JP6450024B2 - Cleaning device and cleaning method - Google Patents

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Description

本発明は、洗浄装置に係り、特に、中空領域を有する半導体基板を洗浄する洗浄装置及びこれを用いた洗浄方法に関する。   The present invention relates to a cleaning apparatus, and more particularly, to a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor substrate having a hollow region and a cleaning method using the same.

近年、半導体装置の製造プロセスにおいて、製造途中段階のウェハに集束イオンビームを照射して、加工や形状観察を行う技術が注目されている。例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスのように、複雑な形状を有する半導体装置を製造する際の断面検査では、集束イオンビームを用いた断面形状観察は有効な方法である。MEMSデバイスとしては、例えばメンブレンの振動を利用した圧力センサが知られている。   2. Description of the Related Art In recent years, in a semiconductor device manufacturing process, a technique for irradiating a focused ion beam onto a wafer in the middle of manufacturing and performing processing and shape observation has attracted attention. For example, cross-sectional shape observation using a focused ion beam is an effective method for cross-sectional inspection when manufacturing a semiconductor device having a complicated shape, such as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) device. As a MEMS device, for example, a pressure sensor using vibration of a membrane is known.

一般に、集束イオンビームとしては、Gaイオンビームが用いられている。集束イオンビーム照射後の半導体基板をそのまま製造ラインに戻した場合、半導体基板の表面に注入されたGaイオンにより、製造ラインの構成部品が汚染されることがある。例えば特許文献1には、集束イオンビームを照射した後の半導体基板に、Arイオン等のイオンビームを照射して、半導体基板の表面からGaイオンを除去する方法が開示されている。   In general, a Ga ion beam is used as the focused ion beam. When the semiconductor substrate after focused ion beam irradiation is returned to the production line as it is, the components of the production line may be contaminated by Ga ions implanted into the surface of the semiconductor substrate. For example, Patent Document 1 discloses a method of removing Ga ions from the surface of a semiconductor substrate by irradiating the semiconductor substrate after irradiation with a focused ion beam with an ion beam such as Ar ions.

試料の表面に付着した物質は、洗浄処理によって除去することが可能である。特許文献1には、スパッタリングにより除去されて半導体基板表面に再付着した物質を、洗浄により除去したうえで、再び製造工程に戻す点が開示されている。   The substance attached to the surface of the sample can be removed by a cleaning process. Patent Document 1 discloses that a substance removed by sputtering and reattached to the surface of a semiconductor substrate is removed by cleaning and then returned to the manufacturing process.

半導体装置の製造プロセスにおいて一般に用いられる洗浄方法では、半導体基板の少なくとも片面は、全領域が洗浄液に晒される。このため、洗浄を必要としない領域も、洗浄液と接触してエッチングされることがある。従って、半導体基板において洗浄を必要としている領域だけを洗浄する、所謂局所洗浄技術の適用が求められている。例えば特許文献2には、チップの大きさに適合させて形成したシール部をSiウェハに密着させた後、シール部の内側の領域に薬品を吐出するようにした、ウェハーの微小領域加工装置が開示されている。   In a cleaning method generally used in the manufacturing process of a semiconductor device, at least one surface of the semiconductor substrate is exposed to the cleaning liquid. For this reason, the area | region which does not require washing | cleaning may be etched in contact with a washing | cleaning liquid. Therefore, there is a demand for applying a so-called local cleaning technique for cleaning only a region of the semiconductor substrate that requires cleaning. For example, Patent Document 2 discloses a wafer micro-area processing apparatus in which a seal formed in conformity with the size of a chip is brought into close contact with a Si wafer and then a chemical is discharged to an area inside the seal. It is disclosed.

特開平6−260129号公報JP-A-6-260129 特開2002−246362号公報JP 2002-246362 A

上記したMEMSデバイスにおいては、多くの場合、内部に中空領域を有している。中空領域を有する半導体基板に集束イオンビームを照射して断面加工すると、半導体基板から除去された物質の一部は、再付着物として、半導体基板の加工断面、表面、及び中空領域の内壁に付着する。   In many cases, the above-described MEMS device has a hollow region inside. When a cross section is processed by irradiating a semiconductor substrate having a hollow region with a focused ion beam, a part of the substance removed from the semiconductor substrate adheres to the processing cross section of the semiconductor substrate, the surface, and the inner wall of the hollow region as a reattachment. To do.

再付着物が付着した状態のまま、半導体基板の断面観察を行うと、断面加工後の半導体基板の中空領域の高さは、断面加工前と比較すると、観察視野に含まれる再付着物の厚さの分、低い値として測定される。従って、断面観察により本来得るべき情報である、再付着物が付着していない状態の形状情報を、正確に得られないことがある。また、集束イオンビームによる加工後の半導体基板を、ビーム照射により除去された物質が中空領域に再付着した状態のまま、製造ラインに戻した場合、中空領域に付着したGaイオンにより、製造ラインの構成部品が汚染されることがある。   When the cross section of the semiconductor substrate is observed with the reattachment attached, the height of the hollow region of the semiconductor substrate after the cross section processing is larger than the thickness of the reattachment included in the observation field as compared to before the cross section processing. It is measured as a low value. Therefore, shape information in a state where no reattachment is attached, which is information that should be originally obtained by cross-sectional observation, may not be obtained accurately. In addition, when the semiconductor substrate processed by the focused ion beam is returned to the production line while the substance removed by the beam irradiation is reattached to the hollow region, the Ga ion adhering to the hollow region causes Components can become contaminated.

このため、中空領域を有する半導体基板から、再付着物を除去する技術が求められている。特許文献1に記載の方法では、半導体基板の表面や加工断面へのイオンビーム照射は可能であるが、中空領域にはイオンビーム照射することができない。このため、特許文献1の方法では、中空領域に付着した再付着物は、除去されずに残存する。   For this reason, the technique which removes a reattachment from a semiconductor substrate which has a hollow region is calculated | required. According to the method described in Patent Document 1, it is possible to irradiate the surface of a semiconductor substrate or a processed cross section with an ion beam, but it is not possible to irradiate a hollow region with an ion beam. For this reason, in the method of Patent Document 1, the reattachment adhered to the hollow region remains without being removed.

特許文献2に記載の方法を用いた場合、中空領域に付着した再付着物の除去を、局所的に行うことが可能である。しかしながら、この方法では、Siウェハの表面にシール部を密着させるため、シール部との接触部において、Siウェハの表面に傷がつき易く、シール部から異物が発生してSiウェハ表面に付着することがある。また、シール部で囲まれた領域の角部には液体が溜まり易く、ウォーターマークが発生し、Siウェハが変質して異物が発生することがある。   When the method described in Patent Document 2 is used, it is possible to locally remove the reattachment adhered to the hollow region. However, in this method, since the seal portion is brought into close contact with the surface of the Si wafer, the surface of the Si wafer is easily damaged at the contact portion with the seal portion, and foreign matter is generated from the seal portion and adheres to the Si wafer surface. Sometimes. In addition, liquid easily accumulates at the corners of the region surrounded by the seal portion, a watermark is generated, and the Si wafer may be denatured to generate foreign matter.

本発明の目的は、半導体基板の中空領域に付着した再付着物の除去を局所的に行うことができ、また半導体基板の表面への異物の付着を防止できる洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a cleaning apparatus and a cleaning method capable of locally removing the re-adhered matter adhering to the hollow region of the semiconductor substrate and preventing foreign matter from adhering to the surface of the semiconductor substrate. It is in.

本発明に係る洗浄装置の好ましい実施形態としては、半導体基板を支持する支持台と、前記支持台の上に支持される前記半導体基板の表面に向けて液体を供給する液体供給ラインと、前記液体供給ラインから供給された液体を前記半導体基板の表面に吐出する吐出ノズルと、前記半導体基板の表面から液体を吸引する吸引ノズルと、前記吸引ノズルから吸引された液体を回収する真空ラインと、前記吐出ノズルを移動させる吐出ノズル移動機構と、前記吸引ノズルを移動させる吸引ノズル移動機構と、を有し、前記吐出ノズルから前記半導体基板に液体を吐出して前記半導体基板の表面を洗浄する洗浄時には、前記吐出ノズルの吐出口は、前記吸引ノズルにより前記半導体基板の表面から液体が吸引される吸引領域の内側の領域に、前記吐出ノズル移動機構により位置付けられ、前記吸引ノズルは、前記半導体基板の表面から離間した状態で前記液体を吸引することを特徴とする。   As a preferred embodiment of the cleaning apparatus according to the present invention, a support base for supporting a semiconductor substrate, a liquid supply line for supplying a liquid toward the surface of the semiconductor substrate supported on the support base, and the liquid A discharge nozzle for discharging the liquid supplied from the supply line to the surface of the semiconductor substrate; a suction nozzle for sucking the liquid from the surface of the semiconductor substrate; a vacuum line for recovering the liquid sucked from the suction nozzle; During cleaning for cleaning the surface of the semiconductor substrate by having a discharge nozzle moving mechanism for moving the discharge nozzle and a suction nozzle moving mechanism for moving the suction nozzle, discharging liquid from the discharge nozzle to the semiconductor substrate The discharge port of the discharge nozzle is disposed in a region inside the suction region where liquid is sucked from the surface of the semiconductor substrate by the suction nozzle. Located by nozzle movement mechanism, the suction nozzle, characterized by sucking the liquid in a state of being separated from the surface of the semiconductor substrate.

また、本発明に係る洗浄装置の好ましい実施形態としては、半導体基板を支持する支持台と、前記半導体基板の表面から液体を吸引する吸引ノズルと、前記吸引ノズルから吸引された液体を回収する真空ラインと、前記支持台の上に支持される前記半導体基板の表面に向けて液体を供給する液体供給ラインと、前記吸引ノズルにより前記半導体基板の表面から液体が吸引される吸引領域の内側の領域に設置され、前記液体供給ラインから供給された液体を前記半導体基板の表面に吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズル及び前記吸引ノズルに接続されたノズル可動アームと、前記ノズル可動アームを駆動し、前記吐出ノズル及び前記吸引ノズルを移動させるノズル移動機構と、を有し、前記洗浄時には、前記吸引ノズルは、前記半導体基板の表面から離間した状態で前記液体を吸引すること特徴とする。   Further, as a preferred embodiment of the cleaning apparatus according to the present invention, a support base for supporting the semiconductor substrate, a suction nozzle for sucking liquid from the surface of the semiconductor substrate, and a vacuum for collecting the liquid sucked from the suction nozzle A line, a liquid supply line for supplying liquid toward the surface of the semiconductor substrate supported on the support base, and a region inside the suction region where the liquid is sucked from the surface of the semiconductor substrate by the suction nozzle A discharge nozzle for discharging the liquid supplied from the liquid supply line to the surface of the semiconductor substrate, a nozzle movable arm connected to the discharge nozzle and the suction nozzle, and driving the nozzle movable arm, A nozzle moving mechanism for moving the discharge nozzle and the suction nozzle, and at the time of cleaning, the suction nozzle is formed on the semiconductor substrate. Wherein aspirating the said liquid in a state of being spaced apart from the surface.

本発明に係る洗浄方法好ましい実施形態としては、支持台に載せられた半導体基板の表面から液体を吸引する吸引ノズルを、該吸引ノズルを移動させる吸引ノズル移動機構により、前記半導体基板の所定領域の上に移動させ、前記半導体基板の表面に液体を吐出する吐出ノズルを、該吐出ノズルを移動させる吐出ノズル移動機構により、前記吐出ノズルの吐出口が、前記吸引ノズルにより前記半導体基板の表面から液体が吸引される吸引領域の内側の領域に入るように移動させ、前記吐出ノズルに接続された液体供給ラインから供給された液体を、前記吐出ノズルから前記半導体基板の表面に吐出し、前記吸引ノズルを前記半導体基板の表面から離間させた状態で、前記半導体基板の表面に供給された液体を前記吸引ノズルにより吸引し、前記液体を前記吸引ノズルに接続された真空ラインにより回収することを特徴とする。   As a preferred embodiment of the cleaning method according to the present invention, a suction nozzle that sucks liquid from the surface of a semiconductor substrate placed on a support base is moved to a predetermined region of the semiconductor substrate by a suction nozzle moving mechanism that moves the suction nozzle. The discharge nozzle for moving the discharge nozzle to move the discharge nozzle to the surface of the semiconductor substrate is moved from the surface of the semiconductor substrate by the suction nozzle. Is moved so as to enter a region inside the suction region to be sucked, and the liquid supplied from the liquid supply line connected to the discharge nozzle is discharged from the discharge nozzle onto the surface of the semiconductor substrate, and the suction nozzle The liquid supplied to the surface of the semiconductor substrate is sucked by the suction nozzle while being separated from the surface of the semiconductor substrate, And recovering the connected vacuum line liquid to the suction nozzle.

また、本発明に係る洗浄方法の好ましい実施形態としては、支持台に半導体基板を設置し、前記半導体基板の表面から液体を吸引する吸引ノズルと、前記吸引ノズルにより前記半導体基板の表面から液体が吸引される吸引領域の内側の領域に設置され、前記半導体基板の表面に液体を吐出する吐出ノズルとを移動させるノズル移動機構により、前記吸引ノズル及び前記吐出ノズルを所定領域の上に移動させ、前記吐出ノズルに接続された液体供給ラインから供給された液体を、前記吐出ノズルから前記半導体基板の表面に吐出し、前記吸引ノズルを前記半導体基板の表面から離間させた状態で、前記半導体基板の表面に吐出された液体を、前記吸引ノズルにより吸引し、前記吸引ノズルに接続された真空ラインにより回収することを特徴とする。   Further, as a preferred embodiment of the cleaning method according to the present invention, a semiconductor substrate is installed on a support base, and a suction nozzle that sucks liquid from the surface of the semiconductor substrate, and liquid is sucked from the surface of the semiconductor substrate by the suction nozzle. The suction nozzle and the discharge nozzle are moved over a predetermined area by a nozzle moving mechanism that moves to a surface of the semiconductor substrate and moves a discharge nozzle that discharges liquid to the surface of the semiconductor substrate. The liquid supplied from the liquid supply line connected to the discharge nozzle is discharged from the discharge nozzle onto the surface of the semiconductor substrate, and the suction nozzle is separated from the surface of the semiconductor substrate. The liquid discharged on the surface is sucked by the suction nozzle and collected by a vacuum line connected to the suction nozzle. .

