献１においては、導線に酸化処理を施して導線の表面に酸化銅からなる黒化処理層を形成し、これによって導線の表面を黒色化（黒化）することが提案されている。しかしながら、黒化処理によって形成される黒化処理層にはある程度の厚みが必要である。具体的には、特許文献１においては、黒化処理層の好ましい厚みとして０．２μｍ以上２μｍ以下という範囲が示されている。また、導線の厚みとして、主に２μｍという値が採用されている。このため、黒化処理層が形成された導線においては、導線の表面だけでなく導線の側面においても、無視できない程度の反射が生じたり、または導線の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまったりすることが考えられる。
In order to soften such a metallic luster peculiar to copper, for example, in the above-mentioned
このような課題を考慮し、本件発明者らは、導線の本体層を黒化処理するのではなく、本体層の面上に、本体層に比べて金属光沢が抑制された薄い低反射層を設けることにより、導線の金属光沢を軽減することを提案する。本件発明者らは、低反射層が設けられた導線の光学特性に関して鋭意研究を重ねた結果、低反射層として窒化銅からなる層を用いる場合、窒化銅に酸素原子を添加することで、視感反射率（反射Ｙ値）を更に下げることができることを知見した。 In view of such problems, the inventors of the present invention did not blacken the main body layer of the conducting wire, but on the surface of the main body layer, a thin low reflection layer in which metallic gloss was suppressed compared to the main body layer. It is proposed to reduce the metallic luster of the conducting wire by providing. The inventors of the present invention conducted intensive studies on the optical properties of the lead provided with the low reflective layer, and as a result, when using a layer made of copper nitride as the low reflective layer, adding oxygen atoms to copper nitride It has been found that the reflectance ratio (reflection Y value) can be further reduced.
本発明は、以上の知見に基づいて創案されたものである。本発明の目的は、導電パターンの不可視性が高い透視性電極、タッチパネル、およびタッチ位置検出機能付き表示装置を提供することにある。 The present invention has been made based on the above findings. An object of the present invention is to provide a transparent electrode with high invisibility of a conductive pattern, a touch panel, and a display device with a touch position detection function.
本発明による第１の透視性電極は、
透明基材と、
前記透明基材上に設けられた複数の導電パターンと、
を備え、
前記導電パターンは、遮光性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるように網目状に配置された導線から構成されており、
前記導線は、
金属材料からなる本体層と、
前記本体層に対して前記透明基材側および／または前記透明基材とは逆側に積層され、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層と、
を含み、
前記低反射層の膜厚は、１０ｎｍ〜６０ｎｍである。
また、本発明による第２の透視性電極は、
透明基材と、
前記透明基材上に設けられた複数の導電パターンと、
を備え、
前記導電パターンは、遮光性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるように網目状に配置された導線から構成されており、
前記導線は、
金属材料からなる本体層と、
前記本体層に対して前記透明基材側および／または前記透明基材とは逆側に積層され、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層と、
を含み、
前記低反射層の膜厚は、１０ｎｍ〜６０ｎｍであり、
前記低反射層の反射Ｙ値は、３０％以下である。
また、本発明による第３の透視性電極は、
透明基材と、
前記透明基材上に設けられた複数の導電パターンと、
を備え、
前記導電パターンは、遮光性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるように網目状に配置された導線から構成されており、
前記導線は、
金属材料からなる本体層と、
前記本体層に対して前記透明基材側および／または前記透明基材とは逆側に積層され、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層と、
を含み、
前記低反射層の膜厚は、１０ｎｍ〜６０ｎｍであり、
前記低反射層の反射Ｙ値は、２７％以下である。
前記低反射層は、表面から５ｎｍ以上の深さに７アトミック％〜１７アトミック％の酸素原子を含む窒化銅からなる。
本発明による透視性電極において、前記本体層は、９０重量％以上の銅を含んでもよい。
本発明によるタッチパネルは、上述した本発明による透視性電極のいずれかを備える。
本発明による表示装置は、
表示装置と、
前記表示装置の表示面上に配置された、上述した本発明によるタッチパネルと、
を備える。
The first transparent electrode according to the invention is
A transparent substrate,
A plurality of conductive patterns provided on the transparent substrate;
Equipped with
The conductive pattern is a conductive wire having a light shielding property, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape such that an opening is formed between the conductive wires.
The wire is
A body layer made of metal material,
A low reflection layer made of copper nitride which is laminated on the side of the transparent base and / or on the side opposite to the transparent base with respect to the main body layer and which contains oxygen atoms at a depth of 5 nm or more from the surface;
Including
The film thickness of the low reflective layer is 10 nm to 60 nm.
Also, the second transparent electrode according to the present invention is
A transparent substrate,
A plurality of conductive patterns provided on the transparent substrate;
Equipped with
The conductive pattern is a conductive wire having a light shielding property, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape such that an opening is formed between the conductive wires.
The wire is
A body layer made of metal material,
A low reflection layer made of copper nitride which is laminated on the side of the transparent base and / or on the side opposite to the transparent base with respect to the main body layer and which contains oxygen atoms at a depth of 5 nm or more from the surface;
Including
The film thickness of the low reflection layer is 10 nm to 60 nm,
The reflection Y value of the low reflective layer is 30% or less.
Also, the third transparent electrode according to the present invention is
A transparent substrate,
A plurality of conductive patterns provided on the transparent substrate;
Equipped with
The conductive pattern is a conductive wire having a light shielding property, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape such that an opening is formed between the conductive wires.
The wire is
A body layer made of metal material,
A low reflection layer made of copper nitride which is laminated on the side of the transparent base and / or on the side opposite to the transparent base with respect to the main body layer and which contains oxygen atoms at a depth of 5 nm or more from the surface;
Including
The film thickness of the low reflection layer is 10 nm to 60 nm,
The reflection Y value of the low reflective layer is 27% or less.
The low reflective layer is made of copper nitride containing 7 atomic% to 17 atomic% of oxygen atoms at a depth of 5 nm or more from the surface.
In the transparent electrode according to the present invention, the body layer may contain 90% by weight or more of copper.
The touch panel according to the present invention comprises any of the above-described transparent electrodes according to the present invention.
The display device according to the invention is
A display device,
The above-described touch panel according to the present invention disposed on the display surface of the display device;
Equipped with
本発明によれば、導電パターンの不可視性が高い透視性電極、タッチパネル、およびタッチ位置検出機能付き表示装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a transparent electrode with high invisibility of a conductive pattern, a touch panel, and a display device with a touch position detection function.
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示の理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings attached to this specification, for the sake of easy-to-understand illustration, the scale, vertical and horizontal dimensional ratio, etc. are appropriately changed from those of a real thing and exaggerated.
＜第１の実施の形態＞
以下、図１〜図５を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。
First Embodiment
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5.
まず、図１を参照して、本実施の形態における透視性電極３１について説明する。図１は、観察者側から見た場合の透視性電極３１を示す平面図である。
First, with reference to FIG. 1, the
ここでは、透視性電極３１が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネル用に構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本明細書では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネルは、導電性のパターンを有しており、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルに接近することにより、外部の導体とタッチパネルの導電性のパターンとの間でコンデンサ（静電容量）が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、タッチパネル上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。
Here, an example in which the
図１に示すように、透視性電極３１は、透明基材３２と、透明基材３２上に設けられた複数の導電パターン４１と、を備えている。図１に示すように、各導電パターン４１は長方形の輪郭線形状をなし、該長方形の長辺は図１の上下方向にそれぞれ帯状に延びている。また、複数の導電パターン４１は、各導電パターン４１が延びる方向に直交する方向において、一定の配列ピッチで並べられている。導電パターン４１の配列ピッチは、タッチ位置の検出に関して求められる分解能に応じて定められるが、例えば数ｍｍである。
As shown in FIG. 1, the
図１に示すように、透視性電極３１の透明基材３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。アクティブエリアＡａ１および非アクティブエリアＡａ２は、それぞれ、後述するタッチ位置検出機能付き表示装置１０の表示装置のアクティブエリアおよび非アクティブエリアに対応して区画されたものである。
As shown in FIG. 1, the
上述の導電パターン４１は、アクティブエリアＡａ１内に配置されている。また非アクティブエリアＡａ２には、各導電パターン４１に電気的に接続された複数の額縁配線４３と、透明基材３２の外縁近傍に配置され、各額縁配線４３に電気的に接続された複数の端子部４４と、が設けられている。
The
次に、図２（ａ）を参照して、導電パターン４１のパターン形状について説明する。図２（ａ）は、図１において符号ＩＩが付された一点鎖線で囲まれた部分における導電パターン４１を示す平面図である。図２（ａ）に示すように、導電パターン４１は、遮光性および導電性を有する導線５１であって、各導線５１の間に開口部５１ａが形成されるように網目状に配置された導線５１から構成されている。
Next, with reference to FIG. 2A, the pattern shape of the
導電パターン４１全体の面積のうち開口部５１ａによって占められる面積の比率（以下、開口率と称する）が十分に高くなり、これによって、表示装置からの映像光が適切な透過率で透視性電極３１のアクティブエリアＡａ１を透過することができる限りにおいて、導線５１の寸法や形状が特に限られることはない。例えば図２（ａ）に示す例において、導電パターン４１は、矩形状に形成された導線５１を所定の方向に沿って並べることによって構成されている。開口率は、表示装置から放出される映像光の特性などに応じて適宜設定される。
The ratio of the area occupied by the
導線５１の線幅は、求められる開口率、導電パターンの不可視性などに応じて設定されるが、例えば導線５１の幅は１μｍ〜１０μｍの範囲内、より好ましくは２μｍ〜７μｍの範囲内に設定されている。また、互いに平行に延びる各導線５１の配列ピッチＰ１も、求められる開口率などに応じて設定される。これによって、観察者が視認する映像に対して導線５１が及ぼす影響を、無視可能な程度まで低くすること、即ち十分な導電パターンの不可視性を得ることができる。
The line width of the
なお図２（ａ）においては、導電パターン４１が、開口部形状が矩形状に形成された導線５１を所定の方向に沿って並べることによって構成されている例を示したが、これに限られることはない。例えば図２（ｂ）に示すように、導電パターン４１は、開口部形状が菱形状に形成された導線５１を所定の方向に沿って並べることによって構成されていてもよい。又、本実施形態に於いては、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す如く導電パターン４１の開口部５１ａは導電パターン４１の延びる方向と直交方向（同図の左右方向）の配列個数が２個となっているが、本発明に於ける該配列個数は２個にのみ限定されるわけでは無く、タッチパネルの位置検知の分解能、感度、導電パターンの不可視性等に応じて適宜個数に設計される。
Although FIG. 2A shows an example in which the
次に、図３および図４を参照して、透視性電極３１の層構成について説明する。図３は、透視性電極３１を図２（ａ）のＩＩＩ線に沿って切断した場合を示す断面図であり、図４は、図３に示す透明基材３２および導線５１を拡大して示す断面図である。
Next, the layer configuration of the
図３に示すように、透視性電極３１は、透明基材３２と、透明基材３２の一方の面上に設けられた導線５１から成る導電パターン４１と、を含んでいる。なお、本明細書において「透明」とは、光透過率が十分に高く、その向こう側が透けて見える性質を意味する。
具体的には、例えば可視光透過率が５０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは９０％以上である。
As shown in FIG. 3, the
Specifically, for example, the visible light transmittance is 50% or more, more preferably 80% or more, and still more preferably 90% or more.
