JP6505362B2 - Thermosetting die bonding film, die bonding film with dicing sheet, method of manufacturing thermosetting die bonding film, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、熱硬化型ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a thermosetting die bond film, a die bond film with a dicing sheet, a method of manufacturing a thermosetting die bond film, and a method of manufacturing a semiconductor device.

近年、半導体装置のデータ処理の高速化が進むにつれて、半導体チップからの発熱量が多くなり、放熱性を持たせた半導体装置の設計の重要性が増している。熱は、半導体装置そのものに対してはもちろん、それを組み込んだ電子機器本体にもさまざまな悪影響を及ぼす。放熱のためのパッケージ対策としては様々な方法が考えられるが、もっとも重要なのがプリント基板やリードフレームなどの基板を介しての放熱である。   In recent years, as the speed of data processing of semiconductor devices advances, the amount of heat generation from the semiconductor chip increases, and the importance of the design of semiconductor devices having heat dissipation is increasing. Heat adversely affects the semiconductor device itself as well as the electronic device body incorporating it. Although various methods can be considered as a package countermeasure for heat dissipation, the most important thing is heat dissipation via a substrate such as a printed circuit board or a lead frame.

そこで従来、基板と半導体チップの接着には高熱伝導性を有する接着剤が使用される場合がある。従来この接着剤としては、接着剤の中でも比較的熱伝導率の高い銀ペーストが使用されている。   Therefore, conventionally, an adhesive having high thermal conductivity may be used to bond the substrate and the semiconductor chip. Among such adhesives, silver paste having a relatively high thermal conductivity is conventionally used as this adhesive.

しかしながら、近年、スマートフォンやタブレットＰＣが普及し、高性能化することで、半導体装置の軽薄、短小化が進むにつれて銀ペーストでは半導体装置の組み立てが困難な状況が出てきている。   However, in recent years, with the spread of smartphones and tablet PCs and higher performance, as semiconductor devices have become lighter and thinner and shorter, it has become difficult to assemble semiconductor devices using silver paste.

具体的には、スマートフォンやタブレットＰＣの用途にはチップ面積が小さく、薄い半導体チップを用いたパッケージが用いられる。しかしながら、このような半導体チップをペースト状の接着剤で接着しようとすると、半導体チップが薄いために半導体チップが割れてしまったり、半導体チップの回路面に接着剤が回り込んだり、半導体チップに傾きが発生するなど様々な製造上の問題が発生する。また、ペースト状の接着剤は接着させて硬化させるプロセス中でボイドを発生し易い。そのため、半導体チップと基板との間に発生したボイドが放熱の妨げになり、設計通りの熱伝導性（放熱性）を発現できないなどの不良の原因になる。   Specifically, a package having a small chip area and a thin semiconductor chip is used for smartphones and tablet PCs. However, when trying to bond such a semiconductor chip with a paste-like adhesive, the semiconductor chip may be broken because the semiconductor chip is thin, or the adhesive may wrap around the circuit surface of the semiconductor chip, or may be inclined to the semiconductor chip. Causes various manufacturing problems such as Also, paste-like adhesives tend to generate voids during the process of bonding and curing. Therefore, the void generated between the semiconductor chip and the substrate interferes with the heat radiation, causing defects such as failure to exhibit the thermal conductivity (heat radiation property) as designed.

一方、従来、シート状のダイボンドフィルムが知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなダイボンドフィルムを使用すれば、チップの割れ、接着剤の回り込み、チップの傾きは抑制することができる。しかしながら、従来のダイボンドフィルムは、銀ペーストに比べて熱伝導性が低い点で改良の余地がある。   On the other hand, a sheet-like die-bonding film is conventionally known (see, for example, Patent Document 1). If such a die-bonding film is used, chip cracking, adhesive wrap around, and chip tilting can be suppressed. However, the conventional die bond film has room for improvement in that it has lower thermal conductivity than silver paste.

特開２００８−２１８５７１号公報JP, 2008-218571, A

ダイボンドフィルムを高熱伝導性にするには、高熱伝導性の熱伝導性粒子を高充填に配合する必要がある。しかしながら、ダイボンドフィルムに熱伝導性粒子を高充填にした状態では、ダイボンドフィルムの表面の凹凸が大きくなる。そのため、ダイシングシート上に積層された状態から剥離する際の剥離力が、局所的に大きくなったり小さくなったりし、安定しないといった問題がある。   In order to make the die-bonding film have high thermal conductivity, it is necessary to blend high thermal conductivity thermally conductive particles in a high loading. However, in the state in which the thermally conductive particles are highly filled in the die bond film, the unevenness of the surface of the die bond film becomes large. Therefore, there is a problem that the peeling force at the time of peeling from the laminated state on the dicing sheet locally becomes large or small and is not stable.

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、熱伝導性粒子を高充填に配合させつつ、表面の凹凸を小さくし、ダイシングシート上に積層された状態から剥離する際の剥離力を安定させることが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、及び、当該熱硬化型ダイボンドフィルムを有するダイシングシート付きダイボンドフィルムを提供することにある。
また、当該熱硬化型ダイボンドフィルムの製造方法、及び、当該ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its object is to reduce the surface irregularities while blending the thermally conductive particles in a high filling, and to peel off the laminated state on the dicing sheet. It is an object of the present invention to provide a thermosetting die-bonding film capable of stabilizing a peeling force, and a die-bonding film with a dicing sheet having the thermosetting die-bonding film.
Moreover, it is providing the manufacturing method of the said thermosetting type die-bonding film, and the manufacturing method of the semiconductor device using the said die-bonding film with a dicing sheet.

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、ダイシングシート上に積層された状態から剥離する際の剥離力を安定させることが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。   The present inventors examined a thermosetting die-bonding film in order to solve the above-mentioned conventional problems. As a result, it has been found that by adopting the following configuration, it is possible to stabilize the peeling force at the time of peeling from the state of being laminated on the dicing sheet, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、
熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有し、
一方の面の表面粗さＲａが２００ｎｍ以下であることを特徴とする。 That is, the thermosetting die-bonding film according to the present invention is
Containing 75% by weight or more of thermal conductive particles having a thermal conductivity of 12 W / m · K or more with respect to the entire thermosetting die-bonding film,
The surface roughness Ra of one side is 200 nm or less.

前記構成によれば、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しているため、高熱伝導性を有する。
また、一方の面の表面粗さＲａが２００ｎｍ以下であるため、この面を貼り合わせ面として、ダイシングシート上に貼り合わせた際、このダイシングシートから剥離する際の剥離力を安定させることができる。その結果、局所的に剥離力が小さくなり、めくれ等が発生することを抑制することができ、例えば、ダイシング時にダイシングシートと熱硬化型ダイボンドフィルムとの間に水が侵入することを防止することができる。 According to the above configuration, the thermal conductive particles having a thermal conductivity of 12 W / m · K or more are contained in an amount of 75% by weight or more with respect to the entire thermosetting die-bonding film, and thus have high thermal conductivity.
Moreover, since surface roughness Ra of one surface is 200 nm or less, when pasting together on a dicing sheet by making this field a bonding side, the exfoliation power at the time of exfoliating from this dicing sheet can be stabilized. . As a result, it is possible to suppress local peeling force reduction and generation of curling and the like, for example, to prevent water from entering between the dicing sheet and the thermosetting die bonding film at the time of dicing. Can.

前記構成において、８０℃での溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。   In the said structure, it is preferable that melt viscosity in 80 degreeC is 10000 Pa.s or less.

８０℃での溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であると、ダイシングシートの耐え得る温度（例えば、９０℃以下）の範囲内でダイシングシートに貼り合わせることができる。   When the melt viscosity at 80 ° C. is 10000 Pa · s or less, the dicing sheet can be bonded to the dicing sheet within the range of the temperature that the dicing sheet can withstand (for example, 90 ° C. or less).

また、本発明に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムは、前記熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングシートとが、表面粗さＲａが前記一方の面を貼り合わせ面にして積層されていることを特徴とする。   In the die-bonding film with a dicing sheet according to the present invention, the thermosetting die-bonding film and the dicing sheet are characterized in that the surface roughness Ra is laminated with the one surface being a bonding surface.

前記構成によれば、熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングシートとが、前記一方の面を貼り合わせ面にして積層されているため、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを前記ダイシングシートから剥離する際の剥離力を安定させることができる。   According to the above configuration, since the thermosetting die bond film and the dicing sheet are laminated with the one surface as a bonding surface, peeling force when peeling the thermosetting die bond film from the dicing sheet Can be stabilized.

また、本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムの製造方法は、
前記に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムの製造方法であって、
熱硬化型ダイボンドフィルムを形成するための接着剤組成物溶液を第１セパレータ上に塗工して塗工膜を形成する工程と、
前記塗工膜上に第２セパレータを重ね、温度４０℃〜１００℃、且つ、圧力０．０１ＭＰａ〜１．０ＭＰａの条件下、速度１〜２０ｍ／分の範囲内で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んで保持し、熱硬化型ダイボンドフィルムを形成する工程とを含むことを特徴とする。 Moreover, the method for producing a thermosetting die-bonding film of the present invention is
It is a manufacturing method of the thermosetting type die-bonding film as described above,
Applying an adhesive composition solution for forming a thermosetting die-bonding film on the first separator to form a coated film;
A second separator is stacked on the coated film, and the temperature is 40 ° C. to 100 ° C., and the pressure is 0. A thermosetting die-bonding film in which the coated film is held between the first separator and the second separator within a range of velocity 1 to 20 m / min under conditions of 0 1 M Pa to 1.0 M Pa And the step of forming

前記構成によれば、温度４０℃〜１００℃、且つ、圧力０．０１ＭＰａ〜１．０ＭＰａの条件下、速度１〜２０ｍ／分の範囲内で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んで保持し、熱硬化型ダイボンドフィルムを形成する。従って、前記塗工膜は、第１セパレータと第２セパレータとの間で平坦化される。その結果、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上と多量に含有していても、表面の凹凸が少なく、表面粗さＲａが２００ｎｍ以下の面を少なくとも一方の面に有する熱硬化型ダイボンドフィルムを製造することができる。 According to the configuration, the temperature is 40 ° C. to 100 ° C., and the pressure is 0. A thermosetting die-bonding film in which the coated film is held between the first separator and the second separator within a range of velocity 1 to 20 m / min under conditions of 0 1 M Pa to 1.0 M Pa Form Therefore, the coating film is planarized between the first separator and the second separator. As a result, even if the thermally conductive particles having a thermal conductivity of 12 W / m · K or more are contained in a large amount of 75% by weight or more with respect to the entire thermosetting die bonding film, the surface unevenness is small and the surface is rough. It is possible to produce a thermosetting die-bonding film having a surface with a thickness Ra of 200 nm or less on at least one surface.

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
前記に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程とを含むことを特徴とする。 Further, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is:
Preparing a die bond film with a dicing sheet as described above;
A bonding step of bonding the thermosetting die bond film of the die bonding film with the dicing sheet and the back surface of the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer with the thermosetting die-bonding film to form a chip-like semiconductor chip;
A pickup step of picking up the semiconductor chip from the die-bonding film with the dicing sheet together with the thermosetting die-bonding film;
And a die bonding step of die-bonding the semiconductor chip onto an adherend via the thermosetting die-bonding film.

