JP6498261B1 - 磁気センサの製造方法及び磁気センサ集合体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気センサ1の製造方法は、円盤状の非磁性の基板10上に、薄膜磁石20に加工される硬磁性体層103を形成する硬磁性体層形成工程と、基板10上の硬磁性体層103に積層して、磁界を感受する感受素子に加工される軟磁性体層105を形成する軟磁性体層形成工程と、硬磁性体層103を円盤状の基板10の円周方向に着磁する硬磁性体層着磁工程とを含む。
【選択図】図2
Description
本発明は、円盤状の基板の円周方向に配列して製造される磁気センサの薄膜磁石への着磁を容易に行う磁気センサの製造方法などを提供する。
そして、着磁部材は、円周方向にN極とS極とが配置され、基板より予め定められた距離離れた状態に保持され、硬磁性体層の保磁力より大きい磁界を、硬磁性体層に与えることを特徴とすることができる。
このようにすることで、着磁部材を構成する磁石が小さくて済む。
このようにすることで、軟磁性体層の形成とともに一軸磁気異方性を付与できる。
このようにすることで、軟磁性体層に一軸磁気異方性が付与できる面積を拡大できる。
このようにすることで、硬磁性体層の面内異方性の制御が容易になる。
また、感受素子は、Ru又はRu合金から構成される反磁界抑制層を挟んで反強磁性結合した複数の軟磁性体層から構成されていることを特徴とすることができる。
このようにすることで、感受素子の感度が向上する。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
(磁気センサ1の構成)
まず、第1の実施の形態が適用される磁気センサ1の構成を説明する。
図1は、第1の実施の形態が適用される磁気センサ1の一例を説明する図である。図1(a)は、平面図、図1(b)は、図1(a)のIB−IB線での断面図である。
なお、感受素子31の長さ及び幅、並列させる個数など上記した数値は一例であって、感受(計測)する磁界の値や用いる軟磁性体材料などによって変更してもよい。
なお、長手方向に交差する方向とは、長手方向に対して45°を超え且つ90°以下の角度を有すればよい。
なお、薄膜磁石20のN極とS極とをまとめて両磁極と表記し、N極とS極とを区別しない場合は磁極と表記する。ここでは、図において、左側をN極、右側をS極として説明するが、N極とS極とを入れ替えてもよい。
次に、磁気センサ1の製造方法(磁気センサの製造方法)を説明する。複数の磁気センサ1は、基板10上に一括して製造される。ここでは、基板10は、円盤状(円形)のガラスであるとして説明する。基板10は、一例として直径が約95mm、厚さが約0.5mmである。そして、数mm角の磁気センサ1は、複数が基板10上に一括して製造されたのち、個々の磁気センサ1に分割される(切り出される)。以下では、中央に示す1個の磁気センサ1に着目して説明する。なお、隣接して製造される磁気センサ1を分割する部分を一点鎖線で示している。
以下で説明する製造方法では、リフトオフ法を用いる。なお、エッチング法を用いてもよい。
なお、基板10と表記する場合であっても、基板10の表面の一方の面(以下、表面と表記する。)上に形成された各種の層を含む場合がある。
ここでは、図1(a)のIB−IB線での断面図で説明したが、IB−IB線と直交する方向においても、図1(a)に示すように分割される。
ここで、図2(e)におけるマグネトロンスパッタリング装置300を用いた軟磁性体層105の形成について説明する。まず、マグネトロンスパッタリング装置300を説明する。
図3は、マグネトロンスパッタリング装置300の概要を説明する断面図である。ここでのマグネトロンスパッタリング装置300は、図3のO−O線を軸とする円筒状である。
バッキングプレート323は、導電率の高い無酸素銅などで構成されている。そして、表面に、ターゲット322が導電性の接着剤などで固定されている。
カソード筐体321は、ステンレス鋼などで構成されている。カソード筐体321にターゲット322が取り付けられたバッキングプレート323が固定され、バッキングプレート323のターゲット322の設けられていない側に、磁気回路330が設けられている。
ターゲット322の大きさ(直径)は、基板10の予め定められた領域(範囲)に膜が形成(堆積)されるように設定されている。ここでは、ターゲット322の直径は、基板10の直径(約95mm)より大きくしている。
ここでは、後述する図4に示すように、磁石331、332は、バッキングプレート323側にN極が露出した磁石331が外側、S極が露出した磁石332が内側になるように同心円状に設けられている。
すなわち、基板10に発生する表面に平行な方向の磁界により、基板10上への軟磁性体層105の形成(堆積)に伴って、軟磁性体層105に一軸磁気異方性が付与される。
