JP6538626B2 - 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置に関する。
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録再生装置において、応答速度の向上が望まれる。
本発明の実施形態は、応答速度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、第１シールド、第２シールド、磁極及びトレーリングシールドを含む。前記磁極は、前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられる。前記トレーリングシールドは、前記第１シールド及び前記第２シールドを結ぶ方向と交差する第１方向において前記磁極から離れる。前記第１シールドは、前記第１方向と交差する第１積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第１磁性層及び複数の第１非磁性層を含む。前記複数の第１非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記複数の第１非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である。前記第２シールドは、前記第１方向と交差する第２積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第２磁性層及び複数の第２非磁性層を含む。前記複数の第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記複数の第２非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的平面図である。
図１は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１０の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１０の媒体対向面である。
図１は、第１の実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的平面図である。
図１は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１０の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１０の媒体対向面である。
図１に示すように、本実施形態に係る磁気ヘッド１１０は、第１シールド２１、第２シールド、トレーリングシールド２３及び磁極１０を含む。第１シールド２１及び第２シールド２２は、例えば、サイドシールドである。
磁極１０は、第１シールド２１と第２シールド２２との間に設けられる。磁極１０は、例えば主磁極である。
トレーリングシールド２３は、第１方向Ｄ１において磁極１０から離れる。第１方向Ｄ１は、第１シールド２１及び第２シールド２２を結ぶ方向と交差する。
第１方向Ｄ１をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。
第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）は、例えば、ダウントラック方向である。第１シールド２１及び第２シールド２２を結ぶ方向は、例えば、トラック幅方向（クロストラック方向）である。この方向は、例えば、Ｙ軸方向である。Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。
例えば、磁気ヘッド１１０においてコイル（図示しない）が設けられる。コイルによって磁極１０が励磁される。磁極１０からコイルに流れる電流（記録電流）に応じた磁場（記録磁場）が生じる。この磁場が磁気記録媒体に加わる。記録電流に対応する情報が、磁気記録媒体に記録される。磁気ヘッド１１０は、例えば、記録部である。
この例では、磁気ヘッド１１０は、リーディングシールド２４をさらに含む。トレーリングシールド２３とリーディングシールド２４との間に、磁極１０が設けられる。
この例では、第１〜第４絶縁部４１〜４４が設けられている。第１絶縁部４１は、第１シールド２１と磁極１０との間に設けられる。第２絶縁部４２は、第２シールド２２と磁極１０との間に設けられる。第３絶縁部４３は、トレーリングシールド２３と磁極１０との間に設けられる。第４絶縁部４４は、リーディングシールド２４と磁極１０との間に設けられる。第１絶縁部４１、第２絶縁部４２及び第４絶縁部４４は、互いに連続しても良い。これらの絶縁部には、例えば、二酸化シリコンなどの絶縁材料を含む。
磁極１０は、２つの側面（第１側面ｓ１及び第２側面ｓ２）を有する。第１側面ｓ１は、第１シールド２１に対向する。第２側面ｓ２は、第２シールド２２に対向する。これらの側面は、Ｙ軸方向と交差する。
本実施形態においては、サイドシールドに積層構造が設けられる。
例えば、第１シールド２１は、複数の第１磁性層２１ａ及び複数の第１非磁性層２１ｂを含む。複数の第１磁性層２１ａ及び複数の第１非磁性層２１ｂは、第１積層方向Ｄｓ１に沿って交互に並ぶ。第１積層方向Ｄｓ１は、第１方向Ｄ１と交差する。
磁極１０の第１側面ｓ１が第１方向Ｄ１に対して平行な場合は、第１積層方向Ｄｓ１は、Ｙ軸方向に対して平行になる。この例では、第１側面ｓ１は、第１方向Ｄ１に対して傾斜している。この場合、第１積層方向Ｄｓ１は、Ｙ軸方向に対して傾斜する。
複数の第１非磁性層２１ｂは、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第１非磁性層２１ｂのそれぞれの厚さｔ１ｂは、０．３ナノメートル（ｎｍ）以上２．２ｎｍ以下である。複数の第１非磁性層２１ｂの１つの厚さｔ１ｂは、第１積層方向Ｄｓ１に沿った長さである。複数の第１非磁性層２１ｂがＲｕを含む場合、厚さｔ１ｂは、例えば、０．６ｎｍ以上１．０ｎｍ以下（例えば約０．８ｎｍ）である。複数の第１非磁性層２１ｂがＣｕを含む場合、厚さｔ１ｂは、例えば、１．３ｎｍ以上１．７ｎｍ以下（例えば約１．５ｎｍ）である。複数の第１非磁性層２１ｂがＣｒを含む場合、厚さｔ１ｂは、例えば、１．８ｎｍ以上２．２ｎｍ以下（例えば約２．０ｎｍ）である。
一方、第２シールド２２は、複数の第２磁性層２２ａ及び複数の第２非磁性層２２ｂを含む。複数の第２磁性層２２ａ及び複数の第２非磁性層２２ｂは、第２積層方向Ｄｓ２に沿って交互に並ぶ。第２積層方向Ｄｓ２は、第１方向Ｄ１と交差する。
