JP6453727B2 - 基板処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法並びにそれに用いるプログラムに関する。

半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板処理装置の処理室内に基板を搬入し、処理室内に原料ガスと反応体ガスとを供給して基板上に絶縁膜や半導体膜、導体膜等の各種膜を形成する基板処理が行われることがある。

微細パターンが形成される量産デバイスにおいては、不純物の拡散を抑制したり、有機材料など耐熱性の低い材料を使用できるようにするために低温化が求められる。

本発明の目的は、基板処理温度の低温化ニーズに対応した基板処理技術を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
基板保持具に多段に保持された複数の基板を処理する反応管と、
前記反応管内部に設置され、前記複数の基板を処理する反応ガスを供給するガス供給部と、
前記反応管の外壁に垂直方向に当設されて内部に電磁波が伝送されるとともに、前記外壁に当設される面に開口によって前記電磁波を供給する導波管と、前記導波管に接続され前記電磁波を生成する電磁波生成部とを有し、前記ガス供給部から供給された前記反応ガスを活性化させる第１のプラズマ生成部と、
を有する技術が提供される。

本発明によれば、基板処理温度の低温化ニーズに対応した基板処理技術を提供することが可能となる。

本発明の第１の実施形態で好適に用いられる基板処理装置（縦型プラズマ処理装置）の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示す図である。 図１に示す基板処理装置におけるＡ−Ａ断面図である。 図１に示す基板処理装置における導波管の構成を説明するための図であり、（ａ）は反応管内へ表面波を放射するためのスロットアンテナの一例を示す斜視図、（ｂ）は反応管に対する導波管の配置の一例を示す斜視図である。 図１に示す基板処理装置におけるコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系の一例を示すブロック図である。 図１に示す基板処理装置を用いた基板処理プロセス（成膜処理シーケンス）の一例を示すフロー図である。 図１に示す基板処理装置を用いた基板処理プロセスの一例を説明するタイムチャートである。 本発明の第１の実施形態の第１の変形例で好適に用いられる基板処理装置の概略図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａに対応する部分の横断面図、（ｂ）は反応管に対する導波管の配置を示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態の第２の変形例で好適に用いられる基板処理装置の概略図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａに対応する部分の横断面図、（ｂ）は反応管に対する導波管の配置を示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態の第３の変形例で好適に用いられる基板処理装置の概略図であり、図１のＡ−Ａに対応する部分の横断面図である。 本発明の第１の実施形態の第４の変形例で好適に用いられる基板処理装置の概略図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａに対応する部分の横断面図、（ｂ）は縦断面図である。 本発明の第２の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａに対応する部分の横断面図、（ｂ）は反応管に対する導波管やＣＣＰ用電源の配置を示す斜視図である。

＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態について図１乃至図１０を参照しながら説明する。
（１）基板処理装置の構成
（加熱装置）
図１に示すように、処理炉２０２は加熱装置（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０７は、後述するようにガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。
（処理室）
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状に、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の上端部は、反応管２０３の下端部に係合しており、反応管２０３を支持するように構成されている。マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベースに支持されることにより、反応管２０３は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管２０３とマニホールド２０９とにより処理容器（反応容器）が構成されている。処理容器の筒中空部には処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、複数枚の基板としてのウエハ２００を、後述する基板保持具としてのボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に配列した状態で収容可能に構成されている。なお、処理容器は上記の構成に限らず、反応管２０３のみを処理容器と称する場合もある。
（ガス供給部）
処理室２０１内には、ノズル２４９ａ、２４９ｂが、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。ノズル２４９ａ、２４９ｂには、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂが、それぞれ接続されている。このように、処理容器には２本のノズル２４９ａ、２４９ｂと、２本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂとが設けられており、処理室２０１内へ複数種類のガスを供給することが可能となっている。

ガス供給管２３２ａ，２３２ｂには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ，２４１ｂおよび開閉弁であるバルブ２４３ａ，２４３ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂのバルブ２４３ａ，２４３ｂよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管２３２ｃ，２３２ｄがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ ２４１ｃ，２４１ｄおよび開閉弁であるバルブ２４３ｃ，２４３ｄがそれぞれ設けられている。

ガス供給管２３２ａ，２３２ｂの先端部には、ノズル２４９ａ、２４９ｂがそれぞれ接続されている。ノズル２４９ａ、２４９ｂは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における平面視において円環状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９ａ、２４９ｂは、処理室２０１内へ搬入された各ウエハ２００の端部（周縁部）の側方にウエハ２００の表面（平坦面）と垂直にそれぞれ設けられている。ノズル２４９ａ、２４９ｂはそれぞれＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。ノズル２４９ａ、２４９ｂの側面には、ガスを供給するガス供給孔２５０ａ，２５０ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、それぞれ、反応管２０３の中心を向くように開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、それぞれ、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。なお、ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂの開口面積を上流側から下流側に向かって徐々に大きくしたり、ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂの開口ピッチを上流側から下流側に向かって徐々に小さくしたりするようにしてもよい。

このように、本実施形態では、反応管２０３の側壁の内壁と、反応管２０３内に配列された複数枚のウエハ２００の端部（周縁部）と、で定義される平面視において円環状の縦長の空間内、すなわち、円筒状の空間内に配置したノズル２４９ａ、２４９ｂを経由してガスを搬送している。そして、ノズル２４９ａ、２４９ｂにそれぞれ開口されたガス供給孔２５０ａ，２５０ｂから、ウエハ２００の近傍で初めて反応管２０３内にガスを噴出させている。そして、反応管２０３内におけるガスの主たる流れを、ウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち、水平方向としている。このような構成とすることで、各ウエハ２００に均一にガスを供給でき、各ウエハ２００に形成される膜の膜厚の均一性を向上させることが可能となる。ウエハ２００の表面上を流れたガス、すなわち、反応後の残ガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れる。但し、この残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。

ガス供給管２３２ａからは、所定元素を含む原料として、例えば、所定元素としてのシリコン（Ｓｉ）を含むシラン原料ガスが、ＭＦＣ ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給される。

シラン原料ガスとは、気体状態のシラン原料、例えば、常温常圧下で液体状態であるシラン原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるシラン原料等のことである。本明細書において「原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態である液体原料」を意味する場合、「気体状態である原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。

シラン原料ガスとしては、例えば、Ｓｉおよびアミノ基（アミン基）を含む原料ガス、すなわち、アミノシラン原料ガスを用いることができる。アミノシラン原料とは、アミノ基を有するシラン原料のことであり、また、メチル基やエチル基やブチル基等のアルキル基を有するシラン原料でもあり、少なくともＳｉ、窒素（Ｎ）および炭素（Ｃ）を含む原料のことである。すなわち、ここでいうアミノシラン原料は、有機系の原料ともいえ、有機アミノシラン原料ともいえる。

アミノシラン原料ガスとしては、例えば、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ_２［ＮＨ（Ｃ_４Ｈ_９）］_２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガスを用いることができる。ＢＴＢＡＳは、１分子中に１つのＳｉを含み、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｎ−Ｃ結合を有し、Ｓｉ−Ｃ結合を有さない原料ガスであるともいえる。ＢＴＢＡＳガスは、後述する成膜処理において、Ｓｉソースとして作用する。

ＢＴＢＡＳのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体状態の原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、シラン原料ガス（ＢＴＢＡＳガス等）として供給することとなる。

