JP6479382B2 - Metal base substrate - Google Patents
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Description
本発明は金属ベース基板に関し、特に、層間剥離の抑制と高放熱性とを両立した金属ベース基板に関するものである。 The present invention relates to a metal base substrate, and more particularly to a metal base substrate which achieves both suppression of delamination and high heat dissipation.
回路パターンが形成される回路層と樹脂からなる絶縁層とが積層された電気回路基板においては、回路パターンに取り付けられた電気部品の動作によって回路層に生じる熱を効率よく放出することを目的として、絶縁層の回路層とは反対の面に金属からなる放熱層を備える金属ベース基板がある。例えば特許文献1には、金属製の放熱板上に絶縁層を介して回路用金属層が形成された金属ベース回路基板が記載されている。
In an electric circuit board in which a circuit layer on which a circuit pattern is formed and an insulating layer made of resin are laminated, the purpose is to efficiently release the heat generated in the circuit layer by the operation of the electric component attached to the circuit pattern. There is a metal base substrate provided with a heat dissipation layer made of metal on the surface of the insulating layer opposite to the circuit layer. For example,
このような金属ベース基板(金属ベース回路基板)において回路層に生じた熱は、絶縁層を介して放熱層へ伝導される。放熱層は前述した通り金属からなるものなので、熱は放熱層を効率よく伝わって、放熱層の開放面から空気中に放出される。放熱層の材料としては、熱伝導率や調達の容易さを考慮してアルミニウムや銅が採用される。 The heat generated in the circuit layer in such a metal base substrate (metal base circuit board) is conducted to the heat dissipation layer through the insulating layer. Since the heat dissipation layer is made of metal as described above, the heat is efficiently conducted through the heat dissipation layer and released to the air from the open surface of the heat dissipation layer. As a material of the heat dissipation layer, aluminum or copper is adopted in consideration of thermal conductivity and easiness of procurement.
近年では、半導体素子の高集積化や配線の過密化によって、高熱を生じる電気回路が増加しており、放熱性のより高い金属ベース基板の要求が高まっている。金属ベース基板に高い放熱性が要求される場合、放熱層の材料としてはアルミニウムよりも熱伝導率の高い銅が採用される(銅の熱伝導率は386〜402W/(m・K)、アルミニウムの熱伝導率は226〜237W/(m・K))。 In recent years, electrical circuits that generate high heat are increasing due to high integration of semiconductor elements and over-density wiring, and the demand for metal base substrates with higher heat dissipation is increasing. When high heat dissipation is required for the metal base substrate, copper having a thermal conductivity higher than that of aluminum is used as the material of the thermal radiation layer (the thermal conductivity of copper is 386 to 402 W / (m · K), aluminum The thermal conductivity of is 226 to 237 W / (m · K)).
しかしながら、放熱層に銅を採用した金属ベース基板においては、放熱層にアルミニウムを採用した場合に比べて、放熱層と絶縁層との接合部分において層間剥離が生じやすい。これは、銅と樹脂との熱膨張率の差が大きいために、温度変化に起因する膨張または収縮の程度が絶縁層と放熱層とで大きく異なることによる。特に、自動車のエンジンルーム等、激しい温度変化に曝される環境において金属ベース基板が使用される場合には、放熱層と絶縁層との剥離が一層生じやすい。 However, in a metal base substrate in which copper is adopted for the heat dissipation layer, delamination is more likely to occur in the joint portion between the heat dissipation layer and the insulating layer than in the case where aluminum is adopted for the heat dissipation layer. This is because the degree of expansion or contraction due to temperature change is largely different between the insulating layer and the heat dissipation layer because the difference in thermal expansion coefficient between copper and resin is large. In particular, when the metal base substrate is used in an environment exposed to severe temperature change such as an automobile engine room, peeling between the heat dissipation layer and the insulating layer is more likely to occur.
