JP6507311B2 - Substrate with transparent conductive layer and liquid crystal panel - Google Patents

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Description

本発明は、透明導電層付き基板、液晶パネル及び透明導電層付き基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a substrate with a transparent conductive layer, a liquid crystal panel, and a substrate with a transparent conductive layer.

液晶パネル基板に対して水平方向成分の電界を発生させて液晶を駆動させる、いわゆる横電界駆動方式（ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式またはＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式）を採用したインセル型の液晶パネルは、次のような構造を有する。例えば、この構造は、カラーフィルタ基板と、液晶を駆動する液晶駆動用電子回路と指タッチを感知する感知センサ用電極とを有する対向基板と、これらの間に設けられた液晶とを具備する。   In-cell liquid crystal employing a so-called horizontal electric field drive method (IPS (In-Plane Switching) method or FFS (Fringe Field Switching) method) for driving liquid crystals by generating an electric field of horizontal direction component to liquid crystal panel substrate The panel has the following structure. For example, this structure includes a color filter substrate, an opposite substrate having a liquid crystal driving electronic circuit for driving liquid crystal, and a sensor electrode for sensing a finger touch, and a liquid crystal provided between them.

このような液晶パネルにおいては、カラーフィルタ基板に電極が形成されておらずカラーフィルタが帯電し、表示動作の誤動作が生じていた。この帯電を防止するために、カラーフィルタが形成されていないカラーフィルタ基板の面に、高抵抗の酸化インジウムスズを主材料としケイ素を含む透明導電層を設ける技術がある（例えば、特許文献１参照）。   In such a liquid crystal panel, no electrode is formed on the color filter substrate, and the color filter is charged, causing a malfunction of the display operation. In order to prevent this charging, there is a technique of providing a transparent conductive layer mainly containing high resistance indium tin oxide and containing silicon on the surface of the color filter substrate where the color filter is not formed (see, for example, Patent Document 1) ).

特許第５８５５９４８号公報Patent No. 5855948

しかしながら、酸化インジウムスズを主成分としケイ素を含む透明導電層は、その表面で酸化インジウムスズが露出する。このため、この透明導電層は、耐候性または耐薬品性が劣り、その抵抗が経時変化しやすい。   However, the indium tin oxide is exposed at the surface of the transparent conductive layer containing indium tin oxide as the main component and containing silicon. For this reason, this transparent conductive layer is inferior in weather resistance or chemical resistance, and its resistance tends to change with time.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、抵抗の経時変化の少ない透明導電層付き基板、液晶パネル及び透明導電層付き基板の製造方法を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a substrate with a transparent conductive layer, a liquid crystal panel, and a substrate with a transparent conductive layer, with less change in resistance with time.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る透明導電層付き基板は、基板と、透明導電層とを具備する。
前記透明導電層は、前記基板上に設けられ、酸化スズと、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかと、を含む。
これにより、この透明導電層付き基板においては、抵抗の経時変化が少なくなる。In order to achieve the above-mentioned object, a substrate with a transparent conductive layer concerning one form of the present invention comprises a substrate and a transparent conductive layer.
The transparent conductive layer is provided on the substrate, and includes tin oxide and at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide.
Thereby, in the substrate with the transparent conductive layer, the change with time of the resistance decreases.

上記の透明導電層付き基板において、前記酸化ニオブ、前記酸化タンタル及び前記酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率は、前記透明導電層において５ｗｔ％以上１５％ｗｔ以下であってもよい。
これにより、この透明導電層付き基板においては、酸化物が還元されにくく、透明導電層の高抵抗状態が維持される。In the substrate with a transparent conductive layer, the content of at least one of the niobium oxide, the tantalum oxide, and the antimony oxide may be 5 wt% or more and 15 wt% or less in the transparent conductive layer.
Thereby, in the substrate with the transparent conductive layer, the oxide is not easily reduced, and the high resistance state of the transparent conductive layer is maintained.

上記の透明導電層付き基板において、前記透明導電層のシート抵抗は、１×１０７（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．）以下であってもよい。
前記透明導電層の透過率は、波長５５０ｎｍにおいて９８．５％以上であってもよい。
このような高い光透過率の透明導電層付き基板をインセル型の液晶パネルに用いることにより、カラーフィルタの帯電が抑制され、さらに液晶パネルにおける光透過率が著しく減少しないことになる。In the above-mentioned substrate with a transparent conductive layer, the sheet resistance of the transparent conductive layer may be 1 × 10 7 (Ω / sq.) Or more and 1 × 10 10 (Ω / sq.) Or less.
The transmittance of the transparent conductive layer may be 98.5% or more at a wavelength of 550 nm.
By using a substrate with a transparent conductive layer having such a high light transmittance for an in-cell liquid crystal panel, charging of the color filter is suppressed, and the light transmittance in the liquid crystal panel is not significantly reduced.

上記の透明導電層付き基板において、前記透明導電層の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であってもよい。
これにより、この透明導電層付き基板においては、適切な抵抗及び透過率を有する透明導電層が基板上に設けられる。In the above-mentioned substrate with a transparent conductive layer, the thickness of the transparent conductive layer may be 5 nm or more and 15 nm or less.
Thereby, in the substrate with a transparent conductive layer, a transparent conductive layer having appropriate resistance and transmittance is provided on the substrate.

上記の透明導電層付き基板において、前記透明導電層は、窒素を含有してもよい。
これにより、この透明導電層付き基板においては、透明導電層の抵抗が窒素の添加量により調整される。In the above-mentioned substrate with a transparent conductive layer, the transparent conductive layer may contain nitrogen.
Thereby, in the substrate with the transparent conductive layer, the resistance of the transparent conductive layer is adjusted by the addition amount of nitrogen.

上記の透明導電層付き基板において、前記基板は、透明基板とカラーフィルタとを有してもよい。
前記透明基板は、前記透明導電層と前記カラーフィルタとの間に設けられてもよい。
これにより、カラーフィルタへの帯電が透明導電層によって抑制される。In the above-mentioned substrate with a transparent conductive layer, the substrate may have a transparent substrate and a color filter.
The transparent substrate may be provided between the transparent conductive layer and the color filter.
Thereby, charging of the color filter is suppressed by the transparent conductive layer.

また、本発明の一形態に係る液晶パネルは、透明導電層付き基板と、対向基板と、液晶とを具備する。
前記透明導電層付き基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の透明基板と、透明導電層と、カラーフィルタとを有する。透明導電層は、前記第１の面上に設けられ、酸化スズと、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかとを含む。カラーフィルタは、前記第２の面上に設けられる。
前記対向基板は、第２の透明基板と、前記第２の透明基板上に設けられた感知センサ用電極及び液晶駆動用電子回路とを有する。
前記液晶は、前記透明導電層付き基板と前記対向基板との間に設けられ、前記液晶駆動用電子回路によって駆動制御される。
これにより、この液晶パネルにおいては、透明導電層によってカラーフィルタの帯電が防止される。さらに、この透明導電層において、抵抗の経時変化が少ない。その結果、液晶パネルにおいてタッチ感知機能の経時変化が少なく、信頼性がさらに高くなる。A liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention includes a substrate with a transparent conductive layer, an opposing substrate, and a liquid crystal.
The substrate with a transparent conductive layer has a first transparent substrate having a first surface and a second surface, a transparent conductive layer, and a color filter. The transparent conductive layer is provided on the first surface, and includes tin oxide and at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide. A color filter is provided on the second surface.
The counter substrate includes a second transparent substrate, a sensing sensor electrode provided on the second transparent substrate, and a liquid crystal driving electronic circuit.
The liquid crystal is provided between the substrate with the transparent conductive layer and the counter substrate, and is driven and controlled by the liquid crystal driving electronic circuit.
Thereby, in the liquid crystal panel, charging of the color filter is prevented by the transparent conductive layer. Furthermore, in this transparent conductive layer, the change in resistance with time is small. As a result, in the liquid crystal panel, the change with time of the touch sensing function is small, and the reliability is further enhanced.

上記の液晶パネルにおいて、前記酸化ニオブ、前記酸化タンタル及び前記酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率は、前記透明導電層において５ｗｔ％以上１５％ｗｔ以下であってもよい。
これにより、液晶パネルの透明導電層付き基板においては、酸化物が還元されにくく、透明導電層の高抵抗状態が維持される。In the liquid crystal panel described above, the content of at least one of the niobium oxide, the tantalum oxide, and the antimony oxide may be 5 wt% or more and 15 wt% or less in the transparent conductive layer.
As a result, in the substrate with a transparent conductive layer of the liquid crystal panel, the oxide is not easily reduced, and the high resistance state of the transparent conductive layer is maintained.

上記の液晶パネルにおいて、前記透明導電層のシート抵抗は、１×１０７（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．）以下であってもよい。
前記透明導電層の透過率は、波長５５０ｎｍにおいて９８．５％以上であってもよい。
このような高い光透過率の透明導電層付き基板をインセル型の液晶パネルに用いることにより、カラーフィルタの帯電が抑制され、さらに液晶パネルにおける光透過率が著しく減少しないことになる。In the above liquid crystal panel, the sheet resistance of the transparent conductive layer may be 1 × 10 7 (Ω / sq.) Or more and 1 × 10 10 (Ω / sq.) Or less.
The transmittance of the transparent conductive layer may be 98.5% or more at a wavelength of 550 nm.
By using a substrate with a transparent conductive layer having such a high light transmittance for an in-cell liquid crystal panel, charging of the color filter is suppressed, and the light transmittance in the liquid crystal panel is not significantly reduced.

上記の液晶パネルにおいて、前記透明導電層の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であってもよい。
これにより、この液晶パネルにおいては、適切な抵抗及び透過率を有する透明導電層が透明基板上に設けられる。In the above liquid crystal panel, the thickness of the transparent conductive layer may be 5 nm or more and 15 nm or less.
Thereby, in this liquid crystal panel, a transparent conductive layer having appropriate resistance and transmittance is provided on the transparent substrate.

