JP6466877B2 - Deposition equipment - Google Patents
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Description
この発明は、基板上に膜を成膜する成膜装置に関するものである。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on a substrate.
基板上に膜を成膜する方法として、化学気相成長(CVD(Chemical Vapor Deposition))法がある。しかしながら、化学気相成長法では真空下での成膜が必要な場合が多くなり、真空ポンプなどに加えて、大型の真空容器を用いる必要な場合がある。さらに、化学気相成長法では、コストの観点等から、成膜される基板として大面積のものを採用することが困難である、という問題があった。そこで、大気圧下における成膜処理が可能なミスト法が、注目されている。 As a method for forming a film on a substrate, there is a chemical vapor deposition (CVD) method. However, chemical vapor deposition often requires film formation under vacuum, and in addition to a vacuum pump or the like, it may be necessary to use a large vacuum vessel. Furthermore, the chemical vapor deposition method has a problem that it is difficult to adopt a substrate having a large area as a substrate for film formation from the viewpoint of cost. Therefore, a mist method capable of forming a film under atmospheric pressure has attracted attention.
ミスト法を利用した成膜装置等に関する従来技術として、例えば特許文献1に係る技術が存在している。
As a conventional technique related to a film forming apparatus using the mist method, for example, a technique related to
特許文献1に係る技術では、ミスト噴射用ノズル等を含むミスト噴射ヘッド部の底面に設けられる原料溶液噴出口及び反応材料噴出口から、大気中に配置されている基板に対してミスト化された原料溶液及び反応材料が噴射されている。当該噴射により、基板上には所定膜が成膜される。なお、反応材料は原料溶液との反応に寄与する材料を意味する。
In the technique according to
上述したように、従来の成膜装置を用いた成膜処理は、ミスト化された原料溶液と反応材料とを反応させた反応生成物を得た後、大気中(大気圧下)で基板上に所定膜を形成する処理である。このため、従来の成膜装置は、ミスト化された原料溶液及び反応材料の液滴がミスト噴射ヘッド部の底面に付着し、その後、当該液滴が基板上に落下するという液ダレ現象が生じる可能性がある。上記液ダレ現象は基板温度が常温等で原料溶液及び反応材料の沸点未満の場合に顕著となる。 As described above, the film forming process using the conventional film forming apparatus is performed on the substrate in the atmosphere (at atmospheric pressure) after obtaining a reaction product obtained by reacting the misted raw material solution with the reaction material. In this process, a predetermined film is formed. For this reason, in the conventional film forming apparatus, a sag phenomenon occurs in which droplets of the raw material solution and the reaction material that have been made mist adhere to the bottom surface of the mist ejection head unit, and then the droplets fall on the substrate. there is a possibility. The liquid dripping phenomenon becomes significant when the substrate temperature is normal temperature or the like and is lower than the boiling points of the raw material solution and the reaction material.
このように、従来の成膜装置は、液ダレ現象によって基板上に成膜される膜の精度を劣化させてしまうという問題点があった。 As described above, the conventional film forming apparatus has a problem that the accuracy of the film formed on the substrate is deteriorated due to the liquid dripping phenomenon.
本発明では、上記のような問題点を解決し、ミスト噴射ヘッド部の底面に付着した液滴が基板上に落下するという液ダレ現象を抑制して基板上に成膜される膜の精度向上を図った成膜装置を得ることを目的とする。 In the present invention, the above-described problems are solved, and the accuracy of the film formed on the substrate is improved by suppressing the liquid dripping phenomenon that the liquid droplets adhering to the bottom surface of the mist ejection head part fall on the substrate. An object of the present invention is to obtain a film forming apparatus that achieves the above.
この発明に係る請求項1記載の成膜装置は、ミスト化された原料溶液を大気中に噴射することにより、基板に対して膜を成膜する成膜処理を実行する成膜装置であって、前記基板が載置される載置部と、前記載置部に載置されている前記基板の上面に対向して設けられ、底面に原料溶液噴出口及び排気口を有し、前記原料溶液噴出口より前記原料溶液を噴射し、前記排気口から排気処理を行うミスト噴射ヘッド部とを備え、前記ミスト噴射ヘッド部の底面は、第1の水平方向に沿って、中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、前記ミスト噴射ヘッド部の底面の前記第1の水平方向の端部直下に前記基板が存在しない対基板位置関係を有することを特徴する。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a film forming apparatus for performing a film forming process for forming a film on a substrate by injecting a misted raw material solution into the atmosphere. The raw material solution having a raw material solution jetting port and an exhaust port provided on the bottom surface, the mounting portion on which the substrate is placed, and the upper surface of the substrate placed on the mounting portion. A mist injection head portion that injects the raw material solution from the outlet and performs exhaust processing from the exhaust port, and the bottom surface of the mist injection head portion is in the first horizontal direction with the center portion at the end. It has a curved surface structure that is recessed upward, and has a substrate-to-substrate positional relationship in which the substrate does not exist immediately below the first horizontal end of the bottom surface of the mist ejection head portion.
請求項1記載の本願発明の成膜装置において、ミスト噴射ヘッド部の底面は、第1の水平方向に沿って中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、ミスト噴射ヘッド部の底面の第1の水平方向の端部直下に基板が存在しない対基板位置関係を有することを特徴する。
2. The film forming apparatus according to
請求項1記載の本願発明は上記特徴を有することにより、成膜処理時に原料溶液の液滴がミスト噴射ヘッド部の底面に付着しても、当該液滴が上記曲面構造の底面上を移動し、最終的に端部から落下するため、基板に上記液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板に精度良く膜を成膜することができる。
The present invention according to
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings showing embodiments thereof.
<実施の形態1>
(全体構成)
図1は、この発明の実施の形態1である成膜装置の主要構成部であるミスト噴射ヘッド部100及びその周辺を示す断面図である。図2は図1のA−A断面構造を示す断面図である。なお、図1及び図2並びに以降で示す図3〜図10において、それぞれXYZ直交座標軸を併記している。
<
(overall structure)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a mist
実施の形態1の成膜装置は、ミスト噴射ヘッド部100により、ミスト化された原料溶液を大気中に噴射することにより、基板23に対して膜を成膜する。つまり、成膜装置は、大気中での成膜処理であるミスト法により、基板23上に所望の膜を成膜する装置である。
The film forming apparatus of the first embodiment forms a film on the
具体的に、原料溶液は、図示されていない容器に収容されており、当該容器において、超音波振動を利用して、原料溶液はミスト化される。そして、ミスト化された原料溶液は、キャリアガスと共に、図示していない経路を通って、ミスト噴射ヘッド部100へと搬送される。
Specifically, the raw material solution is stored in a container (not shown), and the raw material solution is misted using ultrasonic vibration in the container. Then, the misted raw material solution is transported to the mist
載置部24上には、基板23が配置されている。そして、基板23の上方に、ミスト噴射ヘッド部100が配置される。
A
すなわち、基板23の上面とミスト噴射ヘッド部100の底面25とが所定距離隔てて対向するように配置される。ここで、成膜処理時には、ミスト噴射ヘッド部100の底面25と基板23の上面との間隔は、0.1mm〜50mm程度に設定される。なお、ミスト噴射ヘッド部100及び基板23は、大気圧下に配置されている。ここで、ミスト噴射ヘッド部100の底面25と基板23の上面との間に形成される空間を、「反応空間」と称することとする。
That is, the upper surface of the
さらに、成膜処理時において、基板23は常温に設定される等、ミスト化された原料溶液の沸点未満に設定される。
Further, during the film forming process, the
基板23に対して、ミスト噴射ヘッド部100は、ミスト化された原料溶液を噴射する。これにより、基板23の上面に所望の膜が、成膜される。なお、成膜処理のときには、載置部24は、X方向(XY平面内で規定される第2の水平方向)に移動する。または、ミスト噴射ヘッド部100は、X方向に移動する。
The mist ejecting
以下、ミスト噴射ヘッド部100の構成について、図を用いて具体的に説明する。
Hereinafter, the configuration of the mist
図1に示すように、ミスト噴射ヘッド部100は、原料溶液噴射用ノズル部N1と、2つの反応材料噴射用ノズル部N2及びN3と、排気用ノズル部N4と、ベースプレート部20とを有する。
As shown in FIG. 1, the mist
図1に示すように、反応材料噴射用ノズル部N3、原料溶液噴射用ノズル部N1、反応材料噴射用ノズル部N2及び排気用ノズル部N4は、当該順に、X方向に沿って並んで配設されている。なお、図1で示す構成と異なり、反応材料噴射用ノズル部N2、原料溶液噴射用ノズル部N1、反応材料噴射用ノズル部N3及び排気用ノズル部N4は、当該順に、X方向に沿って並んで配設されていても良い。 As shown in FIG. 1, the reactive material injection nozzle portion N3, the raw material solution injection nozzle portion N1, the reactive material injection nozzle portion N2, and the exhaust nozzle portion N4 are arranged in this order along the X direction. Has been. Unlike the configuration shown in FIG. 1, the reactive material injection nozzle portion N2, the raw material solution injection nozzle portion N1, the reactive material injection nozzle portion N3, and the exhaust nozzle portion N4 are arranged in this order along the X direction. May be arranged.
また、原料溶液噴射用ノズル部N1と反応材料噴射用ノズル部N2及びN3とは不活性ガス噴射部82及び83を介して設けられているが、反応材料噴射用ノズル部N2の側面と排気用ノズル部N4の側面との間には、所定の距離だけ離れている。つまり、原料溶液噴射用ノズル部N1と反応材料噴射用ノズル部N2及びN3とは、不活性ガス噴射部82及び83を介してX方向(第2の水平方向)に沿って隙間無く配設されているが、排気用ノズル部N4は、他のノズル部N1〜N3とは、X方向に離れて(空間を隔てて)配置されている。
In addition, the raw material solution injection nozzle portion N1 and the reactive material injection nozzle portions N2 and N3 are provided via inert
上記のように、原料溶液噴射用ノズル部N1、反応材料噴出用ノズル部N2及びN3並びに排気用ノズル部N4は、X方向に並んで配置されている。ここで、少なくとも排気用ノズル部N4は、ミスト噴射ヘッド部100の最外側(図1では右端(+X方向))に位置している。
As described above, the raw material solution injection nozzle portion N1, the reactive material injection nozzle portions N2 and N3, and the exhaust nozzle portion N4 are arranged side by side in the X direction. Here, at least the exhaust nozzle portion N4 is located on the outermost side (the right end (+ X direction) in FIG. 1) of the mist
(原料溶液噴射用ノズル部N1)
まず、原料溶液噴射用ノズル部N1の構成について説明する。
(Raw material solution injection nozzle N1)
First, the configuration of the raw material solution injection nozzle portion N1 will be described.
