JP6462128B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は半導体装置に関し,特に,自動車,鉄道等の車両,飛行機,ロボット,建設機械,農業機械,携帯電話,スマートフォン,タブレット,デジタルカメラ,ビデオカメラ等の運動体の運動状態を測定する加速度・角速度センサなどの慣性センサや,フィルタ,クロック発生用の振動子等,構造体が気密に封止された微小電気機械システム(MEMS(Micro Electro Mechanical Systems))素子の他,デジタルカメラ,ビデオカメラ,携帯電話,スマートフォン,タブレット等の撮影機能や,自動車の自動ブレーキ制御用の環境認識等に使用される,CCD(Charge Coupled Device)撮像素子やCMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor)撮像素子等の受光素子,LED(LightEmitting Diode)や半導体レーザ等の発光素子等に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device, in particular, an acceleration / measurement for measuring a motion state of a moving body such as a vehicle such as an automobile or a railway, an airplane, a robot, a construction machine, an agricultural machine, a mobile phone, a smartphone, a tablet, a digital camera, or a video camera. In addition to inertial sensors such as angular velocity sensors, filters, oscillators for generating clocks, etc., micro electro mechanical system (MEMS) elements such as digital cameras, video cameras, CCD (Charge Coupled Device) image sensor and CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) used for shooting functions of mobile phones, smartphones, tablets, etc., and environment recognition for automatic brake control of automobiles, etc. r) image sensor or the like of the light receiving element, to a LED (LightEmitting Diode) or a semiconductor laser having a light emitting element or the like.
近年,デジタルカメラの手ブレ防止,自動車やロボット等の姿勢制御などを目的にして,MEMS技術を用いた振動子を有するセンサが幅広く用いられるようになってきている。 In recent years, sensors having vibrators using MEMS technology have been widely used for the purpose of preventing camera shake of digital cameras and controlling the posture of automobiles and robots.
一般的に,この種の振動子はシリコン等の半導体基板やガラス基板等をエッチング等のMEMS技術を用いて加工することにより形成され,一定の雰囲気,圧力環境下で別の基板を張り合わせることにより,空隙を形成し,空隙は気密封止されている。例えば,特許文献1には気密封止した角速度センサチップと加速度センサチップが記載されている。
In general, this type of vibrator is formed by processing a semiconductor substrate such as silicon or a glass substrate using a MEMS technique such as etching, and is bonded to another substrate in a certain atmosphere and pressure environment. Thus, a gap is formed and the gap is hermetically sealed. For example,
また,デジタルカメラやスマートフォン等に用いられている受光素子としては,例えば,特許文献2記載のように,凹部を有するセラミックのパッケージとカバー部材とを用いて,ウエハから個片化された撮像素子のチップを内部に封止する構成が知られている。
In addition, as a light receiving element used in a digital camera, a smartphone, or the like, for example, as described in
これらの素子のパッケージ構造として,樹脂パッケージが着目されている。樹脂パッケージは,従来のセラミクスパッケージよりも,量産性が高く,製造コストを低減する上で有効なパッケージ形態である。例えば,特許文献3には樹脂パッケージを用いた加速度センサが記載されている。 As a package structure of these elements, a resin package has attracted attention. Resin packages are more productive than conventional ceramic packages and are effective in reducing manufacturing costs. For example, Patent Document 3 describes an acceleration sensor using a resin package.
ところで,上述した従来技術において,チップにおける振動体は,センサチップ内に形成した空隙部(以下,キャビティ)に気密封止されている。また,キャビティ内は,大気圧又は真空となっている。このようなセンサチップを樹脂パッケージする場合において,例えばトランスファモールド工程を適用すると,樹脂を5〜20MPa程度の高圧で金型中に充填する際,センサチップに対しても高圧が印加され,センサチップの内外圧力差が大きい為に,センサチップのキャビティが変形し,キャビティに対してキャビティを構成する材料が持つ破壊応力以上の応力が印加された場合,キャビティが破壊し,キャビティ内の気密性が失われる,また,キャビティが振動体の方向に陥没し,振動体に接触する場合,振動体やキャビティ自体を破壊する場合がある。 By the way, in the above-described prior art, the vibrating body in the chip is hermetically sealed in a gap (hereinafter referred to as a cavity) formed in the sensor chip. The cavity is at atmospheric pressure or vacuum. When such a sensor chip is packaged with a resin, for example, when a transfer molding process is applied, when the resin is filled in the mold at a high pressure of about 5 to 20 MPa, a high pressure is also applied to the sensor chip. Because of the large pressure difference between the inside and outside of the sensor, the cavity of the sensor chip is deformed, and if a stress greater than the fracture stress of the material constituting the cavity is applied to the cavity, the cavity breaks and the airtightness inside the cavity is reduced. If the cavity is lost in the direction of the vibrating body and comes into contact with the vibrating body, the vibrating body or the cavity itself may be destroyed.