本発明によれば、半導体基板の中空領域に付着した再付着物の除去を局所的に行うことができ、また半導体基板の表面への異物の付着を防止できる洗浄装置及び洗浄方法を実現することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the cleaning apparatus and the cleaning method which can remove locally the reattachment adhering to the hollow area | region of a semiconductor substrate, and can prevent the adhesion of the foreign material to the surface of a semiconductor substrate are implement | achieved. Can do.

実施例1に係る洗浄装置100を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a cleaning device 100 according to Example 1. FIG. 洗浄装置100を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 100. FIG. 洗浄装置100を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 100. FIG. 洗浄装置100を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 100. FIG. 洗浄装置100を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 100. FIG. 洗浄時における洗浄装置100内の洗浄液の流動方向を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the flow direction of the washing | cleaning liquid in the washing | cleaning apparatus 100 at the time of washing | cleaning. 集束イオンビーム照射により断面加工を行う前の初期状態の試料の断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of the sample of the initial state before performing cross-section processing by focused ion beam irradiation. イオンビーム93照射後の半導体基板13の断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of the semiconductor substrate 13 after ion beam 93 irradiation. 集束イオンビームによる断面加工後の半導体基板13の洗浄時における、洗浄装置100内の洗浄液15の流動方向を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the flow direction of the washing | cleaning liquid 15 in the washing | cleaning apparatus 100 at the time of washing | cleaning of the semiconductor substrate 13 after the cross-section process by a focused ion beam. 洗浄後、観察試料96を摘出するときの半導体基板の断面形状を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional shape of a semiconductor substrate when extracting the observation sample 96 after washing | cleaning. 観察試料96を摘出した後の半導体基板13の洗浄時における、洗浄装置100内における洗浄液15の流動方向を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the flow direction of the washing | cleaning liquid 15 in the washing | cleaning apparatus 100 at the time of washing | cleaning of the semiconductor substrate 13 after extracting the observation sample 96. FIG. 実施例2に係る洗浄装置200を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the washing | cleaning apparatus 200 which concerns on Example 2. FIG. 洗浄装置200を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the washing | cleaning method using the washing | cleaning apparatus 200. FIG. 洗浄装置200を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the washing | cleaning method using the washing | cleaning apparatus 200. FIG. 洗浄装置200を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the washing | cleaning method using the washing | cleaning apparatus 200. FIG. 洗浄装置200を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the washing | cleaning method using the washing | cleaning apparatus 200. FIG. 洗浄時における洗浄装置200内の洗浄液の流動方向を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the flow direction of the washing | cleaning liquid in the washing | cleaning apparatus 200 at the time of washing | cleaning. 実施例3に係る洗浄装置300を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the washing | cleaning apparatus 300 which concerns on Example 3. FIG. 洗浄装置300を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 300. FIG. 洗浄装置300を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 300. FIG. 洗浄装置300を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 300. FIG. 洗浄装置300を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。4 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 300. FIG. 洗浄装置300の第1の吸引ノズル可動アーム42と第1の吸引ノズル43との接続部の変形例を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a modified example of a connection portion between the first suction nozzle movable arm and the first suction nozzle 43 of the cleaning device 300. 実施例4に係る洗浄装置400を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a cleaning device 400 according to a fourth embodiment. 洗浄装置400を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。6 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 400. FIG. 洗浄装置400を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。6 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 400. FIG. 洗浄装置400を用いた洗浄方法を説明するための斜視図である。6 is a perspective view for explaining a cleaning method using the cleaning apparatus 400. FIG. 洗浄時における洗浄装置400内の洗浄液の流動方向を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the flow direction of the washing | cleaning liquid in the washing | cleaning apparatus 400 at the time of washing | cleaning. 中空領域92を有する半導体基板13に、集束イオンビームを照射して断面加工を行った後の、加工断面近傍の領域を拡大して示す斜視図である。It is a perspective view which expands and shows the area | region of the process cross section after irradiating the focused ion beam to the semiconductor substrate 13 which has the hollow area | region 92, and performing cross-section process. 支持台11の上に設置する半導体基板13の上面図である。3 is a top view of a semiconductor substrate 13 installed on a support base 11. FIG. 洗浄装置100を用いた洗浄処理を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing a cleaning process using the cleaning apparatus 100. 洗浄装置200を用いた洗浄処理を示すフローチャートである。5 is a flowchart showing a cleaning process using the cleaning apparatus 200. 洗浄装置300を用いた洗浄処理を示すフローチャートである。5 is a flowchart showing a cleaning process using the cleaning apparatus 300. 洗浄装置400を用いた洗浄処理を示すフローチャートである。10 is a flowchart showing a cleaning process using the cleaning apparatus 400.

<洗浄装置の構造>
実施例1に係る洗浄装置について、図1〜図4を用いて説明する。図1は、実施例1に係る洗浄装置100を示す斜視図である。
<Structure of the cleaning device>
A cleaning apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view illustrating a cleaning apparatus 100 according to the first embodiment.

洗浄装置100は、半導体基板13を支持する支持台11を備えている。支持台11上には、半導体基板13を保持する基板保持機構12が設置されている。基板保持機構12は、複数本のピン状の突起物121により構成されており、洗浄時には、各突起物121の上部に半導体基板13が保持される。なお、図1では、半導体基板13を物理的に保持する方式について示したが、半導体基板13の保持方式としては、物理的な保持とは異なる方式で保持するようにしてもよい。   The cleaning apparatus 100 includes a support base 11 that supports the semiconductor substrate 13. A substrate holding mechanism 12 that holds the semiconductor substrate 13 is installed on the support base 11. The substrate holding mechanism 12 is composed of a plurality of pin-shaped projections 121, and the semiconductor substrate 13 is held on top of each projection 121 during cleaning. Although FIG. 1 shows a method for physically holding the semiconductor substrate 13, the holding method for the semiconductor substrate 13 may be held by a method different from the physical holding method.

支持台11には、支持台11を回転させる支持台回転機構71が接続されている。支持台回転機構71を備えることで、半導体基板13をスピン回転させながら洗浄することができる。   A support base rotating mechanism 71 that rotates the support base 11 is connected to the support base 11. By providing the support base rotation mechanism 71, the semiconductor substrate 13 can be cleaned while being rotated.

支持台11の近傍には、支持台11上の半導体基板13の表面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給ライン21が設置されている。洗浄液供給ライン21は、中空の柱状体により構成されており、洗浄液供給ライン21の一端には、不図示の洗浄液貯留タンクが接続されている。洗浄液供給ライン21の他端には、吐出ノズル可動アーム22、吐出ノズル23とがこの順に接続されている。   A cleaning liquid supply line 21 that supplies a cleaning liquid toward the surface of the semiconductor substrate 13 on the support base 11 is installed in the vicinity of the support base 11. The cleaning liquid supply line 21 is constituted by a hollow columnar body, and a cleaning liquid storage tank (not shown) is connected to one end of the cleaning liquid supply line 21. A discharge nozzle movable arm 22 and a discharge nozzle 23 are connected to the other end of the cleaning liquid supply line 21 in this order.

洗浄液供給ライン21の近傍には、半導体基板13の表面から液体を回収する真空ライン31が設置されている。真空ライン31は、中空の柱状体により構成されており、真空ライン31の一端には、不図示の真空ポンプが接続されている。真空ライン31の他端には、吸引ノズル可動アーム32、吸引ノズル33とがこの順で接続されている。   In the vicinity of the cleaning liquid supply line 21, a vacuum line 31 for collecting liquid from the surface of the semiconductor substrate 13 is installed. The vacuum line 31 is constituted by a hollow columnar body, and a vacuum pump (not shown) is connected to one end of the vacuum line 31. A suction nozzle movable arm 32 and a suction nozzle 33 are connected to the other end of the vacuum line 31 in this order.

吐出ノズル可動アーム22は吐出ノズル移動機構72に接続されている。吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル可動アーム22を駆動することで、吐出ノズル23を移動させる。吸引ノズル可動アーム32は、吸引ノズル移動機構73に接続されている。吸引ノズル移動機構73は、吸引ノズル可動アーム32を駆動することで、吸引ノズル33を移動させる。図1に示す例では、吐出ノズル可動アーム22は、吸引ノズル可動アーム32よりも高い位置で、洗浄液供給ライン21と接続されている。すなわち、吸引ノズル可動アーム32は、吐出ノズル可動アーム22の下側を移動するように構成されている。   The discharge nozzle movable arm 22 is connected to the discharge nozzle moving mechanism 72. The discharge nozzle moving mechanism 72 moves the discharge nozzle 23 by driving the discharge nozzle movable arm 22. The suction nozzle movable arm 32 is connected to a suction nozzle moving mechanism 73. The suction nozzle moving mechanism 73 moves the suction nozzle 33 by driving the suction nozzle movable arm 32. In the example shown in FIG. 1, the discharge nozzle movable arm 22 is connected to the cleaning liquid supply line 21 at a position higher than the suction nozzle movable arm 32. That is, the suction nozzle movable arm 32 is configured to move below the discharge nozzle movable arm 22.

制御部81は、支持台回転機構71、吐出ノズル移動機構72、吸引ノズル移動機構73に接続されており、これら各部の動作を制御する。   The control unit 81 is connected to the support base rotating mechanism 71, the discharge nozzle moving mechanism 72, and the suction nozzle moving mechanism 73, and controls the operation of these units.

洗浄液による腐食の発生を防止するため、支持台11、基板支持機構12、吐出ノズル23、及び吸引ノズル33において、洗浄液と接触する可能性のある箇所を、耐腐食性材料により形成することが望ましい。   In order to prevent the occurrence of corrosion due to the cleaning liquid, it is desirable to form portions of the support base 11, the substrate support mechanism 12, the discharge nozzle 23, and the suction nozzle 33 that may come into contact with the cleaning liquid with a corrosion-resistant material. .

洗浄装置100は、半導体製造用の一般的な洗浄装置と同様、クリーンルーム内での使用を想定している。このため、洗浄装置100の使用により、半導体基板13に異物や金属汚染が付着しないようにすることが望ましい。従って、洗浄装置100を構成する各部材は、可能な限り、低発塵性の非金属材料で構成することが望ましい。   The cleaning apparatus 100 is assumed to be used in a clean room, like a general cleaning apparatus for semiconductor manufacturing. For this reason, it is desirable to prevent foreign substances and metal contamination from adhering to the semiconductor substrate 13 by using the cleaning apparatus 100. Therefore, it is desirable that each member constituting the cleaning apparatus 100 is made of a non-metallic material with low dust generation as much as possible.

支持台11の近傍には、純水を供給する純水供給ライン及びこれに接続する純水吐出ノズルが設置されていてもよい。また、半導体基板13の洗浄後、半導体基板13の表面に残存する液体にガスを吹き付けて、半導体基板13の表面を乾燥させる、ガス吹付機構を設けてもよい。   In the vicinity of the support base 11, a pure water supply line for supplying pure water and a pure water discharge nozzle connected to the pure water supply line may be installed. Further, a gas spraying mechanism may be provided in which after the semiconductor substrate 13 is cleaned, a gas is sprayed onto the liquid remaining on the surface of the semiconductor substrate 13 to dry the surface of the semiconductor substrate 13.

図1に示す例では、吸引ノズル33として、環状に形成された吸引口331の内側に開口部332を有するものを用いている。吸引ノズル33は、吸引口331の外縁及び内縁が、いずれも円形の上面形状を有する二重円筒型の構成を有している。ただし、環状の吸引口331を有する吸引ノズル33としては、吸引口331の内縁及び外縁が、例えば四角形等の他の平面形状を有するものを用いてもよい。   In the example shown in FIG. 1, a suction nozzle 33 having an opening 332 inside a ring-shaped suction port 331 is used. The suction nozzle 33 has a double cylindrical configuration in which the outer edge and the inner edge of the suction port 331 both have a circular upper surface shape. However, as the suction nozzle 33 having the annular suction port 331, the suction nozzle 331 having an inner edge and an outer edge having another planar shape such as a square may be used.