前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムは、熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングシートとが、前記一方の面を貼り合わせ面にして積層されているため、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを前記ダイシングシートから剥離する際の剥離力を安定させることができる。従って、前記ピックアップ工程を着実に行なうことができる。   In the die-bonding film with a dicing sheet, a thermosetting die-bonding film and a dicing sheet are laminated with the one surface as a bonding surface, and therefore the thermosetting die-bonding film is peeled off from the dicing sheet Peeling force can be stabilized. Therefore, the pick-up process can be performed steadily.

本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the die-bonding film with a dicing sheet which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the die-bonding film with a dicing sheet which concerns on other embodiment of this invention. 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating one manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment.

（ダイシングシート付きダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係る熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」ともいう）、及び、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて、以下に説明する。本実施形態に係るダイボンドフィルムは、以下に説明するダイシングシート付きダイボンドフィルムにおいて、ダイシングシートが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて説明し、ダイボンドフィルムについては、その中で説明することとする。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 (Die bond film with dicing sheet)
The thermosetting die-bonding film (hereinafter, also referred to as "die-bonding film") according to an embodiment of the present invention and the die-bonding film with a dicing sheet will be described below. The die-bonding film which concerns on this embodiment can mention the thing of the state in which the dicing sheet is not bonded in the die-bonding film with a dicing sheet demonstrated below. Accordingly, hereinafter, a die-bonding film with a dicing sheet will be described, and the die-bonding film will be described therein. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a die-bonding film with a dicing sheet according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another die-bonding film with a dicing sheet according to another embodiment of the present invention.

図１に示すように、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングシート１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すダイシングシート付きダイボンドフィルム１２のように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。   As shown in FIG. 1, the die-bonding film 10 with a dicing sheet has a configuration in which a die-bonding film 3 is laminated on a dicing sheet 11. The dicing sheet 11 is configured by laminating the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the substrate 1, and the die-bonding film 3 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. Further, the present invention may have a configuration in which the die bond film 3 ′ is formed only on the work affixing portion, as in the die bond film 12 with a dicing sheet shown in FIG. 2.

前記基材１は紫外線透過性を有することが好ましく、かつダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。   The base material 1 preferably has ultraviolet ray permeability, and serves as a strength base of the die-bonding films 10 and 12 with a dicing sheet. For example, low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, polyolefin such as homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyurethane, polyester such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulf De, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like.

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。   Moreover, as a material of the base material 1, polymers, such as a crosslinked body of the said resin, are mentioned. The plastic film may be used without stretching, and may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching treatment or the like, the adhesion area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond films 3 and 3 'is reduced by thermally shrinking the base material 1 after dicing, and the semiconductor chip The collection of waste can be facilitated.

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。   The surface of the substrate 1 is subjected to conventional surface treatment, for example, chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric bombardment exposure, ionizing radiation treatment, etc., in order to enhance adhesion with the adjacent layer, retention, etc. Alternatively, physical treatment or coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later) can be applied. The base material 1 can be appropriately selected and used of the same type or different types, and a blend of several types can be used as necessary.

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。   The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but generally it is about 5 to 200 μm.

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   It does not restrict | limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 2, For example, common pressure sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber adhesive, can be used. An acrylic pressure-sensitive adhesive comprising an acrylic polymer as a base polymer from the viewpoint of cleaning and cleaning by an organic solvent such as ultrapure water or alcohol of an electronic component which does not contaminate a semiconductor wafer or glass as the pressure-sensitive adhesive. Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl ester (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester And alkyl groups such as octadecyl ester, eicosyl ester, etc. having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, and linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of this invention is all the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer contains, as necessary, a unit corresponding to another monomer component copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester for the purpose of modifying cohesion, heat resistance, etc. It may be. As such monomer components, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, etc .; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrenes Sulfonic acid group containing phosphoric acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamidopropane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, etc. Monomer; phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. These copolymerizable monomer components can be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less of the total monomer components.

さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the above-mentioned acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can also be contained as a monomer component for copolymerization, if necessary. As such polyfunctional monomers, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of all the monomer components, from the viewpoint of adhesion properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、さらに好ましくは２０万〜３００万程度であり、特に好ましくは３０万〜１００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization and suspension polymerization. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small from the viewpoint of preventing contamination to a clean adherend, and the like. From this point of view, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, more preferably about 200,000 to 3,000,000, and particularly preferably about 300,000 to 1,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。   Moreover, in order to raise the number average molecular weights, such as an acryl-type polymer which is a base polymer, the said crosslinking agent can also employ | adopt an external crosslinking agent suitably. As a specific means of the external crosslinking method, there may be mentioned a method of adding and reacting a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound or a melamine based crosslinking agent. When an external crosslinking agent is used, the amount used thereof is appropriately determined by the balance with the base polymer to be crosslinked, and further by the application as a pressure-sensitive adhesive. Generally, about 5 parts by weight or less, preferably 0.1 to 5 parts by weight, is preferably blended with 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, in the pressure-sensitive adhesive, if necessary, in addition to the components described above, additives such as various conventionally known tackifiers and anti-aging agents may be used.

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can increase the degree of cross-linking by irradiation of radiation such as ultraviolet rays to easily reduce its adhesive strength, and a portion 2a corresponding to the work affixing portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. By irradiating only the radiation, it is possible to provide a difference in adhesion with the other part 2b.

また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられるため、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。なお、粘着剤層への放射線の照射は、ダイシング後であってかつピックアップ前に行ってもよい。   In addition, by curing the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 in accordance with the die-bonding film 3 ′ shown in FIG. 2, the portion 2 a in which the adhesive strength is significantly reduced can be easily formed. Since the die bond film 3 ′ is adhered to the portion 2 a which is cured and the adhesive strength is reduced, the interface between the portion 2 a of the pressure sensitive adhesive layer 2 and the die bond film 3 ′ has a property of being easily peeled off at the time of pickup. On the other hand, the portion which is not irradiated with radiation has sufficient adhesive force to form the portion 2b. The irradiation of radiation to the pressure-sensitive adhesive layer may be performed after dicing and before pickup.

前述の通り、図１に示すダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の粘着剤層２において、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着するためのダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシングシート付きダイボンドフィルム１１の粘着剤層２においては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。   As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the die-bonding film 10 with a dicing sheet shown in FIG. 1, the portion 2 b formed of the uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive adheres to the die bond film 3 and is held when dicing. I can secure the power. As described above, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can support the die-bonding film 3 for fixing a chip-like work (such as a semiconductor chip) to an adherend such as a substrate with well-balanced adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the die-bonding film 11 with a dicing sheet shown in FIG. 2, the portion 2 b can fix the wafer ring.

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。   As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting tackiness can be used without particular limitation. As a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, an addition-type radiation-curable adhesion in which a radiation-curable monomer component or oligomer component is blended with a general pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive or rubber pressure-sensitive adhesive. An agent can be illustrated.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomers, urethane (meth) acrylates, trimethylolpropane tri (meth) acrylates, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylates, pentaerythritol tri (meth) acrylates, and pentaerithritol. Stall tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxy penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate and the like can be mentioned. The radiation curable oligomer component includes various oligomers such as urethane type, polyether type, polyester type, polycarbonate type and polybutadiene type, and those having a molecular weight of about 100 to 30,000 are suitable. The blending amount of the radiation curable monomer component and the oligomer component can be appropriately determined according to the type of the pressure-sensitive adhesive layer, an amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. In general, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。   Moreover, as a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the above-described added-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive, as a base polymer, one having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or in the main chain or at the main chain end Intrinsic-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives using The internal radiation-curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain, or does not contain, the oligomer component which is a low molecular weight component, so it is stable without the oligomer component or the like moving through the adhesive with time. It is preferable because a pressure-sensitive adhesive layer having a layered structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, one having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, one having an acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing carbon-carbon double bonds into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted, but carbon-carbon double bonds can be easily introduced into polymer side chains in terms of molecular design. It is. For example, after previously copolymerizing a monomer having a functional group to an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with this functional group and a carbon-carbon double bond can be subjected to radiation curing of a carbon-carbon double bond. The method of carrying out condensation or addition reaction while maintaining is mentioned.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferred because of easy reaction tracking. In addition, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound, as long as the combination of these functional groups produces an acrylic polymer having the carbon-carbon double bond. In the above preferred combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomer, an ether compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether and the like are used.

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。   Although the intrinsic type radiation-curable pressure-sensitive adhesive can use the base polymer (especially acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond alone, the radiation-curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The radiation curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。   The radiation-curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when it is cured by ultraviolet light or the like. As the photopolymerization initiator, for example, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; 2-naphthalenesulfonyl Black Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as dedo, photoactive oxime-based compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3'-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphor quinone; halogenated ketones; acyl phosphinoxides; and acyl phosphonates. The compounding amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。   Further, as a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, a photopolymerizable compound such as an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds and an alkoxysilane having an epoxy group disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-196956. And rubber pressure-sensitive adhesives and acrylic pressure-sensitive adhesives containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, an onium salt compound and the like.

前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。すなわち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。   The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can also contain, if necessary, a compound that is colored by irradiation with radiation. By including a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive layer 2 by irradiation, only the irradiated part can be colored. That is, the part 2a corresponding to the workpiece attachment part 3a shown in FIG. 1 can be colored. Therefore, it can be immediately determined by visual observation whether or not the adhesive layer 2 is irradiated with radiation, so that the workpiece attachment portion 3a can be easily recognized, and the workpieces can be easily attached. Further, when a semiconductor chip is detected by an optical sensor or the like, the detection accuracy is enhanced, and no malfunction occurs when picking up the semiconductor chip.

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。   The compound to be colored by irradiation with radiation is a compound which is colorless or pale before irradiation with radiation but becomes colored by irradiation of radiation. Preferred specific examples of such compounds include leuco dyes. As leuco dyes, those of conventional triphenylmethane type, fluoran type, phenothiazine type, auramine type and spiropyran type are preferably used. Specifically, 3- [N- (p-tolylamino)]-7-anilinofluoran, 3- [N- (p-tolyl) -N-methylamino] -7-anilinofluoran, 3- [N- (p-tolylamino)] N- (p-Tolyl) -N-ethylamino] -7-anilinofluorane, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, crystal violet lactone, 4,4 ', 4 "-trisdimethyl Aminotriphenylmethanol, 4,4 ′, 4 ′ ′-trisdimethylaminotriphenylmethane and the like can be mentioned.

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。   Examples of color developing agents preferably used together with these leuco dyes include conventionally used initial polymers of phenol formalin resins, aromatic carboxylic acid derivatives, electron acceptors such as activated clay, and the like, and further change color tone In the case, various known color formers can be used in combination.

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、さらに好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。   The compound to be colored by such irradiation may be once dissolved in an organic solvent or the like and then contained in the radiation-curable adhesive, or may be in the form of a fine powder and contained in the pressure-sensitive adhesive. The proportion of this compound used in the pressure-sensitive adhesive layer 2 is desirably 10% by weight or less, preferably 0.01 to 10% by weight, and more preferably 0.5 to 5% by weight. If the proportion of the compound exceeds 10% by weight, the radiation to be applied to the pressure-sensitive adhesive layer 2 is absorbed too much by this compound, so that the curing of the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 becomes insufficient, and adhesion sufficiently The power may not decrease. On the other hand, in order to cause sufficient coloring, the proportion of the compound is preferably 0.01% by weight or more.

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２における前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。   When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, a portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is exposed to radiation so that the adhesion of the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 <the adhesion of the other portion 2b. It may be irradiated.