磁極１０の第２側面ｓ２が第１方向Ｄ１に対して平行な場合は、第２積層方向Ｄｓ２は、Ｙ軸方向に対して平行になる。この例では、第２側面ｓ２は、第１方向Ｄ１に対して傾斜している。この場合、第２積層方向Ｄｓ２は、Ｙ軸方向に対して傾斜する。
複数の第２非磁性層２２ｂは、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第２非磁性層２２ｂのそれぞれの厚さｔ２ｂは、０．３ｎｍ以上２．２ｎｍ以下である。複数の第２非磁性層２２ｂの１つの厚さｔ２ｂは、第２積層方向Ｄｓ２に沿った長さである。複数の第２非磁性層２２ｂがＲｕを含む場合、厚さｔ２ｂは、例えば、０．６ｎｍ以上１．０ｎｍ以下（例えば約０．８ｎｍ）である。複数の第２非磁性層２２ｂがＣｕを含む場合、厚さｔ２ｂは、例えば、１．３ｎｍ以上１．７ｎｍ以下（例えば約１．５ｎｍ）である。複数の第２非磁性層２２ｂがＣｒを含む場合、厚さｔ２ｂは、例えば、１．８ｎｍ以上２．２ｎｍ以下（例えば約２．０ｎｍ）である。
複数の第１磁性層２１ａ及び複数の第２磁性層２２ａは、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つの少なくともいずれかを含む。
このような積層構造をサイドシールドに適用することで、サイドシールドにおける磁化の応答を高速化できることが分かった。これにより、応答速度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。
本願発明者は、磁気ヘッド１１０の応答性について、磁極１０及びトレーリングシールド２３の緩和時間について検討した。その結果、磁極１０及びトレーリングシールド２３の緩和時間は、０．５ｎｓｅｃ程度であり、比較的高速の応答性が得られることが分かった。これに対して、サイドシールドの緩和時間が非常に長いことを示唆するデータが得られた。以下、サイドシールドの緩和時間についての検討結果の例について説明する。
図２は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
この図は、参考例の磁気ヘッド１１９の特性を示している。この参考例においては、サイドシールドに上記のような積層構造が適用されていない。図２の横軸は、記録回数ＮＷＲである。図２の縦軸は、イレーズ幅ＷＥＲ（ｎｍ）である。磁気ヘッドにより、磁気記録媒体に複数回の記録が行われる。例えば、１つのトラックに記録した後に、その１つのトラックの隣のトラックへの記録が行われる。この際、前の記録のトラックの一部に、後の記録の情報が記録される。上書きが行われる。サイドシールドにおける緩和時間は、上書きの幅（イレーズ幅ＷＥＲ）に関係している。イレーズ幅ＷＥＲが小さいときに、トラック密度を向上できる。サイドシールドにおける緩和時間は、イレーズ幅ＷＥＲ及びトラック密度に影響を与える。
この図は、参考例の磁気ヘッド１１９の特性を示している。この参考例においては、サイドシールドに上記のような積層構造が適用されていない。図２の横軸は、記録回数ＮＷＲである。図２の縦軸は、イレーズ幅ＷＥＲ（ｎｍ）である。磁気ヘッドにより、磁気記録媒体に複数回の記録が行われる。例えば、１つのトラックに記録した後に、その１つのトラックの隣のトラックへの記録が行われる。この際、前の記録のトラックの一部に、後の記録の情報が記録される。上書きが行われる。サイドシールドにおける緩和時間は、上書きの幅（イレーズ幅ＷＥＲ）に関係している。イレーズ幅ＷＥＲが小さいときに、トラック密度を向上できる。サイドシールドにおける緩和時間は、イレーズ幅ＷＥＲ及びトラック密度に影響を与える。
図２においては、実験値ＥＸ１に加えて、ＬＬＧ方程式に基づくMicromagneticsに基づくシミュレーション結果ＳＩＭ１０も示されている。さらに、図２には、３つの条件に関するシミュレーション特性（第１条件ＳＩＭ１、第２条件ＳＩＭ２及び第３条件ＳＩＭ３）が示されている。これらの３つの条件に関するシミュレーションは、ダイナミックな磁気回路法の緩和時間を有限要素法に発展させたシミュレータ（ＴＭＬ）に基づく。このダイナミックな磁気回路法の緩和時間については、IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL 33, NO 5, SEPTEMBER 1997に報告されている。
第１条件ＳＩＭ１においては、サイドシールドの緩和時間は１．７ｎｓである。第２条件ＳＩＭ２おいては、サイドシールドの緩和時間は１ｎｓである。第３条件ＳＩＭ３においては、サイドシールドの緩和時間は０．５ｎｓである。
図２から分かるように、実験値ＥＸ１は、第１条件ＳＩＭ１の特性に近い。このことから、サイドシールドの緩和時間は１．７ｎｓ以上であると考えられる。
このように、磁極１０及びトレーリングシールド２３の緩和時間は、０．５ｎｓｅｃ程度と短いのに対して、サイドシールドの緩和時間は１．７ｎｓ以上であり、非常に長い。このことが、磁気ヘッドの応答性に影響を与えていると考えられる。
本願発明者は、サイドシールドの緩和時間が長いことについてさらに検討した。以下、その検討結果について説明する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示する模式図である。
これらの図は、参考例の磁気ヘッド１１９における磁化の変化の例を示す。これらの図は、ＬＬＧ方程式に基づくMicromagneticsによるシミュレーション結果の例である。これらの図は、媒体対向面から磁気ヘッド１１９を見たときの図に対応する。図３（ａ）は第１記録動作ＯＰ１に対応し、図３（ｂ）は第２記録動作ＯＰ２に対応する。第１記録動作ＯＰ１においては、磁気記録媒体から磁極１０に向かう磁場１０Ｍａが生成される。第２記録動作ＯＰ２においては、磁極１０から磁気記録媒体に向かう磁場１０Ｍｂが生成される。これらの図において、磁場の方向ＭＦが示されている。これらの図において、濃度が高い領域においては、＋Ｙ方向（図中の左から右への向き）の磁化が生じている。濃度が低い領域においては、−Ｙ方向（図中の右から左への向き）の磁化が生じている。
これらの図は、参考例の磁気ヘッド１１９における磁化の変化の例を示す。これらの図は、ＬＬＧ方程式に基づくMicromagneticsによるシミュレーション結果の例である。これらの図は、媒体対向面から磁気ヘッド１１９を見たときの図に対応する。図３（ａ）は第１記録動作ＯＰ１に対応し、図３（ｂ）は第２記録動作ＯＰ２に対応する。第１記録動作ＯＰ１においては、磁気記録媒体から磁極１０に向かう磁場１０Ｍａが生成される。第２記録動作ＯＰ２においては、磁極１０から磁気記録媒体に向かう磁場１０Ｍｂが生成される。これらの図において、磁場の方向ＭＦが示されている。これらの図において、濃度が高い領域においては、＋Ｙ方向（図中の左から右への向き）の磁化が生じている。濃度が低い領域においては、−Ｙ方向（図中の右から左への向き）の磁化が生じている。