また、支持台11、基板支持機構12、洗浄液供給ライン21、吐出ノズル可動アーム22、吐出ノズル23、真空ライン31、及び吸引ノズル可動アーム32も、図1に示す構造とは異なる形状を有してもよい。
<洗浄装置の動作>
洗浄装置100を用いた洗浄方法について、図16に示すフローチャート及び図2A〜2Dを用いて説明する。なお、図2A〜2Dでは、制御部81、支持台回転機構71、吐出ノズル移動機構72、吸引ノズル移動機構73の表記は省略する。
(ステップ11)
まず、ステップ11で、支持台11の基板保持機構12の各突起物121上に、半導体基板13を設置する(図2A参照)。図15は、支持台11の上に設置する半導体基板13の上面図である。図15に示すように、半導体基板13の表面には、多数のチップ99が形成されている。
(ステップ12)
次に、ステップ12で、制御部81は、不図示の入力部により入力された情報に基づき、集束イオンビームによる加工対象あるいは観察対象となるチップ99に対応するように、制御プログラムにより、洗浄範囲を設定する。
(ステップ13)
次に、ステップ13で、支持台回転機構71は、制御部81の指令に基づき、支持台11を回転駆動させる。これにより、半導体基板13はスピン回転する。
(ステップ14)
次に、ステップ14で、吸引ノズル移動機構73は、制御部81からの指令に基づき、吸引ノズル可動アーム32を駆動し、吸引ノズル33の吸引口331を半導体基板13の表面から離間させた状態で、吸引ノズル33を水平移動させる(図2B参照)。吸引ノズル移動機構73は、吸引ノズル33の軸方向から見たときに、吸引ノズル33の吸引口331が、ステップ12で設定した洗浄範囲内に位置するように、吸引ノズル可動アーム32を駆動して吸引ノズル33を移動させる。
(ステップ15)
次に、ステップ15で、吸引ノズル移動機構73は、制御部81からの指令に基づき、吸引ノズル可動アーム32を駆動し、吸引ノズル33を半導体基板13側に垂直移動させる。吸引ノズル移動機構73は、吸引ノズル33の吸引口331と半導体基板13との距離が所望の値となる位置まで、吸引ノズル可動アーム32を移動させる。
(ステップ16)
次いで、ステップ16で、吐出ノズル移動機構72は、制御部81からの指令に基づき、吐出ノズル可動アーム22を駆動し、吐出口231を半導体基板13の表面から離間させた状態で、吐出ノズル23を水平移動させる。
Further, the support base 11, the substrate support mechanism 12, the cleaning liquid supply line 21, the discharge nozzle movable arm 22, the discharge nozzle 23, the vacuum line 31, and the suction nozzle movable arm 32 also have shapes different from the structure shown in FIG. May be.
<Operation of cleaning device>
A cleaning method using the cleaning apparatus 100 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 16 and FIGS. 2A to 2D, descriptions of the control unit 81, the support base rotating mechanism 71, the discharge nozzle moving mechanism 72, and the suction nozzle moving mechanism 73 are omitted.
(Step 11)
First, in step 11, the semiconductor substrate 13 is installed on each protrusion 121 of the substrate holding mechanism 12 of the support base 11 (see FIG. 2A). FIG. 15 is a top view of the semiconductor substrate 13 installed on the support base 11. As shown in FIG. 15, a large number of chips 99 are formed on the surface of the semiconductor substrate 13.
(Step 12)
Next, in step 12, the control unit 81 uses a control program to execute the cleaning range so as to correspond to the chip 99 to be processed or observed by the focused ion beam based on information input by an input unit (not shown). Set.
(Step 13)
Next, in step 13, the support base rotation mechanism 71 rotates the support base 11 based on a command from the control unit 81. Thereby, the semiconductor substrate 13 rotates by spin.
(Step 14)
Next, in step 14, the suction nozzle moving mechanism 73 drives the suction nozzle movable arm 32 based on a command from the control unit 81, and the suction port 331 of the suction nozzle 33 is separated from the surface of the semiconductor substrate 13. Then, the suction nozzle 33 is moved horizontally (see FIG. 2B). The suction nozzle moving mechanism 73 drives the suction nozzle movable arm 32 so that the suction port 331 of the suction nozzle 33 is located within the cleaning range set in step 12 when viewed from the axial direction of the suction nozzle 33. The suction nozzle 33 is moved.
(Step 15)
Next, in step 15, the suction nozzle moving mechanism 73 drives the suction nozzle movable arm 32 based on a command from the control unit 81 and vertically moves the suction nozzle 33 to the semiconductor substrate 13 side. The suction nozzle moving mechanism 73 moves the suction nozzle movable arm 32 to a position where the distance between the suction port 331 of the suction nozzle 33 and the semiconductor substrate 13 becomes a desired value.
(Step 16)
Next, in step 16, the discharge nozzle moving mechanism 72 drives the discharge nozzle movable arm 22 based on a command from the control unit 81, and the discharge nozzle 23 in a state where the discharge port 231 is separated from the surface of the semiconductor substrate 13. Move horizontally.

吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル23を軸方向から見たときに、吐出口231が吸引領域の内側に入るように、吐出ノズル可動アーム22を水平移動させる。
吸引領域は、吸引ノズル33により、半導体基板13の表面から液体が吸引される領域である。図1〜図4に示す例では、吸引領域は、吸引口331の外縁と内縁とで囲まれた領域である。このため、吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル23を軸方向から見たときに、吐出ノズル23の吐出口231が、吸引口331の内側の領域、すなわち開口部332の内側に入るように、吐出ノズル可動アーム22を水平移動させる(図2C参照)。
(ステップ17)
次に、ステップ17で、吐出ノズル移動機構72は、制御部81からの指令に基づき、吐出ノズル可動アーム22を駆動し、吐出ノズル23を半導体基板13側に垂直移動させる。吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル23の吐出口231と半導体基板13との距離が所望の値となる位置まで、吐出ノズル可動アーム22を半導体基板13側に垂直移動させる。
(ステップ18)
次に、ステップ18〜ステップ19で、洗浄液の吐出及び吸引を行う。図3に、以下のステップ18〜ステップ19における、洗浄装置100内の洗浄液の流動方向を模式的に示す。図3では、洗浄液の流動方向14を矢印で示している。
The discharge nozzle moving mechanism 72 horizontally moves the discharge nozzle movable arm 22 so that the discharge port 231 enters the inside of the suction region when the discharge nozzle 23 is viewed from the axial direction.
The suction region is a region where liquid is sucked from the surface of the semiconductor substrate 13 by the suction nozzle 33. In the example illustrated in FIGS. 1 to 4, the suction region is a region surrounded by the outer edge and the inner edge of the suction port 331. For this reason, the discharge nozzle moving mechanism 72 is configured so that when the discharge nozzle 23 is viewed from the axial direction, the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 enters a region inside the suction port 331, that is, inside the opening 332. The discharge nozzle movable arm 22 is moved horizontally (see FIG. 2C).
(Step 17)
Next, in step 17, the discharge nozzle moving mechanism 72 drives the discharge nozzle movable arm 22 based on a command from the control unit 81 to vertically move the discharge nozzle 23 toward the semiconductor substrate 13. The discharge nozzle moving mechanism 72 vertically moves the discharge nozzle movable arm 22 toward the semiconductor substrate 13 to a position where the distance between the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 and the semiconductor substrate 13 becomes a desired value.
(Step 18)
Next, in step 18 to step 19, the cleaning liquid is discharged and sucked. FIG. 3 schematically shows the flow direction of the cleaning liquid in the cleaning apparatus 100 in the following Step 18 to Step 19. In FIG. 3, the flow direction 14 of the cleaning liquid is indicated by an arrow.

まず、吸引ノズル33の内部を減圧して、半導体基板13に対する吸引力を作用させる。次に、ステップ18で、不図示の洗浄液貯留タンクに貯留された洗浄液15を、洗浄液供給ライン21から吐出ノズル可動アーム22を介して、吐出ノズル23に供給する。そして、吐出ノズル23により、半導体基板13の表面に洗浄液15を吐出する(図2D参照)。吐出ノズル23は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吐出する。
(ステップ19)
次に、ステップ19で、半導体基板13の表面に吐出された洗浄液15を、吸引ノズル33により吸引する。吸引ノズル33は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吸引する。吸引ノズル33により吸引された洗浄液15は、吸引ノズル可動アーム32を介して、真空ライン31に回収される。
First, the inside of the suction nozzle 33 is decompressed to apply a suction force to the semiconductor substrate 13. Next, in step 18, the cleaning liquid 15 stored in a cleaning liquid storage tank (not shown) is supplied from the cleaning liquid supply line 21 to the discharge nozzle 23 via the discharge nozzle movable arm 22. Then, the cleaning liquid 15 is discharged onto the surface of the semiconductor substrate 13 by the discharge nozzle 23 (see FIG. 2D). The discharge nozzle 23 discharges the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13.
(Step 19)
Next, in step 19, the cleaning liquid 15 discharged on the surface of the semiconductor substrate 13 is sucked by the suction nozzle 33. The suction nozzle 33 sucks the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13. The cleaning liquid 15 sucked by the suction nozzle 33 is collected by the vacuum line 31 via the suction nozzle movable arm 32.

吸引ノズル33は、上記したように、ノズル内部を減圧することで、洗浄液15に対して吸引力を作用させている。これにより、吸引ノズル33と半導体基板13とが非接触の状態で、洗浄液15が吸引ノズル33により吸引される。
一方、洗浄装置100の作動時には、洗浄液15が半導体基板13の表面の所望の洗浄範囲を移動するように、半導体基板13をスピン回転させることが望ましい。半導体基板13のスピン回転させた場合、洗浄液15には、半導体基板13の外周部に向かう遠心力が作用する。
As described above, the suction nozzle 33 applies a suction force to the cleaning liquid 15 by reducing the pressure inside the nozzle. Accordingly, the cleaning liquid 15 is sucked by the suction nozzle 33 while the suction nozzle 33 and the semiconductor substrate 13 are not in contact with each other.
On the other hand, when the cleaning apparatus 100 is operated, it is desirable to spin-rotate the semiconductor substrate 13 so that the cleaning liquid 15 moves within a desired cleaning range on the surface of the semiconductor substrate 13. When the semiconductor substrate 13 is spun and rotated, a centrifugal force directed toward the outer periphery of the semiconductor substrate 13 acts on the cleaning liquid 15.

吸引ノズル33による吸引力が、洗浄液15に作用する遠心力より小さい場合には、洗浄液15が吸引ノズル33に吸引されず、半導体基板13の外周に拡散する。従って、吸引ノズル33から洗浄液15に作用する吸引力が、半導体基板13のスピン回転により洗浄液15に作用する遠心力よりも大きくなるように、洗浄装置100の各部の設定や、吸引時の条件を、適宜調整することが望ましい。   When the suction force by the suction nozzle 33 is smaller than the centrifugal force acting on the cleaning liquid 15, the cleaning liquid 15 is not sucked by the suction nozzle 33 and diffuses to the outer periphery of the semiconductor substrate 13. Therefore, the setting of each part of the cleaning apparatus 100 and the conditions at the time of suction are set so that the suction force acting on the cleaning liquid 15 from the suction nozzle 33 becomes larger than the centrifugal force acting on the cleaning liquid 15 due to the spin rotation of the semiconductor substrate 13. It is desirable to adjust appropriately.

具体的には、吸引ノズル33の吸引力、吸引ノズル33と吐出ノズル23との距離、吸引ノズル33と半導体基板13との距離、及び半導体基板13のスピン回転速度を調整するのが望ましい。   Specifically, it is desirable to adjust the suction force of the suction nozzle 33, the distance between the suction nozzle 33 and the discharge nozzle 23, the distance between the suction nozzle 33 and the semiconductor substrate 13, and the spin rotation speed of the semiconductor substrate 13.

実施例1では、支持台11に支持台回転機構71が接続されている例について説明した。但し、洗浄装置100は、必ずしも支持台回転機構71を有していなくてもよい。この点は、実施例2〜3において同様である。   In the first embodiment, the example in which the support base rotation mechanism 71 is connected to the support base 11 has been described. However, the cleaning apparatus 100 does not necessarily have the support base rotation mechanism 71. This point is the same in Examples 2-3.

図1に示す例では、吸引ノズル33は、円形の上面形状を有しており、回転対称性を有している。吸引ノズル33が回転対称性を有している場合には、洗浄液15の吸引時には、支持台11の回転により、洗浄液15の流れが全方位に向けて均一に発生する。このため、半導体基板13の表面における、ウォーターマークの発生を防止することができる。   In the example shown in FIG. 1, the suction nozzle 33 has a circular top surface shape and has rotational symmetry. When the suction nozzle 33 has rotational symmetry, when the cleaning liquid 15 is sucked, the flow of the cleaning liquid 15 is uniformly generated in all directions by the rotation of the support base 11. For this reason, generation of a watermark on the surface of the semiconductor substrate 13 can be prevented.

図1に示す例では、吐出ノズル23の外径直径が、吸引ノズル33の吸引口331の内径よりも小さく形成されている。これにより、吐出ノズル23を軸方向から見たときに、吐出ノズル23の吐出口231全体が、吸引ノズル33の吸引口331の内側に入った状態で、洗浄液15の吐出及び吸引を行うことが可能となる。   In the example shown in FIG. 1, the outer diameter of the discharge nozzle 23 is formed smaller than the inner diameter of the suction port 331 of the suction nozzle 33. Thus, when the discharge nozzle 23 is viewed from the axial direction, the cleaning liquid 15 can be discharged and sucked in a state where the entire discharge port 231 of the discharge nozzle 23 is inside the suction port 331 of the suction nozzle 33. It becomes possible.

吐出ノズル23の外径直径が、吸引ノズル33の吸引口331の内径より大きい場合、吐出ノズル23と吸引ノズル33との位置関係は、吐出ノズル23の吐出口231と半導体基板13との距離が、吸引ノズル33の上端と半導体基板13との距離より大きくなる位置関係に制約される。   When the outer diameter of the discharge nozzle 23 is larger than the inner diameter of the suction port 331 of the suction nozzle 33, the positional relationship between the discharge nozzle 23 and the suction nozzle 33 is that the distance between the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 and the semiconductor substrate 13 is the same. The positional relationship is larger than the distance between the upper end of the suction nozzle 33 and the semiconductor substrate 13.

また、吐出ノズル23の外径が、吸引ノズル33の吸引口331の内径より大きいと、吐出ノズル23と吸引ノズル33とを上記した位置関係に設置して、洗浄液15の吐出を行ったときに、吐出ノズル23から吐出された洗浄液の一部が、吸引ノズル33と接触する。即ち、吸引ノズル33の外表面の一部が、吐出ノズル23から吐出された洗浄液15に晒される。   When the outer diameter of the discharge nozzle 23 is larger than the inner diameter of the suction port 331 of the suction nozzle 33, when the discharge nozzle 23 and the suction nozzle 33 are installed in the above positional relationship and the cleaning liquid 15 is discharged. A part of the cleaning liquid discharged from the discharge nozzle 23 comes into contact with the suction nozzle 33. That is, a part of the outer surface of the suction nozzle 33 is exposed to the cleaning liquid 15 discharged from the discharge nozzle 23.

この結果、吸引ノズル33に接触した洗浄液15が、半導体基板13表面の、洗浄範囲外に滴下されることがある。また、洗浄液15が、吸引ノズル33のうち耐腐食性に劣る材料で形成された部位に付着した場合、吸引ノズル33が腐食することがある。従って、吐出ノズル23の外径は、吸引ノズル33の吸引口の内径より小さくすることが望ましい。   As a result, the cleaning liquid 15 in contact with the suction nozzle 33 may be dripped outside the cleaning range on the surface of the semiconductor substrate 13. In addition, when the cleaning liquid 15 adheres to a portion of the suction nozzle 33 that is formed of a material having poor corrosion resistance, the suction nozzle 33 may corrode. Therefore, it is desirable that the outer diameter of the discharge nozzle 23 be smaller than the inner diameter of the suction port of the suction nozzle 33.

<洗浄装置の効果>
以上説明した、洗浄装置100を用いた洗浄方法によれば、集束イオンビームによる断面加工を行った、中空領域を有する半導体基板13に対して、(i)半導体基板13の中空領域の内壁に付着した再付着物を除去する、(ii)再付着物の除去処理を局所的に行う、(iii)半導体基板13表面への異物の付着を防止する、という(i)〜(iii)の条件を全て満たした洗浄を行うことができる。
<Effect of cleaning device>
According to the cleaning method using the cleaning apparatus 100 described above, the semiconductor substrate 13 having a hollow region subjected to cross-section processing by a focused ion beam is attached to the inner wall of the hollow region of the semiconductor substrate 13 (i). The conditions (i) to (iii) of (ii) removing the re-adhered matter locally, (iii) preventing foreign matter from adhering to the surface of the semiconductor substrate 13 are removed. A full cleaning can be performed.