前述したように、マグネトロンスパッタリング装置300は、円筒状である。そして、ターゲット322も円盤状(円形)である。そして、基板10も円盤状(円形)であって、ターゲット322に対向するように基板ホルダ350に保持されている(後述する図4参照)。
また、図3に示すマグネトロンスパッタリング装置300では、基板10の表面(ターゲット322の表面)を水平(図3の紙面における左右方向)に配置するように構成したが、垂直(図3の紙面における上下方向に)に配置するように構成してもよい。
なお、磁気センサ1の平面形状は、前述したように数mm角である。よって、実際には、磁石331のN極と磁石332のS極とで形成される磁界の中には、複数の磁気センサ1が配置されている。また、円周方向においても同様である。
次に、マグネトロンスパッタリング装置300における磁気回路330の変形例を説明する。
図5は、マグネトロンスパッタリング装置300における磁気回路330の変形例の構成と、基板10に形成された磁気センサ1の模式的な配置(磁気センサ集合体)を示す図である。図5(a)は、ターゲット322側から見た磁気回路330の変形例の構成、図5(b)は、基板10に形成された磁気センサ1の配置(磁気センサ集合体)を示す。
なお、変形例の磁気回路330を備えるマグネトロンスパッタリング装置300の他の構成は、図3に示したマグネトロンスパッタリング装置300と同様である。よって、同様の部分の説明を省略する。
なお、図5(b)には、対向する磁気回路330の磁石331、332の位置を合わせて示している。
なお、磁気センサ1の平面形状は、前述したように数mm角である。よって、磁石331のN極と磁石332のS極とが作る磁界の方向(直径方向)には、複数の磁気センサ1が配置されている。また、円周方向においても同様である。
次に、図2(g)における着磁装置400を用いた硬磁性体層103への着磁について説明する。まず、着磁装置400を説明する。
図6は、着磁装置400の概要を説明する図である。図6(a)は、着磁装置400の平面図、図6(b)は、着磁装置400における着磁ヘッド420の正面図、図6(c)は、着磁ヘッド420の側面図である。なお、図6(a)では、図5(b)に示した磁気センサ1(磁気センサ集合体)を合わせて示している。
なお、着磁ヘッド420は、他の寸法であってもよく、他の形状に加工されていてもよい。
第1の実施の形態が適用される磁気センサ1では、感受部30は、一層の軟磁性体層105で構成されていた。第2の実施の形態が適用される磁気センサ2では、感受部30が、反磁界抑制層を挟んで設けられた二つの軟磁性体層で構成されている。
図7は、第2の実施の形態が適用される磁気センサ2の一例を説明する図である。図7(a)は、平面図、図7(b)は、図7(a)のVIIB−VIIB線での断面図である。以下では、磁気センサ1と異なる部分を主に説明し、同様の部分は同じ符号を付して説明を省略する。
下層軟磁性体層106aと上層軟磁性体層106cには、磁気センサ1における軟磁性体層105と同様に、感受素子31を構成するCo合金を用いうる。反磁界抑制層106bには、Ru又はRu合金が用いうる。
第1の実施の形態が適用される磁気センサ1(図1(a)、(b)参照)では、感受部30の接続部32、端子部33は、感受素子31と同じ軟磁性体層105で構成されていた。第2の実施の形態が適用される磁気センサ2では、接続部32、端子部33の部分が、非磁性の導電体(導電体層)で構成されている。
図8は、第3の実施の形態が適用される磁気センサ3の一例を説明する図である。図8(a)は、平面図、図8(b)は、図8(a)のVIIIB−VIIIB線での断面図である。以下では、磁気センサ1と異なる部分を主に説明し、同様の部分は同じ符号を付して説明を省略する。
接続導電体部52及び端子導電体部53を構成する非磁性の導電体層107は、導電性に優れた材料であればよく、例えばCu、Au、Al又はこれらの合金等が用いうる。
また、接続導電体部52及び端子導電体部53は、フォトレジストを用いたリフトオフ法によって形成してもよい。つまり、図2(f)の感受部形成工程の後に、接続導電体部52及び端子導電体部53を形成する領域が開口となったレジストパターンを形成した後、導電体層107を形成(堆積)し、レジストパターンを除去すればよい。
また、端子導電体部53の厚さ、特にパッド部を接続導電体部52より厚くしたい場合などには、接続導電体部52と端子導電体部53又は端子導電体部53のパッド部とを別工程で形成してもよい。他の工程は、磁気センサ1と同じでよい。つまり、磁気センサ3における薄膜磁石20の着磁は、第1の実施の形態において説明した着磁装置400を適用して行える。
第1の実施の形態が適用される磁気センサ1(図1(a)、(b)参照)では、薄膜磁石20の磁極にヨーク40a、40bを接触させ、薄膜磁石20からの磁力線が感受素子31を透過するようにしていた。この場合、薄膜磁石20は、感受素子31にバイアス磁界を供給する。
