JP6448759B1 - Power converter - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な構成でサージ電圧によるスイッチング素子の破壊と発振によるスイッチング素子の誤動作を防ぐことができる電力変換装置を得る。【解決手段】DC/DCコンバータ100は、スイッチング素子111〜114と、第1のコンデンサからなる第1のスナバ回路121、122と、抵抗及びこの抵抗と直列に接続された第2のコンデンサからなる第2のスナバ回路131、132とを備えている。スイッチング素子111、112、第1のスナバ回路121及び第2のスナバ回路131は互いに並列に接続されている。スイッチング素子113、114、第1のスナバ回路122及び第2のスナバ回路132は互いに並列に接続されている。【選択図】図1A power converter capable of preventing destruction of a switching element due to a surge voltage and malfunctioning of the switching element due to oscillation with a simple configuration. A DC / DC converter 100 includes switching elements 111 to 114, first snubber circuits 121 and 122 including a first capacitor, a resistor and a second capacitor connected in series with the resistor. Second snubber circuits 131 and 132 are provided. The switching elements 111 and 112, the first snubber circuit 121, and the second snubber circuit 131 are connected in parallel to each other. The switching elements 113 and 114, the first snubber circuit 122, and the second snubber circuit 132 are connected to each other in parallel. [Selection] Figure 1
Description
この発明は、スイッチング素子及びスナバ回路を備える電力変換装置に関するものである。 The present invention relates to a power conversion device including a switching element and a snubber circuit.
近年、電力変換装置の高効率化と小型化を実現するためにスイッチング素子の性能向上に関する研究開発が盛んに行われている。電力変換装置の高効率化と小型化のためにはスイッチング素子の低損失化と高周波化が必要であるため、低オン抵抗と高速スイッチングを特徴とする高速スイッチング素子としてSiC(Silicon Carbide)やGaN(Gallium Nitride)が特に注目を集めている。これは、入力容量Cissや出力容量Cossなどの浮遊容量が従来のスイッチング素子よりも小さいためで、例えばGaNの場合、従来のSi(Silicon)−MOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field−Effect Transistor)よりも浮遊容量が1桁小さい。このように浮遊容量が小さい高速スイッチング素子を用いることにより、スイッチングの低損失化及び高周波化が実現されており、ひいては電力変換装置の高効率化と小型化が実現されている。 In recent years, research and development related to improving the performance of switching elements has been actively conducted in order to achieve high efficiency and miniaturization of power converters. In order to increase the efficiency and miniaturization of the power conversion device, it is necessary to reduce the loss and frequency of the switching element. Therefore, SiC (Silicon Carbide) or GaN is used as a high-speed switching element characterized by low on-resistance and high-speed switching. (Gallium Nitride) is attracting particular attention. This is because the stray capacitance such as the input capacitance Ciss and the output capacitance Coss is smaller than that of the conventional switching element. For example, in the case of GaN, the conventional Si (Silicon) -MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is used. The stray capacitance is one order of magnitude smaller. By using such a high-speed switching element with a small stray capacitance, low switching loss and high frequency are realized, and as a result, high efficiency and miniaturization of the power converter are realized.
一方、浮遊容量が小さい場合はQ値が高くなる傾向がある。Q値が高いと回路寄生インダクタンスと浮遊容量とで決まる共振周波数においてインピーダンスが極端に低くなるため、スイッチングのタイミングでスイッチング素子のドレイン−ソース間、ゲート−ソース間に発振が起こり、スイッチング素子が誤動作を起こしたり、スイッチング素子が破壊されたりするおそれが生じる。さらに、スイッチングを従来よりも高速にした場合、スイッチング時に発生するサージ電圧Vsが従来よりも大きくなる。これは、サージ電圧Vsの大きさはインダクタンスLと電流の時間微分di/dtの積で決まる(Vs=L・di/dt)ため、高速スイッチングによりdi/dtが大きくなることでサージ電圧Vsも大きくなるためである。過大なサージ電圧は、スイッチング素子を破壊するおそれがある。 On the other hand, when the stray capacitance is small, the Q value tends to be high. If the Q value is high, the impedance becomes extremely low at the resonance frequency determined by the circuit parasitic inductance and stray capacitance. Therefore, oscillation occurs between the drain and source of the switching element and between the gate and source at the switching timing, and the switching element malfunctions. Or the switching element may be destroyed. Furthermore, when the switching is performed at a higher speed than in the conventional case, the surge voltage Vs generated during the switching becomes higher than in the conventional case. This is because the magnitude of the surge voltage Vs is determined by the product of the inductance L and the time differential di / dt of the current (Vs = L · di / dt), so that the surge voltage Vs is also increased by increasing di / dt due to high-speed switching. This is because it becomes larger. An excessive surge voltage may destroy the switching element.