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、支持基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。   As a method of forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2, after forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 on the supporting substrate 1, a method of partially irradiating the portion 2a to cure the portion 2a may be mentioned. Be Partial radiation irradiation can be performed through the photomask in which the pattern corresponding to parts 3b etc. other than the workpiece | work affixing part 3a was formed. Moreover, the method etc. which irradiate an ultraviolet-ray like spot and harden it are mentioned. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring the material provided on the separator onto the support substrate 1. Partial radiation curing can also be performed on the radiation curing type pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を製造可能である。   When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, all or a part of at least one surface of the support substrate 1 except for the portion corresponding to the work affixing portion 3a is shielded from light After forming a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 thereon, radiation is applied to cure the portion corresponding to the work affixing portion 3a, thereby forming the portion 2a having reduced adhesion. . As the light shielding material, a material that can be a photomask on the support film can be formed by printing, evaporation, or the like. According to this manufacturing method, the die-bonding film 10 with a dicing sheet of the present invention can be manufactured efficiently.

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。   In the case where curing inhibition occurs due to oxygen upon irradiation, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 by some method. For example, the method of covering the surface of the said adhesive layer 2 with a separator, the method of irradiating radiation, such as an ultraviolet-ray in nitrogen gas atmosphere, etc. are mentioned.

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoints of prevention of chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding of the adhesive layer. It is preferably 2 to 30 μm, more preferably 5 to 25 μm.

ダイボンドフィルム３、３’は、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有し、８０重量％以上含有することが好ましく、８５重量％以上含有することがより好ましい。また、前記熱伝導性粒子の含有量は、多いほどが好ましいが製膜性の観点から、例えば、９３重量％以下である。熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有すると、当該熱硬化型ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置は、放熱性に優れる。なお、熱伝導性粒子の熱伝導率は、Ｘ線構造解析によって得られた熱伝導性粒子の結晶構造から推定できる。   The die-bonding film 3, 3 ′ contains 75 wt% or more, preferably 80 wt% or more, of thermally conductive particles having a thermal conductivity of 12 W / m · K or more with respect to the entire thermosetting die-bonding film It is more preferable to contain 85% by weight or more. The content of the heat conductive particles is preferably as large as possible, but it is, for example, 93% by weight or less from the viewpoint of film forming properties. When the thermal conductive particles having a thermal conductivity of 12 W / m · K or more are contained in an amount of 75% by weight or more based on the entire thermosetting die bonding film, the semiconductor device manufactured using the thermosetting die bonding film emits heat Excellent in quality. The thermal conductivity of the thermally conductive particles can be estimated from the crystal structure of the thermally conductive particles obtained by X-ray structural analysis.

ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましく、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがさらに好ましい。熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、ダイボンドフィルム３、３’を用いて製造される半導体装置は、より放熱性に優れる。なお、ダイボンドフィルム３、３’の熱硬化後の熱伝導率は高いほど好ましいが、例えば、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。
本発明において、「熱硬化後の熱伝導率」とは、１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した後の熱伝導率をいう。 The thermal conductivity of the die-bonding films 3 and 3 'after thermosetting is preferably 1 W / m · K or more, more preferably 1.2 W / m · K or more, 1.5 W / m · K It is more preferable that it is more than. The semiconductor device manufactured using die-bonding film 3 and 3 'as the heat conductivity after thermosetting is 1 W / m * K or more is more excellent in heat dissipation. In addition, although the thermal conductivity after thermosetting of die-bonding film 3 and 3 'is so preferable that it is high, it is 20 W / m * K or less, for example.
In the present invention, the “thermal conductivity after heat curing” refers to the thermal conductivity after heating at 130 ° C. for 1 hour and then heating at 175 ° C. for 5 hours.

ダイボンドフィルム３、３’は、一方の面の表面粗さＲａが２００ｎｍ以下である。具体的に、ダイボンドフィルム３、３’は、ダイシングシート１１と積層しない形態とする場合、少なくとも一方の面の表面粗さＲａが２００ｎｍ以下である。この場合、表面粗さＲａが２００ｎｍ以下の面を貼り合わせ面として、ダイシングシート上に貼り合わせると、このダイシングシートから剥離する際の剥離力を安定させることができる。
また、ダイボンドフィルム３、３’は、ダイシングシート１１と積層する形態とする場合、ダイシングシートとの貼り合わせ面の表面粗さＲａが２００ｎｍ以下である。この場合、ダイボンドフィルム３、３’とダイシングシート１１とが、表面粗さＲａが２００ｎｍ以下の面を貼り合わせ面にして積層されているため、ダイボンドフィルム３、３’をダイシングシート１１から剥離する際の剥離力を安定させることができる。前記表面粗さＲａは、好ましくは、１５０ｎｍ以下である。また、前記表面粗さＲａは、小さいほど好ましいが、例えば１０ｎｍ以上とすることができる。 The surface roughness Ra of one surface of the die bond films 3 and 3 'is 200 nm or less. Specifically, when the die bond films 3 and 3 'are not laminated with the dicing sheet 11, the surface roughness Ra of at least one surface is 200 nm or less. In this case, when the surface having a surface roughness Ra of 200 nm or less is bonded to the dicing sheet as the bonding surface, the peeling force at the time of peeling from the dicing sheet can be stabilized.
When the die bond films 3 and 3 'are in the form of being laminated with the dicing sheet 11, the surface roughness Ra of the bonding surface with the dicing sheet is 200 nm or less. In this case, since the die bond films 3 and 3 'and the dicing sheet 11 are laminated with the surface having a surface roughness Ra of 200 nm or less as a bonding surface, the die bond films 3 and 3' are peeled off from the dicing sheet 11. It is possible to stabilize the peeling force in the process. The surface roughness Ra is preferably 150 nm or less. The surface roughness Ra is preferably as small as possible, but can be, for example, 10 nm or more.

また、ダイボンドフィルム３、３’は、８０℃における溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、８０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましく、５０００Ｐａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。ダイシングシート１１は、通常、耐え得る温度が９０℃以下程度であるため、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム３、３’を貼り合わせる場合、ダイシングシート１１の耐え得る温度条件下で貼り合わせる必要がある。そこで、ダイボンドフィルム３、３’の８０℃での溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であると、ダイシングシート１１の耐え得る温度（例えば、９０℃以下）の範囲内でダイシングシートに貼り合わせることができる。また、ダイボンドフィルム３、３’の８０℃における溶融粘度は、小さい方が好ましいが、フィルムとしての形状維持の観点から、例えば、１００Ｐａ・ｓ以上とすることができる。なお、本発明において、８０℃における溶融粘度は、測定条件として、ずり速度を５（１／秒）とした値をいう。   Moreover, it is preferable that melt viscosity in 80 degreeC of die-bonding film 3 and 3 'is 10000 Pa.s or less, It is more preferable that it is 8000 Pa.s or less, It is more preferable that it is 5000 Pa.s or less. Since the temperature at which the dicing sheet 11 can usually withstand is about 90 ° C. or less, when bonding the die-bonding films 3 and 3 'onto the dicing sheet 11, it is necessary to bond them under temperature conditions that the dicing sheet 11 can withstand. . Therefore, when the melt viscosity at 80 ° C. of the die bond films 3 and 3 'is 10000 Pa · s or less, the dicing sheet 11 can be bonded to the dicing sheet within the range of withstand temperature (for example, 90 ° C. or less). . The melt viscosity at 80 ° C. of the die-bonding films 3 and 3 ′ is preferably smaller, but can be, for example, 100 Pa · s or more from the viewpoint of shape maintenance as a film. In the present invention, the melt viscosity at 80 ° C. refers to a value at which the shear rate is 5 (1 / second) as the measurement condition.

また、ダイボンドフィルム３、３’は、１３０℃における溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓの範囲内であることが好ましく、２０Ｐａ・ｓ〜２８０Ｐａ・ｓの範囲内であることより好ましく、５０Ｐａ・ｓ〜２５０Ｐａ・ｓの範囲内であることがさらに好ましい。１３０℃における溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、フィルムの形状を維持しつつも、比較的低粘度である。従って、プリント配線基板などの被着体の凹凸に十分に追従でき、ボイドの発生を抑制することができる。
なお、本発明において、１３０℃における溶融粘度は、測定条件として、ずり速度を５（１／秒）とした値をいう。 Moreover, it is preferable that melt viscosity in 130 degreeC of die-bonding film 3 and 3 'exists in the range of 10 Pa.s-300 Pa.s, and it is more preferable to exist in the range of 20 Pa.s-280 Pa.s, and 50 Pa.s. More preferably, it is in the range of s to 250 Pa · s. When the melt viscosity at 130 ° C. is in the range of 10 Pa · s to 300 Pa · s, the viscosity is relatively low while maintaining the shape of the film. Therefore, the unevenness of the adherend such as the printed wiring board can be sufficiently followed, and the generation of the void can be suppressed.
In the present invention, the melt viscosity at 130 ° C. refers to a value at which the shear rate is 5 (1 / second) as a measurement condition.

前記熱伝導性粒子は、アルミナ粒子（熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化亜鉛粒子（熱伝導率：５４Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化アルミニウム粒子（熱伝導率：１５０Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ケイ素粒子（熱伝導率：２７Ｗ／ｍ・Ｋ）、炭化ケイ素粒子（熱伝導率：２００Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化マグネシウム粒子（熱伝導率：５９Ｗ／ｍ・Ｋ）、及び、窒化ホウ素粒子（熱伝導率：６０Ｗ／ｍ・Ｋ）からなる群より選択される少なくとも１種の粒子であることが好ましい。特にアルミナは高熱伝導率であり、分散性、入手容易性の点で好ましい。また、窒化ホウ素はさらに高い熱伝導率があることから、好適に用いることができる。   The heat conductive particles are alumina particles (thermal conductivity: 36 W / m · K), zinc oxide particles (thermal conductivity: 54 W / m · K), aluminum nitride particles (thermal conductivity: 150 W / m · K) Silicon nitride particles (thermal conductivity: 27 W / m · K), silicon carbide particles (thermal conductivity: 200 W / m · K), magnesium oxide particles (thermal conductivity: 59 W / m · K), and boron nitride It is preferable that it is at least one particle selected from the group consisting of particles (thermal conductivity: 60 W / m · K). In particular, alumina is high in thermal conductivity and is preferable in terms of dispersibility and availability. In addition, boron nitride can be suitably used because it has higher thermal conductivity.

熱伝導性粒子は、シランカップリング剤により処理（前処理）されたものが好ましい。これにより、熱伝導性粒子の分散性が良好になり熱伝導性粒子の高充填化が可能になり、かつ凝集による熱伝導率の低下を防ぐことができる。また、凝集が抑制されるため、表面粗さを低くすることができる。   The thermally conductive particles are preferably those treated (pretreated) with a silane coupling agent. As a result, the dispersibility of the thermally conductive particles is improved, the packing of the thermally conductive particles can be increased, and a decrease in thermal conductivity due to aggregation can be prevented. In addition, since the aggregation is suppressed, the surface roughness can be reduced.

シランカップリング剤としては、ケイ素原子、加水分解性基及び有機官能基を含むものが好ましい。   As a silane coupling agent, what contains a silicon atom, a hydrolysable group, and an organic functional group is preferable.

加水分解性基は、ケイ素原子に結合している。   The hydrolyzable group is bonded to a silicon atom.

加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。なかでも、加水分解速度が速く処理が容易という理由から、メトキシ基が好ましい。   As a hydrolysable group, a methoxy group, an ethoxy group, etc. are mentioned, for example. Among them, a methoxy group is preferable because of high hydrolysis rate and easy treatment.

