JP6480417B2 - ヒドロフルオロオレフィンエッチングガス混合物 - Google Patents

Description

本発明は、ＣＶＤチャンバ及びＰＥＣＶＤチャンバ内の表面堆積物を除去するためのエッチング及びクリーニングガスとして有用なヒドロフルオロオレフィン組成物に関する。本発明は更に、チャンバ内又はリモートチャンバ内でのガス混合物の活性化により生じる活性化ガス混合物を使用することにより化学気相堆積チャンバの内部から表面堆積物を除去するための方法にも関し、ガス混合物はヒドロフルオロオレフィンと好ましくは酸素とを含む。

半導体産業で使用されるエッチングガスは、表面から堆積物をエッチングするために用いられる。化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ及びプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバは、定期的にクリーニングしてチャンバ壁及びプラテンから堆積物を除去する必要がある。クリーニングサイクル中はチャンバを使用できないため、このクリーニングプロセスはチャンバの生産能力を低下させる。クリーニングプロセスには、例えば、反応ガスの排出及びそのクリーニングガスとの置換、クリーニングガスの活性化が挙げられ、その後、不活性キャリアガスを使用してクリーニングガスをチャンバから除去するためのフラッシング工程が続いてもよい。クリーニングガスは、典型的には内面から蓄積した汚染物質をエッチングすることにより働き、したがってクリーニングガスのエッチング速度はガスの有用性及び商業利用において重要なパラメータであり、一部のクリーニングガスはエッチングガスとしても使用され得る。更に、現在のクリーニングガスは、かなりの量の地球温暖化係数が高い成分を有する。例えば、米国特許第６，４４９，５２１号は、ＣＶＤチャンバ用のクリーニングガスとして５４％酸素、４０％ペルフルオロエタン、及び６％ＮＦ₃の混合物を開示している。しかしながら、ペルフルオロエタンは、２０年間で約６２００、５００年間で１４０００と概算される比較的高いＧＷＰを有する。他のクリーニングガスにはＣ３Ｆ８が挙げられるが、これもかなり大きな地球温暖化係数を有する。また、プロセスを最適化した場合でも、クリーニングガスを放出する可能性がある。最後に、これらのガスの化学的安定性を考えれば、その活性化はエネルギー消費型であり得る。

これらのガスは比較的多量の毒性排ガスを生成することがあり、これによって更なるＧＷＰ、又はクリーニング若しくはエッチングガス自体のＧＷＰとは別の環境、健康、及び安全（ＥＨＳ）問題を生じ得ることが更に推測される。したがって、当該技術分野において、現在のガスよりエッチング速度が高く、ＧＷＰ及びＥＳＨへの影響が小さい、有効かつ安価なクリーニング／エッチングガスを使用して、ＣＶＤ反応器のクリーニング及び稼働により生じる地球温暖化の害を低減する必要がある。

本発明は、低ＥＨＳ及びＧＷＰを有するクリーンガス混合物を提供し、それによって未反応ガスが放出された場合でも、それらの環境への影響は低減される。本発明は、これらのガスを使用する方法も提供し、この方法は、リモートチャンバ内又はｉｎ−ｓｉｔｕプロセスチャンバ内のいずれかでガスを活性化する工程であって、ガス混合物が酸素源及びヒドロフルオロオレフィンを含む工程と、表面堆積物の除去に十分な時間、活性化ガスを表面堆積物に接触させる工程とを含む。ガス混合物が約７２７〜２７２７℃（１０００〜３，０００Ｋ）の中性温度に達して活性化ガス混合物を形成するように、ガス混合物を十分な時間、十分な電力を用いてＲＦ源により活性化するか、又は代わりにグロー放電を使用してガスを活性化することができ、その後、前記活性化ガス混合物を表面堆積物に接触させ、それによって前記表面堆積物の少なくとも一部を除去する。ガス混合物は、最大４個の炭素（Ｃ４）を有する、フッ素の割合が６５％以上のヒドロフルオロオレフィンを含む。ガス混合物は、６０％以下のＨ：Ｆ比の割合も有し得る。

本発明で除去される表面堆積物としては、化学気相堆積（ＣＶＤ）法若しくはプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法又は同様の方法により一般的に堆積される物質が挙げられる。このような物質には、窒素含有堆積物、例えば、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）、硼窒化ケイ素（ＳｉＢＮ）、及び窒化金属、例えば、窒化タングステン、窒化チタン、又は窒化タンタルが挙げられるが、これらに限定されない。本発明の一実施形態では、好ましい表面堆積物は窒化ケイ素である。