第4の実施の形態が適用される磁気センサ4では、薄膜磁石20の磁極を磁気的に露出させている。ここで、磁気的に露出させているとは、薄膜磁石20の磁極が、磁極からの磁力線を終端するような磁性体(ヨーク)で覆われていないことをいう。つまり、薄膜磁石20を構成する硬磁性体層103の磁極となる側面が露出されている。このことを、磁極が開放されていると表現されることがある。なお、硬磁性体層103の側面は、磁気的に露出していればよく、汚染や腐食などから薄膜磁石20を保護するための非磁性の材料で覆われていてもよい。
第4の実施の形態が適用される磁気センサ4では、薄膜磁石20のN極に加え、S極も磁気的に露出した状態となっていた。よって、N極から出た磁力線は、一旦外部に出たのち感受部30の感受素子31を透過してS極に戻る磁力線と、感受素子31を透過しないでS極に戻る磁力線とに分かれる。感受素子31を透過する磁力線が少ないと、感受素子31における磁界が小さくなり、インピーダンスも小さくなる。
図10は、第5の実施の形態が適用される磁気センサ5の一例を説明する図である。図10(a)は、平面図、図10(b)は、図10(a)のXB−XB線での断面図である。以下では、磁気センサ1と異なる部分を主に説明し、同様の部分は同じ符号を付して説明を省略する。
52…接続導電体部、53…端子導電体部、101…密着層、102…制御層、103…硬磁性体層、104…絶縁層、105…軟磁性体層、106…磁性体層、106a…下層軟磁性体層、106b…反磁界抑制層、106c…上層軟磁性体層、107…導電体層、111、112…レジストパターン、300…マグネトロンスパッタリング装置、310…隔壁、320…マグネトロンカソード、321…カソード筐体、322…ターゲット、323…バッキングプレート、330…磁気回路、331、332…磁石、333…ヨーク、340…チャンバ、350…基板ホルダ、360…高周波電源、400…着磁装置、410…ステージ、420…着磁ヘッド、422…ヨーク、423…ヨーク、430…保持部
Claims (9)
- 円盤状の非磁性の基板上に、薄膜磁石に加工される硬磁性体層を形成する硬磁性体層形成工程と、
前記基板上の前記硬磁性体層に積層して、磁界を感受する感受素子に加工される軟磁性体層を形成する軟磁性体層形成工程と、
前記硬磁性体層を円盤状の前記基板の円周方向に着磁する硬磁性体層着磁工程と
を含む磁気センサの製造方法。 - 前記硬磁性体層着磁工程は、
前記硬磁性体層の保磁力以上の磁界を前記基板の円周方向に沿う方向に発生する着磁部材を、直径方向に移動させつつ、当該基板を中心の周りで回転させることで前記着磁を行うことを特徴とする請求項1に記載の磁気センサの製造方法。 - 前記着磁部材は、前記円周方向にN極とS極とが配置され、前記基板より予め定められた距離離れた状態に保持され、前記硬磁性体層の保磁力より大きい磁界を、当該硬磁性体層に与えることを特徴とする請求項2に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記軟磁性体層形成工程は、
マグネトロンスパッタリングにより前記軟磁性体層を形成し、当該マグネトロンスパッタリングに用いた磁界により、一軸磁気異方性を前記基板の円周方向と交差する方向に付与することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気センサの製造方法。 - 前記軟磁性体層形成工程における前記マグネトロンスパッタリングは、前記基板の表面に対向する面内において、当該基板の中心に対して非対称な構造の磁石が回転するカソードを用いて行うことを特徴とする請求項4に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記基板と前記硬磁性体層との間に、当該硬磁性体層の磁気異方性を面内方向に制御する制御層を形成する制御層形成工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気センサの製造方法。
- 硬磁性体層で構成され、面内方向に着磁された薄膜磁石と、
前記硬磁性体層に積層された軟磁性体層で構成され、磁界を感受する感受素子と、
をそれぞれが備える複数の磁気センサを備え、
複数の前記磁気センサのそれぞれの前記薄膜磁石は、複数の当該磁気センサが形成された円盤状の基板の円周方向に着磁されていることを特徴とする磁気センサ集合体。 - 前記感受素子は、
長手方向と短手方向とを備え、当該短手方向が前記薄膜磁石の着磁された方向と交差する方向に設けられていることを特徴とする請求項7に記載の磁気センサ集合体。 - 前記感受素子は、
Ru又はRu合金から構成される反磁界抑制層を挟んで反強磁性結合した複数の軟磁性体層から構成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の磁気センサ集合体。
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