原料溶液噴射用ノズル部N1は、ミスト化された原料溶液を底面に形成された原料溶液噴出口15から噴射するノズルである。原料溶液噴射用ノズル部N1には、内部に空洞部11(第1の空洞部)が形成されている。また、原料溶液噴射用ノズル部N1の上面には、原料溶液供給部1が配設されている。上記で述べた通り、ミスト噴射ヘッド部100の外部において、原料溶液はミスト化される。ミスト化された原料溶液は、キャリアガスと共に、図示していない経路を通って、原料溶液供給部1へと搬送される。原料溶液供給部1から得られるミスト化された原料は、原料溶液噴射用ノズル部N1内の空洞部11へと充満する(供給される)。
The raw material solution injection nozzle portion N1 is a nozzle that injects the misted raw material solution from the raw
また、原料溶液噴射用ノズル部N1の空洞部11内において、両側面部に、複数の整流部6(第1の整流部)が配設されている。当該整流部6は、整流板であり、原料溶液供給部1から供給されたミスト化された原料溶液の、空洞部11内の流れを整えることができる。具体的には、空洞部11内において互いに対向する両側面からXY平面に沿って、平面視して矩形状の複数の整流部6がそれぞれの形成高さを交互に変えながら配設される。複数の整流部6はそれぞれ対向する側面に達することなく、対向する側面との間に隙間が形成されるように構成される。
In addition, a plurality of rectifying units 6 (first rectifying units) are disposed on both side surfaces in the
複数の整流部6の下方に空洞部11の主要部が設けられる。複数の整流部6の上方の(空洞部11の)小空間は、複数の整流部6により形成される隙間を通じて、空洞部11(の主要部)と接続されており、空洞部11は、後述する原料溶液排出部41に接続されている。
A main portion of the
原料溶液排出部41は、空洞部11において、一方の側面部(図1では左(−X方向)側の側面)に配設されている。また、原料溶液排出部41は、原料溶液噴射用ノズル部N1(空洞部11)の底面から離れた位置において、配設されている。
The raw material
一方、前述したように、ミスト噴射ヘッド部100の底面25、つまりミスト噴射ヘッド部100の基板23の上面に対応する面において、原料溶液噴出口15が配設されている。ここで、原料溶液噴出口15からミスト化された原料溶液が基板23の上面に対して噴出される。
On the other hand, as described above, the raw material
ミスト噴射ヘッド部100内には、Z方向に延びる通路61が配設されている。そして、原料溶液排出部41は、通路61を介して、原料溶液噴出口15と接続されている。
A
図3は、ミスト噴射ヘッド部100を基板23の配設側(−Z方向側)から見た底面25の平面図である。つまり、図3は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25の構造を示す平面図である。同図に示すように、ミスト噴射ヘッド部100の底面25はX方向(第2の方向)及びY方向(第1の水平方向)で規定される矩形状を呈している。さらに、図2及び図3に示すように、平面視して底面25全体を取り囲んで底面25より広い矩形状で、底面25の下方に、後に詳述する受皿21の開口部21oが設定される。
FIG. 3 is a plan view of the
図3に示すように、原料溶液噴出口15は、平面視して長手方向をY方向(第1の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状を呈している。なお、原料溶液噴出口15の開口部の幅(図3のX方向の寸法)は、0.1mm〜10mm程度である。
As shown in FIG. 3, the raw material
原料溶液噴射用ノズル部N1では、ミスト化された原料溶液は、原料溶液供給部1から、空洞部11内に供給される。そして、当該原料溶液は、複数の整流部6により整流され、複数の整流部6の上方の小空間に充満した後、空洞部11へと導かれ、空洞部11において充満する。その後、ミスト化された原料溶液は、原料溶液排出部41から、通路61を介して、原料溶液噴出口15へと導かれる。そして、ミスト化された原料溶液は、原料溶液噴出口15から、基板23の上面に向けて、噴出される。
In the raw material solution injection nozzle part N1, the misted raw material solution is supplied from the raw material
(反応材料噴射用ノズル部N2及びN3)
次に、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3(第1及び第2の反応材料噴射用ノズル部)構成について説明する。なお、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3は噴射する第1及び第2の反応材料が互いに独立している点及び形成位置を除き、同一構成であるため、以下では反応材料噴射用ノズル部N2を中心に、適宜、反応材料噴射用ノズル部N3の説明を付記して説明する。
(Reactive material injection nozzles N2 and N3)
Next, the configuration of the reactive material injection nozzles N2 and N3 (first and second reactive material injection nozzles) will be described. The reactive material injection nozzles N2 and N3 have the same configuration except that the first and second reactive materials to be injected are independent from each other and the formation position. The description of the reactive material injection nozzle portion N3 will be added and described as appropriate.
なお、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3間において、複数の整流部7及び8、反応材料供給部2及び3、空洞部12及び13、反応材料排出部42及び43、通路62及び63、並びに反応材料噴出口16及び17(第1及び第2の反応材料噴出口)が互いに対応する関係となる。なお、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3で用いる第1及び第2の反応材料は同じ、または相違していても良い。
Between the reaction material injection nozzles N2 and N3, a plurality of
反応材料噴射用ノズル部N2は、原料溶液との反応に寄与する反応材料(例えば、酸化剤)を基板23に対して噴出するノズルである。反応材料噴射用ノズル部N2には、内部に空洞部12(第2の空洞部)が形成されている。また、反応材料噴射用ノズル部N2の上面には、反応材料供給部2が配設されている。反応材料(第1の反応材料)は、反応材料噴射用ノズル部N2外から、反応材料供給部2を介して、空洞部12内へと供給される。一方、反応材料噴射用ノズル部N3において、反応材料(第2の反応材料)は、反応材料噴射用ノズル部N3外から、上面に設けられる反応材料供給部3を介して、空洞部13内へと供給される。
The reactive material injection nozzle portion N2 is a nozzle that ejects a reactive material (for example, an oxidizing agent) that contributes to the reaction with the raw material solution to the
ここで、第1及び第2の反応材料は、気体であっても液体であっても良い。液体の場合には、超音波振動等を利用してミスト化された液体(反応材料)が、キャリアガスと共に、図示していない経路を通って、反応材料噴射用ノズル部N2(N3)内へと搬送される。反応材料供給部2(3)から得られる第1の反応材料(第2の反応材料)は、反応材料噴射用ノズル部N2(N3)内の空洞部12(13)へと充満する(供給される)。 Here, the first and second reaction materials may be gas or liquid. In the case of a liquid, the liquid (reactive material) that has been misted using ultrasonic vibration or the like passes through a path (not shown) together with the carrier gas into the reactive material injection nozzle portion N2 (N3). It is conveyed. The first reaction material (second reaction material) obtained from the reaction material supply unit 2 (3) is filled (supplied) into the cavity 12 (13) in the reaction material injection nozzle unit N2 (N3). )
また、反応材料噴射用ノズル部N2の空洞部12内において、複数の整流部7(第2の整流部)が配設されている。当該整流部7は、整流板であり、反応材料供給部2から供給された反応材料の、主として空洞部12内の流れを整えることができる。具体的には、空洞部12内において互いに対向する両側面からXY平面に沿って、平面視して矩形状の複数の整流部7がそれぞれの形成高さを交互に変えながら配設される。複数の整流部7はそれぞれ対向する側面に達することなく、対向する側面との間に隙間が形成されるように構成される。
In addition, a plurality of rectification units 7 (second rectification units) are disposed in the
反応材料噴射用ノズル部N2(N3)において、複数の整流部7(8)の上方の(空洞部12の)小空間と、空洞部12(13)の主要部とは、複数の整流部7(8)により形成される隙間を通じて接続されている。また、上記小空間は、反応材料供給部2(3)と接続されており、空洞部12(13)は、後述する反応材料排出部42(43)に接続されている。
In the reactive material injection nozzle portion N2 (N3), the small space (of the cavity portion 12) above the plurality of rectifying portions 7 (8) and the main portion of the cavity portion 12 (13) include a plurality of rectifying
反応材料排出部42は、空洞部12において、一方の側面部(図1では左(−X方向)側の側面)に配設されている。また、反応材料排出部42は、反応材料噴射用ノズル部N2(空洞部12)の底面から離れた位置において、配設されている。
The reaction
一方、ミスト噴射ヘッド部100は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25、つまりミスト噴射ヘッド部100の基板23に面する側において、反応材料噴出口16が配設されている。ここで、反応材料噴出口16(17)から反応材料が基板23の上面に対して噴出される。
On the other hand, in the mist
ミスト噴射ヘッド部100内には、Z方向に沿って通路62(63)が配設されている。そして、反応材料排出部42(43)は、通路62(63)を介して、反応材料噴出口16(17)と接続されている。図3に示すように、反応材料噴出口16及び17はそれぞれ、平面視して長手方向をY方向(第1の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状を呈している。なお、反応材料噴出口16及び17それぞれの開口部の幅(図3のX方向の寸法)は、0.1mm〜10mm程度である。
A passage 62 (63) is disposed in the mist
反応材料噴射用ノズル部N2(N3)では、反応材料は、反応材料供給部2(3)から、空洞部12(13)内に供給される。そして、当該反応材料は、複数の整流部7(8)により整流され、複数の整流部7(8)上の小空間に充満した後、空洞部12(13)の主要部へと導かれ、空洞部12(13)において充満する。その後、反応材料は、反応材料排出部42(43)から、通路62(63)を介して、反応材料噴出口16(17)へと導かれる。そして、反応材料は、反応材料噴出口16から基板23の上面に向けて、噴出される。
In the reactive material injection nozzle portion N2 (N3), the reactive material is supplied from the reactive material supply portion 2 (3) into the cavity portion 12 (13). And the said reaction material is rectified by the several rectification | straightening part 7 (8), and after being filled into the small space on the several rectification | straightening part 7 (8), it is guide | induced to the principal part of the cavity part 12 (13), It fills in the cavity 12 (13). Thereafter, the reaction material is guided from the reaction material discharge portion 42 (43) to the reaction material ejection port 16 (17) through the passage 62 (63). Then, the reaction material is ejected from the reaction
(排気用ノズル部N4)
次に、排気用ノズル部N4の構成について説明する。
(Exhaust nozzle N4)
Next, the configuration of the exhaust nozzle portion N4 will be described.
排気用ノズル部N4は、排気処理を行うノズルである。排気用ノズル部N4は、原料溶液噴射用ノズル部N1が原料溶液を噴出している流量(Q1)と、反応材料噴出用ノズル部N2(N3)が反応材料を噴出している流量(Q2及びQ3)と、の和以上の流量(Q4)で、排気処理を行う。つまり、{排気流量Q4≧原料溶液の噴出流量Q1+反応材料の噴出流量Q2+Q3}である。 The exhaust nozzle portion N4 is a nozzle that performs exhaust processing. The exhaust nozzle portion N4 has a flow rate (Q1) at which the raw material solution injection nozzle portion N1 ejects the raw material solution, and a flow rate at which the reactive material ejection nozzle portion N2 (N3) ejects the reactive material (Q2 and Exhaust treatment is performed at a flow rate (Q4) equal to or higher than the sum of Q3). That is, {exhaust flow rate Q4 ≧ raw material solution ejection flow rate Q1 + reactive material ejection flow rate Q2 + Q3}.
排気用ノズル部N4には、内部に空洞部14(第3の空洞部)が形成されている。また、排気用ノズル部N4の上面には、排気物出口部4が配設されている。排気物出口部4は、排気用ノズル部N4の上面に配設されており、具体的には、後述する排気物導入部44より上方に配設されており、排気物を空洞部14から排気用ノズル部N4外へと排出する。
In the exhaust nozzle portion N4, a cavity portion 14 (third cavity portion) is formed inside. Further, an
ここで、排気物とは、反応空間からの反応残渣等である。排気物出口部4は、図示していない経路を介して、図示していない排気ポンプに接続されている。つまり、排気物は、排気物出口部4及び上記経路を介して、排気用ノズル部N4から上記排気ポンプへと吸引される。
Here, the exhaust is a reaction residue or the like from the reaction space. The
また、排気用ノズル部N4の空洞部14内において、複数の整流部9(第3の整流部)が配設されている。当該整流部9は、整流板であり、排気物出口部4から排出するための排気物の、主として空洞部14内の流れを整えることができる。具体的には、空洞部14内において互いに対向する両側面からXY平面に沿って、平面視して矩形状の複数の整流部9がそれぞれの形成高さを交互に変えながら配設される。複数の整流部9はそれぞれ対向する側面に達することなく、対向する側面との間に隙間が形成されるように構成される。
In addition, a plurality of rectification units 9 (third rectification units) are disposed in the
複数の整流部9の配設により、空洞部14は、排気用ノズル部N4の空洞部14を、複数の小空間に区画する。ここで、隣接する小空間同士は、複数の整流部9により形成される小さい隙間を介して接続される。複数の小空間には、排気用ノズル部N4の最上部に位置する(空洞部14の)小空間が含まれ、複数の整流部9の下方が空洞部14の主要部となる。ここで、複数の整流部9上方の小空間は、排気物出口部4と接続されており、空洞部14(の主要部)は、後述する排気物導入部44に接続されている。
Due to the arrangement of the plurality of rectifying
排気物導入部44は、空洞部14において、上記他方の側面部に配設されている。また、排気物導入部44は、排気用ノズル部N4の空洞部14の底面から離れた位置において、配設されている。
The exhaust
一方、ミスト噴射ヘッド部100は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25、つまり反応材料噴射用ノズル部N2の底面において、排気口18が配設されている。ここで、排気口18は、反応空間に対して排気処理を行う。
On the other hand, the mist
ミスト噴射ヘッド部100内には、Y方向に沿って通路64が配設されている。そして、排気物導入部44は、通路64を介して、排気口18と接続されている。図3に示すように、排気口18は平面視して長手方向をY方向(第1の方向)とした細長い開口穴であるスリット状を呈している。なお、排気口18の開口部の幅(図3のX方向の寸法)は、0.1mm〜10mm程度である。
A
(不活性ガス噴射部)
実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100の端部(図1の左(−X方向)側端部)において、不活性ガス噴射部81は枠部30または枠部30に隣接する領域に配設されている。
(Inert gas injection part)
At the end (left (−X direction) side end in FIG. 1) of the mist
さらに、ミスト噴射ヘッド部100は、不活性ガス噴射部81に加え、原料溶液噴射用ノズル部N1,反応材料噴射用ノズル部N3間に不活性ガス噴射部82、原料溶液噴射用ノズル部N1,反応材料噴射用ノズル部N2間に不活性ガス噴射部83を設けたことを特徴としている。
Furthermore, in addition to the inert
不活性ガス噴射部81は主として不活性ガス供給部51、通路71及び不活性ガス噴出口191より構成され、不活性ガス噴射部82は主として不活性ガス供給部52、通路72及び不活性ガス噴出口192(第2の不活性ガス噴出口)より構成され、不活性ガス噴射部83は主として不活性ガス供給部53、通路73及び不活性ガス噴出口193(第1の不活性ガス噴出口)により構成される。
The inert
図2に示すように、不活性ガス噴射部82において、外部から不活性ガス供給部52に導入される不活性ガスは通路72を介して、ミスト噴射ヘッド部100(不活性ガス噴射部82)の底面25に形成される不活性ガス噴出口192から噴出される。不活性ガス供給部51及び53も不活性ガス供給部52と同様、通路71及び73を介して、ミスト噴射ヘッド部100(不活性ガス噴射部81及び83)の底面に形成される不活性ガス噴出口191及び193から不活性ガスを噴出する。なお、不活性ガスとしては窒素,アルゴン等が考えられる。
As shown in FIG. 2, in the inert
不活性ガス供給部51〜53は不活性ガス噴出口191〜193に連通しているが、不活性ガス供給部51〜53それぞれの開口面積は、不活性ガス噴出口191〜193それぞれの開口面積以上に設定すること望ましい。 Although the inert gas supply parts 51-53 are connected to the inert gas outlets 191-193, the opening areas of the inert gas supply parts 51-53 are the opening areas of the inert gas outlets 191-193, respectively. It is desirable to set it above.
