JP6501218B2 - Etching solution composition and etching method - Google Patents

Description

本発明は、酸化インジウム系層をエッチングするためのエッチング液組成物及び該組成物を用いたエッチング方法に関するものである。   The present invention relates to an etchant composition for etching an indium oxide based layer and an etching method using the composition.

近年、スマートフォンの普及により、静電容量式のタッチパネルの需要が拡大しており、これに伴って透明導電膜に用いられているインジウム系層を加工する為のエッチング液の需要が高まっている。透明導電膜等に使用される酸化インジウム系層のウエットエッチングに関する技術は、種々知られているが、安価でエッチング速度が良好であることから、塩化水素を含む水溶液がエッチング液組成物として多く使用されている。   In recent years, with the spread of smartphones, the demand for capacitive touch panels is expanding, and with this trend, the demand for etching solutions for processing an indium-based layer used for a transparent conductive film is increasing. Various techniques related to wet etching of indium oxide based layers used for transparent conductive films etc. are known, but aqueous solutions containing hydrogen chloride are often used as etching solution compositions because they are inexpensive and have good etching rates It is done.

特許文献１、２には、塩化水素、塩化第二鉄及びリン酸を含むエッチング剤によるインジウム−スズ酸化物（以下、ＩＴＯと略す場合がある）層と、銅からなる積層の一括エッチング用に用いられるエッチング液が開示されている。   In Patent Documents 1 and 2, for simultaneously etching an indium-tin oxide (hereinafter sometimes abbreviated as ITO) layer and a copper laminate by an etchant containing hydrogen chloride, ferric chloride and phosphoric acid. An etchant used is disclosed.

特開２００９−２３５４３８号公報JP, 2009-235438, A 特開２００８−５４７２３２号公報JP, 2008-547232, A

従来からエッチング工程に関連する容器、配管及び留め具などの素材には、チタンが用いられる場合がある。このような場合には、特許文献１、２に記載されるような塩化水素を含有するエッチング液を用いると、チタンを腐食してしまい、容器、配管及び留め具などを劣化させてしまうことが問題となっていた。一方で、結晶化したＩＴＯをエッチングする場合において、塩化水素を含有しないエッチング液ではエッチング時間が非常に長くなってしまい生産性が著しく低下することが問題となっていた。そこで、チタンの腐食が抑制された塩化水素を含有するエッチング液が求められていた。   Titanium is sometimes used for materials such as containers, piping and fasteners conventionally associated with the etching process. In such a case, if an etching solution containing hydrogen chloride as described in Patent Documents 1 and 2 is used, titanium may be corroded and the container, piping, fasteners and the like may be deteriorated. It was a problem. On the other hand, in the case of etching crystallized ITO, it has been a problem that the etching time becomes very long and the productivity is significantly reduced in the etching solution which does not contain hydrogen chloride. Therefore, an etching solution containing hydrogen chloride in which the corrosion of titanium is suppressed has been desired.

従って、本発明の目的は、酸化インジウム系層をエッチングすることができ、且つ塩化水素を含有するエッチング液組成物でありながらも、チタンの腐食を少なくすることができるエッチング液組成物及び該エッチング組成物を使用したエッチング方法を提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is to etch an indium oxide-based layer and to reduce the corrosion of titanium although it is an etchant composition containing hydrogen chloride, and the etching It is an object of the present invention to provide an etching method using the composition.

本発明者等は、検討を重ねた結果、特定の成分を有するエッチング液組成物が上記課題を解決し得ることを知見し、本発明に到達した。
即ち、本発明は、（Ａ）塩化水素；（Ｂ）ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びその塩並びにエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有してなる水溶液であり、（Ａ）の濃度は０．１〜３０質量％であり、（Ｂ）の濃度は０．００１〜１０質量％であることを特徴とする酸化インジウム系層用エッチング液組成物に係るものである。 As a result of repeated investigations, the present inventors have found that an etching solution composition having a specific component can solve the above-mentioned problems, and reached the present invention.
That is, the present invention comprises at least one compound selected from the group consisting of (A) hydrogen chloride; (B) diethylenetriaminepenta (methylene phosphonic acid) and salts thereof and ethylenediaminetetra (methylene phosphonic acid) and salts thereof Aqueous solution, wherein the concentration of (A) is 0.1 to 30% by mass, and the concentration of (B) is 0.001 to 10% by mass. It relates to the thing.