ガス供給管２３２ｂからは、原料とは化学構造が異なる反応体（リアクタント）として、例えば、酸素（Ｏ）含有ガスが、ＭＦＣ ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。

Ｏ含有ガスは、後述する成膜処理において、酸化剤（酸化ガス）、すなわち、Ｏソースとして作用する。Ｏ含有ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ_２）ガスや水蒸気（Ｈ_２Ｏガス）等を用いることができる。酸化剤としてＯ_２ガスを用いる場合は、例えば、後述するプラズマ源を用いてこのガスをプラズマ励起し、プラズマ励起ガス（Ｏ_２ ^＊ガス）として供給することとなる。

ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄからは、不活性ガスとして、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスが、それぞれＭＦＣ ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄ、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、ノズル２４９ａ、２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。

後述する成膜処理において、ガス供給管２３２ａから上述の原料ガスを供給する場合、主に、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ ２４１ａ、バルブ２４３ａにより、第１の供給系としての原料供給系が構成される。ノズル２４９ａを原料供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管２３２ａからアミノシラン原料を供給する場合、原料供給系をアミノシラン原料供給系、或いは、アミノシラン原料ガス供給系と称することもできる。

また、後述する成膜処理において、ガス供給管２３２ｂから上述の反応体を供給する場合、主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、第２の供給系としての反応体ガス供給系（リアクタントガス供給系）が構成される。ノズル２４９ｂを反応体供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管２３２ｂから酸化剤を供給する場合、反応体供給系を酸化剤供給系、酸化ガス供給系、或いは、Ｏ含有ガス供給系と称することもできる。

また、後述するパージ処理において、主に、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄ、ＭＦＣ ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄにより、不活性ガス供給系が構成される。
（基板支持具）
図１に示すように基板支持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる断熱板２１８が多段に支持されている。この構成により、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなっている。但し、本実施形態はこのような形態に限定されない。例えば、ボート２１７の下部に断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。
（プラズマ生成部）
次にプラズマ生成部について、図２及び図３を用いて説明する。

プラズマは、ＣＣＰ、ＩＣＰを用いることが可能であるが、基板などの試料へのダメージが懸念される。そこで、本発明の実施の形態では電子温度が低くダメージの発生を低減可能なマイクロ波を利用した表面波プラズマ（Surface Wave Plasma：ＳＷＰ）を用いる。図２に示すように、反応ガス供給時に石英などで作製された真空隔壁である反応管２０３を誘電体板として用いる。この誘電体板の真空側のバッファ室２３７内がプラズマ生成領域となる。

誘電体板（反応管２０３）の大気側に導波管３００（図１、図２、図３（ｂ）参照）が配置されており、マイクロ波（例えば、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波）が高周波電源３１０から入力される。導波管３００のスロットアンテナ（図３（ａ）参照）から放射されたマイクロ波が誘電体板を通して反応性ガス供給空間（バッファ室２３７）に導入されると、ガス供給管２３２ｂに接続されたノズル２４９ｂのガス供給孔２５０ｂからバッファ室２３７の内部へ供給された気体分子がマイクロ波によって電離・解離されてプラズマが発生する。そして、マイクロ波入射面付近のプラズマ中の電子密度がマイクロ波のカットオフ密度よりも大きくなると、マイクロ波はプラズマ中に入り込めなくなり、プラズマと誘電体板の界面に沿って表面波として伝搬する。その結果、表面波を介してエネルギーが供給される表面波プラズマ（ＳＷＰ）が、誘電体板の近くに形成され、反応性ガスを活性化することになる。導波管は、アルミニウムや銅、ステンレスなどの金属で構成することもできるが、カーボンなどの耐熱材料で構成することにより金属汚染を抑止しつつ、仮に高温での基板処理が必要な場合であっても対応が可能である。

スロットアンテナのスリットパターンを設計する上で、まずスロットアンテナの表面電流の分布を確認する必要がある。スロットアンテナ上にスリットを形成する場合、このスリットと表面電流が直交するように形成するとスリットによって断ち切られた電流がスリット端部に正負の電荷を生じることによりマイクロ波が洩れ出す。表面電流とスリットが平行している場合は、マイクロ波は洩れ出さない。また、スリットの長さがマイクロ波の波長λ_０（≒１２ｃｍ）の１／２λ_０に近いほどマイクロ波の洩れが著しい。１／２λ_０を超えるとマイクロ波が自由に通れると考えられ、大量にマイクロ波が洩れ出すことになる。そのため、スリットは１／２λ_０以下としている。このようにスリットの長さ及び表面電流に対するスリットの角度θを変更しながら真空側の電界強度分布の均一性の最適化を実施するようにしている。

従来の技術であるＣＣＰシステムでは、電極を反応室に挿入する必要があったが、ＳＷＰシステムでは無電極放電であるため電極を反応室に入れる必要がなく異物混入や金属汚染等の問題を軽減できる。また、ＣＣＰシステムでは高周波（例えば、数１０ＭＨｚの高周波）でプラズマを励起した場合、電界の向きが比較的遅く、電界で電子が加速される。その結果、電子温度が高く、プラズマ密度が低くなる。電子温度が高いため反応管２０３やバッファ室２３７の内壁がスパッタされることがある。一方、ＳＷＰシステムのようにマイクロ波でプラズマを励起した場合、電界の向きが速く、即ち周波数が高いため電界の変化に電子が追従できない。その結果、電子温度が低く、プラズマ密度が高くなる。電子温度が低いため反応管２０３やバッファ室２３７の内壁のスパッタを回避することができる。
（排気部）
反応管２０３には、図１に示すように処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および排気バルブ（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。排気管２３１は、反応管２０３に設ける場合に限らず、ノズル２４９ａ，２４９ｂと同様にマニホールド２０９に設けてもよい。
（周辺装置）
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。

シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。

ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。また、マニホールド２０９の下方には、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を降下させている間、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシャッタ２１９ｓが設けられている。シャッタ２１９ｓは、例えばＳＵＳ等の金属により構成され、円盤状に形成されている。シャッタ２１９ｓの上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｃが設けられている。シャッタ２１９ｓの開閉動作（昇降動作や回動動作等）は、シャッタ開閉機構１１５ｓにより制御される。

反応管２０３の内部には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、ノズル２４９ａ、２４９ｂと同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。
（制御装置）
次に制御装置について図４を用いて説明する。図４は、図１に示す基板処理装置におけるコントローラの一例を示すブロック図である。図４に示すように、制御部（制御装置）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１２１ａ、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する各種処理（成膜処理）における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｄ、バルブ２４３ａ〜２４３ｄ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、シャッタ開閉機構１１５ｓ、高周波電源３１０等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、回転機構２６７の制御、ＭＦＣ ２４１ａ〜２４１ｄによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ〜２４３ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、回転機構２６７によるボート２１７の正逆回転、回転角度および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作、シャッタ開閉機構１１５ｓによるシャッタ２１９ｓの開閉動作、高周波電源３１０の電力供給等を制御するように構成されている。

コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
（２）基板処理
上述の基板処理装置を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するプロセス例について、図５および図６を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

本明細書では、図５に示す成膜処理のシーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。以下の変形例や他の実施形態の説明においても、同様の表記を用いることとする。

（ＢＴＢＡＳ→Ｏ_２ ^＊）×ｎ ⇒ ＳｉＯ
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合、すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。

従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（または膜）を直接形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。