応力σと圧力Pの関係は数1によって表される。この時の最大応力はキャビティ長辺側の端部に印加され,その箇所で耐圧破壊する。
The relationship between the stress σ and the pressure P is expressed by
更に,前記キャビティの圧力Pによるキャビティの変位Wは数2によって表され,最大変位はキャビティ中心部で発生する。このとき,前述のように耐圧破壊しない圧力下であっても,無負荷時における前記振動体と前記キャビティ間ギャップgを変位Wが上回ると,キャビティが振動体と接触するため,振動体やキャビティ自体を破壊する場合がある。
Further, the displacement W of the cavity due to the pressure P of the cavity is expressed by
キャビティ上部において,耐圧向上や変位低減をするには,キャビティ上部の基板を厚くすれば良いのは明らかである。しかしながら,振動体とセンサチップ外部との間で,電気信号を入出力する場合,キャビティを形成している基板の垂直方向に貫通配線を形成し,キャビティ上部にワイヤボンディング用のパッドを設けワイヤボンディングによりセンサチップ外部と電気的に接続する場合がある。その際,貫通配線は,基板の垂直方向にエッチングを行い,エッチングした側壁に対して絶縁体により素子分離をした上で,残りのエッチング部に対して多結晶シリコンや金属等の部材を埋め込むことで形成される。このとき,キャビティ上部の耐圧向上の対策として,キャビティ上部の基板を厚くした場合,貫通配線の電気特性が悪化するために,センサの性能が悪化する。例えば,数3に示している貫通配線の抵抗Rvが増加するため,数4に示している熱雑音Vnが増加する。これらの問題を考慮すると,キャビティ上部の基板を厚くするのは容易ではない。
In order to improve the pressure resistance and reduce the displacement at the upper part of the cavity, it is obvious that the substrate on the upper part of the cavity should be thickened. However, when electrical signals are input and output between the vibrating body and the outside of the sensor chip, a through-wiring is formed in the direction perpendicular to the substrate forming the cavity, and a wire bonding pad is provided above the cavity to perform wire bonding. May be electrically connected to the outside of the sensor chip. At that time, the through wiring is etched in the vertical direction of the substrate, the element is separated from the etched side wall by an insulator, and a member such as polycrystalline silicon or metal is embedded in the remaining etched portion. Formed with. At this time, if the substrate above the cavity is thickened as a measure for improving the breakdown voltage above the cavity, the electrical characteristics of the through wiring deteriorate, and the sensor performance deteriorates. For example, since the resistance Rv of the through wiring shown in Equation 3 increases, the thermal noise Vn shown in
上述した課題を解決するためには,前記キャビティ上部に圧力をかけずに樹脂パッケージすることが有効である。それにより,数1及び数2で示しているキャビティ上部や振動体の破壊を防ぐことができる。
In order to solve the above-mentioned problems, it is effective to package the resin without applying pressure to the upper part of the cavity. As a result, it is possible to prevent destruction of the cavity upper part and the vibrating body shown in
上記の目的を達成するため,本願において開示される発明のうち,代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。 In order to achieve the above object, the effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
請求項1記載の発明では,センサチップと,前記センサチップの内周部を覆った第一の樹脂と,前記センサチップの外周部を覆った第二の樹脂とを備えた半導体装置であることを特徴としている。本発明では,センサチップの外周部と内周部の樹脂を分けることで,外周部は,従来通りトランスファモールドを採用することで,強固に固定することができる。一方,外周部が強固に固定できない場合は,センサチップの実装状態が温度変化や経時変化により変化し,傾きが発生する可能性がある。例えば,加速度センサチップが検出軸方向に傾きφradが発生した場合,感度Sは数5で示すようにS´に変化し,ゼロ点Zは数6で示すようにZ´に変化する問題がある。
The invention according to
また、請求項1記載の発明では,センサチップは,気密封止された空隙が形成されたセンシング部を有し,前記センサチップの表面は,前記空隙を覆う第一表面と,前記第一表面の外周に位置する第二表面とを有し,前記第一の樹脂は,前記センサチップの前記第一表面を覆い,前記第二の樹脂は,前記センサチップの前記第二表面を覆い,前記第一の樹脂と前記第二の樹脂とは,前記センサチップの表面と垂直な方向において互いに重ならないことを特徴としている。 In the first aspect of the present invention , the sensor chip has a sensing part in which a hermetically sealed gap is formed, and the surface of the sensor chip includes a first surface covering the gap and the first surface. and a second surface located on an outer periphery of said first resin, covers the first surface of the sensor chip, said second resin is not covered with the second surface of the sensor chip, The first resin and the second resin do not overlap with each other in a direction perpendicular to the surface of the sensor chip .