上記の液晶パネルにおいて、前記透明導電層は、窒素を含有してもよい。
これにより、この液晶パネルにおいては、透明導電層の抵抗が窒素の添加量により調整される。In the above liquid crystal panel, the transparent conductive layer may contain nitrogen.
Thereby, in this liquid crystal panel, the resistance of the transparent conductive layer is adjusted by the addition amount of nitrogen.

また、本発明の一形態に係る透明導電層付き基板の製造方法では、酸化スズと、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかと、を含むターゲット材であって、前記ターゲット材における前記酸化ニオブ、前記酸化タンタル及び前記酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率が５ｗｔ％以上１５％ｗｔ以下である前記ターゲット材を用いられる。酸素分圧が０．００５Ｐａ以上０．０５Ｐａ以下のアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気下で、基板上に、酸化スズと、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかとを含む透明導電層が成膜される。
このような混合ガス雰囲気下で透明導電層を成膜することにより、所望の高抵抗の透明導電層が得られる。さらに、透明導電層における酸化物の還元が抑制され、抵抗の経時変化の少ない透明導電層が得られる。In the method for producing a substrate with a transparent conductive layer according to one aspect of the present invention, the target material contains tin oxide and at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide, and the oxidation in the target material is performed. The target material is used in which the content of at least one of niobium, tantalum oxide and antimony oxide is 5 wt% or more and 15 wt% or less. A transparent conductive layer containing tin oxide and at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide is formed on a substrate under a mixed gas atmosphere of argon and oxygen with an oxygen partial pressure of 0.005 Pa or more and 0.05 Pa or less. Be filmed.
By forming the transparent conductive layer in such a mixed gas atmosphere, a desired high resistance transparent conductive layer can be obtained. Furthermore, the reduction of the oxide in the transparent conductive layer is suppressed, and a transparent conductive layer with little resistance change over time can be obtained.

上記の透明導電層付き基板の製造方法において、前記混合ガスに窒素を含有させ、前記窒素の分圧が０．０２５Ｐａ以上０．１Ｐａ以下で前記透明導電層を成膜してもよい。
これにより、この透明導電層付き基板においては、透明導電層の抵抗が窒素の添加量により調整される。In the above method for producing a substrate with a transparent conductive layer, the mixed gas may contain nitrogen, and the partial pressure of nitrogen may be 0.025 Pa or more and 0.1 Pa or less to form the transparent conductive layer.
Thereby, in the substrate with the transparent conductive layer, the resistance of the transparent conductive layer is adjusted by the addition amount of nitrogen.

以上述べたように、本発明によれば、抵抗の経時変化の少ない透明導電層付き基板、液晶パネル及び透明導電層付き基板の製造方法が提供される。   As described above, according to the present invention, a method of manufacturing a substrate with a transparent conductive layer, a liquid crystal panel, and a substrate with a transparent conductive layer with less change in resistance with time is provided.

本実施形態に係る液晶パネルを示す概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the liquid crystal panel which concerns on this embodiment. 酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いた場合の酸素流量と、透明導電層のシート抵抗との関係を示す概略的グラフ図である。It is a schematic graph which shows the relationship between the oxygen flow rate at the time of using the target material containing a tin oxide and a niobium oxide, and the sheet resistance of a transparent conductive layer. 比較例としてのＩＴＯからなるターゲット材を用いた場合の酸素流量と、ＩＴＯ層のシート抵抗との関係を示す概略的グラフ図である。It is a schematic graph which shows the relationship between the oxygen flow rate at the time of using the target material which consists of ITO as a comparative example, and the sheet resistance of an ITO layer. アルゴン及び酸素の混合ガスに窒素を添加した場合の窒素流量と、透明導電層のシート抵抗との関係を示す概略的グラフ図である。It is a schematic graph which shows the relationship between the nitrogen flow rate at the time of adding nitrogen to the mixed gas of argon and oxygen, and the sheet resistance of a transparent conductive layer. 透明導電層の光透過率を示す概略的グラフ図である。It is a schematic graph which shows the light transmittance of a transparent conductive layer. 透明導電層のシート抵抗の経時変化を示す概略的グラフ図である（その１）。It is a schematic graph which shows the time-dependent change of the sheet resistance of a transparent conductive layer (the 1). 透明導電層のシート抵抗の経時変化を示す概略的グラフ図である（その２）。It is a schematic graph which shows the time-dependent change of the sheet resistance of a transparent conductive layer (the 2). 透明導電層の耐食性を示す概略的グラフ図である。It is a schematic graph which shows the corrosion resistance of a transparent conductive layer.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、以下に示される数値、図、グラフは例示であり、例示されたものに限定されない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, XYZ axis coordinates may be introduced. In addition, numerical values, figures, and graphs shown below are examples, and the present invention is not limited to the examples.

本実施形態では、ＦＦＳ方式を採用したインセル型のタッチパネル機能付きの液晶パネルを例示するが、これに限定されない。例えば、本実施形態に係る液晶パネルは、ＩＰＳ方式の液晶パネルにも適用でき、液晶パネルを構成する一対の基板のうち、一方の基板に液晶駆動用電子回路及び感知センサ用電極が設けられ、他方の基板には電極は形成されずカラーフィルタが形成された構成にも適用可能である。   In the present embodiment, a liquid crystal panel with an in-cell touch panel function adopting the FFS method is exemplified, but the present invention is not limited to this. For example, the liquid crystal panel according to the present embodiment can also be applied to an IPS liquid crystal panel, and one of the pair of substrates constituting the liquid crystal panel is provided with a liquid crystal driving electronic circuit and a sensing sensor electrode. The present invention is also applicable to a configuration in which no electrode is formed on the other substrate and a color filter is formed.

［液晶パネル］
図１は、本実施形態に係る液晶パネルを示す概略的断面図である。
図１に示す液晶パネル１は、画像を表示する機能と、タッチパネル機能とを兼ね備える。液晶パネル１は、透明導電層付き基板１０と、対向基板２０と、液晶４０と、偏光板５０と、カバーガラス６０と、偏光板５１とを具備する。図１の例では、Ｚ軸方向において、偏光板５１、対向基板２０、液晶４０、透明導電層付き基板１０、偏光板５０及びカバーガラス６０がこの順に積層されている。液晶４０内には、スペーサ４１が設けられている。[Liquid crystal panel]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a liquid crystal panel according to the present embodiment.
The liquid crystal panel 1 shown in FIG. 1 has a function of displaying an image and a touch panel function. The liquid crystal panel 1 includes a substrate 10 with a transparent conductive layer, an opposing substrate 20, a liquid crystal 40, a polarizing plate 50, a cover glass 60, and a polarizing plate 51. In the example of FIG. 1, the polarizing plate 51, the opposing substrate 20, the liquid crystal 40, the substrate 10 with a transparent conductive layer, the polarizing plate 50, and the cover glass 60 are stacked in this order in the Z-axis direction. In the liquid crystal 40, a spacer 41 is provided.

液晶パネル１において、偏光板５１にバックライトが入射する。また、液晶パネル１において、カバーガラス６０を通して画像が視認される。また、液晶パネル１においては、カバーガラス６０を指７０等でタッチすることにより、タッチ操作を行うことができる。以下に、液晶パネル１における各部材の構成について詳細に説明する。   In the liquid crystal panel 1, the backlight is incident on the polarizing plate 51. Further, in the liquid crystal panel 1, an image is viewed through the cover glass 60. Further, in the liquid crystal panel 1, the touch operation can be performed by touching the cover glass 60 with a finger 70 or the like. The configuration of each member in the liquid crystal panel 1 will be described in detail below.

透明導電層付き基板１０は、透明導電層１２と、カラーフィルタ基板１４とを有する。カラーフィルタ基板１４は、透明基板１１（第１の透明基板）と、カラーフィルタ１５とを含む。透明基板１１は、透明導電層１２とカラーフィルタ１５との間に設けられている。透明基板１１は、例えば、ガラス基板である。透明導電層１２は、液晶パネル１において、例えば、帯電防止層として機能する。   The substrate 10 with a transparent conductive layer has a transparent conductive layer 12 and a color filter substrate 14. The color filter substrate 14 includes a transparent substrate 11 (first transparent substrate) and a color filter 15. The transparent substrate 11 is provided between the transparent conductive layer 12 and the color filter 15. The transparent substrate 11 is, for example, a glass substrate. The transparent conductive layer 12 functions as, for example, an antistatic layer in the liquid crystal panel 1.

透明導電層１２は、透明基板１１の表面１１ａ（第１の面）上に設けられている。透明導電層１２は、酸化スズ（ＳｎＯ２）と、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ３、またはＮｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ３、またはＴａ２Ｏ５）及び酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３、またはＳｂ２Ｏ５）の少なくともいずれかと、を含む。The transparent conductive layer 12 is provided on the surface 11 a (first surface) of the transparent substrate 11. The transparent conductive layer 12 includes tin oxide (SnO 2 ), niobium oxide (Nb 2 O 3 or Nb 2 O 5 ), tantalum oxide (Ta 2 O 3 or Ta 2 O 5 ), and antimony oxide (Sb 2 O) 3 or at least one of Sb 2 O 5 ).

例えば、透明導電層１２は、主成分としての酸化スズと、副成分としての酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかとからなる。ここで、透明導電層１２には、ターゲット材の製造過程において導入される、微量なアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の元素が含まれる場合がある。透明導電層１２に、微量元素（Ａｌ、Ｚｒ等）が含まれたり、含まれなかったりしても、本実施形態では、実質的に同じ効果が得られる。なお、副成分としては、上記の酸化物のほか、第３族元素のいずれかの酸化物であってもよい。   For example, the transparent conductive layer 12 is composed of tin oxide as a main component and at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide as auxiliary components. Here, the transparent conductive layer 12 may contain a trace amount of elements such as aluminum (Al) and zirconium (Zr) which are introduced in the process of manufacturing the target material. Even if the transparent conductive layer 12 contains or does not contain a trace element (Al, Zr or the like), substantially the same effect can be obtained in the present embodiment. In addition to the above-mentioned oxides, any of the oxides of Group 3 elements may be used as the auxiliary component.