また、本発明は、上記エッチング液組成物を用いたエッチング方法に係るものである。   The present invention also relates to an etching method using the above-mentioned etching solution composition.

本発明のエッチング液組成物によれば、酸化インジウム系層をエッチングすることができ、且つ塩化水素を含有するエッチング液組成物でありながらも、チタンの腐食を少なくすることができるという効果を奏するものである。   According to the etching solution composition of the present invention, it is possible to etch the indium oxide based layer, and it is possible to reduce the corrosion of titanium even though it is an etching solution composition containing hydrogen chloride. It is a thing.

実施例２及び比較例２でテストピースとして使用した基板の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section of the board | substrate used as a test piece in Example 2 and Comparative Example 2. FIG.

以下、本発明のエッチング液組成物を具体的に説明する。
まず、本明細書に記載する「酸化インジウム系層」とは、酸化インジウムを含む層を意味するものであり、特に限定されるものではないが、例えば、酸化インジウム層、インジウム−スズ酸化物層、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物層及びインジウム−亜鉛酸化物層から選ばれる１種以上からなる層を総称するものである。 Hereinafter, the etching liquid composition of the present invention will be specifically described.
First, the "indium oxide-based layer" described in the present specification means a layer containing indium oxide and is not particularly limited. For example, an indium oxide layer, an indium-tin oxide layer It is a generic term for layers consisting of one or more selected from an indium-gallium-zinc oxide layer and an indium-zinc oxide layer.

本発明のエッチング液組成物に用いられる（Ａ）塩化水素［以下、（Ａ）成分と略す場合がある］の濃度は、０．１〜３０質量％である。（Ａ）成分の濃度が０．１質量％よりも低いと、充分なエッチング速度が得られないために好ましくない。一方、（Ａ）成分の濃度が３０質量％より高い場合には、エッチング速度の制御が困難となるために好ましくない。なお、（Ａ）成分の濃度は、被エッチング材である酸化インジウム系層の厚みや幅によって適宜調節すればよいが、（Ａ）成分の濃度が１〜２０質量％である場合、組成物の長期保存安定性が高く特に好ましい。   The concentration of (A) hydrogen chloride [hereinafter, sometimes abbreviated as (A) component] used in the etching solution composition of the present invention is 0.1 to 30% by mass. If the concentration of the component (A) is less than 0.1% by mass, it is not preferable because a sufficient etching rate can not be obtained. On the other hand, when the concentration of the component (A) is higher than 30% by mass, it is difficult to control the etching rate, which is not preferable. The concentration of the component (A) may be appropriately adjusted depending on the thickness and width of the indium oxide based layer which is the material to be etched, but when the concentration of the component (A) is 1 to 20 mass%, the composition The long-term storage stability is high and particularly preferred.

本発明のエッチング液組成物に用いられる（Ｂ）ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びその塩並びにエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物［以下、（Ｂ）成分と略す場合がある］において、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）の塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などのアルカリ金属塩やマグネシウム塩などのアルカリ土類金属塩が挙げられる。なかでも、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びその塩を用いた場合には、チタンの腐食を少なくする効果が特に高く好ましい。（Ｂ）成分は１種類の化合物のみを用いてもよいし、２種類以上の化合物を用いてもよい。   (B) at least one compound selected from the group consisting of (B) diethylenetriaminepenta (methylene phosphonic acid) and its salt, and ethylenediaminetetra (methylene phosphonic acid) and its salt used in the etching liquid composition of the present invention [hereinafter, (B) As a component of diethylenetriaminepenta (methylene phosphonic acid) and ethylene diamine tetra (methylene phosphonic acid) may be an alkali earth salt such as an alkali metal salt such as sodium salt, potassium salt or lithium salt, or magnesium salt). And the like. Among them, when diethylene triamine penta (methylene phosphonic acid) and a salt thereof are used, the effect of reducing the corrosion of titanium is particularly high and preferable. As the component (B), only one type of compound may be used, or two or more types of compounds may be used.

（Ｂ）成分の濃度は、０．００１〜１０質量％である。（Ｂ）成分の濃度が０．００１質量％よりも低いと、その配合効果が発現しないために好ましくなく、また、１０質量％を超えても、配合効果の向上は見られないために好ましくない。なお、（Ｂ）成分の濃度は、被エッチング材である酸化インジウム系層の厚みや幅によって適宜調節すればよいが、（Ｂ）成分の濃度が０．００１〜５質量％である場合、チタンの腐食を少なくする効果が高く、さらに組成物の長期保存安定性が高く特に好ましい。   The concentration of the component (B) is 0.001 to 10% by mass. If the concentration of the component (B) is lower than 0.001% by mass, it is not preferable because the combination effect is not expressed, and even if it exceeds 10% by mass, it is not preferable because the improvement of the combination effect is not observed . The concentration of the component (B) may be appropriately adjusted depending on the thickness and width of the indium oxide-based layer which is the material to be etched, but when the concentration of the component (B) is 0.001 to 5 mass%, titanium And the long-term storage stability of the composition is particularly high.