さらに、不活性ガス噴出口191〜193により不活性ガスを噴出している流量は、原料溶液噴出口15により原料溶液を噴出している流量及び反応材料噴出口16及び17により反応材料を噴出している流量それぞれ以下に設定することが望ましい。
Furthermore, the flow rate at which the inert gas is jetted from the
なお、不活性ガス噴射部82及び83は形成位置及び用いる反応材料を除く全体構成は同一である。
The inert
さらに、図2に示すように、Y方向両端部に設けられた2つの不活性ガス供給部55に導入される不活性ガスが、それぞれ通路75を介してミスト噴射ヘッド部100の底面25に形成された2つの不活性ガス噴出口195から噴出される。
Further, as shown in FIG. 2, the inert gas introduced into the two inert
このように、不活性ガス噴出口195は、上述した枠部30または枠部30に隣接する領域に配設されている。
As described above, the
上述した構成により、不活性ガス噴射部81〜83の不活性ガス供給部51〜53及び不活性ガス供給部55を介して、ミスト噴射ヘッド部100の外部から送られてきた不活性ガスは、ミスト噴射ヘッド部100内へ供給される。通路71〜73及び通路75は、ミスト噴射ヘッド部100内に配設されており、当該供給された不活性ガスは、通路71〜73及び通路75内を伝搬する。不活性ガス噴出口191〜193及び不活性ガス噴出口195は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25(基板23に面する側)に配設されており、不活性ガス噴出口191〜193及び不活性ガス噴出口195から、不活性ガスが基板23の上面に向けて噴射される。
With the configuration described above, the inert gas sent from the outside of the mist
図4は、ミスト噴射ヘッド部100を左側面(−X方向)から視た側面図である。図5はベースプレート部20をY方向から視た外観構造を示す説明図である。なお、図4のB−B断面構造が図1で示す断面図となる。
FIG. 4 is a side view of the mist
上述したように、排気用ノズル部N4は、他のノズル部N1〜N3とは、X方向に離れて配置されている。したがって、図5に示すように、排気用ノズル部N4と他のノズル部N1〜N3との間には、吹き抜け部58が生じる。そこで、ミスト噴射ヘッド部100は、ベースプレート部20を備えている。ベースプレート部20は、吹き抜け部58を、基板23配置側から塞いでいる(図1,図3,図5参照)。そして、ベースプレート部20の上面上に排気用ノズル部N4が設けられる。
As described above, the exhaust nozzle portion N4 is disposed away from the other nozzle portions N1 to N3 in the X direction. Therefore, as shown in FIG. 5, a
図1、図3及び図5に示すように、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100のベースプレート部20には、不活性ガス供給部54(図5参照)と、通路74(図1,図3参照)と、複数の不活性ガス噴出口194(第3の不活性ガス噴出口)とが設けられている。 As shown in FIGS. 1, 3 and 5, an inert gas supply unit 54 (see FIG. 5) and a passage 74 (FIG. 1, FIG. 3) and a plurality of inert gas outlets 194 (third inert gas outlets).
ベースプレート部20において、不活性ガス供給部54を介して、ミスト噴射ヘッド部100の外部から送られてきた不活性ガスは、ベースプレート部20へ供給される。通路74は、ベースプレート部20内に配設されており、当該供給された不活性ガスは、通路74内を伝搬する。複数の不活性ガス噴出口194は、ベースプレート部20の底面25(基板23に面する側)に配設されており、複数の不活性ガス噴出口194から不活性ガスが基板23の上面に向けて噴射される。
In the
図3に示すように、不活性ガス噴出口191〜194はそれぞれ、平面視して長手方向をY方向(第1の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状である。一方、不活性ガス噴出口195は、平面視して長手方向をX方向(第2の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状である。なお、不活性ガス噴出口191〜195それぞれの開口部の幅(不活性ガス噴出口191〜194は図1〜図3のX方向の寸法、不活性ガス噴出口195は図2及び図3のY方向側の寸法)は、0.1mm〜10mm程度である。
As shown in FIG. 3, each of the inert
したがって、不活性ガス噴出口192(第2の不活性ガス噴出口)は原料溶液噴出口15と反応材料噴出口17(第2の反応材料噴出口)との間に設けられ、不活性ガス噴出口193(第1の不活性ガス噴出口)は原料溶液噴出口15と反応材料噴出口16(第1の反応材料噴出口)との間に設けられる。すなわち、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100において、不活性ガス噴出口193及び192は、原料溶液噴出口15と反応材料噴出口16及び17との間に設けられることを特徴としている。
Therefore, the inert gas outlet 192 (second inert gas outlet) is provided between the raw
さらに、図1及び図5に示す実施の形態1のベースプレート部20には、内部において、温度調節機構22が配設されている。温度調節機構22は、ベースプレート部20において、温度の調整を行うことができる。具体的には、温度調節機構22を構成する穴部に冷媒、ヒーターを設けることにより実現する。
Further, a
図1及び図3に示すように、反応材料噴出口17、原料溶液噴出口15、反応材料噴出口16及び排気口18は、当該順に、X方向に配置されている。なお、図とは異なるが、反応材料噴出口16、原料溶液噴出口15、反応材料噴出口17及び排気口18は、当該順に、X方向に配置されていても良い。
As shown in FIGS. 1 and 3, the reaction
以上の説明したように、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100では、原料溶液噴射用ノズル部N1の底面、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3の底面、並びにベースプレート部20の底面がミスト噴射ヘッド部100の底面25として面一になるように構成される。したがって、原料溶液噴出口15、反応材料噴出口16及び17、不活性ガス噴出口192〜194はミスト噴射ヘッド部100における面一の底面に設けられることになる。この際、後に詳述するように、ミスト噴射ヘッド部100の底面25はY方向に沿って曲面構造を有している。
As described above, in the mist
また、図3を参照して、ミスト噴射ヘッド部100は、基板23に面している側(底面25)において、ミスト噴射ヘッド部100の枠部30を有する。枠部30は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25の縁近傍の部分であり、ミスト噴射ヘッド部100の底面内部側を周囲から取り囲むように、縁取られている部分である。そして、図1から分かるように、枠部30のX方向の端部は、底面25より、基板23側に突出している。この突出長は例えば0.1から10mmに設定される。ただし、枠部30のX方向の端部と基板23の上面とは、接触していない。
Referring to FIG. 3, the mist
反応空間に、ミスト噴射ヘッド部100の原料溶液噴出口15並びに反応材料噴出口16及び17から、ミスト化された原料溶液並びに2つの反応材料が噴射されると、加熱されている基板23上において、原料溶液と2つの反応材料とが反応し、基板23の上面に所望の膜が成膜される。なお、反応空間内の反応残渣等は、排気用ノズル部N4により、反応空間から排除される。
When the raw material solution outlet and the
また、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100では、原料溶液噴射用ノズル部N1内及び反応材料噴射用ノズル部N2,N3内それぞれにおいても、ベースプレート部20と同様、温度調節機構22が配設されている。
Further, in the mist
(ミスト噴射ヘッド部100の底面25)
図2及び図4に示すように、実施の形態1の成膜装置は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25は、Y方向(第1の水平方向)に沿って、中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、基板23との間において、ミスト噴射ヘッド部100の底面25のY方向の端部25t直下に基板23が存在しない対基板位置関係を有することを特徴としている。
(
As shown in FIGS. 2 and 4, in the film forming apparatus according to the first embodiment, the
具体的には、ミスト噴射ヘッド部100の底面25はY方向に沿って500(mm)以上、10000(mm)以下の曲率半径を満足する曲面構造を有している。なお、Y方向において、ミスト噴射ヘッド部100の底面25は、原料溶液噴射用ノズル部N1、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3並びにベースプレート部20及び枠部30の底面を含む。このミスト噴射ヘッド部100の底面25が、Y方向に沿って、中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、Y方向の端部25t直下に基板23が存在しない位置関係を有している。
Specifically, the
さらに、実施の形態1の成膜装置は、図2〜図4に示すように、ミスト噴射ヘッド部100の底面25の下方に、ミスト噴射ヘッド部100の底面25の端部25tから落下する液体を収納するように設けられた受皿21をさらに備える。具体的には、図3の破線に示すように、平面視してミスト噴射ヘッド部100全体を含む開口部21oを有する受皿21が設けられる。
Furthermore, as shown in FIGS. 2 to 4, the film forming apparatus of
(効果等)
(ミスト噴射ヘッド部100の底面25に関する効果)
実施の形態1の成膜装置において、ミスト噴射ヘッド部100の底面25はY方向(第1の水平方向)に沿って中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、ミスト噴射ヘッド部100の底面25のY方向の端部25t直下に基板23が存在しない対基板位置関係を有することを特徴している。
(Effects etc.)