上記については、高速スイッチングを実現しているスイッチング素子であればSiC−MOSFET、Si−MOSFETでも同様である。また、スイッチング素子の種類に関わらず、回路パターンや配線の引き回し等により、回路寄生インピーダンスが大きく、Q値が高くなっている場合も同様である。スイッチング素子の誤動作や破壊は電力変換装置の動作を不安定にするため、高速スイッチング素子を用いる場合には発振及びサージ電圧への対策が必要である。 The same applies to SiC-MOSFETs and Si-MOSFETs as long as the switching elements achieve high-speed switching. The same applies to the case where the circuit parasitic impedance is large and the Q value is high due to the circuit pattern or wiring routing, regardless of the type of the switching element. Since malfunction or destruction of the switching element makes the operation of the power conversion device unstable, measures against oscillation and surge voltage are necessary when using a high-speed switching element.
そこで、高速スイッチング素子の発振・誤動作対策として、対象のスイッチング素子のゲート−ソース間に接続され、ソースからゲートに向けて導通する電流の経路を形成する制御回路(ゲートダイオード)を設けたものがある(例えば、特許文献1参照)。また、対象のスイッチング素子の端子に電気的に接続されて先端が開放され、発振周波数の1/4波長の奇数倍の長さを持つスタブを有する発振抑制回路を備えたものがある(例えば、特許文献2参照)。 Therefore, as a countermeasure against oscillation / malfunction of the high-speed switching element, there is provided a control circuit (gate diode) that is connected between the gate and source of the target switching element and forms a current path that conducts from the source to the gate. Yes (see, for example, Patent Document 1). Also, there is an oscillation suppression circuit having a stub that is electrically connected to a terminal of a target switching element and has a tip opened and having a length that is an odd multiple of a quarter wavelength of the oscillation frequency (for example, Patent Document 2).
また、サージ電圧対策として、ダイオードとスナバコンデンサとが直列に接続されたDC直列回路をスイッチング素子により構成された上アーム及び下アームに跨って接続したスナバ回路を備えたものがある(例えば、特許文献3参照)。また、主スイッチング素子がオンの期間に蓄えられた励磁エネルギーの放出経路となる出力ダイオードのアノードに一端が接続された補助コンデンサと、この補助コンデンサの他端にソースが接続されたNチャネルのMOS型FETで成る補助スイッチング素子と、この補助スイッチング素子のゲートと出力ダイオードのアノードとの間を所定の直流電圧でバイアスする直流バイアス回路とを有するスナバ回路を備えたものがある(例えば、特許文献4参照)。 Further, as a countermeasure against surge voltage, there is a device provided with a snubber circuit in which a DC series circuit in which a diode and a snubber capacitor are connected in series is connected across an upper arm and a lower arm constituted by switching elements (for example, a patent) Reference 3). In addition, an auxiliary capacitor having one end connected to the anode of an output diode serving as a discharge path for the excitation energy stored while the main switching element is on, and an N-channel MOS having a source connected to the other end of the auxiliary capacitor There is a device provided with a snubber circuit having an auxiliary switching element made of a type FET and a DC bias circuit for biasing between the gate of the auxiliary switching element and the anode of the output diode with a predetermined DC voltage (for example, Patent Documents) 4).
しかしながら、特許文献1に記載のものでは、スイッチング素子のゲート−ソース間に接続したゲートダイオードに電流を流すためにダイオード損失が発生するので、素子冷却器の大型化に伴う電力変換装置自体の大型化と、電力変換装置の効率が低下するという問題点がある。
また、特許文献2に記載のものではスタブの長さが発振周波数の1/4波長以上となるため、発振周波数が100MHzの場合のスタブの長さは最短で75cmとなる。そして、発振周波数が100MHzより小さい場合はスタブの長さはさらに長くなることから、装置が大型化してしまうおそれがある。
また、特許文献3に記載のものでは、サージ電圧対策のDC直列回路にダイオードを用いているためダイオード損失が発生する。特許文献3ではスナバ用スイッチ素子を有する回生回路を構成することで損失の軽減を図っているが、スナバ用スイッチ素子を制御する制御回路が必要となり、構成が複雑になる。
また、特許文献4のものでは、スナバ回路が直流バイアス回路や補助スイッチング素子を備えているため、構成が複雑となるとともに、装置が大型化してしまうおそれがある。
However, in the device described in
Moreover, in the thing of
Moreover, in the thing of
Moreover, in the thing of
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、簡単な構成でサージ電圧によるスイッチング素子の破壊と発振によるスイッチング素子の誤動作を防ぐことができる電力変換装置を得るものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a power conversion device capable of preventing a switching element from being destroyed by a surge voltage and malfunctioning of the switching element due to oscillation with a simple configuration. is there.
この発明の電力変換装置は、スイッチング素子と、第1のコンデンサからなる第1のスナバ回路と、抵抗及びこの抵抗と直列に接続された第2のコンデンサからなる第2のスナバ回路とを備え、スイッチング素子、第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路が互いに並列に接続され、第1のスナバ回路とスイッチング素子の接続点が、第2のスナバ回路とスイッチング素子の接続点よりもスイッチング素子に近く、第1のスナバ回路は、第2のスナバ回路よりもスイッチング素子の近くに配置されているものである。 The power conversion device according to the present invention includes a switching element, a first snubber circuit including a first capacitor, and a second snubber circuit including a resistor and a second capacitor connected in series with the resistor, The switching element, the first snubber circuit, and the second snubber circuit are connected in parallel to each other , and the connection point between the first snubber circuit and the switching element is closer to the switching element than the connection point between the second snubber circuit and the switching element. Nearly, the first snubber circuit is arranged closer to the switching element than the second snubber circuit .