前記センシング部に空隙を有している場合,前記センシング部を外周部と同じく強固にモールドすると,センシング部に変形や破壊が発生する問題がある。本発明では,センシング部は,外周部とは別にモールドすることにより,例えばポッティング等の方式で柔らかくモールドすることが出来,センシング部の変形の抑制や破壊を防止することが出来る。 In the case where the sensing part has a gap, there is a problem that if the sensing part is molded as well as the outer peripheral part, the sensing part is deformed or broken. In the present invention, the sensing part can be molded softly by a method such as potting, for example, by molding separately from the outer peripheral part, and the deformation and the destruction of the sensing part can be prevented.
更に,前述の変形や破壊に対して許容できる耐圧力範囲内において,前記キャビティ上部の厚さhは薄くすることもできるようになるため,キャビティ基板自体が薄くなり,前記貫通配線の長さtも短くすることができる。それにより,数3に示している貫通配線の抵抗Rvが低くなることで,数4に示す熱雑音Vnが低くなり,センサの性能を向上することができる。
Further, since the thickness h of the upper part of the cavity can be reduced within the allowable pressure resistance range against the above-described deformation and breakage, the cavity substrate itself becomes thinner, and the length t of the through wiring is reduced. Can also be shortened. As a result, the resistance Rv of the through wiring shown in Equation 3 is reduced, so that the thermal noise Vn shown in
請求項2記載の発明では,第一の樹脂と第二の樹脂が同一の材質であることを特徴としている。本構造により,第一の樹脂と第二の樹脂が同一であるために,線膨張係数やヤング率等の物性値が同一になるため,第一の樹脂と第二の樹脂間で発生する歪や変形を抑えることができる。
The invention according to
請求項3記載の発明では,第一の樹脂と第二の樹脂が互いに異なる材質であることを特徴とし,更に,請求項4記載の発明では,第一の樹脂のヤング率が小さいことを特徴としている。本構造により,第一の樹脂で生じる変形を抑えることができ,前記センシング部の変形の抑制や破壊を防止することが出来る。
The invention described in claim 3 is characterized in that the first resin and the second resin are different from each other, and in the invention described in
また,請求項5記載の発明では,第一の樹脂は光を透過することを特徴としている。本構造により,光が樹脂を透過するため,受光素子や発光素子のパッケージングに適用できる。また,センシング部まで光が透過するため,封止後にセンシング部の形状検査が光学的に可能になる。更に,センシング部表面にセンサチップの個別番号を刻印しておくことで,センサチップの個別確認も光学的に可能になる。
Further, the invention according to
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは,複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが,特に明示した場合を除き,それらはお互いに無関係なものではなく,一方は他方の一部または全部の変形例,詳細,補足説明等の関係にある。 In the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant to each other. There are some or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like.
また,以下の実施の形態において,要素の数等(個数,数値,量,範囲等を含む)に言及する場合,特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き,その特定の数に限定されるものではなく,特定の数以上でも以下でもよい。 Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), especially when clearly indicated, or when clearly limited to a specific number in principle. Except for the specific number, the number may be more or less than the specific number.
さらに,以下の実施の形態において,その構成要素(要素ステップ等も含む)は,特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き,必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。 Furthermore, in the following embodiments, the constituent elements (including element steps) are not necessarily essential unless explicitly stated or considered to be clearly essential in principle. Needless to say.
同様に,以下の実施の形態において,構成要素等の形状,位置関係等に言及するときは,特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き,実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは,上記数値および範囲についても同様である。 Similarly, in the following embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the components, etc., it is substantially the case unless otherwise specified or otherwise considered in principle. Including those that are approximate or similar to the shape. The same applies to the above numerical values and ranges.
また,実施の形態を説明するための全図において,同一の部材には原則として同一の符号を付し,その繰り返しの説明は省略する。なお,図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。 In all the drawings for explaining the embodiments, the same members are, in principle, given the same reference numerals, and the repeated explanation thereof is omitted. In order to make the drawing easy to understand, even a plan view may be hatched.
(実施の形態1)
本発明の構造第1の実施例として,MEMS型加速度センサを用いて発明を説明する。(Embodiment 1)
As a first embodiment of the structure of the present invention, the invention will be described using a MEMS type acceleration sensor.