本発明の一実施形態では、電子機器の製造に使用されるプロセスチャンバの内部から表面堆積物を除去する。このようなプロセスチャンバは、ＣＶＤチャンバ又はＰＥＣＶＤチャンバであってもよい。本発明の別の実施形態としては、金属からの表面堆積物の除去、プラズマエッチングチャンバのクリーニング、及びウェハからのＮ含有薄膜の除去が挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態では、ガスはエッチング用途に用いられる。

一実施形態では、本発明の方法は、クリーニングガス混合物をリモートチャンバ内で活性化する活性化工程を伴う。活性化は、高周波（ＲＦ）エネルギー、直流（ＤＣ）エネルギー、レーザ照射、及びマイクロ波エネルギーなどの、供給ガスの大部分の解離を達成できる任意の手段により達成され得る。本発明の一実施形態は、プラズマがトロイダル構成を有してトランスの二次側として作用する、トランス結合された誘導結合低周波ＲＦ電源を使用している。低周波ＲＦ電力の使用により、容量結合に対して誘導結合を高める磁芯を使用することができ、それによってリモートプラズマ源チャンバ内部の寿命を制限する過剰なイオン衝撃のない、より効率的なプラズマへのエネルギー伝達が可能になる。本発明で使用される典型的なＲＦ電力は、１０００ｋＨｚ未満の周波数を有する。本発明の別の実施形態では、電源はリモートマイクロ波誘導結合又は容量結合プラズマ源である。本発明の更に別の実施形態では、ガスはグロー放電を使用して活性化される。

クリーニングガス混合物の活性化は、活性化ガス混合物の形成に十分な時間、十分な電力を使用する。本発明の一実施形態では、活性化ガス混合物は、少なくとも約７２７〜２７２７℃（１０００〜３，０００Ｋ）の中性温度を有する。得られるプラズマの中性温度は、電力及びリモートチャンバ内のガス混合物の滞留時間によって決まる。特定の電力入力及び条件下では、中性温度は滞留時間が長いと高くなるであろう。本発明の一実施形態では、活性化ガス混合物の好ましい中性温度は約２７２７℃（３，０００Ｋ）超である。適切な条件下（電力、ガス組成、ガス圧、及びガス滞留時間を考慮）では、少なくとも約７２７〜４７２７℃（１０００〜５，０００Ｋ）の中性温度を達成できる。

表１は、エッチングガス用途に使用されるヒドロフルオロオレフィン（ＨＦＯ）を示す。好ましいＨＦＯは、最大４個の炭素（Ｃ４）を有し、フッ素の割合が６５％以上（Ｆ％＞６５％）である。好ましくは、ＨＦＯは６０％以下のＨ：Ｆ比を有する。好ましくは、ＨＦＯは、０．１〜３：１．０〜０．１のＨＦＯ／Ｏ２比で酸素と、若しくは既存のエッチング／クリーニングガスと、又はその両方と混合されることができる。好ましくは、ブレンドは、更にアルゴン、ヘリウム、又は窒素などのキャリアガスと混合される。

ＨＦＯ−１２３３ｚｄ、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのヒドロクロロフルオロオレフィンは、ヒドロフルオロオレフィンとしても使用できる。

活性化ガスは、プロセスチャンバとは別であるがプロセスチャンバに近接した、別個のリモートチャンバ内で形成されてもよい。本発明において、リモートチャンバは、活性化ガスプラズマを生成できるクリーニング又はプロセスチャンバ以外のチャンバを意味し、プロセスチャンバは、表面堆積物が位置するチャンバを意味する。リモートチャンバは、活性化ガスをリモートチャンバからプロセスチャンバへ移送できる導管又は他の手段によりプロセスチャンバに接続されている。例えば、移送路は、短い連結管とＣＶＤ／ＰＥＣＶＤプロセスチャンバのシャワーヘッドとを含むことができる。リモートチャンバ及びリモートチャンバをプロセスチャンバに接続する手段は、活性化ガス混合物を収容できる当該分野で既知の材料で構成される。例えば、セラミックス、アルミニウム、及びアルマイトが一般的にチャンバ構成成分に使用される。表面再結合を低減するために、内面にＡｌ₂Ｏ₃をコーティングすることがある。本発明の他の実施形態では、活性化ガス混合物をプロセスチャンバ内で直接形成することができる。