図３（ａ）に示すように、トレーリングシールド２３の領域においては、図中の濃度は低く、−Ｙ方向の磁化が生じていることが分かる。そして、図３（ｂ）に示すように、トレーリングシールド２３の領域においても図中の濃度は低く、このときも−Ｙ方向の磁化が生じていることが分かる。このように、トレーリングシールド２３の領域においては、第１記録動作ＯＰ１及び第２記録動作ＯＰ２の間において、磁化の向きに大きな変化はない。
これ対して、サイドシールド（第１シールド２１及び第２シールド２２）においては、第１記録動作ＯＰ１及び第２記録動作ＯＰ２の間において、磁化の向きが大きく変化する。
図３（ａ）に示すように、第１記録動作ＯＰ１においては、第１シールド２１の領域では、磁場の方向ＭＦは、左から右への向きである。そして、第２シールド２２の領域では、磁場の方向ＭＦは、右から左への向きである。
一方、図３（ｂ）に示すように、第２記録動作ＯＰ２においては、第１シールド２１の領域では、磁場の方向ＭＦは、右から左への向きである。そして、第２シールド２２の領域では、磁場の方向ＭＦは、左から右への向きである。
このように、サイドシールドにおいては、大きな磁区の移動を伴って、磁化が変化する。２つの記録動作の間で磁化が反転する際に、磁極１０の周りの大きな磁区が移動している。このことがサイドシールドにおいて緩和時間が長いことに影響を与えていると考えられる。
サイドシールドの磁区を小さくすることで、サイドシールドの緩和時間が短くできると考えられる。
実施形態においては、図１に関して説明したように、サイドシールド（第１シールド２１及び第２シールド２２）に積層構造が適用される。この積層構造では、複数の磁性層の間に非磁性層が設けられる。この非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。そして非磁性層の厚さが０．３ｎｍ以上２．２ｎｍ以下である。
これにより、サイドシールドに大きな磁区が形成されることが抑制できる。これにより、サイドシールドの緩和時間を短くすることができる。実施形態において、サイドシールドの緩和時間は、約０．８ｎｓ以下にできる。これにより、応答速度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。
非磁性層が、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、非磁性層の厚さが０．３ｎｍ以上２．２ｎｍ以下であることにより、複数の磁性層は互いに反強磁性結合する。これにより、複数の磁性層の以下がより安定になる。
例えば、複数の第１磁性層２１ａは、互いに反強磁性結合する。複数の第２磁性層２２ａは、互いに反強磁性結合する。
図１に示すように、複数の第１磁性層２１ａのそれぞれは、磁化２１Ｍを有する。複数の第１磁性層２１ａの１つと、複数の第１磁性層２１ａのうちの、複数の第１磁性層２１ａのその１つに最も近い１つと、に着目する。複数の第１磁性層２１ａの１つの磁化２１Ｍは、複数の第１磁性層２１ａのうちの、複数の第１磁性層２１ａの、その１つに最も近い１つの磁化２１Ｍの向きに対して反対の成分を有する。
複数の第２磁性層２２ａのそれぞれは、磁化２２Ｍを有する。複数の第２磁性層２２ａの１つと、複数の第２磁性層２２ａのうちの、複数の第２磁性層２２ａのその１つに最も近い１つと、に着目する。複数の第２磁性層２２ａの１つの磁化２２Ｍの向きは、複数の第２磁性層２２ａのうちの、複数の第２磁性層２２ａのその１つに最も近い１つの磁化２２Ｍの向きに対して反対の成分を有する。
実施形態において、複数の第１磁性層２１ａの１つの厚さｔ１ａは、例えば、５０ｎｍ以下である。複数の第２磁性層２２ａの１つの厚さｔ２ａは、例えば、５０ｎｍ以下である。これらの厚さが５０ｎｍ以下であることにより、磁性層において、過度に大きい磁区が形成されることが抑制できる。厚さｔ１ａは、例えば、２０ｎｍ以上である。厚さｔ２ａは、例えば、２０ｎｍ以上である。厚さが２０ｎｍよりも薄くなると、例えば、磁化が動きにくくなり、実効的な透磁率が下がる。このため、シールド特性が悪くなる。厚さを２０ｎｍ以上にすることで、適正なシールド特性が得られる。
複数の第１磁性層２１ａの数は、３以上である。複数の第２磁性層２２ａの数は、３以上である。例えば、複数の第１非磁性層２１ｂの数は、２以上である。複数の第２非磁性層２２ｂの数は、２以上である。これにより、サイドシールドにおいて、安定した磁化が形成できる。適正なシールド性能が得られる。
複数の第１磁性層２１ａの数が４以上８以下であることが、好ましい。複数の第２磁性層２２ａの数が４以上８以下であることが、好ましい。例えば、複数の第１非磁性層２１ｂの数は、３以上７以下が好ましい。複数の第２非磁性層２２ｂの数は、３以上７以下が好ましい。
第１シールド２１に設けられる積層構造体（複数の第１磁性層２１ａ及び複数の第１非磁性層２１ｂを含む領域）の第１積層方向Ｄｓ１の長さは２００ｎｍよりも長いことが好ましい。第２シールド２２に設けられる積層構造体（複数の第２磁性層２２ａ及び複数の第２非磁性層２２ｂを含む領域）の第２積層方向Ｄｓ２に沿う長さは２００ｎｍよりも長いことが好ましい。これらの領域の長さ（厚さ）を２００ｎｍよりも長くすることで、例えば、積層エリアの外側に生成される大きな磁区が磁極生成磁界に及ぼす影響を少なくすることができる。
図１に示すように、第１シールド２１は、第１外側領域２１ｏを含む。複数の第１磁性層２１ａ及び複数の第１非磁性層２１ｂは、磁極１０と第１外側領域２１ｏと、の間に位置する。この例では、第１シールド２１は、非磁性領域２１ｃをさらに含む。非磁性領域２１ｃは、複数の第１磁性層２１ａ及び複数の第１非磁性層２１ｂを含む領域と、第１外側領域２１ｏと、の間に位置する。非磁性領域２１ｃは、複数の第１非磁性層２１ｂの１つと同様の構成を有しても良い。
第２シールド２２は、第２外側領域２２ｏを含む。複数の第２磁性層２２ａ及び複数の第２非磁性層２２ｂは、磁極１０と第２外側領域２２ｏと、の間に位置する。この例では、第２シールド２２は、非磁性領域２２ｃをさらに含む。非磁性領域２２ｃは、複数の第２磁性層２２ａ及び複数の第２非磁性層２１ｂを含む領域と、第２外側領域２２ｏと、の間に位置する。非磁性領域２２ｃは、複数の第２非磁性層２２ｂの１つと同様の構成を有しても良い。