図1は静電容量検出型の加速度センサチップ11の上面図であり,図2は図1のA−A’の断面図,図3は図1のB−B’の断面図を示している。また,図4は図2のC−C’の平面図,図5は図2のD−D’の平面図を示している。そして,図6は前記加速度センサチップ11のチップパッケージ19における平面図,図7は図6のA−A’断面図を示している。
1 is a top view of an
加速度センサチップ11は,キャビティ基板1と振動体を形成したデバイス基板4と,振動体を支持する支持基板5とで構成される。
The
まず,振動体の形成において,単結晶シリコンからなるデバイス基板4と単結晶シリコンもしくはガラスからなる支持基板5とを絶縁膜6を介して張り合わせる。この際,支持基板5には予めキャビティ5aを形成しておいても良いし,なくても良い。次に,これらの張り合わせた基板をフォトリソグラフィとDRIE(Deep Reactive Ion Etching)を用いて,デバイス基板4と絶縁膜6を加工することで振動体を形成する。
First, in the formation of the vibrator, the
デバイス基板4に形成した振動体において,図4に示すように,振動体である錘4aには,錘4aの振動方向とは直交する方向に支持梁4bが接続される。これらの支持梁4bの他方の端部は,それぞれ振動方向と直交した方向にあるアンカー4cと接続される。このとき,アンカー4cは絶縁膜6を介して支持基板5に固定されているため,錘4aはY軸方向に振動可能になる。また,アンカー4cの一部は,アンカー4dのように後述する貫通配線7と電気的に接続可能となっており,錘4a側と外部回路間との電気的接続に使用される。
In the vibrating body formed on the
デバイス基板4に形成された櫛歯状の検出電極4eは,錘4aの外側に形成される。櫛歯状の検出電極4eに対向して,櫛歯状の固定電極4fがデバイス基板4と絶縁膜6上に形成され,支持基板5に対して固定される。そして,数7で示すように,検出電極4eと固定電極4f間の距離dと対向面積Aと誘電率ε,電極4e,4f間の対向数nとで静電容量Cを形成する。そして,振動体にy軸方向に加速度が印加されると,可動体である錘4aはy軸方向に変位し,この時の電極間の変位量Δyが静電容量変化ΔCとなる。
The comb-
次に,キャビティ基板1においては,単結晶シリコンからなり,フォトリソグラフィとDRIEを用いることでキャビティと貫通配線7のための複数の貫通孔を形成する。そして,貫通配線7は,貫通孔の側壁を絶縁膜8で覆った上で,内側を低抵抗シリコンもしくは金属材料により埋め込んで形成する。そして,キャビティ1aと反対の面に,図5に示すように,平面配線9を形成する。平面配線9は,キャビティの外周よりも外側に配置したパッド9aと貫通配線7とをそれぞれ電気的に接続し,更に傷や水分による腐食に対する保護のため,パッド開口部10aを除いて,絶縁膜10で覆われる。
Next, the
以上で構成されるキャビティ基板1はデバイス基板4と張り合わせることで加速度センサチップ11になる。この時,デバイス基板上に形成した検出電極4e,固定電極4fは貫通配線を介して,キャビティ基板上面のパッド9aに電気的に接続される。なお,張り合わせの際は,大気圧もしくは真空にて気密封止することで,ダンピングの効果を得ている。
The
前述の通り作成された加速度センサチップ11は,図6,図7に示すようにチップパッケージに組み立てられる。加速度センサチップ11は,回路基板12上に接着材13を介して実装され,ワイヤボンディング14により,回路基板13と電気的に接続される。そして,回路基板12はリードフレーム上15に接着材16を介して実装し,回路基板12とリードフレーム15はワイヤボンディング17により電気的に接続される。
The
次に,樹脂封止によりチップパッケージ20となる。樹脂封止においては,先ず,図1に示した前記キャビティ部1b外周の領域2を除いて,第二の樹脂19にてトランスファモールドにより封止する。次に,前記領域2を第一樹脂18にてポッティング等により低圧で封止する。本構造により,モールド圧力によるキャビティ上部の変形抑制や破壊防止をすることができる。
Next, the
(実施の形態2)
本発明の構造第2の実施例として,チップパッケージの変形例について述べる。(Embodiment 2)
As a second embodiment of the structure of the present invention, a modification of the chip package will be described.
