JP6531831B2 - Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium - Google Patents

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Description

本発明は、基板の周縁部に処理液を供給する液処理装置、液処理方法及び記憶媒体に関する。   The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium for supplying a processing liquid to the peripheral portion of a substrate.

基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程では、ウエハに各種の処理液が供給されて液処理が行われる。この液処理の一つとして、ウエハの周に沿ってリング状に処理液を供給する処理が行われる場合があり、具体的な一例としては、表面に塗布膜が形成されたウエハに処理液として当該塗布膜の溶剤を供給して、不要な塗布膜をリング状に除去する周縁部塗布膜除去（Edge Bead Removal：ＥＢＲ）処理がある。このＥＢＲ処理では、スピンチャックに載置されて回転するウエハの周縁部に、局所的に溶剤吐出ノズルから溶剤が吐出される。   In a photolithography step of forming a resist pattern on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) which is a substrate, various processing solutions are supplied to the wafer to perform solution processing. As one of the liquid processing, processing may be performed in which the processing liquid is supplied in a ring along the circumference of the wafer. As a specific example, the processing liquid is applied to the wafer having a coating film formed on the surface. There is an edge bead removal (EBR) process in which a solvent of the coating film is supplied to remove an unnecessary coating film in a ring shape. In the EBR process, the solvent is discharged locally from the solvent discharge nozzle at the peripheral portion of the wafer which is placed on the spin chuck and rotated.

上記のＥＢＲ処理において、塗布膜が除去されるリング状領域の幅（カット幅）が設定値となるように、ウエハにおいて溶剤が吐出される位置の精度を高くし、ウエハの各部における当該カット幅の均一性を高くすることが求められている。ところで、３Ｄ ＮＡＮＤと呼ばれる多層配線構造を有するメモリを製造するためのプロセスが今後普及する見込みである。このプロセスでは比較的膜厚が大きい膜がウエハの表面に複数積層されることから、当該プロセスにおける処理が進んだウエハには各膜から比較的大きな応力が加わることで、比較的大きな反りが生じるおそれがある。スピンチャックの載置時にウエハがそのように反っていると、ウエハにおいて溶剤が吐出される位置が予め設定された位置からずれるため、上記のカット幅が設定値からずれてしてしまうおそれがある。また、発明の実施の形態で鞍型の反りとして説明するように、ウエハの周縁の各部が互いに異なる高さとなるように反る場合が有り、そのような反りが発生した場合には、ウエハの各部でカット幅がばらついてしまう。 In the above EBR process, the accuracy of the position where the solvent is discharged on the wafer is increased so that the width (cut width) of the ring-shaped area from which the coating film is removed becomes a set value, and the cut width in each part of the wafer It is required to improve the uniformity of the By the way, a process for manufacturing a memory having a multilayer interconnection structure called 3D NAND is expected to spread in the future. In this process, a plurality of films having relatively large film thicknesses are stacked on the surface of the wafer, so that a relatively large stress is applied from each film to the wafer on which the process in the process has progressed, resulting in a relatively large warpage. There is a fear. If the wafer is so warped when the spin chuck is placed, the above-mentioned cut width may be deviated from the set value because the position at which the solvent is discharged from the wafer deviates from the preset position. . In addition, as described in the embodiment of the present invention as warpage of the wedge shape, there are cases where portions of the periphery of the wafer warp so as to be different heights from each other, and when such warpage occurs, the wafer The cut width varies at each part.

特許文献１には、ウエハの搬送アームに設けられた当該ウエハの端部の水平方向における位置を光学的に検出するセンサによりウエハの大きさが検出され、この検出結果に基づいてＥＢＲ処理時における溶剤吐出ノズルの位置が決定される技術について示されている。また、特許文献２には、ＣＣＤカメラを用いて溶剤吐出ノズルからウエハの周縁部に吐出されて飛散する溶剤を撮像し、その撮像結果に基づいて保持具に溶剤吐出ノズルが取り付けられることについて示されている。しかし、特許文献１，２では、既述のようにウエハが反っている場合に、ウエハの全周でカット幅を設定値とする手法については記載されていない。 In Patent Document 1, the size of the wafer is detected by a sensor provided on the wafer transfer arm and optically detecting the horizontal position of the end portion of the wafer, and the EBR process is performed based on the detection result. It is shown about the technique by which the position of a solvent discharge nozzle is determined. Further, Patent Document 2 uses a CCD camera to image the solvent discharged from the solvent discharge nozzle to the peripheral portion of the wafer and scattered, and indicates that the solvent discharge nozzle is attached to the holder based on the imaging result. It is done. However, Patent Documents 1 and 2 do not describe a method of setting the cut width as the set value all around the wafer when the wafer is warped as described above.

特開２０１２−２２２２３８号公報JP 2012-222238 A 特開２００８−１８３５５９号公報JP 2008-183559 A

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の周縁部に当該基板の周に沿って処理液を供給するにあたり、当該処理液が供給されるリング状の領域の幅が設定値から変動することを防ぐことができる技術を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a ring-shaped region to which the processing liquid is supplied when the processing liquid is supplied to the peripheral portion of the substrate along the periphery of the substrate. The present invention is to provide a technology that can prevent the width of the.

本発明の液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、
前記基板の周縁部に局所的に処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、
前記処理液を前記基板の周に沿って供給するために、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
前記基板保持部に保持されて１回転する間の基板の周縁部の下方からの光照射と、当該 周縁部の下方における受光とを行い、当該周縁部の高さ位置を、当該基板の全周に亘って検出する高さ位置検出部と、
前記処理液吐出ノズルを前記基板に対して水平方向に相対的に直線移動させる移動機構と、
を備え、
水平面に対する前記処理液吐出ノズルの角度をθｚ、前記処理液吐出ノズルの処理液の 吐出方向と前記処理液吐出ノズルの移動方向に直交する水平方向とのなす角度をθｘとす ると、
前記移動機構は、基板の全周における前記処理液の吐出位置について、検出された前記基板の全周の周縁部の高さ位置と、角度θｚと、角度θｘとに基づいて当該基板の端部から予め設定された距離を離れるように前記処理液吐出ノズルを移動させることを特徴とする。
A liquid processing apparatus according to the present invention comprises a substrate holding unit for holding a substrate;
A processing liquid discharge nozzle that discharges the processing liquid locally to the peripheral portion of the substrate;
A rotation mechanism configured to rotate the substrate held by the substrate holding unit in order to supply the processing liquid along the circumference of the substrate;
Light is emitted from below the peripheral edge of the substrate while being held by the substrate holder for one rotation , and light is received from below the peripheral edge, and the height position of the peripheral edge is the entire height of the substrate. A height position detection unit that detects around the circumference ;
A moving mechanism that moves the processing liquid discharge nozzle relatively linearly in the horizontal direction with respect to the substrate;
Equipped with
Θz the angle of the processing liquid discharge nozzle with respect to the horizontal, when the angle between the horizontal direction perpendicular to the moving direction of the processing liquid discharge nozzle and the discharge direction of the processing liquid discharge nozzles of the processing liquid shall be the [theta] x,
The moving mechanism, for discharging position of the treatment liquid in the entire circumference of the substrate, and the height position of the entire circumference of the peripheral edge portion of the detected said substrate, and the angle [theta] z, end of the substrate on the basis of the angle θx The processing liquid discharge nozzle is moved so as to leave a predetermined distance.

本発明の液処理方法は、基板保持部に基板を保持させる工程と、
処理液吐出ノズルから前記基板の周縁部に局所的に処理液を吐出する処理液吐出工程と、
前記処理液を前記基板の周に沿って供給するために、回転機構によって前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる工程と、
前記基板保持部に保持されて１回転する間の基板の周縁部の下方からの光照射と、当該 周縁部の下方における受光とを行い、当該周縁部の高さ位置を、当該基板の全周に亘って検出する高さ位置検出部と、
高さ位置検出部によって前記基板保持部に保持されて１回転する間の基板の周縁部に対 して下方からの光照射と、当該周縁部の下方における受光とを行い、当該周縁部の高さ位置を、当該基板の全周に亘って検出する工程と、
前記処理液の吐出位置が当該基板の端部から予め設定された距離を離れるように、検出された前記基板の周縁部の高さ位置に基づいて、前記処理液吐出ノズルを移動機構によって前記基板に対して水平方向に相対的に直線移動させる移動工程と、
を備え、
水平面に対する前記処理液吐出ノズルの角度をθｚ、前記処理液吐出ノズルの処理液の 吐出方向と前記処理液吐出ノズルの移動方向に直交する水平方向とのなす角度をθｘとす ると、
前記移動工程は、基板の全周における前記処理液の吐出位置について、検出された前記基 板の全周の周縁部の高さ位置と、角度θｚと、角度θｘとに基づいて当該基板の端部から 予め設定された距離を離れるように前記処理液吐出ノズルを移動させる工程を含むことを特徴とする。
The liquid processing method of the present invention comprises the steps of: holding a substrate in a substrate holding unit;
A process liquid discharge step of locally discharging the process liquid from the process liquid discharge nozzle to the peripheral portion of the substrate;
Rotating the substrate held by the substrate holder by a rotation mechanism to supply the processing liquid along the circumference of the substrate;
Light is emitted from below the peripheral edge of the substrate while being held by the substrate holder for one rotation , and light is received from below the peripheral edge, and the height position of the peripheral edge is the entire height of the substrate. A height position detection unit that detects around the circumference ;
The light irradiation from below against the peripheral portion of the substrate during one rotation is held by the substrate holding portion by the height position detection unit performs the light reception in the lower of the periphery of the peripheral portion higher Detecting the height position over the entire circumference of the substrate;
The processing liquid discharge nozzle is moved by the movement mechanism based on the detected height position of the peripheral portion of the substrate such that the discharge position of the processing liquid is separated from the end of the substrate by a preset distance. a moving step of relatively linearly moved in the horizontal direction with respect to,
Equipped with
Θz the angle of the processing liquid discharge nozzle with respect to the horizontal, when the angle between the horizontal direction perpendicular to the moving direction of the processing liquid discharge nozzle and the discharge direction of the processing liquid discharge nozzles of the processing liquid shall be the [theta] x,
The moving step, the discharge position of the treatment liquid in the entire circumference of the substrate, and the height position of the entire circumference of the peripheral edge portion of the detected said base plate, and the angle [theta] z, the edge of the substrate on the basis of the angle θx And moving the processing liquid discharge nozzle away from the unit by a preset distance .

また、本発明の記憶媒体は、液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは本発明の液処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。Further, the storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used for a liquid processing apparatus,
A storage medium characterized in that the program is configured to execute the liquid processing method of the present invention.