また、透明導電層１２において、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率は、５ｗｔ％以上１５％ｗｔ以下である。酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率が５ｗｔ％より小さくなると、例えば、透明導電層１２の抵抗が低くなり好ましくない。一方、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率が１５ｗｔ％より大きくなると、例えば、成膜時に使用するターゲット材が割れやすくなり好ましくない。   In the transparent conductive layer 12, the content of at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide is 5 wt% or more and 15 wt% or less. When the content of at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide is less than 5 wt%, for example, the resistance of the transparent conductive layer 12 is unfavorably lowered. On the other hand, when the content of at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide is more than 15 wt%, for example, the target material used at the time of film formation is likely to be broken, which is not preferable.

このような酸化物で構成される透明導電層１２のシート抵抗は、例えば、１×１０７（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．）以下である。透明導電層１２のシート抵抗が１×１０７（Ω／ｓｑ．）より小さくなると、例えば、タッチ操作時のタッチ信号が透明導電層１２により遮蔽され好ましくない。一方、透明導電層１２のシート抵抗が１×１０１０（Ω／ｓｑ．）より大きくなると、例えば、透明導電層１２の除電機能が低下し好ましくない。The sheet resistance of the transparent conductive layer 12 made of such an oxide is, for example, 1 × 10 7 (Ω / sq.) Or more and 1 × 10 10 (Ω / sq.) Or less. When the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 is smaller than 1 × 10 7 (Ω / sq.), For example, the touch signal at the time of touch operation is not preferable because the transparent conductive layer 12 blocks the signal. On the other hand, when the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 becomes larger than 1 × 10 10 (Ω / sq.), For example, the charge removing function of the transparent conductive layer 12 is unfavorably lowered.

透明導電層１２のシート抵抗は、透明導電層１２に含まれる酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率を変化させることで調整することができる。あるいは、このシート抵抗は、例えば、成膜時に透明導電層１２に導入する酸素の量を変化させることで調整することができる。また、このようなシート抵抗を有する透明導電層１２の透過率は、波長５５０ｎｍにおいて９８．５％以上である。   The sheet resistance of the transparent conductive layer 12 can be adjusted by changing the content of at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide contained in the transparent conductive layer 12. Alternatively, the sheet resistance can be adjusted, for example, by changing the amount of oxygen introduced to the transparent conductive layer 12 at the time of film formation. Moreover, the transmittance | permeability of the transparent conductive layer 12 which has such sheet resistance is 98.5% or more in wavelength 550nm.

透明導電層１２が設けられた液晶パネル１においては、透明導電層１２が耐候性または耐薬品性に優れ、透明導電層１２に含まれる酸化物が還元されにくい。これにより、透明導電層１２の抵抗が高抵抗状態（１×１０７（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．）以下）で長時間にわたり維持される。この結果、液晶パネル１においては、タッチ操作時のタッチ感知が安定し、カラーフィルタ１５の帯電が抑制される。さらに、液晶パネル１においては、透明導電層１２における光の透過率が高くなり、液晶パネルにおける光透過率が著しく減少せず、液晶パネル１における画像がより鮮明に視認できる。すなわち、液晶パネル１の動作信頼性は、より向上する。In the liquid crystal panel 1 provided with the transparent conductive layer 12, the transparent conductive layer 12 is excellent in weather resistance or chemical resistance, and the oxide contained in the transparent conductive layer 12 is not easily reduced. Thereby, the resistance of the transparent conductive layer 12 is maintained in a high resistance state (1 × 10 7 (Ω / sq.) Or more and 1 × 10 10 (Ω / sq.) Or less) for a long time. As a result, in the liquid crystal panel 1, touch sensing at the time of touch operation is stabilized, and charging of the color filter 15 is suppressed. Furthermore, in the liquid crystal panel 1, the light transmittance in the transparent conductive layer 12 is high, the light transmittance in the liquid crystal panel is not significantly reduced, and the image in the liquid crystal panel 1 can be more clearly viewed. That is, the operation reliability of the liquid crystal panel 1 is further improved.

また、透明導電層１２の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。透明導電層１２の厚さが５ｎｍより小さくなると、例えば、透明導電層１２のシート抵抗が上記の範囲よりも高くなり、透明導電層１２の除電機能が低減するので好ましくない。透明導電層１２の厚さが１５ｎｍよりも大きくなると、例えば、透明導電層１２の透過率が低下するので好ましくない。   Moreover, the thickness of the transparent conductive layer 12 is 5 nm or more and 15 nm or less. If the thickness of the transparent conductive layer 12 is smaller than 5 nm, for example, the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 becomes higher than the above range, and the charge removing function of the transparent conductive layer 12 is reduced, which is not preferable. If the thickness of the transparent conductive layer 12 is larger than 15 nm, for example, the transmittance of the transparent conductive layer 12 is unfavorably reduced.

また、透明導電層１２には、窒素（Ｎ）が含有されてもよい。窒素は、例えば、不純物元素として、透明導電層１２に含有されている。透明導電層１２のシート抵抗は、例えば、窒素の添加量を変化させることで調整することができる。例えば、透明導電層１２の成膜時には、成膜時に導入する酸素の割合を透明導電層１２が還元しない程度に調整し、透明導電層１２のシート抵抗を成膜時に導入する窒素の割合を酸素の割合とは独立して制御することにより調整することができる。   The transparent conductive layer 12 may also contain nitrogen (N). Nitrogen is contained in the transparent conductive layer 12 as an impurity element, for example. The sheet resistance of the transparent conductive layer 12 can be adjusted, for example, by changing the amount of nitrogen added. For example, when forming the transparent conductive layer 12, the proportion of oxygen introduced during film formation is adjusted to such an extent that the transparent conductive layer 12 is not reduced, and the proportion of nitrogen introducing sheet resistance of the transparent conductive layer 12 during film formation is oxygen It can be adjusted by controlling independently of the ratio of.

仮に、透明導電層をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層単体で構成した場合には、ＩＴＯ層の耐候性または耐薬品性の低さから、時間の経過によってＩＴＯ層のシート抵抗が低くなっていく。これにより、ＩＴＯ層単体で構成された液晶パネルでは、タッチ感知機能が経時的に劣化していく。これは、ＩＴＯ層に含まれる酸素が経時的に脱離し（いわゆる酸素の抜け）、そのシート抵抗が経時的に低くなると考えられる。さらに、この理由として、貼り合わせ基板にＩＴＯを成膜すると、アニール処理を充分に行うことができず、結晶性の高いＩＴＯ層を形成することができないことがある。また、ＩＴＯ層にＳｉを添加された単体層においても、ＩＴＯが単体層表面に露出するので同様の現象が起こり得る。   If the transparent conductive layer is formed of an ITO (Indium Tin Oxide) layer alone, the sheet resistance of the ITO layer decreases with the passage of time due to the low weather resistance or chemical resistance of the ITO layer. As a result, in the liquid crystal panel composed of a single ITO layer, the touch sensing function is deteriorated with time. It is considered that this is because oxygen contained in the ITO layer is desorbed with time (so-called deoxygenation), and the sheet resistance thereof decreases with time. Furthermore, as a reason for this, when ITO is formed on the bonded substrate, the annealing process can not be sufficiently performed, and an ITO layer having high crystallinity may not be formed. In addition, even in a single layer in which Si is added to the ITO layer, the same phenomenon may occur because the ITO is exposed on the surface of the single layer.

また、ＩＴＯ層に含まれる酸素が経時的に脱離する現象を防止するために、ＩＴＯ層に、酸素の脱離を抑制するキャップ層を設ける方法が考えられる。しかし、ＩＴＯ層上にキャップ層が設けられた積層体は、単層体に比べて層数が増加し、積層体自体の光透過率が低くなる。この積層体の光透過率を上昇させる方法として、キャップ層を反射防止層として機能させる方法がある。しかし、反射防止層は、比較的厚く形成する必要があり、この方法を採用すると、製造コストが上昇してしまう。   In addition, in order to prevent the phenomenon in which oxygen contained in the ITO layer is desorbed with time, it is conceivable to provide the ITO layer with a cap layer which suppresses the desorption of oxygen. However, in the laminate in which the cap layer is provided on the ITO layer, the number of layers increases as compared with the single layer body, and the light transmittance of the laminate itself becomes low. As a method of increasing the light transmittance of the laminate, there is a method of making the cap layer function as an antireflective layer. However, the antireflective layer needs to be formed relatively thick, and adopting this method increases the manufacturing cost.

このように、液晶パネルにおいては、上記の透明導電層１２を用いることが好ましい。   Thus, in the liquid crystal panel, it is preferable to use the above-mentioned transparent conductive layer 12.

カラーフィルタ１５は、透明基板１１の表面１１ｂ（第２の面）上に形成される。カラーフィルタ１５は、黒色樹脂などで格子状に形成されたブラックマトリクスと、ブラックマトリクスの開口部を埋めるように、例えば、ストライプ状に形成された赤色着色層、緑色着色層、青色着色層とからなる。カラーフィルタ１５上には図示しない配向膜が形成されている。   The color filter 15 is formed on the surface 11 b (second surface) of the transparent substrate 11. The color filter 15 is formed of, for example, a red colored layer, a green colored layer, and a blue colored layer formed in a stripe shape so as to fill the openings of the black matrix with a black matrix formed in a lattice shape with black resin or the like. Become. An alignment film (not shown) is formed on the color filter 15.