図6,図7に示すチップパッケージ20の変形例として,チップパッケージ21について,図8,図9を参照しつつ説明する。なお,図6,図7と同一の構成要素については,その詳細な説明を省略し,以下,異なる点を中心に説明することとする。
As a modification of the
チップパッケージ21において,回路基板12は基板22上のパッド23にワイヤボンディング17により電気的に接続される。このとき,基板22の材質はセラミクスやシリコン,アルミナの他,エポキシ,ガラスエポキシ等のプラスチック等が挙げられる。そして,パッド23は基板22に形成された配線24を介して,パッド23とは反対の面に形成されたパッド25に接続される。
In the
次に,樹脂封止において,第二の樹脂19は,基板22のパッド23側の面において,領域2を除いて封止する。次に,前記領域2を第一樹脂18にてポッティング等により低圧で封止する。本構造により,モールド圧力によるキャビティ上部の変形抑制や破壊防止をすることができる。
Next, in resin sealing, the
なお,チップパッケージ21をプリント基板等に実装して電気的に接続するために,パッド25には半田ボール26を接続しても良い。
Note that a
(実施の形態3)
以下,本発明の構造第3の実施例としてMEMS型角速度センサについて述べる。
図10は静電容量検出型の角速度センサチップ11aの上面図であり,図11は図10のA−A’の断面図,図12は図10のB−B’の断面図を示している。また,図13は図11のC−C’の平面図,図14は図11のD−D’の平面図を示している。本構造は,図1乃至図9に示した構造と同様の手法で作成できるが,デバイス基板4で作成する振動体の構造が異なる。以下,図10乃至図14を説明するに当たり,図1乃至図9と同一の構成要素については,その詳細な説明を省略し,異なる点を中心に説明することとする。(Embodiment 3)
Hereinafter, a MEMS type angular velocity sensor will be described as a third embodiment of the structure of the present invention.
10 is a top view of the capacitance detection type angular
角速度センサチップ11aの構造において,後述する振動体を形成したデバイス基板4は,キャビティ基板1と支持基板5とで張り合わせることで,中空構造とし,且つ真空もしくは大気にて気密に封止された構成であることを特徴としている。そして,角速度センサチップ11aは,角速度センサ用の回路基板12aに接続され,図6,図7もしくは図8,図9と同様に,チップパッケージ20もしくはチップパッケージ21の形態に組み立てられる。
In the structure of the angular
角速度センサチップ11aにおいて,左側の振動子4q1と右側の振動子4q2は,互いに対称形状でかつ対称となる位置に配置されており,リンク梁4pを介して接続されている。そして,デバイス基板4のみで形成される部分については,両方ともアンカー4cと絶縁膜6を介して,支持基板5に対して可動であり,振動子4q1と4q2の固有振動数は等しく設計される。
In the angular
デバイス基板4においては,第1の振動体である錘4hが形成され,振動体の駆動方向とは直交する方向に支持梁4iが接続される。これらの支持梁4iの他方の端部はそれぞれ駆動方向と直交した方向にあるアンカー4cと接続される。この第1の振動体である錘4hは支持梁4iによりX軸方向に振動可能となっている。また,アンカー4cの一部は,アンカー4dのように前述の貫通配線7と電気的に接続可能となっており,振動体側と外部回路間との電気的接続に使用される。
In the
デバイス基板4に形成された櫛歯状の駆動電極4lは,第1の振動体である錘4hの外側に形成される。櫛歯状の駆動電極4lに対向して,櫛歯状の駆動電極4mがデバイス基板4と絶縁膜6上に形成され,支持基板5に対して固定される。
The comb-shaped
駆動電極4mは,キャビティ基板上の貫通配線8と平面配線9を介してパッド9aに電気的に接続された上で,外部の発振回路と接続されており,駆動電極4mに所定の周波数信号が印加されると,電極4l,4m間で静電力を発生し,第1の振動体である錘4hはX軸方向に振動する。
The
デバイス基板4上において,第2の振動体である錘4jは,第1の振動体である錘4hの内側に形成され,錘4jの上下には錘4hの振動方向と同方向に伸びる検出用の梁4kを設け,梁4kの他方の端部は第1の振動体である錘4hに連結される。この第2の振動体である錘4jは,支持基板5からみて可動であり,検出用の梁4kにより第1の振動体である錘4hと連動して振動するほか,X軸とは直交したY軸方向に振動が可能となっている。
On the
第2の振動体である錘4jのY軸方向の変位を検出する手段として,錘4jに隣接して櫛歯状の検出電極4nをデバイス基板4上に設ける。検出電極4nと対向した位置に櫛歯状の検出4oを設ける。検出電極4oは,デバイス基板4と絶縁膜6上に形成され,支持基板5に固定されている。そして,検出電極4oは,キャビティ基板上の貫通配線8と平面配線9を介してパッド9aに電気的に接続された上で,外部の信号処理回路と接続されている。
As a means for detecting the displacement in the Y-axis direction of the
第2の振動体である錘4jがY軸方向に変位した場合,電極4n,4o間の静電容量が変化し,電極4oはこの静電容量に応じた信号を出力する。
When the
ここで,第1の振動体である錘4h,第2の振動体である錘4jの質量と,支持梁4i,の形状を適宜設定することによって,錘4hと錘4jは,固有振動数fxでX軸方向に振動する。
Here, by appropriately setting the mass of the
また,第2の振動体である錘4jの質量と,検出用の梁4kの形状を適宜設定することによって,錘4jは固有振動数fyでY軸方向にも振動する。
Further, by appropriately setting the mass of the
本発明の実施形態による角速度センサにおいては,次のような動作をする。 The angular velocity sensor according to the embodiment of the present invention operates as follows.