本発明のエッチング液組成物は、上記（Ａ）及び（Ｂ）成分以外の必須成分は水である。従って、上記成分を必要量含有する水溶液の形で提供される。   In the etching solution composition of the present invention, essential components other than the components (A) and (B) are water. Accordingly, it is provided in the form of an aqueous solution containing the necessary amount of the above-mentioned components.

また、本発明のエッチング液組成物には、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のほかに、本発明の効果を阻害することのない範囲で、周知の添加剤を配合させることができる。当該添加剤としては、エッチング液組成物の安定化剤、各成分の可溶化剤、消泡剤、ｐＨ調整剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、キレート剤、酸化剤、還元剤、界面活性剤等が挙げられ、これらを使用する場合の濃度は、一般的に、０．００１質量％〜１０質量％の範囲である。   In addition to the components (A) and (B), well-known additives can be added to the etching solution composition of the present invention as long as the effects of the present invention are not inhibited. As the additive, a stabilizer for the etching solution composition, a solubilizer for each component, an antifoamer, a pH regulator, a specific gravity regulator, a viscosity regulator, a wettability improver, a chelating agent, an oxidizing agent, a reduction agent An agent, surfactant, etc. are mentioned and the density | concentration in the case of using these generally ranges from 0.001 mass%-10 mass%.

なお、本発明のエッチング液組成物のエッチング速度が早すぎる場合、還元剤を添加剤として用いることが好ましく、具体的には塩化銅、塩化第一鉄、銅粉、銀粉等が挙げられ、これらを使用する場合の濃度は、一般的に、０．０１質量％〜１０質量％の範囲である。   In addition, when the etching rate of the etching liquid composition of this invention is too fast, it is preferable to use a reducing agent as an additive, and copper chloride, ferrous chloride, copper powder, silver powder etc. are specifically mentioned. The concentration when using is generally in the range of 0.01% by mass to 10% by mass.

本発明のエッチング液組成物は、被エッチング基体が酸化インジウム系層と、銅および／または銅合金層を含む積層体である場合、被エッチング基体から酸化インジウム系層だけを選択的にエッチングすることができる。該酸化インジウム系層は１層でもよく、２層以上の積層体であってもよい。また、該銅および／または銅合金層は１層でもよく、２層以上の積層体であってもよい。該酸化インジウム系層と銅および／または銅合金層を含む積層体は、銅および／または銅合金層が酸化インジウム系層の上層であってもよく、下層であってもよく、上層及び下層にあってもよい。また、該酸化インジウム系層と銅および／または銅合金層を含む積層体において、酸化インジウム系層と銅および／または銅合金層は交互に積層されたものであってもよく、他の金属を含有する層を挟んでいてもよい。   The etching solution composition of the present invention selectively etches only the indium oxide based layer from the substrate to be etched when the substrate to be etched is a laminate including the indium oxide based layer and the copper and / or copper alloy layer. Can. The indium oxide based layer may be a single layer or a laminate of two or more layers. The copper and / or copper alloy layer may be a single layer or a laminate of two or more layers. In the laminate including the indium oxide based layer and the copper and / or copper alloy layer, the copper and / or copper alloy layer may be the upper layer or the lower layer of the indium oxide based layer, and may be the upper layer and the lower layer It may be. In the laminate including the indium oxide based layer and the copper and / or copper alloy layer, the indium oxide based layer and the copper and / or copper alloy layer may be alternately laminated, and other metals may be used. The layer to be contained may be sandwiched.

ここで、本明細書に記載する「銅合金層」とは、特に限定するものではないが、例えば、銅−ニッケル合金、銅−ニッケル−チタン（ＣｕＮｉＴｉ）合金、銀−パラジウム−銅合金等に代表される銅合金から選ばれる１種以上からなる層を総称するものである。   Here, the “copper alloy layer” described in the present specification is not particularly limited, but, for example, copper-nickel alloy, copper-nickel-titanium (CuNiTi) alloy, silver-palladium-copper alloy, etc. It is a generic term for layers consisting of one or more selected from representative copper alloys.

