JP6486818B2 - 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 - Google Patents
半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 Download PDFInfo
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Description
本実施形態の半導体装置は、第1の電極、第2の電極、第1の電極と第2の電極との間に電気的に直列に接続される第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との間に接続される第3の電極を有する複数の回路ユニット、を備え、回路ユニットが環状に配置される。
本実施形態の半導体装置は、隣り合う2個の回路ユニットにおいて、第1の電極と第1の電極とが隣り合い、第2の電極と第2の電極とが隣り合う以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、隣り合う回路ユニットの間に、回路部品が設けられる以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、回路ユニットのそれぞれの第1の電極と第2の電極を結ぶ方向が、略平行になるよう回路ユニットが配置される点で、第1の実施形態と異なる。第1の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
本実施形態の車両は、第1の実施形態の半導体装置を備える車両である。
本実施形態の車両は、第1の実施形態の半導体装置を備える車両である。
本実施形態の昇降機は、第1の実施形態の半導体装置を備える昇降機である。
本実施形態の半導体装置は、第1の電極、第2の電極、第1の電極と第2の電極との間に電気的に直列に接続される第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との間に接続される第3の電極を有する複数の回路ユニット、を備える。そして、回路ユニットが扇状に配置される。言い換えれば、回路ユニットのそれぞれの第1の電極と第2の電極を結ぶ線分が、回路ユニットに対して同じ側で交わる。
10a〜h 回路ユニット
12 第1の主電極
14 第2の主電極
16 主交流電極
18 基板
22 第1の電極
22a〜h 第1の電極
24 第2の電極
24a〜h 第2の電極
26 交流電極(第3の電極)
26a〜h 交流電極(第3の電極)
28 第1のスイッチング素子
30 第2のスイッチング素子
32 コンデンサ
34 第1のダイオード
36 第2のダイオード
40 モーター
50 インバータ回路
51 インバータ回路
90 車輪
100 半導体モジュール(半導体装置)
100a〜c 半導体モジュール(半導体装置)
101a〜c 半導体モジュール(半導体装置)
140 モーター
150 インバータ回路
200 駆動装置
300 半導体モジュール(半導体装置)
400 半導体モジュール(半導体装置)
500 駆動装置
600 車両
700 半導体モジュール(半導体装置)
1000 車両
1100 昇降機
Claims (15)
- 第1の電極、第2の電極、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電気的に直列に接続される第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子、前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との間に接続される第3の電極を有する複数の回路ユニット、を備え、
前記複数の回路ユニットが環状に配置され、
隣り合う2個の前記回路ユニットにおいて、一方の前記第1の電極と他方の前記第2の電極とが隣り合い、一方の前記第2の電極と他方の前記第1の電極とが隣り合う半導体装置。 - 前記回路ユニットが、前記第1の電極と前記第2の電極との間に前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子に対し電気的に並列に接続されるコンデンサを、更に備える請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1の電極が互いに接続され、前記第2の電極が互いに接続され、前記第3の電極が互いに接続される請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
- 前記複数の回路ユニットのそれぞれの前記第1の電極と前記第2の電極を結ぶ方向が、放射状になるよう前記複数の回路ユニットが配置される請求項1乃至請求項3いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記複数の回路ユニットのそれぞれの前記第1の電極と前記第2の電極を結ぶ方向が、略平行になるよう前記複数の回路ユニットが配置される請求項1乃至請求項3いずれか一項記載の半導体装置。
- 基板を、更に備え、前記複数の回路ユニットが前記基板上に配置される請求項1乃至請求項5いずれか一項記載の半導体装置。
- 隣り合う前記回路ユニットの間に、回路部品が設けられる請求項4記載の半導体装置。
- 前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチング素子が、MOSFET又はIGBTであることを特徴とする請求項1乃至請求項7いずれか一項記載の半導体装置。
- 請求項1乃至請求項8いずれか一項記載の半導体装置を備えるインバータ回路。
- 請求項1乃至請求項8いずれか一項記載の半導体装置を備える駆動装置。
- 請求項1乃至請求項8いずれか一項記載の半導体装置を備える車両。
- 請求項1乃至請求項8いずれか一項記載の半導体装置を備える昇降機。
- 第1の電極、第2の電極、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電気的に直列に接続される第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子、前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との間に接続される第3の電極を有する複数の回路ユニット、を備え、
前記複数の回路ユニットが扇状に配置され、
隣り合う2個の前記回路ユニットにおいて、一方の前記第1の電極と他方の前記第2の電極とが隣り合い、一方の前記第2の電極と他方の前記第1の電極とが隣り合う半導体装置。 - 前記複数の回路ユニットのそれぞれの前記第1の電極と前記第2の電極を結ぶ線分が1点で交わる請求項13記載の半導体装置。
- 第1の電極、第2の電極、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電気的に直列に接続される第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子、前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との間に接続される第3の電極を有する複数の回路ユニット、を備え、
前記複数の回路ユニットが環状に配置され、
前記複数の回路ユニットのそれぞれの前記第1の電極と前記第2の電極を結ぶ方向が、略平行になるよう前記複数の回路ユニットが配置される半導体装置。
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