また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
（搬入ステップ：Ｓ１）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、シャッタ開閉機構１１５ｓによりシャッタ２１９ｓが移動させられて、マニホールド２０９の下端開口が開放される（シャッタオープン）。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内へ搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
（圧力・温度調整ステップ：Ｓ２）
処理室２０１の内部、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される。真空ポンプ２４６は、少なくとも後述する改質処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。

また、処理室２０１内のウエハ２００が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくとも後述するパージ処理が終了するまでの間は継続して行われる。但し、後述する成膜処理およびパージ処理を室温以下の温度条件下で行う場合は、ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は行わなくてもよい。なお、このような温度下での処理だけを行う場合には、ヒータ２０７は不要となり、ヒータ２０７を基板処理装置に設置しなくてもよい。この場合、基板処理装置の構成を簡素化することができる。

続いて、回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転を開始する。回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転は、少なくとも後述するＢＴＢＡＳ供給が終了するまでの間は継続して行われる。
（成膜ステップ：Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６）
その後、ステップＳ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６を順次実行することで成膜ステップを行う。

［原料ガス供給ステップ：Ｓ３，Ｓ４］
ステップＳ３では、処理室２０１内のウエハ２００に対してＢＴＢＡＳガスを供給する。なお、このステップＳ３を原料供給ステップＳ３と称してもよい。

バルブ２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内へＢＴＢＡＳガスを流す。ＢＴＢＡＳガスは、ＭＦＣ ２４１ａにより流量調整され、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＢＴＢＡＳガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｃを開き、ガス供給管２３２ｃ内へＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ＭＦＣ ２４１ｃにより流量調整され、ＢＴＢＡＳガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。

また、ノズル２４９ｂ内へのＢＴＢＡＳガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｄを開き、ガス供給管２３２ｄ内へＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ガス供給管２３２ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。

ＭＦＣ ２４１ａで制御するＢＴＢＡＳガスの供給流量は、例えば１〜２０００ｓｃｃｍ、好ましくは１０〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＭＦＣ ２４１ｃ，２４１ｄで制御するＮ_２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内の圧力は、例えば１〜２６６６Ｐａ、好ましくは６７〜１３３３Ｐａの範囲内の圧力とする。ＢＴＢＡＳガスをウエハ２００に対して供給する時間は、例えば１〜１００秒、好ましくは１〜５０秒の範囲内の時間とする。

ヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、例えば０℃以上１５０℃以下、好ましくは室温（２５℃）以上１００℃以下、より好ましくは４０℃以上９０℃以下の範囲内の温度（第１の温度）となるような温度に設定する。ＢＴＢＡＳガスは、ウエハ２００等へ吸着し易く反応性の高いガスである。このため、例えば室温程度の低温下であっても、ウエハ２００上にＢＴＢＡＳガスを化学吸着させることができ、実用的な成膜レートを得ることができる。本実施形態のように、ウエハ２００の温度を１５０℃以下、さらには１００℃以下、さらには９０℃以下とすることで、ウエハ２００に加わる熱量を低減させることができ、ウエハ２００が受ける熱履歴の制御を良好に行うことができる。また、０℃以上の温度であれば、ウエハ２００上にＢＴＢＡＳを十分に吸着させることができ、十分な成膜レートが得られることとなる。よって、ウエハ２００の温度は０℃以上１５０℃以下、好ましくは室温以上１００℃以下、より好ましくは４０℃以上９０℃以下の範囲内の温度とするのがよい。

上述の条件下でウエハ２００に対してＢＴＢＡＳガスを供給することにより、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、例えば１原子層未満から数原子層程度の厚さのＳｉ含有層が形成される。Ｓｉ含有層はＳｉ層であってもよいし、ＢＴＢＡＳの吸着層であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。

Ｓｉ層とは、Ｓｉにより構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできるＳｉ薄膜をも含む総称である。Ｓｉにより構成される連続的な層を、Ｓｉ薄膜という場合もある。Ｓｉ層を構成するＳｉは、アミノ基との結合が完全に切れていないものや、Ｈとの結合が完全に切れていないものも含む。

ＢＴＢＡＳの吸着層は、ＢＴＢＡＳ分子で構成される連続的な吸着層の他、不連続な吸着層をも含む。すなわち、ＢＴＢＡＳの吸着層は、ＢＴＢＡＳ分子で構成される１分子層もしくは１分子層未満の厚さの吸着層を含む。ＢＴＢＡＳの吸着層を構成するＢＴＢＡＳ分子は、Ｓｉとアミノ基との結合が一部切れたものや、ＳｉとＨとの結合が一部切れたものや、ＮとＣとの結合が一部切れたもの等も含む。すなわち、ＢＴＢＡＳの吸着層は、ＢＴＢＡＳの物理吸着層であってもよいし、ＢＴＢＡＳの化学吸着層であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。

ここで、１原子層未満の厚さの層とは不連続に形成される原子層のことを意味しており、１原子層の厚さの層とは連続的に形成される原子層のことを意味している。１分子層未満の厚さの層とは不連続に形成される分子層のことを意味しており、１分子層の厚さの層とは連続的に形成される分子層のことを意味している。Ｓｉ含有層は、Ｓｉ層とＢＴＢＡＳの吸着層との両方を含み得る。但し、上述の通り、Ｓｉ含有層については「１原子層」、「数原子層」等の表現を用いることとする。

ＢＴＢＡＳが自己分解（熱分解）する条件下、すなわち、ＢＴＢＡＳの熱分解反応が生じる条件下では、ウエハ２００上にＳｉが堆積することでＳｉ層が形成される。ＢＴＢＡＳが自己分解（熱分解）しない条件下、すなわち、ＢＴＢＡＳの熱分解反応が生じない条件下では、ウエハ２００上にＢＴＢＡＳが吸着することでＢＴＢＡＳの吸着層が形成される。但し、本実施形態では、ウエハ２００の温度を例えば１５０℃以下の低温（第１の温度）としているので、ＢＴＢＡＳの熱分解は生じにくい。結果として、ウエハ２００上へは、Ｓｉ層ではなく、ＢＴＢＡＳの吸着層の方が形成されやすくなる。

ウエハ２００上に形成されるＳｉ含有層の厚さが数原子層を超えると、後述する改質処理での改質の作用がＳｉ含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能なＳｉ含有層の厚さの最小値は１原子層未満である。よって、Ｓｉ含有層の厚さは１原子層未満から数原子層程度とするのが好ましい。Ｓｉ含有層の厚さを１原子層以下、すなわち、１原子層または１原子層未満とすることで、後述する改質処理での改質の作用を相対的に高めることができ、改質処理の改質反応に要する時間を短縮することができる。また、成膜処理のＳｉ含有層の形成に要する時間を短縮することもできる。結果として、１サイクルあたりの処理時間を短縮することができ、トータルでの処理時間を短縮することも可能となる。すなわち、成膜レートを高くすることも可能となる。また、Ｓｉ含有層の厚さを１原子層以下とすることで、膜厚均一性の制御性を高めることも可能となる。

Ｓｉ含有層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、処理室２０１内へのＢＴＢＡＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４を開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉ含有層の形成に寄与した後のＢＴＢＡＳガスや反応副生成物等を処理室２０１内から排除する（Ｓ４）。また、バルブ２４３ｃ，２４３ｄは開いたままとして、処理室２０１内へのＮ_２ガスの供給を維持する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉ含有層の形成に寄与した後のＢＴＢＡＳガス等を処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。なお、このステップＳ４を原料ガスパージステップＳ４と称してもよい。

このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるパージ処理において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内へ供給するＮ_２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、パージ処理において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１の内部を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ_２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。