本発明によれば、基板保持部に保持された基板の周縁部の高さ位置を、当該基板の周に沿って検出する高さ位置検出部と、検出された前記基板の周縁部の高さ位置に基づいて、処理液吐出ノズルを基板に対して相対的に移動させる移動機構と、が設けられる。従って、基板の周縁部における処理液の吐出位置を精度高く制御することができるため、処理液が供給されるリング状の領域の幅を精度高く制御することができる。   According to the present invention, the height position detection unit detects the height position of the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding portion along the periphery of the substrate, and the height of the detected peripheral portion of the substrate A moving mechanism is provided to move the processing liquid discharge nozzle relative to the substrate based on the position. Therefore, since the discharge position of the processing liquid at the peripheral portion of the substrate can be controlled with high accuracy, the width of the ring-shaped region to which the processing liquid is supplied can be controlled with high accuracy.

本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置の縦断側面図である。It is a vertical side view of a resist coating device concerning an embodiment of the invention. 前記レジスト塗布装置の平面図である。It is a top view of the said resist coating device. ウエハの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a wafer. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハにてレジスト膜が除去される領域を示すグラフ図である。It is a graph which shows the area | region where a resist film is removed by a wafer. ウエハの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a wafer. 前記レジスト塗布装置に設けられるＥＢＲノズルの側面図である。It is a side view of the EBR nozzle provided in the said resist coating device. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハの周縁部の高さの分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of the height of the peripheral part of a wafer. ウエハにてレジスト膜が除去される領域を示すグラフ図である。It is a graph which shows the area | region where a resist film is removed by a wafer. ウエハの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a wafer. ウエハの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a wafer. ウエハにてレジスト膜が除去される領域を示すグラフ図である。It is a graph which shows the area | region where a resist film is removed by a wafer. ウエハにてレジスト膜が除去される領域を示すグラフ図である。It is a graph which shows the area | region where a resist film is removed by a wafer. ウエハにてレジスト膜が除去される領域を示すグラフ図である。It is a graph which shows the area | region where a resist film is removed by a wafer. ウエハにてレジスト膜が除去される領域を示すグラフ図である。It is a graph which shows the area | region where a resist film is removed by a wafer. ウエハの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a wafer. ウエハの周縁部の高さの分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of the height of the peripheral part of a wafer. ウエハにてレジスト膜が除去される領域を示すグラフ図である。It is a graph which shows the area | region where a resist film is removed by a wafer. 前記レジスト塗布装置に設けられるＥＢＲノズルの側面図である。It is a side view of the EBR nozzle provided in the said resist coating device. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. シンナーの吐出位置とウエハの周縁部の高さの誤差との関係を示すグラフ図である。It is a graph which shows the relationship between the discharge position of a thinner, and the difference | error of the height of the peripheral part of a wafer. 吐出位置の補正値とウエハの周縁部の高さの誤差との関係を示すグラフ図である。It is a graph which shows the relationship between the correction value of a discharge position, and the difference | error of the height of the peripheral part of a wafer. 吐出位置の補正値とウエハの周端の水平方向の位置との関係を示すグラフ図である。It is a graph which shows the relationship between the correction value of discharge position, and the position of the horizontal direction of the peripheral end of a wafer. レジスト塗布装置の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows operation | movement of a resist coating device. レジスト塗布装置の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows operation | movement of a resist coating device. レジスト塗布装置の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows operation | movement of a resist coating device. ウエハの周端の水平方向の位置を示すグラフ図である。It is a graph which shows the horizontal direction position of the peripheral end of a wafer. 前記水平方向の位置に起因するカット幅の誤差の分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of the difference | error of the cut width resulting from the position of the said horizontal direction. ウエハの周縁部の高さの誤差の分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of the difference | error of the height of the peripheral part of a wafer. 前記周縁部の高さの誤差に起因するカット幅の誤差の分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of the difference | error of the cut width resulting from the difference | error of the height of the said peripheral part. 前記周縁部の高さの誤差及びウエハの周端の水平方向の位置に起因するカット幅の誤差の分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of the difference | error of the height of the said peripheral part, and the difference | error of the cut width resulting from the position of the horizontal direction of the peripheral edge of a wafer. ウエハＢの全周におけるシンナーの吐出位置の補正値を示すグラフ図である。FIG. 7 is a graph showing correction values of discharge positions of thinners on the entire periphery of the wafer B. ＥＢＲノズルを移動させる移動機構の他の構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other structural example of the moving mechanism to which EBR nozzle is moved. 前記移動機構の他の構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other structural example of the said moving mechanism. 前記移動機構の他の構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other structural example of the said moving mechanism.

本発明の液処理装置の一実施形態であるレジスト塗布装置１について、図１の縦断側面図及び図２の平面図を参照しながら説明する。このレジスト塗布装置１については、基板であるウエハＢにレジストを塗布してレジスト膜を形成する処理と、レジスト膜形成後にウエハＢの周縁部における不要なレジスト膜を除去するＥＢＲ処理とを行うことができるように構成されている。ウエハＢは円形であり、周縁部にはウエハＢの方向を表す切り欠きとしてノッチＮが形成されている。また、この例ではウエハＢの直径は３００ｍｍである。   The resist coating apparatus 1 which is one Embodiment of the liquid processing apparatus of this invention is demonstrated, referring the longitudinal cross-sectional side view of FIG. 1, and the top view of FIG. The resist coating apparatus 1 performs a process of applying a resist to the wafer B as a substrate to form a resist film, and an EBR process of removing an unnecessary resist film on the peripheral portion of the wafer B after forming the resist film. It is configured to be able to The wafer B is circular, and a notch N is formed at the peripheral edge as a notch that represents the direction of the wafer B. Further, in this example, the diameter of the wafer B is 300 mm.

図中１１はウエハＢの載置部をなすスピンチャックであり、ウエハＢを水平に保持するために、ウエハＢの裏面中央部を吸着する。図１中１２は回転機構であり、スピンチャック１１に保持されたウエハＢを、鉛直軸に沿って平面視時計回りに回転させる。図１中１１Ａは基板保持部であるスピンチャック１１と回転機構１２とを接続するシャフトであり、１３は、スピンチャック１１に保持されたウエハＢを囲むカップである。図中１４は排気管であり、カップ１３内を排気する。１５は排液管であり、ウエハＢからカップ１３内にこぼれ落ちた液体を除去する。図中１６は昇降ピンであり、昇降機構１７によって昇降することで、図示しないウエハＢの搬送機構と、スピンチャック１１との間でウエハＢの受け渡しを行う。 In the figure, reference numeral 11 denotes a spin chuck forming a mounting portion of the wafer B, and in order to hold the wafer B horizontally, the central portion of the back surface of the wafer B is adsorbed. In FIG. 1, reference numeral 12 denotes a rotation mechanism, which rotates the wafer B held by the spin chuck 11 clockwise along the vertical axis in plan view. In FIG. 1, reference numeral 11A denotes a shaft for connecting the spin chuck 11 as a substrate holding unit and the rotation mechanism 12, and reference numeral 13 denotes a cup surrounding the wafer B held by the spin chuck 11. An exhaust pipe 14 exhausts the inside of the cup 13 in the figure. Denoted at 15 is a drainage pipe for removing liquid spilled from the wafer B into the cup 13. In the drawing, reference numeral 16 denotes an elevating pin, and by moving up and down by the elevating mechanism 17, the wafer B is delivered between the transfer mechanism of the wafer B (not shown) and the spin chuck 11.

図中２１はレジスト吐出ノズルであり、レジストを鉛直下方に向けて吐出し、流路２２を介して当該ノズル２１にレジストを供給するレジスト供給機構２３に接続されている。図中２４はシンナー吐出ノズルであり、レジストの溶剤であるシンナーを鉛直下方に向けて吐出する。このシンナー吐出ノズル２４は、ウエハＢへのレジスト塗布前に行う前処理に用いられるノズルであり、流路２５を介して当該ノズル２４にシンナーを供給するシンナー供給機構２６に接続されている。 In the drawing, reference numeral 21 denotes a resist discharge nozzle, which is connected to a resist supply mechanism 23 which discharges the resist vertically downward and supplies the resist to the nozzle 21 through a flow path 22. In the figure, reference numeral 24 denotes a thinner discharge nozzle, which discharges thinner, which is a solvent for resist, vertically downward. The thinner discharge nozzle 24 is a nozzle used for pretreatment performed before the resist is applied to the wafer B, and is connected to a thinner supply mechanism 26 that supplies the thinner to the nozzle 24 through the flow path 25.

図中３１は上記のＥＢＲ処理を行うために用いられるシンナー吐出ノズルであり、上記のシンナー吐出ノズル２４と区別するためにＥＢＲノズルと記載する。ＥＢＲノズル３１は、回転するウエハＢの周縁部にレジストの溶剤であるシンナーを局所的に吐出して、ウエハＢの全周に亘ってリング状にレジスト膜を除去する処理液吐出ノズルである。ＥＢＲノズル３１は当該ウエハＢの中心部側から周縁部側に向けて斜め下方に処理液であるシンナーを吐出し、それによってウエハＢにおいてシンナーの吐出位置と当該吐出位置の外側にシンナーが供給される。このシンナーの吐出位置とは、シンナーの吐出方向におけるウエハＢへのＥＢＲノズル３１の吐出口の投影領域である。 In the drawing, reference numeral 31 denotes a thinner discharge nozzle used to perform the above-mentioned EBR processing, which will be described as an EBR nozzle in order to distinguish it from the above-mentioned thinner discharge nozzle 24. The EBR nozzle 31 is a processing liquid discharge nozzle that locally discharges a thinner, which is a solvent for resist, at the peripheral portion of the rotating wafer B to remove the resist film in a ring shape over the entire periphery of the wafer B. The EBR nozzle 31 discharges the thinner, which is the processing liquid, obliquely downward from the central part side of the wafer B toward the peripheral part side, whereby the discharge position of the thinner on the wafer B and the thinner are supplied to the outside of the discharge position. Ru. The discharge position of the thinner is a projection area of the discharge port of the EBR nozzle 31 onto the wafer B in the discharge direction of the thinner.

さらに詳しくシンナーの吐出位置及び吐出方向について説明する。図２中にこのシンナーの吐出位置を点Ｃ１として示している。図２中の点Ｃ２は、点Ｃ１からシンナーの吐出方向に延びるシンナーの軌跡の延長線Ｄ１とウエハＢの周端との交点である。この点Ｃ２におけるウエハＢの接線Ｄ２と上記のシンナーの軌跡の延長線Ｄ１とは交差する。 The discharge position and discharge direction of the thinner will be described in more detail. The discharge position of this thinner is shown as a point C1 in FIG. A point C2 in FIG. 2 is an intersection point of an extension line D1 of the locus of the thinner extending from the point C1 in the discharge direction of the thinner and the peripheral end of the wafer B. The tangent D2 of the wafer B at this point C2 intersects with the extension D1 of the locus of the above-mentioned thinner.