本発明のエッチング剤組成物を用いた酸化インジウム系層をエッチングするエッチング方法としては、特に限定されるものではなく、周知一般のエッチング方法を用いればよい。例えば、ディップ式、スプレー式、スピン式によるエッチング方法が挙げられる。   The etching method for etching the indium oxide-based layer using the etching agent composition of the present invention is not particularly limited, and a known general etching method may be used. For example, a dip type, a spray type, and a spin type etching method can be mentioned.

例えば、ディップ式のエッチング方法によって、ポリエチレンテレフタラート（以下、ＰＥＴと略す場合がある）フィルム上にＩＴＯ層が形成された基体上に、下から順にＣｕ層、ＣｕＮｉＴｉ層及び感光性ドライフィルムレジスト層で構成されたパターンを形成した基板をエッチングする場合には、基材を本発明のエッチング剤に浸し、適切なエッチング条件にて浸漬した後に引き上げることで基材からＩＴＯ層のみを選択的にエッチングすることができる。   For example, a Cu layer, a CuNiTi layer, and a photosensitive dry film resist layer are sequentially formed from the bottom on a substrate in which an ITO layer is formed on a polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as PET) film by dip etching. When etching the substrate on which the pattern formed in the above is formed, the substrate is dipped in the etching agent of the present invention, immersed in appropriate etching conditions, and then pulled up to selectively etch only the ITO layer from the substrate. can do.

エッチング条件は特に限定されるものではなく、エッチング対象の形状や膜厚などに応じて任意に設定することができる。例えば、エッチング温度は、１０℃〜６０℃が好ましく、３０℃〜５０℃が特に好ましい。エッチング剤の温度は反応熱により上昇することがあるので、必要なら上記温度範囲内に維持するよう公知の手段によって温度制御することもできる。また、エッチング時間は、エッチング対象が完全にエッチングされるに十分必要な時間とすればよいので特に限定されるものではない。例えば、電子回路基板における配線製造におけるような膜厚１０〜１００００Å程度のエッチング対象であれば、上記温度範囲であれば０．２〜３０分程度エッチングを行うことができる。   The etching conditions are not particularly limited, and can be arbitrarily set in accordance with the shape, film thickness, and the like of the etching object. For example, the etching temperature is preferably 10 ° C. to 60 ° C., and particularly preferably 30 ° C. to 50 ° C. Since the temperature of the etchant may rise due to the heat of reaction, it may be controlled by known means to maintain it within the above temperature range, if necessary. In addition, the etching time is not particularly limited because it may be a time sufficient for the etching target to be completely etched. For example, in the case of an etching target having a film thickness of about 10 to 10000 Å as in the manufacture of wiring in an electronic circuit board, etching can be performed for about 0.2 to 30 minutes within the above temperature range.

以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明するが、これらによって本発明が何ら限定されるものではないことを理解されたい。
実施例１
表１に示す配合割合にて各成分を配合することにより、本発明品組成物１〜１４を得た。なお、残分は水である。 Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of Examples and Comparative Examples, but it should be understood that the present invention is not limited thereto.
Example 1
Inventive product compositions 1 to 14 were obtained by blending the components at the blending ratios shown in Table 1. The balance is water.

比較例１
表２に示す配合割合にて各成分を配合することにより、比較品組成物１〜８を得た。なお、残分は水である。 Comparative Example 1
Comparative product compositions 1 to 8 were obtained by blending the components at the blending ratios shown in Table 2. The balance is water.

実施例２
図１の模式図を示すように、ＰＥＴフィルム（１）上にＩＴＯ層（２）が形成された基体上に、下から順にＣｕ層（３）、銅−ニッケル合金層（以下、ＣｕＮｉ層と略す場合がある）（４）及び感光性ドライフィルムレジスト層（５）で構成されたパターン（幅７５μｍ、開口部２５μｍ）を形成した基板を縦２０ｍｍ×横２０ｍｍに切断してテストピースとした。このテストピースに対し、実施例１で調製した本発明品のエッチング液組成物を用いて、４５℃で、露出しているＩＴＯが目視で完全に見られなくなるまで、撹拌下でディップ式によるエッチング処理を行うことで、ＩＴＯ層のみを選択的にエッチングした。 Example 2
As shown in the schematic view of FIG. 1, on a substrate having an ITO layer (2) formed on a PET film (1), a Cu layer (3), a copper-nickel alloy layer (hereinafter referred to as a CuNi layer) A substrate formed with a pattern (75 .mu.m wide, 25 .mu.m opening) formed of (4) and a photosensitive dry film resist layer (5) may be cut into 20 mm long and 20 mm wide to obtain a test piece. Using this etching solution composition of the present invention prepared in Example 1, this test piece is etched by dipping at 45 ° C. under agitation until the exposed ITO can not be completely seen visually By the treatment, only the ITO layer was selectively etched.