原料ガスとしては、ＢＴＢＡＳガスのほか、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_２Ｈ_２、略称：ＢＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_２Ｈ_２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス等を好適に用いることができる。このほか、原料ガスとしては、ジメチルアミノシラン（ＤＭＡＳ）ガス、ジエチルアミノシラン（ＤＥＡＳ）ガス、ジプロピルアミノシラン（ＤＰＡＳ）ガス、ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）ガス、ブチルアミノシラン（ＢＡＳ）ガス、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガス等の各種アミノシラン原料ガスや、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＳ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３、略称：ＴＣＳ）ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ_４、略称：ＳＴＣ）ガス、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６、略称：ＨＣＤＳ）ガス、オクタクロロトリシラン（Ｓｉ_３Ｃｌ_８、略称：ＯＣＴＳ）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、モノシラン（ＳｉＨ_４、略称：ＭＳ）ガス、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６、略称：ＤＳ）ガス、トリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８、略称：ＴＳ）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを好適に用いることができる。

不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。

［反応ガス供給ステップ：Ｓ５，Ｓ６］
成膜処理が終了した後、処理室２０１内のウエハ２００に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたＯ_２ガスを供給する（Ｓ５）。なお、このステップＳ５を反応体（リアクタント）供給ステップＳ５と称してもよい。

このステップでは、バルブ２４３ｂ〜２４３ｄの開閉制御を、ステップＳ３におけるバルブ２４３ａ，２４３ｃ，２４３ｄの開閉制御と同様の手順で行う。Ｏ_２ガスは、ＭＦＣ ２４１ｂにより流量調整され、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。このとき、高周波電源３１０から導波管３００を介してバッファ室２３７へ高周波電力（本実施の形態では２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力）を供給する。処理室２０１内のバッファ室２３７へ供給されたＯ_２ガスはバッファ室２３７の内部でプラズマ励起され、活性種（Ｏ_２ ^＊）としてガス供給孔２５０ｃを介してウエハ２００に対して供給され、排気管２３１から排気される。マイクロ波入射面付近のプラズマ中の電子密度がマイクロ波のカットオフ密度よりも大きくなると、マイクロ波はプラズマ中に入り込めなくなり、プラズマと誘電体板の界面に沿って表面波として伝搬する。その結果、表面波を介してエネルギーが供給される表面波プラズマ（ＳＷＰ）が、誘電体板の近くに形成され、反応性ガスを活性化することになる。このようにしてウエハ２００に対して、プラズマで活性化（励起）されたＯ_２ガスが均一に供給されることとなる。

また、マイクロ波による表面波プラズマを用いることにより電子温度を低くできるためウエハ上の膜へのダメージや反応管、バッファ室内壁でのスパッタを回避できる。

なお、反応管に対する導波管の配置について発明者等が検討した結果、反応管の長手方向に沿って反応管を取り囲むように全周に渡って導波管を配置するとマイクロ波を反射させるために導波管の構造が複雑となるだけでなく、反応管全周にマイクロ波を供給することが困難となること、寧ろ図３（ｂ）に示すように反応管の長手方向に沿い円周に対しては部分的に配置する方が導波管の構造が単純なだけでなく、プラズマも均一に生成できることが分かった。また、導波管を図３（ｂ）のように反応管に対して部分的に配置することにより、導波管の外側にヒータを設けたホットウオール方式であっても、全周を取り囲むように設置した場合に比べて加熱を妨げる範囲を最小限にすることが可能となるため、効率良く基板を加熱することが可能となる。また、導波管を反応管の長手方向に沿って複数本配置することにより、プラズマ密度をより向上させることができる。

ＭＦＣ ２４１ｂで制御するＯ_２ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。高周波電源３１０からの高周波電力（マイクロ波電力）は、例えば５０〜１０００Ｗの範囲内の電力とする。処理室２０１内の圧力は、例えば１〜１００Ｐａの範囲内の圧力とする。プラズマを用いることで、処理室２０１内の圧力をこのような比較的低い圧力帯としても、Ｏ_２ガスを活性化させることが可能となる。Ｏ_２ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種をウエハ２００に対して供給する時間は、例えば１〜１００秒、好ましくは１〜５０秒の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、上述のステップ１と同様な処理条件とする。

酸素プラズマ中で生成されたイオンと電気的に中性な活性種はウエハ２００の表面に形成されたＳｉ含有層に対して後述する酸化処理を行う。

高周波電力の供給を停止した後、酸素の導入を停止する。

上述の条件下でウエハ２００に対してＯ_２ガスを供給することにより、ウエハ２００上に形成されたＳｉ含有層がプラズマ酸化される。この際、プラズマ励起されたＯ_２ガスのエネルギーにより、Ｓｉ含有層が有するＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｈ結合が切断される。Ｓｉとの結合を切り離されたＮ、Ｈ、および、Ｎに結合するＣは、Ｓｉ含有層から脱離することとなる。そして、Ｎ等が脱離することで未結合手（ダングリングボンド）を有することとなったＳｉ含有層中のＳｉが、Ｏ_２ガスに含まれるＯと結合し、Ｓｉ−Ｏ結合が形成されることとなる。この反応が進行することにより、Ｓｉ含有層は、ＳｉおよびＯを含む層、すなわち、シリコン酸化層（ＳｉＯ層）へと変化させられる（改質される）。

なお、Ｓｉ含有層をＳｉＯ層へと改質させるには、Ｏ_２ガスをプラズマ励起させて供給する必要がある。Ｏ_２ガスをノンプラズマの雰囲気下で供給しても、上述の温度帯では、Ｓｉ含有層を酸化させるのに必要なエネルギーが不足しており、Ｓｉ含有層からＮやＣを充分に脱離させたり、Ｓｉ含有層を充分に酸化させてＳｉ−Ｏ結合を増加させたりすることは、困難なためである。

Ｓｉ含有層をＳｉＯ層へ変化させた後、バルブ２４３ｂを閉じ、Ｏ_２ガスの供給を停止する。また、バッファ室２３７への高周波電力（マイクロ波電力）の供給を停止する。そして、ステップＳ４と同様の処理手順、処理条件により、処理室２０１内に残留するＯ_２ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する（Ｓ６）。このとき、処理室２０１内に残留するＯ_２ガス等を完全に排出しなくてもよい点は、ステップＳ１２と同様である。なお、このステップＳ６を反応ガスパージステップＳ６と称してもよい。

酸化剤、すなわち、プラズマ励起させるＯ含有ガスとしては、Ｏ_２ガスの他、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、オゾン（Ｏ_３）ガス、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）ガス、水蒸気（Ｈ_２Ｏガス）、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ_２）ガス等を用いてもよい。

不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、例えば、ステップＳ４で例示した各種希ガスを用いることができる。