シランカップリング剤中の加水分解性基の数は、熱伝導性粒子と架橋しつつシランカップリング剤同士で架橋することが可能で、熱伝導性粒子表面の架橋点が少なくても熱伝導性粒子全体をシランカップリング剤で表面処理できるという点から、好ましくは２〜３個、より好ましくは３個である。   The number of hydrolyzable groups in the silane coupling agent can be crosslinked between the silane coupling agents while crosslinking with the thermally conductive particles, and the thermal conductivity can be obtained even if the number of crosslinking points on the surface of the thermally conductive particles is small The number of particles is preferably 2 to 3, and more preferably 3 in that the entire particles can be surface-treated with a silane coupling agent.

有機官能基は、ケイ素原子に結合している。   The organic functional group is bonded to a silicon atom.

有機官能基としては、例えば、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、フェニルアミノ基などを含むものが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂と反応性を有さず、処理を行った熱伝導性粒子の保存安定性が良好なことからアクリル基が好ましい。   As an organic functional group, what contains an acryl group, methacryl group, an epoxy group, a phenylamino group etc. is mentioned, for example. Among them, an acryl group is preferable because it has no reactivity with the epoxy resin and the storage stability of the thermally conductive particles subjected to the treatment is good.

なお、エポキシ基と反応性が高い官能基を有するとエポキシ樹脂と反応するため、保存安定性、流動性が低下する。流動性の低下を抑制するという点から、有機官能基としては、一級アミノ基、メルカプト基又はイソシアネート基を含まないものが好ましい。   In addition, since it reacts with an epoxy resin when it has a functional group with high reactivity with an epoxy group, storage stability and fluidity fall. From the viewpoint of suppressing the decrease in fluidity, as the organic functional group, one not containing a primary amino group, a mercapto group or an isocyanate group is preferable.

シランカップリング剤中の有機官能基の数は、好ましくは１個である。ケイ素原子は結合を４つつくるため、有機官能基が多いと加水分解基の数が不足する。   The number of organic functional groups in the silane coupling agent is preferably one. Since the silicon atom forms four bonds, when the organic functional group is large, the number of hydrolyzable groups is insufficient.

シランカップリング剤は、ケイ素原子に結合するアルキル基をさらに含んでもよい。シランカップリング剤がアルキル基を含むことにより、メタクリル基よりも反応性を低くすることが可能で、急激な反応による表面処理の偏りを防ぐことができる。アルキル基としては、メチル基、ジメチル基などが挙げられる。なかでも、メチル基が好ましい。   The silane coupling agent may further include an alkyl group bonded to a silicon atom. When the silane coupling agent contains an alkyl group, it is possible to lower the reactivity than a methacryl group, and it is possible to prevent deviation of the surface treatment due to a rapid reaction. Examples of the alkyl group include a methyl group and a dimethyl group. Among them, methyl group is preferable.

シランカップリング剤として、具体的には、２−（３，４−エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。   Specifically, as a silane coupling agent, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3- Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, N- Phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxyp Such as pills triethoxy silane.

シランカップリング剤により熱伝導性粒子を処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で熱伝導性粒子とシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で熱伝導性粒子とシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。   The method for treating the thermally conductive particles with a silane coupling agent is not particularly limited, and a wet method in which the thermally conductive particles and the silane coupling agent are mixed in a solvent, the thermally conductive particles and silane coupling in the gas phase The dry process etc. which process an agent are mentioned.

シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、熱伝導性粒子１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．０５〜５重量部処理することが好ましい。   Although the processing amount of the silane coupling agent is not particularly limited, it is preferable to treat 0.05 to 5 parts by weight of the silane coupling agent with respect to 100 parts by weight of the thermally conductive particles.

前記熱伝導性粒子の形状としては、特に限定されず、例えば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状のものを使用することができるが、分散性、充填率の向上の点で球状のものが好ましい。   The shape of the thermally conductive particles is not particularly limited, and for example, flakes, needles, filaments, spheres and flakes can be used, but in terms of improvement of dispersibility and filling rate A spherical one is preferred.

前記熱伝導性粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。前記熱伝導性粒子の平均粒径を１μｍ以上とすることにより、熱硬化型ダイボンドフィルムの被着体や半導体ウエハへの濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができ、１０μｍ以下とすることにより、熱伝導性粒子の添加による熱伝導性の向上効果をより良好なものとすることができるからである。また、前記範囲の平均粒径により、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さを薄くすることができ、ひいては半導体チップを高積層化することができると共に、熱硬化型ダイボンドフィルムから熱伝導性粒子が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる。なお、熱伝導性粒子の平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。   1 micrometer or more and 10 micrometers or less are preferable, and, as for the average particle diameter of the said heat conductive particle, 1.5 micrometers or more and 8 micrometers or less are more preferable. By setting the average particle diameter of the thermally conductive particles to 1 μm or more, the wettability of the thermosetting die-bonding film to the adherend or semiconductor wafer can be secured, and good adhesiveness can be exhibited, and 10 μm or less By setting it, it is because the heat conductivity improvement effect by addition of heat conductive particles can be made better. Further, the average particle diameter in the above range makes it possible to reduce the thickness of the thermosetting die-bonding film, and thus to make the semiconductor chip highly laminated, and at the same time the thermally conductive particles protrude from the thermosetting die-bonding film. It is possible to prevent the generation of chip cracks due to In addition, the average particle diameter of heat conductive particle is a value calculated | required by the particle size distribution analyzer (The product made from HORIBA, apparatus name; LA-910) of a luminosity type | mold.

また、前記熱伝導性粒子としては、平均粒子径の異なる２種以上の熱伝導性粒子を用いてもよい。平均粒径の異なる２種以上の熱伝導性粒子を用いることにより、充填率を向上させ易くすることができるからである。   In addition, two or more types of heat conductive particles having different average particle sizes may be used as the heat conductive particles. By using two or more types of heat conductive particles having different average particle sizes, the filling rate can be easily improved.

ダイボンドフィルム３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。   The laminated structure of the die-bonding films 3 and 3 ′ is not particularly limited, and examples thereof include a single layer of an adhesive layer and a multilayer structure in which an adhesive layer is formed on one side or both sides of a core material. As the core material, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fiber or plastic non-woven fiber, a silicon substrate or a glass substrate Can be mentioned.

ダイボンドフィルム３、３’は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などの樹脂成分を含むことが好ましい。   The die-bonding film 3, 3 'preferably contains a resin component such as a thermoplastic resin or a thermosetting resin.

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。   As said thermosetting resin, a phenol resin, an amino resin, unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, or a thermosetting polyimide resin etc. are mentioned. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin having a low content of ionic impurities and the like which corrode semiconductor chips is preferable. Moreover, as a hardening agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
また、前記エポキシ樹脂は、常温で固形のものと、常温で固形のものとの２種類を併用して用いることができる。常温で固形のエポキシ樹脂に対して、常温で液状のエポキシ樹脂を加えることにより、フィルムを形成した際の脆弱性を改善することができ、作業性を向上させることができる。
なかでも、熱硬化型ダイボンドフィルムの８０℃での溶融粘度を低下できる観点から、前記エポキシ樹脂のなかでも、軟化点が８０℃以下のものが好ましい。
なお、エポキシ樹脂の軟化点は、ＪＩＳ Ｋ ７２３４−１９８６に規定される環球法で測定できる。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, and, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type , Biphenyl type, naphthalene type, fluonene type, phenol novolak type, ortho cresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, bifunctional epoxy resin such as tetraphenylol ethane type and polyfunctional epoxy resin, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate An epoxy resin such as epoxy resin or glycidyl amine is used. These can be used alone or in combination of two or more. Among these epoxy resins, novolac epoxy resins, biphenyl epoxy resins, trishydroxyphenylmethane resins or tetraphenylolethane epoxy resins are particularly preferable. It is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent, and excellent in heat resistance and the like.
The epoxy resin can be used in combination of two types: solid at room temperature and solid at room temperature. By adding an epoxy resin which is liquid at normal temperature to the epoxy resin which is solid at normal temperature, the brittleness at the time of forming a film can be improved, and the workability can be improved.
Among them, among the epoxy resins, those having a softening point of 80 ° C. or less are preferable from the viewpoint that the melt viscosity at 80 ° C. of the thermosetting die-bonding film can be reduced.
The softening point of the epoxy resin can be measured by the ring and ball method defined in JIS K 7234-1986.

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
なかでも、熱硬化型ダイボンドフィルムの８０℃での溶融粘度を低下できる観点から、前記フェノール樹脂のなかでも、軟化点が８０℃以下のものが好ましい。
なお、フェノール樹脂の軟化点は、ＪＩＳ Ｋ ６９１０−２００７に規定される環球法で測定できる。 Furthermore, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and for example, novolac type phenol resin such as phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolac resin, tert-butylphenol novolac resin, nonylphenol novolac resin, Examples thereof include resol-type phenolic resin and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Among these phenol resins, phenol novolak resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.
Among them, among the above-mentioned phenol resins, those having a softening point of 80 ° C. or less are preferable from the viewpoint that the melt viscosity at 80 ° C. of the thermosetting die-bonding film can be reduced.
In addition, the softening point of a phenol resin can be measured by the ring and ball method prescribed | regulated to JISK6910-2007.

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The compounding ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably, for example, 0.5 to 2.0 equivalents of hydroxyl group in the phenol resin per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. . More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, when the mixing ratio of the both is out of the above range, a sufficient curing reaction does not proceed, and the characteristics of the cured epoxy resin product are easily deteriorated.

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。   As the thermoplastic resin, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Plastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET or PBT, polyamide imide resin, or fluorine resin, etc. may be mentioned. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities and high in heat resistance and can ensure the reliability of a semiconductor chip is particularly preferable.

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and one or two or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, are not particularly limited. The polymer (acrylic copolymer) etc. which are used as a component are mentioned. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2- Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, dodecyl group and the like.

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。   The other monomers forming the polymer are not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid. Acid-containing monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylate Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyl Hydroxyl-containing monomers such as acrylates, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamidopropane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxy naphthalene sulfonic acid and the like, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate and the like.

樹脂成分の含有量は、ダイボンドフィルム３、３’全体に対して、好ましくは７重量％以上である。樹脂成分の含有量は、ダイボンドフィルム３、３’全体に対して好ましくは２５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１５重量％以下である。   The content of the resin component is preferably 7% by weight or more with respect to the entire die-bonding film 3 ′. The content of the resin component is preferably 25% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, still more preferably 15% by weight or less, based on the entire die-bonding film 3 or 3 '.

樹脂成分（熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計量）における熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３、３’が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、８０℃における溶融粘度を低くするために、７５〜９９重量％の範囲内であることが好ましく、８５〜９８重量％の範囲内であることがより好ましい。   As a compounding ratio of the thermosetting resin in the resin component (the total amount of the thermosetting resin and the thermoplastic resin), when heated under predetermined conditions, the die-bonding films 3 and 3 'exhibit the function as a thermosetting type The degree is not particularly limited, but in order to lower the melt viscosity at 80 ° C., it is preferably in the range of 75 to 99% by weight, and more preferably in the range of 85 to 98% by weight.

また、樹脂成分中の熱可塑性樹脂の配合割合としては、８０℃における溶融粘度を低くするために、１〜２５重量％の範囲内であることが好ましく、２〜１５重量％の範囲内であることがより好ましい。   Moreover, as a compounding ratio of the thermoplastic resin in a resin component, in order to make melt viscosity in 80 degreeC low, it is preferable to exist in the range of 1-25 weight%, and exist in the range of 2-15 weight%. Is more preferred.