(Effects on the
In the film forming apparatus of the first embodiment, the
実施の形態1の成膜装置は上記特徴を有することにより、成膜処理時にミスト化された原料溶液の液滴がミスト噴射ヘッド部100の底面25(特に原料溶液噴射用ノズル部N1の底面)に付着しても、当該液滴が上記曲面構造の底面25上を移動し、最終的にY方向の端部25t(及びその近傍)から落下して受皿21にて収容される。このため、基板23に上記液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板23に精度良く膜を成膜することができる。
Since the film forming apparatus of the first embodiment has the above-described characteristics, the liquid droplets of the raw material solution that are misted during the film forming process are the
さらに、実施の形態1の成膜装置は上記特徴を有することにより、反応材料(第1及び第2の反応材料)が液体の場合、成膜処理時に反応材料の液滴がミスト噴射ヘッド部100の底面25(特に反応材料噴射用ノズル部N2及びN3の底面)に付着しても、上記液滴が上記曲面構造の底面25上を移動し、最終的にY方向の端部25t(及びその近傍)から落下して受皿21にて収容される。このため、反応材料の液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板に精度良く膜を成膜することができる。
Further, since the film forming apparatus of the first embodiment has the above-described characteristics, when the reaction material (first and second reaction materials) is a liquid, a droplet of the reaction material is formed in the mist
なお、図2及び図4に示すように、不活性ガス噴出口195から不活性ガスが噴出されることにより、ミスト噴射ヘッド部100の底面25に付着した液滴が落下し易くなる。したがって、図2及び図4に示すように、不活性ガス噴出口195の直下に基板23が存在しない対基板位置関係を有することが望ましい。
As shown in FIGS. 2 and 4, when the inert gas is ejected from the inert
成膜処理時に基板23の温度が原料溶液の沸点未満の場合、液滴が蒸発しないため、原料溶液の液滴がミスト噴射ヘッド部の底面に付着する傾向が強い。実施の形態1の成膜装置は、このような場合においても原料溶液の液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板23に精度良く膜を成膜することができる。
When the temperature of the
同様に、成膜処理時に基板23の温度が反応材料(第1及び第2の反応材料)の沸点未満で液滴が蒸発しない場合においても、実施の形態1の成膜装置は、反応材料の液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板23に精度良く膜を成膜することができる。
Similarly, even when the temperature of the
加えて、実施の形態1の成膜装置において、ミスト噴射ヘッド部10の底面25はY方向(第1の水平方向)に沿って500〜10000(mm)の曲率半径を満足する曲面構造を有している。
In addition, in the film forming apparatus of the first embodiment, the
したがって、実施の形態1の成膜装置は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25を500mm以上の曲率半径に設定することにより、ミスト噴射ヘッド部100の底面25と基板23の上面との間に形成される反応空間の均一性を確保することができる。すなわち、底面25の中央部と端部25tとの間における底面25と基板23の上面との距離の差を反応空間のY方向における均一性を維持する範囲内に収めることができる。
Therefore, the film forming apparatus of the first embodiment is formed between the
さらに、実施の形態1の成膜装置は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25を10000mm以下の曲率半径に設定することにより、ミスト噴射ヘッド部100の底面25に付着した液滴を上記曲面構造の底面25をY方向の端部25tに向かってスムーズに移動させることができる。
Furthermore, in the film forming apparatus of the first embodiment, the
さらに、実施の形態1の成膜装置は、ミスト噴射ヘッド部100の底面25の下方に設けた受皿21によって、ミスト噴射ヘッド部100の底面25の端部25tから落下する原料溶液や反応材料の液滴を外部に垂れ流すことなく、受皿21内に溜めることができる。
Furthermore, in the film forming apparatus of the first embodiment, the raw material solution and the reaction material falling from the
(他の効果)
加えて、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100の底面に形成される原料溶液噴出口15、反応材料噴出口16及び17並びに不活性ガス噴出口191〜194は、第1の水平方向(Y方向)を長手方向としたスリット状に形成される。したがって、大面積の基板23に対して、均等に、ミスト化された原料溶液を噴霧することができる。
(Other effects)
In addition, the raw
さらに、載置部24またはミスト噴射ヘッド部100は、第2の水平方向(X方向)に移動可能である。したがって、大面積の基板23の全面に対しても、本実施の形態に係る成膜装置(ミスト噴射ヘッド部100)を用いた成膜処理が可能となる。なお、載置部24が移動する場合、受皿21も併せて移動し、図3で示したミスト噴射ヘッド部100と受皿21との位置関係が維持される。
Furthermore, the mounting
例えば、ミスト噴射ヘッド部100をX方向に移動させつつ、成膜装置による成膜処理を行うことにより、基板23の上面上に均一にミスト化された原料溶液等を噴射することができる。この際、ミスト噴射ヘッド部100の底面25に原料材料や反応材料の液滴が付着しても、底面25の曲面構造により液滴が端部25tに移動し、端部25tから落下して受皿21内に収容される。
For example, by performing the film forming process by the film forming apparatus while moving the mist
また、反応材料噴出口16(17)をスリット状で形成することにより、大面積の基板23の上面に対して、均等に、反応材料を噴霧することができる。
In addition, by forming the reaction material ejection port 16 (17) in a slit shape, the reaction material can be sprayed evenly on the upper surface of the large-
加えて、排気口18をスリット状で形成することにより、より広範囲に亘って、排気処理が可能となる。また、原料溶液等が排気口18へ向かうX方向の流れを、均等にすることができる。
In addition, exhaust processing can be performed over a wider range by forming the
加えて、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100は、不活性ガス噴射部83(第1の不活性ガス噴射部)は原料溶液噴射用ノズル部N1と反応材料噴射用ノズル部N2との間に設けられ、不活性ガス噴射部82(第2の不活性ガス噴射部)は原料溶液噴出口15と反応材料噴射用ノズル部N3との間に設けられる。
In addition, in the mist
上記構成の実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100は、原料溶液噴射用ノズル部N1、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3及び不活性ガス噴射部82及び83の組み合わせにより、不活性ガス噴出口193及び192は、原料溶液噴出口15と反応材料噴出口16及び17との間に設けられることを特徴としている。
The mist
このため、実施の形態1の成膜装置において、不活性ガス噴出口192及び193からの不活性ガスの噴出により、ミスト噴射ヘッド部100の底面25への反応生成物の付着を低減することができる。
For this reason, in the film forming apparatus of the first embodiment, it is possible to reduce adhesion of reaction products to the
さらに、実施の形態1の成膜装置では、不活性ガス供給部51〜53それぞれの開口面積を、不活性ガス噴出口191〜193それぞれの開口面積以上、すなわち、不活性ガス噴出口191〜193それぞれの開口面積を不活性ガス供給部51〜53それぞれの開口面積以下に設定することにより、不活性ガス噴出口191等と不活性ガス供給部51との間に圧力差を設定することができ、成膜時に不活性ガスを基板23上面上に均一に広げることができる効果を奏する。
Furthermore, in the film forming apparatus of the first embodiment, the opening area of each of the inert
加えて、実施の形態1の成膜装置において、不活性ガス噴出口192及び193により不活性ガスを噴出している流量を、原料溶液噴出口15により原料溶液を噴出している流量及び反応材料噴出口16及び17により反応材料を噴出している流量それぞれ以下に設定している。
In addition, in the film forming apparatus of the first embodiment, the flow rate at which the inert gas is jetted from the inert
このため、実施の形態1の成膜装置は、不活性ガスの噴出によって、原料溶液と反応材料との反応を阻害する現象を抑制することができる。
For this reason, the film-forming apparatus of
さらに、実施の形態1による成膜装置のミスト噴射ヘッド部100は、原料溶液噴射用ノズル部N1を有している。そして、原料溶液噴射用ノズル部N1は、空洞部11内に、空洞部11の底面より離れた位置において、一方の側面側に原料溶液排出部41が配設されている。
Furthermore, the mist
したがって、原料溶液噴射用ノズル部N1内の空洞部11で、原料溶液と残留水分とが反応し、パーティクルが生成されたとしても、当該パーティクルは、空洞部11における、底面から原料溶液排出部41までの間の領域に、トラップされる。つまり、空洞部11における当該領域は、パーティクルトラップとして機能し、当該領域内には、パーティクルが捕獲され、原料溶液排出部41、通路61及び原料溶液噴出口15へと搬送されることを防止できる。よって、各部分41,61,15において、パーティクルが付着し、目詰まりが発生することも防止できる。
Therefore, even if the raw material solution reacts with the residual moisture in the
また、上記と異なり、複数の整流部6の配設を省略することもできるが、原料溶液噴射用ノズル部N1内の空洞部11には、複数の整流部6が配設されている。
Unlike the above, the arrangement of the plurality of
したがって、空洞部11内におけるミスト化された原料溶液の流れを整えることができ、パーティクルトラップとして機能している上記領域における、パーティクルの捕獲をより確実にする。
Therefore, the flow of the mist-formed raw material solution in the
なお、複数の整流部6のうち最下段の整流部6が取り付けられている側面部と、原料溶液排出部41が配設されている側面とは同じである(両方共、一方の側面部(左側)に配設されている)。よって、液滴等が、一方の側面部を伝って、原料溶液排出部41へと流れることも防止できる。
In addition, the side part to which the
また、上記と異なり、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3の配設を省略することもできるが、ミスト噴射ヘッド部100は、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3を有している。したがって、大気中における成膜処理における、反応促進が可能となる。また、多種多様の膜を成膜することもできる。
Unlike the above, the arrangement of the reactive material injection nozzles N2 and N3 can be omitted, but the mist
さらに、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100は、二つの反応材料噴射用ノズル部N2,N3を有する。ここで、原料溶液噴射用ノズル部N1は、反応材料噴射用ノズル部N2(第1の反応材料噴射用ノズル部)と反応材料噴射用ノズル部N3(第2の反応材料噴射用ノズル部)とにより、側方から挟まれている。
Furthermore, the mist
したがって、反応空間に、異なる反応材料を噴出することができる。よって、基板23上に多種の膜を成膜することが可能となる。また、反応材料噴射用ノズル部N2,N3から同じ反応材料を噴出させた場合には、基板23上における所望の膜の成膜速度を向上させることができる。
Therefore, different reaction materials can be ejected into the reaction space. Therefore, various films can be formed on the
また、反応材料噴射用ノズル部N2,N3はそれぞれ温度調節機構22を有している。したがって、例えば、反応材料噴射用ノズル部N2,N3内に溜まった液滴を蒸発させることができる。よって、当該蒸発した反応材料を、反応材料噴射用ノズル部N2,N3から噴射させる反応材料として、利用することができる。
The reactive material injection nozzles N2 and N3 each have a
なお、原料溶液噴射用ノズル部N1においても、温度調節機構22が配設されている。したがって、例えば、原料溶液のミスト状態を維持することができる。つまり、原料溶液噴射用ノズル部N1から噴射される原料溶液の液滴が大きくなり、大きな液滴となった原料溶液が底面25に付着することを事前に防止できる。
The
また、ベースプレート部20の底面には、基板23に対して不活性ガスを噴射する複数の不活性ガス噴出口194(第3の不活性ガス噴出口)が配設されている。したがって、ベースプレート部20の下方に存する原料溶液等を基板23の上面上に押し付けることが可能となる。したがって、原料溶液等の利用効率を向上させることができる。
In addition, a plurality of inert gas outlets 194 (third inert gas outlets) for injecting an inert gas to the
また、ベースプレート部20は、温度調節機構22を有している。したがって、反応空間における、原料溶液等のミスト状態の維持が可能となる。また、ベースプレート部20における液滴の付着を抑制できる。さらに、基板23上における成膜反応の促進を図ることもできる。
The
また、ミスト噴射ヘッド部100の枠部30または枠部30の近傍において、基板23に対して不活性ガスを噴射する不活性ガス噴出口191,195が配設されている。したがって、不活性ガスにより、反応空間を囲繞することができ、反応空間から原料溶液等が拡散することを抑制することができる。
In addition, inert
また、反応材料噴射用ノズル部N2(N3)は、空洞部12(13)内に、空洞部12の底面より離れた位置において、一方の側面側に反応材料排出部42(43)が配設されている。
The reactive material injection nozzle portion N2 (N3) is provided with a reactive material discharge portion 42 (43) on one side surface in a position away from the bottom surface of the
したがって、反応材料噴射用ノズル部N2(N3)内の空洞部12(13)で、反応材料と大気とが反応し、パーティクルが生成されたとしても、当該パーティクルは、空洞部12における、底面から反応材料排出部42(43)までの間の領域に、トラップされる。つまり、空洞部12(13)における当該領域は、パーティクルトラップとして機能し、当該領域内には、パーティクルが捕獲され、反応材料排出部42(43)、通路62(63)及び反応材料噴出口16(17)へと搬送されることを防止できる。よって、各部分42,62,16(43,63,17)において、パーティクルが付着し、目詰まりが発生することも防止できる。
Therefore, even if the reaction material and the atmosphere react in the hollow portion 12 (13) in the reactive material injection nozzle portion N2 (N3) and particles are generated, the particles are generated from the bottom surface of the
また、上記と異なり、複数の整流部7の配設を省略することもできるが、反応材料噴射用ノズル部N2(N3)内の空洞部12(13)には、複数の整流部7(8)が配設されている。
Unlike the above, the arrangement of the plurality of
したがって、空洞部12(13)内における反応材料の流れを整えることができ、パーティクルトラップとして機能している上記領域における、パーティクルの捕獲をより確実にする。なお、空洞部12において、複数の整流部7(8)のうち最下段の整流部7(8)が取り付けられている側面部と、反応材料排出部42(43)が配設されている側面とは同じである(両方共、一方の側面部(左側の側面部)に配設されている)。よって、液滴等が、一方の側面部を伝って、反応材料排出部42(43)へと流れることも防止できる。
Therefore, the flow of the reaction material in the hollow portion 12 (13) can be adjusted, and the capture of particles in the region functioning as a particle trap can be made more reliable. In addition, in the
また、上記と異なり、排気用ノズル部N4の配設を省略することもできるが、ミスト噴射ヘッド部100は、排気用ノズル部N4を有している。したがって、排気用ノズル部N4へと移動する、原料溶液及び反応材料の流れを作り出すことができる。よって、反応空間における原料溶液等の流れが乱れることを防止でき、成膜される膜の膜質を向上させることができる。また、反応空間から外側に原料溶液等が拡散することを抑制することができる。
Further, unlike the above, the disposition of the exhaust nozzle portion N4 can be omitted, but the mist
また、排気処理において、{排気流量Q4≧原料溶液の噴出流量Q1+反応材料の噴出流量Q2+Q3}を満足するように流量が制御される。したがって、反応空間内に噴射された、原料溶液及び2つの反応材料が、反応空間内の上記流れをより確実にすることができる。また、原料溶液及び2つの反応材料が、反応空間から外側に拡散することを確実に防止できる。 Further, in the exhaust treatment, the flow rate is controlled so as to satisfy {exhaust flow rate Q4 ≥ raw material solution ejection flow rate Q1 + reaction material ejection flow rate Q2 + Q3}. Therefore, the raw material solution and the two reaction materials injected into the reaction space can make the flow in the reaction space more reliable. Moreover, it can prevent reliably that a raw material solution and two reaction materials diffuse outside from reaction space.