［所定回数実施：Ｓ７］
上述したＳ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを１サイクルとし、このサイクルを所定回数（ｎ回）、すなわち、１回以上行うことにより、ウエハ２００上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＯ膜を形成することができる。図６に上述のサイクルを複数回繰り返す基板処理プロセスのタイムチャートを示す。最上段がアミノシラン原料（ＢＴＢＡＳ）、第２段が酸化剤（Ｏ_２）、第３段が不活性ガス（Ｎ_２）、第４段が高周波電力（マイクロ波電力）の各々のオン、オフの状態を示す。上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、１サイクルあたりに形成されるＳｉＯ層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、ＳｉＯ層を積層することで形成されるＳｉＯ膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。
（大気圧復帰ステップ：Ｓ８）
上述の成膜処理が完了したら、バルブ２４３ｂを閉じ、Ｏ_２ガスの供給を停止する。また、バッファ室２３７への高周波電力（マイクロ波電力）の供給を停止する。そして、バルブ２４３ｃ，２４３ｄを開き、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄのそれぞれから不活性ガスとしてのＮ_２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。これにより、処理室２０１内が不活性ガスでパージされ、処理室２０１内に残留するＯ_２ガス等が処理室２０１内から除去される（不活性ガスパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰：Ｓ８）。
（搬出ステップ：Ｓ９）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に支持された状態でマニホールド２０９の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。ボートアンロードの後は、シャッタ２１９ｓが移動させられ、マニホールド２０９の下端開口がＯリング２２０ｃを介してシャッタ２１９ｓによりシールされる（シャッタクローズ）。処理済のウエハ２００は、反応管２０３の外部に搬出された後、ボート２１７より取り出されることとなる（ウエハディスチャージ）。なお、ウエハディスチャージの後は、処理室２０１内へ空のボート２１７を搬入するようにしてもよい。
（３）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
（ａ）マイクロ波による表面波プラズマを用いた縦型基板処理装置とすることにより、基板処理温度の低温化ニーズに対応した基板処理技術を提供することができる。
（ｂ）マイクロ波による表面波プラズマを用いることにより、電子温度を低くできるためウエハへのダメージを低減でき、良質の膜を形成できる。また、電子温度を低くできるため反応管やバッファ室内壁でのスパッタを回避できる。
（ｃ）導波管を反応管の長手方向（縦方向）に沿い円周に対しては部分的に配置することにより単純構造で均一なプラズマを生成できる。
（ｄ）導波管を反応管の円周に対して部分的に配置することにより、導波管の外側にヒータを設けたホットウオール方式であっても、効率良く基板を加熱することができる。
（ｅ）導波管を処理室の外側に設置することが可能となるため、処理室内の金属汚染を抑止できる。
（ｆ）導波管をカーボンで構成することにより、金属汚染を抑止できる。また、仮に高温での基板処理が必要な場合であっても対応が可能となる。
（４）変形例
本実施形態における基板処理工程は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
（変形例１）
第１の変形例について図７を用いて説明する。図７（ａ）は、構成要素が省略されている箇所もあるが基本的には図２と同様である。また、図７（ｂ）は構成要素が省略されている箇所もあるが下記本変形例の特徴（導波管分割配置）を除き基本的には図１と同様である。また、同一符号は同一構成要素を示すため説明を省略した箇所もある。

本変形例に係る基板処理装置では、縦方向のプラズマ分布を制御することによりウエハの縦方向にプラズマの影響による成膜プロセスの分布が発生した場合に対応可能な構造とする。マイクロ波を反応管内へ導入するにあたり、スロットアンテナ３２０のスリットパターンにより最適化を実施するが、成膜プロセスにおいて多くの条件に対応するためには、プラズマ分布を制御することが非常に重要である。例えば、図７（ｂ）に示すように、上中下の３ゾーンを制御する場合は、反応炉の長手方向（縦方向）に沿って導波管３００を３分割し、それぞれのゾーンでスロットアンテナ３２０のスリットパターンを最適化する。または、マイクロ波の供給を導波管３００から同軸ケーブルに変換して３つに分岐するなどの方法をとることもできる。なお、本装置構成は、特にウエハの枚数が多い場合に有効である。また、導波管を分割する数は３つと限らない。

本変形例によれば、上記（３）に示した効果を得ることができる。さらに、導波管を反応管の長手方向（縦方向）に分割することにより、第１の実施形態と比較して縦方向のプラズマ分布が均一になるように制御することができる。
(変形例２)
第２の変形例について図８を用いて説明する。なお、図８（ａ）は構成要素が省略されている箇所もあるが基本的には図２と同様である。また、図８（ｂ）は構成要素が省略されている箇所もあるが下記本変形例の特徴（導波管分割配置）を除き基本的には図１と同様である。また、同一符号は同一構成要素を示すため説明を省略した箇所もある。

本変形例に係る基板処理装置では、縦方向のプラズマ分布を制御することによりウエハの縦方向にプラズマの影響による成膜プロセスの分布が発生した場合に対応可能な構造とする。本変形例では、導波管３００を縦方向に３分割し、且つマイクロ波立体回路(高周波電源)を３つ設置し、各々の高周波電源（３１０−１、３１０−２、３１０−３）の出力を制御することにより縦方向のプラズマ分布を制御する。なお、それぞれのゾーンでスロットアンテナ３２０のスリットパターンを変更することもできる。また、マイクロ波の供給を導波管３００から同軸ケーブルに変換して３つに分岐するなどの方法をとることもできる。なお、本装置構成は、特にウエハの枚数が多い場合に有効である。また、導波管を分割する数は３つに限られず、反応管の高さに合わせて適宜分割するように構成すれば良い。

本変形例によれば、上記（３）に示した効果を得ることができる。また、導波管を反応管の長手方向（縦方向）に複数分割し、各々の高周波電源の出力を制御することにより、縦方向のプラズマ分布を制御することができる。
（変形例３）
第３の変形例について図９を用いて説明する。なお、図９は構成要素が省略されている箇所もあるが基本的には図２と同様である。また、全体構成は下記本変形例の特徴（バッファ室無）を除き基本的には図１と同様である。また、同一符号は同一構成要素を示すため説明を省略した箇所もある。

本変形例に係る基板処理装置では、バッファ室２３７の構成を設けない構成とした。これにより、処理室２０１内全体にプラズマが生じることとなり、プラズマ強度が増大されるため、成膜速度を向上することができ、スループットを高めることができる。

本変形例によれば、上記（３）に示した効果を得ることができる。また、バッファ室を省略することにより、プラズマ強度が増大され、成膜速度を向上することができ、スループットを高めることができる。
（変形例４）
第４の変形例について図１０を用いて説明する。なお、図１０（ａ）は構成要素が省略されている箇所もあるが基本的には図２と同様である。また、図１０（ｂ）は構成要素が省略されている箇所もあるが下記本変形例の特徴（導波管突出配置）を除き基本的には図１と同様である。また、同一符号は同一構成要素を示すため説明を省略した箇所もある。

本変形例に係る基板処理装置では、導波路部分をヒータで覆わず外部に露出（突出）する構成とした。これにより、導波管３００のメンテナンスを容易に実施することが可能となる。また、ヒータを小型化できるため基板処理装置の小型化を図ることができる。

本変形例によれば、上記（３）に示した効果を得ることができる。また、導波管をヒータで覆わず露出させることにより、導波管のメンテナンスを容易に実施することが可能となる。また、ヒータを小型化できるため基板処理装置の小型化を図ることができる。
＜第２の実施形態＞
また、本発明は、ウエハ２００上に、原料ガスとして第１の実施形態で前述したＳｉ含有ガスを用い、反応ガスとしてＮＨ_３ガスのような窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）を用い、シリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜、以下、ＳｉＮ膜と称する）を形成する場合においても、好適に適用可能である。
本発明の第２の実施形態では、反応ガスとして２種類の窒素含有ガスを用い、ＳｉＮ膜を形成する場合について、図１１を用いて説明する。なお、第１の実施形態（含む変形例）に記載され本実施例に未記載の事項は特段の理由が無い限り本実施形態にも適用することができる。なお、図１１（ａ）は構成要素が省略されている箇所もあるが下記本実施形態の特徴（２種プラズマ源配置）を除き基本的には図２と同様である。また、図１１（ｂ）は構成要素が省略されている箇所もあるが下記本実施形態の特徴（２種プラズマ源設置）を除き基本的には図１と同様である。また、同一符号は同一構成要素を示すため説明を省略した箇所もある。