まず,左側の振動子4q1と右側の振動子4q2は,それぞれ逆相で振動するように,図13の駆動電極4mに周波数fの交流電圧を印加し,電極4m,4l間に静電気力を発生させ,X軸方向に,第1の振動体である錘4hを振動させる。このとき,第2の振動体である錘4jは,X軸方向に錘4hと連動して振動する。このとき,錘4hのX軸方向の変位xとその速度vの関係は数8によって表わされる。
First, the left vibrator 4q1 and the right vibrator 4q2 generate an electrostatic force between the
このような,錘4hと錘4jがX軸方向に振動した状態で,角速度センサに図13の紙面に直交するZ軸周りに角速度Ωが加わると,Y軸方向にコリオリ力Fc(数9)が発生する。そして,錘4jはY軸方向にコリオリ力Fcで変位する。
In such a state where the
第2の振動体である錘4jは,数9で示すコリオリ力FcによってY軸方向に振動し,検出電極4n,4o間の静電容量が変化する。この静電容量変化を検出することで,Z軸周りの角速度Ωを検出することができる。
The
なお,第2の振動体である錘4jの変位量の測定方法としては,検出電極4n,4o間の静電容量変化,すなわち,錘4jのY軸方向の変位量が0になるように,電極4n,4o間に印加する電圧をサーボ制御し,その印加電圧より,コリオリ力Fcを求めても良い。
In addition, as a measuring method of the displacement amount of the
また,互いに対称となるように配置された左側の振動子4q1,右側の振動子4q2を備えるのは,振動子4q1と振動子4q2が互いに逆相に駆動振動させることによって,外部からの加速度をキャンセルしつつ,角速度の検出信号を2個の振動子からの足し合わせとして感度良く検出することと,振動子の振動が外部に漏れにくくすることが可能であるという利点がある。 Further, the left vibrator 4q1 and the right vibrator 4q2 arranged so as to be symmetric with each other are provided such that the vibrator 4q1 and the vibrator 4q2 drive and vibrate in mutually opposite phases, thereby increasing the acceleration from the outside. While canceling, there is an advantage that the detection signal of the angular velocity can be detected with high sensitivity as an addition from the two vibrators, and the vibration of the vibrator can be hardly leaked to the outside.
(実施の形態4)
本発明の構造第4の実施例として複合センサについて述べる。複合センサは,例えば前記加速度センサと前記角速度センサ等の複数のセンサが,一つのパッケージに纏められたものであり,本形態においては,リードフレーム15もしくは,基板22は一つであることを特徴とする。(Embodiment 4)
A composite sensor will be described as a fourth embodiment of the structure of the present invention. The composite sensor is a sensor in which a plurality of sensors such as the acceleration sensor and the angular velocity sensor are combined in one package. In the present embodiment, the
以下,図15,図16を説明するに当たり,図6乃至図9と同一の構成要素については,その詳細な説明を省略し,異なる点を中心に説明することとする。 In the following description of FIGS. 15 and 16, the detailed description of the same components as those in FIGS. 6 to 9 will be omitted, and different points will be mainly described.
チップパッケージの形態は以下の通りである。図7の変形例としてチップパッケージ20aを図15に,図9の変形例としてチップパッケージ21aを図16に示す。
The form of the chip package is as follows. FIG. 15 shows a chip package 20a as a modification of FIG. 7, and FIG. 16 shows a
なお,前記複合センサの組み合わせは,一つの加速度センサと一つの角速度センサのみの限りではなく,同じ種類のセンサであっても,異なる種類のセンサであってもどちらでも良く,センサが二個以上で構成されていれば良い。 The combination of the composite sensors is not limited to only one acceleration sensor and one angular velocity sensor, and may be the same type of sensor or different types of sensors, and two or more sensors may be used. It only has to be configured.