ダイボンドフィルム３、３’は硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、エポキシ樹脂とフェノール樹脂等の硬化剤との熱硬化を促進できる。硬化触媒としては特に限定されないが、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）などのリン−ホウ素系硬化触媒が挙げられる（いずれも北興化学工業(株)製）。なかでも、潜在性に優れるため室温での保存安定性が良好であるという点から、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレートが好ましい。   The die bond film 3, 3 'preferably comprises a curing catalyst. This can accelerate the thermal curing of the epoxy resin and the curing agent such as phenol resin. The curing catalyst is not particularly limited. For example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (trade name: TPP-MK), triphenylphosphine triphenylborane (trade name; A phosphorus-boron-based curing catalyst such as a trade name; TPP-S) may be mentioned (all are manufactured by Hokuko Chemical Industry Co., Ltd.). Among these, tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate is preferable, from the viewpoint that storage stability at room temperature is good because of its excellent potential.

硬化触媒の含有量は適宜設定できるが、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、０．１〜３重量部が好ましく、０．５〜２重量部がより好ましい。   Although the content of the curing catalyst can be set appropriately, it is preferably 0.1 to 3 parts by weight, and more preferably 0.5 to 2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting resin.

本発明のダイボンドフィルム３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。   When the die-bonding film 3 or 3 'of the present invention is previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound which is reacted with a functional group at the molecular chain terminal of the polymer is added as a crosslinking agent in preparation. Is good. Thereby, the adhesion characteristic under high temperature can be improved and heat resistance can be improved.

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。   As the crosslinking agent, conventionally known ones can be adopted. In particular, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and an adduct of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The amount of the crosslinking agent to be added is preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. If the amount of the crosslinking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive strength is unfavorably reduced. On the other hand, if the amount is less than 0.05 parts by weight, the cohesion is insufficient, which is not preferable. Further, other polyfunctional compounds such as epoxy resin may be included together with such a polyisocyanate compound, if necessary.

また、ダイボンドフィルム３、３’には、その用途に応じて前記熱伝導性粒子以外のフィラーを適宜配合することができる。前記フィラーの配合は、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられる。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、ほう酸アルミウィスカ、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   Moreover, fillers other than the said heat conductive particle can be suitably mix | blended with the die-bonding film 3 and 3 'according to the use. The blending of the filler makes it possible to adjust the modulus of elasticity and the like. Examples of the filler include inorganic fillers and organic fillers. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, aluminum borate whiskers, crystalline silica, amorphous silica and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

なお、ダイボンドフィルム３、３’には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   In addition to the above-mentioned fillers, other additives can be appropriately blended in the die-bonding films 3 and 3 ′ as required. Other additives include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. These compounds can be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.

ダイボンドフィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層による固定保持の両立性の観点から、１〜２００μｍが好ましく、より好ましくは３〜１００μｍ、さらに好ましくは５〜８０μｍである。   The thickness (total thickness in the case of a laminate) of the die bond films 3 and 3 'is not particularly limited, but it is preferably 1 to 200 μm from the viewpoint of chipping prevention of chip cutting surface and compatibility of holding by adhesive layer. More preferably, it is 3-100 micrometers, More preferably, it is 5-80 micrometers.

前記ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２は、基材１や粘着剤層、ダイボンドフィルムに対して、その接着時及び剥離時等における静電気の発生やそれによる半導体ウェハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止する目的で帯電防止機能を持たせることができる。帯電防止機能の付与は、基材１や粘着剤層２、ダイボンドフィルム３、３’に帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、基材１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、導電性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。   The circuit may be destroyed by static electricity generated at the time of adhesion and peeling of the substrate 1, the pressure-sensitive adhesive layer, and the die bond film with the dicing sheet and the die bond film with a dicing sheet 10 or the charge of the semiconductor wafer due to the static electricity. The antistatic function can be provided for the purpose of preventing problems. The antistatic function can be imparted by a method of adding an antistatic agent or a conductive substance to the substrate 1, the pressure-sensitive adhesive layer 2, the die bond films 3, 3 ′, or a conductive film comprising a charge transfer complex to the substrate 1 or a metal film. It can carry out by an appropriate system, such as attachment of a layer. In these methods, a method in which impurity ions that may deteriorate the semiconductor wafer are less likely to be generated is preferable. The conductive substance (conductive filler) blended for the purpose of imparting conductivity, improving conductivity, etc., spherical, needle-like, flake-like metal such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, conductive alloy and the like Powder, amorphous carbon black, graphite and the like.

前記ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、さらに、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングシート付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。   It is preferable that the die-bonding films 3, 3 'of the die-bonding films 10, 12 with a dicing sheet be protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the die bond films 3 and 3 ′ until practical use. Moreover, a separator can be further used as a support base material at the time of transferring die-bonding film 3 and 3 'to the adhesive layer 2. FIG. The separator is peeled off when the work is stuck on the die-bonding film 3, 3 'of the die-bonding film with a dicing sheet. As the separator, it is also possible to use a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, and a long chain alkyl acrylate release agent.

（ダイボンドフィルムの製造方法）
ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、次の通りにして製造される。
まず、ダイボンドフィルム３、３’を形成するための接着剤組成物溶液を作成する。前記接着剤組成物溶液は、ダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物を、溶媒に溶解又は分散して作成する（以下、溶液には分散液も含むこととする）。前記接着剤組成物は、前述の通り、熱伝導性粒子と、必要に応じて、熱可塑性樹脂と、熱可塑性樹脂と、その他各種の添加剤等とが配合されたものである。 (Die bond film production method)
The die bond films 3, 3 'are produced, for example, as follows.
First, an adhesive composition solution for forming the die bond films 3 and 3 'is prepared. The adhesive composition solution is prepared by dissolving or dispersing an adhesive composition which is a forming material of the die-bonding films 3 and 3 'in a solvent (hereinafter, the solution also includes a dispersion). As described above, the adhesive composition contains thermally conductive particles, and if necessary, a thermoplastic resin, a thermoplastic resin, and various other additives.

次に、前記接着剤組成物溶液を第１セパレータ（図示せず）上に所定厚さとなる様に塗布して塗布膜を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。   Next, the adhesive composition solution is applied onto a first separator (not shown) to a predetermined thickness to form a coating film. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating etc. are mentioned.

次に、前記塗工膜上に第２セパレータ（図示せず）を重ね、温度４０℃〜１００℃、且つ、圧力０．０１ＭＰａ〜１．０ＭＰａの条件下、速度１ｍ／ｍｉｎ〜２０ｍ／分の範囲内で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んで保持し、ダイボンドフィルム３、３’を形成する。前記温度は、温度４５℃〜９５℃がより好ましく、温度５０℃〜９０℃がさらに好ましい。また、前記速度は、２〜１５ｍ／分がより好ましく、３〜１０ｍ／分がさらに好ましい。
温度４０℃〜１００℃、且つ、圧力０．０１ＭＰａ〜１．０ＭＰａの条件下、速度１〜２０ｍ／分の範囲内で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んで保持し、ダイボンドフィルム３、３’を形成するため、前記塗工膜は、第１セパレータと第２セパレータとの間で平坦化される。すなわち、塗工膜の表面に一部が突出していた熱伝導性粒子は、加圧によりダイボンドフィルム３、３’のフィルム内に押し込まれ、表面が平坦化される。その結果、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上と多量に含有していても、表面の凹凸が少なく、表面粗さＲａが２００ｎｍ以下の面を少なくとも一方の面に有するダイボンドフィルム３、３’を製造することができる。 Next, a second separator (not shown) is overlaid on the coated film, and the temperature is 40 ° C. to 100 ° C., and the pressure is 0.01 MPa to 1.0 M Pa, and the speed is 1 m / min to 20 m / The coated film is sandwiched and held between the first separator and the second separator within a range of minutes to form the die-bonding films 3 and 3 '. The temperature is more preferably a temperature 45 ° C. to 95 ° C. is a temperature 50 ° C. to 90 ° C. is more preferred. Also, the rate is more preferably 2 to 15 m / min, more preferably 3 to 10 m / min.
The temperature is 40 ° C. to 100 ° C., and the pressure is 0. The coated film is held between the first separator and the second separator at a speed of 1 to 20 m / min under the conditions of 0 1 M Pa to 1.0 M Pa, and the die-bonding films 3 and 3 are provided. The coated film is planarized between the first separator and the second separator to form a '. That is, the heat conductive particles partially protruding from the surface of the coating film are pressed into the films of the die bonding films 3 and 3 'by pressure, and the surfaces are flattened. As a result, even if the thermally conductive particles having a thermal conductivity of 12 W / m · K or more are contained in a large amount of 75% by weight or more with respect to the entire die-bonding film, the surface irregularities are small and the surface roughness Ra is The die-bonding film 3, 3 'which has a 200 nm or less surface in at least one surface can be manufactured.

（ダイシングシート付きダイボンドフィルムの製造方法）
本実施の形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。 (Production method of die bond film with dicing sheet)
The dicing sheet with die bonding film 10, 12 according to the present embodiment is manufactured, for example, as follows.
First, the substrate 1 can be formed into a film by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, a dry lamination method and the like.

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート１１が作製される。   Next, a pressure-sensitive adhesive composition solution is applied onto the substrate 1 to form a coated film, and then the coated film is dried under predetermined conditions (by heat crosslinking as necessary), and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is Form. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating etc. are mentioned. Moreover, as drying conditions, it is carried out, for example in the range of 80 to 150 degreeC of drying temperature, and 0.5 to 5 minutes of drying time. Moreover, after apply | coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, a coating film may be dried on the said dry conditions, and the adhesive layer 2 may be formed. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is attached to the substrate 1 together with the separator. Thereby, the dicing sheet 11 is produced.

続いて、ダイシングシート１１及びダイシングフィルム３、３’からそれぞれセパレータを剥離し、ダイシングフィルム３、３’とダイシングシート１１の粘着剤層２とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。この際、ダイボンドフィルム３、３’の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下の面を、ダイシングシート１１（粘着剤層２）との貼り合わせ面にして貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２が得られる。   Subsequently, the separators are peeled off from the dicing sheet 11 and the dicing films 3 and 3 ', and the dicing films 3 and 3' and the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing sheet 11 are bonded to each other. At this time, a surface having a surface roughness Ra of 100 nm or less of the die bonding films 3 and 3 'is used as a bonding surface with the dicing sheet 11 (pressure-sensitive adhesive layer 2). Bonding can be performed, for example, by pressure bonding. At this time, the laminating temperature is not particularly limited, and for example, 30 to 50 ° C. is preferable, and 35 to 45 ° C. is more preferable. Moreover, a linear pressure is not specifically limited, For example, 0.1-20 kgf / cm is preferable, and 1-10 kgf / cm is more preferable. Next, the base material separator on the adhesive layer is peeled off to obtain a die-bonding film with dicing sheet 10, 12 according to the present embodiment.

（半導体装置の製造方法）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程とを含む。 (Method of manufacturing semiconductor device)
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, a step of preparing a die-bonding film with a dicing sheet described above,
A bonding step of bonding the thermosetting die bond film of the die bonding film with the dicing sheet and the back surface of the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer with the thermosetting die-bonding film to form a chip-like semiconductor chip;
A pickup step of picking up the semiconductor chip from the die-bonding film with the dicing sheet together with the thermosetting die-bonding film;
And D) bonding the semiconductor chip onto an adherend via the thermosetting die-bonding film.

