JP6471643B2 - ガラス積層体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明者の知見によると、特許文献1に記載のガラス積層体は、450℃の熱処理では、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に所定の大きさ以上の気泡が生じないが、高温加熱処理(550℃)においては、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に所定の大きさ以上の気泡が生じる場合がある。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含むことが好ましい。なお、Rは水素原子または有機基を表す。
また、第1の態様においては、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%であることが好ましい。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂が、さらに、(R)2SiO2/2で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)を有することが好ましい。
また、第1の態様においては、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%である、ことが好ましい。
また、第1の態様においては、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜35モル%であることが好ましい。
また、第1の態様においては、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜15モル%であることが好ましい。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂が、硬化性シリコーンの硬化物であり、硬化性シリコーンの重量平均分子量が5000〜60000であることが好ましい。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂層の厚さが0.001〜100μmであることが好ましい。
また、第1の態様においては、ガラス基板の厚さが0.03〜0.3mmであることが好ましい。
また、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面粗さRaが0.1〜20nmであることが好ましい。
また、本発明の第2の態様は、支持基材上に、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法である。
また、本発明の第3の態様は、支持基材上に、(R)2SiO2/2で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)と、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法である。
図1に示すように、ガラス積層体10は、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。シリコーン樹脂層14は、その一方の面が支持基材12に接すると共に、その他方の面がガラス基板16の第1主面16aに接している。
ガラス積層体10において、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層14と支持基材12との界面の剥離強度より低く、シリコーン樹脂層14とガラス基板16とが剥離し、シリコーン樹脂層14と支持基材12との積層体と、ガラス基板16とに分離する。言い換えれば、シリコーン樹脂層14は支持基材12上に固定されており、ガラス基板16はシリコーン樹脂層14上に剥離可能に積層されている。
支持基材12およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板16を補強する。なお、ガラス積層体10の製造のためにあらかじめ製造される支持基材12およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分を樹脂層付き支持基材18という。
ガラス積層体10においては、上記剥離強度(x)は上記剥離強度(y)よりも高い。したがって、ガラス積層体10に支持基材12とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体10は、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面で剥離して、ガラス基板16と樹脂層付き支持基材18とに分離する。
支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高めるためには、後述する硬化性シリコーンを支持基材12上で架橋硬化させてシリコーン樹脂層を形成することが好ましい。架橋硬化の際の接着力で、支持基材12に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層14を形成することができる。
一方、架橋硬化後のシリコーン樹脂のガラス基板16に対する結合力は、上記架橋硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材12上でシリコーン樹脂層14を形成し、その後シリコーン樹脂層14の面にガラス基板16を積層することにより、ガラス積層体10を製造することができる。
加熱処理の方法、および、加熱処理後における気泡の観察方法は以下の通りである。
まず、使用するガラス積層体10としては、後述する方法にて製造したガラス積層体を使用するが、具体的には、支持基材12とシリコーン樹脂層14とガラス基板16とが積層されたガラス積層体10から、50mm角(縦50mm×横50mm)の測定用ガラス積層体を切り出す。切り出す方法は特に制限されず、通常、ガラス積層体10のガラス基板16側からエッチングナイフを当てて、所定の大きさのガラス積層体10を切り出す。次に、測定用ガラス積層体を550℃に加熱した熱風オーブン内に載置して、10分間放置する。その後、測定用ガラス積層体を熱風オーブンから取り出し、目視にて、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間の気泡の有無を観察する。なお、観察対象は、測定用ガラス積層体の全面(縦50mm×横50mm)である。気泡が観察されない場合は、気泡なしと判断し、測定対象のガラス積層体は本発明の要件を満たす。また、気泡が観察される場合は、気泡の直径を測定する。気泡が観察される場合において、観察された気泡の直径がそれぞれ1mm未満であれば、測定対象のガラス積層体は本発明の要件を満たす。
なお、目視での観察限界としては、通常、直径0.1mm程度である。
また、気泡が真円状でない場合は、円相当径を上記直径とする。円相当径とは、観察された気泡の面積と等しい面積をもつ円の直径である。