比較例２
実施例２と同様のテストピースに対し、比較例１で調製した比較品のエッチング液組成物を用いて、４５℃で、露出しているＩＴＯが目視で完全に見られなくなるまで、撹拌下でディップ式によるエッチング処理を行うことで、ＩＴＯ層のみを選択的にエッチングした。 Comparative example 2
For the same test piece as in Example 2, using the etching solution composition of the comparative product prepared in Comparative Example 1, under stirring at 45 ° C., until the exposed ITO can not be completely seen visually Only the ITO layer was selectively etched by the dip etching process.

評価例１
実施例２及び比較例２により得られたパターンについて、パターン上部の状態を、レーザー顕微鏡を用いて確認した。パターン上部の状態の評価は、パターン最上部に３μｍ以上の長さの欠けの有無を確認することで評価した。具体的には、パターン最上部に３μｍ以上の長さの欠けがみられるものを×、３μｍ以上の長さの欠けが見られないものを○とした。 Evaluation example 1
Regarding the patterns obtained in Example 2 and Comparative Example 2, the state of the upper part of the pattern was confirmed using a laser microscope. The state of the top of the pattern was evaluated by confirming the presence or absence of a chip having a length of 3 μm or more at the top of the pattern. Specifically, those with a chipping of 3 μm or more in length at the top of the pattern were evaluated as ×, and those without a chipping of 3 μm or more in length were ○.

表３の結果より、評価例１−１〜１−１４は３μｍ以上の長さの欠けが発生することなく、エッチングできることがわかった。一方、比較例２−７は３μｍ以上の長さの欠けが発生していることがわかった。また、比較例２−８はＩＴＯをエッチングすることさえできなかった。 From the results of Table 3, it was found that in the evaluation examples 1-1 to 1-14, etching can be performed without generation of a chip having a length of 3 μm or more. On the other hand, in Comparative Example 2-7, it was found that a chip having a length of 3 μm or more was generated. Moreover, Comparative Example 2-8 could not even etch ITO.

実施例３
縦５０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ１ｍｍのチタンテストピース（重量５．５５〜５．６５ｇ）を本発明品組成物１〜１４に５０℃の恒温槽内で２４時間含浸させた。その後、水洗及び乾燥させ、評価用チタンテストピース１〜１４を得た。 Example 3
A titanium test piece (weight: 5.55-5.65 g) measuring 50 mm long × 20 mm wide × 1 mm thick was impregnated with the inventive composition 1 to 14 in a thermostat at 50 ° C. for 24 hours. Then, it was washed with water and dried to obtain titanium test pieces 1 to 14 for evaluation.

比較例３
実施例３と同様のチタンテストピース（重量５．５５〜５．６５ｇ）を比較品組成物１〜８に５０℃の恒温槽内で２４時間含浸させた。その後、水洗及び乾燥させ、比較用チタンテストピース１〜８を得た。 Comparative example 3
The same titanium test pieces (weight 5.55 to 5.65 g) as in Example 3 were impregnated with comparative composition 1 to 8 in a thermostat at 50 ° C. for 24 hours. Thereafter, it was washed with water and dried to obtain titanium test pieces 1 to 8 for comparison.

評価例２
評価用Ｔｉテストピース１〜１４及び比較用チタンテストピース１〜６について、含浸前の重量と含浸後の重量の重量変化率（Ｌ）を算出した。Ｌが小さい場合、チタンの腐食に伴う重量減少が少ないので好ましい。
Ｌが１より大きい場合を×、０．１〜１の範囲である場合を△、０．１未満〜０．０５である場合を○、０．０５未満である場合を◎として評価した：
Ｌ＝（含浸前の重量−含浸後の重量）／含浸前の重量×１００ Evaluation example 2
For the Ti test pieces 1 to 14 for evaluation and the titanium test pieces 1 to 6 for comparison, the weight change rate (L) of the weight before impregnation and the weight after impregnation was calculated. When L is small, it is preferable because there is little weight loss due to corrosion of titanium.
The case where L is greater than 1 is evaluated as x, the case where it is in the range of 0.1 to 1 is evaluated as Δ, the case where it is less than 0.1 to 0.05, and the case where it is less than 0.05 as ◎:
L = (weight before impregnation-weight after impregnation) / weight before impregnation x 100