また、反応材料噴射用ノズル部N3、原料溶液噴射用ノズル部N1、反応材料噴射用ノズル部N2及び排気用ノズル部N4は、X方向(第2の水平方向)に並んで配置されており、少なくとも排気用ノズル部N4は、ミスト噴射ヘッド部100の最外側に位置している。
Further, the reactive material injection nozzle portion N3, the raw material solution injection nozzle portion N1, the reactive material injection nozzle portion N2, and the exhaust nozzle portion N4 are arranged side by side in the X direction (second horizontal direction). At least the exhaust nozzle portion N4 is located on the outermost side of the mist
したがって、反応空間において、原料溶液及び2つの反応材料は、ミスト噴射ヘッド部100の最外側まで移動する。したがって、原料溶液及び反応材料と基板23とが接触する領域が、最大となり、反応空間における原料溶液等の未反応を最小化にすることができる。
Therefore, in the reaction space, the raw material solution and the two reaction materials move to the outermost side of the mist
また、排気用ノズル部N4は、空洞部14内に、空洞部14の底面より離れた位置において、他方の側面側に排気物導入部44が配設されている。
Further, the exhaust nozzle portion N4 has an exhaust
したがって、排気物導入部44から空洞部14内に取り込まれた排気物は、空洞部14における、底面から排気物導入部44までの間の領域に、トラップされる。つまり、空洞部14における当該領域は、パーティクルトラップとして機能し、当該領域内には、粒径の大きな排気物が捕獲され、排気物出口部4より先に、粒径が大きな排気物が流れることを防止できる。これにより、排気ポンプに配設されるフィルターの寿命を長くすることができる。
Accordingly, the exhaust gas taken into the
また、上記と異なり、複数の整流部9の配設を省略することもできるが、排気用ノズル部N4内の空洞部14には、複数の整流部9が配設されている。
Unlike the above, the arrangement of the plurality of
したがって、排気物出口部4より先に、粒径が大きな排気物が流れることをより確実に防止することができる。これにより、排気ポンプに配設されるフィルターの寿命をより長くすることができる。
Therefore, it is possible to more reliably prevent the exhaust gas having a large particle size from flowing before the exhaust
また、ミスト噴射ヘッド部100は、吹き抜け部58を基板23側から塞ぐベースプレート部20を有している。したがって、排気用ノズル部N4を他のノズル部N1〜N3から離して配置させたとしても、反応空間から吹き抜け部58へと、原料溶液等が流れることを防止できる。また、ミスト噴射ヘッド部100における、排気用ノズル部N4及び他のノズル部N1〜N3の組み立てが容易となる。
In addition, the mist
<実施の形態2>
図6は実施の形態2である成膜装置におけるミスト噴射ヘッド部100Bの構成を示す断面図である。図7は図6のC−C断面構造を示す断面図である。
<
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of a mist
図8はミスト噴射ヘッド部100Bの底面構造を示す平面図である。図9はミスト噴射ヘッド部100Bを左側面(−X方向)から視た側面図である。図10はベースプレート部20BをY方向から視た外観構造等を示す説明図である。なお、図9のD−D断面構造が図6で示す断面図となる。
FIG. 8 is a plan view showing a bottom structure of the mist
実施の形態1であるミスト噴射ヘッド部100では、2つの反応材料噴射用ノズル部N2,N3を有していた。一方、実施の形態2によるミスト噴射ヘッド部100Bでは、反応材料噴射用ノズル部N3Bを一つに集約し、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に設けられた反応材料噴出口16B及び17Bから、第1及び第2の反応材料が噴出される構成を実現している。さらに、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に設けられた原料溶液噴出口15Bからミスト化された原料溶液が噴出される構成を実現している。
The mist
実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100と実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bとでは、主として、反応材料噴射用ノズル部N2及びN3が反応材料噴射用ノズル部N3Bに置き換わった点、原料溶液噴射用ノズル部N1が原料溶液噴射用ノズル部N1Bに置き換わった点が異なる。以下では、実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bに関し、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100と異なる構成部分を中心に説明を行い、実施の形態1と同様な構成部分は同一符号を付し説明を適宜省略する。
In the mist
図6に示すように、ミスト噴射ヘッド部100Bは、反応材料噴射用ノズル部N3Bと、原料溶液噴射用ノズル部N1Bと、排気用ノズル部N4とを有する。図6に示すように、反応材料噴射用ノズル部N3B、原料溶液噴射用ノズル部N1B及び排気用ノズル部N4は、当該順に、X方向(第2の水平方向)に沿って並んで配設されている。
As shown in FIG. 6, the mist
また、原料溶液噴射用ノズル部N1Bの側面と反応材料噴射用ノズル部N3Bの側面とは接触している。しかしながら、原料溶液噴射用ノズル部N1Bの側面と排気用ノズル部N4の側面との間には、所定の距離だけ離れている。つまり、反応材料噴射用ノズル部N3Bと原料溶液噴射用ノズル部N1BとはX方向に隣接しているが、排気用ノズル部N4は、他のノズル部N1,N3Bとは、X方向に離れて配置されている。 Further, the side surface of the raw material solution injection nozzle portion N1B is in contact with the side surface of the reactive material injection nozzle portion N3B. However, there is a predetermined distance between the side surface of the raw material solution injection nozzle portion N1B and the side surface of the exhaust nozzle portion N4. That is, the reactive material injection nozzle portion N3B and the raw material solution injection nozzle portion N1B are adjacent to each other in the X direction, but the exhaust nozzle portion N4 is separated from the other nozzle portions N1 and N3B in the X direction. Has been placed.
上記のように、反応材料噴射用ノズル部N3B,原料溶液噴射用ノズル部N1B及び排気用ノズル部N4は、X方向(第2の水平方向)に並んで配置されている。ここで、少なくとも排気用ノズル部N4は、ミスト噴射ヘッド部100Bの最外側(図6では右端(+X方向側))に位置している。
As described above, the reactive material injection nozzle portion N3B, the raw material solution injection nozzle portion N1B, and the exhaust nozzle portion N4 are arranged side by side in the X direction (second horizontal direction). Here, at least the exhaust nozzle portion N4 is located on the outermost side (the right end (+ X direction side in FIG. 6)) of the mist
載置部24上に載置され常温に設定されている基板23の上面に対して、ミスト噴射ヘッド部100Bは、ミスト化された原料溶液等を噴射する。これにより、基板23の上面に所望の膜が、成膜される。なお、成膜処理のときには、載置部24(及び受皿21B)は、X方向(第2の水平方向(XY平面))に移動する。または、ミスト噴射ヘッド部100B及び受皿21は、X方向に移動する。
The mist
(原料溶液噴射用ノズル部N1B及び反応材料噴射用ノズル部N3B)
以下、原料溶液噴射用ノズル部N1B及び反応材料噴射用ノズル部N3Bの構成について説明する。
(Raw material solution injection nozzle portion N1B and reaction material injection nozzle portion N3B)
Hereinafter, the configuration of the raw material solution injection nozzle portion N1B and the reactive material injection nozzle portion N3B will be described.
原料溶液噴射用ノズル部N1Bは、ミスト化された原料溶液を、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に形成された原料溶液噴出口15Bから噴射するノズルである。原料溶液噴射用ノズル部N1Bには、内部に空洞部11(一方の空洞部)及び空洞部12B(他方の空洞部)が形成されている。また、原料溶液噴射用ノズル部N1Bの上面には、実施の形態1の原料溶液噴射用ノズル部N1と同様、原料溶液供給部1が配設されている。
The raw material solution injection nozzle portion N1B is a nozzle that injects the misted raw material solution from the raw material
また、原料溶液噴射用ノズル部N1Bの空洞部11内において、実施の形態1の原料溶液噴射用ノズル部N1と同様、一方の側面部には、複数の整流部6(第1の整流部)が配設されている。
Further, in the
複数の整流部6の下方に空洞部11が設けられる。複数の整流部6の上方の小空間は、複数の整流部7により形成される隙間を通じて、空洞部11と接続されており、空洞部11は、原料溶液排出部41Bに接続されている。
A
原料溶液排出部41Bは、空洞部11において、一方の側面部(図1では左(−X方向)側の側面)に配設されている。また、原料溶液排出部41Bは、原料溶液噴射用ノズル部N1B(空洞部11)の底面から離れた位置において、配設されている。
The raw material solution discharge
一方、原料溶液噴射用ノズル部N1Bではなく、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に原料溶液噴出口15Bが形成されている。すなわち、実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bでは、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に設けられた原料溶液噴出口15Bからミスト化された原料溶液が基板23の上面に対して噴出される。
On the other hand, the raw material
そして、反応材料噴射用ノズル部N3には内部に通路61B(第1の内部通路)が配設されている。原料溶液噴射用ノズル部N1Bに設けられた原料溶液排出部41Bは、反応材料噴射用ノズル部N3Bに設けられた通路61Bを介して、原料溶液噴出口15Bと接続されている。
A
図8に示すように、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25はX方向(第2の水平方向)及びY方向(第1の水平方向)で規定される矩形状を呈している。さらに、実施の形態1と同様、ヘッド100Bの底面25全体を取り囲んで底面25より広い矩形状で、受皿21Bの開口部21Boが設定される。
As shown in FIG. 8, the
そして、原料溶液噴出口15Bは、平面視して長手方向をY方向(第1の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状を呈している。なお、原料溶液噴出口15Bの開口部の幅(図8のX方向の寸法)は、0.1mm〜10mm程度である。
The raw material
原料溶液噴射用ノズル部N1Bでは、ミスト化された原料溶液は、原料溶液供給部1から、空洞部11内に供給される。そして、当該原料溶液は、複数の整流部6により整流され、複数の整流部6の上方の小空間に充満した後、空洞部11へと導かれ、空洞部11において充満する。その後、ミスト化された原料溶液は、原料溶液排出部41Bから、反応材料噴射用ノズル部N3Bの通路61Bを介して、原料溶液噴出口15Bへと導かれる。そして、ミスト化された原料溶液は、原料溶液噴出口15Bから基板23の上面に向けて、噴出される。
In the raw material solution injection nozzle part N1B, the misted raw material solution is supplied from the raw material
さらに、原料溶液噴射用ノズル部N1Bは空洞部11の下方に空洞部12Bを有し、空洞部12Bは、図6及び図10に示すように、原料溶液との反応に寄与する第1の反応材料を供給する反応材料供給部2Bと接続されており、空洞部12Bは、後述する反応材料排出部42Bに接続されている。
Furthermore, the raw material solution injection nozzle portion N1B has a
反応材料排出部42B(第1の反応材料排出部)は、空洞部12Bにおいて、一方の側面部(図6では左(−X方向)側の側面)に配設されている。また、反応材料排出部42Bは、反応材料噴射用ノズル部N2(空洞部12B)の底面から離れた位置において、配設されている。
The reaction
一方、反応材料噴射用ノズル部N3B内には通路62B(第2の内部通路)が配設されている。そして、原料溶液噴射用ノズル部N1Bに設けられた反応材料排出部42Bは、反応材料噴射用ノズル部N3Bに設けられた通路62Bを介して、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に設けられた反応材料噴出口16B(第1の反応材料噴出口)と接続されている。
On the other hand, a
一方、反応材料噴射用ノズル部N3Bは、主として原料溶液との反応に寄与する第2の反応材料を基板23に対して噴出するノズルである。反応材料噴射用ノズル部N3Bには、内部に一つの空洞部13Bが形成されている。図6に示すように、空洞部13Bは、反応材料噴射用ノズル部N3B内において、上方(+Z方向)に配設されている。具体的には、反応材料噴射用ノズル部N3B内において、上部側には一方の空洞部13Bが設けられる。ここで、空洞部13Bは他の空間から独立して形成される空間である。
On the other hand, the reactive material injection nozzle portion N3B is a nozzle that mainly jets the second reactive material that contributes to the reaction with the raw material solution to the
図6及び図10に示すように、空洞部13Bにおいて、Y方向の側面には、反応材料供給部3Bが配設されている。第2の反応材料は、反応材料噴射用ノズル部N3B外から、一方の反応材料供給部3Bを介して、一方の空洞部13B内へと供給される。
As shown in FIGS. 6 and 10, the reaction
ここで、上述した第1及び第2の反応材料は、気体であっても液体であっても良い。液体の場合には、超音波振動等を利用してミスト化された液体(反応材料)が、キャリアガスと共に、図示していない経路を通って、原料溶液噴射用ノズル部N1Bあるいは反応材料噴射用ノズル部N3B内へと搬送される。 Here, the first and second reaction materials described above may be gas or liquid. In the case of a liquid, the liquid (reactive material) that has been misted using ultrasonic vibration or the like passes through a path (not shown) together with the carrier gas to feed the raw material solution jet nozzle N1B or the reactive material jet. It is conveyed into the nozzle portion N3B.