活性化されて活性化ガスを形成するガス混合物は、ヒドロフルオロオレフィンを含む。ガス混合物は、更に酸素源、窒素源、又は無機フッ素源を含むことができる。典型的な無機フッ素源には、ＮＦ₃及びＳＦ₆が挙げられる。本発明のヒドロフルオロオレフィンは、本明細書において、Ｃ、Ｈ、及びＦを含み、少なくとも不飽和部分、すなわち炭素−炭素２重結合又は３重結合を有する、化合物を指す。本発明の一実施形態では、ガス混合物は、更にペルフルオロカーボン又はヒドロフルオロカーボンを含む。本発明で意味するペルフルオロカーボン化合物は、Ｃ、Ｆ、及び任意追加的に酸素からなる化合物である。本発明で意味するヒドロフルオロカーボン化合物は、Ｃ、Ｆ、Ｈ、及び任意追加的に酸素からなる化合物である。ペルフルオロカーボン化合物には、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパン、ヘキサフルオロシクロプロパン、デカフルオロブタン、オクタフルオロシクロブタン、ヘキサフルオロプロペン、ヘキサフルオロプロピレンオキシド、ヒドロフルオロアセトン、２，３，３−トリフルオロ−３−（トリフルオロメチル）オキシラン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノン、オクタフルオロ−２−ブテン、ヘキサフルオロ−１，３−ジブテン、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ１０、及びオクタフルオロテトラヒドロフランが挙げられるが、これらに限定されず、ヒドロフルオロカーボンには、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＨＦＣ−１３４ａ、ＨＦＣ−１２５、及びＨＦＣ−１５２ａが挙げられる。ＨＦＯ−１２３３ｚｄ、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのヒドロクロロフルオロオレフィンは、ヒドロフルオロオレフィンとしても使用できる。また、上記のいずれかのブレンドをヒドロフルオロオレフィンと混合してもよい。

いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、出願者は、ガス混合物のヒドロフルオロオレフィンが、活性化ガス混合物中において、より好ましい水素：フッ素比及びより好ましいフッ素：炭素比で原子源として働くと確信している。特定のブレンドにおいて、窒素を含むために、典型的な窒素源としては、分子窒素（Ｎ₂）及びＮＦ₃が挙げられる。ＮＦ₃が無機フッ素源である場合、窒素源としても働くことができる。典型的な酸素源には、分子酸素（Ｏ₂）が挙げられる。フッ化炭素がオクタフルオロテトラヒドロフラン又は他の酸素含有フッ化炭素である場合、酸素源としても働くことができる。本発明の一実施形態では、酸素：ヒドロフルオロオレフィンのモル比は少なくとも０．３：１である。本発明の別の実施形態では、酸素：ヒドロフルオロオレフィンのモル比は少なくとも０．５：１である。別の実施形態では、酸素：ヒドロフルオロオレフィン比は少なくとも１〜３：１である。選択したヒドロフルオロオレフィンによっては、本発明の他の実施形態において、酸素：ヒドロフルオロオレフィンのモル比は１〜４：１になることがある。

活性化されて本発明の活性化ガス混合物を形成するガス混合物は、更にキャリアガスを含むことができる。好適なキャリアガスの例としては、アルゴン及びヘリウムなどの希ガスが挙げられる。

本発明の実施形態では、表面堆積物除去時のプロセスチャンバ内の温度は、約５０℃〜約１５０℃であり得る。

活性化工程時のリモートチャンバ内の全圧は、Ａｓｔｒｏｎソースを使用して約０．０７キロパスカル〜約３キロパスカル（約０．５トール〜約２０トール）であり得る。プロセスチャンバ内の全圧は、約０．０７キロパスカル〜約２．０キロパスカル（約０．５トール〜約１５トール）であり得る。他の種類のリモートプラズマ源又はｉｎ−ｓｉｔｕプラズマを使用すると、圧力は変動する。

本発明では、酸素及びヒドロフルオロオレフィンの組み合わせが、窒化ケイ素などの窒化膜の高エッチング速度をもたらすことを見出した。これらの向上は、原料ガス圧、チャンバ圧、及び温度の変動に対して低感度のエッチング速度も提供する。