透明基材３２は、上述の導電パターン４１や額縁配線４３などのパターンや配線を支持するためのものである。この透明基材３２は、表示装置からの映像光を透過させることができる基材フィルム３３を含んでいる。本発明に於いて最低限の構成としては透明基材３２は基材フィルム３３のみから構成されていても良いが、本実施形態に於いては図４に示すように、透明基材３２は、基材フィルム３３と導電パターン４１の導線５１との間に設けられたアンダーコート層３５ａ、基材フィルム３３のうち導線５１に向かい合う側とは反対の側に設けられたアンダーコート層３５ｂ、及び、基材フィルム３３と各アンダーコート層３５ａ，３５ｂとの間に介在された、基材フィルム３３とアンダーコート層３５ａおよびアンダーコート層３５ｂとの間の密着性を向上させるためのプライマー層３４ａおよびプライマー層３４ｂからなる。
The
基材フィルム３３を構成する材料としては、透明性および可撓性を有する材料が用いられ、例えば合成樹脂（プラスチック）が用いられる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、またはトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などのセルロース系樹脂等の可撓性及び透明性を有する樹脂が用いられる。基材フィルムの厚みは２０〜５０００μｍ程度とする。
As a material which comprises the
アンダーコート層３５ａ，３５ｂは、擦り傷などに対する耐擦傷性を高めるという機能や、透視性電極３１の透過率や反射率などの光学特性を調整するという機能を実現するために設けられる層である。
The undercoat layers 35a and 35b are layers provided to realize the function of enhancing the abrasion resistance to scratches and the like, and the function of adjusting optical characteristics such as transmittance and reflectance of the
耐擦傷性を高める機能が求められる場合、アンダーコート層３５ａ，３５ｂを構成する材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂などの、十分な硬度を有する材料が用いられる。この場合、アンダーコート層は、いわゆるハードコート層として機能することになる。好ましくは、同線形成層５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃを形成する際に加工機中のガイドローラ等による基材フィルム３３の傷つきを低減する為に、該アクリル樹脂中に粒径０．１〜５μｍの微粒子を添加する。該微粒子は、シリカ（酸化珪素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等からなる無機物粒子、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、珪素樹脂、弗素樹脂、メラミン樹脂等の有機物粒子からなるものが使用できる。又、該微粒子の添加量は、該アンダーコート層組成物中に０．１〜３０質量％程度とすることが出来る。該アンダーコート層の厚みは、乾燥硬化状態で１〜５μｍ程度とすることが出来る。
When the function of improving the scratch resistance is required, for example, a material having sufficient hardness such as an ultraviolet curable acrylic resin is used as a material for forming the undercoat layers 35a and 35b. In this case, the undercoat layer functions as a so-called hard coat layer. Preferably, in order to reduce scratching of the
なお、アンダーコート層３５ａ，３５ｂのうち基材フィルム３３の観察者側に位置するアンダーコート層のことを「観察者側アンダーコート」と称し、反対側に位置するアンダーコート層のことを「表示装置側アンダーコート」と称することもある。なお後述するように、導線５１は、透明基材３２の観察者側に位置することもあれば、透明基材３２の表示装置側に位置することもある。従って、アンダーコート層３５ａが「観察者側アンダーコート」になりアンダーコート層３５ｂが「表示装置側アンダーコート」になることもあれば、アンダーコート層３５ｂが「観察者側アンダーコート」になりアンダーコート層３５ａが「表示装置側アンダーコート」になることもある。
Of the undercoat layers 35a and 35b, the undercoat layer located on the viewer side of the
次に、導線５１の層構成について説明する。図４に示すように、導線５１は、透明基材３２側から順に配置された本体層５３および低反射層５４を有する導線形成層５２Ａを含んでいる。
Next, the layer configuration of the
本体層５３は、導線５１における導電性を主に実現するための層である。本発明に於けるこの本体層５３は、その厚みが例えば０．３μｍ以下になるよう、より具体的には０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲内になるよう構成されている。これによって、導線５１全体の厚みが大きくなることを抑制することができ、このことにより、導線５１の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。このため、透視性電極３１が取り付けられる表示装置における視認性を十分に確保することができる。
The
一方、本体層５３の厚みを小さくすることは、導線５１の電気抵抗値が大きくなってしまうことを導き得る。ここで本実施の形態においては、本体層５３を構成する材料として、その比抵抗が所望の値以下である金属材料を用いており、例えばその比抵抗が４．０×１０−６（Ωｍ）以下である金属材料を用いている。これによって、導線５１の電気抵抗値を十分に低くすることができる。例えば、本体層５３のシート抵抗値を０．３Ω／□以下にすることができる。本体層５３を構成するための、その比抵抗が４．０×１０−６（Ωｍ）以下である金属材料としては、本発明に於いては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等の金属を９０重量％以上含む材料（金属単体、金属合金等）を用いることが出来る。本実施形態に於いては、９９重量％の銅を含む材料を用いる。
On the other hand, reducing the thickness of the
ところで、発明が解決しようとする課題の欄でも言及したように、銅などの金属材料は、高い導電性を有する一方で、金属光沢を示す。このため、未処理の金属材料が導線５１として用いられると、表示装置からの映像光の視認性が、導線の金属光沢によって妨げられることになる。特に銅は、銅に特有の赤味を帯びた色を示すため、銀などのその他の金属材料に比べて目立ち易く、このため表示装置からの映像光の視認性がより妨げられることになる。
Incidentally, as mentioned in the section of the problem to be solved by the invention, a metal material such as copper exhibits high metallic conductivity while having high conductivity. For this reason, when the unprocessed metal material is used as the
このような銅特有の金属光沢を和らげるため、例えば上述の特許文献１においては、導線に酸化処理を施して導線の表面に酸化銅からなる黒化処理層を形成し、これによって導線の表面を黒色化（黒化）することが提案されている。しかしながら、黒化処理によって形成される黒化処理層にはある程度の厚みが必要である。具体的には、特許文献１においては、黒化処理層の好ましい厚みとして０．２μｍ以上２μｍ以下という範囲が示されている。また、導線の厚みとして、主に２μｍという値が採用されている。このため、黒化処理層が形成された導線においては、導線の表面だけでなく導線の側面においても、無視できない程度の反射が生じたり、または導線の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまったりすることが考えられる。
In order to soften such a metallic luster peculiar to copper, for example, in the above-mentioned
このような課題を考慮し、本件発明者らは、導線５１の本体層５３を黒化処理するのではなく、本体層５３の面上に、本体層５３に比べて金属光沢が抑制された薄い低反射層５４を設けることにより、導線５１の金属光沢を軽減することを提案する。以下、低反射層５４について説明する。
In consideration of such a problem, the inventors of the present invention do not blacken the
低反射層５４は、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる層である。低反射層５４の膜厚は、１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内であり、例えば４０ｎｍである。
低反射層５４の反射Ｙ値（視感反射率とも称する）は、３０％以下であり、好ましくは２７％以下である。ここで、反射Ｙ値は、ＪＩＳ Ｚ８７２２の規定による値であり、波長５５０ｎｍ近辺の光に対する反射率を意味する。
The low
The reflection Y value (also referred to as luminous reflectance) of the
一般に、窒化銅からなる層の表面が大気に曝される場合、窒化銅からなる層の表面は大気中の酸素と反応する（自然酸化する）ことで酸素原子を含み得る。しかしながら、本件発明者らの知見によれば、窒化銅からなる層のうち自然酸化し得る窒化銅は、表面から０．１ｎｍ程度までの深さにある窒化銅である。従って、窒化銅からなる層が表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む場合、その酸素原子は、表面が自然酸化したことに由来する酸素原子では無く、例えば成膜時等において窒化銅からなる層に意図的に添加された酸素原子であると考えることができる。すなわち、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる層とは、酸素原子の添加方法は特に限定されないが、意図的に酸素原子が添加された窒化銅からなる層を意味する。なお、「表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる層」という表現は、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含むとともに表面から５ｎｍ未満の深さにも酸素原子を含む窒化銅からなる層を当然含む。 In general, when the surface of the layer made of copper nitride is exposed to the atmosphere, the surface of the layer made of copper nitride can contain oxygen atoms by reacting (naturally oxidizing) with oxygen in the atmosphere. However, according to the findings of the present inventors, the naturally oxidizable copper nitride in the layer made of copper nitride is copper nitride at a depth of about 0.1 nm from the surface. Therefore, when the layer made of copper nitride contains oxygen atoms to a depth of 5 nm or more from the surface, the oxygen atoms are not oxygen atoms derived from natural oxidation of the surface, for example, from copper nitride at the time of film formation It can be considered that it is an oxygen atom intentionally added to the That is, the layer consisting of copper nitride containing oxygen atoms at a depth of 5 nm or more from the surface means a layer consisting of copper nitride intentionally added with oxygen atoms, although the method of adding oxygen atoms is not particularly limited. . The expression "a layer made of copper nitride containing oxygen atoms to a depth of 5 nm or more from the surface" means that oxygen atoms are contained to a depth of 5 nm or more from the surface and oxygen atoms to a depth of less than 5 nm from the surface Naturally, the layer comprising copper nitride is included.