反応材料供給部3Bから出力される第2の反応材料は、反応材料噴射用ノズル部N3B内の空洞部13Bへと充満する(供給される)。
The second reaction material output from the reaction
なお、図6では図示を省略しているが、原料溶液噴射用ノズル部N1Bの空洞部12B及び反応材料噴射用ノズル部N3Bの空洞部13B内において、実施の形態1で説明した機能・作用(つまり、空洞部12B,13B内における反応材料の流れを整え、反応材料と大気とが反応し、パーティクルが生成されたとしても、当該パーティクルが、空洞部12B,13Bの底面から反応材料排出部42B,43Bまでの間の領域に、トラップされることを促進する機能・作用)を有する整流部が配設されていても良い。
Although not shown in FIG. 6, the functions and operations described in the first embodiment are carried out in the
また、空洞部13Bにおいて、X方向の側面には、反応材料排出部43が配設されている。ここで、一方の反応材料排出部43は、洞部13Bの底面から離れた位置において、配設されている。
Further, in the
反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面において、反応材料噴出口16B及び17Bが配設されている。ここで、空洞部12Bから供給される第1の反応材料が反応材料噴出口16Bから、空洞部13Bから供給される第2の反応材料が反応材料噴出口17Bから、それぞれ基板23の上面に対して噴出される。
Reactive
ミスト噴射ヘッド部100B(図6の構成例では、反応材料噴射用ノズル部N3B)内には、通路62B及び通路63が配設されている。そして、原料溶液噴射用ノズル部N1Bと反応材料噴射用ノズル部N3Bとの隣接配置により、反応材料排出部42Bは、通路62Bを介して反応材料噴出口16Bと接続される。一方、反応材料噴射用ノズル部N3B内において、反応材料排出部43Bは、通路63を介して、反応材料噴出口17Bと接続されている。
A
さらに、図6に示すように、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面において、原料溶液を基板23に対して噴出する原料溶液噴出口15Bが配設されている。実施の形態2では、原料溶液排出部41Bと原料溶液噴出口15Bとを接続する通路61Bは、反応材料噴射用ノズル部N3B内に配設されている。
Further, as shown in FIG. 6, a raw material
よって、実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bでは、反応材料噴射用ノズル部N3Bの基板23に面する側において、反応材料噴出口17B、原料溶液噴出口15B及び反応材料噴出口16Bが、当該順にX方向(第2の水平方向)に配設されている。ここで、図8に示すように、各反応材料噴出口17B,16B及び原料溶液噴出口15Bは、平面視して長手方向をY方向(第1の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状を呈している。なお、反応材料噴出口17B,16B及び原料溶液噴出口15B開口部の幅(図8のX方向の寸法)は、0.1mm〜10mm程度である。
Therefore, in the mist
原料溶液噴射用ノズル部N1Bから排出される反応材料(第1の反応材料)は、原料溶液噴射用ノズル部N1Bにおいて、反応材料供給部2Bから、空洞部12B内に供給される。そして、第1の反応材料は、空洞部12Bに充満した後、反応材料排出部42Bから反応材料噴射用ノズル部N3Bに排出される。その後、反応材料噴射用ノズル部N3Bの内部に通路62Bを介して、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に設けられた反応材料噴出口16Bへと導かれる。そして、第1の反応材料は、一方の反応材料噴出口16Bから基板23の上面に向けて、噴出される。
The reaction material (first reaction material) discharged from the raw material solution injection nozzle part N1B is supplied from the reaction
一方、反応材料噴射用ノズル部N3Bにおいて、反応材料(第2の反応材料)は、反応材料供給部3Bから、空洞部13B内に供給される。そして、第2の反応材料は、空洞部13Bに充満した後、反応材料排出部43から、通路63を介して、反応材料噴出口17Bへと導かれる。
On the other hand, in the reactive material injection nozzle portion N3B, the reactive material (second reactive material) is supplied from the reactive
図6及び図8に示すように、反応材料噴出口17B、原料溶液噴出口15B、反応材料噴出口16B及び排気口18は、当該順に、X方向(第2の水平方向)に配置されている。
As shown in FIGS. 6 and 8, the
排気用ノズル部N4は、他のノズル部N3B,N1Bとは、X方向に離れて配置されている。したがって、排気用ノズル部N4と他のノズル部N3B,N1Bとの間には、吹き抜け部58が生じる。そこで、本実施の形態においても、ミスト噴射ヘッド部100Bは、ベースプレート部20Bを備えている。ベースプレート部20Bは、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面下から排気用ノズル部N4の底面下にかけても配置されることにより、吹き抜け部58を、基板23配置側から塞いでいる(図6,図8及び図10参照)。
The exhaust nozzle portion N4 is disposed away from the other nozzle portions N3B and N1B in the X direction. Accordingly, a blow-
なお、基板23に対して不活性ガスを噴射できるように、本実施の形態に係るベースプレート部20Bにおいても、実施の形態1と同様、不活性ガス供給部54と、通路74と、複数の不活性ガス噴出口194とが設けられている。さらに、実施の形態2のベースプレート部20Bには、実施の形態1と同様に、温度調節機構22が配設されている。
In addition, in the
また、実施の形態2では、反応材料噴射用ノズル部N3B内においても、温度調節機構22が配設されている。なお、ミスト噴射ヘッド部100Bでは、原料溶液噴射用ノズル部N1Bに対する温度調整は、ベースプレート部20B配設されている温度調節機構22の一部が行っている。
In the second embodiment, the
なお、実施の形態2においても、ミスト噴射ヘッド部100Bは、基板23に面している側(底面25)において、枠部30を有する。さらに、図6に示すように、実施の形態1と同様に、実施の形態2においても、ミスト噴射ヘッド部100Bには、不活性ガス噴射部81の不活性ガス供給部51、通路71及び不活性ガス噴出口191や不活性ガス供給部55、通路75及び不活性ガス噴出口195が設けられている。
In the second embodiment as well, the mist
反応空間に、ミスト化された原料溶液と反応材料とが噴射されると、載置部24上に載置されており、例えば常温の基板23上において、原料溶液と反応材料とが反応し、基板23の上面に所望の膜が成膜される。なお、反応空間内の反応残渣等は、排気用ノズル部N4により、反応空間から排除される。
When the mist material solution and the reaction material are sprayed into the reaction space, the material solution is placed on the
(不活性ガス噴出口192B及び193B等)
実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bの端部(図6の−X方向側端部)において、実施の形態1と同様、不活性ガス噴射部81は枠部30または枠部30に隣接する領域に配設されている。さらに、ミスト噴射ヘッド部100Bの反応材料噴射用ノズル部N3Bの内部に不活性ガス噴射部82B及び83Bが形成されている。
(
As in the first embodiment, the inert
不活性ガス噴射部81は主として不活性ガス供給部51、通路71及び不活性ガス噴出口191より構成され、不活性ガス噴射部82Bは主として不活性ガス供給部52B、通路72B及び不活性ガス噴出口192Bより構成され、不活性ガス噴射部83Bは主として不活性ガス供給部53B、通路73B及び不活性ガス噴出口193Bにより構成される。
The inert
図6に示すように、不活性ガス噴射部82Bは、反応材料噴射用ノズル部N3B内において、空洞部13Bの下方に配設され、不活性ガス噴射部83Bの主要部(不活性ガス供給部53B付近の通路73B)は不活性ガス噴射部82Bの主要部(不活性ガス供給部52B付近の通路72B)の下方に形成されている。ここで、不活性ガス噴射部82B及び83Bはそれぞれ他の空間から独立して形成される空間である。
As shown in FIG. 6, the inert
図6、図7及び図10に示すように、不活性ガス噴射部82B及び83Bにおいて、Y方向の側面には、不活性ガス供給部52B及び53Bが配設されている。不活性ガス供給部52B及び53Bは反応材料噴射用ノズル部N3B内に形成された通路72B及び73Bを介して反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面に形成された不活性ガス噴出口192B及び193Bに接続される。
As shown in FIGS. 6, 7, and 10, in the inert
図6及び図7に示すように、不活性ガス噴射部82B及び83Bにおいて、外部から不活性ガス供給部52B及び53Bに導入される不活性ガスは通路72B及び73Bを介して、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25に形成される不活性ガス噴出口192B及び193Bに導かれて噴出される。
As shown in FIGS. 6 and 7, in the inert
不活性ガス供給部51、52B及び53Bは不活性ガス噴出口191、192B及び193Bに連通しているが、不活性ガス供給部51、52B及び53Bそれぞれの開口面積は、不活性ガス噴出口191、192B及び193Bそれぞれの開口面積以上に設定すること望ましい。
The inert
さらに、不活性ガス噴出口191、192B及び193Bにより不活性ガスを噴出している流量は、原料溶液噴出口15Bにより原料溶液を噴出している流量及び反応材料噴出口16B及び17Bにより反応材料を噴出している流量それぞれ以下に設定することが望ましい。
Furthermore, the flow rate at which the inert gas is jetted from the
さらに、図7に示すように、実施の形態1と同様、Y方向両端部に設けられた2つの不活性ガス供給部55に導入される不活性ガスが、それぞれ通路75を介して、図8に示すように、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面に形成された2つの不活性ガス噴出口195から噴出される。
Further, as shown in FIG. 7, as in the first embodiment, the inert gas introduced into the two inert
このように、不活性ガス噴出口195は、上述した枠部30または枠部30に隣接する領域に配設されている。
As described above, the
上述した構成により、不活性ガス噴射部81、82B及び83Bの不活性ガス供給部51、52B及び53B並びに及び不活性ガス供給部55を介して、ミスト噴射ヘッド部100Bの外部から送られてきた不活性ガスは、ミスト噴射ヘッド部100B内へ供給される。通路71、72B及び73B並びに通路75は、ミスト噴射ヘッド部100B内に配設されており、当該供給された不活性ガスは、通路71、72B及び73B並びに通路75内を伝搬する。不活性ガス噴出口191、192B及び193B並びに不活性ガス噴出口195は、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25(基板23に面する側)に配設されており、不活性ガス噴出口191、192B及び193B並びに不活性ガス噴出口195から、不活性ガスが基板23の上面に向けて噴射される。
With the configuration described above, the gas is sent from the outside of the mist
排気用ノズル部N4は、他のノズル部N1B及びN3Bとは、X方向に離れて配置されている。したがって、排気用ノズル部N4と他のノズル部N1B及びN3Bとの間には、吹き抜け部58が生じる。そこで、ミスト噴射ヘッド部100Bは、ベースプレート部20Bを備えている。ベースプレート部20Bは、吹き抜け部58を、基板23配置側から塞いでいる(図6,図8,図10参照)。
The exhaust nozzle portion N4 is arranged away from the other nozzle portions N1B and N3B in the X direction. Accordingly, a blow-
図6、図8及び図10に示すように、実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bのベースプレート部20Bには、不活性ガス供給部54(図10参照)と、通路74(図6,図8参照)と、複数の不活性ガス噴出口194とが設けられている。
As shown in FIGS. 6, 8, and 10, an inert gas supply unit 54 (see FIG. 10) and a passage 74 (FIGS. 6 and 6) are provided in the
ベースプレート部20Bにおいて、不活性ガス供給部54を介して、ミスト噴射ヘッド部100Bの外部から送られてきた不活性ガスは、ベースプレート部20Bへ供給される。通路74は、ベースプレート部20B内に配設されており、当該供給された不活性ガスは、通路74内を伝搬する。複数の不活性ガス噴出口194は、ベースプレート部20Bの底面(基板23に面する側)に配設されており、複数の不活性ガス噴出口194から、不活性ガスが基板23の上面に向けて噴射される。
In the
図8に示すように、不活性ガス噴出口191〜194(191、192B、193B及び194)は、それぞれ平面視して長手方向をY方向(第1の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状である。一方、不活性ガス噴出口195は、平面視して長手方向をX方向(第2の水平方向)とした細長い開口穴であるスリット状である。なお、不活性ガス噴出口191〜195それぞれの開口部の幅(不活性ガス噴出口191〜194は図7のX方向の寸法、不活性ガス噴出口195は図7のY方向側の寸法)は、0.1mm〜10mm程度である。
As shown in FIG. 8, the
そして、図6及び図8に示すように、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面において、不活性ガス噴出口192Bは原料溶液噴出口15Bと反応材料噴出口17Bとの間に設けられ、不活性ガス噴出口193Bは原料溶液噴出口15Bと反応材料噴出口16Bとの間に設けられる。すなわち、実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bの底面25において、不活性ガス噴出口192B及び193は、原料溶液噴出口15Bと反応材料噴出口16B及び17との間に設けられることを特徴としている。
6 and 8, on the bottom surface of the reactive material injection nozzle N3B, the
また、実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bでは、反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面及びベースプレート部20Bの底面が面一になるように構成される。したがって、原料溶液噴出口15B、反応材料噴出口16B及び17B、及び不活性ガス噴出口192B、193B及び194はミスト噴射ヘッド部100における面一の底面に設けられることになる。この際、後に詳述するように、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25はY方向に沿って曲面構造を有している。
Further, the mist
(ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25)
図7及び図9に示すように、実施の形態2の成膜装置は、実施の形態1と同様、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25はY方向(第1の水平方向)に沿って中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、基板23との間において、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25のY方向の端部25t直下に基板23が存在しない対基板位置関係を有することを特徴としている。
(
As shown in FIGS. 7 and 9, in the film forming apparatus according to the second embodiment, the
具体的には、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25はY方向に沿って500(mm)以上、10000(mm)以下の曲率半径を満足する曲面構造を有している。
Specifically, the
さらに、実施の形態2の成膜装置は、図7〜図9に示すように、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25の下方に、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25の端部25tから落下する液体を収納するように設けられた受皿21Bをさらに備える。具体的には、図8の破線に示すように、平面視してミスト噴射ヘッド部100B全体を含む開口部21Boを有する受皿21Bが設けられる。
Furthermore, as shown in FIGS. 7 to 9, the film forming apparatus of
(効果等)
(ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25に関する効果)
実施の形態2の成膜装置において、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25はY方向(第1の水平方向)に沿って中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、基板23との間にミスト噴射ヘッド部100Bの底面25のY方向の端部25t直下に基板23が存在しない位置関係を有することを特徴している。
(Effects etc.)