格子状のブラックマトリックスにより形成される開口部はサブ画素に対応し、１つの画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素の３つのサブ画素によって構成される。   The openings formed by the grid-like black matrix correspond to sub-pixels, and one pixel is constituted by three sub-pixels of red sub-pixel, green sub-pixel and blue sub-pixel.

対向基板２０は、透明基板２１（第２の透明基板）と、感知センサ用電極及び液晶駆動用電子回路を備える機能層２２を有する。透明基板２１は、例えば、ガラス基板である。   The opposing substrate 20 has a transparent substrate 21 (second transparent substrate), and a functional layer 22 provided with a sensor electrode and a liquid crystal driving electronic circuit. The transparent substrate 21 is, for example, a glass substrate.

透明基板２１は、表面２１ａと、表面２１ｂを有する。機能層２２は、透明基板２１の表面２１ｂ上に設けられている。また、機能層２２上には図示しない配向膜が形成されている。   The transparent substrate 21 has a surface 21 a and a surface 21 b. The functional layer 22 is provided on the surface 21 b of the transparent substrate 21. Further, an alignment film (not shown) is formed on the functional layer 22.

液晶駆動用電子回路は、液晶４０を駆動するものである。感知センサ用電極は、感知センサの一部を構成し、カバーガラス６０表面上でのタッチ操作を感知するものである。   The liquid crystal driving electronic circuit is for driving the liquid crystal 40. The sensing sensor electrode constitutes a part of the sensing sensor and senses a touch operation on the surface of the cover glass 60.

機能層２２は、画素電極と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と、ゲートラインと、信号ラインと、共通電極と、共通電極駆動用ラインと、感知センサ用駆動ラインと、感知センサ用検出ラインとを有する。   The functional layer 22 includes a pixel electrode, a TFT (Thin Film Transistor), a gate line, a signal line, a common electrode, a common electrode driving line, a sensing sensor driving line, and a sensing sensor detection line. Have.

液晶駆動用電子回路は、画素電極と、ＴＦＴと、ゲートラインと、信号ラインと、共通電極と、共通電極駆動用ラインからなる。これら液晶駆動用電子回路は、液晶パネルに電気的に接続する図示しない駆動回路基板に設けられる駆動制御回路によって駆動制御される。   The liquid crystal driving electronic circuit includes a pixel electrode, a TFT, a gate line, a signal line, a common electrode, and a common electrode driving line. These liquid crystal drive electronic circuits are driven and controlled by a drive control circuit provided on a drive circuit substrate (not shown) electrically connected to the liquid crystal panel.

感知センサ用電極は、感知センサ用駆動ラインと、感知センサ用検出ラインと、共通電極からなる。感知センサは、これら感知センサ用電極とタッチ位置検出制御回路とからなり、タッチ位置検出制御回路は液晶パネルに電気的に接続する図示しない駆動回路基板に設けられる。感知センサを設けることにより、液晶パネルはタッチパネル機能を備える。液晶駆動用に用いられる共通電極は感知センサ用電極としても機能する。   The sensing sensor electrode comprises a sensing sensor drive line, a sensing sensor detection line, and a common electrode. The sensing sensor includes the sensing sensor electrode and the touch position detection control circuit, and the touch position detection control circuit is provided on a drive circuit board (not shown) electrically connected to the liquid crystal panel. By providing the sensing sensor, the liquid crystal panel has a touch panel function. The common electrode used for liquid crystal drive also functions as an electrode for a sensing sensor.

このように対向基板２０には、液晶パネル１の表示画面に表示する画像を生成する液晶駆動用電子回路と、液晶パネル１の表面上の指７０やタッチペン等の器具によるタッチを感知する感知センサの一部が設けられている。   Thus, on the counter substrate 20, a liquid crystal drive electronic circuit that generates an image to be displayed on the display screen of the liquid crystal panel 1, and a sensor that detects a touch by an instrument such as a finger 70 or a touch pen on the surface of the liquid crystal panel 1. A part of is provided.

透明基板２１の水平面をＸＹ平面とすると、ゲートラインと信号ラインとは層間絶縁膜を介してそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向に設けられ、その交差部毎にＴＦＴ及び櫛歯状の画素電極が設けられる。ＴＦＴを構成するゲート電極はゲートラインと電気的に接続され、ＴＦＴを構成するソース、ドレインはそれぞれ信号ラインと画素電極に電気的に接続される。   Assuming that the horizontal plane of the transparent substrate 21 is an XY plane, the gate line and the signal line are provided in the X axis direction and the Y axis direction through the interlayer insulating film, and the TFT and the comb-like pixel electrode are formed at each intersection. Provided. The gate electrode constituting the TFT is electrically connected to the gate line, and the source and drain constituting the TFT are electrically connected to the signal line and the pixel electrode, respectively.

共通電極は、１画素毎に対応して島状に複数形成される。ＴＦＴ、共通電極、画素電極は、それぞれ透明基板２１側からＴＦＴ、層間絶縁膜、共通電極、層間絶縁膜、画素電極の順に積層された構成となっている。   A plurality of common electrodes are formed in an island corresponding to each pixel. The TFT, the common electrode, and the pixel electrode are stacked in this order from the transparent substrate 21 side, the TFT, the interlayer insulating film, the common electrode, the interlayer insulating film, and the pixel electrode.

共通駆動用ラインは、共通電極と電気的に接続し、信号ライン、ソース及びドレインと同じ層で形成される。   The common drive line is electrically connected to the common electrode, and is formed in the same layer as the signal line, the source and the drain.

感知センサ用駆動ラインは、ゲート電極及びゲートラインと同じ層でＸ軸方向に複数形成される。感知センサ用駆動ラインは、一部の共通電極と電気的に接続し、感知センサ用駆動電極に接続された共通電極は、感知センサの駆動電極として機能する。感知センサ用駆動電極は、図示しないタッチ位置検出制御回路に接続されており、このタッチ位置検出制御回路は、タッチ位置検出用の駆動信号を出力する。   A plurality of drive lines for sensing sensors are formed in the same layer as the gate electrodes and the gate lines in the X-axis direction. The sensing sensor drive line is electrically connected to a part of the common electrode, and the common electrode connected to the sensing sensor drive electrode functions as a driving electrode of the sensing sensor. The sensing sensor drive electrode is connected to a touch position detection control circuit (not shown), and the touch position detection control circuit outputs a drive signal for touch position detection.

感知センサ用検出ラインは、ソース及び信号ラインと同じ層でＹ軸方向に複数形成される。感知センサ用検出ラインは、感知センサ用駆動ラインと電気的に接続していない他の共通電極と電気的に接続し、感知センサ用検出ラインに接続された共通電極は、感知センサの検出電極として機能する。感知センサ用駆動ラインは、図示しないタッチ位置検出制御回路に接続されており、このタッチ位置検出制御回路は、感知センサ用検出ラインから送られてきた検出信号を受信する。そして、受信した検出信号を解析することによってタッチ位置の座標を算出する。   A plurality of sensing sensor detection lines are formed in the Y-axis direction in the same layer as the source and signal lines. The sensing line for sensing sensor is electrically connected to another common electrode not electrically connected to the driving line for sensing sensor, and the common electrode connected to the sensing line for sensing sensor is as a sensing electrode for sensing sensor Function. The sensing sensor drive line is connected to a touch position detection control circuit (not shown), and the touch position detection control circuit receives a detection signal sent from the sensing sensor detection line. Then, the coordinates of the touch position are calculated by analyzing the received detection signal.

液晶パネル１において、表示段階では、液晶駆動用電子回路により横電界が形成されて液晶４０が駆動し、液晶パネル１に画像を表示させる。タッチ段階では、指が表示面に近づくことにより、感知センサの駆動電極と検出電極との間の容量が減少するので、この容量の変化を感知センサによって検出することにより指のタッチ位置を特定する。   In the liquid crystal panel 1, in the display stage, a horizontal electric field is formed by the liquid crystal driving electronic circuit, and the liquid crystal 40 is driven to display an image on the liquid crystal panel 1. In the touch phase, as the finger approaches the display surface, the capacitance between the drive electrode and the detection electrode of the sensing sensor decreases, and the change in the capacitance is detected by the sensing sensor to identify the touch position of the finger. .

液晶４０は、透明導電層付き基板１０のカラーフィルタ１５と対向基板２０との間に設けられている。カラーフィルタ１５と対向基板２０との間隙は、スペーサ４１によって保持される。カラーフィルタ１５が形成されている透明基板１１の表面１１ｂは、対向基板２０の機能層２２が設けられた透明基板２１の表面２１ｂに対向している。液晶４０の駆動は、液晶駆動用電子回路によって制御される。また、カバーガラス６０は、図示しない粘着層によって偏光板５０と固定されている。   The liquid crystal 40 is provided between the color filter 15 of the substrate 10 with a transparent conductive layer and the counter substrate 20. The gap between the color filter 15 and the counter substrate 20 is held by the spacer 41. The surface 11 b of the transparent substrate 11 on which the color filter 15 is formed is opposed to the surface 21 b of the transparent substrate 21 on which the functional layer 22 of the counter substrate 20 is provided. The driving of the liquid crystal 40 is controlled by a liquid crystal driving electronic circuit. Moreover, the cover glass 60 is being fixed with the polarizing plate 50 by the adhesion layer which is not shown in figure.

［透明導電層の製造方法］
液晶パネル１の構成要素である透明導電層付き基板１０の製造方法について図１を参照しながら説明する。[Method of producing transparent conductive layer]
A method of manufacturing the substrate 10 with a transparent conductive layer which is a component of the liquid crystal panel 1 will be described with reference to FIG.

