JP6508977B2 - 半導体装置、ledヘッド、及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
前記発光素子に対応する開口部を備えて前記基板上に形成された有機絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されて前記発光素子に接続される配線とを有し、
前記有機絶縁膜の、前記発光素子の配列方向の端部に、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第1の切り立ち部を形成し、前記有機絶縁膜の、隣接する前記発光素子間に、前記発光素子の配列方向と直交する方向に延在し、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第2の切り立ち部を備えた第1のスリットを形成したことを特徴とする。
また本発明による別の半導体装置は、基板に発光素子を直線状に所定の間隔で複数配列した半導体装置において、
前記発光素子は、前記基板上に形成された平坦化膜の上に形成され、前記発光素子に対応する開口部を備えて前記基板上に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成されて前記発光素子に接続される配線とを有し、
前記有機絶縁膜の、前記発光素子の配列方向の端部に、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第1の切り立ち部を形成し、前記平坦化膜にも、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第4の切り立ち部を形成したことを特徴とする。
図1は、本発明による半導体装置の実施の形態1の要部構成を概略的に示す平面図であり、図2は、図1に示す半導体装置100のA−A断面の概略断面図であり、図3は、図1に示す半導体装置100のB−B断面の概略断面図である。尚、図1では、簡単のため、後述するパッシベーション膜109等を省略している。
図5は、本発明による半導体装置の実施の形態2の要部構成を概略的に示す平面図であり、図6は、図5に示す半導体装置200のA−A断面の概略断面図であり、図7は、図5に示す半導体装置200のB−B断面の概略断面図である。この半導体装置200が、前記した図1〜図4に示す実施の形態1の半導体装置100と主に異なる点は、各LED間に切り立ちスリット201を形成した点である。従って、この半導体装置200が、前記した実施の形態1の半導体装置100と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて詳細な説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
図8は、本発明による半導体装置の実施の形態3の要部構成を概略的に示す平面図であり、図9は、図8に示す半導体装置300のA−A断面の概略断面図であり、図10は、図8に示す半導体装置300のB−B断面の概略断面図である。この半導体装置300が、前記した図1〜図4に示す実施の形態1の半導体装置100と主に異なる点は、基板上配線104とLED列との間に、LED列に沿って切り立ちスリット301を形成した点である。従って、この半導体装置300が、前記した実施の形態1の半導体装置100と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて詳細な説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
図11は、本発明による半導体装置の実施の形態4の要部構成を概略的に示す平面図であり、図12は、図11に示す半導体装置400のA−A断面の概略断面図であり、図13は、図11に示す半導体装置400のB−B断面の概略断面図である。
図15は、本発明のLEDヘッドに基づく実施の形態5のLEDプリントヘッド1200を示す図である。
図17は、本発明の画像形成装置に基づく実施の形態6の画像形成装置1300の要部構成を模式的に示す要部構成図である。
まず、用紙カセット1306に堆積した状態で収納されている記録媒体1305がホッピングローラ1307によって、上から1枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体1305は、レジストローラ1310,1311及びピンチローラ1308,1309に挟持されて、プロセスユニット1301の感光体ドラム1301a及び転写ローラ1312に搬送される。その後、記録媒体1305は、感光体ドラム1301a及び転写ローラ1212に挟持され、その記録画面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム1301aの回転によって搬送される。
Claims (9)
- 基板に発光素子を直線状に所定の間隔で複数配列した半導体装置において、
前記発光素子に対応する開口部を備えて前記基板上に形成された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成されて前記発光素子に接続される配線と
を有し、
前記有機絶縁膜の、前記発光素子の配列方向の端部に、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第1の切り立ち部を形成し、
前記有機絶縁膜の、隣接する前記発光素子間に、前記発光素子の配列方向と直交する方向に延在し、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第2の切り立ち部を備えた第1のスリットを形成したことを特徴とする半導体装置。 - 基板に発光素子を直線状に所定の間隔で複数配列した半導体装置において、
前記発光素子は、前記基板上に形成された平坦化膜の上に形成され、
前記発光素子に対応する開口部を備えて前記基板上に形成された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成されて前記発光素子に接続される配線と
を有し、
前記有機絶縁膜の、前記発光素子の配列方向の端部に、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第1の切り立ち部を形成し、
前記平坦化膜にも、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第4の切り立ち部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 前記基板と前記有機絶縁膜の間に、前記発光素子の配列方向と平行に延在する基板上配線が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記基板上配線と前記発光素子との間に前記配線が形成されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記有機絶縁膜の、前記発光素子と前記基板上配線との間に、前記発光素子の配列方向に延在し、前記基板の表面に対して直角となる面を有する第3の切り立ち部を備えた第2のスリットを形成したことを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置。
- 前記有機絶縁膜及び前記配線を覆うようにパッシベーション膜を形成したことを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の半導体装置。
- 前記有機絶縁膜は、前記発光素子が発光する光に対して略透明であることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の半導体装置。
- 請求項1乃至7の何れかに記載の半導体装置を複数備えたことを特徴とするLEDヘッド。
- 請求項8記載のLEDヘッドを用いたことを特徴とする画像形成装置。
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