洗浄装置100を用いて、半導体基板13の洗浄処理を行ったときの効果について、以下に説明する。図4は、断面観察に供する半導体基板13を、実施例1の洗浄装置100を用いて洗浄処理し、断面観察試料を作製する一連の工程を説明するための断面図である。以下では、試料である半導体基板13の断面観察を行うために、集束イオンビームを用いて断面加工を行った半導体基板の処理に、図2及び図3で説明した洗浄方法を適用した場合を例に説明する。   The effects when the semiconductor substrate 13 is cleaned using the cleaning apparatus 100 will be described below. FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a series of steps for cleaning the semiconductor substrate 13 used for cross-sectional observation using the cleaning apparatus 100 of Example 1 to produce a cross-sectional observation sample. In the following, an example in which the cleaning method described with reference to FIGS. 2 and 3 is applied to the processing of a semiconductor substrate subjected to cross-section processing using a focused ion beam in order to perform cross-sectional observation of the semiconductor substrate 13 as a sample. Explained.

図4Aに、集束イオンビーム照射により断面加工を行う前の初期状態の試料の断面を示す。試料としては、中空領域92を有する半導体基板13を用いている。図4Aでは、半導体基板13の上方に、集束イオンビーム照射を行うためのイオン銃91が設置された加工装置を用いて断面加工を行う。   FIG. 4A shows a cross section of the sample in an initial state before cross section processing is performed by focused ion beam irradiation. As a sample, the semiconductor substrate 13 having the hollow region 92 is used. In FIG. 4A, cross-section processing is performed using a processing apparatus in which an ion gun 91 for performing focused ion beam irradiation is installed above the semiconductor substrate 13.

まず、中空領域92を有する半導体基板13に、イオン銃91によりイオンビーム93を照射する。図4Bに、イオンビーム93照射後の半導体基板13の断面を示す。図4Bに示すように、イオンビーム93の照射により、半導体基板13の表面に切削口94が形成される。   First, the semiconductor substrate 13 having the hollow region 92 is irradiated with the ion beam 93 by the ion gun 91. FIG. 4B shows a cross section of the semiconductor substrate 13 after irradiation with the ion beam 93. As shown in FIG. 4B, a cutting hole 94 is formed on the surface of the semiconductor substrate 13 by irradiation with the ion beam 93.

図4では、半導体基板13の中空領域92の上端から下端までを含む領域について断面観察を行う場合の前処理について検討する。このため、図4Bにおいては、切削口94は、半導体基板13の表面から、中空領域92の下端より深い位置まで形成する。   In FIG. 4, the preprocessing when performing cross-sectional observation on the region including the upper end to the lower end of the hollow region 92 of the semiconductor substrate 13 will be considered. For this reason, in FIG. 4B, the cutting hole 94 is formed from the surface of the semiconductor substrate 13 to a position deeper than the lower end of the hollow region 92.

図14は、中空領域92を有する半導体基板13に、集束イオンビームを照射して断面加工を行った後の、加工断面98近傍の領域を拡大して示す斜視図である。図14に示すように、断面加工の結果、半導体基板13の加工断面98及び中空領域92の内壁が、外部に露出した状態となる。イオンビームの照射により半導体基板13から除去された物質は、再付着物97として、半導体基板13の表面、加工断面98、及び中空領域92の内壁に再付着する。   FIG. 14 is an enlarged perspective view showing a region in the vicinity of the processed cross section 98 after the semiconductor substrate 13 having the hollow region 92 is irradiated with the focused ion beam to perform the cross section processing. As shown in FIG. 14, as a result of the cross-section processing, the processing cross-section 98 of the semiconductor substrate 13 and the inner wall of the hollow region 92 are exposed to the outside. The substance removed from the semiconductor substrate 13 by the ion beam irradiation reattaches to the surface of the semiconductor substrate 13, the processed cross section 98, and the inner wall of the hollow region 92 as a reattachment 97.

従って、図4Bでは、イオンビーム93の照射により半導体基板13から除去された物質が、半導体基板13の切削口94及び中空領域92の内壁に再付着する。   Therefore, in FIG. 4B, the substance removed from the semiconductor substrate 13 by the irradiation of the ion beam 93 is reattached to the cutting port 94 and the inner wall of the hollow region 92 of the semiconductor substrate 13.

次に、洗浄装置100を用いて、図1〜図3で説明した方法により、半導体基板13を洗浄する。図4Cに、集束イオンビームによる断面加工後の半導体基板13の洗浄時における、洗浄液15の流動方向を模式的に示す。図4Cでは、洗浄液15の流動方向14を矢印で示している。   Next, the semiconductor substrate 13 is cleaned using the cleaning apparatus 100 by the method described with reference to FIGS. FIG. 4C schematically shows the flow direction of the cleaning liquid 15 at the time of cleaning the semiconductor substrate 13 after cross-section processing by the focused ion beam. In FIG. 4C, the flow direction 14 of the cleaning liquid 15 is indicated by an arrow.

図4Cに示すように、切削口94及び中空領域92は、洗浄液15により充填される。洗浄液15により、切削口94及び中空領域92の内壁に付着した再付着物が除去される。   As shown in FIG. 4C, the cutting port 94 and the hollow region 92 are filled with the cleaning liquid 15. The cleaning liquid 15 removes the reattachment attached to the cutting port 94 and the inner wall of the hollow region 92.

次いで、プローブ95を用いて、洗浄後の半導体基板13から、観察試料96を摘出する。観察試料96を摘出する時の半導体基板13の断面形状を図4Dに示す。図4Cに示す状態から、観察試料96を摘出するまでの間に、必要に応じて、半導体基板13にイオンビーム93を追加照射する。プローブ95を用いた観察試料96の摘出方法は、一般的な集束イオンビーム装置で行われる方法と同様にして行うことができる。   Next, the observation sample 96 is extracted from the cleaned semiconductor substrate 13 using the probe 95. FIG. 4D shows a cross-sectional shape of the semiconductor substrate 13 when the observation sample 96 is extracted. From the state shown in FIG. 4C to the extraction of the observation sample 96, the semiconductor substrate 13 is additionally irradiated with an ion beam 93 as necessary. The method of extracting the observation sample 96 using the probe 95 can be performed in the same manner as that performed by a general focused ion beam apparatus.

最後に、洗浄装置100を用いて、半導体基板13を洗浄する。図4Eに、観察試料96を摘出した後の半導体基板13の洗浄時における、洗浄液15の流動方向を模式的に示す。図4Eでは、洗浄液15の流動方向14を矢印で示している。なお、洗浄処理は、図1〜図3で説明した方法で実施する。図4Eに示す工程により、観察試料96を摘出した後の半導体基板13の表面に残留していたGa含有物が除去される。   Finally, the semiconductor substrate 13 is cleaned using the cleaning apparatus 100. FIG. 4E schematically shows the flow direction of the cleaning liquid 15 when the semiconductor substrate 13 is cleaned after the observation sample 96 is extracted. In FIG. 4E, the flow direction 14 of the cleaning liquid 15 is indicated by an arrow. The cleaning process is performed by the method described with reference to FIGS. 4E, the Ga-containing material remaining on the surface of the semiconductor substrate 13 after the observation sample 96 is extracted is removed.

上記(i)について説明する。
図4Cに示すように、集束イオンビームを照射した後の半導体基板13の切削口94及び中空領域92に、洗浄液15を充填することで、切削口94及び中空領域92の内壁が洗浄液15に晒される。これにより、中空領域92の内壁に付着した再付着物を除去することができる。従って、中空領域92の内壁から再付着物が除去された状態の半導体基板13から、観察試料96を摘出することができる。
The above (i) will be described.
As illustrated in FIG. 4C, the cutting wall 94 and the hollow region 92 of the semiconductor substrate 13 after irradiation with the focused ion beam are filled with the cleaning liquid 15, so that the inner walls of the cutting port 94 and the hollow area 92 are exposed to the cleaning liquid 15. It is. Thereby, the reattachment adhering to the inner wall of the hollow region 92 can be removed. Therefore, the observation sample 96 can be extracted from the semiconductor substrate 13 in a state where the reattachment has been removed from the inner wall of the hollow region 92.

また、洗浄装置100を用いた洗浄方法によれば、図4Eに示すように、観察試料96を摘出した後の半導体基板13の切削口94及び中空領域92に、洗浄液15を充填することで、切削口94及び中空領域92の内壁が洗浄液15に晒される。これにより、観察試料96を摘出した後の半導体基板13に残留していたGa含有物を除去することができる。   Further, according to the cleaning method using the cleaning apparatus 100, as shown in FIG. 4E, by filling the cutting port 94 and the hollow region 92 of the semiconductor substrate 13 after extracting the observation sample 96 with the cleaning liquid 15, The cutting wall 94 and the inner wall of the hollow region 92 are exposed to the cleaning liquid 15. Thereby, the Ga-containing material remaining on the semiconductor substrate 13 after the observation sample 96 is extracted can be removed.

従って、第1に、中空構造を有する半導体基板13を、集束イオンビームを用いて断面観察する際に、再付着物のない試料形状を観察することができる。このため、従来より正確な形状検査が可能となる。第2に、集束イオンビームによる加工を行った後の半導体基板13を、再び製造ラインに戻したときに、再付着物による、製造ラインの構成部品の汚染を防止することができる。   Accordingly, first, when the cross section of the semiconductor substrate 13 having a hollow structure is observed using a focused ion beam, the sample shape without reattachment can be observed. For this reason, a more accurate shape inspection than before is possible. Second, when the semiconductor substrate 13 that has been processed by the focused ion beam is returned to the production line again, contamination of the components of the production line due to the reattachment can be prevented.

上記(ii)について説明する。
図1、図4C及び図4Eに示すように、吸引ノズル33を吐出ノズル23と併用し、吸引ノズル33による吸引領域の内側の領域に吐出ノズル23の吐出口231を入れた状態で、洗浄液15の吐出及び吸引を行うことで、半導体基板13の所定領域だけを洗浄する局所洗浄を行うことができる。このため、集束イオンビームによる加工が行われなかったチップ領域が、洗浄液に晒されないようにして、洗浄を行うことができる。
The above (ii) will be described.
As shown in FIG. 1, FIG. 4C and FIG. 4E, the cleaning liquid 15 is used in a state where the suction nozzle 33 is used in combination with the discharge nozzle 23 and the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 is placed in the area inside the suction area by the suction nozzle 33. By performing the discharge and suction, it is possible to perform local cleaning for cleaning only a predetermined region of the semiconductor substrate 13. For this reason, it is possible to perform the cleaning so that the chip region that has not been processed by the focused ion beam is not exposed to the cleaning liquid.

上記(iii)について説明する。
図1、図4C及び図4Eに示すように、吐出ノズル23及び吸引ノズル33を半導体基板13と接触させないようにして、洗浄液15の吸引を行うことで、洗浄時に、半導体基板13の表面に異物が付着するのを防止することができる。
The above (iii) will be described.
As shown in FIG. 1, FIG. 4C and FIG. 4E, the cleaning liquid 15 is sucked so that the discharge nozzle 23 and the suction nozzle 33 do not come into contact with the semiconductor substrate 13, so that the surface of the semiconductor substrate 13 is cleaned during cleaning. Can be prevented from adhering.

<洗浄装置の構造>
実施例2の洗浄装置について、図5〜7を用いて説明する。図5は、実施例2に係る洗浄装置200を示す斜視図である。
<Structure of the cleaning device>
The cleaning apparatus of Example 2 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a perspective view illustrating the cleaning apparatus 200 according to the second embodiment.

実施例1の洗浄装置100では、真空ライン31、吸引ノズル可動アーム32、及び吸引ノズル33が、それぞれ一体ずつ設置されている。これに対し、実施例2の洗浄装置200では、真空ライン、吸引ノズル可動アーム、及び吸引ノズルが、それぞれ三体ずつ設置されている点が、実施例1と異なっている。なお、洗浄装置200は、上記以外の基本的な構成は、実施例1の洗浄装置100と同様である。このため、洗浄装置100と共通する構成については、その説明を省略する。   In the cleaning apparatus 100 according to the first embodiment, the vacuum line 31, the suction nozzle movable arm 32, and the suction nozzle 33 are each integrally installed. On the other hand, the cleaning apparatus 200 according to the second embodiment is different from the first embodiment in that three vacuum lines, suction nozzle movable arms, and suction nozzles are provided. The cleaning device 200 has the same basic configuration as the cleaning device 100 of the first embodiment except for the above. For this reason, the description of the configuration common to the cleaning apparatus 100 is omitted.

洗浄装置200において、支持台11は、実施例1と同様、支持台11には、支持台11を回転させる支持台回転機構71が接続されている。支持台11の近傍には、第1の真空ライン41、第2の真空ライン51、第3の真空ライン61が、支持台11の外縁を囲むように設置されている。   In the cleaning apparatus 200, the support base 11 is connected to the support base 11, as in the first embodiment, with a support base rotation mechanism 71 that rotates the support base 11. In the vicinity of the support base 11, a first vacuum line 41, a second vacuum line 51, and a third vacuum line 61 are installed so as to surround the outer edge of the support base 11.

第1の真空ライン41には、第1の吸引ノズル可動アーム42、第1の吸引ノズル43がこの順に接続されている。第2の真空ライン51にも同様に、第2の吸引ノズル可動アーム52、第2の吸引ノズル53が接続されている。また、第3の真空ライン61にも同様に、第3の吸引ノズル可動アーム62、第3の吸引ノズル63が接続されている。   A first suction nozzle movable arm 42 and a first suction nozzle 43 are connected to the first vacuum line 41 in this order. Similarly, a second suction nozzle movable arm 52 and a second suction nozzle 53 are connected to the second vacuum line 51. Similarly, a third suction nozzle movable arm 62 and a third suction nozzle 63 are also connected to the third vacuum line 61.

なお、図5に示す洗浄装置200では、真空ライン、吸引ノズル可動アーム、及び吸引ノズルを、それぞれ三体ずつ設置したが、これらは、それぞれ二体ずつ設置してもよい。   In the cleaning device 200 shown in FIG. 5, three vacuum lines, suction nozzle movable arms, and suction nozzles are installed, but two of these may be installed.