以下の実施例は、本発明を説明することを意図しており、限定することを意図するものではない。

リモートプラズマ源は、ＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ（Ａｎｄｏｖｅｒ，ＭＡ，ＵＳＡ）製の市販のトロイダル型ＭＫＳ ＡＳＴＲＯＮ（登録商標）ｅｘ反応ガス発生器ユニットである。（登録商標）供給ガス（例えば、酸素、ヒドロフルオロオレフィン、及びキャリアガス）は、リモートプラズマ源に導入され、トロイダル放電に通過されて、そこで４００ｋＨｚの高周波電力により放電され、活性化ガス混合物を形成する。酸素は、純度９９．９９９％のＡｉｒｇａｓ製である。ヒドロフルオロオレフィンは、表１から選択される。アルゴンは、グレード５．０のＡｉｒｇａｓ製である。典型的には、Ａｒガスを使用してプラズマを点火することから、Ａｒ流を停止した後、供給ガスの時限流を開始した。次に、アルミニウムプロセスチャンバの熱負荷を低減させるために、活性化ガス混合物をアルミニウム水冷式熱交換器に通過させる。表面堆積物で被覆されたウェハをプロセスチャンバ内の温度制御型取付台に置く。発光分光法（ＯＥＳ）により中性温度を測定し、Ｃ₂及びＮ₂などの２原子種の回転振動（rotovibrational）遷移帯域を理論的に適合させて中性温度を得る。活性化ガスによる表面堆積物のエッチング速度は、プロセスチャンバ内の干渉装置により測定される。生成物をＦＴＩＲ測定に適切な濃度に希釈するため、かつポンプ中の生成物の詰まりを減らすため、排出ポンプの入口で任意のＮ₂ガスを添加する。ＦＴＩＲを使用して、ポンプ排気ガス中の種の濃度を測定した。

（実施例１）
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に関し、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンＨＦＯ−１２３４ｙｆを添加する効果を示す。本試験では、供給ガスは酸素及びＨＦＯ−１２３４ｙｆで構成され、Ｏ２：ＨＦＯのモル比は０．４：１、０．６：１、１：１、及び１．２：１である。プロセスチャンバ圧は０．７キロパスカル（５トール）である。全ガス流量は１５００〜２０００ｓｃｃｍであり、個々のガス流量は各試験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、４００ｋＨｚ、５．９〜８．７ｋＷのＲＦ電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、５０℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は１９００Ａ／分を上回る。試験したすべてのウェハ温度：５０℃、１００℃、及び１５０℃において同じ現象が見られる。

（実施例２）
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に関し、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンＨＦＯ−１３３６ｍｚｚを添加する効果を示す。本試験では、供給ガスは酸素及びＨＦＯ−１３３６ｍｚｚで構成され、Ｏ２：ＨＦＯのモル比は０．４：１、０．６：１、１：１、及び１．２：１である。プロセスチャンバ圧は０．７キロパスカル（５トール）である。全ガス流量は１５００〜２０００ｓｃｃｍであり、個々のガス流量は各試験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、４００ｋＨｚ、５．９〜８．７ｋＷのＲＦ電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、５０℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は２０５０Ａ／分を上回る。試験したすべてのウェハ温度：５０℃、１００℃、及び１５０℃において同じ現象が見られる。

（実施例３）
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に関し、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンＨＦＯ−１３３６ｍｚｚ及びＣＦ４を含む高フッ素ブレンドを添加する効果を示す。本試験では、供給ガスは酸素及び１：１のＨＦＯ−１３３６ｍｚｚ：ＣＦ４で構成され、Ｏ２：高フッ素ブレンドのモル比は０．４：１、０．６：１、１：１、及び１．２：１である。プロセスチャンバ圧は０．７キロパスカル（５トール）である。全ガス流量は１５００〜２０００ｓｃｃｍであり、個々のガス流量は各試験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、４００ｋＨｚ、５．９〜８．７ｋＷのＲＦ電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、５０℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は２１００Ａ／分を上回る。試験したすべてのウェハ温度：５０℃、１００℃、及び１５０℃において同じ現象が見られる。

（実施例４）
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に関し、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンＨＦＯ−１２３４ｙｆ及びＮＦ３の高フッ素（fluroine）ブレンドを添加する効果を示す。本試験では、供給ガスは酸素及び１：１のＨＦＯ−１２３４ｙｆ：ＮＦ３で構成され、Ｏ２：高フッ素ブレンドのモル比は０．４：１、０．６：１、１：１、及び１．２：１である。プロセスチャンバ圧は０．７キロパスカル（５トール）である。全ガス流量は１５００〜２０００ｓｃｃｍであり、個々のガス流量は各試験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、４００ｋＨｚ、５．９〜８．７ｋＷのＲＦ電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、５０℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は２０００Ａ／分を上回る。試験したすべてのウェハ温度：５０℃、１００℃、及び１５０℃において同じ現象が見られる。