気泡の測定方法は、上記と同様である。
支持基材12は、ガラス基板16を支持し、後述する部材形成工程(電子デバイス用部材を製造する工程)において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板16の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基材12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材12はガラス基板16との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板16と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材12はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
なお、後述するように支持基材12は、2種以上の層からなる積層体であってもよい。
ガラス基板16は、第1主面16aがシリコーン樹脂層14と接し、シリコーン樹脂層14側とは反対側の第2主面16bに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板16の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板16は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。
ガラス基板16の線膨張係数が上記範囲内であれば、ガラス基板16上にTFTを形成する場合、加熱下でTFTが形成されたガラス基板16を冷却する際に、ガラス基板16の熱収縮によるTFTの位置ずれの発生を抑制することができる。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易であること、ガラス基板16の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。
シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16と支持基材12とを分離する操作が行われるまでガラス基板16の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板16などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層14のガラス基板16と接する表面14aは、ガラス基板16の第1主面16aに密着する。シリコーン樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度(y)は、シリコーン樹脂層14と支持基材12との間の界面の剥離強度(x)よりも低い。
また、シリコーン樹脂層14は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材12表面に結合されており、両者の密着性を高める方法としては、公知の方法を採用できる。シリコーン樹脂層14は、所定のオルガノシロキシ単位を含むシリコーン樹脂からなる。例えば、後述するように、シリコーン樹脂層14を支持基材12表面上で形成する(より具体的には、所定のシリコーン樹脂を形成し得る硬化性シリコーン(オルガノポリシロキサン)を支持基材12上で架橋硬化させる)ことにより、シリコーン樹脂層14中のシリコーン樹脂を支持基材12表面に接着させ、高い結合力を得ることができる。また、支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間に強い結合力を生じさせる処理(例えば、カップリング剤を使用した処理)を施して支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間の結合力を高めることができる。
上記厚さは平均厚さを意図し、5点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層14の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
シリコーン樹脂層14のガラス基板16側の表面の表面粗さRaは特に制限されないが、ガラス基板16の積層性および剥離性がより優れる点より、0.1〜20nmが好ましく、0.1〜10nmがより好ましい。
なお、表面粗さRaの測定方法としては、JIS B 0601−2001に準じて行われ、任意の5箇所以上の点において測定されたRaを、算術平均した値が上記表面粗さRaに該当する。
なお、シリコーン樹脂層14は2層以上からなっていてもよい。この場合「シリコーン樹脂層14の厚さ」は全てのシリコーン樹脂層の合計の厚さを意味するものとする。
シリコーン樹脂層14は、上述したようにガラス積層体が所定の性質を示すような、所定のオルガノシロキシ単位を含むシリコーン樹脂からなる。また、シリコーン樹脂は、通常、硬化処理により該シリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを架橋硬化して得られる。つまり、シリコーン樹脂は、硬化性シリコーンの硬化物に該当する。
なお、本発明における硬化性シリコーンは、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物の混合物(モノマー混合物)であるか、または、モノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物(オルガノポリシロキサン)であることが好ましい。また、部分加水分解縮合物とモノマーの混合物であってもよい。本発明における硬化性シリコーンとしては、モノマー混合物の部分加水分解縮合物が好ましい。
硬化性シリコーンを架橋硬化させるためには、通常加熱により架橋反応を進めて硬化させる(すなわち、熱硬化させる)。そして、硬化性シリコーンを熱硬化させることにより、シリコーン樹脂が得られる。ただし、硬化に必ずしも加熱を必要としない場合もあり、室温硬化させることもできる。
なお、全オルガノシロキシ単位とは、M単位、D単位、T単位、および、Q単位の合計を意図する。M単位、D単位、T単位、および、Q単位の数(モル量)の割合は、29Si−NMRによるピーク面積比の値から計算できる。
なお、以下の説明において、他のケイ素原子に結合した酸素原子O*は、2個のケイ素原子間を結合する酸素原子であり、Si−O−Siで表される結合中の酸素原子を意図する。したがって、O*は、2つのオルガノシロキシ単位のケイ素原子間に1個存在する。
D単位とは、(R)2SiO2/2(Rは、水素原子または有機基を表す)で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、D単位は、1個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した2個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子O*を2個有する単位である。