第2の真空ライン51と第3の真空ライン61との間の位置には、洗浄液供給ライン21が設置されている。洗浄液供給ライン21には、吐出ノズル可動アーム22、吐出ノズル23が接続されている。吐出ノズル可動アーム22は、第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62よりも高い位置で、洗浄液供給ライン21と接続されている。   A cleaning liquid supply line 21 is installed at a position between the second vacuum line 51 and the third vacuum line 61. A discharge nozzle movable arm 22 and a discharge nozzle 23 are connected to the cleaning liquid supply line 21. The discharge nozzle movable arm 22 is connected to the cleaning liquid supply line 21 at a position higher than the first suction nozzle movable arm 42, the second suction nozzle movable arm 52, and the third suction nozzle movable arm 62.

吐出ノズル可動アーム22は、吐出ノズル移動機構72に接続されている。吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル可動アーム22を駆動することで、吐出ノズル23を移動させる。また、第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62は、吸引ノズル移動機構73に接続されている。吸引ノズル移動機構73は、第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62をそれぞれ駆動することで、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63を移動させる。   The discharge nozzle movable arm 22 is connected to the discharge nozzle moving mechanism 72. The discharge nozzle moving mechanism 72 moves the discharge nozzle 23 by driving the discharge nozzle movable arm 22. The first suction nozzle movable arm 42, the second suction nozzle movable arm 52, and the third suction nozzle movable arm 62 are connected to a suction nozzle moving mechanism 73. The suction nozzle moving mechanism 73 drives the first suction nozzle movable arm 42, the second suction nozzle movable arm 52, and the third suction nozzle movable arm 62, respectively, so that the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle movable arm 62 are driven. The suction nozzle 53 and the third suction nozzle 63 are moved.

洗浄装置200では、第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62が、それぞれ独立に動作するように構成されている。これにより、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53及び第3の吸引ノズル63は、それぞれ任意の方向に移動する。   In the cleaning device 200, the first suction nozzle movable arm 42, the second suction nozzle movable arm 52, and the third suction nozzle movable arm 62 are configured to operate independently of each other. Thereby, the 1st suction nozzle 43, the 2nd suction nozzle 53, and the 3rd suction nozzle 63 each move to arbitrary directions.

制御部82は、支持台回転機構71、吐出ノズル移動機構72、吸引ノズル移動機構73に接続されており、これら各部の動作を制御する。   The control unit 82 is connected to the support base rotating mechanism 71, the discharge nozzle moving mechanism 72, and the suction nozzle moving mechanism 73, and controls the operations of these units.

洗浄装置200では、図5に示すように、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63が、長方形の上面形状を有している。第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63の上面形状は、長方形には限られず、例えば正方形や三角形であってもよい。   In the cleaning apparatus 200, as shown in FIG. 5, the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 have a rectangular top surface shape. The upper surface shape of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 is not limited to a rectangle, and may be, for example, a square or a triangle.

但し、実施例2では、後述するように、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63は、それぞれの側壁を互いに近接させて、吸引領域を形成する。このとき、各吸引ノズル間に隙間が形成されないように、互いの側壁を接触させることが望ましい。従って、実施例2の第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63には、実施例1における吸引ノズル33のような、開口部332を有するものや、円形の上面形状を有するものは、適用しない方がよい。
<洗浄装置の動作>
洗浄装置200を用いた洗浄方法について、図17に示すフローチャート及び図6A〜6Dを用いて説明する。
(ステップ21)
まず、ステップ21では、支持台11の基板保持機構12の各突起物121上に、半導体基板13を設置する(図6A参照)。
(ステップ22)
次に、ステップ22では、制御部82は、制御プログラムにより、半導体基板13における洗浄範囲を設定する。
(ステップ23)
次に、ステップ23で、支持台回転機構71は、制御部82の指令に基づき、支持台11を回転させる。これにより、半導体基板13はスピン回転する。
(ステップ24)
次に、ステップ24では、吸引ノズル移動機構73は、制御部82からの指令に基づき、第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62をそれぞれ駆動し、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63の吸引口431、531、631を、それぞれ半導体基板13の表面から離間させた状態で、水平移動させる。
However, in the second embodiment, as will be described later, the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 form a suction region by bringing their side walls close to each other. At this time, it is desirable to bring the side walls into contact with each other so that no gap is formed between the suction nozzles. Accordingly, the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 according to the second embodiment have an opening 332 like the suction nozzle 33 according to the first embodiment, or a circular shape. It is better not to apply what has an upper surface shape.
<Operation of cleaning device>
A cleaning method using the cleaning apparatus 200 will be described with reference to a flowchart shown in FIG. 17 and FIGS.
(Step 21)
First, in step 21, the semiconductor substrate 13 is installed on each protrusion 121 of the substrate holding mechanism 12 of the support base 11 (see FIG. 6A).
(Step 22)
Next, in step 22, the control unit 82 sets a cleaning range in the semiconductor substrate 13 by a control program.
(Step 23)
Next, in step 23, the support base rotation mechanism 71 rotates the support base 11 based on a command from the control unit 82. Thereby, the semiconductor substrate 13 rotates by spin.
(Step 24)
Next, in step 24, the suction nozzle moving mechanism 73 moves the first suction nozzle movable arm 42, the second suction nozzle movable arm 52, and the third suction nozzle movable arm 62 based on a command from the control unit 82. Each is driven, and the suction ports 431, 531, 631 of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 are horizontally moved while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13, respectively. .

吸引ノズル移動機構73は、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63の側壁を互いに近接させるように、第1〜第3の吸引ノズル可動アーム42、52、62を移動させる。   The suction nozzle moving mechanism 73 includes first to third suction nozzle movable arms 42, 52, so that the side walls of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 are close to each other. 62 is moved.

洗浄装置200では、第1の吸引ノズル43の側壁で囲まれた領域、第2の吸引ノズル53の側壁で囲まれた領域、及び第3の吸引ノズル63で囲まれた領域の全体が、吸引領域となる。吸引ノズル移動機構73は、吸引領域が、ステップ22で設定した洗浄領域の範囲内に形成されるように、第1〜第3の吸引ノズル可動アーム42、52、62を移動させる(図6B参照)。   In the cleaning device 200, the entire region surrounded by the side wall of the first suction nozzle 43, the region surrounded by the side wall of the second suction nozzle 53, and the region surrounded by the third suction nozzle 63 is aspirated. It becomes an area. The suction nozzle moving mechanism 73 moves the first to third suction nozzle movable arms 42, 52, and 62 so that the suction region is formed within the range of the cleaning region set in step 22 (see FIG. 6B). ).

後述するステップ28において、吐出ノズル23から吐出された洗浄液が洗浄範囲の外部に移動するのを防止するため、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63は、その側壁同士を互いに接触させるようにして、吸引領域を形成することが望ましい。
(ステップ25)
次に、ステップ25では、吸引ノズル移動機構73は、制御部82からの指令に基づき、第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62を駆動し、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63を、半導体基板13側に垂直移動させる。
In step 28 described later, in order to prevent the cleaning liquid discharged from the discharge nozzle 23 from moving outside the cleaning range, the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 are: It is desirable to form the suction region so that the side walls are in contact with each other.
(Step 25)
Next, in step 25, the suction nozzle moving mechanism 73 moves the first suction nozzle movable arm 42, the second suction nozzle movable arm 52, and the third suction nozzle movable arm 62 based on a command from the control unit 82. The first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 are driven to move vertically to the semiconductor substrate 13 side.

吸引ノズル移動機構73は、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63の吸引口と半導体基板13との距離が所望の値となる位置まで、第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62をそれぞれ移動させる。
(ステップ26)
次いで、ステップ26では、吐出ノズル移動機構72は、制御部82からの指令に基づき、吐出ノズル可動アーム22を駆動し、吐出ノズル23の吐出口231を、半導体基板13の表面から離間させた状態で、吐出ノズル23を水平移動させる。
The suction nozzle moving mechanism 73 performs the first suction until the distance between the suction ports of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 and the semiconductor substrate 13 becomes a desired value. The nozzle movable arm 42, the second suction nozzle movable arm 52, and the third suction nozzle movable arm 62 are moved.
(Step 26)
Next, in step 26, the discharge nozzle moving mechanism 72 drives the discharge nozzle movable arm 22 based on a command from the control unit 82, and the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 is separated from the surface of the semiconductor substrate 13. Thus, the discharge nozzle 23 is moved horizontally.

吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル23を軸方向から見たときに、吐出ノズル23の吐出口231が、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63により形成される吸引領域の内側の領域に入るように、吐出ノズル可動アーム22を移動させる(図6C参照)。
(ステップ27)
次に、ステップ27では、吐出ノズル移動機構72は、制御部82からの指令に基づき、吐出ノズル可動アーム22を駆動し、吐出ノズル23を半導体基板13側に垂直移動させる。吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル23の吐出口231と半導体基板13との距離が所望の値となる位置まで、吐出ノズル可動アーム22を半導体基板13側に移動させる。
(ステップ28)
次に、ステップ28〜ステップ29で、洗浄液の吐出及び吸引を行う。図7に、以下のステップ29〜ステップ29における、洗浄装置200内の洗浄液の流動方向を模式的に示す。図7では、洗浄液の流動方向14を矢印で示している。
まず、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63の内部を減圧して、半導体基板13に対する吸引力を作用させる。
In the discharge nozzle moving mechanism 72, when the discharge nozzle 23 is viewed from the axial direction, the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 is formed by the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63. The discharge nozzle movable arm 22 is moved so as to enter the area inside the suction area to be discharged (see FIG. 6C).
(Step 27)
Next, in step 27, the discharge nozzle moving mechanism 72 drives the discharge nozzle movable arm 22 based on a command from the control unit 82 to vertically move the discharge nozzle 23 toward the semiconductor substrate 13. The discharge nozzle moving mechanism 72 moves the discharge nozzle movable arm 22 toward the semiconductor substrate 13 to a position where the distance between the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 and the semiconductor substrate 13 becomes a desired value.
(Step 28)
Next, in step 28 to step 29, the cleaning liquid is discharged and sucked. FIG. 7 schematically shows the flow direction of the cleaning liquid in the cleaning apparatus 200 in the following Step 29 to Step 29. In FIG. 7, the flow direction 14 of the cleaning liquid is indicated by an arrow.
First, the insides of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 are depressurized to apply a suction force to the semiconductor substrate 13.

次に、ステップ28では、不図示の洗浄液貯留タンクに貯留された洗浄液15を、洗浄液供給ライン21から吐出ノズル可動アーム22を介して、吐出ノズル23に供給する。そして、吐出ノズル23により、半導体基板13の表面に洗浄液15を吐出する(図6D参照)。吐出ノズル23は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吐出する。
(ステップ29)
次に、ステップ29では、半導体基板13の表面に吐出された洗浄液15を、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63により吸引する。第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吸引する。洗浄液15は、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、及び第3の吸引ノズル63のいずれかから吸引され、それぞれ第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52及び第3の吸引ノズル可動アーム62を介して、第1の真空ライン41、第2の真空ライン51、第3の真空ライン61に回収される。
Next, in step 28, the cleaning liquid 15 stored in a cleaning liquid storage tank (not shown) is supplied from the cleaning liquid supply line 21 to the discharge nozzle 23 via the discharge nozzle movable arm 22. Then, the cleaning liquid 15 is discharged onto the surface of the semiconductor substrate 13 by the discharge nozzle 23 (see FIG. 6D). The discharge nozzle 23 discharges the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13.
(Step 29)
Next, in step 29, the cleaning liquid 15 discharged onto the surface of the semiconductor substrate 13 is sucked by the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63. The first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 suck the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13. The cleaning liquid 15 is sucked from any one of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63, and the first suction nozzle movable arm 42 and the second suction nozzle movable arm 52, respectively. The first vacuum line 41, the second vacuum line 51, and the third vacuum line 61 are collected via the third suction nozzle movable arm 62.

<洗浄装置の効果>
実施例2の洗浄装置200は、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63の走査範囲をそれぞれ制御することで、吸引領域を調整することができる。このため、例えば半導体基板13のチップサイズが変更された場合のように、洗浄範囲を変更する必要が生じた場合には、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63の走査範囲を制御して、吸引領域の範囲を調整すればよい。従って、洗浄装置200では、吸引ノズル自体のサイズを変更しなくても、洗浄領域の範囲を変更することができる。このため、吸引ノズルの交換を行うことなく、種々の半導体基板13に対応した洗浄を行うことができる。
<Effect of cleaning device>
The cleaning device 200 according to the second embodiment can adjust the suction region by controlling the scanning ranges of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63, respectively. For this reason, when it is necessary to change the cleaning range, for example, when the chip size of the semiconductor substrate 13 is changed, the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction are performed. The range of the suction area may be adjusted by controlling the scanning range of the nozzle 63. Therefore, in the cleaning device 200, the range of the cleaning region can be changed without changing the size of the suction nozzle itself. Therefore, it is possible to perform cleaning corresponding to various semiconductor substrates 13 without replacing the suction nozzle.

なお、実施例1の洗浄装置100では、一体の吸引ノズルの吸引口331により、吸引領域が規定されている。このため、洗浄液に十分な吸引力を作用させていれば、洗浄範囲の外部への、洗浄液の拡散は防止される。これに対し、実施例2の洗浄装置200では、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53、第3の吸引ノズル63を互いに近接させることで、吸引領域を形成している。このため、例えば各吸引ノズルの側壁の間に隙間が存在していると、その隙間から洗浄液が拡散することがある。   In the cleaning apparatus 100 according to the first embodiment, the suction region is defined by the suction port 331 of the integrated suction nozzle. For this reason, if a sufficient suction force is applied to the cleaning liquid, diffusion of the cleaning liquid to the outside of the cleaning range is prevented. On the other hand, in the cleaning device 200 according to the second embodiment, the suction region is formed by bringing the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63 close to each other. For this reason, for example, if there is a gap between the side walls of each suction nozzle, the cleaning liquid may diffuse from the gap.

従って、洗浄装置200では、洗浄液が洗浄範囲の外部に拡散するのを防止するように留意して、各部を制御する点に留意する。具体的には、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53及び第3の吸引ノズル63の走査位置、走査速度、及び吸引力を制御することがよい。これにより、所望の洗浄範囲の外部の領域に、洗浄液が拡散するのを防止することができる。   Therefore, it should be noted that in the cleaning apparatus 200, each part is controlled by paying attention to prevent the cleaning liquid from diffusing outside the cleaning range. Specifically, it is preferable to control the scanning position, scanning speed, and suction force of the first suction nozzle 43, the second suction nozzle 53, and the third suction nozzle 63. Thereby, it is possible to prevent the cleaning liquid from diffusing into a region outside the desired cleaning range.

<洗浄装置の構造>
実施例3の洗浄装置300について、図8〜9を用いて説明する。図8は、実施例3に係る洗浄装置300を示す斜視図である。
<Structure of the cleaning device>
A cleaning apparatus 300 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a perspective view illustrating the cleaning apparatus 300 according to the third embodiment.

実施例3の洗浄装置300は、実施例2の洗浄装置200の変形例である。洗浄装置300は、図5に示す洗浄装置200とは、吸引ノズル、可動アーム及び真空ラインの数と、吸引ノズルの断面形状が異なっている。   The cleaning device 300 according to the third embodiment is a modification of the cleaning device 200 according to the second embodiment. The cleaning device 300 differs from the cleaning device 200 shown in FIG. 5 in the number of suction nozzles, movable arms, and vacuum lines, and the sectional shape of the suction nozzle.

なお、洗浄装置300は、上記以外の基本的な構成は、図5に示す洗浄装置200と同様である。このため、洗浄装置200と共通する構成については、その説明を省略する。   The basic configuration of the cleaning apparatus 300 other than the above is the same as that of the cleaning apparatus 200 shown in FIG. For this reason, the description of the configuration common to the cleaning apparatus 200 is omitted.

図8に示すように、洗浄装置300は、第1の真空ライン41及び第2の真空ライン51が、支持台11を挟んで対向するように設置されている。第1の真空ライン41、第2の真空ライン51には、それぞれ第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53が接続されている。   As shown in FIG. 8, the cleaning apparatus 300 is installed such that the first vacuum line 41 and the second vacuum line 51 face each other with the support base 11 interposed therebetween. A first suction nozzle 43 and a second suction nozzle 53 are connected to the first vacuum line 41 and the second vacuum line 51, respectively.

具体的には、第1の真空ライン41には、第1の吸引ノズル可動アーム42、第1の吸引ノズル43がこの順に接続されている。また、第2の真空ライン51には、第2の吸引ノズル可動アーム52、第2の吸引ノズル53が接続されている。   Specifically, a first suction nozzle movable arm 42 and a first suction nozzle 43 are connected to the first vacuum line 41 in this order. A second suction nozzle movable arm 52 and a second suction nozzle 53 are connected to the second vacuum line 51.

第1の真空ライン41と第2の真空ライン51との間の位置には、洗浄液供給ライン21が設置されている。洗浄液供給ライン21には、吐出ノズル可動アーム22、吐出ノズル23が接続されている。   A cleaning liquid supply line 21 is installed at a position between the first vacuum line 41 and the second vacuum line 51. A discharge nozzle movable arm 22 and a discharge nozzle 23 are connected to the cleaning liquid supply line 21.

吐出ノズル可動アーム22は、吐出ノズル移動機構72に接続されている。吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル可動アーム22を駆動することで、吐出ノズル23を移動させる。また、第1の吸引ノズル可動アーム42及び第2の吸引ノズル可動アーム52は、吸引ノズル移動機構73に接続されている。吸引ノズル移動機構73は、第1の吸引ノズル可動アーム42及び第2の吸引ノズル可動アーム52をそれぞれ駆動することで、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53を移動させる。   The discharge nozzle movable arm 22 is connected to the discharge nozzle moving mechanism 72. The discharge nozzle moving mechanism 72 moves the discharge nozzle 23 by driving the discharge nozzle movable arm 22. The first suction nozzle movable arm 42 and the second suction nozzle movable arm 52 are connected to a suction nozzle moving mechanism 73. The suction nozzle moving mechanism 73 moves the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 by driving the first suction nozzle movable arm 42 and the second suction nozzle movable arm 52, respectively.

洗浄装置200では、第1の吸引ノズル可動アーム42及び第2の吸引ノズル可動アーム52が、それぞれ独立に動作するように構成されている。これにより、第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53は、それぞれ任意の方向に移動する。   In the cleaning apparatus 200, the first suction nozzle movable arm 42 and the second suction nozzle movable arm 52 are configured to operate independently of each other. Thereby, the 1st suction nozzle 43 and the 2nd suction nozzle 53 move to arbitrary directions, respectively.

制御部83は、支持台回転機構71、吐出ノズル移動機構72、吸引ノズル移動機構73に接続されており、これら各部の動作を制御する。   The control unit 83 is connected to the support base rotating mechanism 71, the discharge nozzle moving mechanism 72, and the suction nozzle moving mechanism 73, and controls the operation of these units.

洗浄装置300では、第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53が、それぞれL字型の上面形状を有している。なお、第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53の上面形状は、L字型に限られず、例えば半円型であってもよい。   In the cleaning apparatus 300, the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 each have an L-shaped upper surface shape. The upper surface shape of the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 is not limited to the L shape, and may be, for example, a semicircular shape.

洗浄装置300では、図5に示す洗浄装置200と比較して、吸引ノズルの数が少ない。このため、洗浄範囲の外部への洗浄液の拡散を防止するために、洗浄時に制御するパラメータ数を、洗浄装置200の場合よりも低減することができる。
<洗浄装置の動作>
洗浄装置300を用いた洗浄方法について、図18に示すフローチャート及び図9A〜図9Dを用いて説明する。
In the cleaning apparatus 300, the number of suction nozzles is smaller than that in the cleaning apparatus 200 shown in FIG. For this reason, in order to prevent the diffusion of the cleaning liquid to the outside of the cleaning range, the number of parameters to be controlled at the time of cleaning can be reduced compared to the case of the cleaning apparatus 200.
<Operation of cleaning device>
A cleaning method using the cleaning apparatus 300 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 18 and FIGS. 9A to 9D.

洗浄装置300を用いた洗浄方法では、ステップ31〜ステップ33は、洗浄装置200を用いた洗浄方法のステップ21〜ステップ23と同様であるため、説明を省略する。
(ステップ34)
ステップ34では、吸引ノズル移動機構73は、制御部83からの指令に基づき、図9Aに示す初期状態から、第1の吸引ノズル可動アーム42及び第2の吸引ノズル可動アーム52を駆動し、第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53の吸引口431、531を、それぞれ半導体基板13の表面から離間させた状態で水平移動させる。
In the cleaning method using the cleaning apparatus 300, Steps 31 to 33 are the same as Steps 21 to 23 of the cleaning method using the cleaning apparatus 200, and thus description thereof is omitted.
(Step 34)
In step 34, the suction nozzle moving mechanism 73 drives the first suction nozzle movable arm 42 and the second suction nozzle movable arm 52 from the initial state shown in FIG. The suction ports 431 and 531 of the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 are horizontally moved while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13.

吸引ノズル移動機構73は、第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53の側壁を互いに対向させ、それぞれの端部を互いに接触させるように、第1の吸引ノズル可動アーム42及び第2の吸引ノズル可動アーム52を移動させる(図9B参照)。洗浄装置300では、第1の吸引ノズル43の側壁で囲まれた領域及び第2の吸引ノズル53の側壁で囲まれた領域の全体が、吸引領域となる。
(ステップ35)
ステップ35では、洗浄装置300においても、図5に示す洗浄装置200と同様に、吸引ノズル移動機構73は、制御部83からの指令に基づき、第1の吸引ノズル可動アーム42及び第2の吸引ノズル可動アーム52を駆動し、それぞれ、第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53の吸引口431、531と半導体基板13との距離が所望の値となる位置まで、半導体基板13側に垂直移動させる。
(ステップ36)
次いで、ステップ36では、吐出ノズル移動機構72は、制御部83からの指令に基づき、吐出ノズル可動アーム72を駆動し、吐出ノズル23の吐出口231を、半導体基板13の表面から離間させた状態で水平移動させる。吐出ノズル移動機構72は、吐出ノズル23を軸方向から見たときに、吐出ノズル23の吐出口231が、第1の吸引ノズル43及び第2の吸引ノズル53により形成される吸引領域の内側に入るように、吐出ノズル可動アーム22を移動させる(図9C参照)。
(ステップ37)
次に、ステップ37では、吐出ノズル移動機構72は、制御部83からの指令に基づき、吐出ノズル可動アーム22を駆動し、吐出ノズル23の吐出口231と半導体基板13との距離が所望の値となる位置まで、半導体基板13側に垂直移動させる。
(ステップ38)
次に、ステップ38〜ステップ39で、洗浄液の吐出及び吸引を行う。
まず、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53の内部を減圧して、半導体基板13に対する吸引力を作用させる。次に、ステップ38では、不図示の洗浄液貯留タンクに貯留された洗浄液15を、洗浄液供給ライン21から吐出ノズル可動アーム22を介して、吐出ノズル23に供給する。そして、吐出ノズル23により、半導体基板13の表面に洗浄液15を吐出する(図9D参照)。吐出ノズル23は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吐出する。
(ステップ39)
次に、ステップ29では、半導体基板13の表面に吐出された洗浄液15を、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53により吸引する。第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吸引する。洗浄液15は、第1の吸引ノズル43、第2の吸引ノズル53のいずれかから吸引され、それぞれ第1の吸引ノズル可動アーム42、第2の吸引ノズル可動アーム52を介して、第1の真空ライン41、第2の真空ライン51に回収される。
The suction nozzle moving mechanism 73 has the first suction nozzle movable arm 42 and the second suction nozzle 43 so that the side walls of the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 are opposed to each other and their respective end portions are in contact with each other. The suction nozzle movable arm 52 is moved (see FIG. 9B). In the cleaning device 300, the entire region surrounded by the side wall of the first suction nozzle 43 and the region surrounded by the side wall of the second suction nozzle 53 are the suction region.
(Step 35)
In step 35, in the cleaning device 300, as in the cleaning device 200 shown in FIG. 5, the suction nozzle moving mechanism 73 performs the first suction nozzle movable arm 42 and the second suction based on a command from the control unit 83. The nozzle movable arm 52 is driven, and the semiconductor substrate 13 side is moved to a position where the distance between the suction ports 431 and 531 of the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 and the semiconductor substrate 13 becomes a desired value. Move vertically.
(Step 36)
Next, in step 36, the discharge nozzle moving mechanism 72 drives the discharge nozzle movable arm 72 based on a command from the control unit 83, and the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 is separated from the surface of the semiconductor substrate 13. Move horizontally with. In the discharge nozzle moving mechanism 72, when the discharge nozzle 23 is viewed from the axial direction, the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 is located inside the suction region formed by the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53. The discharge nozzle movable arm 22 is moved so as to enter (see FIG. 9C).
(Step 37)
Next, in step 37, the discharge nozzle moving mechanism 72 drives the discharge nozzle movable arm 22 based on a command from the control unit 83, and the distance between the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 and the semiconductor substrate 13 is a desired value. Is vertically moved to the semiconductor substrate 13 side to a position where
(Step 38)
Next, in step 38 to step 39, the cleaning liquid is discharged and sucked.
First, the insides of the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 are depressurized to apply a suction force to the semiconductor substrate 13. Next, in step 38, the cleaning liquid 15 stored in a cleaning liquid storage tank (not shown) is supplied from the cleaning liquid supply line 21 to the discharge nozzle 23 via the discharge nozzle movable arm 22. Then, the cleaning liquid 15 is discharged onto the surface of the semiconductor substrate 13 by the discharge nozzle 23 (see FIG. 9D). The discharge nozzle 23 discharges the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13.
(Step 39)
Next, in step 29, the cleaning liquid 15 discharged onto the surface of the semiconductor substrate 13 is sucked by the first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53. The first suction nozzle 43 and the second suction nozzle 53 suck the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13. The cleaning liquid 15 is sucked from either the first suction nozzle 43 or the second suction nozzle 53, and the first vacuum is passed through the first suction nozzle movable arm 42 and the second suction nozzle movable arm 52, respectively. Collected in line 41 and second vacuum line 51.

図10は、洗浄装置300の第1の吸引ノズル可動アーム42と第1の吸引ノズル43との接続部の変形例を示す斜視図である。図10に示すように、第1の吸引ノズル可動アーム42と、第1の吸引ノズル43との間には、ノズル回転部44が介設されている。   FIG. 10 is a perspective view showing a modified example of the connection portion between the first suction nozzle movable arm 42 and the first suction nozzle 43 of the cleaning device 300. As shown in FIG. 10, a nozzle rotation unit 44 is interposed between the first suction nozzle movable arm 42 and the first suction nozzle 43.

ノズル回転部44は、ノズル回転機構76に接続されている。ノズル回転機構76は、ノズル回転部44を回転駆動することで、第1の吸引ノズル43を回転させる。ノズル回転部44は、制御部83(図8参照)に接続され、制御部83により、その動作が制御される。図10には、ノズル回転部44の回転方向45と、ノズル回転部44の回転に伴う、第1の吸引ノズル43の回転方向46が、それぞれ矢印で示されている。   The nozzle rotating unit 44 is connected to the nozzle rotating mechanism 76. The nozzle rotation mechanism 76 rotates the first suction nozzle 43 by driving the nozzle rotation unit 44 to rotate. The nozzle rotation unit 44 is connected to a control unit 83 (see FIG. 8), and the operation of the nozzle rotation unit is controlled by the control unit 83. In FIG. 10, the rotation direction 45 of the nozzle rotation unit 44 and the rotation direction 46 of the first suction nozzle 43 accompanying the rotation of the nozzle rotation unit 44 are indicated by arrows, respectively.

第1の吸引ノズル可動アーム42に、ノズル回転部44を設置することで、第1の吸引ノズル43の動作の自由度が高くなる。その結果、設定できる洗浄範囲の形状の自由度が高くなる。ノズル回転部44は、第2の吸引ノズル可動アーム52と第2の吸引ノズル53との間にも、同様に介設することができる。   By installing the nozzle rotating portion 44 on the first suction nozzle movable arm 42, the degree of freedom of operation of the first suction nozzle 43 is increased. As a result, the degree of freedom of the shape of the cleaning range that can be set increases. The nozzle rotating unit 44 can be similarly interposed between the second suction nozzle movable arm 52 and the second suction nozzle 53.