（実施例５）
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に関し、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンＨＦＯ−１２３４ｙｆ及びＣ３Ｆ８の高フッ素ブレンドを添加する効果を示す。本試験では、供給ガスは酸素及び１：１のＨＦＯ−１２３４ｙｆ：Ｃ２Ｆ６で構成され、Ｏ２：高フッ素ブレンドのモル比は０．４：１、０．６：１、１：１、及び１．２：１である。プロセスチャンバ圧は０．７キロパスカル（５トール）である。全ガス流量は１５００〜２０００ｓｃｃｍであり、個々のガス流量は各試験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、４００ｋＨｚ、５．９〜８．７ｋＷのＲＦ電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、５０℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は２０００Ａ／分を上回る。試験したすべてのウェハ温度：５０℃、１００℃、及び１５０℃において同じ現象が見られる。

（実施例６）
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に関し、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンＨＦＯ−１２３４ｙｆ及びＳＦ６の高フッ素ブレンドを添加する効果を示す。本試験では、供給ガスは酸素及び１：１のＨＦＯ−１２３４ｙｆ：ＳＦ６で構成され、Ｏ２：高フッ素ブレンドのモル比は０．４：１、０．６：１、１：１、及び１．２：１である。プロセスチャンバ圧は０．７キロパスカル（５トール）である。全ガス流量は１５００〜２０００ｓｃｃｍであり、個々のガス流量は各試験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、４００ｋＨｚ、５．９〜８．７ｋＷのＲＦ電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、５０℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は２０００Ａ／分を上回る。試験したすべてのウェハ温度：５０℃、１００℃、及び１５０℃において同じ現象が見られる。

（実施例７）
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に関し、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンＨＦＯ−１４３８及びＮＦ３を添加する効果を示す。本試験では、供給ガスは酸素及び１：１のＨＦＯ−１２３４ｙｆ：ＮＦ３で構成され、Ｏ２：高フッ素ブレンドのモル比は０．４：１、０．６：１、１：１、及び１．２：１である。プロセスチャンバ圧は０．７キロパスカル（５トール）である。全ガス流量は１５００〜２０００ｓｃｃｍであり、個々のガス流量は各試験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、４００ｋＨｚ、５．９〜８．７ｋＷのＲＦ電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、５０℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は２０００Ａ／分を上回る。試験したすべてのウェハ温度：５０℃、１００℃、及び１５０℃において同じ現象が見られる。

本発明の特定の実施形態について提示及び説明してきたが、当業者には更なる変更及び改良が想起されるであろう。したがって、本発明は、提示された特定の形態に限定されるものではなく、以下の付随する請求項において本発明の趣旨及び範囲から逸脱しないすべての変更をカバーすることを意図すると解釈することが望ましい。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］ ＣＶＤチャンバ又はＰＥＣＶＤチャンバをクリーニングするためのエッチングガス混合物であって、
ヒドロフルオロオレフィンであって、前記ヒドロフルオロオレフィンが表１から選択される、ヒドロフルオロオレフィンと、
酸素と、
を含む、エッチングガス混合物。
［２］ キャリアガスを更に含む、エッチングガス混合物。
［３］ 前記キャリアガスがＨｅ、Ａｒ、又はＮ₂である、エッチングガス混合物。
［４］ 前記エッチングガス混合物が第２のエッチングガスを更に含み、前記第２のエッチングガスがペルフルオロカーボン、ＳＦ₆、又はＮＦ₃である、エッチングガス混合物。
［５］ 前記ペルフルオロカーボンが、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパン、ペルフルオロテトラヒドロフラン、ヘキサフルオロブタジエン、及びオクタフルオロシクロブタンからなる群から選択される、エッチングガス混合物。
［６］ プロセスチャンバ内の表面から表面堆積物を除去するための方法であって、
ａ．）酸素及びヒドロフルオロオレフィンを含むガス混合物を活性化する工程であって、前記ガス混合物中のヒドロフルオロオレフィンのモルパーセントが約５％〜約９９％である、工程と、
ｂ．）前記活性化したガス混合物を前記表面堆積物に接触させ、それによって前記堆積物の少なくとも一部を除去する工程と、
を含み、
前記ヒドロフルオロオレフィンが表１から選択され、任意選択に、前記ガス混合物を活性化する工程がリモートチャンバ内で行われる、方法。
［７］ 前記プロセスチャンバが、電子機器の製造に使用される堆積チャンバの内部である、［６］に記載の方法。
［８］ 前記ヒドロフルオロオレフィンが、ＨＦＯ−１３３６ｍｚｚ、ＨＦＯ−１２３４ｙｆ、又はＨＦＯ−１２３４ｚｅである、［６］に記載の方法。
［９］ 前記表面堆積物が、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化チタン、及び窒化タンタルからなる群から選択される、［６］に記載の方法。
［１０］ 前記表面堆積物が窒化ケイ素である、［６］に記載の方法。
［１１］ 前記ガス混合物が、少なくとも約１：１の酸素：ヒドロフルオロオレフィンのモル比で酸素を更に含む、［６］に記載の方法。
［１２］ 前記プロセスチャンバ内の圧力が４．０キロパスカル（３０トール）以下である、［１１］に記載の方法。
［１３］ 前記リモートチャンバ内の圧力が６．７キロパスカル（５０トール）以下である、［１１］に記載の方法。