図４は、第１の実施形態に係る別の磁気ヘッドを例示する模式的平面図である。
図４は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１１の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１１の媒体対向面である。
図４は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１１の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１１の媒体対向面である。
図４に示すように、本実施形態に係る別の磁気ヘッド１１１も、第１シールド２１、第２シールド、トレーリングシールド２３及び磁極１０を含む。磁気ヘッド１１１においては、トレーリングシールド２３に積層構造が設けられる。これ以外は、磁気ヘッド１１０と同様なので説明を省略する。
磁気ヘッド１１１においては、トレーリングシールド２３は、複数の第３磁性層２３ａ及び複数の第３非磁性層２３ｂを含む。複数の第３磁性層２３ａ及び複数の第３非磁性層２３ｂは、第１方向Ｄ１方向に沿って交互に並ぶ。複数の第３非磁性層２３ｂは、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第３非磁性層２３ｂのそれぞれの厚さｔ３ｂは、０．３ｎｍ以上２．２ｎｍ以下である。複数の第３非磁性層２３ｂがＲｕを含む場合、厚さｔ３ｂは、例えば、０．６ｎｍ以上１．０ｎｍ以下（例えば約０．８ｎｍ）である。複数の第３非磁性層２３ｂがＣｕを含む場合、厚さｔ３ｂは、例えば、１．３ｎｍ以上１．７ｎｍ以下（例えば約１．５ｎｍ）である。複数の第３非磁性層２３ｂがＣｒを含む場合、厚さｔ３ｂは、例えば、１．８ｎｍ以上２．２ｎｍ以下（例えば約２．０ｎｍ）である。
磁気ヘッド１１１においては、サイドシールドにおける緩和時間が短くでき、さらに、トレーリングシールド２３における緩和時間が短くできる。応答速度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。
例えば、複数の第３磁性層２３ａは、互いに反強磁性結合する。
複数の第３磁性層２３ａのそれぞれは、磁化２３Ｍを有する。複数の第３磁性層２３ａの１つと、複数の第３磁性層２３ａのうちの、複数の第３磁性層２３ａのその１つに最も近い１つと、に着目する。複数の第３磁性層２３ａの１つの磁化２３Ｍは、複数の第３磁性層２３ａのうちの、複数の第３磁性層２３ａのその１つに最も近い１つ、の磁化２３Ｍの向きに対して反対の成分を有する。
複数の第３磁性層２３ａの１つの厚さｔ３ａは、５０ｎｍ以下である。厚さｔ３ａが５０ｎｍ以下であることにより、磁性層において、過度に大きい磁区が形成されることが抑制できる。厚さｔ３ａは、例えば、２０ｎｍ以上である。厚さが２０ｎｍよりも薄くなると、例えば、磁化が動きにくくなり、実効的な透磁率が下がる。このため、シールド特性が悪くなる。厚さを２０ｎｍ以上にすることで、適正なシールド特性が得られる。
複数の第３磁性層２３ａの数は、３以上である。例えば、複数の第３非磁性層２３ｂの数は、２以上である。これにより、トレーリングシールド２３において、安定した磁化が形成できる。適正なシールド性能が得られる。
トレーリングシールド２３に設けられる積層構造体（複数の第３磁性層２３ａ及び複数の第３非磁性層２３ｂを含む領域）の第１方向Ｄ１の長さは、例えば、２００ｎｍよりも長い。この領域の長さ（厚さ）を２００ｎｍよりも長くすることで、例えば、積層エリアの外側に生成される大きな磁区が磁極生成磁界に及ぼす影響を少なくすることができる。
図５は、第１の実施形態に係る別の磁気ヘッドを例示する模式的平面図である。
図５は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１２の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１２の媒体対向面である。
図５は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１２の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１２の媒体対向面である。
図５に示すように、本実施形態に係る別の磁気ヘッド１１２も、第１シールド２１、第２シールド、トレーリングシールド２３、リーディングシールド２４及び磁極１０を含む。磁気ヘッド１１２においては、リーディングシールド２４に積層構造が設けられる。これ以外は、磁気ヘッド１１１と同様なので説明を省略する。
磁気ヘッド１１２においては、リーディングシールド２４は、複数の第４磁性層２４ａ及び複数の第４非磁性層２４ｂを含む。複数の第４磁性層２４ａ及び複数の第４非磁性層２４ｂは、第１方向Ｄ１方向に沿って交互に並ぶ。例えば、複数の第４非磁性層２４ｂは、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第４非磁性層２４ｂのそれぞれの厚さｔ４ｂは、０．３ｎｍ以上２．２ｎｍ以下である。複数の第４非磁性層２４ｂがＲｕを含む場合、厚さｔ４ｂは、例えば、０．６ｎｍ以上１．０ｎｍ以下（例えば約０．８ｎｍ）である。複数の第４非磁性層２４ｂがＣｕを含む場合、厚さｔ４ｂは、例えば、１．３ｎｍ以上１．７ｎｍ以下（例えば約１．５ｎｍ）である。複数の第２非磁性層２４ｂがＣｒを含む場合、厚さｔ２ｂは、例えば、１．８ｎｍ以上２．２ｎｍ以下（例えば約２．０ｎｍ）である。
複数の第４磁性層２４ａの１つの厚さｔ４ａは、５０ｎｍ以下である。複数の第４磁性層２４ａの数は、３以上である。例えば、複数の第４非磁性層２４ｂの数は、２以上である。例えば、複数の第４磁性層２４ａの数は、複数の第１磁性層２１ａの数と同じでも良い。例えば、複数の第４非磁性層２４ｂの数は、複数の第１非磁性層２１ｂの数と同じでも良い。
例えば、複数の第４磁性層２４ａの１つは、複数の第１磁性層２１ａの１つと連続しても良い。例えば、複数の第４非磁性層２４ｂの１つは、複数の第１非磁性層２１ｂの１つと連続しても良い。
磁気ヘッド１１２においても応答速度を向上できる。
以下、本実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例について説明する。以下の説明は、磁気ヘッド１１２の製造方法に対応する。