例えば、ブラックマトリクス、赤色着色層、緑色着色層及び青色着色層からなるカラーフィルタ１５が透明基板１１の表面１１ｂに形成されたカラーフィルタ基板１４が準備される。   For example, a color filter substrate 14 is prepared in which a color filter 15 composed of a black matrix, a red coloring layer, a green coloring layer and a blue coloring layer is formed on the surface 11 b of the transparent substrate 11.

次に、カラーフィルタ１５が形成されていない透明基板１１の表面１１ａに透明導電層１２が形成される。透明導電層１２は、例えば、ＤＣスパッタリング法で形成される。ＤＣスパッタリング法としては、マグネトロンＤＣスパッタリング方式が採用されてもよい。または、透明導電層１２は、例えば、ＡＣスパッタリング法で形成されてもよい。ＡＣスパッタリング法としては、マグネトロンＡＣスパッタリング方式が採用されてもよい。ＡＣスパッタリング法によれは、導電性のターゲット材を用いたとき、高抵抗状態の透明導電層１２を形成（反応性スパッタリング）する際に、アノードが確保できて、生産性に優れる。   Next, the transparent conductive layer 12 is formed on the surface 11 a of the transparent substrate 11 on which the color filter 15 is not formed. The transparent conductive layer 12 is formed by, for example, a DC sputtering method. As a DC sputtering method, a magnetron DC sputtering method may be employed. Alternatively, the transparent conductive layer 12 may be formed by, for example, an AC sputtering method. As an AC sputtering method, a magnetron AC sputtering method may be employed. According to the AC sputtering method, when a conductive target material is used, an anode can be secured when forming the transparent conductive layer 12 in a high resistance state (reactive sputtering), and the productivity is excellent.

ターゲット材としては、酸化スズと、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかと、を含むターゲット材が用いられる。例えば、ターゲット材は、主成分としての酸化スズと、副成分としての酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかとからなる。ここで、ターゲット材には、ターゲット材の製造過程において、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の微量の元素が導入される場合がある。ターゲット材に、微量元素（Ａｌ、Ｚｒ等）が含まれたり、含まれなかったりしても、本実施形態では実質的に同じ効果が得られる。   As a target material, a target material containing tin oxide and at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide is used. For example, the target material is composed of tin oxide as a main component and at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide as auxiliary components. Here, a trace element such as aluminum (Al) or zirconium (Zr) may be introduced into the target material in the process of manufacturing the target material. Even if the target material contains or does not contain a trace element (Al, Zr, etc.), substantially the same effect can be obtained in the present embodiment.

ターゲット材における酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率は、５ｗｔ％以上１５％ｗｔ以下である。以下には、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの中、酸化ニオブを含むターゲット材を用いた場合を例示する。ここで、ターゲット材における酸化ニオブの含有率は、例えば、１０ｗｔ％である。   The content of at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide in the target material is 5 wt% or more and 15 wt% or less. Hereinafter, the case of using a target material containing niobium oxide among niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide is exemplified. Here, the content of niobium oxide in the target material is, for example, 10 wt%.

例えば、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材が用いられ、ＤＣスパッタリング装置内で、透明基板１１の表面１１ａに透明導電層１２が形成される。透明導電層１２の厚さは、例えば、１０ｎｍである。成膜条件は、以下の通りである。   For example, a target material containing tin oxide and niobium oxide is used, and the transparent conductive layer 12 is formed on the surface 11 a of the transparent substrate 11 in a DC sputtering apparatus. The thickness of the transparent conductive layer 12 is, for example, 10 nm. The film formation conditions are as follows.

ターゲット材：酸化スズ／酸化ニオブ（１０ｗｔ％）
放電ガス：アルゴン（Ａｒ）／酸素（Ｏ２）
ガス全圧：０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下
アルゴン分圧：０．２Ｐａ（流量４０ｓｃｃｍ）
酸素分圧：０．００５Ｐａ（流量１．０ｓｃｃｍ）以上０．０５Ｐａ（１０ｓｃｃｍ）以下、好ましくは、０．００５Ｐａ（流量１．０ｓｃｃｍ）以上０．０１３Ｐａ（流量２．５ｓｃｃｍ）以下
基板温度：２５℃設定Target material: Tin oxide / niobium oxide (10 wt%)
Discharge gas: argon (Ar) / oxygen (O 2 )
Total gas pressure: 0.1 Pa or more and 1.0 Pa or less Argon partial pressure: 0.2 Pa (flow rate 40 sccm)
Oxygen partial pressure: 0.005 Pa (flow rate 1.0 sccm) or more and 0.05 Pa (10 sccm) or less, preferably, 0.005 Pa (flow rate 1.0 sccm) or more and 0.013 Pa (flow rate 2.5 sccm) or less Substrate temperature: 25 ° C. Configuration

仮に、透明導電層として高抵抗状態のＩＴＯ層単体を形成する場合には、成膜時に混合ガス中の酸素分圧を高くして酸素をＩＴＯ層内に多く導入させる必要がある。しかし、この方法では、ＩＴＯ層内に酸素が多く導入され、酸素が経時的に脱離し、そのシート抵抗が経時的に低くなってしまう。   If an ITO layer alone in a high resistance state is to be formed as a transparent conductive layer, it is necessary to introduce a large amount of oxygen into the ITO layer by increasing the oxygen partial pressure in the mixed gas at the time of film formation. However, in this method, a large amount of oxygen is introduced into the ITO layer, and the oxygen is desorbed with time, and the sheet resistance thereof is lowered with time.

これに対し、本実施形態では、混合ガス中の酸素分圧を高くせずとも、高抵抗状態の透明導電層１２が得られるターゲット材を用いている。この理由は、次の図２で説明される。   On the other hand, in the present embodiment, a target material is used which can obtain the transparent conductive layer 12 in the high resistance state without increasing the partial pressure of oxygen in the mixed gas. The reason for this is explained in the following FIG.

図２は、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いた場合の酸素流量と、透明導電層のシート抵抗との関係を示す概略的グラフ図である。   FIG. 2 is a schematic graph showing the relationship between the flow rate of oxygen and the sheet resistance of the transparent conductive layer when a target material containing tin oxide and niobium oxide is used.

図２の横軸は、成膜時における酸素の流量（ｓｃｃｍ）であり、縦軸は、透明導電層１２のシート抵抗（Ω／ｓｑ．）である。図２には、透明導電層１２を大気中に室温で放置した場合と、１２０℃で６０分、大気中に放置した場合の結果が示されている。ここで、矢印Ａは、所望の高抵抗状態（１×１０７（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．））の範囲を意味する。この範囲は一例であり、高抵抗状態は、矢印Ａで示す範囲に限らない。The horizontal axis in FIG. 2 is the flow rate (sccm) of oxygen at the time of film formation, and the vertical axis is the sheet resistance (Ω / sq.) Of the transparent conductive layer 12. FIG. 2 shows the results when the transparent conductive layer 12 is left in the air at room temperature and when it is left in the air at 120 ° C. for 60 minutes. Here, the arrow A means a range of a desired high resistance state (1 × 10 7 (Ω / sq.) Or more and 1 × 10 10 (Ω / sq.)). This range is an example, and the high resistance state is not limited to the range indicated by arrow A.

図２に示すように、透明導電層１２を大気中に室温で放置する場合（△）には、酸素流量が１．０ｓｃｃｍ以上２．５ｓｃｃｍ以下の範囲で、流量が１．５ｓｃｃｍのときに透明導電層１２のシート抵抗が極小になる。そして、この極小値（１×１０８（Ω／ｓｑ．））は、所望の高抵抗状態の範囲内に収まっている。As shown in FIG. 2, when the transparent conductive layer 12 is left in the air at room temperature (Δ), the oxygen flow rate is in the range of 1.0 sccm to 2.5 sccm and the transparent flow is 1.5 sccm. The sheet resistance of the conductive layer 12 is minimized. And, this local minimum (1 × 10 8 (Ω / sq.)) Is within the range of the desired high resistance state.

また、透明導電層１２を１２０℃で６０分、大気中に放置した場合（○）には、酸素流量が１．０ｓｃｃｍ以上２．５ｓｃｃｍ以下の範囲で、流量が２．５ｓｃｃｍのときに透明導電層１２のシート抵抗が極小になる。そして、この極小値（１×１０７（Ω／ｓｑ．））は、所望の高抵抗状態の範囲内にある。比較のために、ＩＴＯからなるターゲット材を用いた場合の酸素流量と、ＩＴＯ層のシート抵抗との関係を以下に説明する。When the transparent conductive layer 12 is left in the air at 120 ° C. for 60 minutes (o), the transparent conductive layer 12 has an oxygen flow rate of 1.0 sccm or more and 2.5 sccm or less and a flow rate of 2.5 sccm. The sheet resistance of layer 12 is minimized. And, this local minimum (1 × 10 7 (Ω / sq.)) Is within the range of the desired high resistance state. For comparison, the relationship between the oxygen flow rate when using a target material made of ITO and the sheet resistance of the ITO layer will be described below.

図３は、比較例としてのＩＴＯからなるターゲット材を用いた場合の酸素流量と、ＩＴＯ層のシート抵抗との関係を示す概略的グラフ図である。   FIG. 3 is a schematic graph showing the relationship between the oxygen flow rate and the sheet resistance of the ITO layer when using a target material made of ITO as a comparative example.

図３に示すように、ＩＴＯからなるターゲット材を用いた場合には、所望の高抵抗状態のＩＴＯ層を得るために、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いた場合に比べて、酸素の流量（酸素分圧）を高くする必要がある。例えば、ＩＴＯ層に、４．５ｓｃｃｍ以上の酸素を導入している。但し、このようなＩＴＯ層では、酸素が経時的に脱離する場合がある。   As shown in FIG. 3, when using a target material made of ITO, in order to obtain a desired high resistance state ITO layer, compared to using a target material containing tin oxide and niobium oxide, It is necessary to increase the flow rate of oxygen (oxygen partial pressure). For example, oxygen of 4.5 sccm or more is introduced into the ITO layer. However, in such an ITO layer, oxygen may be released over time.