<洗浄装置の構造>
実施例4の洗浄装置について、図11〜13を用いて説明する。図11は、実施例4に係る洗浄装置400を示す斜視図である。
<Structure of the cleaning device>
The cleaning apparatus of Example 4 will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a perspective view illustrating the cleaning device 400 according to the fourth embodiment.

洗浄装置400では、吐出ノズル23、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27が、ノズル回転部24を介して同一のノズル可動アーム29に接続されている点が、実施例1〜実施例3と異なっている。   In the cleaning device 400, the discharge nozzle 23, the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27 are connected to the same nozzle movable arm 29 via the nozzle rotating unit 24. The point is different from the first to third embodiments.

なお、洗浄装置400は、上記以外の基本的な構成は、実施例1の洗浄装置100、実施例2の洗浄装置200、実施例3の洗浄装置300と同様である。このため、洗浄装置100〜300と共通する構成については、その説明を省略する。   The basic configuration of the cleaning apparatus 400 is the same as that of the cleaning apparatus 100 of the first embodiment, the cleaning apparatus 200 of the second embodiment, and the cleaning apparatus 300 of the third embodiment. For this reason, the description of the configuration common to the cleaning apparatuses 100 to 300 is omitted.

洗浄装置400は、支持台11の近傍に、吸引吐出ライン28が設置されている。吸引吐出ライン28は、中空の柱状体の内部に、洗浄液供給ライン及び真空ラインが設置されたものである。   In the cleaning device 400, the suction / discharge line 28 is installed in the vicinity of the support base 11. The suction / discharge line 28 is configured such that a cleaning liquid supply line and a vacuum line are installed inside a hollow columnar body.

洗浄装置400において、支持台11には、実施例1と同様、支持台11を回転させる支持台回転機構71が接続されている。   In the cleaning apparatus 400, the support base rotating mechanism 71 that rotates the support base 11 is connected to the support base 11, as in the first embodiment.

吸引吐出ライン28には、ノズル可動アーム29、ノズル回転部24が、この順に接続されている。ノズル回転部24の中央には、吐出ノズル23が接続されている。また、ノズル回転部24には、吐出ノズル23を囲むように、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27が接続されている。   A nozzle movable arm 29 and a nozzle rotating unit 24 are connected to the suction / discharge line 28 in this order. A discharge nozzle 23 is connected to the center of the nozzle rotating unit 24. In addition, a fourth suction nozzle 25, a fifth suction nozzle 26, and a sixth suction nozzle 27 are connected to the nozzle rotating unit 24 so as to surround the discharge nozzle 23.

ノズル可動アーム29は、ノズル移動機構74に接続されている。ノズル移動機構74は、ノズル可動アーム29を駆動することで、吐出ノズル23、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27を移動させる。ノズル回転部24は、ノズル回転機構75に接続されている。ノズル回転機構75は、ノズル回転部24を回転駆動することで、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27を回転させる。   The nozzle movable arm 29 is connected to the nozzle moving mechanism 74. The nozzle moving mechanism 74 moves the ejection nozzle 23, the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27 by driving the nozzle movable arm 29. The nozzle rotating unit 24 is connected to the nozzle rotating mechanism 75. The nozzle rotation mechanism 75 rotates the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27 by rotating the nozzle rotation unit 24.

制御部84は、支持台回転機構71、ノズル移動機構74、ノズル回転機構75に接続されており、これら各部の動作を制御する。   The control unit 84 is connected to the support base rotation mechanism 71, the nozzle movement mechanism 74, and the nozzle rotation mechanism 75, and controls the operations of these units.

なお、図11に示す例では、吸引ノズルを3本接続した例を示したが、吸引ノズルの設置数は、必ずしも3本には限られず、例えば4本であってもよく、2本であってもよい。また、ノズル回転機構24は、必ずしも設置しなくてもよい。また、洗浄装置400では、必ずしも、吸引ノズルを複数本設置する構成でなくてもよい。例えば、環状の吸引口を有する吸引ノズルを用い、吸引ノズルの吸引口の内縁で囲まれた領域の内側に、吐出ノズル23を設置するようにしてもよい。
<洗浄装置の動作>
洗浄装置400を用いた洗浄方法について、図19に示すフローチャート及び図12A〜図12Cを用いて説明する。
(ステップ41)
まず、ステップ41では、支持台11の基板保持機構12の各突起物121上に、半導体基板13を設置する(図12A参照)。
(ステップ42)
次に、ステップ42では、制御部84は、制御プログラムにより、半導体基板13における洗浄範囲を設定する。
(ステップ43)
次に、ステップ43で、支持台回転機構71は、制御部84の指令に基づき、支持台11を回転させる。これにより、半導体基板13はスピン回転する。
(ステップ44)
次いで、ステップ44では、ノズル移動機構74は、制御部84からの指令に基づき、ノズル可動アーム29を駆動し、吐出ノズル23、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27を水平移動させる。ノズル可動アーム29は、吐出ノズル23の吐出口231、及び第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27の吸引口251、261、271を、半導体基板13の表面から離間させた状態で移動させる。ノズル可動アーム29は、第4の吸引ノズル25の吸引口251、第5の吸引ノズル26の吸引口261、及び第6の吸引ノズル27の吸引口271が、いずれも、ステップ42で設定した洗浄範囲内に位置するように、第4〜第6の吸引ノズル25〜27を移動させる(図12B参照)。
(ステップ45)
次に、ステップ45では、ノズル移動機構74は、制御部84からの指令に基づき、ノズル可動アーム29を駆動し、吐出ノズル23、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27を、半導体基板13側に垂直移動させる。ノズル移動機構74は、吐出ノズル23の吐出口231と半導体基板13との距離、及び第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、第6の吸引ノズル27の吸引口251、261、271と半導体基板13との距離が、所望の値となる位置まで、ノズル可動アーム29を移動させる。
(ステップ46)
次に、ステップ46〜ステップ48では、洗浄液の吐出及び吸引を行う。図13に、以下のステップ46〜ステップ48における、洗浄装置400内の洗浄液の流動方向を模式的に示す。図13では、洗浄液の流動方向14を矢印で示している。
The example shown in FIG. 11 shows an example in which three suction nozzles are connected. However, the number of suction nozzles is not necessarily limited to three, and may be four, for example, two. May be. Further, the nozzle rotation mechanism 24 is not necessarily installed. Further, the cleaning device 400 does not necessarily have a configuration in which a plurality of suction nozzles are installed. For example, a suction nozzle having an annular suction port may be used, and the discharge nozzle 23 may be installed inside a region surrounded by the inner edge of the suction port of the suction nozzle.
<Operation of cleaning device>
A cleaning method using the cleaning apparatus 400 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 19 and FIGS. 12A to 12C.
(Step 41)
First, in step 41, the semiconductor substrate 13 is installed on each protrusion 121 of the substrate holding mechanism 12 of the support base 11 (see FIG. 12A).
(Step 42)
Next, in step 42, the control part 84 sets the washing | cleaning range in the semiconductor substrate 13 with a control program.
(Step 43)
Next, in step 43, the support base rotation mechanism 71 rotates the support base 11 based on a command from the control unit 84. Thereby, the semiconductor substrate 13 rotates by spin.
(Step 44)
Next, in step 44, the nozzle moving mechanism 74 drives the nozzle movable arm 29 based on a command from the control unit 84, and discharge nozzle 23, fourth suction nozzle 25, fifth suction nozzle 26, and sixth. The suction nozzle 27 is horizontally moved. The nozzle movable arm 29 includes the discharge port 231 of the discharge nozzle 23, the suction ports 251, 261, 271 of the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27. Move it away from the surface. In the nozzle movable arm 29, the suction port 251 of the fourth suction nozzle 25, the suction port 261 of the fifth suction nozzle 26, and the suction port 271 of the sixth suction nozzle 27 are all set in step 42. The fourth to sixth suction nozzles 25 to 27 are moved so as to be positioned within the range (see FIG. 12B).
(Step 45)
Next, in step 45, the nozzle moving mechanism 74 drives the nozzle movable arm 29 based on a command from the control unit 84 to discharge the discharge nozzle 23, the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the 6 suction nozzles 27 are moved vertically to the semiconductor substrate 13 side. The nozzle moving mechanism 74 includes the distance between the discharge port 231 of the discharge nozzle 23 and the semiconductor substrate 13, and the suction ports 251, 261, 271 of the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27. The nozzle movable arm 29 is moved to a position where the distance between the semiconductor substrate 13 and the semiconductor substrate 13 becomes a desired value.
(Step 46)
Next, in step 46 to step 48, the cleaning liquid is discharged and sucked. FIG. 13 schematically shows the flow direction of the cleaning liquid in the cleaning apparatus 400 in the following Step 46 to Step 48. In FIG. 13, the flow direction 14 of the cleaning liquid is indicated by an arrow.

まず、ノズル回転機構75は、制御部84の指令に基づき、ノズル回転部24を駆動し、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27を、吐出ノズル23を中心として回転させる。次に、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27の内部を減圧して、半導体基板13に対する吸引力を作用させる。   First, the nozzle rotation mechanism 75 drives the nozzle rotation unit 24 based on a command from the control unit 84, and causes the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27 to move to the discharge nozzle 23. Rotate around. Next, the insides of the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27 are decompressed to apply a suction force to the semiconductor substrate 13.

実施例3では、ノズル回転部24の回転により、第4の吸引ノズル25の吸引口251、第5の吸引ノズル26の吸引口261、第6の吸引ノズル27の吸引口271が回転移動する領域が、吸引領域となる。
(ステップ47)
次に、ステップ47では、不図示の洗浄液貯留タンクに貯留された洗浄液15を、吸引吐出ライン28内の洗浄液供給ラインからノズル可動アーム29を介して、吐出ノズル23に供給する。そして、吐出ノズル23により、半導体基板13の表面に洗浄液15を吐出する(図12C参照)。吐出ノズル23は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吐出する。
(ステップ48)
次に、ステップ48では、半導体基板13の表面に吐出された洗浄液15を、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27により吸引する。第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27は、半導体基板13の表面から離間した状態で、洗浄液15を吸引する。洗浄液15は、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27のいずれかから吸引され、ノズル可動アーム29を介して、吸引吐出ライン28内の真空ラインに回収される。
In the third embodiment, the suction port 251 of the fourth suction nozzle 25, the suction port 261 of the fifth suction nozzle 26, and the suction port 271 of the sixth suction nozzle 27 are rotated by the rotation of the nozzle rotating unit 24. Is the suction area.
(Step 47)
Next, in step 47, the cleaning liquid 15 stored in a cleaning liquid storage tank (not shown) is supplied from the cleaning liquid supply line in the suction / discharge line 28 to the discharge nozzle 23 via the nozzle movable arm 29. Then, the cleaning liquid 15 is discharged onto the surface of the semiconductor substrate 13 by the discharge nozzle 23 (see FIG. 12C). The discharge nozzle 23 discharges the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13.
(Step 48)
Next, in step 48, the cleaning liquid 15 discharged on the surface of the semiconductor substrate 13 is sucked by the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27. The fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27 suck the cleaning liquid 15 while being separated from the surface of the semiconductor substrate 13. The cleaning liquid 15 is sucked from any of the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27, and is collected in a vacuum line in the suction / discharge line 28 via the nozzle movable arm 29. Is done.

このとき、ノズル回転機構75によりノズル回転部24を回転駆動し、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27を、吐出ノズル23を中心として回転させながら吸引することで、洗浄液15が、所望の洗浄範囲から外部に拡散するのを防止することができる。   At this time, the nozzle rotating unit 24 is rotationally driven by the nozzle rotating mechanism 75, and the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27 are rotated while rotating around the discharge nozzle 23. By doing so, it is possible to prevent the cleaning liquid 15 from diffusing outside from a desired cleaning range.

なお、ステップ42で設定した洗浄範囲が、第4の吸引ノズル25、第5の吸引ノズル26、及び第6の吸引ノズル27により規定される吸引領域より広い場合には、洗浄範囲の残りの領域について、ステップ44〜ステップ48の工程を繰り返せばよい。   When the cleaning range set in step 42 is wider than the suction area defined by the fourth suction nozzle 25, the fifth suction nozzle 26, and the sixth suction nozzle 27, the remaining area of the cleaning range What is necessary is just to repeat the process of step 44-step 48 about.

実施例4の洗浄装置400によれば、実施例1及び実施例2の洗浄装置と比較して、洗浄装置を構成する可動アームの数を減らすことができる。このため、洗浄装置を小型化することが可能である。   According to the cleaning device 400 of the fourth embodiment, the number of movable arms constituting the cleaning device can be reduced as compared with the cleaning devices of the first and second embodiments. For this reason, it is possible to reduce the size of the cleaning device.