表４の結果より、評価例２−１〜２−１４はＬが０．１未満でありチタンの腐食が少ないことがわかった。なかでも、評価例２−１〜２−６、２−１３及び２−１４はチタンの腐食が特に少ないことがわかった。一方、比較例３−１〜比較例３−６は評価例２−１〜評価例２−１４よりもＬが大きく、チタンの腐食量が多いことがわかった。   From the results of Table 4, it was found that in the evaluation examples 2-1 to 2-14, L was less than 0.1 and the corrosion of titanium was small. Among the evaluation examples 2-1 to 2-6, 2-13, and 2-14, it was found that corrosion of titanium was particularly low. On the other hand, in Comparative Examples 3-1 to 3-6, it was found that L was larger than in Evaluation Example 2-1 to Evaluation Example 2-14, and the amount of corrosion of titanium was large.

本発明のエッチング液組成物は、主に液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネル、有機ＥＬ、太陽電池、照明器具等の電極や配線を加工する際に好適に使用することができる。   The etching solution composition of the present invention can be suitably used mainly when processing electrodes and wiring of liquid crystal displays, plasma displays, touch panels, organic ELs, solar cells, lighting fixtures and the like.

１ ＰＥＴフィルム、２ ＩＴＯ層、３ Ｃｕ層、４ ＣｕＮｉ層、５ 感光性ドライフィルムレジスト層。   1 PET film, 2 ITO layer, 3 Cu layer, 4 CuNi layer, 5 photosensitive dry film resist layer.

Claims (4)

（Ａ）塩化水素；
（Ｂ）ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びその塩並びにエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
よりなる水溶液であり、
（Ａ）の濃度は０．１〜３０質量％であり、
（Ｂ）の濃度は０．００１〜１０質量％であることを特徴とする酸化インジウム系層用エッチング液組成物。 (A) hydrogen chloride;
(B) at least one compound selected from the group consisting of diethylenetriaminepenta (methylene phosphonic acid) and salts thereof and ethylenediaminetetra (methylene phosphonic acid) and salts thereof
It is an aqueous solution consisting of
The concentration of (A) is 0.1 to 30% by mass,
An etching solution composition for an indium oxide based layer, wherein the concentration of (B) is 0.001 to 10% by mass. （Ａ）塩化水素；
（Ｂ）ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びその塩並びにエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物；及び
エッチング液組成物の安定化剤、各成分の可溶化剤、ｐＨ調整剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、還元剤からなる添加剤
よりなる水溶液であり、
（Ａ）の濃度は０．１〜３０質量％であり、
（Ｂ）の濃度は０．００１〜１０質量％であり、
添加剤の濃度は０．００１〜１０質量％であることを特徴とする酸化インジウム系層用エッチング液組成物。 (A) hydrogen chloride;
(B) diethylene triamine penta (methylene phosphonic acid) and its salts and ethylene diamine tetra (methylene phosphonic acid) and at least one compound selected from the group consisting of a salt thereof; and
Additive consisting of a stabilizer for etching solution composition, a solubilizer for each component, a pH regulator, a specific gravity regulator, a viscosity regulator, a wettability improver, and a reducing agent
It is an aqueous solution consisting of
The concentration of (A) is 0.1 to 30% by mass,
The concentration of (B) is Ri 0.001% by mass,
The concentration of the additive etchant compositions for indium oxide layer, wherein 0.001 to 10% by mass Rukoto. 請求項１または２に記載のエッチング液組成物を用いることを特徴とする酸化インジウム系層をエッチングするエッチング方法。 An etching method for etching an indium oxide-based layer, characterized by using the etching solution composition according to claim 1 or 2 . 酸化インジウム系層が、酸化インジウム層、インジウム−スズ酸化物層、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物層及びインジウム−亜鉛酸化物層から選ばれる少なくとも１層以上の層である、請求項３に記載のエッチング方法。 Indium oxide layer, an indium layer oxide, indium - tin oxide layer, an indium - gallium - zinc oxide layer and an indium - at least one or more layers selected from a zinc oxide layer, according to claim 3 Etching method.

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