一方で、上述の層間剥離を抑制するために放熱層にアルミニウムを採用した場合には、アルミニウムの熱伝導率が銅より低いことから、金属ベース基板全体の放熱性が低下してしまう。このように、放熱層の材料として、銅を採用して放熱性を高めた場合には層間剥離を生じやすくなり、アルミニウムを採用して層間剥離を抑制した場合には放熱性が損なわれてしまう。よって、金属ベース基板において放熱性の向上と層間剥離の抑制とを両立できないとの問題点があった。 On the other hand, when aluminum is used for the heat dissipation layer in order to suppress the above-described delamination, the heat conductivity of the entire metal base substrate is reduced because the heat conductivity of aluminum is lower than that of copper. Thus, when heat dissipation is enhanced by adopting copper as the material of the heat dissipation layer, delamination is likely to occur, and when aluminum is employed to suppress delamination, the heat dissipation is impaired. . Therefore, in the metal base substrate, there is a problem that the improvement of the heat dissipation and the suppression of the delamination can not be simultaneously achieved.
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、層間剥離の抑制と高放熱性とを両立した金属ベース基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a metal base substrate that achieves both suppression of delamination and high heat dissipation.
この目的を達成するために本発明の金属ベース基板は、回路パターンを形成する導電体からなる回路層と、その回路層に接合され、熱硬化性樹脂が熱硬化されて形成される絶縁層と、その絶縁層の前記回路層に接合される面の反対面に接合され、金属からなる放熱層とが積層されたものにおいて、前記放熱層は、前記絶縁層に接合される面を形成するアルミニウム材と、前記放熱層の開放面を形成する銅材とが接合されたクラッド材で構成され、前記銅材における前記開放面には突起状のフィンが形成され、前記絶縁層は、伝熱性を高めるためのアルミナや二酸化ケイ素による無機フィラーが添加されることで2〜12W/(m・K)の熱伝導率を有し、その厚みが50〜200μmに形成されていることを特徴とする。 In order to achieve this object, the metal base substrate of the present invention comprises a circuit layer made of a conductor forming a circuit pattern, and an insulating layer which is bonded to the circuit layer and is thermally cured by a thermosetting resin. An insulating layer formed on a surface opposite to the surface to be joined to the circuit layer and laminated with a heat dissipation layer made of metal, the heat dissipation layer forming aluminum to form a surface to be joined to the insulating layer; Material, and a clad material in which a copper material forming the open surface of the heat dissipation layer is joined, a protruding fin is formed on the open surface of the copper material , and the insulating layer has heat conductivity It is characterized in that it has a thermal conductivity of 2 to 12 W / (m · K) and is formed to a thickness of 50 to 200 μm by the addition of an inorganic filler for enhancing alumina or silicon dioxide .
また、前記銅材の厚みが前記放熱層の厚みの70%以上であることを特徴とする。 The thickness of the copper material is 70% or more of the thickness of the heat dissipation layer.