このような窒化銅を用いて構成される低反射層５４においては、その金属光沢が、本体層５３における金属光沢に比べて軽減されており、特に、銅に特有の赤味を帯びた色が軽減されている。また、このような窒化銅を用いて構成される低反射層５４は、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含まない窒化銅からなる層に比べて、反射Ｙ値が顕著に低減されている。このため、導線５１からの反射光によって映像の視認性が低下することを抑制することができる。
In the
また、低反射層５４は、本体層５３に比べて小さな厚みを有しており、具体的には、低反射層５４の厚みは、１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内になっているため、導線５１全体の厚みが大きくなることを抑制することができ、このことにより、導線５１の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。
The low
また、低反射層５４の厚みを１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内に設定することによっても、導線５１における光の反射率を低くすることができる。この理由としては、限定はされないが例えば、低反射層５４において生じる薄膜干渉を挙げることができる。薄膜干渉とは、低反射層５４の一方の面で反射された光と、低反射層５４の他方の面で反射された光とが干渉するという現象である。低反射層５４の厚みを上述の１０〜６０ｎｍの範囲内に設定することにより、反射光を弱めるように薄膜干渉が生じ、これによって、導線５１における光の反射率が低減されることが考えられ得る。
In addition, by setting the thickness of the
上述のような薄い低反射層５４を形成するための方法が特に限られることはなく、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム法などの公知の薄膜形成法を用いることができる。例えばスパッタリング法が用いられる場合、所定の分圧に制御された窒素ガスおよび酸素ガスが存在する環境下で、銅からなるターゲットに放電電力を印加することによって、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる層を得ることができる。
The method for forming the thin
なお、上述のアンダーコート層３５ａは、複数の層から構成されていてもよい。例えば、図示はしないが、アンダーコート層３５ａは、第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層と基材フィルム３３との間に設けられた第２アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、第１アンダーコート層の屈折率は、第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。これによって、アンダーコート層３５ａに、上述のハードコート層としての機能だけでなく、透過率や反射率などの光学特性を調整する機能を持たせることができる。第１アンダーコート層を構成する材料としては、アクリル樹脂などのベースとなる樹脂材料の中に、酸化ニオブやジルコニウムなどの高屈折率材料からなる粒子やフィラーを分散させたものが用いられ得る。また、第２アンダーコート層を構成する材料としては、アクリル樹脂などが用いられ得る。
The above-mentioned
同様に、アンダーコート層３５ｂも、複数の層から構成されていてもよい。例えば、図示はしないが、アンダーコート層３５ｂは、第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層と基材フィルム３３との間に設けられた第２アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、第１アンダーコート層の屈折率は、第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。これによって、アンダーコート層３５ａの場合と同様に、アンダーコート層３５ｂに、上述のハードコート層としての機能だけでなく、透過率や反射率などの光学特性を調整する機能を持たせることができる。第１アンダーコート層および第２アンダーコート層を構成する材料としては、アンダーコート層３５ａの場合と同様の材料が用いられ得る。
Similarly, the
なお、本明細書において示されている屈折率は、特に断らない限り、波長５００ｎｍの光に対する屈折率を意味している。 In addition, the refractive index shown in this specification means the refractive index with respect to the light of wavelength 500nm, unless it refuses.
図１に戻って、導電パターン４１に接続されている額縁配線４３および端子部４４は、導電パターン４１からの信号を透視性電極３１の外部に取り出すために設けられたものである。信号を適切に伝達することができる限りにおいて、額縁配線４３および端子部４４の具体的な構成が特に限られることはない。例えば額縁配線４３および端子部４４は、導線５１と同一の層構成で導線５１と同時に形成されるものであってもよい。
Returning to FIG. 1, the
次に、以上のような構成からなる透視性電極３１を製造する方法について、図５（ａ）〜図５（ｄ）を参照して説明する。
Next, a method for manufacturing the
はじめに図５（ａ）に示すように、透視性電極３１を作製するための元材としての積層体６０（ブランクとも呼ばれる）を準備する。積層体６０は、透明基材３２と、透明基材３２上に設けられた導線形成層５２Ａと、を備えている。透明基材３２は、上述のように、基材フィルム３３と、基材フィルム３３の両側の面にそれぞれ設けられたアンダーコート層３５ａおよびアンダーコート層３５ｂと、基材フィルム３３とアンダーコート層３５ａおよびアンダーコート層３５ｂとの間に設けられたプライマー層３４ａおよびプライマー層３４ｂと、を含んでいる。また、導線形成層５２Ａは、透明基材３２側から順に配置された本体層５３および低反射層５４を含んでいる。
First, as shown in FIG. 5A, a laminate 60 (also referred to as a blank) as a base material for producing the
以下、積層体６０を作製する方法の一例について説明する。はじめに、両側の面にプライマー層３４ａおよびプライマー層３４ｂが設けられた長尺状の基材フィルム３３を準備する。次に、プライマー層３４ａ上にアンダーコート層３５ａを形成し、プライマー層３４ｂ上にアンダーコート層３５ｂを形成する。例えば、アクリル樹脂を含む塗工液を、コーターを用いてプライマー層３４ａ，３４ｂ上にコーティングすることにより、アンダーコート層３５ａ，３５ｂを形成することができる。この際、コーターとしては、好ましくは、アンダーコート層３５ａ，３５ｂの平坦性を十分に確保することができるものが用いられ、例えばダイコーターが用いられる。なお、アンダーコート層３５ａ，３５ｂを形成するための塗工液には、アンダーコート層３５ａ，３５ｂの平坦性を高めるためのレベリング剤が含まれていてもよい。これによって、例えば、アンダーコート層３５ａ上に導線５１の層を形成する際にピンホールなどの欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。
Hereinafter, an example of the method of producing the
次に、透明基材３２上に本体層５３および低反射層５４を順に形成する。本体層５３および低反射層５４を形成するための方法としては、上述のように、スパッタリング法などの薄膜形成法を用いることができる。
Next, the
積層体６０を準備した後、図５（ｂ）に示すように、導線形成層５２Ａ上に感光性レジスト層７１を所定のパターンで形成する。感光性レジスト層７１は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光性レジスト層７１のタイプが特に限られることはない。例えば光溶解型の感光性レジスト層が用いられてもよく、若しくは光硬化型の感光性レジスト層が用いられてもよい。ここでは、光溶解型の感光性レジスト層が用いられる例について説明する。
After the laminate 60 is prepared, as shown in FIG. 5B, a photosensitive resist
感光性レジスト層７１は、導線５１のパターンに対応したパターンで形成されている。
感光性レジスト層７１は、例えば、はじめに、積層体６０の表面上にコーターを用いて感光性レジスト材料を全面にコーティングし、次に、感光性レジスト材料を所定のパターンで露光して現像することによって、所定のパターン形状の感光性レジスト層７１が形成される。
The photosensitive resist
For example, the photosensitive resist
次に、図５（ｃ）に示すように、感光性レジスト層７１をマスクとして低反射層５４および本体層５３をエッチングする。なお上述のように、低反射層５４および本体層５３のいずれも、銅を含むよう構成されている。このため、銅を溶解させることができるエッチング液を用いて、低反射層５４および本体層５３を同時にエッチングすることができる。
エッチング液としては、例えば塩化第２鉄水溶液が用いられる。
Next, as shown in FIG. 5C, the low
For example, an aqueous solution of ferric chloride is used as the etching solution.