本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、ダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する（準備する工程）。ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２は、ダイボンドフィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。   In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, first, a die-bonding film with a dicing sheet is prepared (preparation step). The die-bonding film 10, 12 with a dicing sheet is used as follows by appropriately peeling the separator optionally provided on the die-bonding film 3, 3 '. Below, the case where the die-bonding film 10 with a dicing sheet is used is demonstrated as an example, referring FIG.

まず、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０におけるダイボンドフィルム３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り合わせ工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば４０〜９０℃の範囲内であることが好ましい。   First, the semiconductor wafer 4 is crimped onto the semiconductor wafer affixing portion 3a of the die bond film 3 in the dicing sheet and die bonding film 10, and this is adhered and held to be fixed (bonding step). This process is performed while pressing by pressing means such as a pressure bonding roll. The attachment temperature in the case of mounting is not specifically limited, For example, it is preferable to exist in the range of 40-90 degreeC.

次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う（ダイシング工程）。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングの方法は特に限定されないが、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングシート付きダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。   Next, dicing of the semiconductor wafer 4 is performed (dicing process). Thereby, the semiconductor wafer 4 is cut into pieces of a predetermined size and separated into pieces, and the semiconductor chip 5 is manufactured. Although the method of dicing is not particularly limited, for example, it is performed from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4 according to the usual method. Further, in this process, for example, a cutting method called full cut in which cutting is performed to the die bond film 10 with a dicing sheet can be adopted. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used. In addition, since the semiconductor wafer is bonded and fixed by the dicing sheet and die bonding film 10, chipping and chipping can be suppressed, and breakage of the semiconductor wafer 4 can also be suppressed.

次に、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離するために、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングシート付きダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。本実施形態では、表面粗さＲａが１００ｎｍ以下の面を貼り合わせ面にしてダイボンドフィルム３とダイシングシート１１とが貼り合わせられているため、ダイボンドフィルム３をダイシングシート１１から剥離する際の剥離力を安定させることができる。従って、前記ピックアップ工程を着実に行なうことができる。また、局所的に剥離力が小さくなり、めくれ等が発生することを抑制することができ、例えば、ダイシング時にダイシングシートと熱硬化型ダイボンドフィルムとの間に水が侵入することを防止することができる。   Next, the semiconductor chip 5 is picked up in order to peel off the semiconductor chip adhesively fixed to the dicing sheet and die bonding film 10 (pickup process). The method of pickup is not particularly limited, and various conventionally known methods can be adopted. For example, a method of pushing up each semiconductor chip 5 by a needle from the side of the die bonding film 10 with a dicing sheet by a needle and picking up the pushed up semiconductor chip 5 by a pickup device can be mentioned. In the present embodiment, since the die bond film 3 and the dicing sheet 11 are bonded together with the surface having a surface roughness Ra of 100 nm or less as the bonding surface, the peeling force when peeling the die bond film 3 from the dicing sheet 11 Can be stabilized. Therefore, the pick-up process can be performed steadily. In addition, it is possible to suppress that peeling force is locally reduced and occurrence of curling and the like can be suppressed, for example, to prevent water from invading between the dicing sheet and the thermosetting die bonding film at the time of dicing. it can.

ピックアップ条件としては、チッピング防止の点で、ニードル突き上げ速度を５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。   In terms of chipping prevention, the pick-up condition is preferably 5 to 100 mm / sec, more preferably 5 to 10 mm / sec, in terms of needle push-up speed.

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。なお、粘着剤層に予め紫外線照射し硬化させておき、この硬化した粘着剤層とダイボンドフィルムとを貼り合わせている場合は、ここでの紫外線照射は不要である。   Here, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is an ultraviolet-curable type, the pickup is performed after irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 2 with ultraviolet light. Thereby, the adhesive force with respect to the die-bonding film 3 of the adhesive layer 2 falls, and peeling of the semiconductor chip 5 becomes easy. As a result, pickup can be performed without damaging the semiconductor chip 5. Conditions such as the irradiation intensity and the irradiation time at the time of ultraviolet irradiation are not particularly limited, and may be set as needed. Moreover, the above-mentioned thing can be used as a light source used for ultraviolet irradiation. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays and cured in advance, and the cured pressure-sensitive adhesive layer and the die bond film are bonded to each other, the ultraviolet ray irradiation here is unnecessary.

次に、ピックアップした半導体チップ５を、被着体６上にダイボンドフィルム３を介して接着固定する（ダイボンド工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。   Next, the semiconductor chip 5 picked up is adhered and fixed onto the adherend 6 via the die bond film 3 (die bonding step). Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed, or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform.

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップをマウントし、半導体チップと電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。   As the substrate, conventionally known ones can be used. Further, as the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board which can be used by mounting a semiconductor chip and electrically connecting to the semiconductor chip.

次に、ダイボンドフィルム３は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる（熱硬化工程）。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。また、加熱硬化は、加圧条件下で行なってもよい。加圧条件としては、１〜２０ｋｇ／ｃｍ２の範囲内が好ましく、３〜１５ｋｇ／ｃｍ２の範囲内がより好ましい。加圧下での加熱硬化は、例えば、不活性ガスを充填したチャンバー内で行なうことができる。なお、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。 Next, since the die-bonding film 3 is a thermosetting type, the semiconductor chip 5 is bonded and fixed to the adherend 6 by heat curing to improve the heat resistance (thermal curing step). The heating temperature may be 80 to 200 ° C, preferably 100 to 175 ° C, and more preferably 100 to 140 ° C. The heating time may be 0.1 to 24 hours, preferably 0.1 to 3 hours, and more preferably 0.2 to 1 hour. Also, heat curing may be performed under pressure. The pressurization condition is preferably in a range of 1~20kg / cm 2, in the range of 3~15kg / cm 2 is more preferable. Heat curing under pressure can be performed, for example, in a chamber filled with an inert gas. In addition, what the semiconductor chip 5 adhered and fixed to a board | substrate etc. via the die-bonding film 3 can be provided to a reflow process.

熱硬化後のダイボンドフィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程における超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体チップが動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。   The shear adhesive strength of the die-bonding film 3 after heat curing is preferably 0.2 MPa or more, more preferably 0.2 to 10 MPa with respect to the adherend 6. The bonding surface of the die bond film 3 and the semiconductor chip 5 or the adherend 6 by ultrasonic vibration or heating in the wire bonding process when the shear adhesive force of the die bond film 3 is at least 0.2 MPa or more. There is no possibility of shear deformation. That is, the semiconductor chip does not move due to the ultrasonic vibration at the time of wire bonding, thereby preventing the wire bonding success rate from decreasing.

次に、必要に応じて、図３に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。   Next, as shown in FIG. 3, if necessary, the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 are electrically connected by the bonding wire 7 (Wire bonding process). For example, a gold wire, an aluminum wire or a copper wire is used as the bonding wire 7. The temperature at which wire bonding is performed is in the range of 80 to 250 ° C, preferably 80 to 220 ° C. The heating time is several seconds to several minutes. The wire connection is performed by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and pressure bonding energy by applied pressure in a state of being heated to be within the above temperature range. This step can be carried out without heat curing of the die bond film 3. In addition, the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are not fixed by the die bond film 3 in the process of this process.

次に、必要に応じて、図３に示すように、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行うことができる。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。すなわち、本発明においては、後述する後硬化工程が行われない場合においても、本工程においてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。また、本封止工程では、シート状の封止用シートに半導体チップ５を埋め込む方法（例えば、特開２０１３−７０２８号公報参照）を採用することもできる。   Next, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip 5 is sealed with a sealing resin 8 as required (sealing step). This process is performed to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This process can be carried out by molding a sealing resin with a mold. For example, an epoxy resin is used as the sealing resin 8. The heating temperature at the time of resin sealing is usually performed at 175 ° C. for 60 to 90 seconds, but the present invention is not limited thereto, and can be cured for several minutes at 165 to 185 ° C., for example. As a result, the sealing resin is cured, and the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are fixed via the die bond film 3. That is, in the present invention, even when the post-curing step to be described later is not performed, fixing by the die-bonding film 3 is possible in this step, which contributes to reduction of the number of manufacturing steps and shortening of the manufacturing period of the semiconductor device. Can. Moreover, in this sealing process, the method (for example, refer Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-7028) which embeds the semiconductor chip 5 in a sheet | seat for sealing sheet is also employable.

次に、必要に応じて加熱を行い、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる（後硬化工程）。封止工程においてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程において封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。   Next, heating is performed as necessary, and the sealing resin 8 which is insufficiently cured in the sealing step is completely cured (post curing step). Even when the die bond film 3 is not completely thermally cured in the sealing step, complete thermal curing of the die bond film 3 together with the sealing resin 8 is possible in this step. Although the heating temperature in this process changes with kinds of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and heating time is about 0.5 to 8 hours.

なお、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンド工程による仮固着の後、ダイボンドフィルム３の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、さらに半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂を硬化（後硬化）させてもよい。この場合、ダイボンドフィルム３の仮固着時の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の仮固着時における剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程における超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体チップが動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。なお、仮固着とは、以降の工程において支障がないように、熱硬化型ダイボンドフィルムの硬化反応を完全に進行した状態に至らない程度で該ダイボンドフィルムを硬化させて（半硬化状態にして）半導体チップ５を固定した状態をいう。なお、ダイボンドフィルムの加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行う場合、上記後硬化させる工程は、本明細書おける熱硬化工程に相当する。   In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, after temporary fixing by the die bonding step, wire bonding is performed without passing through the thermal curing step by the heat treatment of the die bonding film 3, and the semiconductor chip 5 is further made of sealing resin. It may be sealed and the sealing resin may be cured (post curing). In this case, the shear adhesive strength at the time of temporary adhesion of the die-bonding film 3 is preferably 0.2 MPa or more, more preferably 0.2 to 10 MPa with respect to the adherend 6. Even if the wire bonding step is performed without passing through the heating step if the shear adhesive strength at the time of temporary bonding of the die bonding film 3 is at least 0.2 MPa, the die bonding film 3 and the semiconductor are subjected to ultrasonic vibration or heating in the step. There is no occurrence of shear deformation on the bonding surface with the chip 5 or the adherend 6. That is, the semiconductor chip does not move due to the ultrasonic vibration at the time of wire bonding, thereby preventing the wire bonding success rate from decreasing. In addition, in order not to cause a state in which the curing reaction of the thermosetting die-bonding film has completely proceeded, the die-bonding film is cured (in a semi-cured state) so that temporary fixing does not cause any problems in the subsequent steps. In this state, the semiconductor chip 5 is fixed. In addition, when performing a wire bonding, without passing through the thermosetting process by heat processing of a die-bonding film, the process to which said post-hardening is corresponded to the thermosetting process in this specification.

なお、本発明のダイシングシート付きダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。   In addition, the die-bonding film with a dicing sheet of this invention can be used suitably also when laminating | stacking a several semiconductor chip and performing three-dimensional mounting. At this time, the die bond film and the spacer may be laminated between the semiconductor chips, or only the die bond film may be laminated between the semiconductor chips without laminating the spacer, and the method may be appropriately changed according to the manufacturing conditions and application It is possible.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、「部」とあるのは、「重量部」を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, compounding amounts, and the like described in this example are not intended to limit the scope of the present invention to them unless otherwise specified. The term "parts" means "parts by weight".