請求項1記載の金属ベース基板によれば、次の効果を奏する。回路パターンが形成される回路層に熱硬化性樹脂が硬化されて形成される絶縁層が接合され、その絶縁層には、放熱性を高めるための金属からなる放熱層が接合される。絶縁層は、伝熱性を高めるためのアルミナや二酸化ケイ素による無機フィラーが添加されることで2〜12W/(m・K)の熱伝導率を有し、その厚みが50〜200μmに形成される。これにより、絶縁層に接合された回路層からの熱を絶縁層へ、そして絶縁層から絶縁層に接合された放熱層へと、効率良く伝導させることができる。更に、絶縁層の厚みが50〜200μmに形成されるので、回路層からの熱が長時間、絶縁層に留まることなく放熱層へ伝導されるので、回路層からの熱によって絶縁層が変形し、絶縁層と回路層との接合、または絶縁層と放熱層との接合が剥離してしまうのを抑制できる。また放熱層は、絶縁層に接合されるアルミニウム材と放熱層の開放面を形成する銅材とが接合されたクラッド材で構成される。放熱層において絶縁層に接合される面は、絶縁層を形成する熱硬化性樹脂に熱膨張率が近いアルミニウム材により形成されるので、温度変化による絶縁層と放熱層との剥離を抑制できる。一方、放熱層の開放面は、熱伝導率の高い銅材により形成される。よって、回路層に生じた熱は、絶縁層を介して放熱層のアルミニウム材に伝導され、更にアルミニウム材から熱伝導率のより高い銅材に伝導されて、放熱層の開放面から効率よく放出される。更に、銅材における開放面側には、突起状のフィンが形成されているので、かかるフィンによって銅材の表面積が増加し、放熱性をより高めることができる。従って、絶縁層と放熱層との層間剥離の抑制と、回路層に生じる熱の効率よい放出とを両立できるとの効果がある。また、クラッド材は2種の金属を隙間なく貼り合わせたものであるので、アルミニウム材と銅材との接合部分が剥離する虞がなく、アルミニウム材と銅材との接合部分での熱伝導の損失も小さい。従って、放熱層における層間剥離の防止と熱伝導の損失の抑制との効果がある。
According to the metal base substrate of
なお、本発明の金属ベース基板としては、回路層に回路パターンが形成されたものであってもよいし、回路層に回路パターンが形成される前のものであってもよい。 The metal base substrate of the present invention may be one in which a circuit pattern is formed in a circuit layer, or may be one before a circuit pattern is formed in a circuit layer.
また、金属材の接合には熱硬化性樹脂の硬化温度より高い温度を要することがあるが、アルミニウム材と銅材とが接合されたクラッド材を採用することで、金属ベース基板の製造工程においてアルミニウム材と銅材とを接合する工程を要さず、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の加温も要さない。従って、金属ベース基板の製造を容易化して、製造コストを低減できるとの効果もある。 In addition, although bonding of a metal material may require a temperature higher than the curing temperature of the thermosetting resin, by employing a clad material in which an aluminum material and a copper material are bonded, in the process of manufacturing a metal base substrate There is no need for the step of joining the aluminum material and the copper material, and no heating above the curing temperature of the thermosetting resin is required. Therefore, there is also an effect that the manufacturing of the metal base substrate can be facilitated and the manufacturing cost can be reduced.
請求項2記載の金属ベース基板によれば、請求項1に記載の金属ベース基板の効果に加え、次の効果を奏する。銅材の厚みは放熱層全体の厚みの70%以上とされるので、放熱層においては、銅材より熱伝導率の低いアルミニウム材を熱が伝わる距離を短くし、高い熱伝導率を有する銅材を主な熱伝導媒体として効率よく放熱できる。従って、放熱層にアルミニウム材を用いることによる伝熱性の低下を抑制できるとの効果がある。 According to the metal base substrate of the second aspect, in addition to the effect of the metal base substrate of the first aspect, the following effect is exerted. Since the thickness of the copper material is 70% or more of the thickness of the entire heat dissipation layer, in the heat dissipation layer, the heat transfer distance of the aluminum material having a thermal conductivity lower than that of the copper material is shortened, and copper having high thermal conductivity The material can be efficiently dissipated as the main heat transfer medium. Therefore, there is an effect that the heat transfer deterioration can be suppressed by using the aluminum material for the heat dissipation layer.
以下、本発明の好ましい実施形態について添付図面を参照して説明する。まず、図1を参照して本発明の金属ベース基板の構造を説明する。図1は本発明の金属ベース基板の積層構造を表す模式図である。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. First, the structure of the metal base substrate of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view showing a laminated structure of the metal base substrate of the present invention.