これに対し、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いた場合には、混合ガス中の流量（酸素分圧）を高くせずとも、所望の高抵抗状態の透明導電層１２が得られる。つまり、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いれば、酸素を過剰に透明導電層１２内に導入しなくても、所望の高抵抗状態の透明導電層１２が形成される。換言すれば、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いれば、ＩＴＯ層を形成する場合に比べて、少ない量の酸素を透明導電層１２に導入することで高抵抗状態の透明導電層１２が得られる。   On the other hand, when a target material containing tin oxide and niobium oxide is used, the desired transparent conductive layer 12 can be obtained without increasing the flow rate (oxygen partial pressure) in the mixed gas. . That is, if a target material containing tin oxide and niobium oxide is used, the transparent conductive layer 12 in a desired high resistance state can be formed without introducing oxygen into the transparent conductive layer 12 in excess. In other words, if a target material containing tin oxide and niobium oxide is used, a smaller amount of oxygen is introduced into the transparent conductive layer 12 as compared to the case of forming the ITO layer, and the transparent conductive layer 12 in the high resistance state Is obtained.

これにより、透明導電層１２においては、酸化物の還元が長時間にわたり抑制され、高抵抗状態が長時間にわたり維持される。この結果、液晶パネル１は、タッチ感度の劣化がなく、帯電による誤動作が少なく、動作信頼性が高い液晶パネルになる。なお、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いた場合、酸素の流量が１ｓｃｃｍ（分圧０．００５Ｐａ）より小さくなると、例えば、透明導電層１２の光透過率が低下し好ましくない。また、酸化スズと酸化ニオブとを含むターゲット材を用いた場合、酸素の流量が１０ｓｃｃｍ（分圧０．０５Ｐａ）より大きくなると、例えば、透明導電層１２に酸素が多く導入され、透明導電層１２から酸素が経時的に脱離しやすくなり好ましくない。

Thereby, in the transparent conductive layer 12, the reduction of the oxide is suppressed for a long time, and the high resistance state is maintained for a long time. As a result, the liquid crystal panel 1 does not deteriorate in touch sensitivity, becomes less prone to malfunction due to charging, and becomes a liquid crystal panel with high operation reliability. In the case of using a target material containing tin oxide and niobium oxide, if the flow rate of oxygen is smaller than 1 sccm (partial pressure 0.005 Pa), for example, the light transmittance of the transparent conductive layer 12 is unfavorably lowered . When a target material containing tin oxide and niobium oxide is used, for example, a large amount of oxygen is introduced into the transparent conductive layer 12 when the flow rate of oxygen exceeds 10 sccm (partial pressure 0.05 Pa), and the transparent conductive layer 12 is formed. It is not preferable because oxygen tends to be desorbed with time.

また、上記の混合ガス（Ａｒ／Ｏ２）には、さらに窒素（Ｎ２）が含有されて、透明導電層１２が形成されてもよい。この場合、透明導電層１２には、例えば、窒素（Ｎ）が不純物元素として導入される。成膜条件は、以下の通りである。Moreover, nitrogen (N 2 ) may be further contained in the above mixed gas (Ar / O 2 ) to form the transparent conductive layer 12. In this case, for example, nitrogen (N) is introduced as an impurity element into the transparent conductive layer 12. The film formation conditions are as follows.

ターゲット材：酸化スズ／酸化ニオブ（１０ｗｔ％）
放電ガス：アルゴン（Ａｒ）／酸素（Ｏ２）／窒素（Ｎ２）
ガス全圧：０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下
アルゴン分圧：０．２Ｐａ（流量４０ｓｃｃｍ）
酸素分圧：０．００５Ｐａ（流量１．０ｓｃｃｍ）以上０．０５Ｐａ（１０ｓｃｃｍ）以下、好ましくは、０．００５Ｐａ（流量１．０ｓｃｃｍ）以上０．０１３Ｐａ（流量２．５ｓｃｃｍ）以下
窒素分圧：０．０２５Ｐａ（流量５．０ｓｃｃｍ）以上０．１Ｐａ（流量２０ｓｃｃｍ）以下
基板温度：２５℃設定Target material: Tin oxide / niobium oxide (10 wt%)
Discharge gas: argon (Ar) / oxygen (O 2 ) / nitrogen (N 2 )
Total gas pressure: 0.1 Pa or more and 1.0 Pa or less Argon partial pressure: 0.2 Pa (flow rate 40 sccm)
Oxygen partial pressure: 0.005 Pa (flow rate 1.0 sccm) or more and 0.05 Pa (10 sccm) or less, preferably, 0.005 Pa (flow rate 1.0 sccm) or more and 0.013 Pa (flow rate 2.5 sccm) or less Nitrogen partial pressure: 0 .025 Pa (flow rate 5.0 sccm) or more and 0.1 Pa (flow rate 20 sccm) or less Substrate temperature: 25 ° C. set

図４は、アルゴン及び酸素の混合ガスに窒素を添加した場合の窒素流量と、透明導電層のシート抵抗との関係を示す概略的グラフ図である。   FIG. 4 is a schematic graph showing the relationship between the nitrogen flow rate when nitrogen is added to the mixed gas of argon and oxygen, and the sheet resistance of the transparent conductive layer.

図４の横軸は、成膜時における窒素の流量（ｓｃｃｍ）であり、縦軸は、透明導電層１２のシート抵抗（Ω／ｓｑ．）である。図４には、透明導電層１２を１２０℃で６０分、大気中に放置した場合の結果が示されている。   The horizontal axis of FIG. 4 is the flow rate (sccm) of nitrogen at the time of film formation, and the vertical axis is the sheet resistance (Ω / sq.) Of the transparent conductive layer 12. FIG. 4 shows the results when the transparent conductive layer 12 is left in the air at 120 ° C. for 60 minutes.

図４に示すように、混合ガス（Ａｒ／Ｏ２）に添加した窒素の流量が変化すると、透明導電層１２のシート抵抗が所望の高抵抗状態の範囲内で変化する。例えば、窒素の流量を５ｓｃｃｍ以上２０ｓｃｃｍ以下の範囲で増加させると、透明導電層１２のシート抵抗が窒素流量の増加に応じて増加する。つまり、窒素の流量を調整することにより、透明導電層１２のシート抵抗を制御することができる。As shown in FIG. 4, when the flow rate of nitrogen added to the mixed gas (Ar / O 2 ) changes, the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 changes within the desired high resistance state range. For example, when the flow rate of nitrogen is increased in the range of 5 sccm or more and 20 sccm or less, the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 increases with the increase in nitrogen flow rate. That is, the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 can be controlled by adjusting the flow rate of nitrogen.

例えば、本実施形態においては、透明導電層１２の成膜時に、透明導電層１２が還元されにくい程度に、混合ガス（Ａｒ／Ｏ２）中の酸素の割合が調整されて透明導電層１２が形成される。一例として、透明導電層１２が１２０℃で６０分、大気中に放置される場合には、酸素流量が２．５ｓｃｃｍに調整される。そして、この成膜時には、酸素の割合とは独立して、窒素の割合を調整することにより、透明導電層１２のシート抵抗を所定の抵抗に制御することができる。For example, in the present embodiment, when the transparent conductive layer 12 is formed, the ratio of oxygen in the mixed gas (Ar / O 2 ) is adjusted to such an extent that the transparent conductive layer 12 is hardly reduced It is formed. As an example, when the transparent conductive layer 12 is left in the air at 120 ° C. for 60 minutes, the oxygen flow rate is adjusted to 2.5 sccm. And at the time of this film formation, the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 can be controlled to a predetermined resistance by adjusting the proportion of nitrogen independently of the proportion of oxygen.

これにより、酸化物の還元が長時間にわたり確実に抑制され、さらに、窒素の添加量によって所望のシート抵抗に調整された透明導電層１２が得られる。   Thereby, the reduction of the oxide is surely suppressed over a long time, and furthermore, the transparent conductive layer 12 adjusted to a desired sheet resistance by the addition amount of nitrogen is obtained.

なお、成膜方法の例示では、カラーフィルタ基板１４に透明導電層１２が形成されている。本実施形態においては、予めカラーフィルタ基板１４と対向基板２０とを対向させ、カラーフィルタ基板１４と対向基板２０との間に液晶４０が注入された後、カラーフィルタ基板１４に透明導電層１２が形成されてもよい。この場合においても、透明導電層１２の成膜条件は同じである。   In the illustration of the film forming method, the transparent conductive layer 12 is formed on the color filter substrate 14. In the present embodiment, after the color filter substrate 14 and the opposite substrate 20 are made to face each other in advance and the liquid crystal 40 is injected between the color filter substrate 14 and the opposite substrate 20, the transparent conductive layer 12 is formed on the color filter substrate 14. It may be formed. Also in this case, the film forming conditions of the transparent conductive layer 12 are the same.

［透明導電層の評価］
図５は、透明導電層の光透過率を示す概略的グラフ図である。
図５の横軸は、波長（ｎｍ）であり、縦軸は、光透過率（％）である。[Evaluation of transparent conductive layer]
FIG. 5 is a schematic graph showing the light transmittance of the transparent conductive layer.
The horizontal axis in FIG. 5 is the wavelength (nm), and the vertical axis is the light transmittance (%).

また、図５には、透明導電層１２を１２０℃で６０分、大気中に放置した場合の結果が示されている。図５における成膜条件は、以下の通りである。   Moreover, the result at the time of leaving the transparent conductive layer 12 in air | atmosphere at 120 degreeC for 60 minutes is shown by FIG. The film forming conditions in FIG. 5 are as follows.