次に、低反射層５４上に残っている感光性レジスト層７１に対して、これを溶解除去する薬液によって洗浄して脱膜処理。これによって、図５（ｄ）に示すように、感光性レジスト層７１を除去することができる。このようにして、本体層５３および低反射層５４を有する導線形成層５２Ａをパターン形成し、これから構成された導線５１を備える透視性電極３１を得ることができる。
Next, the photosensitive resist
ここで本実施の形態によれば、上述のように、導線５１は、９０重量％以上の銅を含む本体層５３と、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層５４と、を含んでいる。このため、銅の金属光沢に起因して、赤味を帯びた光が観察者に到達してしまうことを、低反射層５４によって抑制することができる。また、低反射層の膜厚が１０ｎｍ〜６０ｎｍであり、低反射層の反射Ｙ値が３０％以下、好ましくは２７％以下であるため、導線５１からの反射光によって映像の視認性が低下することを抑制することができる。さらに、本体層５３および低反射層５４のいずれもが銅を含むため、積層体６０から透視性電極３１を作製する際、銅を選択的に溶かすことができるエッチング液を用いることにより、積層体６０の本体層５３および低反射層５４を同時にエッチングして導線５１を形成することができる。このため、透視性電極３１を作製するために必要になる工数を小さくすることができる。また本実施の形態において、導線５１の本体層５３の厚みは、０．３μｍ以下になっている。このため、導線５１の幅に対する導線５１の厚みの比率を小さくすることができ、これによって、導線５１の側面に光の反射が生じることや、導線５１の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って、本実施の形態によれば、タッチ位置の高い検出精度を確保しながら、映像の視認性を十分に確保することができる。
Here, according to the present embodiment, as described above, the
＜第２の実施の形態＞
次に、図６を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図６に示す第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment shown in FIG. 6, the same parts as those in the above-mentioned first embodiment are indicated by the same reference numerals and the detailed description will be omitted. Further, when it is clear that the effects and advantages obtained in the first embodiment can be obtained also in the present embodiment, the description may be omitted.
図６は、本実施の形態による透視性電極３１を拡大して示す断面図であり、上述の第１の実施の形態における図４に対応する図である。図６に示すように、本実施の形態において、導線５１は、透明基材３２側から順に配置された低反射層５４および本体層５３を有する導線形成層５２Ｂを含んでいる。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the see-through
本体層５３および低反射層５４は、透明基材３２との間の位置関係が異なる点を除いて、上述の第１の実施の形態における本体層５３および低反射層５４と同一である。
The
低反射層５４は、窒化銅から構成されているため、アンダーコート層３５ａに対して高い密着性を備えている。本実施の形態によれば、本体層５３と透明基材３２との間に低反射層５４が設けられることで、導線５１と透明基材３２との間の密着性を向上させることができる。
The low
図６に示すように、本体層５３に対して低反射層５４とは逆側には防錆層５５が配置されていることが好ましい。
As shown in FIG. 6, it is preferable that an
防錆層５５は、本体層５３の表面が錆びて変質し、これによって本体層５３の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐために設けられるものである。防錆層５５を構成する材料としては、本体層５３を構成する材料よりも錆びにくいものが用いられる。なお防錆層５５は、本体層５３の表面が錆びることを防ぐという機能だけでなく、導線５１による光の反射を防ぐという機能をも発揮するよう構成されていてもよい。すなわち防錆層５５は、その金属光沢が、本体層５３における金属光沢に比べて軽減されるよう構成されていてもよい。
The
防錆層５５を構成するための具体的な材料は、防錆性や反射防止特性など、防錆層５５に対して求められる特性に応じて適宜選択される。例えば防錆層５５は、ＣｕＮｉ，ＣｕＣｒ，ＣｕＷおよびＣｕＴｉからなる群から選択される少なくとも１種の銅化合物を含んでいる。このうちＣｕＮｉは、例えば、２０重量％のＮｉを含む、いわゆる白銅として構成されていてもよい。
A specific material for forming the
本実施の形態によれば、導線５１は、本体層５３と透明基材３２との間に設けられた低反射層５４によって透明基材３２の側から入射する光に対する反射を抑制することが出來る。即ち、本実施形態の透視性電極３１は透明基材３２側からの入射光に対する反射を抑制したい用途（乃至は使用形態）に好適である。又、本実施形態では、これに加えて、本体層５３の面のうち透明基材３２に向かい合う面とは反対側の面上に設けられた防錆層５５を含んでいる。このため、本体層５３の表面が錆びて変質し、これによって本体層５３の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐことができる。また、防錆層５５が反射防止特性をも有する場合、光の反射が生じることを本体層５３の両面において抑制することができる。このため、導線５１の高い導電性を維持し、かつ映像の視認性を十分に確保することができる。
According to the present embodiment, the
＜第３の実施の形態＞
次に、図７を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。図７に示す第３の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Third Embodiment
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment shown in FIG. 7, the same parts as those in the first embodiment described above are indicated by the same reference numerals and the detailed description will be omitted. Further, when it is clear that the effects and advantages obtained in the first embodiment can be obtained also in the present embodiment, the description may be omitted.
図７は、本実施の形態による透視性電極３１を拡大して示す断面図であり、上述の第１の実施の形態における図４に対応する図である。図７に示すように、本実施の形態において、導線５１は、透明基材３２側から順に配置された低反射層５４、本体層５３および低反射層５４を有する導線形成層５２Ｃを含んでいる。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the see-through
本体層５３および低反射層５４は、透明基材３２との間の位置関係が異なる点を除いて、上述の第１の実施の形態における本体層５３および低反射層５４と同一である。
The
低反射層５４は、窒化銅から構成されているため、アンダーコート層３５ａ、特に紫外線硬化型アクリル樹脂の硬化物から成るアンダーコート層に対して高い密着性を備えている。即ち、本実施の形態によれば、本体層５３と透明基材３２との間に低反射層５４が設けられることで、導線５１と透明基材３２との間の密着性を向上させることができる。
The
本実施の形態によれば、導線５１は、本体層５３と透明基材３２との間に設けられた低反射層５４に加えて、本体層５３の面のうち透明基材３２に向かい合う面とは反対側の面上に設けられた低反射層５４を含んでいる。このため、光の反射が生じることを本体層５３の両側において抑制することができる。このことにより、映像の視認性を十分に確保することができる。
According to the present embodiment, in addition to the
＜第４の実施の形態＞
次に、図８〜図１２を参照して、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態においては、上述の透視性電極３１を備えるタッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置について説明する。本実施の形態において、上述の各実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Fourth Embodiment
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, a display device with a touch position detection function obtained by combining a touch panel including the above-described
図８は、タッチ位置検出機能付き表示装置１０を示す展開図である。図８に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置１０は、タッチパネル３０と、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置１５とを組み合わせることによって構成されている。
FIG. 8 is a development view showing the
図示された表示装置１５は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置１５は、表示面１６ａを有した表示パネル１６と、表示パネル１６に接続された表示制御部（図示せず）と、を有している。表示パネル１６は、映像を表示することができるアクティブエリアＡ１と、アクティブエリアＡ１を取り囲むようにしてアクティブエリアＡ１の外側に配置された非アクティブエリア（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。表示制御部は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル１６を駆動する。表示パネル１６は、表示制御部の制御信号に基づいて、所定の映像を表示面１６ａに表示する。すなわち、表示装置１５は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置としての役割を担っている。
The illustrated display device 15 is configured as a flat panel display. The display device 15 includes a display panel 16 having a
なお、図８に示すように、タッチパネル３０の観察者側、すなわち表示装置１５とは反対の側に、透光性を有する保護板１２がさらに設けられていてもよい。保護板１２は例えば、タッチパネル３０の観察者側の面に接着層などによって接着されている。この保護板１２は、指などの外部導体との接触によってタッチパネル３０のパターンや表示装置１５が損傷することを防ぐためのものであり、いわゆる前面板とも称されるものである。
Note that, as shown in FIG. 8, a
図８に示すように、タッチパネル３０は、表示装置１５の表示面１６ａに、例えば接着層（図示せず）を介して接着されている。このタッチパネル３０は、２枚の透視性電極３１を組み合わせることによって構成されている。図８においては、観察者側に配置された透視性電極が符号３１Ａで表されており、透視性電極３１Ａよりも表示装置側に配置された透視性電極が符号３１Ｂで表されている。以下の説明において、符号３１Ａが付された透視性電極を第１透視性電極３１Ａ、符号３１Ｂが付された透視性電極を第２透視性電極３１Ｂとも称する。
As shown in FIG. 8, the
図９は、観察者側から見た場合のタッチパネル３０を示す平面図である。図９においては、第１透視性電極３１Ａの構成要素が実線で表され、第２透視性電極３１Ｂの構成要素が点線で表されている。
FIG. 9 is a plan view showing the
図９に示すように、第１透視性電極３１Ａおよび第２透視性電極３１Ｂはそれぞれ、所定の方向に延びる複数の導電パターン４１を備えている。ここで、第１透視性電極３１Ａおよび第２透視性電極３１Ｂは、各々の導電パターン４１が互いに交差する方向に延びるよう、配置されている。例えば、第１透視性電極３１Ａは、その導電パターン４１が第１方向Ｄ１に沿って延びるよう、配置されている。一方、第２透視性電極３１Ｂは、その導電パターン４１が、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って延びるよう、配置されている。
As shown in FIG. 9, each of the first
図１０は、図９において符号ＸＶＩが付された一点鎖線で囲まれた部分における導電パターン４１を拡大して示す平面図である。図１０に示すように、第１透視性電極３１Ａの導電パターン４１および第２透視性電極３１Ｂの導電パターン４１はそれぞれ、網目状に配置された導線５１から構成されている。
FIG. 10 is an enlarged plan view showing
図１１は、タッチパネル３０を図１０のＸＶＩＩ線に沿って切断した場合を示す断面図である。図１１に示すように、タッチパネル３０は、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１のいずれもが透明基材３２の観察者側に位置するよう、第１透視性電極３１Ａおよび第２透視性電極３１Ｂを組み合わせることによって構成されている。なお、第１透視性電極３１Ａと第２透視性電極３１Ｂとの間には接着層３８などが介在されていてもよい。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a case where the
図１２は、図１１に示すタッチパネル３０の一部を拡大して示す断面図である。図１２に示すように、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１はいずれも、上述の導線形成層５２Ａを含んでいる。ここで図１２に示すように、導線形成層５２Ａは、本体層５３と、本体層５３の観察者側に設けられた低反射層５４と、を含んでいる。このため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。これによって、導線５１が観察者から視認されてしまうことを抑制することができ、このことにより、表示装置１５からの映像の視認性が導線５１によって妨げられることを抑制することができる。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a part of the
また、上述のように、導線形成層５２Ａの本体層５３は、その厚みが０．２μｍ以下になるよう構成されている。このため、透明基材３２の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル３０に入射した光が導線形成層５２Ａの側面によって反射してしまうことを抑制することができる。このことにより、導線５１の側面が観察者から視認されてしまうことや、導線５１の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って、映像の視認性を向上させることができる。
Further, as described above, the
なお、上述した本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した本実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。 Note that various changes can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, modifications will be described with reference to the drawings. In the following description and the drawings used in the following description, for portions that can be configured in the same manner as the above-described embodiment, the same reference numerals as those used for the corresponding portions in the above-described embodiment are used. , Duplicate explanations are omitted. In addition, in the case where it is clear that the effects and advantages obtained in the above-described embodiment can be obtained also in the modified example, the description may be omitted.
図１２においては、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１のいずれもが導線形成層５２Ａを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１透視性電極３１Ａの導線５１は、上述の導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃを含んでいてもよい。すなわち、第１透視性電極３１Ａの導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第２透視性電極３１Ｂの導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。
FIG. 12 shows an example in which both the
例えば図１３には、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１のいずれもが導線形成層５２Ｂを含む例が示されている。図１３に示すように、導線形成層５２Ｂは、本体層５３と、本体層５３の観察者側に設けられた防錆層５５と、を含んでいる。このため、本体層５３の表面が錆びて変質し、これによって本体層５３の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐことができる。また、防錆層５５が反射防止特性をも有する場合、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。
For example, FIG. 13 shows an example in which both the
また、導線形成層５２Ｂは、本体層５３の表示装置側に設けられた低反射層５４を含んでいる。このため、タッチパネル３０に入射した表示装置１５からの映像光が導線５１によって反射されて表示装置１５側に戻り、その後、表示装置１５の構成要素によって再び反射されてノイズ光として観察者に到達してしまうことを抑制することができる。
The conducting wire forming layer 52 </ b> B also includes a
また図１４には、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１のいずれもが導線形成層５２Ｃを含む例が示されている。図２０に示すように、導線形成層５２Ｃは、本体層５３と、本体層５３の観察者側および表示装置側の両方にそれぞれ設けられた低反射層５４と、を含んでいる。このため、光の反射が生じることを本体層５３の両側において抑制することができる。このことにより、映像の視認性を十分に確保することができる。
Further, FIG. 14 shows an example in which both the
また上述の本実施の形態および上述の各変形例において、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１のいずれもが透明基材３２の観察者側に位置する例を示したが、これに限られることはない。例えば図１５に示すように、第１透視性電極３１Ａの導線５１は、透明基材３２の観察者側に位置し、一方、第２透視性電極３１Ｂの導線５１は、透明基材３２の表示装置側に位置していてもよい。
Further, in the above-described embodiment and the above-described modifications, an example in which both the
図１５に示す例においても、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１を構成する導線形成層の種類が特に限られることはない。すなわち、第１透視性電極３１Ａの導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第２透視性電極３１Ｂの導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。なお、図１５に示す例において、第２透視性電極３１Ｂの導線５１を構成する導線形成層としては、好ましくは導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃが採用される。この場合、導線５１の本体層５３と透明基材３２との間に低反射層５４が存在するため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が、第２透視性電極３１Ｂの導線５１の本体層５３によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。
Also in the example shown in FIG. 15, the kind of the wire forming layer constituting the
また図１６に示すように、第１透視性電極３１Ａの導線５１は、透明基材３２の表示装置側に位置し、一方、第２透視性電極３１Ｂの導線５１は、透明基材３２の観察者側に位置していてもよい。
Moreover, as shown in FIG. 16, the
図１６に示す例においても、第１透視性電極３１Ａの導線５１および第２透視性電極３１Ｂの導線５１を構成する導線形成層の種類が特に限られることはない。すなわち、第１透視性電極３１Ａの導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第２透視性電極３１Ｂの導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。なお、図１６に示す例において、第１透視性電極３１Ａの導線５１を構成する導線形成層としては、好ましくは導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃが採用される。この場合、導線５１の本体層５３と透明基材３２との間に低反射層５４が存在するため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が、第１透視性電極３１Ａの導線５１の本体層５３によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。
Also in the example shown in FIG. 16, the kind of the wire forming layer constituting the
次に、導線５１が透明基材３２の表示装置側に設けられている場合における、導線５１の断面形状の好ましい一例について、図１７を参照して説明する。なお、図１７においては、導線５１が導線形成層５２Ｃから構成されている例について説明するが、これに限られることはなく、導線５１が導線形成層５２Ａまたは導線形成層５２Ｂから構成されていてもよい。
Next, a preferred example of the cross-sectional shape of the
図１７に示すように、導線５１の導線形成層５２Ｃは、表示装置１５に向かうにつれて先細になるテーパ形状を有している。この場合、透明基材３２の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル３０に入射した外光Ｌは、導線形成層５２Ｃのテーパ形状のため、導線５１の側面に入射することなく表示装置１５側へ抜けていくことができる。このため、外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことをさらに抑制することができる。
As shown in FIG. 17, the conducting wire forming layer 52 </ b> C of the
導線形成層５２Ｃの具体的なテーパ形状は、想定される外光の傾斜の程度などに応じて適切に設定されるが、例えば、透明基材３２の法線方向と導線５１の側面とが成す角は１０°〜３０°の範囲内となっている。
The specific tapered shape of the
なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。 Although some modifications to the above-described embodiment have been described, it is of course possible to apply a plurality of modifications in combination as appropriate.
＜第５の実施の形態＞
次に図１８〜図２０を参照して、本発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形態においては、透明基材３２の両側に導線５１が設けられる例について説明する。本実施の形態において、上述の各実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Fifth Embodiment
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, an example in which the
図１８に示すように、透視性電極３１は、透明基材３２と、透明基材３２の観察者側の面（第１面）３２ａ上に設けられた導線５１と、透明基材３２の表示装置側の面（第２面）３２ｂ上に設けられた導線５１と、を備えている。第１面３２ａ側の導線５１からなる導電パターン４１および第２面３２ｂ側の導線５１からなる導電パターン４１は、互いに交差するように設けられている。例えば、同図に於いては、第１面３２ａ上の導電パターン４１は紙面と直交方向に、又第２面３２ｂ上の導電パターン４１は紙面と並行方向に延びている。このため本実施の形態によれば、１枚の透視性電極３１によってタッチパネル３０を構成することができる。
As shown in FIG. 18, the
図１９は、図１８に示す透視性電極３１の一部を拡大して示す断面図である。図１９に示すように、透明基材３２の第１面３２ａ上に設けられた導線５１は、上述の導線形成層５２Ｃを含んでいる。また、透明基材３２の第２面３２ｂ上に設けられた導線５１も、上述の導線形成層５２Ｃを含んでいる。このため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。これによって、導線５１が観察者から視認されてしまうことを抑制することができ、このことにより、表示装置１５からの映像の視認性が導線５１によって妨げられることを抑制することができる。
FIG. 19 is a cross-sectional view showing a part of the
図１９においては、透明基材３２の第１面３２ａ上に設けられる導線５１が導線形成層５２Ｃを含み、透明基材３２の第２面３２ｂ上に設けられる導線５１も導線形成層５２Ｃを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、透明基材３２の第１面３２ａ上に設けられる導線５１は、上述の導線形成層５２Ａまたは導線形成層５２Ｂを含んでいてもよい。すなわち、透明基材３２の第１面３２ａ上に設けられる導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、透明基材３２の第２面３２ｂ上に設けられる導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。
In FIG. 19, the
好ましくは、透明基材３２の第２面３２ｂ上に設けられる導線５１を構成する導線形成層としては、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃが採用される。この場合、導線５１の本体層５３と透明基材３２との間に低反射層５４が存在するため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が、第２透視性電極３１Ｂの導線５１の本体層５３によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。
Preferably, as the conducting wire forming layer constituting the
なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。 Although some modifications to the above-described embodiment have been described, it is of course possible to apply a plurality of modifications in combination as appropriate.