図１１に示すように、プラズマ源によりガスの種類を変更して使用する場合、例えば、第１の反応ガス（ＮＨ_３など）を活性化するプラズマ源には高周波電源３０５と電極３３０を用いたＣＣＰシステムを採用し、膜質改善のための第２の反応ガス（Ｎ_２、Ｈ_２など）を活性化するプラズマ源には高周波電源３１０と導波管３００を用いたＳＷＰシステムを採用する。電極３３０は、反応管２０３の下部より上部にわたりウエハの配列方向に沿って配設されている。２種類以上のプラズマ源を設置することにより、成膜プロセスにて、ガス種により最適なプラズマ源を選択的に使用することができる。

本実施形態に係る基板処理装置を用いて、ＳｉＮ膜を形成する成膜プロセスについて説明する。なお、基板処理プロセスのフローは、ステップＳ３からステップＳ６の成膜処理反応ガス供給を除き基本的には図５と同一であり、このステップＳ３からステップＳ６前後のステップ（Ｓ１〜Ｓ２、Ｓ８〜Ｓ９）の説明は省略する。なお、ＳｉＮ膜を成膜するための原料ガスとしてはジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２：ＤＣＳ）ガスを、反応ガスとしてはＮＨ_３ガスを用いた。

[原料ガス供給ステップ]
本実施の形態においては原料ガスとして、ウエハが配置された反応管２０３（処理室２０１）内にジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２：ＤＣＳ）ガスを導入し、ウエハをＤＣＳガスに晒す（ＤＣＳ供給：Ｓ３対応）。これにより、ウエハ上にシリコン含有層が形成される。ＤＣＳガスは、ガス供給管２３２ａとノズル２４９ａ、或いはガス供給配管２３２ｂとノズル２４９ｂを用いて導入することもできるが、別のガス供給管とノズルを設置し、これを用いることもできる。ガス供給管を共用する場合にはガス供給管内の十分なパージが必要となるが、別のガス供給管を用いることにより、ガス供給管内における異種ガスの混入（汚染）を防止できる。なお、ヒータの温度は、ウエハの温度が、常温〜５００℃の範囲内の温度であって、例えば４００℃となるような温度に設定することが好ましい。ウエハの温度が５００℃を超えると、ウエハ上に予め形成されているレジストパターンが、後述するステップ２ｂ（Ｏ_２ガス供給）を行った際等に酸化され、揮発してしまうことがある。また、ウエハの温度が低すぎると、ウエハ上に原料ガス（ＤＣＳ）のガス分子層が形成され難くなり、実用的な成膜速度が得られなくなることがある。よって、ウエハの温度は、常温〜５００℃の範囲内の温度であって、例えば４００℃とするのが好ましい。

シリコン含有層が形成された後、ＤＣＳガスの供給を停止する。そして、排気管２３１を介して処理室２０１の内部に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＤＣＳガスを処理室２０１から排除する（残留ガス除去：Ｓ４対応）。なお、このとき、不活性ガスとしてのＮ_２ガスを処理室２０１の内部へ供給する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１の内部に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＤＣＳガスを処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。なお、このとき、処理室２０１の内部に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１の内部を完全にパージしなくてもよい点は、第１の実施形態と同様である。

[反応ガス供給ステップ]
処理室２０１の内部の残留ガスを除去した後、ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内に第１の反応ガスとしてのＮＨ_３ガスを流す。ガス供給管２３２ａ内を流れたＮＨ_３ガスは、ＭＦＣ ２４１ａにより流量調整される。流量調整されたＮＨ_３ガスは、ノズル２４９ａのガス供給孔２５０ａからバッファ室２３８内に供給される。このとき、電極３３０間に高周波電源３０５から高周波電力を印加することで、バッファ室２３８内に供給されたＮＨ_３ガスはプラズマ励起され、活性種としてガス供給孔から処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このときウエハに対して、プラズマで活性化されたＮＨ_３ガスが供給されることとなる（ＮＨ_３ ^＊供給：Ｓ５対応）。

ＮＨ_３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１０〜１００Ｐａの範囲内の圧力とする。ＭＦＣ ２４１ａで制御するＮＨ_３ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＮＨ_３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種をウエハに対して供給する時間は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ウエハの温度が、常温〜５００℃の範囲内の温度であって、例えば４００℃となるような温度に設定する。高周波電源３０５から電極３３０間に印加する高周波電力は、例えば５０〜１０００Ｗの範囲内の電力となるように設定する。

このとき処理室２０１内に流しているガスは、ＮＨ_３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種であり、処理室２０１内にはＤＣＳガスを流していない。したがって、ＮＨ_３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性種となったＮＨ_３ガスは、ウエハ上に形成されたシリコン含有層の少なくとも一部と反応する。これによりシリコン含有層は窒化されて、Ｓｉ、Ｎを含む第１の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと改質される。

このように、ＮＨ_３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種を処理室２０１内に流すことで、シリコン含有層をプラズマ窒化してＳｉＮ層へと改質（変化）させることができる。

ここで、活性種となったＮＨ_３ガスによってシリコン含有層を窒化させるステップＳ５を実施するとき、ＮＨ_３ガスと同時にガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂを開き、ガス供給管２３２ｂ内に第２の反応ガスとしてのＮ_２ガスを流す。ガス供給管２３２ｂ内を流れたＮ_２ガスは、ＭＦＣ２４１ｂにより流量調整される。流量調整されたＮ_２ガスは、ノズル２４９ｂのガス供給孔２５０ｂからバッファ室２３７内に供給される。このとき、高周波電源３１０から導波管３００を介してバッファ室２３７へ高周波電力（本実施の形態では２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力）を供給する。処理室２０１内のバッファ室２３７へ供給されたＮ_２ガスはバッファ室２３７の内部でプラズマ励起され、活性種（Ｎ_２ ^＊）としてガス供給孔２５０ｃを介してウエハ２００に対して供給され、排気管２３１から排気される。

このように構成することによって、第１の反応ガスとしてのＮＨ_３ガスによるシリコン含有層の窒化を第２の反応ガスであるＮ_２ガスによって補助することとなり、ＳｉＮ層の形成を効率よく行うことができるようになるとともに、ＮＨ_３ガスのみでＳｉＮ層を形成する場合に比べ、ウェットエッチングに対するエッチングレートが向上したＳｉＮ層を形成することが可能となる。

なお、第２の反応ガスであるＮ_２ガスは、上述したようにＮＨ_３ガスと同時に供給されることに限らず、ＮＨ_３ガスとは異なるタイミングで供給するようにコントローラ１２１に制御されても良い。
反応ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ_３）ガスの他、ジアゼン（Ｎ_２Ｈ_２）ガス、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）ガス、Ｎ_３Ｈ_８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_３Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガス、ジエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_２ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、モノエチルアミン（Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_２、略称：ＭＥＡ）ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン（（ＣＨ_３）_３Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ_３）_２ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ_３ＮＨ_２、略称：ＭＭＡ）ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリメチルヒドラジン（（ＣＨ_３）_２Ｎ_２（ＣＨ_３）Ｈ、略称：ＴＭＨ）ガス等の有機ヒドラジン系ガス等を用いることができる。