金属ベース基板1は、銅箔10とクラッド材30とが、樹脂材20を挟んで接合されたものである。換言すれば、金属ベース基板1は銅箔10と樹脂材20とクラッド材30とが積層されたものである。
The
銅箔10は、電気部品が取り付けられる回路パターンが後のエッチング加工によって形成される層を構成するものである。回路パターンの形成方法については図3を参照して後述する。本実施形態の銅箔10としては、厚みが12〜600μmのものを採用した。
The
樹脂材20は、エポキシ樹脂が加温により熱硬化されたものである。樹脂材20は、銅箔10及びクラッド材30を接合する機能と、銅箔10とクラッド材30とを電気的に絶縁する機能と、銅箔10側の面に生じた熱をクラッド材30に伝導する機能とを兼ねる。本実施形態の樹脂材20には、伝熱性を高めるためのアルミナや二酸化ケイ素等の無機フィラーが添加され、2〜12W/(m・K)の熱伝導率を有するものであって、厚みが50〜200μmのものを採用した。
The
クラッド材30は、ともに板状のアルミニウム板31と銅板32とが積層して接合されたものである。クラッド材30では、アルミニウム板31が露出する面が樹脂材20に接合され、銅板32が露出する面がクラッド材30の開放面とされる。
The
本実施形態のクラッド材30としては、銅板31の厚みがクラッド材30全体の厚みの70〜90%の範囲内のものを採用している。銅板31の厚みをクラッド材30全体の厚みの70%以上とすることで、熱伝導率の高い銅板32がクラッド材30の厚みに占める割合が大きくなり、熱伝導率の低いアルミニウム板31の厚みがクラッド材30の厚みに占める割合が小さくなる。従って、クラッド材30における伝熱性の低下を抑制できる。なお、クラッド材30の品質を安定させるためにアルミニウム板31の厚みをクラッド材30の厚みの10%以上としているが、クラッド材30における伝熱性をより高めるために、アルミニウム板31の厚みをクラッド材30の厚みの10%未満としてもよい。
As the
以上の構成を有する金属ベース基板1においては、銅箔10の層に生じた熱が樹脂材20を介してクラッド材30のアルミニウム板31へ伝導される。アルミニウム板31に伝導された熱は更に、熱伝導率の高い銅板32へ伝導され、銅板32の開放面(即ち、クラッド材30の開放面)から放出される。従って、金属ベース基板1においては、銅箔10に生じた熱を効率よく放出できる。
In the
また、本実施形態の金属ベース基板1の放熱層としては、クラッド材30を採用した。クラッド材30は2種の金属が間隙なく強固に接合されたものであるので、アルミニウム板31と銅板32との接合部分における剥離を防止できるとともに、その接合部分における熱伝導の損失も抑制できる。また、アルミニウム板31と銅板32とが既に接合されたクラッド材30を用いることで、金属ベース基板1の製造工程においてアルミニウム板31と銅板32とを貼り合わせる工程を省略して、製造コストを低減できる。
Further, as the heat dissipation layer of the
また、樹脂材20を形成するエポキシ樹脂の熱膨張率には、銅の熱膨張率よりアルミニウムの熱膨張率の方が近い。従って、クラッド材30のアルミニウム板31が露出する面を樹脂材20に接合することで、温度変化による樹脂材20とクラッド材30との接合部分での剥離を抑制できる。
Further, the coefficient of thermal expansion of aluminum is closer to the coefficient of thermal expansion of the epoxy resin forming the
次に図2及び図3を参照して金属ベース基板1の製造工程について説明する。まず、図2を参照して、金属ベース基板1の材料を積層して接合する工程を説明する。
Next, the manufacturing process of the
図2(a)には、金属ベース基板1の材料となる部材と、その部材を積層する順を示す。金属ベース基板1における放熱層を構成するクラッド材30は、前述した通り、アルミニウム板31と銅板32とが接合されたクラッド材である。なお、クラッド材30のアルミニウム板31が露出する面には、予め化学研磨により微細な凹凸が形成されている。この凹凸は算術平均粗さにして0.5〜10μmとすることが望ましい。これにより、後の工程でクラッド材30と樹脂材20とが接合された場合に、アンカー効果によって接合強度を高めることができる。
FIG. 2A shows the members to be the material of the
クラッド材30はアルミニウム板31が露出する面を上面とし、その上に金属ベース基板1の絶縁層を構成する未硬化状態の樹脂材20が重ねられる。樹脂材20は、前述した通り、エポキシ樹脂で構成されるシート状の材料である。本実施形態の樹脂材20としては、約150℃以上に加温することでエポキシ樹脂がCステージまで硬化するものを採用した。
The
樹脂材20の上には、金属ベース基板1の回路層を構成する銅箔10が重ねられる。図2(b)に以上説明した材料が積層された状態を示し、この積層された状態の部材を以下「積層部材1a」と称す。
On the
次に、積層部材1aに対して、図2(c)に示す予備接合加工が行われる。予備接合加工は真空環境において行われる。なお、「真空環境」とは大気圧より低く減圧された環境を指す趣旨であり、好適には42hPaまで減圧した環境であることが望ましい。 Next, the prejoining process shown in FIG. 2C is performed on the laminated member 1a. The prebonding process is performed in a vacuum environment. In addition, "a vacuum environment" is the meaning which refers to the environment pressure-reduced below atmospheric pressure, and it is desirable that it is the environment pressure-reduced suitably to 42 hPa.