T単位とは、RSiO3/2(Rは、水素原子または有機基を表す)で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、T単位は、1個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した1個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子O*を3個有する単位である。
Q単位とは、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Q単位は、1個のケイ素原子を有し、他のケイ素原子に結合した酸素原子O*を4個有する単位である。
なお、有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基などハロゲン置換の一価の炭化水素基が挙げられる。なお、有機基としては、炭素数1〜12(好ましくは炭素数1〜10程度)の、非置換またはハロゲン置換の一価の炭化水素基が好ましく挙げられる。
本好適態様において、T単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、92〜98モル%が好ましく、93〜97モル%がより好ましい。
本好適態様において、Q単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、2〜8モル%が好ましく、3〜7モル%がより好ましい。
T単位、および、Q単位が上記範囲内であると、シリコーン樹脂が高密度の架橋構造をとり、高温加熱処理において、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡の発生または拡大が抑制される。
なお、T単位、Q単位の数(モル量)の割合は、29Si−NMRによるピーク面積比の値から計算できる。
本好適態様において、D単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、5〜40モル%が好ましく、5〜35モル%がより好ましく、5〜15モル%がさらに好ましい。
本好適態様において、T単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、40〜90モル%が好ましく、60〜90モル%がより好ましく、75〜90モル%がさらに好ましい。
本好適態様において、Q単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、5〜20モル%が好ましく、5〜15モル%がより好ましい。
D単位、T単位、および、Q単位が上記範囲内であると、シリコーン樹脂が高密度の架橋構造をとり、高温加熱処理において、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡の発生または拡大が抑制される。
D単位、T単位、Q単位の数(モル量)の割合は、29Si−NMRによるピーク面積比の値から計算できる。
例えば、硬化処理により上記シリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物の混合物(モノマー混合物)、および/または、モノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物(オルガノポリシロキサン)が使用される。
使用されるモノマーの種類は、上述した所定のオルガノシロキシ単位を有するシリコーン樹脂が得られれば特に制限されない。
アルコキシ基は塩素原子などと比較すると反応性の比較的低い加水分解性基であり、Z基がアルコキシ基であるモノマー(アルコキシシラン)を使用して得られる硬化性シリコーン中にはZ基として水酸基とともに未反応のアルコキシ基が存在することが多い。
使用される加水分解性オルガノシラン化合物の好適態様としては、アルコキシシランが挙げられる。つまり、硬化性シリコーンの好適態様の一つとしては、アルコキシシランの加水分解反応および縮合反応により得られた硬化性シリコーンが挙げられる。
アルコキシシランとは、加水分解性基がアルコキシ基である加水分解性オルガノシラン化合物である。アルコキシシランを使用した場合、部分加水分解縮合物の重合度が大きくなりやすく、本発明の効果がより優れる。
硬化性組成物には溶媒が含まれていてもよく、その場合、溶媒の濃度の調整などにより硬化性シリコーンの層の厚さを制御することができる。なかでも、取扱い性に優れ、シリコーン樹脂層14の膜厚の制御がより容易である点から、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物中における硬化性シリコーンの含有量は、組成物全質量に対して、1〜100質量%が好ましく、1〜50質量%がより好ましい。
溶媒としては、作業環境下で硬化性シリコーンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去できる溶媒であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、2−ヘプタノン、1−メトキシ−2−プロパノールアセテート等を例示できる。
硬化触媒は、硬化性シリコーンの加水分解反応および/または縮合反応を促進させる触媒である。硬化触媒としては、有機金属系硬化触媒が望ましく、例えば、ジアセチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジラウレート、ジアセチル錫ジオクトエート、オクチル酸錫などの有機錫化合物;アルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルミニウムトリ−n−ブトキシド、アルミニウムトリス(アセトアセテートエチル)、アルミニウムジイソプロポキシ(アセトアセテートエチル)、アルミニウムアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物;チタニウムテトラ(モノエチルエトキシド)、チタニウムテトラ(モノエチルエトキシド)、チタニウムテトラ(モノブチルエトキシド)等の有機チタン化合物;ジルコニウムテトラ(モノメチルエトキシド)、ジルコニウムテトラ(モノエチルエトキシド)、ジルコニウムテトラ(モノブチルエトキシド)、ジルコニウムノルマルプロピレート等の有機ジルコニウム化合物等;が挙げられ、これらは単独でまたは2種以上併用して使用できる。
硬化触媒の使用量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、硬化性シリコーン100質量部に対して、0.01〜20質量部が好ましく、0.05〜10質量部がより好ましい。