ＳｉＮ層が形成された後、ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａと、ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂを閉じ、ＮＨ_３ガスおよびＮ_２ガスの供給を停止する。またこのとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉＮ層形成に寄与した後のＮＨ_３ガスやＮ_２ガス、反応副生成物を処理室２０１内から排除する（残留ガス除去:Ｓ６対応）。

上述したステップＳ３〜Ｓ４とステップＳ５〜Ｓ６を交互に所定回数（ｍ回）行うことにより、すなわち、ステップＳ３〜Ｓ６を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｍ回）行うことにより、ウエハ上に予め形成されているレジストパターンを含む下地膜上に、所定組成及び所定厚さのＳｉＮ膜を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、１サイクルあたりに形成するＳｉＮ層の厚さを所望の膜厚よりも小さくして、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。ＳｉＮ膜の厚さは、例えば０．５ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚さとすることが好ましい。

その後、図５に示すステップＳ８〜Ｓ９を実施することにより、ＳｉＮ膜の成膜プロセスが終了する。

以上、本実施形態によれば、基板処理温度の低温化ニーズに対応しつつ、一度に複数枚の基板を処理可能な技術を提供することができる。また、２種類以上のプラズマ源を設置することにより、成膜プロセスにて、ガス種により最適なプラズマ源を選択的に使用することができる。

以上、説明した第二実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
（ｇ）導波管が反応管の長手方向（縦方向）に複数個となるように分割することにより、縦方向のプラズマ分布を制御することができる。
（ｈ）導波管を反応管の長手方向（縦方向）に分割し、各々の高周波電源の出力を制御することにより、縦方向のプラズマ分布を詳細に制御することができる。
（ｉ）バッファ室を省略することにより、プラズマ強度が増大され、成膜速度を向上することができ、スループットを高めることができる。
（ｊ）導波管をヒータで覆わず露出させることにより、導波管のメンテナンスを容易に実施することが可能となる。また、ヒータを小型化できるため基板処理装置の小型化を図ることができる。
（ｋ）２種類以上のプラズマ源を設置することにより、成膜プロセスにて、ガス種により最適なプラズマ源を選択的に使用することができる。

以上、本発明の実施形態について具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態では、プラズマを発生させるために表面波プラズマ（Surface Wave Plasma、略称：ＳＷＰ）と、容量結合プラズマ（Capacitively Coupled Plasma、略称：ＣＣＰ）を併用した例について説明した。本発明はこれに限らず、表面波プラズマと誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma、略称：ＩＣＰ）、表面波プラズマと電子サイクロトロン共鳴プラズマ（Electron Cyclotron Resonance Plasma、略称：ＥＣＲプラズマ）、表面波プラズマとヘリコン波励起プラズマ（Helicon Wave Excited Plasma、略称：ＨＷＰ）、のいずれを用いてもよい。

また、例えば、上述の実施形態では、原料を供給した後に反応体を供給する例について説明した。本発明はこのような態様に限定されず、原料、反応体の供給順序は逆でもよい。すなわち、反応体を供給した後に原料を供給するようにしてもよい。供給順序を変えることにより、形成される膜の膜質や組成比を変化させることが可能となる。

上述の実施形態等では、ウエハ２００上にＳｉＯ膜及びＳｉＮ膜を形成する例について説明した。本発明はこのような態様に限定されず、ウエハ２００上に、シリコン酸炭化膜（ＳｉＯＣ膜）、シリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等のＳｉ系酸化膜を形成する場合にも、好適に適用可能である。

例えば、上述したガスの他、もしくは、これらのガスに加え、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ_３）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等を用い、例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。なお、各ガスを流す順番は適宜変更することができる。これらの成膜を行う場合においても、上述の実施形態と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
（ＨＣＤＳ→ＮＨ_３ ^＊→Ｏ_２ ^＊）×ｎ ⇒ ＳｉＯＮ
（ＨＣＤＳ→Ｃ_３Ｈ_６→Ｏ_２ ^＊→ＮＨ_３ ^＊）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣＮ
（ＨＣＤＳ→ＴＥＡ→Ｏ_２ ^＊）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣ
（ＨＣＤＳ→Ｃ_３Ｈ_６→ＮＨ_３ ^＊）×ｎ ⇒ ＳｉＣＮ
（ＨＣＤＳ→ＢＣｌ_３→ＮＨ_３ ^＊）×ｎ ⇒ ＳｉＢＮ
（ＨＣＤＳ→Ｃ_３Ｈ_６→ＢＣｌ_３→ＮＨ_３ ^＊）×ｎ ⇒ ＳｉＢＣＮ
この場合、反応ガスとしての酸化剤には、上述した反応ガスを用いることができる。

また、本発明は、ウエハ２００上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む金属系酸化膜や金属系窒化膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。すなわち、本発明は、ウエハ２００上に、ＴｉＯ膜、ＴｉＯＣ膜、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＮ膜、ＺｒＯ膜、ＺｒＯＣ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＮ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＯＣ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＮ膜、ＴａＯ膜、ＴａＯＣ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＮ膜、ＮｂＯ膜、ＮｂＯＣ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＮ膜、ＡｌＯ膜、ＡｌＯＣ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＮ膜、ＭｏＯ膜、ＭｏＯＣ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＮ膜、ＷＯ膜、ＷＯＣ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＯＮ膜、ＷＮ膜を形成する場合にも、好適に適用することが可能となる。

例えば、原料ガスとして、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：ＴＤＭＡＴ）ガス、テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＨ）ガス、テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＺ）ガス、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ_３）_３、略称：ＴＭＡ）ガス、チタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ_４）ガス、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ_４）ガス等を用い、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ２００上に、チタン酸化膜（ＴｉＯ膜）、ハフニウム酸化膜（ＨｆＯ膜）、ジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ膜）、アルミニウム酸化膜（ＡｌＯ膜）、アルミニウム窒化膜（ＡｌＮ膜）等を形成する場合においても、本発明は好適に適用可能である。
（ＴＤＭＡＴ→Ｏ_２ ^＊）×ｎ ⇒ ＴｉＯ
（ＴＥＭＡＨ→Ｏ_２ ^＊）×ｎ ⇒ ＨｆＯ
（ＴＥＭＡＺ→Ｏ_２ ^＊）×ｎ ⇒ ＺｒＯ
（ＴＭＡ→Ｏ_２ ^＊）×ｎ ⇒ ＡｌＯ
（ＴＭＡ→ＮＨ_３ ^＊）×ｎ ⇒ ＡｌＮ
すなわち、本発明は、半導体系膜や金属系膜を形成する処理を行った後の処理室２０１内をパージする場合に、好適に適用することができる。これらの成膜処理の処理手順、処理条件は、上述の実施形態や変形例に示す成膜処理と同様な処理手順、処理条件とすることができる。また、成膜処理を行った後に実施するパージ処理の処理手順、処理条件は、上述の実施形態や変形例に示すパージ処理と同様の処理手順、処理条件とすることができる。これらの場合においても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。

成膜処理に用いられるレシピ（処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）は、処理内容（形成する薄膜の膜種、組成比、膜質、膜厚、処理手順、処理条件等）に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置１２３を介して記憶装置１２１ｃ内に格納しておくことが好ましい。そして、各種処理を開始する際、ＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の薄膜を汎用的に、かつ、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの負担（処理手順や処理条件等の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、各種処理を迅速に開始できるようになる。