ターゲット材：酸化スズ／酸化ニオブ（１０ｗｔ％）
放電ガス：アルゴン（Ａｒ）／酸素（Ｏ２）／窒素（Ｎ２）
ガス全圧：０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下
アルゴン分圧：０．２Ｐａ（流量４０ｓｃｃｍ）
酸素分圧：０．０１３Ｐａ（流量２．５ｓｃｃｍ）
窒素分圧：０Ｐａ（流量０ｓｃｃｍ）以上０．１Ｐａ（流量２０ｓｃｃｍ）以下
基板温度：２５℃設定Target material: Tin oxide / niobium oxide (10 wt%)
Discharge gas: argon (Ar) / oxygen (O 2 ) / nitrogen (N 2 )
Total gas pressure: 0.1 Pa or more and 1.0 Pa or less Argon partial pressure: 0.2 Pa (flow rate 40 sccm)
Oxygen partial pressure: 0.013 Pa (flow rate 2.5 sccm)
Nitrogen partial pressure: 0 Pa (flow rate 0 sccm) or more and 0.1 Pa (flow rate 20 sccm) or less Substrate temperature: 25 ° C. set

図５に示すように、窒素分圧を０Ｐａ（流量０ｓｃｃｍ）以上０．１Ｐａ（流量２０ｓｃｃｍ）以下の範囲で変化させた上記の成膜条件では、いずれの成膜条件でも透明導電層１２の光透過率スペクトルは、略同じライン上に乗っている。例えば、窒素分圧を０Ｐａ（流量０ｓｃｃｍ）以上０．１Ｐａ（流量２０ｓｃｃｍ）以下の範囲で変化させた上記の成膜条件では、透明導電層１２の透過率は、波長４００ｎｍにおいて９４．０％以上であり、波長５５０ｎｍにおいて９８．５％以上であり、波長７００ｎｍにおいて９９．４％以上になる。このように、本実施形態では、高い光透過率を有する透明導電層１２が得られている。   As shown in FIG. 5, under the above film forming conditions in which the nitrogen partial pressure is changed in the range of 0 Pa (flow rate 0 sccm) or more and 0.1 Pa (flow rate 20 sccm) or less, the light of the transparent conductive layer 12 is obtained under any film forming conditions. The transmittance spectra are on substantially the same line. For example, under the above film forming conditions in which the nitrogen partial pressure is changed in the range of 0 Pa (flow rate 0 sccm) or more and 0.1 Pa (flow rate 20 sccm) or less, the transmittance of the transparent conductive layer 12 is 94.0% or more at a wavelength of 400 nm. It is 98.5% or more at a wavelength of 550 nm and 99.4% or more at a wavelength of 700 nm. Thus, in the present embodiment, the transparent conductive layer 12 having high light transmittance is obtained.

図６及び図７は、透明導電層のシート抵抗の経時変化を示す概略的グラフ図である。
図６、７の横軸は、時間（ｈ）であり、縦軸は、シート抵抗（Ω／ｓｑ．）である。
図６には、透明導電層１２を室温で、大気中に放置した場合の結果が示されている。
図７には、透明導電層１２を６０℃、水蒸気９０ＲＨ％下で放置した場合の結果が示されている。図６、７における成膜条件は、以下の通りである。FIG.6 and FIG.7 is a schematic graph which shows a time-dependent change of the sheet resistance of a transparent conductive layer.
The horizontal axis in FIGS. 6 and 7 is time (h), and the vertical axis is sheet resistance (Ω / sq.).
FIG. 6 shows the results when the transparent conductive layer 12 is left in the air at room temperature.
The result at the time of leaving the transparent conductive layer 12 under 60 degreeC and 90 RH% of water vapor | steam is shown by FIG. The film forming conditions in FIGS. 6 and 7 are as follows.

ターゲット材：酸化スズ／酸化ニオブ（１０ｗｔ％）
放電ガス：アルゴン（Ａｒ）／酸素（Ｏ２）／窒素（Ｎ２）
ガス全圧：０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下
アルゴン分圧：０．２Ｐａ（流量４０ｓｃｃｍ）
酸素分圧：０．０１３Ｐａ（流量２．５ｓｃｃｍ）
窒素分圧：０Ｐａ（流量０ｓｃｃｍ）以上０．０５Ｐａ（流量１０ｓｃｃｍ）以下
基板温度：２５℃設定Target material: Tin oxide / niobium oxide (10 wt%)
Discharge gas: argon (Ar) / oxygen (O 2 ) / nitrogen (N 2 )
Total gas pressure: 0.1 Pa or more and 1.0 Pa or less Argon partial pressure: 0.2 Pa (flow rate 40 sccm)
Oxygen partial pressure: 0.013 Pa (flow rate 2.5 sccm)
Nitrogen partial pressure: 0 Pa (flow rate 0 sccm) or more and 0.05 Pa (flow rate 10 sccm) or less Substrate temperature: 25 ° C. set

図６及び図７に示すように、透明導電層１２を大気中または恒温恒湿条件下に放置しても、透明導電層１２のシート抵抗が２００時間以上にわたり所望の高抵抗状態で維持されている。このように、本実施形態によれば、帯電防止層として、経時劣化の少ない透明導電層１２を得ることができる。   As shown in FIGS. 6 and 7, even when the transparent conductive layer 12 is left in the air or under constant temperature and humidity conditions, the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 is maintained in a desired high resistance state for 200 hours or more. There is. As described above, according to the present embodiment, it is possible to obtain, as the antistatic layer, the transparent conductive layer 12 which is less likely to deteriorate with time.

図８は、透明導電層の耐食性を示す概略的グラフ図である。
図８において、横軸は、透明導電層１２及びＩＴＯ層をリン硝酢酸に浸漬させた時間（ｍｉｎ）であり、縦軸は、シート抵抗（Ω／ｓｑ．）である。
成膜条件は、以下の通りである。成膜時の酸素分圧については、透明導電層１２及びＩＴＯ層のシート抵抗が１×１０８（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．）以下に収まるように調整されている。FIG. 8 is a schematic graph showing the corrosion resistance of the transparent conductive layer.
In FIG. 8, the horizontal axis is the time (min) in which the transparent conductive layer 12 and the ITO layer are immersed in phosphorus nitrate acetic acid, and the vertical axis is the sheet resistance (Ω / sq.).
The film formation conditions are as follows. The partial pressure of oxygen during film formation is adjusted so that the sheet resistance of the transparent conductive layer 12 and the ITO layer falls within the range of 1 × 10 8 (Ω / sq.) To 1 × 10 10 (Ω / sq.). There is.

透明導電層１２の成膜条件：
ターゲット材：酸化スズ／酸化ニオブ（１０ｗｔ％）
放電ガス：アルゴン（Ａｒ）／酸素（Ｏ２）
ガス全圧：０．２１Ｐａ
アルゴン分圧：０．２Ｐａ（流量４０ｓｃｃｍ）
膜厚：１０ｎｍ
基板温度：２５℃設定Film forming conditions of the transparent conductive layer 12:
Target material: Tin oxide / niobium oxide (10 wt%)
Discharge gas: argon (Ar) / oxygen (O 2 )
Gas total pressure: 0.21 Pa
Argon partial pressure: 0.2 Pa (flow rate 40 sccm)
Film thickness: 10 nm
Board temperature: 25 ° C setting

ＩＴＯ層の成膜条件：
ターゲット材：酸化インジウム／酸化スズ（１０ｗｔ％）
放電ガス：アルゴン（Ａｒ）／酸素（Ｏ２）
ガス全圧：０．２３Ｐａ
アルゴン分圧：０．２Ｐａ（流量４０ｓｃｃｍ）
膜厚：１０ｎｍ
基板温度：２５℃設定Deposition conditions of ITO layer:
Target material: indium oxide / tin oxide (10 wt%)
Discharge gas: argon (Ar) / oxygen (O 2 )
Gas total pressure: 0.23 Pa
Argon partial pressure: 0.2 Pa (flow rate 40 sccm)
Film thickness: 10 nm
Board temperature: 25 ° C setting

図８に示すように、ＩＴＯ層においては、成膜直後のシート抵抗が２．１×１０９（Ω／ｓｑ．）であった。この後、ＩＴＯ層がリン硝酢酸に１０分間浸漬されると、ＩＴＯ層の膜厚が減少し、シート抵抗が２．５×１０１４（Ω／ｓｑ．）にまで上昇した。As shown in FIG. 8, in the ITO layer, the sheet resistance immediately after film formation was 2.1 × 10 9 (Ω / sq.). After that, when the ITO layer was immersed in phosphorus nitrate acetic acid for 10 minutes, the film thickness of the ITO layer decreased, and the sheet resistance increased to 2.5 × 10 14 (Ω / sq.).

これに対し、透明導電層１２においては、成膜直後のシート抵抗が２．０×１０８（Ω／ｓｑ．）であった。この後、透明導電層１２は、リン硝酢酸に浸漬されたものの、膜厚減少がＩＴＯ層に比べて抑制された。例えば、リン硝酢酸に透明導電層１２が５分間浸漬された後のシート抵抗は、２．８×１０８（Ω／ｓｑ．）となり、１０分間浸漬された後のシート抵抗は、３．１×１０８（Ω／ｓｑ．）となり、２０分間浸漬された後のシート抵抗は、２．３×１０８（Ω／ｓｑ．）となった。このように、透明導電層１２においては、リン硝酢酸に浸漬させてもＩＴＯ層ほどのシート抵抗の増加がおきなかった。つまり、透明導電層１２の酸に対する耐食性は、ＩＴＯ層の酸に対する耐食性に比べて高い。On the other hand, in the transparent conductive layer 12, the sheet resistance immediately after film formation was 2.0 × 10 8 (Ω / sq.). After that, although the transparent conductive layer 12 was immersed in phosphorus nitrate acetic acid, the film thickness reduction was suppressed as compared with the ITO layer. For example, the sheet resistance after immersing the transparent conductive layer 12 for 5 minutes in phosphorous nitric acid is 2.8 × 10 8 (Ω / sq.), And the sheet resistance after being immersed for 10 minutes is 3.1 × 10 8 (Ω / sq. ) , and the sheet resistance after being immersed for 20 minutes became 2.3 × 10 8 (Ω / sq .). As described above, in the transparent conductive layer 12, the sheet resistance did not increase as much as the ITO layer, even if it was immersed in phosphorus nitrate acetic acid. That is, the corrosion resistance of the transparent conductive layer 12 to acid is higher than the corrosion resistance of the ITO layer to acid.