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図６（ａ）に示すように、基体５０ｓの表面に凹部５０ｈを形成する。基体５０ｓは、例えば磁性材料（例えばＣｏＦｅなど）を含む。
図６（ａ）に示すように、基体５０ｓの表面に凹部５０ｈを形成する。基体５０ｓは、例えば磁性材料（例えばＣｏＦｅなど）を含む。
図６（ｂ）に示すように、基体５０ｓの上に、磁性膜２１ｍ及び非磁性膜２１ｎを交互に複数回形成する。さらに、絶縁膜４１ｆ及び磁極膜１０ｆを形成する。磁性膜２１ｍは、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。非磁性膜２１ｎは、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。絶縁膜４１ｆは、例えば、酸化シリコンを含む。磁極膜１０ｆは、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。これらの膜は、凹部５０ｈの中にも形成される。絶縁膜４１ｆは、例えば、酸化シリコンを含む。
図６（ｃ）に示すように、上面を研磨する。これにより、磁極膜１０ｆが露出する。磁極膜１０ｆは、磁極１０となる。磁性膜２１ｍは、第１磁性層２１ａ、第２磁性層２２ａ及び第４磁性層２４ａとなる。非磁性膜２１ｎは、第１非磁性層２１ｂ、第２非磁性層２２ｂ及び第４非磁性層２４ｂとなる。絶縁膜４１ｆは、第１絶縁部４１、第２絶縁部４２及び第４絶縁部４４となる。
図６（ｄ）に示すように、第３絶縁部４３を形成する。第３絶縁部４３の上に、第３磁性層２３ａ及び第３非磁性層２３ｂを交互に複数回形成する。これにより、磁気ヘッド１１２が作製される。
図７は、第１の実施形態に係る別の磁気ヘッドを例示する模式的平面図である。
図７は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１３の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１３の媒体対向面である。
図７は、１つの方向から見た磁気ヘッド１１３の平面図である。この方向は、磁気ヘッド１１３の媒体対向面である。
図７に示すように、本実施形態に係る別の磁気ヘッド１１３も、第１シールド２１、第２シールド２２、トレーリングシールド２３及び磁極１０を含む。磁気ヘッド１１３においては、リーディングシールドが省略されている。これ以外は、例えば、磁気ヘッド１１１と同様である。磁気ヘッド１１３においても、応答速度を向上できる。
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、磁気記憶装置に係る。本実施形態に係る磁気記憶装置は、磁気ヘッドと、磁気記録媒体（例えば、後述する記録用媒体ディスク１８０）と、を含む。磁気記録媒体は、磁極１０により情報が記録される。この磁気ヘッドは、第１の実施形態に係る任意の磁気ヘッド、及び、その変形の磁気ヘッドである。以下では、磁気ヘッド１１０が用いられる場合について、説明する。
第２の実施形態は、磁気記憶装置に係る。本実施形態に係る磁気記憶装置は、磁気ヘッドと、磁気記録媒体（例えば、後述する記録用媒体ディスク１８０）と、を含む。磁気記録媒体は、磁極１０により情報が記録される。この磁気ヘッドは、第１の実施形態に係る任意の磁気ヘッド、及び、その変形の磁気ヘッドである。以下では、磁気ヘッド１１０が用いられる場合について、説明する。
図８は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図８はヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ３に設けられる。ヘッドスライダ３は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ３は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図８はヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ３に設けられる。ヘッドスライダ３は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ３は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
ヘッドスライダ３は、例えば、空気流入側３Ａ及び空気流出側３Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ３の空気流出側３Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図９は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図９に示したように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ４に装着される。記録用媒体ディスク１８０は、モータにより矢印ＡＲの方向に回転する。モータは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図９に示したように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ４に装着される。記録用媒体ディスク１８０は、モータにより矢印ＡＲの方向に回転する。モータは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
ヘッドスライダ３は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ３は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ３の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドのいずれかが設けられる。
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ３の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ３の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ３は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
図１０（ａ）は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