このような位置及び方向にシンナーが吐出されること、及びシンナー吐出中にＥＢＲノズル３１が水平方向に移動可能であることにより、上記のレジスト膜が除去されるリング状領域の幅（以降、カット幅と記載する場合がある）を制御することができる。また、吐出されたシンナーの液撥ねを抑えるために、ＥＢＲノズル３１は、ウエハＢの回転方向上流側から下流側に向けてシンナーを吐出する。ＥＢＲノズル３１は、流路３２を介して上記のシンナー供給機構２６に接続されており、シンナー吐出ノズル２４及びＥＢＲノズル３１には、シンナー供給機構２６から互いに独立してシンナーが供給される。 The width of the ring-shaped area from which the resist film is removed (hereinafter referred to as “cut”) by the fact that the thinner is discharged in such a position and direction, and the EBR nozzle 31 can move horizontally during the thinner discharge. Can be described as width). Further, in order to suppress the liquid splashing of the discharged thinner, the EBR nozzle 31 discharges the thinner from the upstream side to the downstream side of the rotation direction of the wafer B. The EBR nozzle 31 is connected to the above-described thinner supply mechanism 26 via the flow path 32, and thinner is supplied to the thinner discharge nozzle 24 and the EBR nozzle 31 independently from each other from the thinner supply mechanism 26.

図中４１はアームであり、レジスト吐出ノズル２１及びシンナー吐出ノズル２４は、当該アーム４１の一端側に支持される。アーム４１の他端側は図２に示す移動機構４２に接続されている。移動機構４２によりアーム４１は昇降且つ水平方向に移動することができ、このアーム４１の移動によってノズル２１、２４は、ウエハＢの中心部上とカップ１３の外側のノズルの待機領域との間で移動することができる。図中４３は、移動機構４２が上記のように水平方向に移動するためのガイドである。 In the figure, reference numeral 41 denotes an arm, and the resist discharge nozzle 21 and the thinner discharge nozzle 24 are supported on one end side of the arm 41. The other end side of the arm 41 is connected to the moving mechanism 42 shown in FIG. The moving mechanism 42 moves the arm 41 up and down and moves horizontally, and the movement of the arm 41 moves the nozzles 21 and 24 between the center of the wafer B and the waiting area of the nozzle outside the cup 13. It can move. 43 in the figure is a guide for moving the moving mechanism 42 in the horizontal direction as described above.

図中４５はアームであり、ＥＢＲノズル３１は当該アーム４５の一端側に支持される。アーム４５の他端側は移動機構４６に接続されている。移動機構４６によりアーム４５は昇降且つ水平方向に移動することができ、このアーム４５の移動によってＥＢＲノズル３１は、ウエハＢ上とカップ１３の外側のノズルの待機領域との間で移動することができる。図２中、ＥＢＲノズル３１の移動方向をＹ方向、Ｙ方向に直交する水平方向をＸ方向として示している。図中４７は、移動機構４６が上記のように水平方向に移動するためのガイドである。   In the figure, 45 is an arm, and the EBR nozzle 31 is supported on one end side of the arm 45. The other end of the arm 45 is connected to the moving mechanism 46. The moving mechanism 46 allows the arm 45 to move up and down and move horizontally, and the movement of the arm 45 causes the EBR nozzle 31 to move between the wafer B and the waiting area of the nozzle outside the cup 13. it can. In FIG. 2, the moving direction of the EBR nozzle 31 is shown as the Y direction, and the horizontal direction orthogonal to the Y direction is shown as the X direction. In the figure, 47 is a guide for moving the moving mechanism 46 in the horizontal direction as described above.

スピンチャック１１に保持されるウエハＢの周縁部の下方において、高さ位置検出部である高さ位置検出センサ１８と、面方向位置検出部である水平位置検出センサ１９とが設けられている。これらのセンサ１８、１９は例えば図２に示すように互いに近接して設けられているが、図示の便宜上、図１ではスピンチャック１１の左右に互いに離れた位置に示している。高さ位置検出センサ１８は例えば反射型のレーザー変位計により構成されており、上方へ向けてレーザー光を投光する投光部と、ウエハＢの裏面の周縁部で反射したレーザー光の反射光を受光する受光部と、を備えている。この高さ位置検出センサ１８の受光部は、受光量に応じた検出信号を後述の制御部２に送信する。制御部２は、この受光量に基づいて、ウエハＢにおいてレーザー光が投光された周縁部の高さを検出することができる。 Below the periphery of the wafer B held by the spin chuck 11, a height position detection sensor 18 as a height position detection unit and a horizontal position detection sensor 19 as a surface direction position detection unit are provided. For example, as shown in FIG. 2, these sensors 18 and 19 are provided close to each other, but for convenience of illustration, they are shown in FIG. 1 at mutually separated positions on the left and right of the spin chuck 11. The height position detection sensor 18 is formed of, for example, a reflection type laser displacement meter, and a light projecting unit that projects the laser light upward and a reflected light of the laser light reflected by the peripheral portion of the back surface of the wafer B And a light receiving unit for receiving light. The light receiving unit of the height position detection sensor 18 transmits a detection signal corresponding to the amount of received light to the control unit 2 described later. The control unit 2 can detect the height of the peripheral portion of the wafer B from which the laser beam is projected, based on the amount of light received.

水平位置検出センサ１９は、平面視ウエハＢの周端よりも内側の位置から当該周端の外側の位置へ亘って当該ウエハＢの径方向に延びる帯状の光を上方に向けて照射する投光部と、ウエハＢの裏面の周縁部にて反射された投光部からの光を受光する受光部と、を備えている。この水平位置検出センサ１９の受光部は、受光量に応じた検出信号を後述の制御部２に送信する。制御部２はこの受光量に基づいて、帯状の光の長さ方向におけるウエハＢの周端の位置を検出することができる。つまり、ウエハＢの面方向、即ちＸＹ平面における当該ウエハＢの周端の位置を検出することができる。 The horizontal position detection sensor 19 emits light in a band-like shape extending in the radial direction of the wafer B upward from a position inside the peripheral end of the planar view wafer B to a position outside the peripheral end. And a light receiving unit for receiving the light from the light projecting unit reflected by the peripheral portion of the back surface of the wafer B. The light receiving unit of the horizontal position detection sensor 19 transmits a detection signal corresponding to the amount of received light to the control unit 2 described later. The control unit 2 can detect the position of the peripheral end of the wafer B in the longitudinal direction of the strip-like light based on the amount of light received. That is, it is possible to detect the surface direction of the wafer B, that is, the position of the peripheral end of the wafer B in the XY plane.

続いて、制御部２について説明する。制御部２は例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述するようにレジスト塗布処理及びＥＢＲ処理が行えるように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。そして、当該プログラムによって制御部２からレジスト塗布装置１の各部に制御信号が出力されることで、当該レジスト塗布装置１の各部の動作が制御される。具体的には昇降機構１７による昇降ピン１６の昇降、移動機構４２によるノズル２１、２４の移動、移動機構４６によるＥＢＲノズル３１の移動、回転機構１２によるスピンチャック１１の回転、センサ１８、１９からの光照射などの各動作が制御される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。   Subsequently, the control unit 2 will be described. The control unit 2 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program in which an instruction (step group) is assembled so that resist application processing and EBR processing can be performed as described later. Then, the control signal is output from the control unit 2 to each part of the resist coating apparatus 1 by the program, whereby the operation of each part of the resist coating apparatus 1 is controlled. Specifically, the elevation mechanism 17 raises and lowers the elevation pins 16, the movement mechanism 42 moves the nozzles 21 and 24, the movement mechanism 46 moves the EBR nozzle 31, the rotation mechanism 12 rotates the spin chuck 11, and the sensors 18 and 19. Each operation such as light irradiation is controlled. The program is stored in the program storage unit in a state of being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, or a memory card, for example.

このレジスト塗布装置１のＥＢＲ処理の概略を説明すると、高さ位置検出センサ１８及び水平位置検出センサ１９から回転するウエハＢに光を照射し、当該ウエハＢの全周における周縁部の高さ及び周端の水平方向における位置を検出する。そして、回転するウエハＢにシンナーを吐出中、上記の検出結果に基づいてＥＢＲノズル３１を左右に移動させてシンナーの吐出位置の補正を行い、レジスト膜をリング状に除去する。 The outline of the EBR process of the resist coating apparatus 1 will be described. The height position detection sensor 18 and the horizontal position detection sensor 19 irradiate light to the rotating wafer B, and the height of the peripheral portion of the entire circumference of the wafer B The position of the peripheral edge in the horizontal direction is detected. Then, while discharging the thinner onto the rotating wafer B, the EBR nozzle 31 is moved to the left and right based on the above detection result to correct the discharge position of the thinner and remove the resist film in a ring shape.

上記のようにシンナー吐出中にＥＢＲノズル３１を左右に移動させるのは、ＥＢＲノズル３１の位置が固定されている場合に各種の要因によって起こり得るウエハＢにおけるシンナーの吐出位置の設定位置からのずれをキャンセルし、ウエハＢの全周でカット幅を均一にするためである。このＥＢＲノズル３１を移動させる理由についてより詳細に説明するために、上記のシンナーの吐出位置がずれる各要因と、ＥＢＲノズル３１の位置を固定してシンナーの吐出を行う場合に各要因が与えるＥＢＲ処理への影響とを説明する。この説明では、カット幅の設定値は１．５ｍｍとする。   As described above, the reason why the EBR nozzle 31 is moved to the left and right during thinner discharge is a deviation from the set position of the thinner discharge position on the wafer B which can occur due to various factors when the position of the EBR nozzle 31 is fixed. To make the cut width uniform all around the wafer B. In order to explain the reason for moving the EBR nozzle 31 in more detail, each factor that the discharge position of the thinner deviates and the EBR given by each factor when discharging the thinner by fixing the position of the EBR nozzle 31 Explain the impact on processing. In this description, the set value of the cut width is 1.5 mm.

（要因１：ウエハＢの搬送誤差）
カット幅をウエハＢの全周で均一にするために、スピンチャック１１に載置されるウエハＢの中心Ｐが、当該スピンチャック１１の回転軸Ｐ１上に位置するように、ウエハＢがスピンチャック１１に載置される。しかし、例えばウエハＢの搬送機構の動作精度の限界から、図３の斜視図及び図４の平面図に示すように上記の中心Ｐが回転軸Ｐ１からずれて、ウエハＢがスピンチャック１１に載置される場合がある。図４では、中心Ｐと回転軸Ｐ１との位置関係を示すために、原点が中心Ｐに重なると共にＹ軸がノッチＮを通過するＸＹ直交座標系を表示している。また、各図中のＬ１は、回転するウエハＢにおけるＥＢＲノズル３１からのシンナーの吐出位置の軌跡を示している。従ってこの軌跡Ｌ１は、レジスト膜が除去されるリング状領域の内周端である。(Factor 1: Transfer error of wafer B)
The wafer B is a spin chuck so that the center P of the wafer B mounted on the spin chuck 11 is positioned on the rotation axis P1 of the spin chuck 11 in order to make the cut width uniform all around the wafer B Placed on 11 However, due to the limit of the operation accuracy of the transfer mechanism of wafer B, for example, as shown in the perspective view of FIG. 3 and the plan view of FIG. It may be placed. In FIG. 4, in order to show the positional relationship between the center P and the rotation axis P1, an XY orthogonal coordinate system in which the origin overlaps the center P and the Y axis passes the notch N is displayed. Further, L1 in each drawing indicates a locus of the discharge position of the thinner from the EBR nozzle 31 on the rotating wafer B. Therefore, the locus L1 is the inner peripheral end of the ring-shaped area from which the resist film is removed.

回転軸Ｐ１上に位置するシンナーの吐出位置の軌跡Ｌ１の中心がウエハＢの中心Ｐに対して偏芯しているため、当該中心ＰからウエハＢの周縁に向かって見たときのシンナー吐出位置の軌跡Ｌ１までの距離（ＥＢＲ半径とする）は、向かって見るウエハＢの周方向における位置によって異なる。また図４中、中心Ｐと回転軸Ｐ１とを通過する線の延長線と、軌跡Ｌ１との交点をＰ２、Ｐ３として示している。軌跡Ｌ１において、点Ｐ２は最もウエハＢの周端に近接し、点Ｐ３は最もウエハＢの周端から離れている。 Since the center of the trajectory L1 of the discharge position of the thinner located on the rotation axis P1 is eccentric to the center P of the wafer B, the thinner discharge position when viewed from the center P toward the peripheral edge of the wafer B The distance to the locus L1 of the (the EBR radius) differs depending on the position in the circumferential direction of the wafer B viewed. Further, in FIG. 4, points of intersection of an extension line of a line passing through the center P and the rotation axis P1 and the locus L1 are shown as P2 and P3. In the locus L1, the point P2 is closest to the peripheral edge of the wafer B, and the point P3 is remote from the peripheral edge of the wafer B.

図５のグラフは、図４に示すようにウエハＢが載置された場合のカット幅と、上記の中心Ｐから向かって見るウエハＢの周方向における位置との関係について、縦軸に当該カット幅（単位：ｍｍ）、横軸に当該周方向における位置を夫々設定して示している。なお、これ以降、カット幅はＷcutとして表記する場合がある。また、グラフの横軸について補足すると、ノッチＮの位置を０°（＝３６０°）として反時計回りに０°〜３６０°の範囲で各位置を示している。グラフに示すように、横軸の値の変位に対して縦軸の値は正弦波形を描いて変位する。つまり、中心Ｐと回転軸Ｐ１とがずれてウエハＢがスピンチャック１１に載置されることで、カット幅ＷcutはウエハＢの周方向において不均一となる。 The graph of FIG. 5 shows the relationship between the cut width when the wafer B is placed as shown in FIG. 4 and the position in the circumferential direction of the wafer B seen from the center P, along the vertical axis. The width (unit: mm) and the position in the circumferential direction are set and shown on the horizontal axis. In addition, the cut width may be described as Wcut after this. In addition, when supplementing the horizontal axis of the graph, each position is indicated in the range of 0 ° to 360 ° counterclockwise with the position of the notch N as 0 ° (= 360 °). As shown in the graph, with respect to the displacement of the value of the horizontal axis, the value of the vertical axis is displaced by drawing a sine waveform. That is, the cut width Wcut becomes uneven in the circumferential direction of the wafer B because the wafer P is mounted on the spin chuck 11 with the center P and the rotation axis P1 shifted.

（要因２：回転軸Ｐ１に対するウエハＢの傾き）
例えばスピンチャック１１の成型の精度の限界によって、スピンチャック１１におけるウエハＢの載置面が回転軸Ｐ１に対して傾き、それによって図６に示すように当該スピンチャック１１に載置されたウエハＢが回転軸Ｐ１に対して傾く場合がある。この場合、ウエハＢの周方向の各部においてスピンチャック１１に対して高さのばらつきが生じる。図６中Ｌ２は、スピンチャック１１の表面の中心を通過する水平面である。また、シンナー吐出位置の軌跡Ｌ１上に、点Ｑ１〜Ｑ４を示している。ここでは説明の便宜上、ウエハＢの厚さが０ｍｍであるとする。そして、点Ｑ１及び点Ｑ３は水平面Ｌ２上に位置し、点Ｑ２は軌跡Ｌ１中で最も低く、点Ｑ４は軌跡Ｌ１中で最も高い。図７は、側面から見たＥＢＲノズル３１に対する点Ｑ１〜Ｑ４の高さの位置関係を表しており、図中３１Ａは吐出されたシンナーである。(Factor 2: Inclination of wafer B relative to rotation axis P1)
For example, due to the limit of molding accuracy of the spin chuck 11, the mounting surface of the wafer B in the spin chuck 11 is inclined with respect to the rotation axis P1, whereby the wafer B mounted on the spin chuck 11 as shown in FIG. May be inclined with respect to the rotation axis P1. In this case, variations in height with respect to the spin chuck 11 occur in each part of the wafer B in the circumferential direction. L2 in FIG. 6 is a horizontal surface passing the center of the surface of the spin chuck 11. Also, points Q1 to Q4 are shown on the locus L1 of the thinner discharge position. Here, for convenience of explanation, it is assumed that the thickness of the wafer B is 0 mm. The points Q1 and Q3 are located on the horizontal plane L2, the point Q2 is the lowest in the trajectory L1, and the point Q4 is the highest in the trajectory L1. FIG. 7 shows the positional relationship of the heights of the points Q1 to Q4 with respect to the EBR nozzle 31 viewed from the side, and 31A in the figure is the discharged thinner.

既述のようにＥＢＲノズル３１はウエハＢの内方側から周端側に向けて斜めにシンナーを吐出するため、ウエハＢのＥＢＲノズル３１との間の高さの変動に対応して、各部のカット幅が変動する。図８ではウエハＢ上から見たＥＢＲノズル３１と点Ｑ１〜Ｑ４との位置関係を示している。この図８に示すように点Ｑ４は点Ｑ１、Ｑ３よりもウエハＢの中心寄りに、点Ｑ２は点Ｑ１、Ｑ３よりもウエハＢの周端よりに夫々位置しており、点Ｑ１及び点Ｑ３と、点Ｑ２と、点Ｑ４との間でカット幅は、互いに異なる。 As described above, since the EBR nozzle 31 obliquely discharges the thinner from the inward side to the peripheral end side of the wafer B, the respective portions of the wafer B corresponding to the fluctuation of the height between the EBR nozzle 31 and each portion The cut width of the FIG. 8 shows the positional relationship between the EBR nozzle 31 and the points Q1 to Q4 as viewed from above the wafer B. As shown in FIG. 8, the point Q4 is positioned closer to the center of the wafer B than the points Q1 and Q3, and the point Q2 is positioned closer to the peripheral edge of the wafer B than the points Q1 and Q3, and the points Q1 and Q3. The cut widths of the points Q2 and Q4 are different from each other.

図９は、スピンチャック１１の向きと、シンナーの吐出位置の軌跡Ｌ１における各位置の高さとの関係を示すグラフである。グラフの横軸はスピンチャック１１の向きをチャック角度として０°〜３６０°の範囲で示しており、ウエハＢのノッチＮに向かう方向を０°とし、平面視反時計回りに９０°ずれるごとに、９０°、１８０°、２７０°として表している。このように設定しているため、チャック角度はウエハＢの周方向における位置を表しているとも言える。グラフの縦軸は、軌跡Ｌ１の各点の水平面Ｌ２に対する高さの誤差をΔＨ（単位：ｍｍ）で示し、軌跡Ｌ１の点がＬ２より高いときに＋、低いときに−であるとしている。このグラフに示すようにスピンチャック１１の向きの変位に対して、高さの誤差ΔＨは正弦波形を描くように変位する。また、図１０のグラフはチャック角度とカット幅Ｗcutとの関係を表しており、グラフの縦軸は当該カット幅Ｗcut（単位：ｍｍ）を示し、グラフの横軸は図９のグラフと同様にチャック角度を示している。後述の各式で示すようにウエハＢとＥＢＲノズル３１との間の高さとカット幅Ｗcutとは互いに対応するので、図１０のグラフの波形も正弦波形となる。このように回転軸Ｐ１に対してウエハＢが傾いて載置される場合も、カット幅Ｗcutは、ウエハＢの周方向において不均一となる。 FIG. 9 is a graph showing the relationship between the direction of the spin chuck 11 and the height of each position in the trajectory L1 of the discharge position of the thinner. The horizontal axis of the graph indicates the direction of the spin chuck 11 in the range of 0 ° to 360 ° as a chuck angle, and the direction toward the notch N of the wafer B is 0 °, and every 90 ° in a counterclockwise direction in plan view. , 90 °, 180 ° and 270 °. Because of this setting, it can be said that the chuck angle represents the position of the wafer B in the circumferential direction. The vertical axis of the graph indicates the error of the height of each point of the locus L1 with respect to the horizontal plane L2 by ΔH (unit: mm), and is + when the point of the locus L1 is higher than L2 and-when it is low. As shown in this graph, with respect to the displacement of the direction of the spin chuck 11, the height error ΔH is displaced so as to draw a sine waveform. Further, the graph of FIG. 10 shows the relationship between the chuck angle and the cut width Wcut, the vertical axis of the graph indicates the cut width Wcut (unit: mm), and the horizontal axis of the graph is the same as the graph of FIG. The chuck angle is shown. Since the height between the wafer B and the EBR nozzle 31 and the cut width Wcut correspond to each other as shown in each expression to be described later, the waveform in the graph of FIG. 10 also has a sine waveform. The cut width Wcut is not uniform in the circumferential direction of the wafer B even when the wafer B is mounted with inclination with respect to the rotation axis P1 as described above.

（要因３：山型あるいは椀型にウエハＢが反った場合）
スピンチャック１１に載置されたウエハＢが、図１１に示すように椀型に反るか、図１２に示すように山型に反る場合が有る。椀型に反るとは、ウエハＢの中心部が周縁部よりも低くなるように反ることであり、山型に反るとは、ウエハＢの周縁部が中心部よりも高くなるように反ることである。また、山型に反る場合としては、スピンチャック１１に載置される前のウエハＢが既にそのように反っている場合と、スピンチャック１１に載置される前はそのように反っていないウエハＢがスピンチャック１１に載置されたときに自重によって撓むことでそのように反る場合とが有る。図１１、図１２では点線で、反ったウエハＢの直径を示している。(Cause 3: In the case where the wafer B is warped in a mountain shape or a bowl shape)
The wafer B placed on the spin chuck 11 may warp in a bowl shape as shown in FIG. 11 or may bow in a mountain shape as shown in FIG. The term “warp” means that the central part of the wafer B is lower than the peripheral part, and the term “warp” means that the peripheral part of the wafer B is higher than the central part. It is to warp. In the case of warpage, the wafer B before being placed on the spin chuck 11 is already warped like that, and not before being placed on the spin chuck 11. When the wafer B is placed on the spin chuck 11, the wafer B may be warped due to its own weight. In FIGS. 11 and 12, dotted lines indicate the diameter of the warped wafer B.

図１１の椀型に反ったウエハＢについて、図１３のグラフにて図９のグラフと同様にチャック角度とシンナー吐出位置の高さの誤差ΔＨとの関係を示し、図１４のグラフにて図１０のグラフと同様にチャック角度とカット幅Ｗcutとの関係を示している。これら図１３、図１４のグラフに示すように、椀型に反ったウエハＢでは、平坦なウエハＢに比べて全周においてＥＢＲノズル３１とシンナーの吐出位置との距離は小さくなり、カット幅Ｗcutは設定値に対して大きくなる。また、図１２の山型に反ったウエハＢについて、図１５のグラフにて図９のグラフと同様にチャック角度とシンナー吐出位置の高さの誤差ΔＨとの関係を示し、図１６のグラフにて図１０のグラフと同様にチャック角度とカット幅Ｗcutとの関係を示している。これら図１５、図１６のグラフに示すように、山型に反ったウエハＢでは、平坦なウエハＢに比べて全周においてＥＢＲノズル３１とシンナーの吐出位置との距離が大きくなり、カット幅Ｗcutは設定値に対して小さくなる。 The relationship between the chuck angle and the error ΔH of the height of the thinner discharge position is shown in the graph of FIG. 13 similarly to the graph of FIG. Similar to the graph of FIG. 10, the relationship between the chuck angle and the cut width Wcut is shown. As shown in the graphs of FIGS. 13 and 14, the distance between the EBR nozzle 31 and the discharge position of the thinner is smaller on the entire periphery of the wafer B warped in a bowl shape than the flat wafer B, and the cut width Wcut Becomes larger than the set value. Further, for the wafer B warped in the mountain shape of FIG. 12, the graph of FIG. 15 shows the relationship between the chuck angle and the error ΔH of the height of the thinner discharge position similarly to the graph of FIG. Similarly to the graph of FIG. 10, the relationship between the chuck angle and the cut width Wcut is shown. As shown in the graphs of FIGS. 15 and 16, the wafer B warped in a mountain shape has a larger distance between the EBR nozzle 31 and the discharge position of the thinner over the entire circumference than the flat wafer B, and the cut width Wcut Is smaller than the set value.

（要因４：鞍型にウエハＢが反った場合）
スピンチャック１１の形状や背景技術の項目で説明した膜の応力によって、スピンチャック１１に載置されたウエハＢが、鞍型に反っている場合が有る。鞍型に反るとは、ウエハＢにおいて互いに交差する直径を第１の直径、第２の直径とすると、第１の直径の両端がウエハＢの中心Ｐに対して比較的大きく下降するように反り、第２の直径の両端においては中心Ｐとの差が無いか差が比較的小さいように反ることである。図１７はそのように鞍型に反ったウエハＢを示し、シンナー吐出位置の軌跡Ｌ１上の点をＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４としている。点Ｒ１、Ｒ３は上記の第１の直径上の点であり、点Ｒ２、Ｒ４は上記の第２の直径上の点である。従って、点Ｒ１、Ｒ３の高さは、点Ｒ２、Ｒ４の高さより低い。(Factor 4: In the case where the wafer B warps into a bowl shape)
The wafer B mounted on the spin chuck 11 may be warped into a bowl shape due to the stress of the film described in the item of the shape of the spin chuck 11 and the background art. If the diameter of the wafer B which intersects each other is a first diameter and a second diameter, both ends of the first diameter are lowered relatively relatively to the center P of the wafer B. Warping is performed such that there is no difference or relatively small difference from the center P at both ends of the second diameter. FIG. 17 shows the wafer B warped like that, and points on the locus L1 of the thinner discharge position are R1, R2, R3 and R4. Points R1 and R3 are points on the first diameter described above, and points R2 and R4 are points on the second diameter described above. Therefore, the heights of the points R1 and R3 are lower than the heights of the points R2 and R4.

図１７のウエハＢについて、図１８のグラフにて図９のグラフと同様にチャック角度とシンナーの吐出位置の高さの誤差ΔＨとの関係を示し、図１９のグラフにて図１０のグラフと同様にチャック角度とカット幅Ｗcutとの関係を示している。このウエハＢの面内には比較的高い位置と比較的低い位置とが２つずつ存在するため、図１８、図１９のグラフにおいて、チャック角度が０°〜３６０°の範囲内に正弦波が２周期存在する波形となる。また、図１７でシンナー吐出位置の軌跡Ｌ１に囲まれる領域は楕円となる。このようにウエハＢが鞍型に反る場合もカット幅Ｗcutは、ウエハＢの周方向において不均一となる。
以上に説明したカット幅Ｗcutが設定値から外れることになる要因が１つまたは複数生じた場合においても、レジスト塗布装置１では上記の概略で説明したように処理を行うことで、ウエハＢの全周でカット幅Ｗcutが設定値となるように制御される。With respect to wafer B of FIG. 17, the graph of FIG. 18 shows the relationship between the chuck angle and the error ΔH of the height of the discharge position of the thinner in the same manner as the graph of FIG. Similarly, the relationship between the chuck angle and the cut width Wcut is shown. Since two relatively high positions and two relatively low positions exist in the plane of the wafer B, in the graphs of FIGS. 18 and 19, a sine wave is in the range of 0 ° to 360 ° of the chuck angle. It becomes a waveform that has two cycles. Further, the area surrounded by the locus L1 of the thinner discharge position in FIG. 17 is an ellipse. The cut width Wcut is not uniform in the circumferential direction of the wafer B even when the wafer B is warped like this.
Even when one or more factors causing the cut width Wcut described above to deviate from the set value occur, the resist coating apparatus 1 performs the processing as described in the outline above, so that the entire wafer B is processed. The cut width Wcut is controlled to be a set value around the circumference.

ところで、高さ位置検出センサ１８によって検出されるウエハＢの周縁部の高さとシンナーの吐出位置の補正値との関係を、ＥＢＲノズル３１の側面図、ウエハＢの平面図である図２０、図２１を夫々参照して説明する。水平面に対するＥＢＲノズル３１の角度をθｚ、ウエハＢとＥＢＲノズル３１の先端との間の高さの設定値をＨ０とすると、シンナー３１Ａの飛距離（ＥＢＲノズル３１の先端からウエハＢにおけるシンナー３１Ａの吐出位置までの距離）Ｌは、下記の式１で表される。式１中のΔＨは、図９などのグラフの縦軸で示したシンナーの吐出位置の高さの誤差であり、従って設定値Ｈ０に対する誤差である。また、飛距離Ｌについて、ＥＢＲノズル３１の移動方向（Ｙ方向）における長さ（カット幅成分と記載する）をＷとする。さらに、ＥＢＲノズル３１のシンナーの吐出方向とＸ方向（Ｙ方向に直交する水平方向）とのなす角をθｘとすると、下記の式２が成立する。
Ｌ＝（Ｈ０−ΔＨ）／tanθｚ・・・式１
Ｗ＝Ｌ×sinθｘ・・・式２The relationship between the height of the peripheral portion of the wafer B detected by the height position detection sensor 18 and the correction value of the discharge position of the thinner is shown in a side view of the EBR nozzle 31 and a plan view of the wafer B in FIG. 21 will be described with reference to each. Assuming that the angle of the EBR nozzle 31 with respect to the horizontal plane is θz, and the set value of the height between the wafer B and the tip of the EBR nozzle 31 is H 0 , the flying distance of the thinner 31A (the thinner 31A at the wafer B from the tip of the EBR nozzle 31) The distance to the discharge position of L) is expressed by Equation 1 below. ΔH in the equation 1 is an error of the height of the discharge position of the thinner indicated by the vertical axis of the graph of FIG. 9 and the like, and hence is an error with respect to the set value H 0 . Further, for the carry distance L, the length (referred to as a cut width component) in the movement direction (Y direction) of the EBR nozzle 31 is W. Further, when the angle between the discharge direction of the thinner of the EBR nozzle 31 and the X direction (horizontal direction orthogonal to the Y direction) is θx, the following equation 2 is established.
L = (H 0 −ΔH) / tan θz formula 1
W = L × sin θx equation 2

そして、ウエハＢ表面とＥＢＲノズル３１の先端との間の高さが設定値Ｈ０であるときのカット幅成分ＷをＷ０、上記の高さの誤差ΔＨによるカット幅成分Ｗの誤差をΔＷとする。つまり、このΔＷはΔHに起因するＹ方向におけるシンナーの吐出位置の誤差であり、シンナーの吐出位置が設定位置からウエハＢの内方側に移動したときに誤差ΔＷは＋、ウエハＢの周端側に移動したときに誤差ΔＷは−であるものとする。これらW０及びWを用いて式２を変形すると、下記の式３が成立する。また、Ｙ方向におけるシンナーの吐出位置の補正値をΔＷcorとすると、Ｗ−Ｗ０＝ΔＷcorであるため、式４が成り立つ。設定位置に対してシンナーの吐出位置をウエハＢの内方側に移動させる場合ΔＷcorが＋、ウエハＢの周端側に移動させる場合ΔＷcorが−であるものとする。
Ｗ＝Ｌ×sinθｘ＝（H０−ΔH）×（sinθｘ／tanθｚ）＝H０×（sinθｘ／tanθｚ）−ΔH×（sinθｘ／tanθｚ）＝W０−ΔW・・・式３
ΔWcor＝−ΔW・・・式４Then, the cut width component W when the height between the surface of the wafer B and the tip of the EBR nozzle 31 is the set value H 0 is W 0 , and the error of the cut width component W due to the height error ΔH is ΔW I assume. That is, this ΔW is an error of the discharge position of the thinner in the Y direction caused by ΔH, and when the discharge position of the thinner moves from the set position to the inward side of the wafer B, the error ΔW is +, the peripheral edge of the wafer B When moving to the side, the error ΔW is assumed to be −. When Equation 2 is modified using these W 0 and W, the following Equation 3 is established. Further, assuming that the correction value of the discharge position of the thinner in the Y direction is ΔWcor, since W−W0 = ΔWcor, equation 4 holds. It is assumed that ΔW cor is + when moving the discharge position of the thinner to the inward side of the wafer B with respect to the set position, and Δ W cor is − when moving it to the peripheral end side of the wafer B.
W = L × sin θx = (H 0 −ΔH) × (sin θx / tan θz) = H 0 × (sin θx / tan θz) −ΔH × (sin θx / tan θz) = W 0 −ΔW Formula 3
ΔWcor = −ΔW formula 4

既述の高さ位置検出センサ１８によって、上記の高さの誤差ΔＨに相当する値が検出される。各式中のＨ０、θｚ、θｘ、W０は既知であるため、検出された高さの誤差ΔＨから、Ｙ方向におけるシンナー吐出位置の誤差ΔＷ及びシンナーの吐出位置の補正値ΔＷcorを算出することができる。図２２は、上記の各式から得られるΔＨとΔＷとの対応関係の一例を示すグラフであり、横軸、縦軸に夫々ΔＨ、ΔＷを示している。グラフの各軸の単位は夫々ｍｍである。例えば、この図２２に示す対応関係が上記の制御部２のメモリに格納されており、後述するように補正値ΔＷcorの算出に用いられる。なお、上記のようにΔWcor＝−ΔWであるため、ＥＢＲノズル３１の位置の補正値ΔWcorとΔＨとの対応関係は図２２のグラフと対応したものとなり、図２３のグラフで表される。図２３のグラフの横軸はΔＨ（単位：mm）、縦軸はΔＷcor（単位：mm）である。A value corresponding to the height error ΔH is detected by the height position detection sensor 18 described above. Since H 0 , θ z, θ x, and W 0 in each equation are known, the error ΔH of the thinner discharge position in the Y direction and the correction value ΔW cor of the discharge position of the thinner are calculated from the detected height error ΔH. be able to. FIG. 22 is a graph showing an example of the correspondence relationship between ΔH and ΔW obtained from the above-mentioned formulas, and the horizontal axis and the vertical axis respectively show ΔH and ΔW. The unit of each axis of the graph is mm. For example, the correspondence shown in FIG. 22 is stored in the memory of the control unit 2 described above, and is used to calculate the correction value ΔWcor as described later. As described above, since ΔWcor = −ΔW, the correspondence between the correction value ΔWcor of the position of the EBR nozzle 31 and ΔH corresponds to the graph of FIG. 22 and is represented by the graph of FIG. The horizontal axis of the graph of FIG. 23 is ΔH (unit: mm), and the vertical axis is ΔW cor (unit: mm).

水平位置検出センサ１９による検出結果と、Ｙ方向におけるシンナー吐出位置の誤差ΔＷ及びシンナー吐出位置の補正値ΔＷcorとの関係についても説明する。図２４のグラフは、水平位置検出センサ１９により検出されたウエハＢの周端の水平方向における位置と、シンナー吐出位置の補正値ΔＷcorとの対応を示している。グラフの横軸について補足すると、検出されたウエハＢの周端位置について、スピンチャック１１の回転軸Ｐ１までの距離Ｒ（単位：ｍｍ）として表している。縦軸はΔＷcor（単位：ｍｍ）である。ウエハＢの直径は３００ｍｍであるため、距離Ｒの設定値は１５０ｍｍである。この設定値に対する誤差をΔＲとすると、ΔＲ＝ΔＷである。上記の式４で示すようにΔＷ＝−ΔＷcorであるため、ΔＲ＝−ΔＷcorとなり、グラフではこのような関係が示されている。 The relationship between the detection result by the horizontal position detection sensor 19 and the error ΔW of the thinner discharge position in the Y direction and the correction value ΔWcor of the thinner discharge position will also be described. The graph of FIG. 24 shows the correspondence between the horizontal position of the peripheral edge of the wafer B detected by the horizontal position detection sensor 19 and the correction value ΔW cor of the thinner discharge position. Supplementing the horizontal axis of the graph, the detected peripheral edge position of the wafer B is represented as a distance R (unit: mm) to the rotation axis P1 of the spin chuck 11. The vertical axis is ΔW cor (unit: mm). Since the diameter of the wafer B is 300 mm, the set value of the distance R is 150 mm. Assuming that an error with respect to this set value is ΔR, ΔR = ΔW. Since ΔW = −ΔWcor as shown in the above equation 4, ΔR = −ΔWcor, and such a relationship is shown in the graph.

続いて、レジスト塗布装置１の各部の動作を示す図２５〜図２７を参照しながら、レジスト塗布処理及びＥＢＲ処理について説明する。搬送機構によりウエハＢがスピンチャック１１上に搬送され、当該スピンチャック１１に載置される。シンナー吐出ノズル２４からウエハＢの中心部上にシンナーが吐出され、ウエハＢが回転を開始し（時刻ｔ１）、遠心力によってシンナーがウエハＢの表面全体に塗布され、レジストに対するウエハＢの表面の濡れ性が向上する。然る後、レジスト吐出ノズル２１からウエハＢの中心部上にレジストが吐出され、遠心力によってレジストがウエハＢの表面全体に塗布され、レジスト膜３０が形成される。 Subsequently, the resist coating process and the EBR process will be described with reference to FIGS. 25 to 27 showing the operation of each part of the resist coating apparatus 1. The wafer B is transferred onto the spin chuck 11 by the transfer mechanism and placed on the spin chuck 11. Thinner is discharged from the thinner discharge nozzle 24 onto the central portion of the wafer B, and the wafer B starts to rotate (time t1), and the thin film is coated on the entire surface of the wafer B by centrifugal force, Wettability is improved. Thereafter, the resist is discharged from the resist discharge nozzle 21 onto the central portion of the wafer B, and the resist is applied to the entire surface of the wafer B by centrifugal force, and the resist film 30 is formed.

上記の時刻ｔ１以降の任意のタイミングで、水平位置検出センサ１９及び高さ位置検出センサ１８から回転するウエハＢへ光の照射が開始され（図２５）、ウエハＢが１回転すると、この光照射が停止する。そして水平位置検出センサ１９から出力された検出信号によって、ノッチＮの位置及びウエハＢの全周における回転軸Ｐ１から周端までの距離Ｒが検出される。図２８のグラフはこの距離Ｒの検出結果を示しており、グラフの横軸に図９で説明したチャック角度、縦軸に当該距離Ｒを夫々設定している。 At the arbitrary timing after the above time t1, irradiation of light to the rotating wafer B is started from the horizontal position detection sensor 19 and the height position detection sensor 18 (FIG. 25), and when the wafer B makes one rotation, this light irradiation Will stop. The detection signal output from the horizontal position detection sensor 19 detects the position of the notch N and the distance R from the rotation axis P1 to the peripheral edge of the entire periphery of the wafer B. The graph of FIG. 28 shows the detection result of the distance R. The chuck angle described in FIG. 9 is set on the horizontal axis of the graph, and the distance R is set on the vertical axis.

図２４で説明したように、距離Ｒの設定値に対する誤差ΔＲ＝カット幅の誤差ΔＷであるため、取得した距離Ｒから図２９のグラフに示すような、ウエハＢの全周における誤差ΔＲに基づいたカット幅、つまり高さの誤差ΔＨが無いものとしたカット幅Ｗcut（Ｗcut１とする）及びカット幅の誤差ΔＷ（ΔＷcut１とする）を取得することができる。この図２９のグラフの横軸、縦軸は、夫々チャック角度、カット幅Ｗcut１（単位：ｍｍ）を示している。 As described in FIG. 24, since the error ΔR with respect to the setting value of the distance R = the error ΔW of the cut width, based on the error ΔR in the entire periphery of the wafer B as shown in the graph of FIG. It is possible to obtain the cut width Wcut (Wcut1) and the cut width error ΔW (ΔWcut1), which do not have the height error ΔH. The horizontal axis and the vertical axis of the graph of FIG. 29 indicate the chuck angle and the cut width Wcut1 (unit: mm), respectively.

また、図３０のグラフは高さ位置検出センサ１８による検出結果を示しており、グラフの横軸、縦軸はチャック角度、高さの誤差ΔＨを夫々示している。この検出結果と、図２２で説明した高さの誤差ΔＨとカット幅の誤差ΔＷとの対応関係とに従って、図３１のグラフで示すような、ウエハＢの全周における誤差ΔＨに基づいたカット幅、つまり誤差ΔＲが無いものとしたカット幅Ｗcut（Ｗcut２とする）及びカット幅の誤差ΔＷ（ΔＷcut２とする）が取得される。図３１のグラフの横軸、縦軸は、夫々チャック角度、カット幅Ｗcut２（単位：ｍｍ）である。 Further, the graph of FIG. 30 shows the detection result by the height position detection sensor 18, and the horizontal axis and the vertical axis of the graph respectively indicate the chuck angle and the error ΔH of the height. The cut width based on the error ΔH in the entire periphery of the wafer B as shown by the graph in FIG. 31 according to the detection result and the correspondence between the error in height ΔH and the error in the cut width ΔW described in FIG. In other words, a cut width Wcut (referred to as Wcut2) and an error .DELTA.W (referred to as .DELTA.Wcut2) of the cut width, which do not have the error .DELTA.R, are acquired. The horizontal axis and the vertical axis of the graph of FIG. 31 are the chuck angle and the cut width Wcut2 (unit: mm), respectively.

そして、チャック角度が同じ位置におけるΔＷcut１とΔＷcut２とが合計され、ΔＲ及びΔＨに基づいたカット幅の誤差ΔＷcutが取得される。図３２のグラフは、ウエハＢの全周におけるカット幅の誤差ΔＷcutを表している。より詳しくは、縦軸が取得されたカット幅の誤差ΔＷcutとカット幅の設定値との合計値であるカット幅Ｗcutを、横軸がチャック角度を夫々示している。このようにウエハＢの全周におけるカット幅の誤差ΔＷcutが取得されると、上記の式４によってΔＷcutから、図３３のグラフに示すウエハＢの全周におけるシンナー吐出位置の補正値ΔＷcorが取得される。グラフの縦軸、横軸は、夫々当該補正値ΔＷcor（単位：ｍｍ）、チャック角度を示している。   Then, ΔWcut1 and ΔWcut2 at the same position as the chuck angle are summed, and an error ΔWcut of the cut width based on ΔR and ΔH is obtained. The graph of FIG. 32 represents the error ΔWcut of the cut width in the entire periphery of the wafer B. More specifically, the horizontal axis indicates the chuck angle, and the horizontal axis indicates the cut width Wcut, which is the total value of the acquired error ΔWcut of the cut width and the set value of the cut width. As described above, when the error ΔWcut of the cut width in the entire periphery of the wafer B is acquired, the correction value ΔWcor of the thinner ejection position in the entire periphery of the wafer B shown in the graph of FIG. Ru. The vertical axis and the horizontal axis of the graph respectively indicate the correction value ΔW cor (unit: mm) and the chuck angle.

然る後、取得された補正値ΔＷcorに基づいてＥＢＲノズル３１の位置が設定位置から補正され、カット幅Ｗcutが設定値となる位置に当該ＥＢＲノズル３１からシンナーが吐出され、吐出位置より外側のレジスト膜３０が除去される（図２６）。ウエハＢの回転とシンナーの吐出とが続けられると共に、カット幅Ｗcutが設定値となるように補正値ΔＷcorに基づいてＥＢＲノズル３１が移動し、ウエハＢの周方向に沿ってレジスト膜３０が除去される（図２７）。ウエハＢの全周にシンナーが供給され、レジスト膜がリング状に除去されると、ＥＢＲノズル３１からのシンナーの吐出が停止し、続いてウエハＢの回転が停止して、搬送機構により当該ウエハＢがレジスト塗布装置１から搬出される。 After that, the position of the EBR nozzle 31 is corrected from the setting position based on the acquired correction value ΔWcor, and the EBR nozzle 31 discharges thinner from the EBR nozzle 31 to a position where the cut width Wcut becomes a setting value. The resist film 30 is removed (FIG. 26). The rotation of the wafer B and the discharge of the thinner are continued, and the EBR nozzle 31 is moved based on the correction value ΔWcor so that the cut width Wcut becomes a set value, and the resist film 30 is removed along the circumferential direction of the wafer B Be done (Figure 27). When the thinner is supplied to the entire periphery of the wafer B and the resist film is removed in a ring shape, the discharge of the thinner from the EBR nozzle 31 is stopped, and then the rotation of the wafer B is stopped. B is carried out of the resist coating apparatus 1.

上記のレジスト塗布装置１によれば、スピンチャック１１に保持されたウエハＢの周縁部の高さ位置を、当該ウエハＢの周に沿って検出する高さ位置検出センサ１８が設けられ、このセンサ１８を用いた検出結果に基づいて、移動機構４６によってシンナーを吐出中のＥＢＲノズル３１の位置が調整される。従って、ウエハＢの全周でカット幅Ｗcutを精度高く制御することができる。さらに、レジスト塗布装置１においては、水平方向におけるウエハＢの周端の位置を検出する水平位置検出センサ１９が設けられ、ＥＢＲノズル３１の位置は、このセンサ１８による検出結果に基づいて制御されるため、カット幅Ｗcutをより精度高く制御することができる。 According to the resist coating apparatus 1 described above, the height position detection sensor 18 for detecting the height position of the peripheral portion of the wafer B held by the spin chuck 11 along the periphery of the wafer B is provided. The position of the EBR nozzle 31 during discharge of the thinner is adjusted by the moving mechanism 46 based on the detection result using. Therefore, the cut width Wcut can be controlled with high precision all around the wafer B. Furthermore, in the resist coating apparatus 1, a horizontal position detection sensor 19 is provided to detect the position of the peripheral edge of the wafer B in the horizontal direction, and the position of the EBR nozzle 31 is controlled based on the detection result by this sensor 18. Therefore, the cut width Wcut can be controlled with higher accuracy.

レジスト膜を除去するシンナーを処理液としてウエハＢに供給する装置について示したが、本発明はこのような装置に適用されることに限られない。例えばＥＢＲノズル３１と同様にウエハＢの周縁部に局所的に処理液を供給できるように構成されたノズルから、回転するウエハＢに処理液としてレジストなどの塗布膜形成用の薬液を吐出する液処理装置に適用することができる。その場合、リング状に形成される塗布膜の幅を、ウエハＢの全周で精度高く制御することができる。 Although the apparatus for supplying the thinner for removing the resist film to the wafer B as the processing liquid has been described, the present invention is not limited to being applied to such an apparatus. For example, a liquid that discharges a chemical solution for forming a coating film such as a resist as a processing liquid from a nozzle configured to be able to locally supply a processing liquid to the peripheral portion of wafer B as EBR nozzle 31 It can be applied to a processor. In that case, the width of the coating film formed in a ring shape can be controlled with high precision all around the wafer B.

上記のレジスト塗布装置１において、ウエハＢにおけるシンナーの吐出位置を制御するために、ＥＢＲノズル３１を回転機構１２及びスピンチャック１１に対して移動させる代わりに、回転機構１２及びスピンチャック１１を水平方向に移動させる移動機構を設けてシンナーの吐出位置を制御してもよい。また、上記の処理ではセンサ１８、１９によりウエハＢに光を照射する期間とシンナーの吐出が行われる期間とが重なっていないが、これらの期間が重なるように処理が行われてもよい。具体的に、ウエハＢの周縁部について、回転方向下流側を第１の周縁領域、回転方向上流側を第２の周縁領域とすると、先ず、第１の周縁領域にセンサ１８、１９から光が照射されて既述のように第１の周縁領域の高さ位置及び水平方向における位置が検出される。そしてウエハＢの回転によって、光が照射される領域が第２の周縁領域に移動すると共に、シンナーの吐出が可能な位置に移動した第１の周縁領域に対して、ＥＢＲノズル３１からシンナーが吐出されてレジスト膜が除去される。つまり、センサ１８、１９から光が照射されてからウエハＢが１回転する前に、当該光が照射された領域にシンナーが供給される。このように処理を行うことでスループットの向上を図ることができる。 In the resist coating apparatus 1 described above, instead of moving the EBR nozzle 31 relative to the rotation mechanism 12 and the spin chuck 11 in order to control the discharge position of the thinner on the wafer B, the rotation mechanism 12 and the spin chuck 11 are in the horizontal direction. The discharge position of the thinner may be controlled by providing a moving mechanism for moving the toner. In the above process, the period in which the light is irradiated to the wafer B by the sensors 18 and 19 and the period in which the discharge of the thinner is performed do not overlap, but the process may be performed so that these periods overlap. Specifically, regarding the peripheral portion of the wafer B, assuming that the downstream side in the rotational direction is the first peripheral region and the upstream side in the rotational direction is the second peripheral region, first, light from the sensors 18 and 19 is transmitted to the first peripheral region. It is irradiated and the height position and the position in the horizontal direction of the first peripheral area are detected as described above. Then, the rotation of the wafer B moves the area irradiated with light to the second peripheral area, and the thinner discharges from the EBR nozzle 31 to the first peripheral area moved to the position where the thinner can be discharged. And the resist film is removed. That is, after the light is emitted from the sensors 18 and 19 and before the wafer B makes one rotation, the thinner is supplied to the area irradiated with the light. Through this process, throughput can be improved.

さらに、上記の例では、ＥＢＲノズル３１のＹ方向における移動によって、シンナーの吐出位置を制御しているが、図３４に示すようにＥＢＲノズル３１をＸ方向に移動できるように移動機構４６を構成し、当該Ｘ方向の移動によってシンナーの吐出位置が制御されるようにしてもよい。また、図３５に示す例では、アーム４５の基端が回転機構５１に接続されることで、ＥＢＲノズル３１が当該回転機構５１の回転軸まわりに回転できるように構成されている。この回転によってＥＢＲノズル３１の向き、即ちシンナーの吐出方向が変更され、シンナーの吐出位置が制御される。さらに図３６に示すように移動機構４６によって垂直方向にＥＢＲノズル３１を移動させることで、シンナーの吐出位置が制御されてもよい。図３６の例ではＥＢＲノズル３１をウエハＢに対して昇降させているが、回転機構１２及びスピンチャック１１を昇降させる昇降機構を設け、ウエハＢをＥＢＲノズル３１に対して昇降させてもよい。 Furthermore, in the above example, the discharge position of the thinner is controlled by the movement of the EBR nozzle 31 in the Y direction, but as shown in FIG. 34, the moving mechanism 46 is configured to move the EBR nozzle 31 in the X direction. The discharge position of the thinner may be controlled by the movement in the X direction. Further, in the example shown in FIG. 35, the base end of the arm 45 is connected to the rotation mechanism 51 so that the EBR nozzle 31 can rotate around the rotation axis of the rotation mechanism 51. By this rotation, the direction of the EBR nozzle 31, that is, the discharge direction of the thinner is changed, and the discharge position of the thinner is controlled. Further, as shown in FIG. 36, the discharge position of the thinner may be controlled by moving the EBR nozzle 31 in the vertical direction by the moving mechanism 46. In the example of FIG. 36, the EBR nozzle 31 is moved up and down with respect to the wafer B. However, a lifting mechanism may be provided to move the rotating mechanism 12 and the spin chuck 11 up and down.

外部の装置において塗布膜が形成されたウエハＢについても、当該装置１では当該塗布膜のＥＢＲ処理を行うことができる。つまり、上記の装置１はＥＢＲ処理のみを行う専用の装置として構成されてもよい。また、ＥＢＲノズル３１からのシンナーの吐出と、ＥＢＲノズル３１の移動とは並行して行うことに限られず、当該吐出と移動とを交互に繰り返し行ってもよい。その場合、シンナーの吐出中はウエハＢの回転を停止させる。即ちウエハＢを間欠的に回転させる。ところで、既述した各実施例は互いに組み合わせることができる。具体的には、例えばシンナーの吐出位置を制御するために、ＥＢＲノズル３１の高さ及びＹ方向の位置が共に調整されるようにしてもよい。 The apparatus 1 can also perform EBR processing of the coating film on the wafer B on which the coating film is formed in an external apparatus. That is, the above-described device 1 may be configured as a dedicated device that performs only EBR processing. Further, the discharge of the thinner from the EBR nozzle 31 and the movement of the EBR nozzle 31 are not limited to being performed in parallel, and the discharge and the movement may be alternately repeated. In that case, the rotation of the wafer B is stopped during discharge of the thinner. That is, the wafer B is intermittently rotated. The embodiments described above can be combined with each other. Specifically, for example, in order to control the discharge position of the thinner, both the height of the EBR nozzle 31 and the position in the Y direction may be adjusted.

Ｂ ウエハ
１ レジスト塗布装置
１１ スピンチャック
１２ 回転機構
１８ 高さ位置検出センサ
１９ 水平位置検出センサ
２ 制御部
３１ ＥＢＲノズル
４６ 移動機構

B Wafer 1 Resist Coating Device 11 Spin Chuck 12 Rotation Mechanism 18 Height Position Detection Sensor 19 Horizontal Position Detection Sensor 2 Controller 31 EBR Nozzle 46 Movement Mechanism

Claims (11)