積層部材1aは上面と下面から、即ち、樹脂材20とクラッド材30とが接合する図示矢印の方向に0.5MPa〜1.0MPaに加圧されつつ、エポキシ樹脂がCステージまで硬化する温度である約150℃より低い80〜100℃に加温される。この加温によりエポキシ樹脂は、硬化状態からBステージの範囲内において溶融(ゲル化)され、これによりエポキシ樹脂の粘度が低下する。このように、積層部材1aが上下から緩やかに加圧されつつエポキシ樹脂が溶融(ゲル化)させられることにより、樹脂材20とクラッド材30との間に存在する空気が環境の減圧によって積層部材1aの外部へ排出され、その結果、樹脂材20とクラッド材30とを密着状態とできる。
At a temperature at which the epoxy resin cures to the C stage while being pressurized to 0.5 MPa to 1.0 MPa from the upper surface and the lower surface, that is, in the direction of the illustrated arrow where the
次に、予備接合加工が行われた積層部材1aに対して、図2(d)に示す接合加工が行われる。接合加工は特に減圧環境で行う必要はないが、減圧環境で行ってもよい。接合加工において積層部材1aは、樹脂材20とクラッド材30とが接合する図示矢印の方向に予備接合加工時より高い2.0〜5.0MPaに加圧されつつ、エポキシ樹脂がCステージまで硬化する温度以上の150〜250℃に加温されることによって、樹脂材20のエポキシ樹脂がCステージまで硬化される。以上の工程により、積層部材1aの各材料が接合され、金属ベース基板1が製造される。
Next, the bonding process shown in FIG. 2D is performed on the laminated member 1a on which the preliminary bonding process has been performed. The bonding process is not particularly required to be performed in a reduced pressure environment, but may be performed in a reduced pressure environment. In the bonding process, the epoxy resin hardens to the C stage while being pressurized to 2.0 to 5.0 MPa, which is higher in the direction of the illustrated arrow where the
以上説明した予備接合加工と接合加工とによる金属ベース基板1の製造方法によれば、予備接合加工において樹脂材20とクラッド材30とが密着された状態とされ、その後、接合加工により樹脂材20が完全に硬化される。従って、樹脂材20とクラッド材30との接合を強固にでき、層間剥離の生じにくい金属ベース基板1を製造できる。
According to the manufacturing method of the
なお、予備接合加工および接合加工における加温の温度は樹脂材20の材料となる熱硬化性樹脂の性質に応じて適宜設定できるものである。予備接合加工における加温は樹脂材20の熱硬化性樹脂がCステージまで硬化する温度より低い温度であればよく、接合加工における加温は樹脂材20の熱硬化性樹脂がCステージまで硬化する温度以上の温度であればよい。
The temperature for heating in the pre-joining process and the joining process can be appropriately set in accordance with the property of the thermosetting resin that is the material of the
また、予備接合加工および接合加工において積層部材1aにかける圧力は上述の圧力の範囲に限定されるものではなく、予備接合加工においては1.0MPa以下の圧力であればよく、接合加工においては予備接合加工で積層部材1aにかけた圧力より高い圧力であればよい。これらの圧力は、材料の性質等に応じて適宜調整することが可能である。 Further, the pressure applied to the laminated member 1a in the pre-joining process and the joining process is not limited to the range of the pressure described above, and the pressure may be 1.0 MPa or less in the pre-joining process. It is sufficient if the pressure is higher than the pressure applied to the laminated member 1a in the bonding process. These pressures can be suitably adjusted according to the property etc. of material.