(Effects on the
In the film forming apparatus according to the second embodiment, the
実施の形態2の成膜装置は上記特徴を有することにより、成膜処理時にミスト化された原料溶液の液滴がミスト噴射ヘッド部100Bの底面25(特に反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面)に付着しても、当該液滴が上記曲面構造の底面25上を移動し、最終的にY方向の端部25t(及びその近傍)から落下して受皿21Bにて収容される。このため、基板23に上記液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板23に精度良く膜を成膜することができる。
Since the film forming apparatus according to the second embodiment has the above-described characteristics, the droplets of the raw material solution that have been misted during the film forming process cause the
さらに、実施の形態2の成膜装置は上記特徴を有することにより、成膜処理時に反応材料の液滴がミスト噴射ヘッド部100Bの底面25(特に反応材料噴射用ノズル部N3Bの底面)に付着しても、上記液滴が上記曲面構造の底面25上を移動し、最終的にY方向の端部25t(及びその近傍)から落下して受皿21にて収容される。このため、反応材料の液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板に精度良く膜を成膜することができる。
Furthermore, since the film forming apparatus of the second embodiment has the above characteristics, a droplet of the reactive material adheres to the
なお、図7及び図9に示すように、不活性ガス噴出口195から不活性ガスが噴出されることにより、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25に付着した液滴が落下し易くなる。したがって、図7及び図9に示すように、不活性ガス噴出口195の直下に基板23が存在しない対基板位置関係を有することが望ましい。
As shown in FIGS. 7 and 9, when the inert gas is ejected from the inert
実施の形態2の成膜装置は、成膜処理時に基板23の温度が原料溶液の沸点未満の場合や反応材料の沸点未満の場合においても、実施の形態1と同様、原料溶液あるいは反応材料の液滴が落下する液ダレ現象を効果的に防止することができ、基板23に精度良く膜を成膜することができる。
In the film forming apparatus of the second embodiment, even when the temperature of the
加えて、実施の形態2の成膜装置においても、実施の形態1と同様、ミスト噴射ヘッド部10の底面25はY方向(第1の水平方向)に沿って500〜10000(mm)の曲率半径を満足する曲面構造を有している。このため、反応空間の均一性を確保し、かつ、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25に付着した液滴を上記曲面構造の底面25を端部25tに向かってスムーズに移動させることができる。
In addition, also in the film forming apparatus of the second embodiment, as in the first embodiment, the
さらに、実施の形態2の成膜装置は、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25の下方に設けた受皿21Bによって、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25の端部25tから落下する原料溶液や反応材料の液滴を外部に垂れ流すことなく、受皿21B内に溜めることができる。
Furthermore, in the film forming apparatus of the second embodiment, the raw material solution or reaction material that falls from the
(他の効果)
実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bにおいて、原料溶液噴射用ノズル部N1Bは、ミスト化された原料溶液及び第1の反応材料(反応材料供給部2Bより供給される反応材料)を反応材料噴射用ノズル部N3Bに排出可能な原料溶液排出部41B及び42Bを有している。
(Other effects)
In the mist
一方、反応材料噴射用ノズル部N3Bは、不活性ガス噴出口193B及び192B(第1及び第2の不活性ガス噴出口)よりそれぞれ不活性ガスを噴出し、反応材料噴出口17B(第2の反応材料噴出口)より第2の反応材料(反応材料供給部3Bより供給される反応材料)を噴出する。
On the other hand, the reactive material injection nozzle N3B ejects inert gas from the
さらに、反応材料噴射用ノズル部N3Bは、原料溶液噴射用ノズル部N1Bの原料溶液排出部41B及び反応材料排出部42Bより排出される原料溶液及び上記第1の反応材料を原料溶液噴出口15B及び反応材料噴出口16B(第1の前記反応材料噴出口)に導く通路61B及び62B(第1及び第2の内部通路)を内部に有している。
Further, the reactive material injection nozzle portion N3B supplies the raw material solution discharged from the raw material solution discharge portion 41B and the reactive
上記構成の実施の形態2のミスト噴射ヘッド部100Bは、原料溶液噴射用ノズル部N1B及び反応材料噴射用ノズル部N3Bの組み合わせ構成により、不活性ガス噴出口193B及び192Bは、原料溶液噴出口15Bと反応材料噴出口16B及び17Bとの間に設けられることを特徴としている。
The mist
このため、実施の形態2の成膜装置において、実施の形態1と同様、ミスト噴射ヘッド部100Bの底面25への反応生成物の付着を低減することができる。
For this reason, in the film forming apparatus of the second embodiment, as in the first embodiment, adhesion of reaction products to the
さらに、実施の形態2の成膜装置では、不活性ガス供給部51、52B及び53Bそれぞれの開口面積を、不活性ガス噴出口191、192B及び193Bそれぞれの開口面積以上、すなわち、不活性ガス噴出口191、192B及び193Bそれぞれの開口面積を不活性ガス供給部51、52B及び53Bそれぞれの開口面積以下に設定することにより、不活性ガス噴出口191、192B及び193Bと不活性ガス供給部51、52B及び53Bとの間に圧力差を設定することができ、成膜時に不活性ガスを基板23上面上に均一に広げることができる効果を奏する。
Further, in the film forming apparatus of the second embodiment, the opening areas of the inert
加えて、実施の形態2の成膜装置において、不活性ガス噴出口191、192B及び193Bにより不活性ガスを噴出している流量を、原料溶液噴出口15Bにより原料溶液を噴出している流量及び反応材料噴出口16B及び17Bにより反応材料を噴出している流量それぞれ以下に設定している。
In addition, in the film forming apparatus of the second embodiment, the flow rate at which the inert gas is jetted from the
このため、実施の形態2の成膜装置は、不活性ガスの噴出によって、原料溶液と反応材料との反応を阻害する現象を抑制することができる。
For this reason, the film-forming apparatus of
さらに、実施の形態2の成膜装置は、実施の形態1の成膜装置と同様な効果を奏するとともに、以下の効果を奏する。 Further, the film forming apparatus of the second embodiment has the same effects as the film forming apparatus of the first embodiment and the following effects.
実施の形態2に係るミスト噴射ヘッド部100Bは、1つの原料溶液噴射用ノズル部N1Bにおいて、二つの空洞部11,12Bを設け、一つの反応材料噴射用ノズル部N3Bから、2種類の反応材料及び2つの不活性ガスを基板23に向けて噴射させている。
The mist
したがって、2種類の反応材料を噴射させる場合に、実施の形態1で説明したように、ミスト噴射ヘッド部100Bに二つの反応材料噴射用ノズル部N2,N3を設ける必要がなくなる。つまり、本実施の形態に係るミスト噴射ヘッド部100Bでは、省スペース化が可能となる。
Therefore, when two types of reactive materials are ejected, it is not necessary to provide two reactive material ejection nozzles N2 and N3 in the mist
さらに、実施の形態2に係るミスト噴射ヘッド部100Bは、一つの反応材料噴射用ノズル部N3B内に不活性ガス噴射部82B及び83Bを設けているため、実施の形態1のミスト噴射ヘッド部100のように不活性ガス噴射部82及び83を独立して設ける必要がなくなる分、ミスト噴射ヘッド部100Bでは、省スペース化が可能となる。
Furthermore, since the mist
加えて、ミスト噴射ヘッド部100Bは、実施の形態1と同様、吹き抜け部58を基板23側から塞ぐベースプレート部20Bを有している。したがって、排気用ノズル部N4を他のノズル部N1B及びN3Bから離して配置させたとしても、反応空間から吹き抜け部58へと、原料溶液等が流れることを防止できる。また、ミスト噴射ヘッド部100Bにおける、排気用ノズル部N4並びに他のノズル部N1B及びN3Bの組み立てが容易となる。
In addition, the mist
<その他>
なお、上述した実施の形態1及び実施の形態2では、反応材料噴出口16及び17(16B及び17B)から第1及び第2の反応材料を基板23に噴出する構成を示したが、単一の反応材料噴出口から単一の反応材料を噴出させる構成であっても良い。この場合、原料溶液噴出口15(15B)と単一の反応材料噴出口との間に単一の不活性ガス噴出口(不活性ガス噴出口192及び193(192B及び193B)に相当する不活性ガス噴出口)を設ければ、原料溶液噴出口15(15B)及び単一の反応材料噴出口それぞれの目詰まりを確実に回避することができる効果を発揮することができる。
<Others>
In the first embodiment and the second embodiment described above, the configuration in which the first and second reaction materials are ejected from the reaction
また、上述した実施の形態1及び実施の形態2では、載置部24が加熱処理を有さない態様を示したが、載置部24に加熱機能を設け、成膜処理時に載置部24の加熱機能による基板23の加熱処理を併せて実行するようにすることも勿論、可能である。
Moreover, in
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。 It should be noted that the present invention can be freely combined with each other within the scope of the invention, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.