(実施の形態5)
本発明の構造第5の実施例として前記複合センサの変形例について述べる。本形態においては,複合センサ用の回路基板12bは,複数のセンサの回路基板が一つの基板に作成されていることを特徴とする。(Embodiment 5)
A modified example of the composite sensor will be described as a fifth embodiment of the structure of the present invention. In this embodiment, the
以下,図17,図18を説明するに当たり,図6,図7,図8,図9,図15,図16と同一の構成要素については,その詳細な説明を省略し,異なる点を中心に説明することとする。 In the following description of FIGS. 17 and 18, detailed description of the same components as those of FIGS. 6, 7, 8, 9, 15, and 16 is omitted. I will explain.
チップパッケージの形態は以下の通りである。図7の変形例としてチップパッケージ20bを図17,図9の変形例としてチップパッケージ21bを図18に示す。
The form of the chip package is as follows. FIG. 17 shows a chip package 20b as a modification of FIG. 7, and FIG. 18 shows a
なお,前記複合センサにおけるセンサチップの組み合わせは,一つの加速度センサチップ11と一つの角速度センサチップ11aの限りではなく,同じ種類のセンサチップの組み合わせであっても,異なる種類のセンサチップの組み合わせであってもどちらでも良く,センサチップが二個以上で構成されていれば良い。
The combination of sensor chips in the composite sensor is not limited to one
(実施の形態6)
本発明の構造第6の実施例として前記複合センサの変形例について述べる。本形態においては,複合センサのセンサチップ11bは,一つの基板に作成されていることを特徴とする。(Embodiment 6)
A modified example of the composite sensor will be described as a sixth embodiment of the structure of the present invention. In this embodiment, the
本構造は,図1乃至図14に示した構造と同様の手法で作成できるが,デバイス基板4で作成する振動体の構造が異なる。以下,図19を説明するに当たり,図1乃至図14と同一の構成要素については,その詳細な説明を省略し,異なる点を中心に説明することとする。
This structure can be created by the same method as the structure shown in FIGS. 1 to 14, but the structure of the vibrator created by the
例えば,センサチップ11bの例として,X軸方向の加速度を検出する第一の加速度センシング部40と,前記第一の加速度センシング部に対してXY平面上で直交して配置され,Y軸方向の加速度を検出する第二の加速度センシング部41と,XY平面上に配置されZ軸周りの角速度を検出する角速度センシング部50の組み合わせを挙げ,図4及び図13に示す前記デバイス基板4に形成される振動体構造の変形例を図19に示す。
For example, as an example of the
図19において,前記第一の加速度センシング部40のキャビティ4g1と前記第二の加速度センシング部41のキャビティ4g2は,互いが繋がっていても,独立であっても良い。また,角速度センシング部のキャビティ4g3は,前記キャビティ4g1,4g2のぞれぞれに対して,繋がっていても独立であっても良い。また,前述のように,前記センシング部40,41,50それぞれにおいて,振動体側と外部の回路基板間12bとの電気的接続に使用されるための電極として,それぞれアンカー4d1,4d2,4d3がそれぞれ備わる。このときアンカー4d1,4d2,4d3は前記貫通配線7を介して,キャビティ基板表面のパッド9aに電気的に接続される。そして,パッド9aはワイヤボンディング14を介して回路基板12bに電気的に接続される。
In FIG. 19, the cavity 4g1 of the first
前述のセンサチップ11bは,回路基板12bにワイヤボンディング14を介して接続され,図6,図7もしくは図8,図9と同様に,チップパッケージ21もしくはチップパッケージ22の形態に組み立てられる。
The
更に,本発明は,加速度センサ,角速度センサ以外にも,キャビティを有するMEMS素子や撮像素子,発光素子等に適用してもよく,前記センサチップの内周部(センシング部)を覆った第一の樹脂と,前記センサチップの外周部を覆った第二の樹脂とを備えた構造とすることで,第一の樹脂でセンサチップを強固に固定するとともに,第二の樹脂でセンシング部を覆うことで,センシング部を保護することができる。 In addition to the acceleration sensor and the angular velocity sensor, the present invention may be applied to a MEMS element having a cavity, an imaging element, a light emitting element, and the like, and a first covering the inner peripheral part (sensing part) of the sensor chip. And a second resin covering the outer periphery of the sensor chip, the sensor chip is firmly fixed with the first resin and the sensing part is covered with the second resin. Thus, the sensing unit can be protected.