この発明の電力変換装置によれば、コンデンサで構成された第1のスナバ回路でサージ電圧を抑制し、コンデンサと抵抗で構成された第2のスナバ回路で発振・誤動作を抑制する。このため、簡単な構成でサージ電圧によるスイッチング素子の破壊と発振によるスイッチング素子の誤動作を防ぐことができる。 According to the power conversion device of the present invention, the surge voltage is suppressed by the first snubber circuit configured by the capacitor, and the oscillation and malfunction are suppressed by the second snubber circuit configured by the capacitor and the resistor. For this reason, it is possible to prevent the switching element from being destroyed by a surge voltage and malfunctioning of the switching element due to oscillation with a simple configuration.
実施の形態1.
以下に、この発明の実施の形態1を図1から図4に基づいて説明する。図1は、実施の形態1における電力変換装置を示す回路構成図である。また図2は、実施の形態1における電力変換装置の一次側を示す回路構成図であり、第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路を示す回路構成図である。DC/DCコンバータ100、すなわち電力変換装置は、トランス93によって一次側と二次側が絶縁された絶縁型のフルブリッジDC/DCコンバータであり、トランス93の一次巻線93aは直流電源91から入力される直流の入力電圧Vinを交流電圧に変換する二線式の単相インバータ10に接続されている。また、トランス93の二次巻線93bは交流電圧を直流電圧に変換し、負荷97に出力電圧Voutを出力する整流回路94に接続されている。
単相インバータ10は、SiCやGaNなどワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子111〜114がブリッジ型に接続されたブリッジ回路を備えたものであり、スイッチング素子111及びスイッチング素子113、すなわち第1のスイッチング素子により構成された上アームと、スイッチング素子112及びスイッチング素子114、すなわち第2のスイッチング素子により構成された下アームとを直列に接続したアームを2組有している。各組のアームにおいて、上アームを構成するスイッチング素子111、113のソース端子と下アームを構成するスイッチング素子112、114のドレイン端子が接続されており、上アームと下アームの接続点10a、10bは一次巻線93aに接続されている。また、それぞれの組のアームにはコンデンサからなる第1のスナバ回路121、122とコンデンサ及び抵抗からなる第2のスナバ回路131、132が互いに並列に接続されている。
The single-
スイッチング素子111〜114は、主回路であるブリッジ回路の外部に配置された制御回路81からのゲート信号81aによりオン/オフ制御される。制御回路81は、出力電圧Voutが目標値になるように、入力電圧Vin及び出力電圧Voutのモニタ状況に応じてそれぞれのスイッチング素子111〜114にゲート信号81aを出力して、スイッチング素子111〜114のDuty(オン期間)を制御することでPWM(Pulse Width Modulation)制御を行う。このPWM制御により、直流電圧である入力電圧が交流電圧に変換されてトランス93の一次巻線93aに出力される。
The
整流回路94は、整流素子としてのダイオード941〜944をフルブリッジ構成したものであり、ダイオード941及びダイオード943によって構成された上アームと、ダイオード942及びダイオード944によって構成された下アームとを直列に接続したアームを2組有している。各組の上下アームにおいて、上アームと下アームの接続点は二次巻線93bに接続されている。
The
直流電源91と単相インバータ10との間には、入力電圧Vinを安定化させて単相インバータ10に出力する入力コンデンサ92が直流電源91と並列に接続されている。整流回路94の負側出力と負荷97との間には、整流回路94の出力電流を平滑する平滑リアクトル95が接続されている。平滑リアクトル95の負荷97側端と整流回路94の正側出力との間には、負荷97と並列に出力コンデンサ96が接続されている。出力コンデンサ96は、平滑リアクトル95に流れる電流のリップル電圧波形を平滑して得られる直流電圧である出力電圧Voutを負荷97に出力する。
An
次に、第1のスナバ回路について説明する。図3Aは、実施の形態1に係る第1のスナバ回路を示す回路構成図であり、図3Bは、実施の形態1に係る第1のスナバ回路と、スイッチング素子と第1のスナバ回路の間の配線の寄生インダクタンスを示す回路構成図である。なお図3A及び図3Bでは、各スイッチング素子の111〜114におけるドレイン端子をD、ソース端子をS、ゲート端子をGと表している。コンデンサ121aからなる第1のスナバ回路121の正極側端子は、上アームを構成するスイッチング素子111のドレイン端子と第1の接続点11aで接続されており、第1のスナバ回路121の負極側端子は、下アームを構成するスイッチング素子112のソース端子と第1の接続点12aで接続されている。また、コンデンサ122aからなる第1のスナバ回路122の正極側端子は、上アームを構成するスイッチング素子113のドレイン端子と第1の接続点13aで接続されており、第1のスナバ回路122の負極側端子は、下アームを構成するスイッチング素子114のソース端子と第1の接続点14aで接続されている。コンデンサ121a、122aは、第1のコンデンサに相当する。
Next, the first snubber circuit will be described. FIG. 3A is a circuit configuration diagram illustrating a first snubber circuit according to the first embodiment, and FIG. 3B illustrates a first snubber circuit according to the first embodiment, between the switching element and the first snubber circuit. It is a circuit block diagram which shows the parasitic inductance of this wiring. 3A and 3B, the drain terminal in each of the switching