1 原料溶液供給部
2,2B,3,3B 反応材料供給部
4 排気物出口部
6〜9 整流部
11〜14,12B及び13B 空洞部
15,15B 原料溶液噴出口
16,16B,17,17B 反応材料噴出口
18 排気口
20,20B ベースプレート部
21,21B 受皿
22 温度調節機構
23 基板
24 載置部
25 底面
30 枠部
41,41B 原料溶液排出部
42,42B,43 反応材料排出部
44 排気物導入部
51〜55,52B,53B 不活性ガス供給部
58 吹き抜け部
61〜64,71〜75,61B,62B,72B,73B 通路
81〜83,82B,83B 不活性ガス噴射部
100,100B ミスト噴射ヘッド部
191〜195,192B,193B 不活性ガス噴出口
N1,N1B 原料溶液噴射用ノズル部
N2,N3,N3B 反応材料噴射用ノズル部
N4 排気用ノズル部
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記基板が載置される載置部と、
前記載置部に載置されている前記基板の上面に対向して設けられ、底面に原料溶液噴出口及び排気口を有し、前記原料溶液噴出口より前記原料溶液を噴射し、前記排気口から排気処理を行うミスト噴射ヘッド部とを備え、
前記ミスト噴射ヘッド部の底面は、第1の水平方向に沿って、中央部が端部に比べ上方に凹んだ曲面構造を有するとともに、前記ミスト噴射ヘッド部の底面の前記第1の水平方向の端部直下に前記基板が存在しない対基板位置関係を有することを特徴する、
成膜装置。 A film forming apparatus for performing a film forming process for forming a film on a substrate by injecting a misted raw material solution into the atmosphere,
A placement section on which the substrate is placed;
It is provided facing the upper surface of the substrate placed on the mounting portion, has a raw material solution outlet and an exhaust port on the bottom surface, and jets the raw material solution from the raw material solution outlet, and the exhaust port And a mist ejection head portion that performs exhaust processing from
The bottom surface of the mist ejection head portion has a curved structure in which the center portion is recessed upward relative to the end portion along the first horizontal direction, and the first horizontal direction of the bottom surface of the mist ejection head portion is It has a substrate-to-substrate positional relationship in which the substrate does not exist immediately below the end,
Deposition device.
前記ミスト噴射ヘッド部は、底面に反応材料噴出口及び不活性ガス噴出口をさらに有し、前記反応材料噴出口より前記原料溶液との反応に寄与する反応材料を噴射し、前記不活性ガス噴出口より不活性ガスを噴射する、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1,
The mist injection head unit further includes a reactive material outlet and an inert gas outlet on the bottom surface, and injects the reactive material that contributes to the reaction with the raw material solution from the reactive material outlet, Injecting inert gas from the outlet,
Deposition device.
前記基板の温度は、成膜処理時にミスト化された前記原料溶液の沸点未満に設定される、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1 or 2,
The temperature of the substrate is set to be less than the boiling point of the raw material solution that has been misted during the film formation process.
Deposition device.
前記ミスト噴射ヘッド部の底面は前記第1の水平方向に沿って、500(mm)以上、10000(mm)以下の曲率半径を満足する曲面構造を有することを特徴とする、
成膜装置。 It is the film-forming apparatus of any one of Claims 1-3,
The bottom surface of the mist ejection head unit has a curved surface structure that satisfies a radius of curvature of 500 (mm) or more and 10,000 (mm) or less along the first horizontal direction.
Deposition device.
前記ミスト噴射ヘッド部の底面の下方に、前記ミスト噴射ヘッド部の底面の端部から落下する液体を収納するように設けられた受皿をさらに備える、
成膜装置。 The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein:
A tray is further provided below the bottom surface of the mist ejection head unit so as to store liquid falling from the end of the bottom surface of the mist ejection head unit.
Deposition device.
前記ミスト噴射ヘッド部は、
前記原料溶液噴出口より前記原料溶液の噴射を行う原料溶液噴射用ノズル部を備え、
前記原料溶液噴射用ノズル部は、
第1の空洞部と、
前記第1の空洞部内に、ミスト化された前記原料溶液を供給する原料溶液供給部と、
前記第1の空洞部の底面より離れた位置において、前記第1の空洞部内の側面に設けられ、前記原料溶液噴出口と接続されている原料溶液排出部と、
前記第1の空洞部内に配設されている、前記原料溶液の流れを整える第1の整流部とを含む、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 2,
The mist ejection head part is
A raw material solution injection nozzle portion for injecting the raw material solution from the raw material solution outlet;
The raw material solution injection nozzle is
A first cavity,
In the first cavity, a raw material solution supply part that supplies the misted raw material solution;
A raw material solution discharge part provided at a side surface in the first hollow part at a position away from the bottom surface of the first hollow part and connected to the raw material solution outlet;
Is disposed within the first cavity, and a first rectifier which adjust the flow of the raw material solution,
Deposition device.
前記ミスト噴射ヘッド部は、
前記原料溶液噴射用ノズル部に第2の水平方向に沿って配設されており、前記反応材料を噴射する反応材料噴射用ノズル部をさらに備え、前記第2の水平方向は前記第1の水平方向に直交する
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 6,
The mist ejection head part is
The raw material solution injection nozzle part is disposed along a second horizontal direction, and further includes a reactive material injection nozzle part for injecting the reactive material, wherein the second horizontal direction is the first horizontal direction. A film forming apparatus orthogonal to the direction.
前記不活性ガス噴出口は第1及び第2の不活性ガス噴出口を含み、
前記反応材料は第1及び第2の反応材料を含み、前記反応材料噴出口は前記第1及び第2の反応材料を噴出するための第1及び第2の反応材料噴出口を含み、
前記ミスト噴射ヘッド部は、
底面に設けられる前記原料溶液噴出口より、前記原料溶液を噴射する原料溶液噴射用ノズル部と、
前記原料溶液噴射用ノズル部を挟んで配設されており、底面に設けられる前記第1及び第2の反応材料噴出口より、前記第1及び第2の反応材料を噴射する第1及び第2の反応材料噴射用ノズル部と、
底面に設けられる前記第1及び第2の不活性ガス噴出口より、不活性ガスを噴射する第1及び第2の不活性ガス噴射部とを備え、
前記第1の不活性ガス噴射部は前記原料溶液噴射用ノズル部と前記第1の反応材料噴射用ノズル部との間に設けられ、前記第2の不活性ガス噴射部は前記原料溶液噴射用ノズル部と前記第2の反応材料噴射用ノズル部との間に設けられる、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 2,
The inert gas outlet includes first and second inert gas outlets,
The reactive material includes first and second reactive materials; the reactive material outlet includes first and second reactive material outlets for ejecting the first and second reactive materials;
The mist ejection head part is
From the raw material solution outlet provided on the bottom surface, a raw material solution injection nozzle portion for injecting the raw material solution,
First and second spraying the first and second reaction materials from the first and second reaction material ejection ports disposed on the bottom surface, with the raw material solution ejection nozzle portion interposed therebetween. A nozzle part for injecting reactive material,
From the first and second inert gas outlets provided on the bottom surface, the first and second inert gas injection units that inject the inert gas,
The first inert gas injection section is provided between the raw material solution injection nozzle section and the first reactive material injection nozzle section, and the second inert gas injection section is used for the raw material solution injection. Provided between the nozzle portion and the second reactive material injection nozzle portion;
Deposition device.
前記不活性ガス噴出口は第1及び第2の不活性ガス噴出口を含み、
前記反応材料は第1及び第2の反応材料を含み、前記反応材料噴出口は前記第1及び第2の反応材料を噴出するための第1及び第2の反応材料噴出口を含み、
前記ミスト噴射ヘッド部は、
前記原料溶液の噴射に加え、前記第1の反応材料の噴射を行う原料溶液噴射用ノズル部と、
前記原料溶液噴射用ノズル部と隣接して配設されており、底面に前記原料溶液噴出口、前記第1及び第2の反応材料噴出口、並びに前記第1及び第2の不活性ガス噴出口を有する反応材料噴射用ノズル部とを備え、
前記原料溶液噴射用ノズル部は、
前記原料溶液及び前記第1の反応材料を前記反応材料噴射用ノズル部に排出可能な原料溶液排出部及び第1の反応材料排出部を有し、
前記反応材料噴射用ノズル部は、
前記第1及び第2の不活性ガス噴出口よりそれぞれ不活性ガスを噴出し、前記第2の反応材料噴出口より前記第2の反応材料を噴出するとともに、
前記原料溶液噴射用ノズル部の前記原料溶液排出部及び前記第1の反応材料排出部より排出される前記原料溶液及び前記第1の反応材料を前記原料溶液噴出口及び第1の前記反応材料噴出口に導く第1及び第2の内部通路を有する、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 2,
The inert gas outlet includes first and second inert gas outlets,
The reactive material includes first and second reactive materials; the reactive material outlet includes first and second reactive material outlets for ejecting the first and second reactive materials;
The mist ejection head part is
In addition to the injection of the raw material solution, a raw material solution injection nozzle portion for injecting the first reaction material,
The raw material solution injection nozzle is disposed adjacent to the raw material solution injection nozzle, the raw material solution injection port, the first and second reaction material injection ports, and the first and second inert gas injection ports on the bottom surface. A reactive material injection nozzle having
The raw material solution injection nozzle is
A raw material solution discharge section and a first reactive material discharge section capable of discharging the raw material solution and the first reactive material to the reactive material injection nozzle section;
The reactive material injection nozzle is
Inert gas is ejected from each of the first and second inert gas ejection ports, and the second reaction material is ejected from the second reaction material ejection port.
The raw material solution and the first reaction material discharged from the raw material solution discharge portion and the first reaction material discharge portion of the raw material solution injection nozzle portion are supplied to the raw material solution outlet and the first reaction material jet. Having first and second internal passages leading to the outlet;
Deposition device.
前記反応材料噴射用ノズル部は、
第2の空洞部と、
前記第2の空洞部内に前記反応材料を供給する反応材料供給部と、
前記第2の空洞部の底面より離れた位置において、前記第2の空洞部内の側面に設けられ、前記反応材料噴出口と接続されている反応材料排出部とを、有する、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 7, wherein
The reactive material injection nozzle is
A second cavity,
A reaction material supply unit for supplying the reaction material into the second cavity,
A reaction material discharge portion provided on a side surface in the second cavity portion at a position away from the bottom surface of the second cavity portion and connected to the reaction material ejection port;
Deposition device.
前記ミスト噴射ヘッド部は、
排気口より排気処理を行う排気用ノズル部をさらに備え、
前記排気用ノズル部は、
前記原料溶液噴射用ノズル部が前記原料溶液を噴出している流量と、前記反応材料噴射用ノズル部が前記反応材料を噴出している流量との和以上の流量で、前記排気処理を行う、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 10,
The mist ejection head part is
It further includes an exhaust nozzle part that performs exhaust processing from the exhaust port,
The exhaust nozzle portion is
The exhaust treatment is performed at a flow rate that is equal to or higher than the flow rate at which the raw material solution jetting nozzle part ejects the raw material solution and the reactive material jetting nozzle part jets the reactive material;
Deposition device.
前記排気用ノズル部は、
第3の空洞部と、
前記第3の空洞部の底面より離れた位置において、前記第3の空洞部内の側面に設けられ、前記排気口と接続されている排気物導入部と、
前記排気物導入部より上方に配設されており、排気物を前記第3の空洞部から前記排気用ノズル部外へと排出する排気物出口部とを含む、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 11,
The exhaust nozzle portion is
A third cavity,
An exhaust gas introduction part provided on a side surface in the third cavity part at a position away from the bottom surface of the third cavity part and connected to the exhaust port;
An exhaust outlet that is disposed above the exhaust introduction portion and discharges the exhaust from the third cavity to the outside of the exhaust nozzle,
Deposition device.
前記ミスト噴射ヘッド部は、
前記原料溶液噴射用ノズル部と前記排気用ノズル部との間に設けられている吹き抜け部と、
前記吹き抜け部を、前記基板の配置側から塞ぐベースプレート部とをさらに備える、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 11,
The mist ejection head part is
A blow-off portion provided between the raw material solution injection nozzle portion and the exhaust nozzle portion;
And further comprising a base plate portion that closes the blow-by portion from the arrangement side of the substrate.
Deposition device.
前記ベースプレート部は、
不活性ガスを噴出する第3の不活性ガス噴出口が配設されている、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 13,
The base plate portion is
A third inert gas outlet for ejecting the inert gas is disposed;
Deposition device.
前記原料溶液噴射用ノズル部、前記反応材料噴射用ノズル部及び前記排気用ノズル部は、前記第2の水平方向に並んで配置されており、
少なくとも前記排気用ノズル部は、
前記ミスト噴射ヘッド部の最外側に位置している、
成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 11,
The raw material solution injection nozzle part, the reactive material injection nozzle part and the exhaust nozzle part are arranged side by side in the second horizontal direction,
At least the exhaust nozzle portion is
It is located on the outermost side of the mist ejection head part,
Deposition device.
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