本発明のガラス積層体10は、上述したように、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体10の製造方法は特に制限されないが、剥離強度(x)が剥離強度(y)よりも高い積層体を得るために、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する方法が好ましい。なかでも、硬化性シリコーンを支持基材12の表面に塗布し、硬化処理を施して、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成し、次いで、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体10を製造する方法が好ましい。
硬化性シリコーンを支持基材12表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材12表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材12表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板16と支持基材12とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層14と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、硬化性シリコーンの層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層してガラス積層体10とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。
樹脂層形成工程では、硬化性シリコーンの層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する。
支持基材12上に硬化性シリコーンの層を形成するためには、硬化性シリコーンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物(硬化性組成物に該当)を使用し、この組成物を支持基材12上に塗布して溶液の層を形成し、次いで硬化処理を施してシリコーン樹脂層14とすることが好ましい。
硬化の方法は特に制限されないが、通常、熱硬化処理により行われる。
熱硬化させる温度条件は、150〜550℃が好ましく、200〜450℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、10〜300分が好ましく、20〜120分がより好ましい。なお、加熱条件は、温度条件を変えて段階的に実施してもよい。
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面上にガラス基板16を積層し、支持基材12の層とシリコーン樹脂層14とガラス基板16の層とをこの順で備えるガラス積層体10を得る工程である。より具体的には、図2(B)に示すように、シリコーン樹脂層14の支持基材12側とは反対側の表面14aと、第1主面16aおよび第2主面16bを有するガラス基板16の第1主面16aとを積層面として、シリコーン樹脂層14とガラス基板16とを積層し、ガラス積層体10を得る。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層14にガラス基板16を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層14の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14の間の剥離強度(y)をより適切なものとする点から、300℃以上(好ましくは、300〜400℃)で5分間以上(好ましく、5〜30分間)加熱処理を行うことが好ましい。
例えば、シリコーン樹脂層14表面に対する密着性がガラス基板16よりも高い材質の支持基材12を用いる場合には、上記硬化性シリコーンを何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板16と支持基材12との間に介在させ同時に積層することができる。
また、硬化性シリコーンの硬化による接着性がガラス基板16に対して充分低くかつその接着性が支持基材12に対して充分高い場合は、ガラス基板16と支持基材12の間で架橋物を硬化させてシリコーン樹脂層14を形成することができる。
さらに、支持基材12がガラス基板16と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材12表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層14に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法(プライマー処理)や、フレーム(火炎)処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
本発明のガラス積層体10は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、PV、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体10が高温条件(例えば、550℃以上)で曝される(例えば、1時間以上)場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。
本発明においては、上述したガラス積層体を用いて、電子デバイスを製造することができる。
以下では、上述したガラス積層体10を用いた態様について詳述する。
ガラス積層体10を用いることにより、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板(電子デバイス用部材付きガラス基板)が製造される。
該部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面またはシリコーン樹脂層内部を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。なお、必要に応じて、次いで、部材付きガラス基板の剥離面を清浄化することがより好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する工程を分離工程、部材付きガラス基板の剥離面を清浄化する工程を清浄化処理工程という。なお、上述したように、清浄化処理工程は、必要に応じて実施される任意の工程である。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体10中のガラス基板16上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図2(C)に示すように、ガラス基板16の第2主面16b(露出表面)上に電子デバイス用部材22を形成し、電子デバイス用部材付き積層体24を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材22について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