上記のように、第1のスナバ回路121、122はそれぞれのアームに接続されているため、第1のスナバ回路121がスイッチング素子111及びスイッチング素子112に対応し、第1のスナバ回路122がスイッチング素子113及びスイッチング素子114に対応している。
As described above, since the
接続点11aとコンデンサ121aの一端を結ぶ配線のラインA1及び接続点12aとコンデンサ121aの他端を結ぶ配線のラインB1の長さはそれぞれ10cm以下としている。同様に、接続点13aとコンデンサ122aの一端を結ぶ配線のラインA2及び接続点14aとコンデンサ122aの他端を結ぶ配線のラインB2の長さはそれぞれ10cm以下としている。図3Aにおいて破線で表されたラインA1、A2、B1、B2の長さは、第1の接続点と第1のコンデンサとの間の配線の長さに相当する。スイッチング素子111、112と、スイッチング素子111、112に対応する第1のスナバ回路121において、サージ電圧による電流は第1のスナバ回路121のインピーダンスが小さいほど第1のスナバ回路121側に多く流れ、コンデンサ121aに印加されるサージ電圧が大きくなる。そして、第1のスナバ回路121のインピーダンスはラインA1及びラインB1、が短いほど小さくなるため、コンデンサ121aにより多くのサージ電圧を吸収させるためには、ラインA1、B1は可能な限り短い方が望ましい。同様に、サージ電圧による電流を第1のスナバ回路122により多く流してコンデンサ122aにより多くのサージ電圧を吸収させるためには、ラインA2、B2は可能な限り短い方が望ましい。
The length of the line A1 of the wiring connecting the
スイッチング素子111のドレイン端子と第1の接続点11aとを結ぶ配線のラインC1及びスイッチング素子112のソース端子と第1の接続点12aとを結ぶ配線のラインD1の長さはそれぞれ5cm以下とし、スイッチング素子113のドレイン端子と第1の接続点13aとを結ぶ配線のラインC2及びスイッチング素子114のソース端子と第1の接続点14aとを結ぶ配線のラインD2の長さはそれぞれ5cm以下としている。図3Bにおいて破線で表されたラインC1、D1、C2、D2の長さは、スイッチング素子と第1の接続点との間の配線の長さに相当する。スイッチング素子111、112と、スイッチング素子111、112に対応する第1のスナバ回路121において、ラインC1、D1を流れる電流の変動によって生じるサージ電圧はスイッチング素子側で発生するサージ電圧であるため、第1のスナバ回路121で吸収されることはなくスイッチング素子111、112に印加される。また、このようなサージ電圧の大きさはラインC1、D1の寄生インダクタンスL11、L21の大きさに比例する。そして、寄生インダクタンスL11、L21はそれぞれラインC1、D1が長いほど大きいため、スイッチング素子111、112に印加されるサージ電圧を小さくするためには、ラインC1、D1は可能な限り短い方が望ましい。同様に、ラインC2、D2の寄生インダクタンスL12、22を小さくしてスイッチング素子113、114に印加されるサージ電圧を小さくするためには、ラインC2、D2は可能な限り短い方が望ましい。
The length of the line C1 of the wiring connecting the drain terminal of the
コンデンサ121a及びコンデンサ122aは、例えば積層セラミックコンデンサなどの低ESR(Equivalent Series Resistance:等価直列抵抗)コンデンサである。コンデンサ121a及びコンデンサ122aは、できるだけESRが小さいものを用いることが望ましい。
The
次に、第2のスナバ回路について説明する。図4は、実施の形態1に係る第2のスナバ回路を示す回路構成図である。互いに直列に接続された抵抗131a及びコンデンサ131bからなる第2のスナバ回路131の正極側端子は、上アームを構成するスイッチング素子111のドレイン端子と第2の接続点11bで接続されており、第2のスナバ回路131の負極側端子は、下アームを構成するスイッチング素子112のソース端子と第2の接続点12bで接続されている。互いに直列に接続された抵抗132a及びコンデンサ132bからなる第2のスナバ回路132の正極側端子は、上アームを構成するスイッチング素子113のドレイン端子と第2の接続点13bで接続されており、第2のスナバ回路132の負極側端子は、下アームを構成するスイッチング素子114のソース端子と第2の接続点14bで接続されている。コンデンサ131b、132bは、第2のコンデンサに相当する。
Next, the second snubber circuit will be described. FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing a second snubber circuit according to the first embodiment. The positive terminal of the
上記のように、第2のスナバ回路131、132はそれぞれのアームに接続されているため、第2のスナバ回路131がスイッチング素子111及びスイッチング素子112に対応し、第2のスナバ回路132がスイッチング素子113及びスイッチング素子114に対応している。なお、図4に示した第2のスナバ回路131、132では抵抗131a、132aが正極側に、コンデンサ131b、132bが負極側に配置されているが、抵抗131a、132aを負極側に、コンデンサ131b、132bを正極側に配置してもよい。
As described above, since the
第2のスナバ回路131、132において、それぞれの抵抗131a、132aの電気抵抗値R(図示なし)及びコンデンサ131b、132bの電気容量C(図示なし)は、第2のスナバ回路131、132のカットオフ周波数fcの下限がサージ電圧の周波数で、カットオフ周波数fcの上限がスイッチング素子111〜114の発振周波数となるように設定されている。なお、スイッチング素子111〜114の周辺回路の寄生インダクタンス等によるカットオフ周波数fcへの影響を考慮して電気抵抗値R及び電気容量Cを調整してもよい。
In the