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will next be described in more detail by way of examples, which should not be construed as limiting the scope of the invention unless the gist thereof is exceeded.
（実施例１）
中波の交流電源（以下、ＭＦ電源とも略稱する）に電気的に接続された銅のターゲット３台と、直流電源（以下、ＤＣ電源とも略稱する）に電気的に接続された銅のターゲット１台とを含むスパッタリング装置内において基材フィルムを８ｍ／ｍｉｎの搬送速度で搬送しながら、スパッタリング装置内にアルゴンガス、窒素ガスおよび酸素ガスを、窒素ガスと酸素ガスとの流量（ｓｃｃｍ）の比が９７．３：２．７となるように導入するとともに、３台の銅のターゲットに印加するＭＦ放電電力と１台の銅のターゲットに印加するＤＣ放電電力との比が１０．１ｋＷ：４．２ｋＷとなるように各ターゲットにＭＦ放電電力またはＤＣ放電電力を印加し、酸素原子を含む窒化銅からなる第１層を厚さ５０μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムからなる基材フィルム上に形成した。次に、スパッタリング装置内にアルゴンガスを導入しながら、窒素ガスおよび酸素ガスを導入せずに、３台の銅のターゲットに印加するＭＦ放電電力と１台の銅のターゲットに印加するＤＣ放電電力との比が１０．２ｋＷ：４．１ｋＷとなるように各ターゲットにＭＦ放電電力またはＤＣ放電電力を印加し、銅からなる第２層を窒化銅からなる第１層上に形成した。次に、スパッタリング装置内にアルゴンガス、窒素ガスおよび酸素ガスを下表１に記載の流量で導入するとともに、ターゲットに同表１に記載のＭＦ放電電力のみを印加し、酸素原子を含む窒化銅からなる第３層を銅からなる第２層上に形成した。このようにしてサンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｍを用意した。
Example 1
Three copper targets electrically connected to a medium wave AC power supply (hereinafter also abbreviated as MF power supply) and copper electrically connected to a DC power supply (hereinafter also abbreviated as DC power supply) Argon gas, nitrogen gas and oxygen gas are flowed into the sputtering apparatus while nitrogen gas and oxygen gas flow rate (sccm) while the substrate film is transported at a transfer speed of 8 m / min in the sputtering apparatus including one target. The ratio of MF discharge power applied to three copper targets to DC discharge power applied to one copper target is 10.1 kW. : MF discharge power or DC discharge power is applied to each target so as to be 4.2 kW, and the first layer made of copper nitride containing oxygen atoms is made of a 50 μm thick biaxially stretched PET film It was formed on the wood film. Next, while introducing argon gas into the sputtering apparatus, MF discharge power applied to three copper targets and DC discharge power applied to one copper target without introducing nitrogen gas and oxygen gas The MF discharge power or the DC discharge power was applied to each target so that the ratio of the power source to the target was 10.2 kW: 4.1 kW, and a second layer made of copper was formed on the first layer made of copper nitride. Next, argon gas, nitrogen gas and oxygen gas are introduced into the sputtering apparatus at the flow rates described in Table 1 below, and only the MF discharge power described in Table 1 is applied to the target, and copper nitride containing oxygen atoms A third layer comprising the above was formed on the second layer comprising copper. Thus, samples 1-A to 1-M were prepared.
サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃは、同一の条件で作製されたサンプルであり、下表１に示すように、基材フィルム（ＰＥＴフィルム）上に上述した条件で１層及び第２層を形成し、更に、窒素ガス９７．３％、酸素ガス２．７％の流量（ｓｃｃｍ）比の下でスパッタリングを実施し、窒化銅からなる４０ｎｍの膜厚の第３層を第２層上に形成したサンプルである。 Samples 1-A to 1-C are samples prepared under the same conditions, and as shown in Table 1 below, one layer and second layer are formed on the base film (PET film) under the conditions described above. Then, sputtering is performed under a flow rate (sccm) ratio of 97.3% nitrogen gas and 2.7% oxygen gas, and a 40 nm-thick third layer made of copper nitride is deposited on the second layer. It is a formed sample.
また、サンプル１−Ｄ及びサンプル１−Ｅは、同一の条件で作製されたサンプルであり、既に一方の面上に成膜が行われた基材フィルム（ＰＥＴフィルム）の他方の面上に上述した条件で１層及び第２層を形成し、更に、窒素ガス９８．６％、酸素ガス１．４％の流量（ｓｃｃｍ）比の下でスパッタリングを実施し、窒化銅からなる４０ｎｍの膜厚の第３層を形成したサンプルである。これらのサンプルは、下表１に示すように、サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃに対して酸素流量が半分になっているが、これは、サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃとは異なるＭＦ放電電力が採用されていることに伴うものであり、当該サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと同等の膜質を実現させるべく決定されている。 Moreover, Sample 1-D and Sample 1-E are samples produced under the same conditions, and are described above on the other surface of the base film (PET film) on which film formation has already been performed on one surface. The first and second layers are formed under the following conditions, and sputtering is performed under a flow rate (sccm) ratio of 98.6% nitrogen gas and 1.4% oxygen gas, and a film thickness of 40 nm made of copper nitride And the third layer of the These samples have half the oxygen flow rate with respect to sample 1-A to sample 1-C as shown in Table 1 below, which is different from sample 1-A to sample 1-C This is associated with the adoption of the MF discharge power, and is determined to achieve a film quality equivalent to that of the samples 1-A to 1-C.
次に、サンプル１−Ｆは、表１に示すように、サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと比較して、酸素ガスの流量を５０％減少させて第３層の成膜を行った点のみにおいて異なり、その他においてサンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと同様の条件にて第３層を第２層上に成膜して得られたサンプルである。また、サンプル１−Ｇは、表１に示すように、サンプル１−Ｄ及びサンプル１−Ｅと比較して、酸素ガスの流量を５０％増加させて第３層の成膜を行った点のみにおいて異なり、その他においてサンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと同様の条件にて第３層を第２層上に成膜して得られたサンプルである。 Next, as shown in Table 1, as compared with samples 1-A to 1-C, sample 1-F was subjected to film formation of the third layer by reducing the flow rate of oxygen gas by 50%. It is a sample obtained by forming a third layer on the second layer under the same conditions as Samples 1-A to 1-C except for the difference. In addition, as shown in Table 1, Sample 1-G was only capable of forming the third layer by increasing the flow rate of oxygen gas by 50% compared to Sample 1-D and Sample 1-E. The samples are obtained by depositing the third layer on the second layer under the same conditions as in Samples 1-A to 1-C.
次に、サンプル１−Ｈ及びサンプル１−Ｉは、表１に示すように、サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｅと同様の条件で得られたサンプルであるが、膜厚を２０％減少させて３２ｎｍとした点のみにおいてサンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｅと異なる。膜厚の減少は、基材フィルム（ＰＥＴフィルム）の搬送速度を調整する（速くする）ことにより実現されている。尚、後述の各サンプルにおいても、同様にして膜厚を減少させている。 Next, as shown in Table 1, Sample 1-H and Sample 1-I are samples obtained under the same conditions as Sample 1-A to Sample 1-E, but the film thickness is reduced by 20%. The difference from Samples 1-A to 1-E is only in the point of 32 nm. The reduction of the film thickness is realized by adjusting (fastening) the transport speed of the substrate film (PET film). In each of the samples described later, the film thickness is similarly reduced.
次に、サンプル１−Ｊは、表１に示すように、サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと比較して、酸素ガスの流量を２倍にして第３層を第２層上に成膜した点と、膜厚を２０％減少させて３２ｎｍとした点とにおいて異なるサンプルであり、その他の点においてサンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと同一となっている。また、サンプル１−Ｋは、表１に示すように、サンプル１−Ｄ及びサンプル１−Ｅと比較して、酸素ガスの流量を２倍にして第３層を第２層上に成膜した点と、膜厚を２０％減少させて３２ｎｍとした点とにおいて異なるサンプルであり、その他の点においてサンプル１−Ｄ及びサンプル１−Ｅと同一となっている。 Next, as shown in Table 1, in the sample 1-J, the third layer is formed on the second layer by doubling the flow rate of oxygen gas as compared with the sample 1-A to the sample 1-C. These samples are different from each other in the point where the film thickness is reduced by 20% to 32 nm, and the other points are the same as the samples 1-A to 1-C. In addition, as shown in Table 1, in the sample 1-K, the third layer was formed on the second layer by doubling the flow rate of oxygen gas as compared with the sample 1-D and the sample 1-E. The samples differ in the point and the point where the film thickness is reduced by 20% to 32 nm, and are otherwise identical to the samples 1-D and 1-E.