電子デバイス用部材22は、ガラス積層体10中のガラス基板16上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材22としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材(例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜2次電池用部材、電子部品用回路)が挙げられる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
上述した電子デバイス用部材付き積層体24の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b表面上に、電子デバイス用部材22を形成する。
なお、電子デバイス用部材22は、ガラス基板16の第2主面16bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。シリコーン樹脂層14から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層14から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1主面16a)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材12を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の支持基材12を剥離して、2枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板16の第2主面16bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
分離工程は、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体24から、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面を剥離面として、電子デバイス用部材22が積層したガラス基板16(部材付きガラス基板)と、シリコーン樹脂層14および支持基材12とに分離して、電子デバイス用部材22およびガラス基板16を含む部材付きガラス基板26を得る工程である。
剥離時のガラス基板16上の電子デバイス用部材22が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板16上に形成することもできる。
また、樹脂層付き支持基材18は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体10を製造することができる。
清浄化処理工程は、上記分離工程で得られた部材付きガラス基板26中のガラス基板16の剥離面(第1主面16a)に清浄化処理を施す工程である。該工程を実施することにより、剥離面に付着したシリコーン樹脂やシリコーン樹脂層、剥離面に付着した上記部材形成工程で発生する金属片やホコリなどの不純物を除去することができ、剥離面の清浄性を維持することができる。結果として、ガラス基板16の剥離面に貼り付けられる位相差フィルムや偏光フィルムなどの粘着性が向上する。
なお、ガラス積層体100を使用した場合は、上記分離工程の際に、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面を剥離面として、支持基材12と、シリコーン樹脂層14、ガラス基板16、および、電子デバイス用部材22を含む電子デバイスとに分離される。
(1)重量平均分子量Mwの評価
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、東ソー社製のHLC8220、RI検出、カラム:TSK−GEL SuperHZ、溶離液:テトラヒドロフラン)によってポリスチレン換算分子量を求めた。
窒素雰囲気中、1Lガラス反応器にメチルトリエトキシシラン(108g)、テトラエトキシシラン(6.5g)を仕込み、0℃に冷却した。冷却後、濃硝酸(2g)を蒸留水(17g)で希釈した溶液を反応器に滴下した。反応溶液温度を0℃に保ち3時間撹拌させた。続いて、反応器にテトラヒドロフラン(75g)、濃硝酸(4g)を蒸留水(33g)で希釈した溶液を加え、室温で1時間撹拌後、反応溶液温度40℃で4時間撹拌した。攪拌終了後、反応溶液を室温まで自然冷却し、蒸留水(300g)、酢酸エチル(300g)を加えた。酢酸エチル相を分離、回収した。酢酸エチル相を無水硫酸マグネシウムで脱水、濾過を行った。真空乾燥することにより、白色固体状の硬化性シリコーンS1を得た(収率85%)。
得られた硬化性シリコーンS1は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)による重量平均分子量(ポリスチレン換算)が、6.0×104であった。29Si NMR測定により、硬化性シリコーンS1の共重合体組成はT/Q=95/5(モル比)と得られた。
使用されるモノマーおよびその使用量を表1に示すように変更した以外は、上記製造例1と同様の手順に従って、硬化性シリコーンS2〜S43を製造した。
なお、硬化性シリコーンS42〜S43としては、特許文献1の実施例欄に記載の硬化性シリコーン(S1)および(S6)を使用した。
得られた硬化性シリコーン(S1)(100質量部)、レベリング剤メガファックF561(DIC社製、0.2質量部)、および、硬化触媒(Wacker(登録商標) Catalyst F)(旭化成ワッカー社製、3質量部)をシクロヘキサノンに溶解させて硬化性シリコーン(S1)を含む液状物(固形分濃度:40質量%)を作製した。
支持基材を純水洗浄した後、さらにUV洗浄して清浄化した。
次に、支持基材の第1主面上に縦274mmおよび横274mmの大きさで、硬化性シリコーン(S1)を含む液状物を、スピンコータにて塗工した。
次に、これを250℃にて30分間大気中で加熱硬化して、支持基材の第1主面に厚さ4μmのシリコーン樹脂層を形成し、支持体A(樹脂層付き支持基材)を得た。
次に、支持体Aのシリコーン樹脂層の剥離性表面と、該シリコーン樹脂層と同じサイズで厚さ0.2mmのガラス基板(「AN100」。旭硝子株式会社製)の第1主面とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体S1を得た。
また、シリコーン樹脂層とガラス基板との間には、気泡は存在しなかった。
次に、得られたガラス積層体S1を用いた、以下の測定を実施した。以下の評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