実施の形態1によれば、簡単な構成でサージ電圧によるスイッチング素子の破壊と発振によるスイッチング素子の誤動作を防ぐことができる。より具体的には、第1のコンデンサにより構成された第1のスナバ回路をスイッチング素子と並列に接続し、直列に接続された第2のコンデンサ及び抵抗により構成された第2のスナバ回路をスイッチング素子及び第1のスナバ回路と並列に接続した。これにより、高速スイッチングに伴うサージ電圧によって第1のコンデンサが充電されることでスイッチング素子に印加されるサージ電圧を低減するとともに、第2のコンデンサと抵抗により発振が起こることを抑制する。また、第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路にダイオードやスナバ用のスイッチング素子は必要ない。このため、簡単な構成でサージ電圧によるスイッチング素子の破壊と発振によるスイッチング素子の誤動作を防ぐことが可能となっている。 According to the first embodiment, it is possible to prevent the switching element from being destroyed by a surge voltage and malfunctioning of the switching element due to oscillation with a simple configuration. More specifically, the first snubber circuit constituted by the first capacitor is connected in parallel with the switching element, and the second snubber circuit constituted by the second capacitor and the resistor connected in series is switched. The device and the first snubber circuit were connected in parallel. This reduces the surge voltage applied to the switching element by charging the first capacitor with the surge voltage associated with high-speed switching, and suppresses the occurrence of oscillation by the second capacitor and the resistor. Further, the first snubber circuit and the second snubber circuit do not require a diode or a snubber switching element. For this reason, it is possible to prevent the switching element from being destroyed by a surge voltage and malfunctioning of the switching element due to oscillation with a simple configuration.
また、第1のスナバ回路は、スイッチング素子との接続点である第1の接続点と第1のコンデンサとの間の配線の長さ10cm以下であるため、スイッチング素子に印加されるサージ電圧をさらに低減することができる。より具体的には、第1の接続点から第1のコンデンサまでの配線の長さが短くなることで第1のスナバ回路のインピーダンスが十分に小さくなり、サージ電圧による電流がより多く第1のコンデンサに流れる。このため、第1のコンデンサによるサージ電圧低減がより効果的にはたらき、スイッチング素子に印加されるサージ電圧をさらに低減することができる。 In addition, since the first snubber circuit has a length of 10 cm or less between the first connection point, which is a connection point with the switching element, and the first capacitor, the surge voltage applied to the switching element is reduced. Further reduction can be achieved. More specifically, the length of the wiring from the first connection point to the first capacitor is shortened, so that the impedance of the first snubber circuit becomes sufficiently small, and the current caused by the surge voltage is increased. It flows to the capacitor. For this reason, the surge voltage reduction by the first capacitor works more effectively, and the surge voltage applied to the switching element can be further reduced.
また、寄生インダクタンスによってスイッチング素子側で発生し、第1のスナバ回路では対応できないサージ電圧を低減することができる。より具体的には、スイッチング素子と第1の接続点との間の配線の長さを5cm以下とし、スイッチング素子と第1の接続点との間の配線の寄生インダクタンスを十分に小さくした。スイッチング素子と第1の接続点との間の配線の寄生インダクタンスによって発生するサージ電圧の大きさは寄生インダクタンスの大きさに比例するため、上記のように寄生インダクタンスを十分に小さくすることで第1のスナバ回路では対応できないサージ電圧を低減することが可能となっている。
Further, it is possible to reduce a surge voltage that occurs on the switching element side due to parasitic inductance and cannot be handled by the first snubber circuit. More specifically, the length of the wiring between the switching element and the first connection point is 5 cm or less, and the parasitic inductance of the wiring between the switching element and the first connection point is made sufficiently small. Since the magnitude of the surge voltage generated by the parasitic inductance of the wiring between the switching element and the first connection point is proportional to the magnitude of the parasitic inductance, the first is achieved by sufficiently reducing the parasitic inductance as described above. This makes it possible to reduce the surge voltage that cannot be handled by this snubber circuit.
また、発振が起こることを防ぎつつ第2のスナバ回路が大型化することを防ぐことができる。より具体的には、第2のスナバ回路のカットオフ周波数の下限をサージ電圧の周波数とし、上限をスイッチング素子の発振周波数とした。カットオフ周波数の下限をサージ電圧の周波数としたことにより、サージ電圧のエネルギーが抵抗で消費されることを防がれるので、メタルクラッド抵抗のような大型の抵抗器が不要となり小型のチップ抵抗を用いることができるとともに、パッケージ型の冷却器も不要となり、スナバ回路が大型化することを防ぐことができる。一方で、カットオフ周波数の上限をスイッチング素子の発振周波数としているため、第2のスナバ回路で発振を防ぐことが可能である。 Further, it is possible to prevent the second snubber circuit from increasing in size while preventing the occurrence of oscillation. More specifically, the lower limit of the cutoff frequency of the second snubber circuit is the frequency of the surge voltage, and the upper limit is the oscillation frequency of the switching element. By setting the lower limit of the cut-off frequency to the frequency of the surge voltage, it is possible to prevent the surge voltage energy from being consumed by the resistor, eliminating the need for a large resistor such as a metal clad resistor and reducing the chip resistance. In addition to being able to be used, a package-type cooler is also unnecessary, and the snubber circuit can be prevented from becoming large. On the other hand, since the upper limit of the cutoff frequency is set to the oscillation frequency of the switching element, the second snubber circuit can prevent oscillation.
また、第1のコンデンサとして等価直列抵抗が小さい積層セラミックコンデンサを用いているため、第1のスナバ回路のインピーダンスを小さくし、スイッチング素子に印加されるサージ電圧をさらに低減することができる。また、積層セラミックコンデンサはチップコンデンサであるため、第1のスナバ回路の小型化及び低コスト化を妨げることがない。 In addition, since the multilayer ceramic capacitor having a small equivalent series resistance is used as the first capacitor, the impedance of the first snubber circuit can be reduced and the surge voltage applied to the switching element can be further reduced. Further, since the multilayer ceramic capacitor is a chip capacitor, it does not hinder downsizing and cost reduction of the first snubber circuit.
また、第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路は、チップ部品により構成可能であるので、熱成立性を維持しながらスイッチング素子の配置やレイアウトを自由に行うことができる。また、電力変換装置の効率を維持しながら小型化を図ることができる。 In addition, since the first snubber circuit and the second snubber circuit can be configured by chip parts, the arrangement and layout of the switching elements can be freely performed while maintaining heat establishment. Moreover, size reduction can be achieved, maintaining the efficiency of a power converter device.
実施の形態2.
以下に、この発明の実施の形態2を図5に基づいて説明する。図5は、実施の形態2における電力変換装置の一次側を示す回路構成図であり、実施の形態2に係る第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路を示す回路構成図である。なお、図1〜図4と同一又は相当部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。実施の形態2は、第2のスナバ回路を2組のアームで共用するように設けたものである。図5に示すように、スイッチング素子111及びスイッチング素子112により構成されたアームと、スイッチング素子113及びスイッチング素子114により構成されたアームの間において、ブリッジ回路の正極線上及び負極線上に第3の接続点10c、10dがそれぞれ設けられている。第2のスナバ回路23は、正極側端子が第3の接続点10cに接続され、負極側端子が第3の接続点10dに接続されている。このように、実施の形態2では第2のスナバ回路23がブリッジ回路の正極線及び負極線と接続されることでスイッチング素子111〜114に対応しているため、実施の形態1においてそれぞれのアームに接続されていた第2のスナバ回路131、132は省略されている。
The second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 5 is a circuit configuration diagram illustrating a primary side of the power conversion device according to the second embodiment, and is a circuit configuration diagram illustrating a first snubber circuit and a second snubber circuit according to the second embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part which is the same as that of FIGS. 1-4, or an equivalent part, and the description is abbreviate | omitted. In the second embodiment, the second snubber circuit is provided so as to be shared by two sets of arms. As shown in FIG. 5, the third connection is made on the positive line and the negative line of the bridge circuit between the arm constituted by the switching
第2のスナバ回路23は、実施の形態1の第2のスナバ回路131、132と同様に、直列に接続されたコンデンサ及び抵抗によって構成されている。また、第2のスナバ回路23を構成する抵抗の電気抵抗値R及びコンデンサの電気容量Cは、第2のスナバ回路23のカットオフ周波数fcの下限がサージ電圧の周波数となり、カットオフ周波数fcの上限がスイッチング素子111〜114の発振周波数となるように設定されている点も実施の形態1と同様である。
その他については実施の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
Similarly to the
Others are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
実施の形態2によれば、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。 According to the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
また、第2のスナバ回路を共用としたので、部品の削減による低コスト化や小型化が可能である。 In addition, since the second snubber circuit is shared, the cost can be reduced and the size can be reduced by reducing the number of parts.
実施の形態3.
