JP6498465B2 - 電源切替回路及び半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、メイン電源とサブ電源から電源の供給を受ける半導体装置における、メイン電源からの電源の供給が停止したときに、メイン電源からサブ電源に電源の供給を切り替える電源切替回路に関する。
図3は、従来の電源切替回路を示す回路図である。
従来の電源切替回路は、メイン電源の電圧V0が与えられるメイン電源入力端子200と、サブ電源の電圧V1が与えられるサブ電源入力端子201と、PN接合素子202及び203と、電圧Voutを出力する出力端子204を備えている。
図4は、従来の電源切替回路のPN接合素子の断面構造図である。
PN接合素子は、基板のP型領域209の中に設けられたN型領域208をカソード端子206として、N型領域208の中に設けられたP型領域207をアノード端子205として、実現される。なお、基板のP型領域209は、基板のP型領域209と隣接するN型領域との間に、余分な順バイアス電流が流れることを回避するため、最も低い電圧(VSS)が与えられる。
従来の電源切替回路は、メイン電源からの電源が停止したバックアップ動作状態においては、サブ電源から電源を供給することにより、半導体装置への電源の安定供給を図るものである。
特開2003−87994号公報
しかしながら、従来の電源切替回路は、電源が供給される際に電源が供給される経路において順バイアスされるPN接合素子があるため、寄生PNP型バイポーラ素子にコレクタ電流が流れしまうため、消費電流が増大してしまうといった課題があった。
本発明は、以上のような問題を解決するために考案されたものであり、消費電流が少ない電源切替回路を提供するものである。
従来の問題を解決するために、本発明の電源切替回路は以下の構成とした。
複数の電源入力端子から電源の供給を受ける半導体装置の電源を切り替えて出力端子に出力する電源切替回路において、夫々の電源入力端子と出力端子の間に、互いのゲートが接続され、互いのバックゲートが接続され、直列接続されたMOSトランジスタ、を備えた電源切替回路。
本発明の電源切替回路によれば、消費電流が少ない電源切替回路を提供することが可能となる。
本実施形態の電源切替回路を示す回路図である。 本実施形態の電源切替回路の他の例を示す回路図である。 従来の電源切替回路を示す回路図である。 従来の電源切替回路のPN接合素子の断面構造図である。
以下、本実施形態の電源切替回路について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態の電源切替回路を示す回路図である。
本実施形態の電源切替回路は、メイン電源の電圧V0が与えられるメイン電源入力端子200と、サブ電源の電圧V1が与えられるサブ電源入力端子201と、MOSトランジスタ100、101、110、111と、電圧Voutを出力する出力端子204を備えている。
MOSトランジスタ100は、ドレインがメイン電源入力端子200と接続され、ソースとバックゲートが接続される。MOSトランジスタ101は、ゲートとドレインがMOSトランジスタ100のゲート及び出力端子204と接続され、ソースとバックゲートがMOSトランジスタ100のソースとバックゲートに接続される。MOSトランジスタ110は、ドレインがサブ電源入力端子201と接続され、ソースとバックゲートが接続される。MOSトランジスタ111は、ゲートとドレインがMOSトランジスタ110のゲート及び出力端子204と接続され、ソースとバックゲートがMOSトランジスタ110のソースとバックゲートに接続される。
次に、本実施形態の電源切替回路の動作について説明する。
電圧V0が電圧V1より高い通常動作状態では、MOSトランジスタ100は、オン状態となるため、ドレイン電圧VAは電圧V0とほぼ等しくなる。MOSトランジスタ101は、ソース電圧(電圧VA)は電圧V0とほぼ等しいのでオン状態となり、出力端子204にはメイン電源の電圧V0が供給される。
ここで、MOSトランジスタ100のドレインとバックゲート間のPN接合素子には、V0≒VAであるため、順バイアス電圧が加わらない。従って、MOSトランジスタ100のドレインとバックゲート間のPN接合素子をエミッタ及びベースとし、基板のP領域209をコレクタとしたPNP型バイポーラ素子がオンしないので、コレクタ電流が流れることはない。よって、電源切替回路の消費電流が増大することは起こらない。
一方、サブ電源の経路では、MOSトランジスタ110は、ゲート電圧がソース電圧よりも明らかに高いため、またドレインとバックゲート間のPN接合素子は明らかに逆バイアスされるため、MOSトランジスタ110に電流は流れない。従って、サブ電源入力端子201、即ちサブ電源への流入電流は、抑えられることになる。
電圧V0が電圧V1より低いバックアップ動作状態では、MOSトランジスタ110は、オン状態となるため、ドレイン電圧VBは電圧V1とほぼ等しくなる。MOSトランジスタ111は、ソース電圧(電圧VB)は電圧V1とほぼ等しいのでオン状態となり、出力端子204にはサブ電源の電圧V1が供給される。
ここで、MOSトランジスタ110のドレインとバックゲート間のPN接合素子には、V1≒VBであるため、順バイアス電圧が加わらない。従って、MOSトランジスタ110のドレインとバックゲート間のPN接合素子をエミッタ及びベースとし、基板のP領域209をコレクタとしたPNP型バイポーラ素子がオンしないので、コレクタ電流が流れることはない。よって、電源切替回路の消費電流が増大することは起こらない。
一方、メイン電源の経路では、MOSトランジスタ100は、ゲート電圧がソース電圧よりも明らかに高いため、またドレインとバックゲート間のPN接合素子は明らかに逆バイアスされるため、MOSトランジスタ100に電流は流れない。従って、メイン電源入力端子200、即ちメイン電源への流入電流は、抑えられることになる。
以上説明したように、本実施形態の電源切替回路によれば、消費電流が少ない電源切替回路を提供することが可能となる。更に、各電源への流入電流の抑制にも配慮がなされた、電源切替回路となっている。
なお、上述では、図1の回路を例に挙げて、メイン電源とサブ電源の電源切替回路であることを前提として説明したが、3以上の電源に対しても、同様に効果を得ることが出来る。例えば、メイン電源に対するMOSトランジスタ100及び101同様、他の電源に対してトランジスタを同様に備えればよい。
また、各トランジスタのゲート電圧が電源切替回路の出力端子204により与えられるものとして説明したが、電源を供給する経路のトランジスタのゲートが電源切替回路の出力よりも低い電圧が与えられ、電源を供給しない経路のトランジスタのゲートが電源切替回路の出力よりも高い電圧が与えられてもよい。例えば、図2に示すように、トランジスタのゲートが、他方の入力端子と接続されても良い。
200 メイン電源入力端子
201 サブ電源入力端子
100、101、110、111、 MOSトランジスタ
204 出力端子

Claims (3)

  1. 複数の電源入力端子から電源の供給を受ける半導体装置の電源を切り替えて出力端子に出力する電源切替回路において、
    夫々の電源入力端子と前記出力端子の間に、互いのゲートが接続され、互いのバックゲート及びソースが接続され、直列接続されたMOSトランジスタ、を備え
    前記MOSトランジスタのゲートが前記出力端子に接続されたたことを特徴とする電源切替回路。
  2. 複数の電源入力端子から電源の供給を受ける半導体装置の電源を切り替えて出力端子に出力する電源切替回路において、
    夫々の電源入力端子と前記出力端子の間に、互いのゲートが接続され、互いのバックゲート及びソースが接続され、直列接続されたMOSトランジスタ、を備え、
    前記MOSトランジスタのゲートが他方の前記電源入力端子に接続されたことを特徴とする電源切替回路。
  3. 請求項1または2に記載の電源切替回路を備えた
    ことを特徴とする半導体装置。
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