（実施例１）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｅ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、室温で液状（軟化点は２５℃以下））
８．６部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
１０．６部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−７０Ｌ）
１部
（ｄ）硬化促進触媒（四国化成製、製品名：２ＰＨＺ−ＰＷ、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
０．２部
（ｅ）球状アルミナフィラーＡ：電気化学工業（株）製のＤＡＷ−０３（球状アルミナフィラー、平均粒径：３μｍ、比表面積：０．４ｍ２／ｇ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）
８０部 Example 1
<Preparation of a thermosetting type die-bonding film>
The following (a) to (e) were dissolved in MEK (methyl ethyl ketone), and the concentration was adjusted so that the viscosity was 150 mPa · s at room temperature to obtain an adhesive composition solution.
(A) Epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, product name: JER 827 (bisphenol A epoxy resin), liquid at room temperature (softening point is 25 ° C. or less))
8.6 parts (b) Phenolic resin (Phenolic resin having a biphenylaralkyl skeleton, manufactured by Meiwa Kasei, product name: MEH-7851 SS, softening point 67 ° C., hydroxyl equivalent 203 g / eq.)
10.6 parts (c) acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., product name: Teisan Resin SG-70L)
1 part (d) cure accelerating catalyst (manufactured by Shikoku Chemicals, product name: 2PHZ-PW, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole)
0.2 parts (e) spherical alumina filler A: DAW-03 manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. (spherical alumina filler, average particle diameter: 3 μm, specific surface area: 0.4 m 2 / g, thermal conductivity: 36 W / m · K)
80 copies

なお、球状アルミナフィラーＡは、予め表面処理を行なった。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量（シランカップリング剤処理量）のシランカップリング剤で処理した。シランカップリング剤は信越化学のＫＢＭ５０３を用いた。
（シランカップリング剤処理量）＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）＝６．０２×１０２３×１３×１０−２０／シランカップリング剤の分子量 The spherical alumina filler A was subjected to surface treatment in advance. The surface treatment was performed by a dry method, and was treated with a silane coupling agent in an amount (silane coupling agent throughput) represented by the following formula. The silane coupling agent used was Shin-Etsu Chemical's KBM 503.
(Silane coupling agent treatment amount) = (weight of alumina filler (g) × specific surface area of alumina filler (m 2 / g)) / minimum coverage area of silane coupling agent (m 2 / g)
Minimum coverage area of the silane coupling agent (m 2 /g)=6.02×10 23 × 13 × 10 −20 / molecular weight of the silane coupling agent

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第１のセパレータ）上に塗布して塗布膜を形成した後、乾燥温度１３０℃、乾燥時間２分間で乾燥させた。その後、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第２セパレータ）を重ね、温度６５℃、且つ、圧力０．４ＭＰａの条件下、速度１０ｍ／分で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んだ。これにより、厚さ３０μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。 The adhesive composition solution is applied onto a release-treated film (first separator) made of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film which has been subjected to silicone release treatment to form a coating film, and then the drying temperature is 130 ° C. Drying time was 2 minutes. Thereafter, a release-treated film (second separator) made of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film which has been subjected to silicone release treatment is overlaid, and the temperature is 65 ° C. and the pressure is 0.4 M Pa, at a speed of 10 m / min. The coated film was sandwiched between the first separator and the second separator . Thus, a die bond film A having a thickness of 30 μm was produced.

（実施例２）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｅ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、室温で液状（軟化点は２５℃以下））
７．３部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
８．９部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−７０Ｌ）
４部
（ｄ）硬化促進触媒（四国化成製、製品名：２ＰＨＺ−ＰＷ、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
０．２部
（ｅ）球状アルミナフィラーＡ：電気化学工業（株）製のＤＡＷ−０３（球状アルミナフィラー、平均粒径：３μｍ、比表面積：０．４ｍ２／ｇ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）
８０部 (Example 2)
<Preparation of a thermosetting type die-bonding film>
The following (a) to (e) were dissolved in MEK (methyl ethyl ketone), and the concentration was adjusted so that the viscosity was 150 mPa · s at room temperature to obtain an adhesive composition solution.
(A) Epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, product name: JER 827 (bisphenol A epoxy resin), liquid at room temperature (softening point is 25 ° C. or less))
7.3 parts (b) Phenolic resin (Phenolic resin having a biphenylaralkyl skeleton, manufactured by Meiwa Kasei, product name: MEH-7851 SS, softening point 67 ° C., hydroxyl equivalent 203 g / eq.)
8.9 parts (c) acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., product name: Teisan Resin SG-70L)
4 parts (d) cure accelerating catalyst (manufactured by Shikoku Chemicals, product name: 2PHZ-PW, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole)
0.2 parts (e) spherical alumina filler A: DAW-03 manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. (spherical alumina filler, average particle diameter: 3 μm, specific surface area: 0.4 m 2 / g, thermal conductivity: 36 W / m · K)
80 copies

なお、球状アルミナフィラーＡは、予め表面処理を行なった。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量（シランカップリング剤処理量）のシランカップリング剤で処理した。シランカップリング剤は信越化学のＫＢＭ５０３を用いた。
（シランカップリング剤処理量）＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）＝６．０２×１０２３×１３×１０−２０／シランカップリング剤の分子量 The spherical alumina filler A was subjected to surface treatment in advance. The surface treatment was performed by a dry method, and was treated with a silane coupling agent in an amount (silane coupling agent throughput) represented by the following formula. The silane coupling agent used was Shin-Etsu Chemical's KBM 503.
(Silane coupling agent treatment amount) = (weight of alumina filler (g) × specific surface area of alumina filler (m 2 / g)) / minimum coverage area of silane coupling agent (m 2 / g)
Minimum coverage area of the silane coupling agent (m 2 /g)=6.02×10 23 × 13 × 10 −20 / molecular weight of the silane coupling agent

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第１のセパレータ）上に塗布して塗布膜を形成した後、乾燥温度１３０℃、乾燥時間２分間で乾燥させた。その後、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第２セパレータ）を重ね、温度６５℃、且つ、圧力０．４ＭＰａの条件下、速度１０ｍ／分で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んだ。これにより、厚さ３０μｍのダイボンドフィルムＢを作製した。 The adhesive composition solution is applied onto a release-treated film (first separator) made of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film which has been subjected to silicone release treatment to form a coating film, and then the drying temperature is 130 ° C. Drying time was 2 minutes. Thereafter, a release-treated film (second separator) made of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film which has been subjected to silicone release treatment is overlaid, and the temperature is 65 ° C. and the pressure is 0.4 M Pa, at a speed of 10 m / min. The coated film was sandwiched between the first separator and the second separator . Thereby, the die-bonding film B with a thickness of 30 micrometers was produced.

（比較例１）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｅ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、室温で液状（軟化点は２５℃以下））
６．４部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
７．８部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−７０Ｌ）
６．０部
（ｄ）硬化促進触媒（四国化成製、製品名：２ＰＨＺ−ＰＷ、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
０．２部
（ｅ）球状アルミナフィラーＣ（電気化学工業（株）製のＡＳＦＰ−２０（球状アルミナフィラー、平均粒径：０．３μｍ、比表面積：１２．５ｍ２／ｇ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）） ８０部 (Comparative example 1)
<Preparation of a thermosetting type die-bonding film>
The following (a) to (e) were dissolved in MEK (methyl ethyl ketone), and the concentration was adjusted so that the viscosity was 150 mPa · s at room temperature to obtain an adhesive composition solution.
(A) Epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, product name: JER 827 (bisphenol A epoxy resin), liquid at room temperature (softening point is 25 ° C. or less))
6.4 parts (b) Phenolic resin (Phenolic resin having a biphenylaralkyl skeleton, manufactured by Meiwa Kasei, product name: MEH-7851 SS, softening point 67 ° C., hydroxyl equivalent 203 g / eq.)
7.8 parts (c) acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., product name: Teisan Resin SG-70L)
6.0 parts (d) cure accelerating catalyst (manufactured by Shikoku Kasei, product name: 2PHZ-PW, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole)
0.2 parts (e) spherical alumina filler C (ASFP-20 (a spherical alumina filler, average particle diameter: 0.3 μm, specific surface area: 12.5 m 2 / g, manufactured by Denki Kagaku Kogyo K. K., thermal conductivity: 36 W / m · K)) 80 parts

なお、球状アルミナフィラーＣは、予め表面処理を行なった。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量（シランカップリング剤処理量）のシランカップリング剤で処理した。シランカップリング剤は信越化学のＫＢＭ５０３を用いた。
（シランカップリング剤処理量）＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）＝６．０２×１０２３×１３×１０−２０／シランカップリング剤の分子量 The spherical alumina filler C was subjected to surface treatment in advance. The surface treatment was performed by a dry method, and was treated with a silane coupling agent in an amount (silane coupling agent throughput) represented by the following formula. The silane coupling agent used was Shin-Etsu Chemical's KBM 503.
(Silane coupling agent treatment amount) = (weight of alumina filler (g) × specific surface area of alumina filler (m 2 / g)) / minimum coverage area of silane coupling agent (m 2 / g)
Minimum coverage area of the silane coupling agent (m 2 /g)=6.02×10 23 × 13 × 10 −20 / molecular weight of the silane coupling agent

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第１のセパレータ）上に塗布して塗布膜を形成した後、乾燥温度１３０℃、乾燥時間２分間で乾燥させた。その後、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第２セパレータ）を重ね、温度６５℃、且つ、圧力０．４Ｐａの条件下、速度１０ｍ／分で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んで保持した。これにより、厚さ３０μｍのダイボンドフィルムＣを作製した。   The adhesive composition solution is applied onto a release-treated film (first separator) made of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film which has been subjected to silicone release treatment to form a coating film, and then the drying temperature is 130 ° C. Drying time was 2 minutes. Thereafter, a release-treated film (second separator) made of a 50-μm-thick polyethylene terephthalate film subjected to silicone release treatment is overlaid, and the above-mentioned coating is applied at a temperature of 65 ° C. and a pressure of 0.4 Pa at a speed of 10 m / min. The work film was held by being sandwiched between the first separator and the second separator. Thus, a die bond film C having a thickness of 30 μm was produced.

（比較例２）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｅ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、室温で液状（軟化点は２５℃以下））
８．６部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
１０．６部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−７０Ｌ）
１部
（ｄ）硬化促進触媒（四国化成製、製品名：２ＰＨＺ−ＰＷ、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
０．２部
（ｅ）球状アルミナフィラーＢ：電気化学工業（株）製のＤＡＷ−０３（球状アルミナフィラー、平均粒径：３μｍ、比表面積：０．４ｍ２／ｇ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ、表面処理なし） ８０部 (Comparative example 2)
<Preparation of a thermosetting type die-bonding film>
The following (a) to (e) were dissolved in MEK (methyl ethyl ketone), and the concentration was adjusted so that the viscosity was 150 mPa · s at room temperature to obtain an adhesive composition solution.
(A) Epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, product name: JER 827 (bisphenol A epoxy resin), liquid at room temperature (softening point is 25 ° C. or less))
8.6 parts (b) Phenolic resin (Phenolic resin having a biphenylaralkyl skeleton, manufactured by Meiwa Kasei, product name: MEH-7851 SS, softening point 67 ° C., hydroxyl equivalent 203 g / eq.)
10.6 parts (c) acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., product name: Teisan Resin SG-70L)
1 part (d) cure accelerating catalyst (manufactured by Shikoku Chemicals, product name: 2PHZ-PW, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole)
0.2 parts (e) spherical alumina filler B: DAW-03 manufactured by Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha (spherical alumina filler, average particle diameter: 3 μm, specific surface area: 0.4 m 2 / g, thermal conductivity: 36 W / m · K, without surface treatment) 80 parts

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第１のセパレータ）上に塗布して塗布膜を形成した後、乾燥温度１３０℃、乾燥時間２分間で乾燥させた。その後、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（第２セパレータ）を重ね、温度６５℃、且つ、圧力０．４Ｐａの条件下、速度１０ｍ／分で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟んで保持した。これにより、厚さ３０μｍのダイボンドフィルムＤを作製した。   The adhesive composition solution is applied onto a release-treated film (first separator) made of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film which has been subjected to silicone release treatment to form a coating film, and then the drying temperature is 130 ° C. Drying time was 2 minutes. Thereafter, a release-treated film (second separator) made of a 50-μm-thick polyethylene terephthalate film subjected to silicone release treatment is overlaid, and the above-mentioned coating is applied at a temperature of 65 ° C. and a pressure of 0.4 Pa at a speed of 10 m / min. The work film was held by being sandwiched between the first separator and the second separator. Thus, a die bond film D having a thickness of 30 μm was produced.