ガラス積層体S1から50mm角(縦:50mm×横:50mm)のサンプルを切り出し、このサンプルを550℃(窒素雰囲気下)に加熱した熱風オーブン内に載置し、10分の放置後、取り出した。次いで、ガラス積層体S1のガラス基板の第2主面を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス積層体S1の1つのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との間に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、上記ガラス基板の第1主面と上記シリコーン樹脂層との間に剥離のきっかけを与えた。そして、ガラス積層体S1の支持基材の第2主面を90mmピッチで複数の真空吸着パッドで吸着した上で、上記コーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させることにより、ガラス基板の第1主面とシリコーン樹脂層とを剥離した。
上記結果より、高温加熱処理後もガラス基板が剥離できることが確認された。
なお、シリコーン樹脂層の主要部は支持基材と共にガラス基板から分離され、該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層との間の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との間の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
ガラス積層体のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成する際に、高温条件下での処理が行われている。この処理後に、シリコーン樹脂層とガラス基板との間に直径1mm以上の気泡が存在すると、電子デバイス用部材の位置ずれ等が生じ、工程収率を低下させる場合がある。そのため、加熱処理後において、シリコーン樹脂層とガラス基板との間において、気泡が存在しない、または、気泡の大きさが所定値未満であるようにすることが重要である。そこで、以下の発泡評価を行った。
支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とが積層された状態のガラス積層体S1から50mm角(縦:50mm×横:50mm)のガラス積層体(測定用サンプル)を切り出し、切り出したガラス積層体を窒素雰囲気下で550℃に加熱した熱風オーブン内に載置し、10分放置後に取り出し、目視にて、切り出したガラス積層体中のシリコーン樹脂層とガラス基板との間の気泡の有無を観察し、以下の基準に従って評価した。
「◎」: 加熱後に気泡がない、または、直径0.5mm以下の気泡が存在する
「○」: 加熱後に直径0.5mm超1mm未満の気泡が存在する
「×」: 加熱後に直径1mm以上の気泡が存在する
「××」: 加熱後に製品基板が全剥がれする
硬化性シリコーン(S1)を含む液状物の代わりに、下記表1に示す硬化性シリコーン(S2)〜(S43)を含む液状物をそれぞれ使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体S2〜S43を製造した。
なお、ここでは、硬化性シリコーン(SA)(Aは2〜43の整数)を用いて製造されたガラス積層体を、ガラス積層体SAと呼ぶ。例えば、硬化性シリコーン(S3)を用いて製造されたガラス積層体は、ガラス積層体S3に該当する。
なお、得られたガラス積層体S2〜S43は上述した図1のガラス積層体10に該当し、ガラス積層体S2〜S43においては、支持基材とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度(y)よりも高かった。
また、得られたガラス積層体S2〜S43を用いて、上記[剥離性評価]および[発泡評価]を実施した。結果を表1にまとめて示す。
また、実施例1〜37において、シリコーン樹脂層の厚さは4μmであった。
また、以下の表1中、「D単位」欄、「T単位」欄、および、「Q単位」欄は、それぞれシリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂に含まれるD単位、T単位およびQ単位の全オルガノシロキシ単位に対する含有量(モル%)である。
また、上記各単位の含有量は、29Si−NMRにより算出した。
また、表1中、「剥離性評価」欄において、ガラス基板を剥離できた場合を「○」、ガラス基板を剥離できない、または、ガラス基板が破損する場合を「×」として示す。
(1)シリコーン樹脂層のケイ素原子の結合状態の解析
核磁気共鳴分析装置(固体29Si−NMR:JEOL RESONANCE株式会社製、ECP600)を用いて各オルガノシロキシ単位の含有量(モル%)を求めた。
核磁気共鳴分析装置(固体1H−NMR:JEOL RESONANCE株式会社製、ECP600)を用いてPh基およびMe基に由来するピーク面積比から求めた。シリコーン樹脂層は、ガラス基材上に各実施例および比較例で使用する硬化性シリコーンを含む液状物を、スピンコータにて塗工し、各実施例および比較例の加熱条件にて加熱硬化して、ガラス基材にシリコーン樹脂層を形成後、該シリコーン樹脂層をカミソリ刃で削りとった固体サンプルを使用した。測定法にはDepth2を用い、測定条件はパルス幅2.3μsec、パルス繰り返しの待ち時間15sec、積算回数16scan、MAS回転速度22KHzとした。化学シフトの基準はアダマンタン由来のピークを1.7ppmとした。また、各構造に由来する固体1H−NMRの化学シフトは、以下のとおりである。
Ph基:18〜4ppm
Me基:4〜−10ppm
シリコーン樹脂層の膜厚は接触式膜厚装置である表面粗さ・輪郭形状測定機(東京精密社製 サーフコム1400G−12)を用いて測定した。
一方、比較例1〜6に示すように、所定のシリコーン樹脂層を用いなかった場合、所望の効果が得られなかった。
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体S1(以下、パネルAという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体である。
続いて、パネルAの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルAのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルAの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてLCDを製造する。
まず、2枚のガラス積層体S1を準備して、片方のガラス積層体S1−1におけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜しゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