1 キャビティ基板
1a キャビティ部
1b キャビティ上部
1ba キャビティ上部短辺
1bb キャビティ上部長辺
2 領域(センサチップにおいて第一の樹脂に覆われる面)
3 接着材
4 デバイス基板
4a 錘
4b 支持梁
4c アンカー
4d アンカー(貫通配線接続有)
4d1 アンカー(貫通配線接続有,複合センサ・第一の加速度センシング部)
4d2 アンカー(貫通配線接続有,複合センサ・第二の加速度センシング部)
4d3 アンカー(貫通配線接続有,複合センサ・角速度センシング部)
4e 検出電極
4f 固定電極
4g 空洞部
4g1 空洞部(複合センサ・第一の加速度センシング部)
4g2 空洞部(複合センサ・第二の加速度センシング部)
4g3 空洞部(複合センサ・角速度センシング部)
4h 錘(第1の振動体)
4i 支持梁
4j 錘(第2の振動体)
4k 梁(検出用)
4l 駆動電極(錘4h側)
4m 駆動電極(支持基板固定側)
4n 検出電極(錘4j側)
4o 検出電極(支持基板固定側)
4p リンク梁
4q1 振動子
4q2 振動子
5 支持基板
5a キャビティ部
6 絶縁膜
7 貫通配線
8 絶縁膜
9 平面配線
9a パッド
9b 貫通配線上部
10 絶縁膜
10a パッド開口部
11 加速度センサチップ
11a 角速度センサチップ
11b センサチップ(複合センサ)
12 回路基板(加速度センサ用)
12a 回路基板(角速度センサ用)
12b 回路基板(複合センサ用)
13 接着材
14 ワイヤボンディング
15 リードフレーム
16 接着材
17 ワイヤボンディング
18 第一の樹脂
19 第二の樹脂
20 チップパッケージ(リードフレーム型)
20a チップパッケージ変形例(リードフレーム型,複合センサ)
20b チップパッケージ変形例(リードフレーム型,複合センサ)
21 チップパッケージ(基板型)
21a チップパッケージ変形例(基板型,複合センサ)
21b チップパッケージ変形例(基板型,複合センサ)
22 基板
23 パッド
24 配線
25 パッド
26 半田ボール
40 第一の加速度センシング部(複合センサ)
41 第二の加速度センシング部(複合センサ)
50 角速度センシング部(複合センサ)1
1ba Cavity upper short side
1bb Cavity upper
3 Adhesive 4
4d1 anchor (with through wiring connection, composite sensor, first acceleration sensing unit)
4d2 anchor (with through wiring connection, composite sensor, second acceleration sensing unit)
4d3 anchor (with through-wire connection, composite sensor and angular velocity sensing unit)
4e Detection electrode 4f Fixed
4g2 cavity (compound sensor, second acceleration sensing part)
4g3 cavity (compound sensor / angular velocity sensing part)
4h Weight (first vibrator)
4k beam (for detection)
4l drive electrode (
4m drive electrode (support substrate fixed side)
4n detection electrode (
4o Detection electrode (support substrate fixed side)
4p link beam 4q1
12 Circuit board (for acceleration sensor)
12a Circuit board (for angular velocity sensor)
12b Circuit board (for composite sensor)
13
20a Modification of chip package (lead frame type, composite sensor)
20b Modification of chip package (lead frame type, composite sensor)
21 Chip package (substrate type)
21a Modification of chip package (substrate type, composite sensor)
21b Chip package modification (substrate type, composite sensor)
22
41 Second acceleration sensing unit (composite sensor)
50 Angular velocity sensing unit (compound sensor)
Claims (10)
前記センサチップは,気密封止された空隙が形成されたセンシング部を有し,
前記センサチップの表面は,前記空隙を覆う第一表面と,前記第一表面の外周に位置する第二表面とを有し,
前記第一の樹脂は,前記センサチップの前記第一表面を覆い,
前記第二の樹脂は,前記センサチップの前記第二表面を覆い,
前記第一の樹脂と前記第二の樹脂とは,前記センサチップの表面と垂直な方向において互いに重ならないことを特徴とする半導体装置。 Comprising a sensor chip, a first resin covering the inner periphery of the sensor chip, and a second resin covering the outer periphery of the sensor chip ;
The sensor chip has a sensing part in which a hermetically sealed gap is formed,
The surface of the sensor chip has a first surface covering the gap, and a second surface located on the outer periphery of the first surface,
The first resin covers the first surface of the sensor chip;
The second resin covers the second surface of the sensor chip;
The semiconductor device, wherein the first resin and the second resin do not overlap each other in a direction perpendicular to the surface of the sensor chip .
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