次に、サンプル１−Ｌは、表１に示すように、サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと比較して、酸素ガスの流量を１．５倍にして第３層を第２層上に成膜した点と、膜厚を１５％減少させて３４ｎｍとした点とにおいて異なるサンプルであり、その他の点においてサンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃと同一となっている。また、サンプル１−Ｍは、表１に示すように、サンプル１−Ｄ及びサンプル１−Ｅと比較して、酸素ガスの流量を１．５倍にして第３層を第２層上に成膜した点と、膜厚を１５％減少させて３４ｎｍとした点とにおいて異なるサンプルであり、その他の点においてサンプル１−Ｄ及びサンプル１−Ｅと同一となっている。 Next, as shown in Table 1, in the sample 1-L, the flow rate of oxygen gas is 1.5 times that of the sample 1-A to the sample 1-C, and the third layer is placed on the second layer. The samples differ in the point of film formation and the point of decreasing the film thickness by 15% to 34 nm, and are the same as Sample 1-A to Sample 1-C in other points. In addition, as shown in Table 1, Sample 1-M has the third layer formed on the second layer by 1.5 times the flow rate of oxygen gas as compared with Sample 1-D and Sample 1-E. The samples differ in the filming point and the point where the film thickness is reduced by 15% to 34 nm, and are otherwise identical to the samples 1-D and 1-E.
次に、各サンプルにおいて、第３層の最表面に付着している汚れ由来のＣを除去するためにＡｒイオンエッチングを５秒間行った後、形成した酸素原子を含む窒化銅からなる第３層の組成を、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）を用いて分析した。発明者らは、このＡｒイオンエッチングを５秒間行うことにより、窒化銅からなる層（第３層）の表面が５ｎｍの深さでエッチングされることを確認した。イオンエッチング条件およびＸＰＳ測定条件を以下にまとめて示す。 Next, in each sample, Ar ion etching is performed for 5 seconds to remove C from dirt attached to the outermost surface of the third layer, and then the third layer made of copper nitride containing oxygen atoms formed The composition of was analyzed using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The inventors confirmed that the surface of the layer (third layer) made of copper nitride is etched to a depth of 5 nm by performing this Ar ion etching for 5 seconds. The ion etching conditions and the XPS measurement conditions are summarized below.
（イオンエッチング条件）
イオン種：Ａｒ＋（３ｋｅＶ）
加速電圧：３（ｋＶ）
エミッション電流：６．０（ｍＡ）
ＭＡＧＮＩＦＩＣＡＴＩＯＮ＝１０（ｅｔｃｈ範囲：４ｍｍ×４ｍｍ）
入射角：４５°
Ａｒガス導入時真空計表示：３．０Ｅ−７（ｈＰａ）
エッチング時間：５（ｓ）
試料回転：未実施
（ＸＰＳ測定条件）
Ｘ線出力：７０Ｗ（１５ｋＶ・４．６７ｍＡ）
レンズモード：Ｓｔａｎｄａｒｄ
光電子取り込み角度：５３°（但し、試料法線を０°とする）
帯電中和：電子中和銃（＋６Ｖ、０．０５ｍＡ）、低加速Ａｒ＋イオン照射
(Ion etching conditions)
Ion species: Ar + (3 keV)
Acceleration voltage: 3 (kV)
Emission current: 6.0 (mA)
MAGNIFICATION = 10 (etch range: 4 mm × 4 mm)
Incident angle: 45 °
Vacuum gauge display at Ar gas introduction: 3.0E-7 (hPa)
Etching time: 5 (s)
Sample rotation: not performed (XPS measurement conditions)
X-ray output: 70 W (15 kV · 4.67 mA)
Lens mode: Standard
Photoelectron uptake angle: 53 ° (with sample normal at 0 °)
Charge neutralization: Electron neutralization gun (+ 6 V, 0.05 mA), low acceleration Ar + ion irradiation
窒化銅からなる第３層の成膜条件及び組成分析結果を、下表１に示す。 The film formation conditions and composition analysis results of the third layer made of copper nitride are shown in Table 1 below.
尚、下表１において、ＭＦ放電電力として９．２ｋＷまたは６．７ｋＷのいずれかが採用されているが、これは、成膜時に基材フィルムが受けるダメージを低減させることを目的として選択されている。具体的には、未だ成膜が行われていない基材フィルムに対して成膜を行う場合に９．２ｋＷのＭＦ放電電力が採用されており、既に一方の面上に成膜が行われている基材フィルムの他方の面上に成膜を行う場合に６．７ｋＷのＭＦ放電電力が採用されている。また、酸化物由来Ｎとは、第３層の窒化銅に含まれる窒素（Ｎ）のうち、当該第３層の窒化銅中に微量添加された酸素と結合している窒素を意味し、非酸化物由来Ｎとは、第３層の窒化銅に含まれる窒素（Ｎ）のうち、当該第３層の窒化銅中に微量添加された酸素と結合していない窒素を意味している。 In Table 1 below, either 9.2 kW or 6.7 kW is adopted as the MF discharge power, but this is selected for the purpose of reducing the damage to the substrate film during film formation. There is. Specifically, when film formation is performed on a base film on which film formation has not yet been performed, an MF discharge power of 9.2 kW is adopted, and film formation has already been performed on one side. When film formation is performed on the other surface of the base film, the MF discharge power of 6.7 kW is adopted. In addition, oxide-derived N means nitrogen which is bonded to oxygen added in a trace amount to the copper nitride of the third layer among nitrogen (N) contained in the copper nitride of the third layer. The oxide-derived N means nitrogen (N) contained in the copper nitride of the third layer which is not bonded to oxygen added in a trace amount to the copper nitride of the third layer.
反射Ｙ値の評価に当たっては、各サンプルに第３層の側から光を入射させた際の、各サンプルの第３層からの反射光を測定した。測定は、光波長３６０〜７４０ｎｍの範囲内において、１０ｎｍ刻みで行った。測定器としては、コニカミノルタ製のＣＭ−３６００Ｄを用いた。この測定結果に基づいて、各サンプルにおける反射Ｙ値を評価した。 In the evaluation of the reflection Y value, the reflected light from the third layer of each sample was measured when light was made to enter each sample from the side of the third layer. The measurement was performed in 10 nm steps within the light wavelength range of 360 to 740 nm. As a measuring instrument, CM-3600D made by Konica Minolta was used. Based on this measurement result, the reflection Y value in each sample was evaluated.
尚、比較用のサンプルとして、窒素ガスを導入するが酸素ガスを導入せずに、窒化銅からなる層を基材フィルム上に形成したサンプルを用意した。比較用のサンプルを作製する条件は、第３層を成膜する際に導入される窒素ガス及び酸素ガスの流量比を除き、サンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｃを作製する条件と同条件とした。次に、形成した窒化銅からなる層（第３層）の組成を、アルゴンイオンエッチングを併用しながら、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）を用いて分析した。その結果、表面から０．１ｎｍ以上の深さには酸素原子が検出されなかった。一方、表面から０．１ｎｍまでの深さには酸素原子が検出されたが、それ以上の深さには酸素原子が検出されなかったことに鑑みれば、表面から０．１ｎｍまでの深さの酸素原子は、窒化銅からなる層の表面が自然酸化したことに由来する酸素原子であると考えられる。 In addition, as a sample for comparison, a sample was prepared in which a layer made of copper nitride was formed on a base film while introducing nitrogen gas but not introducing oxygen gas. The conditions for producing the sample for comparison are the same as the conditions for producing Sample 1-A to Sample 1-C except for the flow ratio of nitrogen gas and oxygen gas introduced when forming the third layer. did. Next, the composition of the formed layer (third layer) made of copper nitride was analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) while using argon ion etching in combination. As a result, no oxygen atom was detected at a depth of 0.1 nm or more from the surface. On the other hand, oxygen atoms were detected at a depth of 0.1 nm from the surface, but considering that no oxygen atoms were detected at a depth greater than that, a depth of 0.1 nm from the surface was The oxygen atoms are considered to be oxygen atoms derived from natural oxidation of the surface of the layer made of copper nitride.
また、比較用のサンプルにおける反射Ｙ値を評価したところ、２７．４４％であった。すなわち、成膜時に酸素原子が添加された窒化銅（５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅）からなる第３層（低反射層５４）が設けられているサンプル１−Ａ〜サンプル１−Ｍにおいては、成膜時に酸素原子が添加されなかった窒化銅からなる第３層が設けられた比較用のサンプルよりも低い反射率、具体的には２７％以下の反射率、を呈している。以上から、導線５１からの反射光によって映像の視認性が低下することを抑制する上で、５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層５４を設けることは、極めて有効であると言える。
Moreover, it was 27.44% when the reflection Y value in the sample for comparison was evaluated. That is, Sample 1-A to
（実施例２）
次に、図２０に示すように、透明基材３２と、透明基材３２の第１面３２ａに設けられた導線形成層５２Ａと、を含む積層体のサンプルを準備した。導線形成層５２Ａは、透明基材３２側から順に配置された本体層５３および低反射層５４を含んでいる。透明基材３２の基材フィルム３３を構成する材料としては、厚さ５０μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを用いた。透明基材３２のアンダーコート層３５ａ，３５ｂを構成する材料としては、アクリロイル基を分子中に有する単量体、アクリロイル基を分子中に有するプレポリマー、及びベンゾトリアゾール系光反応開始剤から紫外線硬化型アクリル樹脂を紫外線照射によって架橋硬化せしめたものを用いた。本体層５３を構成する材料としては、純度（同含有量）９９質量％の銅を用いた。低反射層５４を構成する材料としては、表面から５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、低反射層５４の成膜時にスパッタリング装置内に導入した窒素ガスおよび酸素ガスの流量（ｓｃｃｍ）の比が異なる以下の５種類のものを用意した。尚、実施例１とは異なり、各サンプルは、低反射層５４を成膜する際に、ターゲットにＤＣ放電電力のみを印加して作製した。
(Example 2)
Next, as shown in FIG. 20, a sample of a laminate including the
サンプル２−Ｂ：窒素ガス ９９．７５％、酸素ガス ０．２５％
サンプル２−Ｃ：窒素ガス ９９．５０％、酸素ガス ０．５０％
サンプル２−Ｄ：窒素ガス ９９．２５％、酸素ガス ０．７５％
サンプル２−Ｅ：窒素ガス ９９．０％、酸素ガス １．０％
サンプル２−Ｆ：窒素ガス ９７．５％、酸素ガス ２．５％
Sample 2-B: Nitrogen gas 99.75%, oxygen gas 0.25%
Sample 2-C: Nitrogen gas 99.50%, oxygen gas 0.50%
Sample 2-D: Nitrogen gas 99.25%, oxygen gas 0.75%
Sample 2-E: Nitrogen gas 99.0%, oxygen gas 1.0%
Sample 2-F: 97.5% nitrogen gas, 2.5% oxygen gas
また、比較のため、スパッタリング装置内に窒素ガスを導入するが酸素ガスを導入せずに、ターゲットにＤＣ放電電力のみを印加して窒化銅からなる低反射層を成膜した積層体をサンプル２−Ａとして用意した。
Further, for comparison, a laminated body in which a low reflection layer made of copper nitride is formed by applying only DC discharge power to the target without introducing oxygen gas but introducing nitrogen gas into the sputtering apparatus is
各サンプルにおける低反射層の成膜条件を下表２にまとめて示す。 The film formation conditions of the low reflective layer in each sample are summarized in Table 2 below.
次に、各サンプルに光Ｌを入射させた際の、各サンプルからの反射光Ｌ’を測定した。光Ｌは、図２０に示すように、導線形成層５２Ａ側から各サンプルに入射させた。測定は、光波長３６０〜７４０ｎｍの範囲内において、１０ｎｍ刻みで行った。測定器としては、コニカミノルタ製のＣＭ−３６００Ｄを用いた。この結果に基づいて、各サンプルにおける光の反射率を評価した。また、各サンプルにおけるＬ＊、ａ＊、ｂ＊、および反射Ｙ値を評価した。ここで、Ｌ＊、ａ＊、ｂ＊は、ＪＩＳ Ｚ８７８１−４の規定による値であり、Ｌ＊は明度を意味し、ａ＊は、赤と緑との間の色度（＋は赤方向、−は緑方向）を意味し、ｂ＊は、黄と青との間の色度（＋の値は黄色寄り、−の値は青寄り）を意味する。
Next, the reflected light L 'from each sample when light L was incident on each sample was measured. The light L was made to enter each sample from the side of the wire-forming
サンプル２−Ａ〜サンプル２−Ｆにおける測定結果を図２１および下表３にまとめて示す。 The measurement results of Samples 2-A to 2-F are summarized in FIG. 21 and Table 3 below.
図２１に示すように、成膜時に酸素原子が添加されていない窒化銅、すなわち５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含まない窒化銅からなる低反射層が設けられているサンプル２−Ａにおいては、３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長域全域において反射率が３０％を超えていた。特に、表３に示すように、５５０ｎｍ近辺の波長域における反射率を意味する反射Ｙ値は、３７％以上となっていた。 As shown in FIG. 21, in Sample 2-A in which a low reflective layer made of copper nitride to which oxygen atoms are not added at the time of film formation, that is, copper nitride not containing oxygen atoms to a depth of 5 nm or more is provided. The reflectance exceeds 30% in the entire wavelength range of 360 nm to 740 nm. In particular, as shown in Table 3, the reflection Y value which means the reflectance in the wavelength range around 550 nm was 37% or more.
一方、成膜時に酸素原子が添加された窒化銅、すなわち５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層５４が設けられているサンプル２−Ｂ〜サンプル２−Ｆにおいては、３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長域全域において、サンプル２−Ａの場合よりも低い反射率、具体的には３０％以下の反射率、が測定された。 On the other hand, in Samples 2-B to Sample 2-F provided with copper nitride to which oxygen atoms are added at the time of film formation, that is, low reflection layers 54 made of copper nitride containing oxygen atoms to a depth of 5 nm or more. In the entire wavelength range of 360 nm to 740 nm, a lower reflectance than in the case of Sample 2-A, specifically, a reflectance of 30% or less was measured.
尚、酸素ガスの流量比が０．２５％のサンプル２−Ｂにおいて、光の反射率（反射Ｙ値）は３０％以下の値である２８．３９％を実現し得ることが確認された。また、酸素ガスの流量比が０．２５％を超過するサンプル２−Ｃ〜サンプル２−Ｆでは、当該反射率が更に低下することが確認された。すなわち、窒化銅からなる低反射層を成膜する際に、 酸素ガスの流量比は、０．２５％よりも大きいことが好ましいと言える。酸素ガスの流量比が０．２５％よりも大きいサンプルは、サンプル２−Ｃ〜サンプル２−Ｆであり、これらのサンプルにおける反射Ｙ値は、表３に示すように、いずれも２７％以下であった。反射Ｙ値が小さいほど光の低反射層５４における反射が抑制されるため、サンプルＢによる低反射層よりも、サンプル２−Ｃ〜サンプル２−Ｆによる低反射層の方が、映像の視認性が低下することを抑制する効果が高いといえる。以上から、導線５１からの反射光によって映像の視認性が低下することを抑制する上で、５ｎｍ以上の深さに酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層５４を設けることは、極めて有効であると言える。
In Sample 2-B in which the flow ratio of oxygen gas is 0.25%, it was confirmed that the light reflectance (reflected Y value) can realize 28.39%, which is a value of 30% or less. Moreover, it was confirmed that the said reflectance falls further in sample 2-C-sample 2-F in which the flow ratio of oxygen gas exceeds 0.25%. That is, when depositing a low reflection layer made of copper nitride, it can be said that the flow rate ratio of oxygen gas is preferably greater than 0.25%. Samples in which the flow rate ratio of oxygen gas is greater than 0.25% are Sample 2-C to Sample 2-F, and the reflection Y values in these samples are all 27% or less as shown in Table 3. there were. The smaller the reflection Y value, the more the reflection of light in the
１０ タッチ位置検出機能付き表示装置
１５ 表示装置
３０ タッチパネル
３１ 透視性電極
３２ 透明基材
３３ 基材フィルム
３４ａ，３４ｂ プライマー層
３５ａ，３５ｂ アンダーコート層
４１ 導電パターン
５１ 導線
５２Ａ 導線形成層
５２Ｂ 導線形成層
５２Ｃ 導線形成層
５３ 本体層
５４ 低反射層
５５ 防錆層
６０ 積層体
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記透明基材上に設けられた複数の導電パターンと、
を備え、
前記導電パターンは、遮光性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるように網目状に配置された導線から構成されており、
前記導線は、
金属材料からなる本体層と、
前記本体層に対して前記透明基材側および／または前記透明基材とは逆側に積層された、表面から５ｎｍ以上の深さに７アトミック％〜１７アトミック％の酸素原子を含む窒化銅からなる低反射層と、
を含み、
前記低反射層の膜厚は、１０ｎｍ〜６０ｎｍであり、
前記低反射層の反射Ｙ値は、３０％以下であり、
前記低反射層の表面から５ｎｍ以上の深さにおける酸素原子は、前記低反射層の表面にＡｒイオンエッチングを５秒間行った後、前記低反射層の組成を、Ｘ線光電子分光分析法を用いて分析することによって検出される、透視性電極。 A transparent substrate,
A plurality of conductive patterns provided on the transparent substrate;
Equipped with
The conductive pattern is a conductive wire having a light shielding property, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape such that an opening is formed between the conductive wires.
The wire is
A body layer made of metal material,
From copper nitride containing 7 atomic% to 17 atomic% of oxygen atoms at a depth of 5 nm or more laminated on the side of the transparent substrate and / or on the side opposite to the transparent substrate with respect to the body layer Low reflection layer,
Including
The film thickness of the low reflection layer is 10 nm to 60 nm,
Reflection Y value of the low reflective layer state, and are 30% or less,
Oxygen atoms at a depth of 5 nm or more from the surface of the low reflective layer are subjected to Ar ion etching for 5 seconds on the surface of the low reflective layer, and then the composition of the low reflective layer is measured using X-ray photoelectron spectroscopy. Fluoroscopic electrode detected by analyzing .
前記表示装置の表示面上に配置された、請求項４に記載のタッチパネルと、
を備えたタッチ位置検出機能付き表示装置。 A display device,
The touch panel according to claim 4 , arranged on a display surface of the display device,
Display unit with touch position detection function.
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