なお、実施例、比較例に係るダイボンドフィルムにおけるフィラー全体の平均粒径、及び、フィラー全体の比表面積は、表１に示す通りである。また、ダイボンドフィルム全体に対するフィラーの充填量、樹脂成分中（熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計量中）の熱硬化性樹脂の割合、樹脂成分中（熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計量中）の熱可塑性樹脂の割合、も合わせて表１に示した。   In addition, the average particle diameter of the whole filler in the die-bonding film which concerns on an Example and a comparative example, and the specific surface area of the whole filler are as showing in Table 1. Moreover, the filling amount of the filler with respect to the whole die-bonding film, the ratio of the thermosetting resin in the resin component (in the total amount of the thermosetting resin and the thermoplastic resin), the resin component (the total of the thermosetting resin and the thermoplastic resin) The proportion of the thermoplastic resin in (in the amount) is also shown in Table 1.

（８０℃での溶融粘度の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｄの熱硬化前の８０℃における溶融粘度を測定した。測定にはレオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＲＳ−１）を用いて、パラレルプレート法により行った。即ち、各ダイボンドフィルムＡ〜Ｄから０．１ｇを採取して試料とし、この試料を予め８０℃に熱してあるプレートに仕込んだ。溶融粘度は測定開始から３００秒後の値とした。また、ずり速度を５（１／秒）、プレート間のギャップは０．１ｍｍとした。結果を下記表１に示す。 (Measurement of melt viscosity at 80 ° C)
Melt viscosity in 80 degreeC before thermosetting of die-bonding film AD was measured. The measurement was performed by a parallel plate method using a rheometer (manufactured by HAAKE, RS-1). That is, 0.1 g of each die-bonding film A to D was taken as a sample, and this sample was loaded on a plate previously heated to 80 ° C. The melt viscosity was a value 300 seconds after the start of measurement. The shear speed was 5 (1 / second), and the gap between the plates was 0.1 mm. The results are shown in Table 1 below.

（熱伝導率の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｄの熱硬化後の熱伝導率の測定を行なった。熱伝導率は下記の式から求めた。結果を表１に示す。なお、熱硬化後の熱伝導率とは、１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した後の熱伝導率である。
（熱伝導率）＝（熱拡散係数）×（比熱）×（比重） (Measurement of thermal conductivity)
The thermal conductivity of the die-bonding films A to D after thermal curing was measured. The thermal conductivity was determined from the following equation. The results are shown in Table 1. The thermal conductivity after thermosetting is the thermal conductivity after heating at 130 ° C. for 1 hour and then heating at 175 ° C. for 5 hours.
(Thermal conductivity) = (thermal diffusion coefficient) × (specific heat) × (specific gravity)

＜熱拡散係数＞.
ダイボンドフィルムを１ｍｍ厚に積層したのち、１ｃｍΦの形状に打ち抜いた。次に、１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した。このサンプルを用いて、レーザーフラッシュ法熱測定装置装置（アルバック社製、ＴＣ−９０００）を用いて熱拡散係数を測定した。 <Thermal diffusion coefficient>.
After laminating the die bond film to a thickness of 1 mm, it was punched into a shape of 1 cm Φ. It was then heated at 130 ° C. for 1 hour, followed by heating at 175 ° C. for 5 hours. Using this sample, the thermal diffusion coefficient was measured using a laser flash method thermal measurement apparatus (manufactured by ULVAC, Inc., TC-9000).

＜比熱＞
ＤＳＣ（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ製、Ｑ−２０００）を用いてＪＩＳ−７１２３の規格に沿った測定方法によって求めた。 <Specific heat>
It calculated | required by the measuring method according to the specification of JIS-7123 using DSC (made by TA instrument, Q-2000).

＜比重＞
電子天秤（（株）島津製作所製、ＡＥＬ−２００）を用いてアルキメデス法によって測定した。 <Specific gravity>
It measured by the Archimedes method using the electronic balance (The Shimadzu Corporation make, AEL-200).

（表面粗さＲａの測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｄを平滑なミラーウェハに貼り合わせて固定し、表面粗さＲａを表面粗さ測定機（ミツトヨ社製、製品名「サーフテストＳＪ−３０１」）を用いて測定した。結果を表１に示す。 (Measurement of surface roughness Ra)
The die bond films A to D were bonded and fixed to a smooth mirror wafer, and the surface roughness Ra was measured using a surface roughness measuring machine (manufactured by Mitutoyo, product name "Surf Test SJ-301"). The results are shown in Table 1.

（ダイシング時の水の侵入の評価）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｄを、ダイシングテープ（Ｐ−２１３０、日東電工製）にラミネーターを用いて、４０℃で貼り合せ、さらに接着フィルムの上に５０μｍの８インチウェハを６５℃、０．１ＭＰａ、１０ｍｍ／ｓｅｃで貼り合せた。その後、８インチのダイシングリング（ＤＴＦ２−８−１、（株）ＤＩＳＣＯ製）に貼り合せてダイシングを行った。ダイシング装置（ＤＦＤ６３６１、（株）ＤＩＳＣＯ製）を用いて、Ｚ１ダイシングブレードにＮＢＣ−ＺＨ２０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＥＤＤ（株）ＤＩＳＣＯ製）、Ｚ２ブレードにＮＢＣ−ＺＨ２０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＥＦＦ（株）ＤＩＳＣＯ製）を用いた。ブレード高さはＺ１はウェハに半分切り込む高さ、Ｚ２はダイシングテープに２０μｍ切り込む高さに設定した。ダイシングブレードの回転数は４００００ｒｐｍ、ダイシング速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、水量１Ｌ／分、ステップカット方式で行った。水侵入はダイシング後のサンプルをダイシングテープ側から観察し、ダイボンドフィルムとダイシングテープの間に水が入り込んでいるかどうかを確認し、水が浸入している場合、もしくはダイボンドフィルムとダイシングテープとの間で剥離が生じている場合を水侵入として判断した。ダイシングは一つの実施例につき１０枚行い、１枚でも水侵入が起こったものは「×」、水侵入がおこらなかったものは「○」とした。結果を表１に示す。 (Evaluation of water intrusion during dicing)
The die bond films A to D are bonded to a dicing tape (P-2130, manufactured by Nitto Denko) at 40 ° C. using a laminator, and a 50 μm 8-inch wafer on the adhesive film at 65 ° C., 0.1 MPa, 10 mm It stuck on / sec. After that, dicing was performed by bonding to an 8-inch dicing ring (DTF 2-8-1, manufactured by DISCO Co., Ltd.). Using a dicing apparatus (DFD6361 manufactured by DISCO), NBC-ZH203O-SE27HEDD (manufactured by DISCO) was used as the Z1 dicing blade, and NBC-ZH203O-SE27HEFF (manufactured by DISCO) was used as the Z2 blade. The blade height was set such that Z1 is the height at which the wafer is cut in half, and Z2 is the height at which the dicing tape is cut by 20 μm. The number of revolutions of the dicing blade was 40,000 rpm, the dicing speed was 30 mm / sec, the amount of water was 1 L / min, and the step cutting method was performed. For water penetration, observe the sample after dicing from the dicing tape side to check whether water is intruding between the die bond film and the dicing tape, and if water is infiltrating, or between the die bond film and the dicing tape The case where peeling occurred was judged as water intrusion. Ten pieces of dicing were carried out for one example, and even if one piece of water intrusion occurred, "x" was taken, and one in which water intrusion did not occur was "o". The results are shown in Table 1.

Figure 0006505362
Figure 0006505362

１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２ ダイシングシート付きダイボンドフィルム
１１ ダイシングシート 1 substrate 2 pressure-sensitive adhesive layer 3, 3 'die bond film (thermosetting die bond film)
4 semiconductor wafer 5 semiconductor chip 6 adherend 7 bonding wire 8 sealing resin 10, 12 die bond film with dicing sheet 11 dicing sheet

Claims (5)

熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、
熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有し、
前記熱伝導性粒子は、シランカップリング剤による表面処理体であり、
一方の面の表面粗さＲａが１５０ｎｍ以下であることを特徴とする熱硬化型ダイボンドフィルム。 Thermal conductivity after heat curing is 1 W / m · K or more,
Containing 75% by weight or more of thermal conductive particles having a thermal conductivity of 12 W / m · K or more with respect to the entire thermosetting die-bonding film,
Wherein the thermally conductive particles, Ri by that surface treatment Karadadea a silane coupling agent,
A thermosetting die bond film characterized in that the surface roughness Ra of one surface is 150 nm or less. ８０℃での溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。   The thermosetting viscosity die-bonding film according to claim 1, wherein the melt viscosity at 80 ° C is 10000 Pa · s or less. 請求項１又は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングシートとが、前記一方の面を貼り合わせ面にして積層されていることを特徴とするダイシングシート付きダイボンドフィルム。   A die-bonding film with a dicing sheet, wherein the thermosetting die-bonding film according to claim 1 and the dicing sheet are laminated with the one surface as a bonding surface. 請求項１又は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムの製造方法であって、
熱硬化型ダイボンドフィルムを形成するための接着剤組成物溶液を第１セパレータ上に塗工して塗工膜を形成する工程と、
前記塗工膜上に第２セパレータを重ね、温度４０℃〜１００℃、且つ、圧力０．０１ＭＰａ〜１．０ＭＰａの条件下、速度１〜３０ｍ／分の範囲内で前記塗工膜を前記第１セパレータと前記第２セパレータとで挟み、熱硬化型ダイボンドフィルムを形成する工程とを含むことを特徴とする熱硬化型ダイボンドフィルムの製造方法。 It is a manufacturing method of the thermosetting type die-bonding film of Claim 1 or 2, Comprising:
Applying an adhesive composition solution for forming a thermosetting die-bonding film on the first separator to form a coated film;
The second separator is stacked on the coated film, and the coated film is coated at a temperature of 40 ° C. to 100 ° C. and a pressure of 0.01 MPa to 1.0 MPa at a speed of 1 to 30 m / min. 1 viewed sandwiched by separators and the second separator, a manufacturing method of the thermosetting die-bonding film which comprises a step of forming a thermosetting die-bonding film. 請求項３に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a die-bonding film with a dicing sheet according to claim 3;
A bonding step of bonding the thermosetting die bond film of the die bonding film with the dicing sheet and the back surface of the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer with the thermosetting die-bonding film to form a chip-like semiconductor chip;
A pickup step of picking up the semiconductor chip from the die-bonding film with the dicing sheet together with the thermosetting die-bonding film;
And D. a die bonding step of die bonding the semiconductor chip onto an adherend via the thermosetting die bonding film.
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