また、図１０（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
また、図１０（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
図１０（ａ）に示したように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータのコイル１６２を支持する。
図１０（ｂ）に示したように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ３が設けられる。ヘッドスライダ３に、実施形態に係る磁気ヘッドのいずれかが設けられる。
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ３と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ３は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
磁気記録再生装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ３を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を備える。
実施形態は、以下の構成を含んでも良い。
（構成１）
第１シールドと、
第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた磁極と、
前記第１シールド及び前記第２シールドを結ぶ方向と交差する第１方向において前記磁極から離れたトレーリングシールドと、
を備え、
前記第１シールドは、前記第１方向と交差する第１積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第１磁性層及び複数の第１非磁性層を含み、前記複数の第１非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第１非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下であり、
前記第２シールドは、前記第１方向と交差する第２積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第２磁性層及び複数の第２非磁性層を含み、前記複数の第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第２非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である、磁気ヘッド。
（構成２）
前記複数の第１磁性層の１つの磁化は、前記複数の第１磁性層のうちの前記複数の第１磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有し、
前記複数の第２磁性層の１つの磁化の向きは、前記複数の第２磁性層のうちの前記複数の第２磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有した、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成３）
前記複数の第１磁性層は、互いに反強磁性結合し、
前記複数の第２磁性層は、互いに反強磁性結合した、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成４）
前記複数の第１磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下であり、
前記複数の第２磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下である、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成５）
前記複数の第１磁性層の数は、３以上であり、
前記複数の第２磁性層の数は、３以上である、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成６）
前記複数の第１非磁性層の数は、２以上であり、
前記複数の第２非磁性層の数は、２以上である、構成１〜５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成７）
前記複数の第１磁性層及び前記複数の第１非磁性層を含む領域の前記第１積層方向の長さは２００ナノメートルよりも長く、
前記複数の第２磁性層及び前記複数の第２非磁性層を含む領域の前記第２積層方向の長さは２００ナノメートルよりも長い、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成８）
前記トレーリングシールドは、前記第１方向に沿って交互に並ぶ複数の第３磁性層及び複数の第３非磁性層を含み、前記複数の第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第３非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である、構成１〜７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成９）
前記複数の第３磁性層の１つの磁化は、前記複数の第３磁性層のうちの前記複数の第３磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有した、構成８記載の磁気ヘッド。
（構成１０）
前記複数の第３磁性層は、互いに反強磁性結合した、構成８記載の磁気ヘッド。
（構成１１）
前記複数の第３磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下である、構成８〜１０のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１２）
前記複数の第３磁性層の数は、３以上である、構成８〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１３）
前記複数の第３非磁性層の数は、２以上である、構成８〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１４）