上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。

本発明は、実施形態として以下に記載の付記を含む。

＜付記１＞
本発明の一態様によれば、
基板保持具に多段に保持された複数の基板を処理する反応管と、
前記反応管内部に設置され、前記複数の基板を処理する反応ガスを供給するガス供給部と、
前記反応管の外壁に垂直方向に当設されて内部に電磁波が伝送されるとともに、前記外壁に当設される面に開口によって前記電磁波を供給する導波管と、前記導波管に接続され前記電磁波を生成する電磁波生成部とを有し、前記ガス供給部から供給された前記反応ガスを活性化させる第１のプラズマ生成部と、
を備える基板処理装置が提供される。

＜付記２＞
前記導波管は、前記ガス供給部の背面に位置する前記反応管の外壁に設置される付記１に記載の基板処理装置が提供される。

＜付記３＞
電力が供給されてプラズマを発生させる電極を有し、当該プラズマにより前記反応ガスと異なる反応ガスを活性化する第２のプラズマ生成部をさらに備える付記１または２に記載の基板処理装置が提供される。

すなわち、前記第１のプラズマ生成部によって活性化される処理ガス（第１の反応ガス）と、前記第２のプラズマ生成部によって活性化される処理ガス（第２の反応ガス）とは異なる種類の反応ガスである。

＜付記４＞
前記第１のプラズマ生成部は、表面波プラズマ方式にてプラズマ生成を行うよう構成され、前記第２のプラズマ生成部は、ＣＣＰ（容量結合プラズマ）方式にてプラズマ生成を行うよう構成される付記３に記載の基板処理装置が提供される。

＜付記５＞
前記導波管は少なくとも前記ガス供給部の数と同数設けられる付記１から４のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記６＞
前記第１のプラズマ生成部、窒素含有ガス、水素含有ガスまたは希ガスのいずれか１つまたは複数である付記１から５のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記７＞
前記導波管は、少なくとも耐熱性材料（カーボン）にて構成される付記１から６のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記８＞
前記反応管は石英などの誘電体で構成されている付記１から７のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記９＞
前記反応管と前記導波管の間には誘電体が設けられている付記１から７のいずれか１つに記載の基板処理装置。

＜付記１０＞
前記反応管の外側には同心円状に設けられた加熱装置が備えられ、前記導波管は、前記反応管の径方向（水平方向）において前記加熱装置よりも外側へ突出している付記１から９のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記１１＞
前記導波管の外側には、前記反応管と同心円状に設けられた加熱装置を有する付記１から１０のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記１２＞
前記ガス供給部は、反応ガスを供給するとともに前記反応ガスを一時的に溜めるバッファ室を備えた反応ガス供給部を有し、好ましくは、さらに、原料ガスを供給する原料ガス供給部を有する付記１から１１のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記１３＞
前記導波管は、前記反応管の長手方向（縦方向）において複数に分割されている付記１から１２のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。

＜付記１４＞
分割された前記導波管は、それぞれ独立した高周波電源に接続されている付記１３に記載の基板処理装置が提供される。

＜付記１５＞
本発明の別の態様によれば、
複数の基板を反応管に搬入する工程と、
前記反応管に反応ガスを供給する工程と、
前記反応管の外壁に垂直方向に当設されて内部に電磁波が伝送されるとともに、前記外壁に当設される面に設けた開口によって前記電磁波を供給する導波管と、前記導波管に接続され前記電磁波を生成する電磁波生成部とを有する第１のプラズマ生成部によって前記処理ガスを活性化する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または基板処理方法が提供される。

＜付記１６＞
前記原料ガスを供給する工程をさらに有し、
前記原料ガスを供給する工程と、前記反応ガスを供給する工程と、前記反応管の外壁面に当設されて内部を電磁波が伝送する導波管と前記電磁波を生成する電磁波生成部から構成された第１のプラズマ生成部によって前記反応ガスを活性化する工程とを１サイクルとし、複数サイクル繰り返すことを特徴とする付記１５に記載の方法が提供される。

＜付記１７＞
本発明の更に別の態様によれば、
複数の基板を反応管に搬入する手順と、
前記反応管に反応ガスを供給する手順と、
前記反応管の外壁に垂直方向に当設されて内部に電磁波が伝送されるとともに、前記外壁に当設される面に設けた開口によって前記電磁波を供給する導波管と、前記導波管に接続され前記電磁波を生成する電磁波生成部とを有する第１のプラズマ生成部によって前記処理ガスを活性化する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または、該プログラムを記憶可能な記録媒体が提供される。

＜付記１８＞
前記原料ガスを供給する手順をさらに有し、
前記原料ガスを供給する手順と、前記反応ガスを供給する手順と、前記反応管の外壁面に当設されて内部を電磁波が伝送する導波管と前記電磁波を生成する電磁波生成部から構成された第１のプラズマ生成部によって前記反応ガスを活性化する手順とを１サイクルとし、複数サイクル繰り返すようにコンピュータに実行させる付記１７に記載のプログラム、または、該プログラムを記憶可能な記録媒体が提供される。

１２１…コントローラ、２００…ウエハ、２０１…処理室、２０３…反応管、２０７…ヒータ（加熱装置）、２１７…ボート、２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄ…ガス供給管、２４９ａ、２４９ｂ…ノズル、２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃ…ガス供給孔、３００…導波管、３０５…高周波電源（ＣＣＰ）、３１０…高周波電源（ＳＷＰ）、３２０…スロットアンテナ、３３０…電極（ＣＣＰ）。

Claims (6)

1. 基板保持具に多段に保持された複数の基板を処理する反応管と、
   前記反応管内部に設置され、前記複数の基板を処理する反応ガスを供給するガス供給部と、
   前記反応管の外壁に当設される面に開口を有し、内部に伝送される電磁波を前記開口から前記反応管内へ供給する導波管と、前記導波管に接続され前記電磁波を生成する電磁波生成部とを有し、前記ガス供給部から供給された前記反応ガスを活性化させる第１のプラズマ生成部と、を備え、
   前記導波管は、前記反応管の長手方向に沿い、前記反応管の円周に対しては部分的に配置される基板処理装置。
2. 前記導波管は、前記ガス供給部の背面に位置する前記反応管の外壁に設置される請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記導波管は、内部が中空となるよう構成され、前記反応管の外壁面に当設されている壁面には前記開口として複数のスロットアンテナが設けられ、
   前記反応管の外側に、前記反応管と同心円状に設けられた加熱装置を更に備える請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 電力が供給されてプラズマを発生させる電極を有し、当該プラズマにより前記反応ガスと異なる反応ガスを活性化する第２のプラズマ生成部をさらに備える請求項１から３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
5. 前記ガス供給部は、前記長手方向に沿って設けられて側面の複数のガス供給孔から前記反応ガスを供給するノズルと、前記反応ガスを一時的に溜めるバッファ室と、を備えた請求項２から４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
6. 複数の基板を反応管に搬入する工程と、
   前記反応管に処理ガスを供給する工程と、
   第１のプラズマ生成部によって、前記反応管の外壁に当設される面に開口を有する導波管の内部に、前記導波管に接続された電磁波生成部からの電磁波を伝送させて、前記開口から前記反応管内へ前記電磁波を供給し、前記処理ガスを活性化する工程と、を有し、
   前記導波管は、前記反応管の長手方向に沿い、前記反応管の円周に対しては部分的に配置される半導体装置の製造方法。

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