次に図3を参照して、金属ベース基板1における回路パターンの形成とV字溝の形成とについて説明する。図3(a)に示す部材は、図2に示す工程により製造された金属ベース基板1の上面にエッチングレジスト50(フォトレジスト)が貼付されたものである。回路パターンを形成する部分のエッチングレジスト50に紫外線を照射し、そのエッチングレジスト50を部分的に硬化させる(パターン露光)。その後、現像液をかけてエッチングレジスト50の未硬化部分、即ち、回路パターンとして形成しない部分を除去する(現像)。回路パターンとして形成しない部分のエッチングレジスト50が除去された状態を図3(b)に示す。
Next, with reference to FIG. 3, the formation of the circuit pattern and the formation of the V-shaped groove in the
次に、図3(b)の状態となった金属ベース基板1に対してエッチング液をかけ、残存するエッチングレジスト50から露出した銅箔10の部分を溶解して図3(c)の状態とする。その後、剥離液により残存するエッチングレジスト50を除去して図3(d)の状態とし、銅箔10からなる回路パターンが金属ベース基板1上に形成される。
Next, an etching solution is applied to the
金属ベース基板1に回路パターンが形成された後、図3(e)に示すように、金属ベース基板1における所望の切断位置に、銅箔10側およびクラッド材30側の両面からV字溝60をVカット加工により形成する。なお、V字溝60は、銅箔10側またはクラッド材30側のいずれか1面のみに形成するようにしてもよい。V字溝60を形成することにより、金属ベース基板1が厚みのあるものであっても、所望の切断位置で容易に切断できる。なお、金属ベース基板1の最終的な切断は、V字溝60の箇所を人手で折り曲げることによって行う。また、Vカット加工では金型による打ち抜き等に比べて接合部分に大きな衝撃が加わらないので、切断部分での層間剥離を抑制できる。
After the circuit pattern is formed on the
以上説明した金属ベース基板1について、発明者らが行った試験では、金属ベース基板1の表面温度を190℃に6分間維持した後、275℃に加温して6分間維持する温度変化実験において、層間剥離が生じないことが確認された。また、金属ベース基板1のおかれた環境を−40℃と、125℃とを交互に100回変化させるヒートサイクル実験においても層間剥離が生じないことが確認された。
In the tests conducted by the inventors for the
以上、実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の改良変形が可能であることは容易に推察できるものである。 As mentioned above, although the present invention was explained based on an embodiment, the present invention is not limited at all to the above-mentioned embodiment, and it is easy to be variously modifiable in the range which does not deviate from the meaning of the present invention. It can be guessed.
例えば、上記実施形態では、樹脂材20は熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂で構成されるものであることを説明したが、エポキシ樹脂に代えてポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などの種々の熱硬化性樹脂を採用することも当然可能である。また、樹脂材20には無機フィラーが添加されることを説明したが、無機フィラーを添加しないものであってもよい。絶縁層を構成する材料が熱硬化性樹脂からなるものであれば、樹脂材20とクラッド材30との層間剥離を防止できるとの本発明の効果は同様だからである。
For example, in the above embodiment, it has been described that the
また、図1に示す金属ベース基板1では、銅箔10と樹脂材20との接合および樹脂材20とクラッド材30との接合は、それぞれの接合面の全部において接合されるものとしたが、1の層の接合面の一部に他の層の接合面が接合されるものとすることも可能である。例えば、樹脂材20の面の一部に銅箔10が接合されたものであってもよいし、クラッド材30におけるアルミニウム板31の露出面の一部に樹脂材20が接合されたものであってもよい。
In addition, in the
また、銅箔10はエッチング加工によって回路パターンを形成するものであることを説明したが、本発明の金属ベース基板の回路層としては回路パターンが形成される前のものであってもよい。また、形成された回路パターンに更にソルダーレジストによる被覆が行われたものであってもよい。また更に回路層としては、上記説明したエッチング加工によって回路パターンが形成されるもの(所謂、サブトラクティブ法によるもの)の他、導電体のメッキによって回路パターンが形成されるもの(所謂、アディティブ法によるもの)であってもよい。本発明の層間剥離の抑制と高放熱性との効果は、回路層に形成される回路パターンの態様に依らず、同様だからである。
Further, although it has been described that the
また、上記実施形態においては金属ベース基板の放熱層として、アルミニウム板31と銅板32とが接合されたクラッド材30を用いることを説明したが、アルミニウム板31と銅板32とをクラッド加工以外の方法で貼り合わせたものを用いることも可能である。また、クラッド材30を構成するアルミニウム板31と銅板32とは、ともに板状であることを説明したが、樹脂材20と接合される面が平面であれば、他の形状であってもよい。例えば、放熱性をより高めるためにクラッド材30の銅が露出する面を突起状のフィン構造としてもよい。
Moreover, although the said embodiment demonstrated using the clad
10 銅箔(回路層)
20 樹脂材(絶縁層)
30 クラッド材(放熱層)
31 アルミニウム板(アルミニウム材)
32 銅板(銅材)
10 Copper foil (circuit layer)
20 Resin material (insulation layer)
30 clad material (heat dissipation layer)
31 Aluminum plate (aluminum material)
32 Copper plate (copper material)
Claims (2)
その回路層に接合され、熱硬化性樹脂が熱硬化されて形成される絶縁層と、
その絶縁層の前記回路層に接合される面の反対面に接合され、金属からなる放熱層とが積層された金属ベース基板において、
前記放熱層は、
前記絶縁層に接合される面を形成するアルミニウム材と、前記放熱層の開放面を形成する銅材とが接合されたクラッド材で構成され、
前記銅材における前記開放面には突起状のフィンが形成され、
前記絶縁層は、
伝熱性を高めるためのアルミナや二酸化ケイ素による無機フィラーが添加されることで2〜12W/(m・K)の熱伝導率を有し、
その厚みが50〜200μmに形成されていることを特徴とする金属ベース基板。 A circuit layer made of a conductor forming a circuit pattern;
An insulating layer bonded to the circuit layer and formed by thermosetting of a thermosetting resin;
A metal base substrate joined to a surface opposite to the surface joined to the circuit layer of the insulating layer and laminated with a heat dissipation layer made of metal,
The heat dissipation layer is
It is comprised by the clad material which the aluminum material which forms the surface joined to the said insulating layer, and the copper material which forms the open surface of the said thermal radiation layer joined,
Protruding fins are formed on the open surface of the copper material ,
The insulating layer is
It has a thermal conductivity of 2 to 12 W / (m · K) by adding an inorganic filler of alumina or silicon dioxide to enhance heat transfer,
A metal base substrate having a thickness of 50 to 200 μm .
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