Claims (20)

1. ＣＶＤチャンバ又はＰＥＣＶＤチャンバをクリーニングするためのエッチングガス混合物であって、前記エッチングガス混合物は、
   ＨＦＯ−１２３４ｙｆおよびＨＦＯ−１３３６ｍｚｚからなる群から選択される少なくとも１種のヒドロフルオロオレフィンと、
   ペルフルオロカーボン、ＳＦ ₆ およびＮＦ ₃ からなる群から選択される第２のエッチングガスと、
   酸素と、
   を含む、エッチングガス混合物。
2. キャリアガスを更に含む、請求項１に記載のエッチングガス混合物。
3. 前記キャリアガスがＨｅ、Ａｒ、又はＮ₂である、請求項２に記載のエッチングガス混合物。
4. 前記第２のエッチングガスがペルフルオロカーボンである、請求項１から３のいずれかに記載のエッチングガス混合物。
5. 前記ペルフルオロカーボンが、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパン、ペルフルオロテトラヒドロフラン、ヘキサフルオロブタジエン、及びオクタフルオロシクロブタンからなる群から選択される、請求項１から４のいずれかに記載のエッチングガス混合物。
6. ＨＦＯ−１３３６ｍｚｚ、酸素、およびテトラフルオロメタンを含む、請求項１から４のいずれかに記載のエッチングガス混合物。
7. ＨＦＯ−１２３４ｙｆ、酸素、およびオクタフルオロプロパンを含む、請求項１から４のいずれかに記載のエッチングガス混合物。
8. 前記第２のエッチングガスがＳＦ ₆ またはＮＦ ₃ である、請求項１から３のいずれかに記載のエッチングガス混合物。
9. ＨＦＯ−１２３４ｙｆ、酸素、およびＳＦ ₆ を含む、請求項１から３または８のいずれかに記載のエッチングガス混合物。
10. ＨＦＯ−１２３４ｙｆ、酸素、およびＮＦ ₃ を含む、請求項１から３または８のいずれかに記載のエッチングガス混合物。
11. プロセスチャンバ内の表面から表面堆積物を除去するための方法であって、
    ａ．）請求項１に記載のエッチングガス混合物を活性化する工程と、
    ｂ．）前記活性化したガス混合物を前記表面堆積物に接触させ、それによって前記表面堆積物の少なくとも一部を除去する工程と、
    を含む、方法。
12. 前記エッチングガス混合物中のヒドロフルオロオレフィンのモルパーセンテージは、約５％から約９９％である、請求項１１に記載の方法。
13. 前記プロセスチャンバが、電子機器の製造に使用される堆積チャンバの内部である、請求項１１または１２に記載の方法。
14. 前記表面堆積物が、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化チタン、及び窒化タンタルからなる群から選択される、請求項１１から１３のいずれかに記載の方法。
15. 前記表面堆積物が窒化ケイ素である、請求項１１から１３のいずれかに記載の方法。
16. 前記エッチングガス混合物が、少なくとも約１：１の酸素：ヒドロフルオロオレフィンのモル比で酸素を含む、請求項１１から１５のいずれかに記載の方法。
17. 前記プロセスチャンバ内の圧力が４．０キロパスカル（３０トール）以下である、請求項１１から１６のいずれかに記載の方法。
18. 前記プロセスチャンバがＣＶＤチャンバまたはＰＥＣＶＤチャンバである、請求項１１から１７のいずれかに記載の方法。
19. 前記エッチングガス混合物を活性化する工程をリモートチャンバ内で実施する、請求項１１から１８のいずれかに記載の方法。
20. 前記リモートチャンバ内の圧力が６．７キロパスカル（５０トール）以下である、請求項１９に記載の方法。