前記複数の第３磁性層及び前記複数の第３非磁性層を含む領域の前記第１方向の長さは２００ナノメートルよりも長い、構成８〜１３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１５）
前記第１シールドは、第１外側領域を含み、前記複数の第１磁性層及び前記複数の第１非磁性層は、前記磁極と前記第１外側領域と、の間に位置し、
前記第２シールドは、第２外側領域を含み、前記複数の第２磁性層及び前記複数の第２非磁性層は、前記磁極と前記第２外側領域と、の間に位置した、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１６）
リーディングシールドをさらに備え、
前記トレーリングシールドと前記リーディングシールドとの間に前記磁極が設けられた、構成１〜１５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１７）
構成１〜１６のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁極により情報が記録される磁気記録媒体と、
を備えた磁気記録再生装置。
（構成１）
第１シールドと、
第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた磁極と、
前記第１シールド及び前記第２シールドを結ぶ方向と交差する第１方向において前記磁極から離れたトレーリングシールドと、
を備え、
前記第１シールドは、前記第１方向と交差する第１積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第１磁性層及び複数の第１非磁性層を含み、前記複数の第１非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第１非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下であり、
前記第２シールドは、前記第１方向と交差する第２積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第２磁性層及び複数の第２非磁性層を含み、前記複数の第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第２非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である、磁気ヘッド。
（構成２）
前記複数の第１磁性層の１つの磁化は、前記複数の第１磁性層のうちの前記複数の第１磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有し、
前記複数の第２磁性層の１つの磁化の向きは、前記複数の第２磁性層のうちの前記複数の第２磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有した、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成３）
前記複数の第１磁性層は、互いに反強磁性結合し、
前記複数の第２磁性層は、互いに反強磁性結合した、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成４）
前記複数の第１磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下であり、
前記複数の第２磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下である、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成５）
前記複数の第１磁性層の数は、３以上であり、
前記複数の第２磁性層の数は、３以上である、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成６）
前記複数の第１非磁性層の数は、２以上であり、
前記複数の第２非磁性層の数は、２以上である、構成１〜５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成７）
前記複数の第１磁性層及び前記複数の第１非磁性層を含む領域の前記第１積層方向の長さは２００ナノメートルよりも長く、
前記複数の第２磁性層及び前記複数の第２非磁性層を含む領域の前記第２積層方向の長さは２００ナノメートルよりも長い、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成８）
前記トレーリングシールドは、前記第１方向に沿って交互に並ぶ複数の第３磁性層及び複数の第３非磁性層を含み、前記複数の第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第３非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である、構成１〜７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成９）
前記複数の第３磁性層の１つの磁化は、前記複数の第３磁性層のうちの前記複数の第３磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有した、構成８記載の磁気ヘッド。
（構成１０）
前記複数の第３磁性層は、互いに反強磁性結合した、構成８記載の磁気ヘッド。
（構成１１）
前記複数の第３磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下である、構成８〜１０のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１２）
前記複数の第３磁性層の数は、３以上である、構成８〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１３）
前記複数の第３非磁性層の数は、２以上である、構成８〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１４）
前記複数の第３磁性層及び前記複数の第３非磁性層を含む領域の前記第１方向の長さは２００ナノメートルよりも長い、構成８〜１３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１５）
前記第１シールドは、第１外側領域を含み、前記複数の第１磁性層及び前記複数の第１非磁性層は、前記磁極と前記第１外側領域と、の間に位置し、