また、成膜温度が２５℃の成膜条件では、透明導電層１２及びＩＴＯ層は、一般的に、非晶質層になる。ここで、ＩＴＯ層においては、高温アニール処理を施すことにより、結晶性が良好になり、その耐食性が増すことが知られている。しかし、液晶パネルは、スリミング処理により薄くされ、加熱されると液晶中の空気膨張により割れてしまう。従って、結晶性のよいＩＴＯ層を液晶パネルに設けることができない。   In addition, under the film forming conditions where the film forming temperature is 25 ° C., the transparent conductive layer 12 and the ITO layer generally become an amorphous layer. Here, in the ITO layer, it is known that the crystallinity is improved and the corrosion resistance thereof is increased by performing a high temperature annealing treatment. However, the liquid crystal panel is thinned by slimming treatment, and when heated, it is broken due to air expansion in the liquid crystal. Therefore, an ITO layer with good crystallinity can not be provided in a liquid crystal panel.

これに対して、本実施形態では、カラーフィルタ基板１４上に透明導電層１２を室温のまま成膜できる。そして、透明導電層１２が非晶質であっても、その耐食性が高いため、信頼性の高い液晶パネルが実現する。また、液晶パネル１では、透明導電層１２に対する高温アニール処理が不要になり、製造プロセスがより簡略化される。   On the other hand, in the present embodiment, the transparent conductive layer 12 can be formed on the color filter substrate 14 at room temperature. And even if the transparent conductive layer 12 is amorphous, since its corrosion resistance is high, a highly reliable liquid crystal panel is realized. Moreover, in the liquid crystal panel 1, the high temperature annealing process with respect to the transparent conductive layer 12 becomes unnecessary, and a manufacturing process is further simplified.

また、表１には、透明導電層の硬度の比較が示されている。   Table 1 also shows the comparison of the hardness of the transparent conductive layer.

Figure 0006507311
Figure 0006507311

表１において、アニール処理の条件は、大気雰囲気で２４０℃、４０分である。また、「ＨＭ」は、マルテンス硬さである。「ＨＩＴ」は、ナノインデンテーション硬さである。「ＨＶ」は、ビッカース硬さである。膜厚は、１０００ｎｍである。   In Table 1, the annealing conditions are 240 ° C. and 40 minutes in the air. Moreover, "HM" is Martens hardness. "HIT" is nanoindentation hardness. "HV" is Vickers hardness. The film thickness is 1000 nm.

表１に示すように、透明導電層１２のマルテンス硬さ、ナノインデンテーション硬さ及びビッカース硬さは、ＩＴＯ層のそれらよりも増加している。これにより、透明導電層１２を備えた液晶パネル１の耐久性は、より向上する。   As shown in Table 1, the Martens hardness, nanoindentation hardness and Vickers hardness of the transparent conductive layer 12 are greater than those of the ITO layer. Thereby, the durability of the liquid crystal panel 1 provided with the transparent conductive layer 12 is further improved.

例えば、透明導電層１２のビッカース硬さ（ＨＶ）が増加したことにより、ＩＴＯ層を用いた場合に比べて、耐傷性が優れる。   For example, since the Vickers hardness (HV) of the transparent conductive layer 12 is increased, the scratch resistance is excellent as compared with the case where an ITO layer is used.

このほか、透明導電材としては、酸化亜鉛、酸化チタンがある。しかし、酸化亜鉛層のリン硝酢酸に対する耐性は、透明導電層１２に比べて劣ることが分かっている。一方、酸化チタン層の屈折率は、透明導電層１２に比べて高く、酸化チタン層と酸化チタン層に接触する層との界面でより光反射がおきやすくなる。   Besides, as a transparent conductive material, there are zinc oxide and titanium oxide. However, it is known that the resistance to zinc nitrate acetic acid of the zinc oxide layer is inferior to that of the transparent conductive layer 12. On the other hand, the refractive index of the titanium oxide layer is higher than that of the transparent conductive layer 12, and light reflection is more likely to occur at the interface between the titanium oxide layer and the layer in contact with the titanium oxide layer.

以上説明したように、本実施形態によれば、長期にわたって動作特性が安定した、透明導電層付き基板１０、液晶パネル１が得られる。また、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。   As described above, according to the present embodiment, the substrate 10 with a transparent conductive layer and the liquid crystal panel 1 having stable operating characteristics over a long period of time can be obtained. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that various modifications can be made.

１…液晶パネル
１０…透明導電層付き基板
１１…透明基板
１１ａ、１１ｂ…表面
１２…透明導電層
１４…カラーフィルタ基板
１５…カラーフィルタ
２０…対向基板
２１…透明基板
２１ａ、２１ｂ…表面
２２…機能層
４０…液晶
４１…スペーサ
５０、５１…偏光板
６０…カバーガラス
７０…指DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal panel 10 ... Substrate with a transparent conductive layer 11 ... Transparent substrate 11a, 11b ... Surface 12 ... Transparent conductive layer 14 ... Color filter substrate 15 ... Color filter 20 ... Counter substrate 21 ... Transparent substrate 21a, 21b ... Surface 22 ... Function Layer 40 ... Liquid crystal 41 ... Spacer 50, 51 ... Polarizing plate 60 ... Cover glass 70 ... Finger

Claims (8)

透明基板と、カラーフィルタとを有する基板と、
前記基板上に設けられ、酸化スズを主成分とし、副成分である、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率が５ｗｔ％以上１５％ｗｔ以下である透明導電層と
を具備し、
前記透明基板は、前記透明導電層と前記カラーフィルタとの間に設けられている
透明導電層付き基板。 A substrate having a transparent substrate and a color filter,
A transparent conductive layer provided on the substrate, containing tin oxide as a main component, and a content of at least one of niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide as auxiliary components being 5 wt% or more and 15 wt% or less; And
The substrate with a transparent conductive layer provided between the transparent conductive layer and the color filter. 請求項１に記載の透明導電層付き基板であって、
前記透明導電層のシート抵抗は、１×１０７（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．）以下であり、
前記透明導電層の透過率は、波長５５０ｎｍにおいて９８．５％以上である
透明導電層付き基板。 The substrate with a transparent conductive layer according to claim 1, wherein
The sheet resistance of the transparent conductive layer is 1 × 10 7 (Ω / sq.) Or more and 1 × 10 10 (Ω / sq.) Or less,
The transparent conductive layer has a transmittance of 98.5% or more at a wavelength of 550 nm. 請求項１または２に記載の透明導電層付き基板であって、
前記透明導電層の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である
透明導電層付き基板。 A substrate with a transparent conductive layer according to claim 1 or 2, wherein
The thickness of the transparent conductive layer is 5 nm or more and 15 nm or less. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の透明導電層付き基板であって、
前記透明導電層は、窒素を含有する
透明導電層付き基板。 A substrate with a transparent conductive layer according to any one of claims 1 to 3, wherein
The transparent conductive layer contains nitrogen. A substrate with a transparent conductive layer. 第１の面と第２の面とを有する第１の透明基板と、前記第１の面上に設けられ、酸化スズを主成分とし、副成分である、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化アンチモンの少なくともいずれかの含有率が５ｗｔ％以上１５％ｗｔ以下である透明導電層と、前記第２の面上に設けられたカラーフィルタとを有する透明導電層付き基板と、
第２の透明基板と、前記第２の透明基板上に設けられた感知センサ用電極及び液晶駆動用電子回路とを有する対向基板と、
前記透明導電層付き基板と前記対向基板との間に設けられ、前記液晶駆動用電子回路によって駆動制御される液晶と
を具備する液晶パネル。 A first transparent substrate having a first surface and a second surface, and niobium oxide, tantalum oxide and antimony oxide provided on the first surface and containing tin oxide as a main component and subcomponents A substrate with a transparent conductive layer having a transparent conductive layer having a content of at least one of 5 wt% to 15 wt% and a color filter provided on the second surface;
An opposing substrate having a second transparent substrate, a sensing sensor electrode provided on the second transparent substrate, and a liquid crystal driving electronic circuit;
A liquid crystal panel comprising a liquid crystal provided between the substrate with a transparent conductive layer and the counter substrate and driven and controlled by the liquid crystal driving electronic circuit. 請求項５に記載の液晶パネルであって、
前記透明導電層のシート抵抗は、１×１０７（Ω／ｓｑ．）以上１×１０１０（Ω／ｓｑ．）以下であり、
前記透明導電層の透過率は、波長５５０ｎｍにおいて９８．５％以上である
液晶パネル。 A liquid crystal panel according to claim 5, wherein
The sheet resistance of the transparent conductive layer is 1 × 10 7 (Ω / sq.) Or more and 1 × 10 10 (Ω / sq.) Or less,
The transmittance of the transparent conductive layer is 98.5% or more at a wavelength of 550 nm. 請求項５または６に記載の液晶パネルであって、
前記透明導電層の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である
液晶パネル。 It is a liquid crystal panel according to claim 5 or 6,
The thickness of the transparent conductive layer is 5 nm or more and 15 nm or less. 請求項５〜７のいずれか１つに記載の液晶パネルであって、
前記透明導電層は、窒素を含有する
液晶パネル。 The liquid crystal panel according to any one of claims 5 to 7, wherein
The transparent conductive layer contains nitrogen.
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