以下に、この発明の実施の形態3を図6に基づいて説明する。図6は、実施の形態3における電力変換装置の一次側を示す回路構成図であり、実施の形態3に係る第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路を示す回路構成図である。なお、図1〜図5と同一又は相当部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。実施の形態3は、第1のスナバ回路がスイッチング素子毎に配置したものである。図6に示すように、第1のスナバ回路321〜324の正極側端子は、スイッチング素子111〜114のドレイン端子と接続されており、第1のスナバ回路321〜324の負極側端子は、スイッチング素子111〜114のソース端子とそれぞれ接続されている。このように第1のスナバ回路321〜324がスイッチング素子111〜114とそれぞれ接続されることにより、実施の形態3では第1のスナバ回路321〜324がスイッチング素子111〜114にそれぞれ対応しているため、実施の形態1、2においてそれぞれのアームに接続されていた第1のスナバ回路121、122は省略されている。
The third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 6 is a circuit configuration diagram illustrating a primary side of the power conversion device according to the third embodiment, and is a circuit configuration diagram illustrating a first snubber circuit and a second snubber circuit according to the third embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part which is the same as that of FIGS. 1-5, or an equivalent part, and the description is abbreviate | omitted. In the third embodiment, the first snubber circuit is arranged for each switching element. As shown in FIG. 6, the positive terminals of the
第1のスナバ回路321〜324は、実施の形態1、2における第1のスナバ回路121、122と同様に、コンデンサで構成されている。また、第1の接続点と第1のコンデンサとの間の配線の長さや、スイッチング素子と第1の接続点との間の配線の長さについても実施の形態1、2と同様である。
The
実施の形態3では、実施の形態2と同様にスイッチング素子111〜114に対応する第2のスナバ回路23を設けている。なお、実施の形態1のようにそれぞれのアームに接続される第2のスナバ回路131、132を第2のスナバ回路23の替わりに設けてもよい。
その他については実施の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
In the third embodiment, the
Others are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
実施の形態3によれば、実施の形態2と同様の効果を得ることができる。 According to the third embodiment, the same effect as in the second embodiment can be obtained.
また、第1のスナバ回路がスイッチング素子毎に配置されているので、レイアウトの都合上それぞれのスイッチング素子が離れて配置される場合でも小型化を図ることができる。 Further, since the first snubber circuit is arranged for each switching element, the size can be reduced even when the respective switching elements are arranged apart from each other for the sake of layout.
実施の形態4.
以下に、この発明の実施の形態4を図7に基づいて説明する。図7は、実施の形態4における電力変換装置の一次側を示す回路構成図であり、実施の形態4に係る第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路を示す回路構成図である。なお、図1〜図6と同一又は相当部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。実施の形態4は、第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路をスイッチング素子毎に配置したものである。図7に示すように、第2のスナバ回路431〜434の正極側端子は、スイッチング素子111〜114のドレイン端子と接続されており、第2のスナバ回路431〜434の負極側端子は、スイッチング素子111〜114のソース端子とそれぞれ接続されている。このように第2のスナバ回路431〜434がスイッチング素子111〜114とそれぞれ接続されることにより、実施の形態4では第2のスナバ回路431〜434がスイッチング素子111〜114にそれぞれ対応しているため、実施の形態1においてそれぞれのアームに接続されていた第2のスナバ回路131、132は省略されている。
A fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 7 is a circuit configuration diagram illustrating a primary side of the power conversion device according to the fourth embodiment, and is a circuit configuration diagram illustrating a first snubber circuit and a second snubber circuit according to the fourth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about FIGS. 1-6 and an equivalent part, and the description is abbreviate | omitted. In the fourth embodiment, the first snubber circuit and the second snubber circuit are arranged for each switching element. As shown in FIG. 7, the positive terminals of the
第2のスナバ回路431〜434は、実施の形態1の第2のスナバ回路131、132と同様に、直列に接続されたコンデンサ及び抵抗によって構成されている。また、第2のスナバ回路431〜434を構成する抵抗の電気抵抗値R及びコンデンサの電気容量Cは、第2のスナバ回路431〜434のカットオフ周波数fcの下限がサージ電圧の周波数となり、カットオフ周波数fcの上限がスイッチング素子111〜114の発振周波数となるように設定されている点も実施の形態1と同様である。
The
実施の形態4では、実施の形態3と同様にスイッチング素子111〜114毎に第1のスナバ回路321〜324を設けている。
その他については実施の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
In the fourth embodiment, the
Others are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
実施の形態4によれば、実施の形態3と同様の効果を得ることができる。 According to the fourth embodiment, the same effect as in the third embodiment can be obtained.
また、第2のスナバ回路がスイッチング素子毎に配置されているので、発熱部となる抵抗の分散が可能となり、熱集中を防止することができる。これにより熱成立性が向上し、高周波化、小型化に有利である。 In addition, since the second snubber circuit is arranged for each switching element, it is possible to disperse the resistance that becomes the heat generating portion and to prevent heat concentration. This improves heat formation and is advantageous for high frequency and miniaturization.
実施の形態5.
以下に、この発明の実施の形態5を図8に基づいて説明する。図8は、実施の形態5における電力変換装置の一次側を示す回路構成図であり、実施の形態5に係る第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路を示す回路構成図である。なお、図1〜図7と同一又は相当部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。実施の形態5は、第1のスナバ回路及び第2のスナバ回路を2組のアームで共用するように設けたものである。図8に示すように、スイッチング素子111及びスイッチング素子112により構成されたアームと、スイッチング素子113及びスイッチング素子114により構成されたアームの間において、ブリッジ回路の正極線上及び負極線上に第3の接続点10c、10dがそれぞれ設けられている。第1のスナバ回路24及び第2のスナバ回路23は、正極側端子が第3の接続点10cに接続され、負極側端子が第3の接続点10dに接続されている。このように、実施の形態5では第1のスナバ回路24及び第2のスナバ回路23がブリッジ回路の正極線及び負極線と接続されることでスイッチング素子111〜114に対応しているため、実施の形態1においてそれぞれのアームに接続されていた第1のスナバ回路121、122、第2のスナバ回路131、132は省略されている。
The fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 8 is a circuit configuration diagram illustrating a primary side of the power conversion device according to the fifth embodiment, and is a circuit configuration diagram illustrating a first snubber circuit and a second snubber circuit according to the fifth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about FIG. 1-7 same or an equivalent part, and the description is abbreviate | omitted. In the fifth embodiment, the first snubber circuit and the second snubber circuit are provided so as to be shared by two sets of arms. As shown in FIG. 8, the third connection is made on the positive line and the negative line of the bridge circuit between the arm constituted by the switching
第1のスナバ回路24は、実施の形態1の第1のスナバ回路121、122と同様にコンデンサによって構成されている。また、第1のスナバ回路24とスイッチング素子との接続点と、第1のスナバ回路24を構成するコンデンサとの間の配線の長さが10cm以下となるように設定されている点も実施の形態1と同様である。
The
第2のスナバ回路23は、実施の形態1の第2のスナバ回路131、132と同様に、直列に接続されたコンデンサ及び抵抗によって構成されている。また、第2のスナバ回路23を構成する抵抗の電気抵抗値R及びコンデンサの電気容量Cは、第2のスナバ回路23のカットオフ周波数fcの下限がサージ電圧の周波数となり、カットオフ周波数fcの上限がスイッチング素子111〜114の発振周波数となるように設定されている点も実施の形態1と同様である。
Similarly to the
実施の形態5によれば、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。 According to the fifth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
また、第1及び第2のスナバ回路を共用としたため、部品の削減による低コスト化や小型化が可能である。 Further, since the first and second snubber circuits are shared, the cost can be reduced and the size can be reduced by reducing the number of parts.
なお、上記実施の形態では絶縁型のフルブリッジDC/DCコンバータにこの発明を適用する場合について説明したが、この発明は例えばハーフブリッジDC/DCコンバータやインバータなど、スイッチング素子とスナバ回路を組み合わせる電力変換装置であれば適用可能である。
また、スイッチング素子としてワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子を用いたが、Si−MOSFETやIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の自己消弧型半導体スイッチング素子や、ダイヤモンド系材料を用いたスイッチング素子を用いてもよい。
また、単相インバータと二線式の単相インバータを用い、ブリッジ回路は2組のアームを有する構成としたが、二線式の単相インバータを三線式の単相インバータや三相インバータに置き換え、ブリッジ回路が3組以上のアームを有する構成にしてもよい。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to an insulation type full-bridge DC / DC converter has been described. However, the present invention is an electric power combining a switching element and a snubber circuit such as a half-bridge DC / DC converter or an inverter. Any conversion device can be applied.
Moreover, although the switching element comprised by the wide band gap semiconductor was used as a switching element, self-extinguishing type semiconductor switching elements, such as Si-MOSFET and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), and the switching element using a diamond-type material May be used.
In addition, a single-phase inverter and a two-wire single-phase inverter are used, and the bridge circuit has two sets of arms. However, the two-wire single-phase inverter is replaced with a three-wire single-phase inverter or a three-phase inverter. The bridge circuit may have three or more sets of arms.
また、この発明は、この発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各実施の形態や構成を適宜組み合わせたり、構成を一部変形、省略したりすることが可能である。 Further, in the present invention, the embodiments and configurations can be appropriately combined, or the configurations can be partially modified or omitted without departing from the spirit of the present invention.
10 単相インバータ、100 DC/DCコンバータ、111〜114 スイッチング素子、11a、12a、13a、14a 第1の接続点、121、122、321〜324、24 第1のスナバ回路、121a、122a コンデンサ、131、132、23、431〜434 第2のスナバ回路、131a、132a 抵抗、131b、132b コンデンサ
DESCRIPTION OF
Claims (12)
第1のコンデンサからなる第1のスナバ回路と、
抵抗及び前記抵抗と直列に接続された第2のコンデンサからなる第2のスナバ回路とを備え、
前記スイッチング素子、前記第1のスナバ回路及び前記第2のスナバ回路が互いに並列に接続され、前記第1のスナバ回路と前記スイッチング素子の接続点が前記第2のスナバ回路と前記スイッチング素子の接続点よりも前記スイッチング素子に近く、前記第1のスナバ回路は、前記第2のスナバ回路よりも前記スイッチング素子の近くに配置されていることを特徴とする電力変換装置。 A switching element;
A first snubber circuit comprising a first capacitor;
A second snubber circuit comprising a resistor and a second capacitor connected in series with the resistor;
The switching element, the first snubber circuit, and the second snubber circuit are connected in parallel to each other , and a connection point between the first snubber circuit and the switching element is a connection between the second snubber circuit and the switching element. The power conversion device is characterized in that the first snubber circuit is disposed closer to the switching element than the second snubber circuit, and closer to the switching element than a point .
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