基板を保持する基板保持部と、
前記基板の周縁部に局所的に処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、
前記処理液を前記基板の周に沿って供給するために、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
前記基板保持部に保持されて１回転する間の基板の周縁部の下方からの光照射と、当該 周縁部の下方における受光とを行い、当該周縁部の高さ位置を、当該基板の全周に亘って検出する高さ位置検出部と、
前記処理液吐出ノズルを前記基板に対して水平方向に相対的に直線移動させる移動機構と、
を備え、
水平面に対する前記処理液吐出ノズルの角度をθｚ、前記処理液吐出ノズルの処理液の 吐出方向と前記処理液吐出ノズルの移動方向に直交する水平方向とのなす角度をθｘとす ると、
前記移動機構は、基板の全周における前記処理液の吐出位置について、検出された前記基板の全周の周縁部の高さ位置と、角度θｚと、角度θｘとに基づいて当該基板の端部から予め設定された距離を離れるように、前記処理液吐出ノズルを移動させることを特徴とする液処理装置。A substrate holding unit for holding a substrate;
A processing liquid discharge nozzle that discharges the processing liquid locally to the peripheral portion of the substrate;
A rotation mechanism configured to rotate the substrate held by the substrate holding unit in order to supply the processing liquid along the circumference of the substrate;
Light is emitted from below the peripheral edge of the substrate while being held by the substrate holder for one rotation , and light is received from below the peripheral edge, and the height position of the peripheral edge is the entire height of the substrate. A height position detection unit that detects around the circumference ;
A moving mechanism that moves the processing liquid discharge nozzle relatively linearly in the horizontal direction with respect to the substrate;
Equipped with
Θz the angle of the processing liquid discharge nozzle with respect to the horizontal, when the angle between the horizontal direction perpendicular to the moving direction of the processing liquid discharge nozzle and the discharge direction of the processing liquid discharge nozzles of the processing liquid shall be the [theta] x,
The moving mechanism, for discharging position of the treatment liquid in the entire circumference of the substrate, and the height position of the entire circumference of the peripheral edge portion of the detected said substrate, and the angle [theta] z, end of the substrate on the basis of the angle θx And moving the processing liquid discharge nozzle so as to leave a predetermined distance from the above . 前記基板保持部に保持された基板の端部の面方向における位置を、当該基板の周に沿って検出する面方向位置検出部を備え、
前記移動機構は、検出された基板の端部の面方向における位置に基づいて、前記処理液吐出ノズルを前記基板と相対的に移動させることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。A surface direction position detection unit that detects the position in the surface direction of the end portion of the substrate held by the substrate holding unit along the periphery of the substrate;
The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the movement mechanism moves the processing liquid discharge nozzle relative to the substrate based on the detected position in the surface direction of the end portion of the substrate. 予め設定された設定位置で前記処理液ノズルが処理液を吐出するとしたときの前記基板にOn the substrate when the processing liquid nozzle discharges the processing liquid at a preset setting position おける当該処理液が吐出される位置を予定の位置とすると、Assuming that the position at which the processing liquid is discharged is a predetermined position,
前記基板の端部の面方向における位置に基づいた、前記予定の位置から当該基板の端部まFrom the predetermined position to the end of the substrate based on the position in the surface direction of the end of the substrate での基板の径方向に沿った幅についての予め設定された値に対する誤差ΔWcut１の算出とCalculation of the error ΔWcut1 with respect to the preset value of the width along the radial direction of the substrate at 、,
前記角度θｚと、角度θｘと、に基づいた、前記予定の位置から当該基板の端部までの基A base from the predetermined position to the end of the substrate based on the angle θz and the angle θx 板の径方向に沿った幅についての予め設定された値に対する誤差ΔWcut２の算出と、Calculation of the error ΔWcut2 with respect to a preset value for the width along the radial direction of the plate,
前記基板の周方向における位置が各々同じ誤差ΔWcut１と誤差ΔWcut２との合計値の算出Calculation of the sum of the error ΔWcut1 and the error ΔWcut2 each having the same position in the circumferential direction of the substrate と、を行い、And do,
この合計値に基づいて、前記設定位置からずれて処理液吐出ノズルが位置して前記基板にThe processing liquid discharge nozzle is positioned on the substrate on the basis of the total value and shifted from the set position. 処理液を吐出するように制御信号を出力する制御部が設けられることを特徴とする請求項A control unit is provided to output a control signal so as to discharge the processing liquid. ２記載の液処理装置。The liquid processing apparatus as described in 2. 前記基板は円形であり、
前記処理液吐出ノズルは、平面視、前記基板に吐出される処理液の延長線と、当該延長線の前記基板の端部との交点における接線とが交差するように設けられることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。The substrate is circular,
The processing liquid discharge nozzle is provided so as to intersect with a tangent at an intersection of the extension line of the processing liquid discharged onto the substrate and an end of the substrate of the extension line in plan view. The liquid processing apparatus according to claim 1. 前記移動機構は、前記処理液吐出ノズルを前記基板に対して水平方向に移動させることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the moving mechanism moves the processing liquid discharge nozzle horizontally with respect to the substrate. 前記移動機構は、前記処理液吐出ノズルの前記基板に対する高さを変更するように構成されることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the movement mechanism is configured to change a height of the processing liquid discharge nozzle with respect to the substrate. 前記移動機構は、前記処理液の吐出方向が変更されるように前記処理液吐出ノズルを移動させることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the moving mechanism moves the processing liquid discharge nozzle such that the discharge direction of the processing liquid is changed. 基板保持部に基板を保持させる工程と、
処理液吐出ノズルから前記基板の周縁部に局所的に処理液を吐出する処理液吐出工程と、
前記処理液を前記基板の周に沿って供給するために、回転機構によって前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる工程と、
高さ位置検出部によって、前記基板保持部に保持されて１回転する間の基板の周縁部に 対する下方からの光照射と、当該周縁部の下方における受光とを行い、当該周縁部の高さ位置を、当該基板の全周に亘って検出する工程と、
前記処理液の吐出位置が当該基板の端部から予め設定された距離を離れるように、検出された前記基板の周縁部の高さ位置に基づいて、前記処理液吐出ノズルを移動機構によって前記基板に対して水平方向に相対的に直線移動させる移動工程と、
を備え、
水平面に対する前記処理液吐出ノズルの角度をθｚ、前記処理液吐出ノズルの処理液の 吐出方向と前記処理液吐出ノズルの移動方向に直交する水平方向とのなす角度をθｘとす ると、
前記移動工程は、基板の全周における前記処理液の吐出位置について、検出された前記基 板の全周の周縁部の高さ位置と、角度θｚと、角度θｘとに基づいて当該基板の端部から 予め設定された距離を離れるように、前記処理液吐出ノズルを移動させる工程を含むことを特徴とする液処理方法。Holding the substrate in the substrate holding unit;
A process liquid discharge step of locally discharging the process liquid from the process liquid discharge nozzle to the peripheral portion of the substrate;
Rotating the substrate held by the substrate holder by a rotation mechanism to supply the processing liquid along the circumference of the substrate;
The height position detecting section performs the light irradiation from below against the peripheral portion of the substrate during one rotation is held by the substrate holding unit and a light reception in the lower of the periphery, the height of the peripheral portion Detecting the position over the entire circumference of the substrate;
The processing liquid discharge nozzle is moved by the movement mechanism based on the detected height position of the peripheral portion of the substrate such that the discharge position of the processing liquid is separated from the end of the substrate by a preset distance. a moving step of relatively linearly moved in the horizontal direction with respect to,
Equipped with
Θz the angle of the processing liquid discharge nozzle with respect to the horizontal, when the angle between the horizontal direction perpendicular to the moving direction of the processing liquid discharge nozzle and the discharge direction of the processing liquid discharge nozzles of the processing liquid shall be the [theta] x,
The moving step, the discharge position of the treatment liquid in the entire circumference of the substrate, and the height position of the entire circumference of the peripheral edge portion of the detected said base plate, and the angle [theta] z, the edge of the substrate on the basis of the angle θx A liquid processing method comprising: moving the processing liquid discharge nozzle so as to leave a preset distance from a unit . 面方向位置検出部によって、前記基板保持部に保持された基板の端部の面方向における位置を、当該基板の周に沿って検出する工程を含み、
前記移動工程は、
前記移動機構によって、検出された基板の端部の面方向における位置に基づいて、前記処理液供給部を前記基板と相対的に移動させる工程を含むことを特徴とする請求項８記載の液処理方法。Including a step of detecting the position in the surface direction of the end portion of the substrate held by the substrate holding unit by the surface direction position detection unit along the periphery of the substrate,
The moving step is
9. The liquid processing according to claim 8 , further comprising the step of moving the processing liquid supply unit relative to the substrate based on the detected position of the end portion of the substrate by the moving mechanism. Method. 予め設定された設定位置で前記処理液ノズルが処理液を吐出するとしたときの前記基板にOn the substrate when the processing liquid nozzle discharges the processing liquid at a preset setting position おける当該処理液が吐出される位置を予定の位置とすると、Assuming that the position at which the processing liquid is discharged is a predetermined position,
前記基板の端部の面方向における位置に基づいた、前記予定の位置から当該基板の端部まFrom the predetermined position to the end of the substrate based on the position in the surface direction of the end of the substrate での基板の径方向に沿った幅についての予め設定された値に対する誤差ΔWcut１を算出すCalculate the error ΔWcut1 with respect to the preset value of the width along the radial direction of the substrate at る工程と、Process, and
前記角度θｚと、角度θｘと、に基づいた、前記予定の位置から当該基板の端部までの基A base from the predetermined position to the end of the substrate based on the angle θz and the angle θx 板の径方向に沿った幅についての予め設定された値に対する誤差ΔWcut２を算出する工程Calculating the error ΔWcut2 with respect to the preset value of the width along the radial direction of the plate と、When,
前記基板の周方向における位置が各々同じ誤差ΔWcut１と誤差ΔWcut２との合計値を算出Calculate the sum of the error ΔWcut1 and the error ΔWcut2 that are the same in the circumferential position of the substrate する工程と、The process to
を含み、Including
前記移動工程は、前記合計値に基づいて、前記設定位置からずれて前記処理液吐出ノズルIn the moving step, the processing liquid discharge nozzle is shifted from the setting position based on the total value. を位置させる工程を含むことを特徴とする請求項８記載の液処理方法。The liquid processing method according to claim 8, further comprising the step of: 液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項８に記載された液処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。A storage medium storing a computer program used for a liquid processing apparatus, comprising:
A storage medium characterized in that the program is configured to execute the liquid processing method according to claim 8 .
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6444909B2 (en) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer-readable recording medium
JP7220975B2 (en) * 2017-04-24 2023-02-13 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
WO2019159742A1 (en) * 2018-02-13 2019-08-22 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing device, substrate processing method, and storage medium
JP6608507B2 (en) * 2018-11-28 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer-readable recording medium
JP7277258B2 (en) * 2019-05-31 2023-05-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP7473407B2 (en) 2020-06-15 2024-04-23 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
TWI762188B (en) * 2021-02-08 2022-04-21 台灣積體電路製造股份有限公司 Method and apparatus of manufacturing semiconductor devices
JP2023132218A (en) * 2022-03-10 2023-09-22 キオクシア株式会社 Semiconductor manufacturing device and method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102287A (en) * 1999-09-29 2001-04-13 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc Resist coating and developing device and edge cutting method for lower-layer antireflection film
US6453916B1 (en) * 2000-06-09 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process
JP3995236B2 (en) * 2002-07-01 2007-10-24 株式会社アドバンスト・ディスプレイ Substrate end face cleaning apparatus, substrate end face cleaning method, and semiconductor device manufacturing method
JP2004179211A (en) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Kansai Ltd Edge rinse mechanism of resist coating device
JP4601452B2 (en) * 2005-02-22 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP4745365B2 (en) * 2008-04-10 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5691767B2 (en) * 2011-04-12 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, recording medium storing a program for executing the substrate processing method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
JP5841389B2 (en) * 2011-09-29 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ Substrate processing apparatus and substrate processing method

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