JP6500205B2 - 蓄電デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態における蓄電デバイスの一例である電解コンデンサ1の断面図である。図2(a)は図1に示す電解コンデンサ1の蓄電素子となるコンデンサ素子12の展開斜視図である。図2(b)は、コンデンサ素子12の構造を説明するための積層関係を示す図である。図3は、図2(a)、(b)に示す陽極体21と陰極体22と、陽極体21と陰極体22との間に介在するセパレータ23とを有するコンデンサ素子12及び電解液16を説明するための部分断面模式図である。
た陽極リード11A、陰極リード11Bがそれぞれ、超音波溶着や針カシメ等により接合されている。そして、陽極リード11A、陰極リード11Bの他方の端部はコンデンサ素子12の同一端面より引出されている。陽極リード11A、陰極リード11Bの、少なくとも陽極体21、陰極体22との接合部分は、陽極体21、陰極体22と同じ材料で構成されていることが好ましい。
、その空隙に電解液16が入り込んでいる。
ミダゾール化合物、脂環式アミジン化合物(ピリミジン化合物、イミダゾリン化合物)などが挙げられる。また、塩基成分として、アンモニウム、一級アミン(メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミンエチレンジアミン、モノエタノールアミン等)、二級アミン(ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、エチルメチルアミン、ジフェニルアミン、ジエタノールアミン等)、三級アミン(トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセン−7、トリエタノールアミン等)を用いてもよい。なお、中高圧の電解コンデンサにおいて溶質である電解質成分の塩基成分は、アンモニウム、ジエチルアミン、トリエチルアミンを用いることが好ましい。
ている。つまり、セパレータ基材24に被着している導電性高分子25の被着量が、陰極体22近傍よりも陽極体21近傍の方が多くなっている。
側23Bには導電性高分子25が被着しない構成にしても、電解コンデンサのESRを低減させることができる。
実施例1について説明する。
次に、実施例2について説明する。
比較例1において、セパレータ基材を変更した以外は、材料、作製方法共に実施例1と同様に電解コンデンサを作製した。
実施例1、2及び比較例1の電解コンデンサをそれぞれ20個作製し、10個を耐電圧測定に、10個をESR測定に供した。耐電圧は、105℃の雰囲気において5mAの定電流を電解コンデンサに流して、絶縁破壊の起きる電圧を測定し、この電圧を耐電圧として評価した。ESRは、20℃の環境で、100kHzにおいて測定した。これらの結果を表1に示す。なお、表1に記載の耐電圧及びESRの値は、比較例1を100とした場合の相対値である。
セパレータ基材の陽極体と対向する側の第1面側の密度を、陰極体と対向する側の第2面側の密度よりも低くした実施例1、2では、セパレータ基材の陽極体と対向する側の第1面側の密度と、陰極体と対向する側の第2面側の密度が同じである比較例1に比較して、ESRを低減できた。
11B 陰極リード
12 コンデンサ素子
13 ケース
13A 絞り加工部
14 封口体
14A,14B 貫通孔
15 外装体
16 電解液
21 陽極体(陽極箔)
21A 金属箔
21B 誘電体酸化皮膜
22 陰極体(陰極箔)
23 セパレータ
23A 第1面側
23B 第2面側
24 セパレータ基材
25 導電性高分子
231A 第1面
232A 第2面
Claims (3)
- 表面に誘電体皮膜を有する陽極体と、前記陽極体に対向する陰極体と、前記陽極体と前記陰極体との間に介在するセパレータとを有する蓄電素子に、電解液を含浸した蓄電デバイスの製造方法であって、
紙または不織布からなり、第1面と、該第1面の裏側の第2面とを有し、前記第1面側の密度が、前記第2面側の密度よりも低いセパレータ基材を用意する第1工程と、
前記第1工程の後、前記セパレータ基材の第1面に、導電性高分子を溶媒または分散媒に溶解または分散させた液剤を塗着する第2工程と、
前記第2工程の後、前記液剤を前記第1面からセパレータ基材の内部へ含浸させる第3工程と、
前記第3工程の後、前記液剤の溶媒または分散媒を蒸発させることにより、前記セパレータ基材に導電性高分子が被着した前記セパレータを形成する第4工程と、
前記第4工程の後、前記セパレータ基材の第1面を前記陽極体に、前記セパレータ基材の第2面を前記陰極体に、それぞれ対向させて前記蓄電素子を形成する第5工程と、
前記第5工程の後、前記蓄電素子に、前記電解液を含浸する第6工程とを備える、蓄電デバイスの製造方法。 - 前記第3工程において、前記液剤の少なくとも一部を前記第2面にまで浸み込ませることを特徴とする請求項1に記載の蓄電デバイスの製造方法。
- 前記陽極体として、表面に誘電体皮膜を有する陽極箔を用い、
前記陰極体として、陰極箔を用い、
前記第4工程において、前記セパレータ基材の第1面を前記陽極箔に、前記セパレータ基材の第2面を前記陰極箔に、それぞれ対向させて巻回することにより、前記蓄電素子を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の蓄電デバイスの製造方法。
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