次に、もう片方のガラス積層体S1−2を大気雰囲気下、加熱処理する。次に、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成する。次に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングをおこなう。
次に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上記で画素電極が形成されたガラス積層体S1−1を用いて、2枚のガラス積層体S1のガラス基板の第2主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりLCDパネルを得る。
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第2主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してゲート絶縁膜を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウムガリウム亜鉛を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより酸化物半導体層を形成した。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第2主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してチャネル保護層を形成し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成した。
次に、大気中で加熱処理を行う。次に、ガラス基板の第2主面側にさらにスパッタリング法により酸化アルミニウムを成膜してパッシベーション層を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体S1(以下、パネルBという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体(支持基材付き表示装置用パネル)である。
続いて、パネルBの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルBのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルBの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。
12 支持基材
14 シリコーン樹脂層
16 ガラス基板
18 樹脂層付き支持基材
22 電子デバイス用部材
24 電子デバイス用部材付き積層体
26 部材付きガラス基板
Claims (10)
- 支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備えたガラス積層体であって、
前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、(R)SiO 3/2 で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO 2 で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、
前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、
前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%である、ガラス積層体。
なお、Rは水素原子または有機基を表す。 - 支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備えたガラス積層体であって、
前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、(R) 2 SiO 2/2 で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)と、(R)SiO 3/2 で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO 2 で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、
前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、
前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、
前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%である、ガラス積層体。
なお、Rは水素原子または有機基を表す。 - 前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜35モル%である、請求項2に記載のガラス積層体。
- 前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜15モル%である、請求項2または3に記載のガラス積層体。
- 前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、硬化性シリコーンの硬化物であり、前記硬化性シリコーンの重量平均分子量が5000〜60000である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 前記シリコーン樹脂層の厚さが0.001〜100μmである、請求項1〜5のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 前記ガラス基板の厚さが0.03〜0.3mmである、請求項1〜6のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 前記シリコーン樹脂層の前記ガラス基板側の表面粗さRaが0.1〜20nmである、請求項1〜7のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 支持基材上に、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、
前記シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法。なお、Rは水素原子または有機基を表す。 - 支持基材上に、(R)2SiO2/2で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)と、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、
前記シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法。なお、Rは水素原子または有機基を表す。
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