JP6540592B2 - 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6540592B2 JP6540592B2 JP2016093870A JP2016093870A JP6540592B2 JP 6540592 B2 JP6540592 B2 JP 6540592B2 JP 2016093870 A JP2016093870 A JP 2016093870A JP 2016093870 A JP2016093870 A JP 2016093870A JP 6540592 B2 JP6540592 B2 JP 6540592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- charge
- silicon
- main guide
- guide portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims description 171
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 160
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 150
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 150
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 18
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
10 メインガイド部
10a 斜めカット部
10d メインガイド部の開口
11 差込部
11a 天井面
11b 開口
11c スリット
12 ウィング部(第1ウィング部)
13 ウィング部(第2ウィング部)
14 取っ手
15 係止片
100 チャージ管
100a チャージ管の開口
101 チャージ管本体
101a チャージ管本体の上端側の開口
101b チャージ管本体の下端側の開口
102 フランジ部材
102a ねじ穴
102b 支持片
102c 貫通孔
103 底蓋
104 シャフト
105 ガイド管
107 樹脂製のカバー
110 キャリアケース
200 バキューム機構
201 吸込口
S シリコン原料
Claims (10)
- 単結晶引き上げ装置内にシリコン原料をリチャージ又は追加チャージするためのチャージ管に対して着脱自在であり、前記チャージ管内に前記シリコン原料をチャージする原料チャージ補助具であって、
少なくともシリコン原料と接触する部分が石英からなり、前記シリコン原料の流路を構成するメインガイド部と、
前記メインガイド部と一体的に設けられ、少なくとも前記シリコン原料と接触する部分が石英からなるウィング部とを備え、
前記メインガイド部は湾曲面を有する細長い板状の部材からなり、
前記ウィング部は、前記メインガイド部の長手方向と直交する幅方向の少なくとも一方に設けられており、前記メインガイド部に向かって下りの傾斜面を有し、
前記メインガイド部の先端部は前記チャージ管の開口に差し込まれ、前記メインガイド部上の前記シリコン原料は前記開口に流し込まれることを特徴とする原料チャージ補助具。 - 前記ウィング部は、前記メインガイド部の長手方向と直交する幅方向の一方及び他方にそれぞれ広がる第1及び第2のウィング部を含み、
前記第1のウィング部は前記第2のウィング部よりも大きい、請求項1に記載の原料チャージ補助具。 - 前記メインガイド部と一体的に形成された取っ手をさらに備える、請求項1又は2に記載の原料チャージ補助具。
- 単結晶引き上げ装置内にシリコン原料をリチャージ又は追加チャージするためのチャージ管に対して着脱自在であり、前記チャージ管内に前記シリコン原料をチャージする原料チャージ補助具であって、
少なくともシリコン原料と接触する部分が石英からなり、前記シリコン原料の流路を構成するメインガイド部と、
前記メインガイド部と一体的に形成された取っ手とを備え、
前記メインガイド部の先端部は前記チャージ管の開口に差し込まれ、前記メインガイド部上の前記シリコン原料は前記開口に流し込まれることを特徴とする原料チャージ補助具。 - 前記メインガイド部は円筒状の部材からなり、
前記メインガイド部の後端部には原料チャージ口を広げる斜めカット部が設けられている、請求項4に記載の原料チャージ補助具。 - 前記メインガイド部の上部には、バキューム機構の吸込口に接続される開口が設けられている、請求項5に記載の原料チャージ補助具。
- 単結晶引き上げ装置内にシリコン原料をリチャージ又は追加チャージするためのチャージ管内にシリコン原料をチャージする方法であって、
前記チャージ管に対して着脱自在であり、少なくともシリコン原料と接触する部分が石英からなる原料チャージ補助具を用意し、
前記チャージ管を斜めに傾けた状態で、前記チャージ管の開口に前記原料チャージ補助具の先端部を差し込み、前記シリコン原料の流路を構成する前記原料チャージ補助具のメインガイド部を介して前記開口に前記シリコン原料を流し込むことを特徴とするチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法。 - 前記メインガイド部の上方にバキューム機構の吸込口を配置し、前記シリコン原料をチャージする際に舞い上がるシリコン粉塵を吸い取りながら前記チャージ管内に前記シリコン原料をチャージする、請求項7に記載のシリコン原料のチャージ方法。
- 前記チャージ管の前記開口よりも上方に突出する金属製のシャフトに樹脂製のカバーを被せた状態で前記チャージ管内に前記シリコン原料をチャージする、請求項7又は8に記載のシリコン原料のチャージ方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の原料チャージ補助具を用いてチャージ管内にシリコン原料をチャージする工程と、前記チャージ管を用いて単結晶引き上げ装置内にシリコン原料をチャージする工程と、前記単結晶引き上げ装置内のシリコン原料からシリコン単結晶を製造する工程とを備えることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016093870A JP6540592B2 (ja) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 |
TW106112736A TWI641730B (zh) | 2016-05-09 | 2017-04-17 | 原料進料補助具、向進料管供給矽原料的方法以及單晶矽之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016093870A JP6540592B2 (ja) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017202947A JP2017202947A (ja) | 2017-11-16 |
