JP6488202B2 - 磁気抵抗素子及び電子デバイス - Google Patents
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Landscapes
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Description
2 第1の電極
3 第2の電極
4 磁気抵抗層
5 層間絶縁膜
6 磁気抵抗素子のゲート電極
8 薄膜トランジスタ
9 ドレイン電極
10 ソース電極
11 薄膜トランジスタのゲート電極
12 チャネル層
13、13’ 電子デバイス
Claims (7)
- 第1及び第2の電極と、該第1及び第2の電極の間に電圧が印加されると電流が流れ、磁場の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗層と、を備えてなる磁気抵抗素子において、
前記磁気抵抗層は、アモルファスIGZOの薄膜のパターニングによって形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 請求項1に記載の磁気抵抗素子において、
前記第1及び第2の電極は、1つの金属層のパターニングによって形成されており、
該金属層は、前記磁気抵抗層の形成、その後の層間絶縁膜の堆積及びパターニング、の後に堆積したものであり、
前記第1及び第2の電極はそれぞれ、前記層間絶縁膜の前記パターニングによって除去されたいずれかの層間絶縁膜除去部において前記磁気抵抗層に接触していることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 請求項2に記載の磁気抵抗素子において、
前記第1及び第2の電極はともに、1つの溝状の前記層間絶縁膜除去部において前記磁気抵抗層に接触していることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 請求項2又は3に記載の磁気抵抗素子において、
ゲート電極を更に備えてなり、
該ゲート電極は、前記磁気抵抗層の形成の前に形成されており、
前記磁気抵抗層は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上方に設けられていることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気抵抗素子と、
薄膜トランジスタと、を有しており、
該薄膜トランジスタは、ドレイン電極、ソース電極及びゲート電極と、該ドレイン電極及び該ソース電極の間、及び、該ゲート電極及び該ソース電極の間に電圧が印加されると、それらの電圧に応じた電流が流れるチャネル層と、を備え、
該チャネル層は、前記アモルファスIGZOの薄膜のパターニングによって、前記磁気抵抗層と同時に形成されることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項5に記載の電子デバイスにおいて、
前記磁気抵抗素子と、当該磁気抵抗素子の前記第1及び第2の電極の間に印加される電圧を制御する前記薄膜トランジスタの磁気抵抗素子用スイッチング素子と、を有する磁気測定セルがマトリクス状に配置されていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項6に記載の電子デバイスにおいて、
前記磁気測定セルは、マトリクス状に配置された表示画素セルの間に設けられ、
該表示画素セルは、表示素子と、当該表示素子に印加される電圧を制御する前記薄膜トランジスタの表示素子用スイッチング素子と、を有することを特徴とする。
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