前記第２シールドは、第２外側領域を含み、前記複数の第２磁性層及び前記複数の第２非磁性層は、前記磁極と前記第２外側領域と、の間に位置した、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１６）
リーディングシールドをさらに備え、
前記トレーリングシールドと前記リーディングシールドとの間に前記磁極が設けられた、構成１〜１５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１７）
構成１〜１６のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁極により情報が記録される磁気記録媒体と、
を備えた磁気記録再生装置。
実施形態によれば、応答速度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、第１シールド、第２シールド、トレーリングシールド及びリーディングシールドなどの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
３…ヘッドスライダ、 ３Ａ…空気流入側、 ３Ｂ…空気流出側、 ４…スピンドルモータ、 １０…磁極、 １０Ｍａ、１０Ｍｂ…磁場、 １０ｆ…磁極膜、 ２１…第１シールド、 ２１Ｍ…磁化、 ２１ａ…第１磁性層、 ２１ｂ…第１非磁性層、 ２１ｃ…非磁性領域、 ２１ｍ…磁性膜、 ２１ｎ…非磁性膜、 ２１ｏ…第１外側領域、 ２２…第２シールド、 ２２Ｍ…磁化、 ２２ａ…第２磁性層、 ２２ｂ…第２非磁性層、 ２２ｃ…非磁性領域、 ２２ｏ…第２外側領域、 ２３…トレーリングシールド、 ２３Ｍ…磁化、 ２３ａ…第３磁性層、 ２３ｂ…第３非磁性層、 ２４…リーディングシールド、 ２４ａ…第４磁性層、 ２４ｂ…第４非磁性層、 ４１〜４４…第１〜第４絶縁部、 ４１ｆ…絶縁膜、 ５０ｈ…凹部、 ５０ｓ…基体、 １１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１９…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録再生装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アクチュエータアーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ＡＡ…矢印方向、 ＡＲ…矢印、 Ｄ１…第１方向、 Ｄｓ１、Ｄｓ２…第１、第２積層方向、 ＥＸ１…実験値、 ＭＦ…方向、 ＮＷＲ…記録回数、 ＯＰ１、ＯＰ２…第１、第２記録動作、 ＳＩＭ１、ＳＩＭ２、ＳＩＭ３…第１〜第３条件、 ＳＩＭ１０…シミュレーション結果、 ＷＥＲ…イレーズ幅、 ｓ１、ｓ２…第１、第２側面、 ｔ１ａ、ｔ１ｂ、ｔ２ａ、ｔ２ｂ、ｔ３ａ、ｔ３ｂ、ｔ４ａ、ｔ４ｂ…厚さ
Claims (8)
- 第１シールドと、
第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた磁極と、
前記第１シールド及び前記第２シールドを結ぶ方向と交差する第１方向において前記磁極から離れたトレーリングシールドと、
を備え、
前記第１シールドは、前記第１方向と交差する第１積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第１磁性層及び複数の第１非磁性層を含み、前記複数の第１非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第１非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下であり、
前記第２シールドは、前記第１方向と交差する第２積層方向に沿って交互に並ぶ複数の第２磁性層及び複数の第２非磁性層を含み、前記複数の第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第２非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である、磁気ヘッド。 - 前記複数の第１磁性層の１つの磁化は、前記複数の第１磁性層のうちの前記複数の第１磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有し、
前記複数の第２磁性層の１つの磁化の向きは、前記複数の第２磁性層のうちの前記複数の第２磁性層の前記１つに最も近い１つの磁化の向きに対して反対の成分を有した、請求項１記載の磁気ヘッド。 - 前記複数の第１磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下であり、
前記複数の第２磁性層の１つの厚さは、５０ナノメートル以下である、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。 - 前記複数の第１磁性層の数は、３以上であり、
前記複数の第２磁性層の数は、３以上である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。 - 前記複数の第１非磁性層の数は、２以上であり、
前記複数の第２非磁性層の数は、２以上である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。 - 前記複数の第１磁性層及び前記複数の第１非磁性層を含む領域の前記第１積層方向の長さは２００ナノメートルよりも長く、
前記複数の第２磁性層及び前記複数の第２非磁性層を含む領域の前記第２積層方向の長さは２００ナノメートルよりも長い、請求項１〜５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。 - 前記トレーリングシールドは、前記第１方向に沿って交互に並ぶ複数の第３磁性層及び複数の第３非磁性層を含み、前記複数の第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記複数の第３非磁性層のそれぞれの厚さは、０．３ナノメートル以上２．２ナノメートル以下である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
- 請求項１〜７のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁極により情報が記録される磁気記録媒体と、
を備えた磁気記録再生装置。
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