11…支持台、12…基板保持機構、121…突起物、13…半導体基板、14…流動方向、15…洗浄液、21…洗浄液供給ライン、22…吐出ノズル可動アーム、23…吐出ノズル、231…吐出口、24、44…ノズル回転部、25、26、27…第4〜第6の吸引ノズル、28…吸引吐出ライン、29…ノズル可動アーム、31…真空ライン、32…吸引ノズル可動アーム、33…吸引ノズル、331、431、531、631…吸引口、332…開口部、41、51、61…第1〜第3の真空ライン、42、52、62…第1〜第3の吸引ノズル可動アーム、43、53、63…第1〜第3の吸引ノズル、45…ノズル回転機構44の回転方向、46…第1の吸引ノズル43の回転方向、71…支持台回転機構、72…吐出ノズル移動機構、73…吸引ノズル移動機構、74…ノズル移動機構、75、76…ノズル回転機構、81、82、83、84…制御部、91…イオン銃、92…中空領域、93…イオンビーム、94…切削口、95…プローブ、96…観察試料、97…再付着物、98…加工断面、99…チップ、100、200、300、400…洗浄装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Support stand, 12 ... Substrate holding mechanism, 121 ... Protrusion, 13 ... Semiconductor substrate, 14 ... Flow direction, 15 ... Cleaning liquid, 21 ... Cleaning liquid supply line, 22 ... Discharge nozzle movable arm, 23 ... Discharge nozzle, 231 ... Discharge port, 24, 44 ... Nozzle rotating part, 25, 26, 27 ... Fourth to sixth suction nozzles, 28 ... Suction discharge line, 29 ... Nozzle movable arm, 31 ... Vacuum line, 32 ... Suction nozzle movable arm, 33 ... Suction nozzles, 331, 431, 531, 631 ... Suction port, 332 ... Opening, 41, 51, 61 ... First to third vacuum lines, 42, 52, 62 ... First to third suction nozzles Movable arm, 43, 53, 63 ... first to third suction nozzles, 45 ... rotation direction of nozzle rotation mechanism 44, 46 ... rotation direction of first suction nozzle 43, 71 ... support base rotation mechanism, 72 ... discharge nozzle Moving mechanism, 73 ... suction nozzle moving mechanism, 74 ... nozzle moving mechanism, 75, 76 ... nozzle rotating mechanism, 81, 82, 83, 84 ... control unit, 91 ... ion gun, 92 ... hollow region, 93 ... ion beam, 94 ... cutting port, 95 ... probe, 96 ... observation sample, 97 ... redeposited material, 98 ... processed cross section, 99 ... tip, 100, 200, 300, 400 ... cleaning device

Claims (13)

半導体基板を支持する支持台と、
前記支持台の上に支持される前記半導体基板の表面に向けて液体を供給する液体供給ラインと、
前記液体供給ラインから供給された液体を前記半導体基板の表面に吐出する吐出ノズルと、
前記半導体基板の表面から液体を吸引する吸引ノズルと、
前記吸引ノズルから吸引された液体を回収する真空ラインと、
前記吐出ノズルを移動させる吐出ノズル移動機構と、
前記吸引ノズルを移動させる吸引ノズル移動機構と、を有し、
前記吐出ノズルから前記半導体基板に液体を吐出して前記半導体基板の表面を洗浄する洗浄時には、前記吐出ノズルの吐出口は、前記吸引ノズルにより前記半導体基板の表面から液体が吸引される吸引領域の内側の領域に、前記吐出ノズル移動機構により位置付けられ、前記吸引ノズルは、前記半導体基板の表面から離間した状態で前記液体を吸引することを特徴とする洗浄装置。
A support for supporting the semiconductor substrate;
A liquid supply line for supplying a liquid toward the surface of the semiconductor substrate supported on the support base;
A discharge nozzle for discharging the liquid supplied from the liquid supply line to the surface of the semiconductor substrate;
A suction nozzle for sucking liquid from the surface of the semiconductor substrate;
A vacuum line for collecting the liquid sucked from the suction nozzle;
A discharge nozzle moving mechanism for moving the discharge nozzle;
A suction nozzle moving mechanism for moving the suction nozzle,
When cleaning the surface of the semiconductor substrate by discharging liquid from the discharge nozzle to the semiconductor substrate, the discharge port of the discharge nozzle is a suction region in which liquid is sucked from the surface of the semiconductor substrate by the suction nozzle. The cleaning apparatus is positioned in an inner region by the discharge nozzle moving mechanism, and the suction nozzle sucks the liquid in a state of being separated from the surface of the semiconductor substrate.
前記支持台を回転させる支持台回転機構を有することを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。 The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a support table rotating mechanism that rotates the support table. 前記吐出ノズル移動機構は、前記吐出ノズルに接続された吐出ノズル可動アームを駆動し、
前記吸引ノズル移動機構は、前記吸引ノズルに接続された吸引ノズル可動アームを駆動し、
前記吸引ノズルは、環状に形成された吸引口の内側に開口部が形成されており、
前記洗浄時には、前記吐出ノズルの吐出口は、前記開口部の内側に入るように、前記吐出ノズル移動機構により位置付けられることを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。
The discharge nozzle moving mechanism drives a discharge nozzle movable arm connected to the discharge nozzle,
The suction nozzle moving mechanism drives a suction nozzle movable arm connected to the suction nozzle,
The suction nozzle has an opening formed inside the annular suction port,
2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein, at the time of cleaning, the discharge port of the discharge nozzle is positioned by the discharge nozzle moving mechanism so as to enter the inside of the opening.
前記吸引領域は、前記吸引口の外縁と内縁で囲まれた領域であることを特徴とする請求項3に記載の洗浄装置。 The cleaning apparatus according to claim 3, wherein the suction region is a region surrounded by an outer edge and an inner edge of the suction port. 前記吐出ノズルの外径は、前記吸引ノズルの前記吸引口の内径より小さいことを特徴とする請求項3に記載の洗浄装置。 The cleaning apparatus according to claim 3, wherein an outer diameter of the discharge nozzle is smaller than an inner diameter of the suction port of the suction nozzle. 前記吸引ノズルの上面形状が円形であることを特徴とする請求項3に記載の洗浄装置。 The cleaning apparatus according to claim 3, wherein an upper surface shape of the suction nozzle is circular. 前記洗浄装置は、前記吸引ノズルとしての第1の吸引ノズル及び第2の吸引ノズルと、
前記吐出ノズルに接続された吐出ノズル可動アームと、
前記第1の吸引ノズルに接続された第1の吸引ノズル可動アームと、
前記第2の吸引ノズルに接続された第2の吸引ノズル可動アームと、を有し、
前記吐出ノズル移動機構は、前記吐出ノズル可動アームを駆動し、
前記吸引ノズル移動機構は、前記第1の吸引ノズル可動アームと、前記第2の吸引ノズル可動アームとを駆動し、
前記洗浄時には、前記第1の吸引ノズル及び前記第2の吸引ノズルは、前記第1の吸引ノズルの側壁と前記第2の吸引ノズルの側壁とが近接して、少なくとも前記第1の吸引ノズル及び前記第2の吸引ノズルにより前記吸引領域が形成されるように、前記吸引ノズル移動機構により位置付けされ、かつ前記吐出ノズルの吐出口は、前記吸引領域の内側に入るように、前記吐出ノズル移動機構により位置付けされることを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。
The cleaning device includes a first suction nozzle and a second suction nozzle as the suction nozzle;
A discharge nozzle movable arm connected to the discharge nozzle;
A first suction nozzle movable arm connected to the first suction nozzle;
A second suction nozzle movable arm connected to the second suction nozzle,
The discharge nozzle moving mechanism drives the discharge nozzle movable arm,
The suction nozzle moving mechanism drives the first suction nozzle movable arm and the second suction nozzle movable arm,
At the time of the cleaning, the first suction nozzle and the second suction nozzle are arranged such that a side wall of the first suction nozzle and a side wall of the second suction nozzle are close to each other, and at least the first suction nozzle and the second suction nozzle The discharge nozzle moving mechanism is positioned by the suction nozzle moving mechanism so that the suction area is formed by the second suction nozzle, and the discharge port of the discharge nozzle is located inside the suction area. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cleaning apparatus is positioned by:
前記第1の吸引ノズル可動アームと前記第1の吸引ノズルとの間には、前記第1の吸引ノズルを回転させる第1のノズル回転部が介設され、
前記第2の吸引ノズル可動アームと前記第2の吸引ノズルとの間には、前記第2の吸引ノズルを回転させる第2のノズル回転部が介設され、
前記第1のノズル回転部及び前記第2のノズル回転部には、前記第1のノズル回転部及び前記第2のノズル回転部を回転させるノズル回転機構が接続されていることを特徴とする請求項7に記載の洗浄装置
Between the first suction nozzle movable arm and the first suction nozzle, a first nozzle rotating unit that rotates the first suction nozzle is interposed,
Between the second suction nozzle movable arm and the second suction nozzle, a second nozzle rotating unit that rotates the second suction nozzle is interposed,
The nozzle rotation mechanism for rotating the first nozzle rotation unit and the second nozzle rotation unit is connected to the first nozzle rotation unit and the second nozzle rotation unit. Item 7. The cleaning device according to Item 7
前記第1の吸引ノズルは、L字型の上面形状を有しており、
前記第2の吸引ノズルは、L字型の上面形状を有していることを特徴とする請求項7に記載の洗浄装置。
The first suction nozzle has an L-shaped upper surface shape,
The cleaning apparatus according to claim 7, wherein the second suction nozzle has an L-shaped upper surface shape.
半導体基板を支持する支持台と、
前記半導体基板の表面から液体を吸引する吸引ノズルと、
前記吸引ノズルから吸引された液体を回収する真空ラインと、
前記支持台の上に支持される前記半導体基板の表面に向けて液体を供給する液体供給ラインと、
前記吸引ノズルにより前記半導体基板の表面から液体が吸引される吸引領域の内側の領域に設置され、前記液体供給ラインから供給された液体を前記半導体基板の表面に吐出する吐出ノズルと、
前記吐出ノズル及び前記吸引ノズルに接続されたノズル可動アームと、
前記ノズル可動アームを駆動し、前記吐出ノズル及び前記吸引ノズルを移動させるノズル移動機構と、を有し、
前記洗浄時には、前記吸引ノズルは、前記半導体基板の表面から離間した状態で前記液体を吸引し、
前記ノズル可動アームと前記吐出ノズル及び前記吸引ノズルとの間には、前記吐出ノズル及び前記吸引ノズルを回転させる第3のノズル回転部が設けられ、
前記第3のノズル回転部には、該第3のノズル回転部を回転させるノズル回転機構が接続されていることを特徴とする洗浄装置。
A support for supporting the semiconductor substrate;
A suction nozzle for sucking liquid from the surface of the semiconductor substrate;
A vacuum line for collecting the liquid sucked from the suction nozzle;
A liquid supply line for supplying a liquid toward the surface of the semiconductor substrate supported on the support base;
A discharge nozzle that is installed in a region inside a suction region in which liquid is sucked from the surface of the semiconductor substrate by the suction nozzle, and discharges the liquid supplied from the liquid supply line to the surface of the semiconductor substrate;
A nozzle movable arm connected to the discharge nozzle and the suction nozzle;
A nozzle moving mechanism for driving the nozzle movable arm and moving the discharge nozzle and the suction nozzle;
At the time of cleaning, the suction nozzle sucks the liquid in a state of being separated from the surface of the semiconductor substrate ,
Between the nozzle movable arm and the discharge nozzle and the suction nozzle, a third nozzle rotating unit that rotates the discharge nozzle and the suction nozzle is provided,
A cleaning apparatus , wherein the third nozzle rotating unit is connected to a nozzle rotating mechanism for rotating the third nozzle rotating unit .
支持台に載せられた半導体基板の表面から液体を吸引する吸引ノズルを、該吸引ノズルを移動させる吸引ノズル移動機構により、前記半導体基板の所定領域の上に移動させ、
前記半導体基板の表面に液体を吐出する吐出ノズルを、該吐出ノズルを移動させる吐出ノズル移動機構により、前記吐出ノズルの吐出口が、前記吸引ノズルにより前記半導体基板の表面から液体が吸引される吸引領域の内側の領域に入るように移動させ、
前記吐出ノズルに接続された液体供給ラインから供給された液体を、前記吐出ノズルから前記半導体基板の表面に吐出し、
前記吸引ノズルを前記半導体基板の表面から離間させた状態で、前記半導体基板の表面に供給された液体を前記吸引ノズルにより吸引し、前記液体を前記吸引ノズルに接続された真空ラインにより回収することを特徴とする洗浄方法。
A suction nozzle that sucks liquid from the surface of the semiconductor substrate placed on the support base is moved over a predetermined region of the semiconductor substrate by a suction nozzle moving mechanism that moves the suction nozzle,
A suction nozzle that discharges liquid onto the surface of the semiconductor substrate, a discharge nozzle moving mechanism that moves the discharge nozzle, and a discharge port of the discharge nozzle that sucks liquid from the surface of the semiconductor substrate by the suction nozzle Move it to enter the area inside the area,
A liquid supplied from a liquid supply line connected to the discharge nozzle is discharged from the discharge nozzle onto the surface of the semiconductor substrate;
With the suction nozzle being separated from the surface of the semiconductor substrate, the liquid supplied to the surface of the semiconductor substrate is sucked by the suction nozzle, and the liquid is collected by a vacuum line connected to the suction nozzle. A cleaning method characterized by.
前記吸引ノズルは、環状に形成された吸引口の内側に開口部が形成されており、
前記吸引ノズル移動機構は、前記吸引ノズルに接続された吸引ノズル可動アームを駆動して、前記吸引ノズルを、前記半導体基板の所定領域の上に移動させ、
前記吐出ノズル移動機構は、前記吐出ノズルに接続された吐出ノズル可動アームを駆動して、前記吐出ノズルの吐出口が、前記開口部の内側に入るように、前記吐出ノズルを移動させることを特徴とする請求項11に記載の洗浄方法。
The suction nozzle has an opening formed inside the annular suction port,
The suction nozzle moving mechanism drives a suction nozzle movable arm connected to the suction nozzle to move the suction nozzle onto a predetermined region of the semiconductor substrate,
The discharge nozzle moving mechanism drives the discharge nozzle movable arm connected to the discharge nozzle to move the discharge nozzle so that the discharge port of the discharge nozzle enters the inside of the opening. The cleaning method according to claim 11 .
前記吸引ノズルとして、少なくとも第1の吸引ノズルと第2の吸引ノズルを使用し、
前記吸引ノズル移動機構は、前記第1の吸引ノズルに接続された第1の吸引ノズル可動アームを駆動して、前記第1の吸引ノズルを移動させ、前記第2の吸引ノズルに接続された第2の吸引ノズル可動アームを駆動して、前記第2の吸引ノズルを移動させて、前記第1の吸引ノズルの側壁と前記第2の吸引ノズルの側壁とを近接させ、少なくとも前記第1の吸引ノズル及び前記第2の吸引ノズルにより前記吸引領域を形成させ、
前記吐出ノズル移動機構は、前記吐出ノズルに接続された吐出ノズル可動アームを駆動して、前記吐出ノズルの吐出口が、前記吸引領域の内側の領域に入るように、前記吐出ノズルを移動させることを特徴とする請求項11に記載の洗浄方法。
As the suction nozzle, at least a first suction nozzle and a second suction nozzle are used,
The suction nozzle moving mechanism drives a first suction nozzle movable arm connected to the first suction nozzle, moves the first suction nozzle, and moves a first suction nozzle connected to the second suction nozzle. The suction nozzle movable arm is driven to move the second suction nozzle so that the side wall of the first suction nozzle and the side wall of the second suction nozzle are close to each other, and at least the first suction nozzle is moved. Forming the suction region by the nozzle and the second suction nozzle;
The discharge nozzle moving mechanism drives the discharge nozzle movable arm connected to the discharge nozzle to move the discharge nozzle so that a discharge port of the discharge nozzle enters an area inside the suction area. The cleaning method according to claim 11 .
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