JP6540592B2 true JP6540592B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=60321950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016093870A Active JP6540592B2 (ja) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6540592B2 (ja) |
TW (1) | TWI641730B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210115589A (ko) * | 2020-03-13 | 2021-09-27 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 성장용 원료공급장치 |
KR102460012B1 (ko) | 2021-01-19 | 2022-10-28 | 에스케이실트론 주식회사 | 원료 공급 호퍼 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4106589C2 (de) * | 1991-03-01 | 1997-04-24 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kontinuierliches Nachchargierverfahren mit flüssigem Silicium beim Tiegelziehen nach Czochralski |
US7465351B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
JP2009263178A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 単結晶育成装置および原料供給方法 |
JP2016501824A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-01-21 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | ドーパントを投入し注入するためのドーパント漏斗 |
-
2016
- 2016-05-09 JP JP2016093870A patent/JP6540592B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-17 TW TW106112736A patent/TWI641730B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017202947A (ja) | 2017-11-16 |
TWI641730B (zh) | 2018-11-21 |
TW201809376A (zh) | 2018-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100800212B1 (ko) | 단결정 성장 장치에 고체 원료를 공급하는 장치 및 방법 | |
JP6540592B2 (ja) | 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
EP2699716B1 (en) | Side feed system for czochralski growth of silicon ingots | |
JP2012140291A (ja) | 多結晶シリコン原料のリチャージ方法 | |
JP2009263178A (ja) | 単結晶育成装置および原料供給方法 | |
JP2008285351A (ja) | 原料供給装置及びこれを備えた単結晶引上げ装置、並びに原料供給方法 | |
JP2010083685A (ja) | 原料供給装置、単結晶製造装置および単結晶の製造方法 | |
US8961686B2 (en) | Method of manufacturing monocrystal, flow straightening cylinder, and monocrystal pulling-up device | |
JP7135315B2 (ja) | リチャージ管、原料供給装置、単結晶引き上げ装置、リチャージ管の使用方法、リチャージ方法、単結晶引き上げ方法 | |
JP4454003B2 (ja) | 単結晶引上げ装置の原料供給装置 | |
US11364475B2 (en) | Methods of preparing and using an aseptic mixing system | |
US20040226504A1 (en) | Apparatus and method for supplying crystalline materials in Czochralski method | |
KR101690245B1 (ko) | 원료 공급장치 | |
JP2007314394A (ja) | チョクラルスキー法による原料供給装置および原料供給方法 | |
JPH06205960A (ja) | 粒状物質の供給装置 | |
TW202328509A (zh) | 用於涉及矽進料管之惰性氣體控制之單晶矽錠生長之方法 | |
JP6708173B2 (ja) | リチャージ管及び単結晶の製造方法 | |
JP2007204306A (ja) | 単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法 | |
JP2024501567A (ja) | 単結晶シリコンインゴットの成長中における緩衝部材の使用 | |
JP2017122014A (ja) | リチャージ装置およびこれを用いたシリコン原料の融解方法 | |
JP5644794B2 (ja) | リチャージ管及びリチャージ方法 | |
JP2005161290A (ja) | 粉粒体輸送装置の原料混合装置 | |
US20180030614A1 (en) | Feed system for crystal growing systems | |
JP6413925B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP7052912B1 (ja) | 単結晶引上げ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190527 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6540592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |