JP6477150B2 - Sputtering film forming method, metallized resin film manufacturing method using the same, and sputtering film forming apparatus - Google Patents
Sputtering film forming method, metallized resin film manufacturing method using the same, and sputtering film forming apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP6477150B2 JP6477150B2 JP2015070841A JP2015070841A JP6477150B2 JP 6477150 B2 JP6477150 B2 JP 6477150B2 JP 2015070841 A JP2015070841 A JP 2015070841A JP 2015070841 A JP2015070841 A JP 2015070841A JP 6477150 B2 JP6477150 B2 JP 6477150B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin film
- sputtering
- film
- roll
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、スパッタリング成膜方法およびそれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法ならびにスパッタリング成膜装置に関する。 The present invention relates to a sputtering film forming method, a metallized resin film manufacturing method using the same, and a sputtering film forming apparatus.
液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話等の電子機器には、樹脂フィルムの上にパターニングされた金属層が設けられたフレキシブル配線基板が用いられている。かかるフレキシブル配線基板は、樹脂フィルムの片面若しくは両面に金属膜が成膜された金属化樹脂フィルムに対してフォトリソグラフィーやエッチング等の配線加工を施すことによって作製することができる。 In an electronic device such as a liquid crystal panel, a notebook computer, a digital camera, and a mobile phone, a flexible wiring board provided with a patterned metal layer on a resin film is used. Such a flexible wiring board can be manufactured by performing wiring processing such as photolithography or etching on a metallized resin film in which a metal film is formed on one side or both sides of a resin film.
上記金属化樹脂フィルムの製造方法としては、従来、金属箔を接着剤により樹脂フィルムに張り付けて製造する方法、金属箔に樹脂溶液をコーティングした後、乾燥させて製造する方法（キャスト法）、あるいは樹脂フィルムに真空成膜法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタリング法等）若しくは湿式めっき法により金属膜を成膜して製造する方法（メタライジング法）等が知られている。 As a method for producing the metallized resin film, conventionally, a method for producing a metal foil by attaching it to a resin film with an adhesive, a method for producing a metal foil by coating a resin solution and then drying (casting method), or Known is a method of forming a metal film on a resin film by vacuum deposition (vacuum deposition, sputtering, ion plating, ion beam sputtering, etc.) or wet plating (metalizing). ing.
上記メタライジング法に関して、例えば特許文献１には、成膜速度は遅いものの密着力に優れた金属膜を形成できるスパッタリング法を用いて金属化樹脂フィルムを製造する方法が開示されている。この特許文献１には、金属膜の密着力を更に高めるため、２種類のスパッタリングターゲットを用いる技術が提案されている。この技術は、モネルメタル等をスパッタリングターゲットとして薄膜の金属シード層をまず成膜し、次いで銅等をスパッタリングターゲットとして上記金属シード層上に厚膜の金属膜を成膜するものである。 Regarding the metallizing method, for example, Patent Document 1 discloses a method for producing a metallized resin film using a sputtering method capable of forming a metal film having a low adhesion rate but excellent adhesion. In Patent Document 1, a technique using two types of sputtering targets is proposed in order to further increase the adhesion of the metal film. In this technique, a thin metal seed layer is first formed using monel metal or the like as a sputtering target, and then a thick metal film is formed on the metal seed layer using copper or the like as a sputtering target.
また、特許文献２には、スパッタリング法を用いて薄膜の金属ベース層をまず成膜し、次いで湿式めっき法を用いて上記金属ベース層上に厚膜の金属膜を形成することで金属化樹脂フィルムを効率よく製造する方法が開示されている。この特許文献２の成膜方法では、成膜速度の速い湿式めっき法と成膜速度は遅いものの密着力に優れたスパッタリング法とを併用することで、スパッタリング法のみを用いる特許文献１の成膜方法と比較して成膜効率を高めることができる。 Patent Document 2 discloses a metallized resin by first forming a thin metal base layer using a sputtering method, and then forming a thick metal film on the metal base layer using a wet plating method. A method for efficiently producing a film is disclosed. In this film forming method of Patent Document 2, a wet plating method having a high film forming speed and a sputtering method having a low film forming speed but excellent adhesion are used in combination, and the film forming method of Patent Document 1 using only the sputtering method is used. Compared with the method, the deposition efficiency can be increased.
さらに、樹脂フィルムに連続的にスパッタリング成膜を行う技術として、長尺状の樹脂フィルムをロール・トゥ・ロール方式で搬送しつつ冷却機構を備えたキャンロールに該長尺樹脂フィルムを巻き付けて成膜を行うスパッタリングウェブコータが広く用いられている。しかし、スパッタリングウェブコータでは金属膜を成膜した直後の金属表面の活性が高い状態の金属化樹脂フィルムをそのまま巻取ロールで巻き取ることになるため、ブロッキングと呼ばれる現象が生ずることがあった。この現象は、互に重なり合う金属化樹脂フィルムの下側の金属化樹脂フィルムの金属膜が、上側の金属化樹脂フィルムの樹脂面に張り付くものであり、この現象が生じた部位では巻取ロールから金属化樹脂フィルムを巻き出す時に下側の金属化樹脂フィルムの金属膜が引き剥がされることがあった。 Furthermore, as a technique for continuously forming a film on a resin film by sputtering, the long resin film is wound around a can roll equipped with a cooling mechanism while being conveyed by a roll-to-roll method. Sputtering web coaters that perform filming are widely used. However, in the sputtering web coater, a metallized resin film having a high activity on the metal surface immediately after forming the metal film is wound as it is with a winding roll, so that a phenomenon called blocking may occur. This phenomenon is such that the metal film of the lower metallized resin film that overlaps each other sticks to the resin surface of the upper metallized resin film, and from the winding roll at the site where this phenomenon occurs When unwinding the metallized resin film, the metal film of the lower metallized resin film may be peeled off.
かかるブロッキング現象の発生を防ぐため、特許文献３に記載のように成膜直後の金属膜の表面に有機物液体を塗る方法や、金属膜表面をイオンビームやプラズマにより酸化させる方法が提案されている。また、特許文献４に記載のように金属膜表面に金属酸化物膜を成膜してブロッキングを防止する方法も提案されている。このように、長尺樹脂フィルムの表面に連続的に金属膜を成膜する場合は、金属化樹脂フィルムのブロッキング現象を防ぐことが望まれている。 In order to prevent the occurrence of such a blocking phenomenon, a method of applying an organic liquid to the surface of a metal film immediately after film formation as described in Patent Document 3 and a method of oxidizing the metal film surface with an ion beam or plasma have been proposed. . Further, as described in Patent Document 4, a method for preventing blocking by forming a metal oxide film on the surface of the metal film has been proposed. Thus, when continuously forming a metal film on the surface of a long resin film, it is desired to prevent the blocking phenomenon of the metallized resin film.
本発明は、上記した状況に鑑みてなされたものであり、ロール・トゥ・ロール方式で搬送される長尺樹脂フィルムをスパッタリング成膜して巻取ロールで巻き取った時に生じやすい金属化樹脂フィルムのブロッキング現象を防止することが可能なスパッタリング成膜装置および成膜方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above situation, and is a metallized resin film that is likely to occur when a long resin film conveyed by a roll-to-roll method is formed by sputtering and wound up by a take-up roll. An object of the present invention is to provide a sputtering film forming apparatus and a film forming method capable of preventing the blocking phenomenon.
上記目的を達成するため、本発明に係るスパッタリング成膜装置は、長尺樹脂フィルムを巻き出す巻出ロールと、前記長尺樹脂フィルムを巻き取る巻取ロールと、前記巻出ロールから前記巻取ロールまでロール・トゥ・ロールで搬送される前記長尺樹脂フィルムの搬送経路を画定するロール群と、前記搬送経路を走行する前記長尺樹脂フィルムの一方の面にスパッタリング成膜を施すスパッタリング成膜手段とを備えたスパッタリング成膜装置であって、前記搬送経路における前記スパッタリング成膜手段と前記巻取ロールとの間に前記長尺樹脂フィルムの前記スパッタリング成膜が施される面とは反対側の面を改質することでブロッキング現象を防止する樹脂表面改質手段が設けられており、前記樹脂表面改質手段が、前記長尺樹脂フィルムの前記反対側の面に向けてイオンビームを照射するイオンビーム照射手段であることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a sputtering film forming apparatus according to the present invention includes an unwinding roll for unwinding a long resin film, a winding roll for winding the long resin film, and the winding roll from the unwinding roll. Sputter film formation that performs sputtering film formation on one surface of the roll group that defines the transport path of the long resin film that is transported roll-to-roll to the roll and the long resin film that travels on the transport path A sputtering film forming apparatus comprising: means on the opposite side to the surface on which the sputtering film formation of the long resin film is performed between the sputtering film forming means and the winding roll in the transport path surface is provided with a resin surface modification means for preventing the blocking phenomenon by modifying the resin surface modification means, the elongated resin film It is characterized in that the toward the opposite side of an ion beam irradiation means for irradiating the ion beam.
また、本発明に係るスパッタリング成膜方法は、巻出ロールから巻取ロールまでロール・トゥ・ロールで搬送される長尺樹脂フィルムの一方の面にスパッタリング成膜を施した後、前記長尺樹脂フィルムを前記巻取ロールで巻き取る前に前記長尺樹脂フィルムのスパッタリング成膜を施した面とは反対側の樹脂表面に対して希ガスを用いたイオンビーム処理で改質処理することでブロッキング現象を防止することを特徴としている。 In addition, the sputtering film forming method according to the present invention is characterized in that the long resin is formed after sputtering film formation is performed on one surface of a long resin film conveyed by a roll-to-roll from an unwinding roll to a winding roll. Before taking up the film with the take-up roll , blocking is performed by modifying the resin surface opposite to the surface on which the long resin film is formed by sputtering with ion beam treatment using a rare gas. It is characterized by preventing the phenomenon .
本発明によれば、ロール・トゥ・ロール方式で搬送される長尺樹脂フィルムをスパッタリング成膜して巻取ロールで巻き取った時に生じやすいブロッキング現象を抑制することができる。これにより、金属化樹脂フィルムを巻取ロールから巻き出す時に該金属化樹脂フィルムの金属層が樹脂フィルムから剥離する問題を防ぐことができるので、高品質のフレキシブル配線基板を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress a blocking phenomenon that is likely to occur when a long resin film conveyed by a roll-to-roll method is formed by sputtering and wound by a winding roll. Thereby, since the problem that the metal layer of this metallized resin film peels from a resin film when unwinding a metallized resin film from a winding roll can be prevented, a high-quality flexible wiring board can be provided.
以下、本発明に係るスパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法の一具体例について、金属化樹脂フィルムを製造する場合を例に挙げて説明する。先ず、本発明に係るスパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法で作製される金属化樹脂フィルムについて説明する。この金属化樹脂フィルムは、図１（ａ）に示すように、樹脂フィルム１１の一方の表面１１ａにスパッタリング成膜法により接着剤を介することなく成膜された金属シード層１２と、該金属シード層１２の表面に成膜された金属層１３とからなる積層構造を有している。そして、樹脂フィルム１１においてこれら金属シード層１２および金属層１３が成膜されていないもう一方の表面１１ｂに改質処理が施されている。
Hereinafter, specific examples of the sputtering film forming apparatus and the sputtering film forming method according to the present invention will be described by taking a case of producing a metallized resin film as an example. First, the metallized resin film produced by the sputtering film forming apparatus and the sputtering film forming method according to the present invention will be described. As shown in FIG. 1 (a), the metallized resin film includes a
樹脂フィルム１１の材質としては、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、オレフィン系フィルム、液晶ポリマー系フィルムまたはテフロン系フィルムから選ばれる樹脂フィルムが、金属化樹脂フィルムとしての柔軟性、実用上必要な強度、配線回路の基板材料として好適な電気絶縁性を有する点から好ましい。
The material of the
金属シード層１２の材質としては、ニッケル、クロム、タングステン、銅等の金属、またはこれらの２種以上の合金が好ましい。また、酸素や窒素が添加された反応性スパッタリング雰囲気で上記いずれかの金属をスパッタリング成膜してもよい。金属シード層１２の材質をニッケル−クロム合金にする場合は、クロム含有率を１５〜２５質量％にするのが絶縁信頼性や配線加工の観点から好ましい。金属シード層１２の膜厚は３〜５０ｎｍが好ましく、金属化樹脂フィルムの配線加工の観点から３〜３５ｎｍがより好ましい。
The material of the
金属層１３は膜厚が０.５〜１２μｍ程度であり、上記した金属シード層１２とは異なる金属または金属組成で形成される。金属層１３の材質は銅が好ましく、その全体を金属シード層１２と同様にスパッタリング成膜法で成膜してもよいし、図１（ｂ）に示すように、スパッタリング成膜法で先ず金属ベース層１３ａを成膜し、次に該金属ベース層１３ａの上にスパッタリング成膜法とは異なる方法で金属ベース層１３ａと同じ金属からなる厚付金属層１３ｂを成膜することで金属層１３を形成してもよい。この場合の金属ベース層１３ａの膜厚は、生産性の観点から３〜１０００ｎｍが好ましい。
The
厚付金属層１３ｂは、例えば蒸着法等の乾式めっき法や電気めっき法で成膜することができる。厚付金属層１３ｂを電気めっき法で成膜する場合、金属シード層１２のみでは電気抵抗が高いので効率よく電気めっきを行うことができないため、上記したように金属シード層１２の表面に金属シード層１２よりも電気抵抗が低い金属ベース層１３ａを設けている。すなわち、樹脂フィルム１１の表面に金属シード層１２と金属ベース層１３ａとをこの順で積層することにより、電気めっき法に適した金属ベース層付樹脂フィルムを得ることができる。
The
上記したような樹脂フィルムの片面にのみ金属層が成膜されたいわゆる片面金属化樹脂フィルムにおける成膜されていない側の面に、上記と同様にスパッタリング成膜や電気めっき等を行うことで図２に示すような樹脂フィルム１１の両面に金属シード層１２と金属層１３とが成膜されたいわゆる両面金属化樹脂フィルムを作製することができる。更に、図３に示すように、上記した両面金属化樹脂フィルムのそれぞれ最上面に例えばスパッタリング法で被覆層１４を成膜することにより、いわゆる被覆両面金属化樹脂フィルムを作製することができる。このように金属層１３の表面を被覆層１４で被覆することにより、外観等の点において優れた金属化樹脂フィルムを作製することができる。すなわち、一般的に金属層１３は銅で形成されるため金属化樹脂フィルムの外観は銅色になるが、被覆層１４の材質を例えば酸素や窒素が添加された金属にすることで、上記の金属層１３による銅色の発色を抑えることができる。
By performing sputtering film formation, electroplating, etc. in the same manner as described above on the surface of the so-called single-sided metallized resin film in which the metal layer is formed only on one side of the resin film as described above. A so-called double-sided metallized resin film in which the
次に、上記した金属ベース層付樹脂フィルムを作製可能な本発明のスパッタリング成膜方法の一具体例について説明する。なお、以下の説明において、樹脂フィルムの両面のうち最初に成膜処理が施される面を第一面と称し、その反対側の面を第二面と称する。先ず長尺状の樹脂フィルムを巻出ロールから巻取ロールまでロール・トゥ・ロールで連続的に搬送しながらその第一面にスパッタリング成膜法により金属シード層を成膜し、次にこの金属シード層の表面にスパッタリング成膜法により金属ベース層を成膜する。 Next, a specific example of the sputtering film forming method of the present invention capable of producing the above-described resin film with a metal base layer will be described. In the following description, the first surface of the resin film on which film formation is performed is referred to as a first surface, and the opposite surface is referred to as a second surface. First, a metal seed layer is formed on the first surface of the long resin film continuously by roll-to-roll from the unwinding roll to the take-up roll by a sputtering film forming method. A metal base layer is formed on the surface of the seed layer by sputtering film formation.
このようにして得た金属ベース層付樹脂フィルムを成膜直後にそのまま巻取ロールで巻き取ると、強く接触した部位では第一面の金属ベース層が第二面に張り付いてしまい、いわゆるブロッキング現象が発生する。これは、成膜直後の金属ベース層の表面は活性が高いため、樹脂フィルムの低分子成分に接着しやすいからである。そこで、本発明の一具体例のスパッタリング成膜方法では、樹脂フィルムの第一面に金属シード層と金属ベース層とを成膜した後、巻取ロールで巻き取る前に第二面に樹脂表面改質処理を行っている。 When the resin film with a metal base layer thus obtained is wound up with a take-up roll as it is immediately after film formation, the metal base layer on the first surface sticks to the second surface at the strongly contacted portion, so-called blocking. The phenomenon occurs. This is because the surface of the metal base layer immediately after film formation is highly active, and therefore easily adheres to the low molecular components of the resin film. Therefore, in the sputtering film forming method of one specific example of the present invention, after forming the metal seed layer and the metal base layer on the first surface of the resin film, the surface of the resin is coated on the second surface before winding with the winding roll. A reforming process is performed.
この樹脂表面改質処理により樹脂フィルムの第二面の低分子成分を積極的に除去できるので、金属ベース層付樹脂フィルムを巻取ロールに巻き取った時に第一面の金属ベース層と第二面の樹脂表面とが強く接触しても、第二面に金属ベース層が張り付くのを防止できる。すなわち、樹脂フィルムの表面には、樹脂フィルム製造時の未硬化のオリゴマーなどの低分子成分が残留しており、そのままでは活性の高い金属ベース層が接着しやすくなっている。これに対して、樹脂フィルムを改質処理することによって表面の低分子成分を除去することができ、その結果、活性の高い金属ベース層が樹脂フィルムの表面に張り付きにくくなる。 Since the low molecular weight component on the second surface of the resin film can be positively removed by this resin surface modification treatment, when the resin film with the metal base layer is wound on a take-up roll, the metal base layer on the first surface and the second surface Even if the resin surface of the surface is in strong contact, the metal base layer can be prevented from sticking to the second surface. That is, low molecular components such as uncured oligomers at the time of manufacturing the resin film remain on the surface of the resin film, and a highly active metal base layer is easily adhered as it is. On the other hand, the low molecular component on the surface can be removed by modifying the resin film, and as a result, the highly active metal base layer is less likely to stick to the surface of the resin film.
なお、上記した樹脂フィルムの表面の低分子成分は、スパッタリング成膜前に第一面および第二面とも除去することが望ましいが、第一面と第二面の両方を成膜前に除去するのはコストがかかる。そのため、本発明のスパッタリング成膜方法の一具体例では、長尺樹脂フィルムの第一面をスパッタリング成膜した後に第二面の改質処理を行っている。このように、スパッタリング成膜の後に樹脂表面改質処理を行うことによって、長尺樹脂フィルムに最初から残留している低分子成分やスパッタリング成膜中に発生する低分子成分、更には搬送経路に付着していた低分子成分が長尺樹脂フィルムに付着して搬送される場合であっても、長尺樹脂フィルムの低分子成分を除去することが可能になる。 In addition, although it is desirable to remove the low molecular components on the surface of the above-described resin film on both the first surface and the second surface before sputtering film formation, both the first surface and the second surface are removed before film formation. Is costly. Therefore, in one specific example of the sputtering film forming method of the present invention, the first surface of the long resin film is subjected to the sputtering film forming, and then the second surface modification treatment is performed. As described above, by performing the resin surface modification treatment after the sputtering film formation, the low molecular components remaining in the long resin film from the beginning, the low molecular components generated during the sputtering film formation, and further on the transport path. Even when the low molecular component that has adhered is attached to the long resin film and conveyed, the low molecular component of the long resin film can be removed.
この樹脂表面の改質処理は、イオンビームやプラズマによる処理が望ましい。その際、樹脂フィルムの第二面の低分子成分だけを除去できればよく、過剰な改質処理は好ましくない。過剰な改質処理にならないようにするため、イオンビーム処理やプラズマ処理には希ガスを用いるのが望ましい。すなわち、一般に樹脂表面を改質処理する場合は酸素ガスや窒素ガスを含む雰囲気で行われるが、酸素ガスなど用いると過剰な樹脂表面改質処理となりやすい。これに対して希ガスを用いることで、第二面の低分子成分だけを除去できる程度に長尺樹脂フィルムの表面を弱く改質でき、過剰に処理されることはない。 The modification treatment of the resin surface is preferably performed by ion beam or plasma. At that time, it is only necessary to remove the low molecular component on the second surface of the resin film, and excessive modification treatment is not preferable. In order to avoid excessive modification treatment, it is desirable to use a rare gas for ion beam treatment or plasma treatment. That is, in general, the resin surface is modified in an atmosphere containing oxygen gas or nitrogen gas. However, if oxygen gas or the like is used, excessive resin surface modification treatment tends to occur. On the other hand, by using a rare gas, the surface of the long resin film can be modified so weakly that only the low-molecular components on the second surface can be removed, and it is not excessively processed.
例えば希ガスとしてアルゴンを用いる場合は、樹脂表面の改質処理を行う減圧室内を減圧した後、アルゴンを導入して該減圧室内の圧力を１０Ｐａ以下、望ましくは１Ｐａ程度に保ち、この状態で長尺樹脂フィルムの第二面に向けてアルゴンイオンビーム照射したり、あるいはプラズマを照射したりすることにより適度に改質処理を行うことができる。 For example, when argon is used as a rare gas, after reducing the pressure in the decompression chamber for modifying the resin surface, argon is introduced to keep the pressure in the decompression chamber at 10 Pa or less, preferably about 1 Pa, and in this state, An appropriate modification treatment can be performed by irradiating the second surface of the length resin film with an argon ion beam or irradiating with plasma.
また、樹脂表面の改質処理を行う際のイオンビーム照射やプラズマ照射におけるプラズマ放電の出力は、用いる長尺樹脂フィルムにより異なるため、表面改質された長尺樹脂フィルムの表面から低分子成分がほぼなくなるように処理条件を定めればよい。過剰な樹脂表面改質処理を行うと、長尺樹脂フィルムの表面に高分子の切断により生じるオリゴマーの末端の官能基が増えるので、処理条件が過剰か否か判断することができる。なお、上記した長尺樹脂フィルムの表面に存在するオリゴマーなどの低分子成分の定量分析は長尺樹脂フィルムを溶解しないような例えばエタノールなどの低級アルコールに樹脂を浸漬してオリゴマー成分を溶出し、オリゴマー成分を溶出したアルコール溶液をガスクロマトグラフィーや赤外吸収分析等の公知の有機化学の分析方法によって行うことができる。 In addition, since the output of plasma discharge in ion beam irradiation or plasma irradiation when modifying the resin surface varies depending on the long resin film to be used, low molecular components are generated from the surface of the surface-modified long resin film. What is necessary is just to define a process condition so that it may almost disappear. When an excessive resin surface modification treatment is performed, the functional group at the terminal of the oligomer generated by cutting the polymer increases on the surface of the long resin film, so it can be determined whether or not the treatment conditions are excessive. In addition, quantitative analysis of low molecular components such as oligomers present on the surface of the long resin film described above elutes the oligomer components by immersing the resin in a lower alcohol such as ethanol so as not to dissolve the long resin film, The alcohol solution from which the oligomer component is eluted can be obtained by a known organic chemistry analysis method such as gas chromatography or infrared absorption analysis.
次に、上記した金属ベース層付樹脂フィルムを作製可能な本発明の一具体例のスパッタリング成膜装置について、図４に示すスパッタリングウェブコータ５０を例に挙げて説明する。このスパッタリングウェブコータ５０は、第一減圧室５１においてスパッタリング法により長尺樹脂フィルムＦの第一面にシード層および金属ベース層の成膜を行い、第二減圧室７１において長尺樹脂フィルムＦの第二面に改質処理を施すものである。
Next, a sputtering film forming apparatus according to a specific example of the present invention capable of producing the above-described resin film with a metal base layer will be described by taking a
これら第一減圧室５１および第二減圧室７１は、適した雰囲気圧が互いに異なるため、隔壁７２により区画されて差動排気されている。この隔壁７２には第一減圧室５１から第二減圧室７１に向かう樹脂フィルムＦが通過できるように開口部７２ａが設けられている。開口部７２ａにはここを通過する成膜後の樹脂フィルムＦを上下から挟み込む１対のスリットロール７３が設けられている。このスリットロール７３は設けなくてもよいが、設けることにより各減圧室の気密性をより一層高めることができる。
Since these
第一減圧室５１内には、長尺の長尺樹脂フィルムＦを巻き出す巻出ロール５２と、長尺樹脂フィルムＦを外周面に巻き付けて冷却すべく内部に水冷温調機構を備えたキャンロール５６と、キャンロール５６の該外周面に対向する位置に長尺樹脂フィルムＦの搬送経路に沿って設けられたスパッタリング成膜手段としての４台のマグネトロンスパッタカソード５７、５８、５９、６０とが設けられている。さらに、巻出ロール５２からキャンロール５６までの搬送経路を画定するフリーロール５３、５４およびフィードロール５５と、キャンロール５６からスリットロール７３までの搬送経路を画定するフィードロール６１およびフリーロール６２、６３とがこの順に配置されている。
In the
このように、第一減圧室５１内ではキャンロール５６の外周面に長尺樹脂フィルムＦを巻き付けた状態でスパッタリング成膜を行うため、成膜中のプラズマに起因した熱的ダメージを抑えることができる。なお、上記マグネトロンスパッタカソードには板状ターゲットを用いるのが好ましいが、板状ターゲットではノジュール（異物の成長）が発生することがあるため、ノジュールの発生がなくターゲットの使用効率も高い円筒形のロータリーターゲットを使用してもよい。また、回転駆動式のキャンロール５６に対して差速により長尺樹脂フィルムＦを密着させる制御を行う場合はフィードロール５５、５６を回転駆動式にしてもよい。
Thus, in the
さらに、第一減圧室５１内の上記スパッタリング成膜が行われる部分よりも前段部分に、アルゴンガス、酸素ガス等を導入したプラズマ処理あるいはイオンビーム処理を行なう表面処理ユニットを配置することも可能である。このような表面処理ユニットを配置することにより、長尺樹脂フィルムＦの両面をクリーニングおよび活性化処理することができる。
Furthermore, a surface treatment unit for performing plasma treatment or ion beam treatment in which argon gas, oxygen gas, or the like is introduced can be arranged in a portion preceding the portion in the
第二減圧室７１内には、上記第一減圧室５１で第一面に成膜処理された長尺樹脂フィルムＦの第二面に改質処理を施すべくイオンビーム照射装置またはプラズマ放電装置からなる樹脂表面改質手段７７が設けられている。更に、長尺樹脂フィルムＦをガイドするフリーロール７４、７５と、樹脂表面改質手段７７で処理された長尺樹脂フィルムＦを巻き取る巻取ロール７６とが設けられている。この巻取ロール７６および前述した第一減圧室５１内の巻出ロール５２はパウダークラッチ等によりトルク制御されており、長尺樹脂フィルムＦの張力バランスを保っている。なお、長尺樹脂フィルムＦの張力を測定するためにフリーロール７４や前述した第一減圧室５１内のフリーロール５４、６２に張力センサを取り付けてもよい。また、第二減圧室内７１には不活性ガス（希ガス）を導入する図示しない導入部が設けられている。
In the
かかる構成により、駆動手段を備えたキャンロール５６の回転により巻出ロール５２から巻き出された長尺樹脂フィルムＦは、フリーロール５３、５４およびフィードロール５５を経て水冷温調されたキャンロール５６に導かれ、ここでキャンロール５６の外周面に巻き付けられて冷却されながら、シード層成膜用と金属ベース層成膜用の金属ターゲットがそれぞれ取り付けられた４台のマグネトロンスパッタカソード５７、５８、５９、６０（たとえば、マグネトロンスパッタカソード５７がシード層成膜用、マグネトロンスパッタカソード５８、５９、６０が金属ベース層成膜用）によって長尺樹脂フィルムＦの第一面に金属シード層と金属ベース層がこの順に成膜される。成膜された長尺樹脂フィルムＦはフィードロール６１およびフリーロール６２、６３を経て第一減圧室５１を出た後、隔壁７２の開口部７２ａに設けられたスリットロール７３を介して第二減圧室７１内に搬入される。
With such a configuration, the long resin film F unwound from the unwinding
第二減圧室７１内では成膜処理された長尺樹脂フィルムＦはフリーロール７４でガイドされた後、樹脂表面改質手段７７で第二面が改質処理される。その後、フリーロール７５を経て巻取ロール７６で巻き取られる。これにより得られる、両面がそれぞれ成膜処理および改質処理されてなる金属ベース層付長尺樹脂フィルムは、巻取ロール７６で巻き取った際に長尺樹脂フィルムの第一面の金属ベース層と第二面の樹脂面とが強く接触しても当該第二面の低分子成分がほぼ除去されているので、ブロッキング現象がほとんど発生しない。よって、金属ベース層付長尺樹脂フィルムの金属ベース層が樹脂フィルムから剥離する問題がほとんど生じないので、高品質の金属化樹脂フィルムを作製することが可能になる。
In the
長尺樹脂フィルムの両面に金属ベース層を成膜するには、例えば上記したスパッタリングウェブコータ５０で長尺樹脂フィルムの第一面および第二面がそれぞれ成膜処理および改質処理された金属ベース層付長尺樹脂フィルムの当該第二面に対して、再度スパッタリングウェブコータ５０を用いて同様にスパッタリング成膜を行えばよい。なお、この場合は、第二面の成膜後に第一面側に樹脂表面改質処理が行われないようにするため、樹脂表面改質手段７７は停止状態にしておく必要がある。このように第二面に金属ベース層を成膜する場合は、第二面の成膜直後に巻取ロールで巻き取ると当該第二面の金属ベース層が第一面の金属ベース層に接触してブロッキング現象が生ずるおそれがあるが、この場合は、公知の間紙をこれら両金属ベース層間に挿入することでかかる不具合を回避できる。
In order to form the metal base layer on both sides of the long resin film, for example, the metal base in which the first surface and the second surface of the long resin film are respectively formed and modified by the sputtering
また、片面もしくは両面金属ベース層付長尺樹脂フィルムの金属ベース層の表面に湿式めっき法を用いて厚付金属層を形成する場合は、電気めっき処理のみで厚膜化してもよいし、一次めっきとしての無電解めっき処理と、二次めっきとしての電解めっき処理とを組み合わせて厚膜化してもよい。いずれの場合においても、湿式めっき処理の諸条件には一般的な湿式めっき法の条件を採用することができる。なお、長尺樹脂フィルムの各々の面において、シード層の表面に乾式法（スパッタリング法）や湿式めっき法で成膜する金属層の合計厚さは、厚くとも１２μｍ以下にすることが好ましい。 In addition, when a thick metal layer is formed on the surface of a metal base layer of a long resin film with a single-sided or double-sided metal base layer using a wet plating method, it may be thickened only by an electroplating process. A thick film may be formed by combining electroless plating treatment as plating and electrolytic plating treatment as secondary plating. In either case, general wet plating conditions can be adopted as the various conditions for the wet plating process. In addition, on each surface of the long resin film, the total thickness of the metal layers formed on the surface of the seed layer by a dry method (sputtering method) or a wet plating method is preferably 12 μm or less.
上記にて得た金属化樹脂フィルムは、公知のセミアディテブ法やサブトラクティブ法を用いて配線回路をパターニング加工することで、フレキシブル配線基板を得ることができる。例えば上記方法で金属化樹脂フィルムを準備し、その金属膜上にスクリーン印刷あるいはドライフィルムをラミネートして感光性レジスト膜を形成した後、露光現像することでパターニングされたマスクを形成する。次いで、塩化第２鉄溶液等のエッチング液で該金属膜を選択的にエッチング除去した後、上記レジスト膜を除去して所定の配線回路パターンを形成する。なお、幅１０μｍ以下の微細線に加工することで、ディスプレイ画面のタッチパネルセンサーに用いることもできる。 The metallized resin film obtained above can obtain a flexible wiring board by patterning a wiring circuit using a known semi-additive method or subtractive method. For example, a metallized resin film is prepared by the above-described method, a screen printing or dry film is laminated on the metal film to form a photosensitive resist film, and then exposed and developed to form a patterned mask. Next, the metal film is selectively removed by etching with an etchant such as a ferric chloride solution, and then the resist film is removed to form a predetermined wiring circuit pattern. In addition, it can also use for the touchscreen sensor of a display screen by processing into a fine line | wire with a width of 10 micrometers or less.
両面金属化樹脂フィルムの場合は、両面を上記の方法でパターニング加工することでフレキシブルシートの両面に配線回路パターンを形成することができる。全ての配線パターンを幾つかの配線領域に分割するかどうかは、配線回路パターンの配線密度の分布等による。例えば、配線パターンを、配線幅と配線間隔がそれぞれ５０μｍ以下の高密度配線領域とその他の配線領域に分け、プリント基板との熱膨張差や取扱い上の条件等を考慮して分割する配線基板のサイズを１０〜６５ｍｍ程度に設定して適宜分割すればよい。 In the case of a double-sided metallized resin film, a wiring circuit pattern can be formed on both sides of the flexible sheet by patterning both sides by the above method. Whether all the wiring patterns are divided into several wiring areas depends on the distribution of the wiring density of the wiring circuit patterns. For example, the wiring pattern is divided into a high-density wiring region and a wiring region each having a wiring width and a wiring interval of 50 μm or less, and the wiring substrate is divided in consideration of the difference in thermal expansion from the printed circuit board and handling conditions. What is necessary is just to divide suitably, setting a size to about 10-65 mm.
また、両面金属化樹脂フィルムの場合は、必要に応じてヴィアホールが形成される。ヴィアホールの形成方法には従来の方法が利用でき、例えばレーザー加工等により配線パターンの所定の位置に金属層および樹脂フィルムを貫通するヴィアホールを形成する。ヴィアホールの内径は、ホール内の導電化に支障を来たさない範囲内で小さくすることが好ましく、通常は１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下である。ヴィアホール内は、めっき、蒸着、スパッタリング等により銅等の導電性金属を充填する方法や、所定の開孔パターンを持つマスクを用いて導電性ペーストを圧入してから乾燥する方法で導電化する。これにより、異なる層間の電気的接続が可能になる。 In the case of a double-sided metallized resin film, a via hole is formed as necessary. A conventional method can be used for forming the via hole. For example, a via hole penetrating the metal layer and the resin film is formed at a predetermined position of the wiring pattern by laser processing or the like. The inner diameter of the via hole is preferably reduced within a range that does not hinder the conductivity in the hole, and is usually 100 μm or less, preferably 50 μm or less. The via hole is made conductive by a method of filling a conductive metal such as copper by plating, vapor deposition, sputtering or the like, or a method of pressing a conductive paste using a mask having a predetermined opening pattern and then drying. . This allows electrical connection between different layers.
上記した本発明の一具体例の金属化樹脂フィルムの製造方法によれば、金属ベース層の密着力に優れかつピンホールのほとんどない高品質の金属化樹脂フィルムを効率よく製造できるため、これをパターニング加工して得られるフレキシブル配線基板を用いた液晶テレビ、携帯電話等の電子機器の信頼性を高めることが可能になる。 According to the above-described method for producing a metallized resin film of one embodiment of the present invention, a high-quality metallized resin film having excellent adhesion to the metal base layer and almost no pinholes can be efficiently produced. It becomes possible to improve the reliability of electronic devices such as liquid crystal televisions and mobile phones using a flexible wiring board obtained by patterning.
[実施例１]
図４に示すようなスパッタリングウェブコータ５０を用いて金属ベース層付長尺樹脂フィルムを作製した。長尺樹脂フィルムＦには、幅５００ｍｍ、長さ１０００ｍ、厚さ２５μｍの東レ株式会社製のＰＥＴフィルム「ルミラー（登録商標）」を使用した。膜厚２５ｎｍのニッケル−クロム合金の金属シード層と、膜厚１００ｎｍの銅の金属ベース層とをそれぞれ成膜するため、スパッタリングカソード５７には２０質量％ニッケル−クロム合金スパッタリングターゲットを装着し、スパッタリングカソード５８、５９、６０には銅スパッタリングターゲットを装着した。樹脂表面改質手段７７にはＧｅｎｅｒａｌ Ｐｌａｓｍａ ｉｎｃ社製のイオンビーム照射装置ＰＰＡＬＳを使用し、ガス圧力１.２×１０−２Ｐａ、電圧２０００Ｖの条件でイオンビーム処理した。イオンビームにはアルゴンガスを用いた。このようにして、長尺樹脂フィルムＦの第一面に金属層を成膜した後に第二面を改質し、巻取ロール７６で巻き取った。
[Example 1]
A long resin film with a metal base layer was prepared using a
次に、巻取ロール７６に巻き取った上記金属ベース層付長尺樹脂フィルムを巻き出し、その表裏面が逆になるように巻き直してから再度スパッタリングウェブコータ５０の巻出ロール５２にセットした。この巻き直しの際、巻取ロール７６においてブロッキング現象の発生は認められなかった。そして、イオンビーム照射装置への給電を停止した以外は上記と同様にして金属ベース層付長尺樹脂フィルムにおいて成膜されていない第二面側にスパッタリング成膜を行って、巻取ロール７６で巻き取った。なお、この巻き取りの際は、両金属ベース層間に長尺状の間紙を挿入しながら巻き取った。得られた両面金属ベース層付長尺樹脂フィルムを目視にて確認したところ、第一面および第二面のいずれにもブロッキング現象に起因する凹凸や剥離は見られなかった。
Next, the long resin film with a metal base layer wound up on the winding
[実施例２]
樹脂表面改質手段７７に日本電子工業株式会社製のプラズマ放電装置を使用し、ガス圧力１.６Ｐａ、電圧１２００Ｖの条件でプラズマ処理した以外は上記実施例１と同様にしてＰＥＴフィルムの両面に金属層を成膜した。なお、プラズマガスにはアルゴンガスを用いた。その結果、片面に成膜後に実施例１と同様に巻き直した際にブロッキング現象の発生は認められなかった。また、両面成膜後に両面金属ベース層付長尺樹脂フィルムを目視にて確認したところ、第一面および第二面のいずれにもブロッキング現象に起因する凹凸や剥離は見られなかった。
[Example 2]
A plasma discharge device manufactured by JEOL Ltd. was used as the resin surface modification means 77 and plasma treatment was performed under the conditions of a gas pressure of 1.6 Pa and a voltage of 1200 V on both sides of the PET film in the same manner as in Example 1 above. A metal layer was deposited. Note that argon gas was used as the plasma gas. As a result, the occurrence of blocking phenomenon was not observed when the film was rewound in the same manner as in Example 1 after film formation on one side. Moreover, when the long-sided resin film with a double-sided metal base layer was visually confirmed after double-sided film formation, the unevenness | corrugation and peeling resulting from a blocking phenomenon were not looked at by either the 1st surface and the 2nd surface.
［比較例］
イオンビーム照射装置への給電を停止した以外は実施例１と同様にしてＰＥＴフィルムの両面に金属層を成膜すべく、第一面にのみ金属層が成膜されたＰＥＴフィルムを巻取ロール７６から巻き出そうとしたところ、ブロッキング現象により巻取ロール７６からスムーズに巻き出すことができなかった。
[Comparative example]
In order to form a metal layer on both sides of the PET film in the same manner as in Example 1 except that the power supply to the ion beam irradiation apparatus is stopped, a take-up roll of the PET film with the metal layer formed only on the first surface When trying to unwind from 76, it was not possible to smoothly unwind from the take-
１１ 樹脂フィルム
１１ａ 第一面
１１ｂ 第二面
１２ 金属シード層
１３ａ 金属ベース層
１３ｂ 厚付金属層
１３ 金属層
１４ 被覆層
５０ スパッタリングウェブコータ
５１ 第一減圧室
５２ 巻出ロール
５３、５４、６２、６３ フリーロール
５５、６１ フィードロール
５６ 冷却キャンロール
５７、５８、５９、６０ マグネトロンスパッタカソード
７１ 第二減圧室
７２ 隔壁
７２ａ 開口部
７３ スリットロール
７４、７５ フリーロール
７６ 巻取ロール
７７ 樹脂表面改質手段
Ｆ 長尺樹脂フィルム
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記搬送経路における前記スパッタリング成膜手段と前記巻取ロールとの間に前記長尺樹脂フィルムの前記スパッタリング成膜が施される面とは反対側の面を改質することでブロッキング現象を防止する樹脂表面改質手段が設けられており、前記樹脂表面改質手段が、前記長尺樹脂フィルムの前記反対側の面に向けてイオンビームを照射するイオンビーム照射手段であることを特徴とするスパッタリング成膜装置。 Of the unwinding roll which unwinds a long resin film, the winding roll which winds up the said long resin film, and the said long resin film conveyed by the roll to roll from the said unwinding roll to the said winding roll A sputtering film forming apparatus comprising: a roll group that defines a transport path; and a sputtering film forming unit that performs sputtering film formation on one surface of the long resin film that travels along the transport path,
The blocking phenomenon is prevented by modifying the surface of the long resin film opposite to the surface on which the sputtering film formation is performed between the sputtering film forming unit and the winding roll in the transport path. Sputtering characterized in that resin surface modification means is provided, and the resin surface modification means is an ion beam irradiation means for irradiating an ion beam toward the opposite surface of the long resin film. Deposition device.
請求項２に記載のスパッタリング成膜方法で、前記長尺樹脂フィルムの表面上にシード層と前記シード層の表面上の前記金属層の一部または全体とを成膜することを特徴とする金属化樹脂フィルムの製造方法。 A method for producing a metallized resin film comprising a long resin film and a metal layer formed on one surface thereof without an adhesive,
3. The metal according to claim 2 , wherein a seed layer and a part or all of the metal layer on the surface of the seed layer are formed on the surface of the long resin film. For producing a fluorinated resin film.
請求項３に記載の製造方法で作製された金属化樹脂フィルムの成膜されていない樹脂表面上にスパッタリング成膜法で第二のシード層と前記第二のシード層の表面上の第二の金属層の一部または全体とを成膜することを特徴とする両面金属化樹脂フィルムの製造方法。 A method for producing a double-sided metallized resin film comprising a long resin film and a metal layer formed on both sides thereof without an adhesive,
A second seed layer and a second seed layer on the surface of the second seed layer are formed by sputtering on a resin surface on which the metallized resin film produced by the manufacturing method according to claim 3 is not formed. A method for producing a double-sided metallized resin film, wherein a part or the whole of a metal layer is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015070841A JP6477150B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Sputtering film forming method, metallized resin film manufacturing method using the same, and sputtering film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015070841A JP6477150B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Sputtering film forming method, metallized resin film manufacturing method using the same, and sputtering film forming apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016191104A JP2016191104A (en) | 2016-11-10 |
| JP6477150B2 true JP6477150B2 (en) | 2019-03-06 |
Family
ID=57246187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015070841A Active JP6477150B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Sputtering film forming method, metallized resin film manufacturing method using the same, and sputtering film forming apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6477150B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6880810B2 (en) * | 2017-02-20 | 2021-06-02 | 住友金属鉱山株式会社 | A surface treatment method for a resin film and a method for manufacturing a copper-clad laminated substrate having the same. |
| CN108385110B (en) * | 2018-04-04 | 2019-07-12 | 西安工业大学 | A kind of burnishing device and polishing method using in-situ sputtering coupled ion beam etching |
| JP7144748B2 (en) * | 2019-02-21 | 2022-09-30 | 住友金属鉱山株式会社 | Production apparatus and production method for resin film with metal film |
| JP7380354B2 (en) | 2020-03-12 | 2023-11-15 | 住友金属鉱山株式会社 | Manufacturing method of flexible circuit board |
| KR20230101545A (en) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 | Roll-to-roll type method for manufacturing graphene based on joule heating and apparatus for manufacturing graphene using the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046181B2 (en) * | 1980-06-10 | 1985-10-15 | 松下電器産業株式会社 | Vacuum deposition method |
| JP2004273032A (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Tdk Corp | Method and apparatus for manufacturing magnetic recording medium |
| JP2010053447A (en) * | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Method and device for forming film |
-
2015
- 2015-03-31 JP JP2015070841A patent/JP6477150B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016191104A (en) | 2016-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6477150B2 (en) | Sputtering film forming method, metallized resin film manufacturing method using the same, and sputtering film forming apparatus | |
| JP5071428B2 (en) | Manufacturing method of heat resistant resin film with metal base layer, heat resistant resin film with metal film and heat resistant resin film with metal base layer | |
| JP5659807B2 (en) | Roll-to-roll vacuum double-sided film forming equipment and double-sided metal base layered resin film manufacturing equipment | |
| JP6028711B2 (en) | Double-sided film forming method and method for producing resin film with metal base layer | |
| JP6060854B2 (en) | Surface treatment method for resin film and method for producing copper clad laminate including the same | |
| US11352697B2 (en) | Apparatus for processing long base material by roll-to-roll method and film forming apparatus using the same | |
| JP5648402B2 (en) | Sputtering apparatus, sputtering method, and method for producing resin film with metal base layer | |
| JP2012026025A (en) | Film deposition method, method for manufacturing resin film with metal base layer and sputtering apparatus | |
| JP2006306009A (en) | Two-layer film, method for producing two-layer film and method for manufacturing printed wiring board | |
| JP5304733B2 (en) | Heat-resistant resin film with metal base layer having dielectric film, heat-resistant resin film with metal film and manufacturing method of heat-resistant resin film with metal base layer having dielectric film | |
| JP6028712B2 (en) | Double-sided film forming method and method for producing resin film with metal base layer | |
| JP7285431B2 (en) | Vacuum deposition apparatus and vacuum deposition method | |
| JP6880810B2 (en) | A surface treatment method for a resin film and a method for manufacturing a copper-clad laminated substrate having the same. | |
| JP2014222689A (en) | Method and apparatus for manufacturing double-side metal laminated film, and manufacturing method of flexible double-side printed wiring board | |
| TWI754620B (en) | Method and device for winding up a long substrate, and a surface treatment device for a long substrate provided with the same | |
| JP6060836B2 (en) | Surface treatment method for resin film and method for producing copper clad laminate including the same | |
| JP2011094221A (en) | Method of forming long-size heat-resistant resin film and apparatus for producing heat-resistant resin film with metal film | |
| JP2020066762A (en) | Device and method of producing resin film coated with metal film | |
| JP2018053340A (en) | Film deposition method of deposition object, film deposition apparatus, and production method of metalized resin film using film deposition method | |
| JP6772662B2 (en) | Can roll, dry film forming equipment, and curing band material | |
| JP5668677B2 (en) | Method for controlling conveyance of long strip and surface treatment method for long strip | |
| JP7285430B2 (en) | Vacuum deposition apparatus and vacuum deposition method | |
| JP6572728B2 (en) | Can roll and sputtering apparatus | |
| JPH05283848A (en) | Flexible printed wiring board | |
| JP2023177986A (en) | Manufacturing method of metal clad laminate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180219 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180910 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180918 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190121 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6477150 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |