JP6438791B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

近年、電子機器の小型化、軽量化、および高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、および高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰを製造するプロセスの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、チップ回路形成面に外部電極などを形成し、最終的にはチップを含むパッケージをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ−Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ−Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。   In recent years, electronic devices have been reduced in size, weight, and functionality. Semiconductor devices mounted on electronic devices are also required to be smaller, thinner, and higher in density. A semiconductor chip may be mounted in a package close to its size. Such a package may be referred to as a chip scale package (CSP). One of the processes for manufacturing a CSP is a wafer level package (WLP). In WLP, before dicing into individual pieces, external electrodes and the like are formed on the chip circuit formation surface, and finally a package containing the chips is diced into individual pieces. Examples of WLP include a fan-in type and a fan-out type. In a fan-out type WLP (hereinafter sometimes abbreviated as FO-WLP), a semiconductor chip sealing body is formed by covering a semiconductor chip with a sealing member so as to be an area larger than the chip size. The rewiring layer and the external electrode are formed not only on the circuit surface of the semiconductor chip but also on the surface region of the sealing member.

例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。   For example, in Patent Document 1, an extended wafer is formed by enclosing a plurality of semiconductor chips separated from a semiconductor wafer, leaving a circuit formation surface thereof, and surrounding with a mold member, in a region outside the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor package formed by extending a rewiring pattern is described. In the manufacturing method described in Patent Document 1, before enclosing a plurality of individual semiconductor chips with a mold member, the semiconductor chip is replaced with an expandable wafer mount tape, and the wafer mount tape is spread to expand the plurality of semiconductor chips. The distance between them is expanding.

国際公開第２０１０／０５８６４６号International Publication No. 2010/058646

ウエハマウントテープなどの粘着シートに貼着された複数の半導体チップは、粘着剤と接触している。粘着シートを引き延ばして、複数の半導体チップ同士の間隔を拡げると、まず、半導体チップが貼着されていない領域が引き延ばされて、その領域における粘着剤層の厚さが薄くなる。続いて、半導体チップが貼着されている領域の粘着剤層も引き延ばされて、粘着剤層の厚さが薄くなっていき、半導体チップと粘着剤との接触面積が狭くなる。その結果、粘着シート上の半導体チップの保持力が低下するおそれがある。半導体チップの保持力が低下すると、粘着シート上の複数の半導体チップ同士の間隔がばらついたり、半導体チップが粘着シートから離脱したりして、後工程における半導体チップの取り扱い性が低下するおそれがある。   The plurality of semiconductor chips attached to an adhesive sheet such as a wafer mount tape are in contact with the adhesive. When the pressure-sensitive adhesive sheet is stretched to increase the interval between the plurality of semiconductor chips, first, a region where the semiconductor chip is not attached is stretched, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer in the region is reduced. Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer in the region where the semiconductor chip is attached is also stretched, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is reduced, and the contact area between the semiconductor chip and the pressure-sensitive adhesive is reduced. As a result, the holding power of the semiconductor chip on the pressure-sensitive adhesive sheet may be reduced. When the holding power of the semiconductor chip is reduced, there is a possibility that the spacing between the plurality of semiconductor chips on the adhesive sheet may vary, or the semiconductor chip may be detached from the adhesive sheet, and the handling of the semiconductor chip in the subsequent process may be reduced. .

本発明の目的は、半導体チップの取り扱い性を低下させることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることのできる半導体装置の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can greatly increase the interval between a plurality of semiconductor chips without deteriorating the handling of the semiconductor chips.

本発明の一態様によれば、第一の粘着シートにウエハを貼着させる工程と、前記第一の粘着シートに貼着された前記ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、前記複数の半導体チップを、エネルギー線硬化型粘着剤が含まれる粘着剤層を備えた第二の粘着シートに転写する工程と、前記第一の粘着シートを剥離する工程と、前記第二の粘着シートにエネルギー線を照射し、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程と、前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記粘着剤層の前記硬化させた領域を破断させるとともに、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供できる。   According to one aspect of the present invention, a step of attaching a wafer to a first adhesive sheet, and dicing the wafer attached to the first adhesive sheet to form a plurality of semiconductor chips A step, a step of transferring the plurality of semiconductor chips to a second pressure-sensitive adhesive sheet provided with a pressure-sensitive adhesive layer containing an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, a step of peeling the first pressure-sensitive adhesive sheet, Irradiating the second adhesive sheet with energy rays, curing the region of the adhesive layer where the plurality of semiconductor chips are not attached, stretching the second adhesive sheet, and the adhesive layer A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: breaking a hardened region and expanding a space between the plurality of semiconductor chips.

上述の本発明の一態様によれば、第二の粘着シートを引き延ばすエキスパンド工程を実施する前に、複数の半導体チップが貼着されていない領域の粘着剤層を硬化させる。エキスパンド工程で第二の粘着シートを引き延ばして、粘着剤層の硬化させた領域（以下、硬化領域という場合がある。）を破断させる。硬化領域を破断させた後は、破断により分離した硬化領域間の間隔が拡がるため、半導体チップが貼着されている領域においては、引き延ばされて半導体チップと粘着剤層との接触面積が狭くなる不具合を防止できる。このため、エキスパンド工程を実施しても、複数の半導体チップを安定して粘着剤層に保持できる。したがって、半導体チップの取り扱い性を低下させることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。
上述の本発明の一態様によれば、ダイシングにより形成した複数の半導体チップをピックアップして、間隔を拡げて支持部材上に再配列する工程を経ることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を安定して大きく拡げることができる。それゆえ、上述の本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、ＷＬＰの製造プロセスへの適合性に優れ、特にファンアウト型のウエハレベルパッケージの製造プロセスへの適合性に優れる。具体的には、本発明の一態様によれば、ＦＯ−ＷＬＰにおけるチップ間隔の均等性および正確性を向上させることができる。 According to the above-described aspect of the present invention, the adhesive layer in the region where the plurality of semiconductor chips are not attached is cured before the expanding step of stretching the second adhesive sheet. In the expanding step, the second pressure-sensitive adhesive sheet is stretched to break a cured region of the pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter sometimes referred to as a cured region). After the cured region is broken, the interval between the cured regions separated by the break increases, so in the region where the semiconductor chip is adhered, the contact area between the semiconductor chip and the adhesive layer is increased. The problem of narrowing can be prevented. For this reason, even if it implements an expanding process, a several semiconductor chip can be stably hold | maintained at an adhesive layer. Therefore, the interval between the plurality of semiconductor chips can be greatly expanded without deteriorating the handling of the semiconductor chips.
According to one embodiment of the present invention described above, a plurality of semiconductor chips formed by dicing are picked up, and the intervals between the plurality of semiconductor chips are stabilized without going through a process of widening the intervals and rearranging them on the support member. Can be greatly expanded. Therefore, the above-described method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention is excellent in adaptability to a WLP manufacturing process, and particularly excellent in adaptability to a fan-out type wafer level package manufacturing process. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the uniformity and accuracy of chip intervals in FO-WLP can be improved.

本発明の一態様において、前記ウエハをダイシングにより個片化し、前記複数の半導体チップを形成した後に、前記第一の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程をさらに備えることも好ましい。
この態様によれば、第一の粘着シートを引き延ばして、複数の半導体チップ間の間隔を拡げる。ダイシングにより生じた複数の半導体チップ間の間隔に比べて、複数の半導体チップ間の間隔が拡がるので、複数の半導体チップを第二の粘着シートへ転写した後に、未貼着領域にエネルギー線が確実に照射される。このため、エネルギー線の照射によって、硬化領域を形成しやすくなる。 In one aspect of the present invention, the method further includes the step of dicing the wafer into pieces by dicing and forming the plurality of semiconductor chips, and then extending the first pressure-sensitive adhesive sheet to widen the interval between the plurality of semiconductor chips. It is also preferable.
According to this aspect, the first pressure-sensitive adhesive sheet is stretched to widen the interval between the plurality of semiconductor chips. Compared to the distance between the multiple semiconductor chips generated by dicing, the distance between the multiple semiconductor chips is widened, so after transferring the multiple semiconductor chips to the second adhesive sheet, the energy rays are surely attached to the unadhered area. Is irradiated. For this reason, it becomes easy to form a hardening area | region by irradiation of an energy ray.

本発明の一態様において、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記エネルギー線を、前記第二の粘着シートに貼着されている前記複数の半導体チップの上から照射することも好ましい。
この態様によれば、エネルギー線を、第二の粘着シートに貼着されている複数の半導体チップの上から照射する。複数の半導体チップがマスクとして機能するので、粘着剤層の複数の半導体チップが貼着されていない領域の硬化を簡便に行うことができる。また、エネルギー線を照射するときに別途マスクを設置する必要がないので、半導体装置の製造工程を簡略化できる。 1 aspect of this invention WHEREIN: In the process of hardening | curing the area | region where the said some semiconductor chip of the said adhesive layer is not stuck, these energy rays are stuck to the said 2nd adhesive sheet. Irradiation from above the semiconductor chip is also preferable.
According to this aspect, the energy rays are irradiated from above the plurality of semiconductor chips attached to the second adhesive sheet. Since the plurality of semiconductor chips function as a mask, it is possible to easily cure the region of the adhesive layer where the plurality of semiconductor chips are not attached. In addition, since it is not necessary to install a separate mask when irradiating energy rays, the manufacturing process of the semiconductor device can be simplified.

本発明の一態様において、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記複数の半導体チップが貼着されていない領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる透過部と、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる遮断部とを有するマスクを、前記第二の粘着シートの前記複数の半導体チップが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、前記エネルギー線を、前記マスクの上から照射することも好ましい。
この態様によれば、マスクの透過部は、複数の半導体チップが貼着されていない領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる。また、マスクの遮断部は、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる。このマスクを、第二の粘着シートの複数の半導体チップが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、エネルギー線を、マスクの上から照射する。半導体チップが貼着されている領域に対応する部位は、遮断部によってエネルギー線から遮断され、粘着剤層の複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させることができる。
この態様では、例えば、マスクの遮断部の大きさが、半導体チップが貼着されている領域よりも大きければ、透過部の領域は、複数の半導体チップが貼着されていない領域よりも狭くなる。したがって、このマスクを使用することで、複数の半導体チップが貼着されていない領域よりもエネルギー線が照射される領域を狭めることができる。このように、マスクの透過部と遮断部の大きさや形状を変更することによって、エネルギー線の照射で硬化させる領域の大きさや形状を制御できる。 1 aspect of this invention WHEREIN: In the process of hardening | curing the area | region where the said several semiconductor chip of the said adhesive layer is not stuck, an energy beam is applied to the site | part corresponding to the area | region where the said several semiconductor chip is not stuck. The plurality of semiconductor chips of the second pressure-sensitive adhesive sheet are attached to a mask having a transmission part to be transmitted and a blocking part that blocks irradiation of energy rays to a part to which the semiconductor chip is attached. It is also preferable to irradiate the energy beam from above the mask by disposing it along a surface opposite to the surface.
According to this aspect, the transmission part of the mask transmits energy rays to a part corresponding to a region where a plurality of semiconductor chips are not attached. Further, the mask blocking unit blocks the irradiation of energy rays to the portion where the semiconductor chip is attached. This mask is arrange | positioned along the surface on the opposite side to the surface where the several semiconductor chip of the 2nd adhesive sheet is affixed, and an energy ray is irradiated from on a mask. The site | part corresponding to the area | region where the semiconductor chip is affixed is interrupted | blocked from an energy ray by the interruption | blocking part, and the area | region where the some semiconductor chip of the adhesive layer is not affixed can be hardened.
In this aspect, for example, if the size of the blocking portion of the mask is larger than the region where the semiconductor chip is adhered, the region of the transmission portion is narrower than the region where the plurality of semiconductor chips are not adhered. . Therefore, by using this mask, the region irradiated with the energy rays can be narrowed compared to the region where a plurality of semiconductor chips are not attached. In this way, by changing the size and shape of the transmitting portion and the blocking portion of the mask, the size and shape of the region to be cured by irradiation with energy rays can be controlled.

本発明の一態様において、前記ウエハのダイシングは、第１の方向に沿って前記ウエハを切断して第１のストリートを形成する工程と、前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って前記ウエハを切断して第２のストリートを形成する工程と、を含み、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程は、前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、を含み、前記第二の粘着シートを引き延ばして前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程は、前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばす工程と、前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばす工程と、を含み、前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばし、続いて、前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばすことも好ましい。   In one aspect of the present invention, the dicing of the wafer may be performed by cutting the wafer along a first direction to form a first street, and along a second direction orthogonal to the first direction. Cutting the wafer to form a second street, and curing the region of the adhesive layer where the plurality of semiconductor chips are not attached to the first street. The step of irradiating the energy beam to the second street, and the step of extending the second adhesive sheet to widen the interval between the plurality of semiconductor chips, Extending the second adhesive sheet along the second direction, and extending the second adhesive sheet along the first direction. After irradiating the rugi rays, the second adhesive sheet is stretched along the second direction, and subsequently, the second street is irradiated with the energy beam, and then the second adhesive sheet is attached to the second adhesive sheet. It is also preferable to stretch along the direction of 1.

この態様によれば、第１のストリートにエネルギー線を照射した後、第２の方向に沿って引き延ばし、続いて、第２のストリートにエネルギー線を照射した後、第１の方向に沿って引き延ばす。このように、第１の方向のエキスパンドと、第２の方向のエキスパンドとで、それぞれエキスパンド工程を分離して実施する。粘着シートの第１の方向および第２の方向の延び特性に応じて、それぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップ同士の間隔がより均一に拡張される。   According to this aspect, after irradiating the energy beam to the first street, it is stretched along the second direction. Subsequently, after irradiating the energy beam to the second street, it is stretched along the first direction. . In this way, the expanding process is separately performed for the expanding in the first direction and the expanding in the second direction. Since the expanding process can be performed while adjusting the tensile force in each direction according to the extending characteristics of the pressure-sensitive adhesive sheet in the first direction and the second direction, the intervals between the plurality of semiconductor chips are more uniformly expanded. .

本発明の一態様において、第二の粘着シートは、前記粘着剤層が積層される基材フィルムを有し、前記第１の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＭＤ方向であり、前記第２の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＣＤ方向であることも好ましい。
この態様によれば、第二の粘着シートを構成する基材フィルムのＭＤ方向に沿って形成されたストリートにエネルギー線を照射した後、基材フィルムのＣＤ方向に沿って引き延ばし、続いて、基材フィルムのＣＤ方向に沿って形成されたストリートにエネルギー線を照射した後、基材フィルムのＭＤ方向に沿って引き延ばす。このように、エキスパンド工程を基材フィルムのＭＤ方向の延び特性、およびＣＤ方向の延び特性に応じてそれぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップ同士の間隔がより一層均一に拡張される。
本明細書において、「ＭＤ方向」とは、基材フィルムを与える原反の長手方向（原反の製造時の送り方向）に平行な方向を示す語として用いており、「ＣＤ方向」とは、ＭＤ方向と直交する方向を示す語として用いており、以下についても同様である。本明細書において、ＭＤは、Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称であり、ＣＤは、Ｃｒｏｓｓ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称である。 1 aspect of this invention WHEREIN: A 2nd adhesive sheet has a base film with which the said adhesive layer is laminated | stacked, and said 1st direction is MD direction of the base film of said 2nd adhesive sheet. It is also preferable that the second direction is the CD direction of the base film of the second pressure-sensitive adhesive sheet.
According to this aspect, after irradiating the energy beam to the street formed along the MD direction of the base film constituting the second pressure-sensitive adhesive sheet, the street is stretched along the CD direction of the base film, After irradiating the energy line to the street formed along the CD direction of the material film, the street is stretched along the MD direction of the base film. In this way, the expanding process can be performed while adjusting the tensile force in each direction according to the extension characteristics in the MD direction of the base film and the extension characteristics in the CD direction. Is more evenly expanded.
In this specification, the “MD direction” is used as a word indicating a direction parallel to the longitudinal direction of the original film giving the base film (the feed direction during the production of the original film). Are used as a word indicating a direction orthogonal to the MD direction, and the same applies to the following. In this specification, MD is an abbreviation for Machine Direction, and CD is an abbreviation for Cross Direction.

本発明の一態様において、前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備えることも好ましい。
この態様によれば、半導体チップの取り扱い性を低下させることなく複数の半導体チップ間の間隔を大きく拡げたうえで、封止部材で複数の半導体チップを覆うことができる。しかも、この態様によれば、個片化された半導体チップを、１個ずつ第一の粘着シートから別の粘着シートや支持体にピック・アンド・プレイスによって再配列することなく、封止部材で覆うことができる。それゆえ、この態様によれば、ＷＬＰの製造プロセスの工程を簡略化することができる。 1 aspect of this invention WHEREIN: After extending said 2nd adhesive sheet and expanding the space | interval of these semiconductor chips, it further includes the process of leaving the circuit surface of these semiconductor chips, and covering with a sealing member. It is also preferable.
According to this aspect, it is possible to cover the plurality of semiconductor chips with the sealing member after greatly increasing the interval between the plurality of semiconductor chips without reducing the handling of the semiconductor chips. Moreover, according to this aspect, the separated semiconductor chips can be sealed one by one with the sealing member without being rearranged by pick and place from the first adhesive sheet to another adhesive sheet or support. Can be covered. Therefore, according to this aspect, the steps of the WLP manufacturing process can be simplified.

第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st embodiment. 図１に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st embodiment following FIG. 図２に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st embodiment following FIG. 図３に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st embodiment following FIG. 図４に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st embodiment following FIG. 図５に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st embodiment following FIG. 第二実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 2nd embodiment. 第三実施形態に係る製造方法を説明する平面図。The top view explaining the manufacturing method concerning a third embodiment. 図８に続いて第三実施形態に係る製造方法を説明する平面図。The top view explaining the manufacturing method which concerns on 3rd embodiment following FIG. 図９に続いて第三実施形態に係る製造方法を説明する平面図。The top view explaining the manufacturing method which concerns on 3rd embodiment following FIG. 実施形態の変形例に係る製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on the modification of embodiment.

〔第一実施形態〕
以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。 [First embodiment]
Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described.

図１（Ａ）には、第一の粘着シート１０に貼着された半導体ウエハＷが示されている。
半導体ウエハＷは、回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の裏面Ｗ３に貼着されている。
半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法、およびリフトオフ法などが挙げられる。
半導体ウエハＷは、予め所定の厚みに研削して、裏面Ｗ３を露出させて第一の粘着シート１０に貼着されている。半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダーなどを用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、表面保護シートを回路面Ｗ１に貼着させる。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路Ｗ２が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。研削後の半導体ウエハＷの厚みは、特に限定はされず、通常は、２０μｍ以上５００μｍ以下である。 FIG. 1A shows a semiconductor wafer W adhered to the first pressure-sensitive adhesive sheet 10.
The semiconductor wafer W has a circuit surface W1, and a circuit W2 is formed on the circuit surface W1. The first adhesive sheet 10 is attached to the back surface W3 of the semiconductor wafer W opposite to the circuit surface W1.
The semiconductor wafer W may be, for example, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. Examples of a method for forming the circuit W2 on the circuit surface W1 of the semiconductor wafer W include a widely used method, and examples thereof include an etching method and a lift-off method.
The semiconductor wafer W is ground to a predetermined thickness in advance, and is attached to the first adhesive sheet 10 with the back surface W3 exposed. The method for grinding the semiconductor wafer W is not particularly limited, and examples thereof include a known method using a grinder. When grinding the semiconductor wafer W, a surface protective sheet is adhered to the circuit surface W1 in order to protect the circuit W2. In the backside grinding of the wafer, the circuit surface W1 side of the semiconductor wafer W, that is, the surface protection sheet side is fixed by a chuck table or the like, and the backside where the circuit W2 is not formed is ground by a grinder. The thickness of the semiconductor wafer W after grinding is not particularly limited, and is usually 20 μm or more and 500 μm or less.

第一の粘着シート１０は、第一の基材フィルム１１と、第一の粘着剤層１２とを有する。第一の粘着剤層１２は、第一の基材フィルム１１に積層されている。
第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷおよび第一のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第一の粘着シート１０の第一の粘着剤層１２の上に、第一のリングフレームおよび半導体ウエハＷを載置し、これらを軽く押圧し、固定する。 The first pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a first base film 11 and a first pressure-sensitive adhesive layer 12. The first pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first base film 11.
The first adhesive sheet 10 may be attached to the semiconductor wafer W and the first ring frame. In this case, the first ring frame and the semiconductor wafer W are placed on the first pressure-sensitive adhesive layer 12 of the first pressure-sensitive adhesive sheet 10, and these are lightly pressed and fixed.

第一の基材フィルム１１の材質は、特に限定されない。第一の基材フィルム１１の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂などが挙げられる。   The material of the first base film 11 is not particularly limited. Examples of the material of the first base film 11 include polyvinyl chloride resin, polyester resin (polyethylene terephthalate, etc.), acrylic resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, acrylonitrile / butadiene / styrene resin, polyimide resin, and polyurethane. Examples thereof include resins and polystyrene resins.

第一の粘着剤層１２に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第一の粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、およびウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。   The pressure-sensitive adhesive contained in the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited and can be widely applied. Examples of the pressure-sensitive adhesive contained in the first pressure-sensitive adhesive layer 12 include rubber-based, acrylic-based, silicone-based, polyester-based, and urethane-based materials. In addition, the kind of adhesive is selected in consideration of the use, the kind of adherend to be attached, and the like.

［ダイシング工程］
図１（Ｂ）には、第一の粘着シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
第一の粘着シート１０に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚さと、第一の粘着剤層１２の厚さとの合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。
また、ダイシングによって個片化された複数の半導体チップＣＰ間には、ダイシングソーなどの切断手段の厚みに応じた間隔が形成される。本実施形態では、ダイシングによって生じた半導体チップＣＰ間の距離をＤとする。 [Dicing process]
FIG. 1B shows a plurality of semiconductor chips CP held on the first pressure-sensitive adhesive sheet 10.
The semiconductor wafer W held on the first adhesive sheet 10 is divided into pieces by dicing, and a plurality of semiconductor chips CP are formed. A cutting means such as a dicing saw is used for dicing. The cutting depth at the time of dicing is set to a depth that takes into account the sum of the thickness of the semiconductor wafer W and the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 12 and the wear of the dicing saw.
Further, an interval corresponding to the thickness of a cutting means such as a dicing saw is formed between the plurality of semiconductor chips CP separated by dicing. In the present embodiment, the distance between the semiconductor chips CP generated by dicing is D.

［転写工程］
図２（Ａ）には、ダイシングにより個片化した複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写する工程（転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
ダイシングにより複数の半導体チップＣＰを形成した後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第二の粘着シート２０を貼着する。 [Transfer process]
FIG. 2A shows a diagram for explaining a process of transferring a plurality of semiconductor chips CP separated by dicing to the second adhesive sheet 20 (sometimes referred to as a transfer process).
After forming the plurality of semiconductor chips CP by dicing, the second adhesive sheet 20 is adhered to the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP.

第二の粘着シート２０は、第二の基材フィルム２１と、第二の粘着剤層２２とを有する。第二の粘着シート２０は、回路面Ｗ１を第二の粘着剤層２２で覆うように貼着されることが好ましい。
第二の基材フィルム２１の材質は、特に限定されない。第二の基材フィルム２１の材質としては、例えば、第一の基材フィルム１１について例示した材質と同様の材質が挙げられる。 The second pressure-sensitive adhesive sheet 20 has a second base film 21 and a second pressure-sensitive adhesive layer 22. It is preferable that the 2nd adhesive sheet 20 is stuck so that the circuit surface W1 may be covered with the 2nd adhesive layer 22. FIG.
The material of the second base film 21 is not particularly limited. Examples of the material of the second base film 21 include the same materials as those exemplified for the first base film 11.

第二の粘着剤層２２は、第二の基材フィルム２１に積層されている。第二の粘着剤層２２には、エネルギー線硬化型粘着剤が含まれている。
本実施形態に係るエネルギー線硬化型粘着剤は、特に限定されない。形成する粘着剤層の硬化領域に付与すべき性能に応じて、エネルギー線硬化型粘着剤を適宜選択すればよい。
本明細書において、エネルギー線は、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有する。エネルギー線としては、例えば、紫外線および電子線などが挙げられる。エネルギー線の中でも、取扱いが容易な紫外線がより好ましい。 The second pressure-sensitive adhesive layer 22 is laminated on the second base film 21. The second pressure-sensitive adhesive layer 22 contains an energy ray curable pressure-sensitive adhesive.
The energy beam curable adhesive according to the present embodiment is not particularly limited. What is necessary is just to select an energy ray hardening-type adhesive suitably according to the performance which should be provided to the hardening area | region of the adhesive layer to form.
In this specification, an energy ray has an energy quantum in an electromagnetic wave or a charged particle beam. Examples of energy rays include ultraviolet rays and electron beams. Among energy rays, ultraviolet rays that are easy to handle are more preferable.

エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えばアクリル系粘着剤に、多官能エネルギー線硬化樹脂を混合した粘着剤が挙げられる。多官能エネルギー線硬化樹脂としては、エネルギー線重合性の官能基を複数有する低分子化合物、ウレタンアクリレートオリゴマーなどが挙げられる。また、側鎖にエネルギー線重合性の官能基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体を含む粘着剤も用いることができる。このようなエネルギー線重合性官能基としては（メタ）アクリロイル基が好ましい。   Examples of the energy ray curable pressure sensitive adhesive include a pressure sensitive adhesive obtained by mixing a polyfunctional energy ray curable resin with an acrylic pressure sensitive adhesive. Examples of the polyfunctional energy ray curable resin include low molecular weight compounds having a plurality of energy ray polymerizable functional groups, urethane acrylate oligomers, and the like. Moreover, the adhesive containing the (meth) acrylic acid ester copolymer which has an energy-beam polymerizable functional group in a side chain can also be used. Such an energy ray polymerizable functional group is preferably a (meth) acryloyl group.

第二の粘着剤層２２には、各種添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、重合開始剤、シランカップリング剤、帯電防止剤、粘着付与剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、軟化剤、充填剤、および屈折率調整剤などが挙げられる。なお、添加剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。   Various additives may be included in the second pressure-sensitive adhesive layer 22. Examples of the additive include a polymerization initiator, a silane coupling agent, an antistatic agent, a tackifier, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, a softening agent, a filler, and a refractive index adjusting agent. It is done. In addition, the kind of additive is selected in consideration of the use, the kind of adherend to be attached, and the like.

第二の粘着剤層２２の粘着力は、第一の粘着剤層１２の粘着力よりも大きいことが好ましい。第二の粘着剤層２２の粘着力の方が大きければ、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写した後に第一の粘着シート１０を剥離し易くなる。   The adhesive force of the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is preferably larger than the pressure-sensitive adhesive force of the first pressure-sensitive adhesive layer 12. If the adhesive force of the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is greater, the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be easily peeled after the plurality of semiconductor chips CP are transferred to the second pressure-sensitive adhesive sheet 20.

第二の粘着シート２０は、耐熱性を有することが好ましい。後述する封止部材が熱硬化性樹脂である場合、例えば、硬化温度は、１２０℃〜１８０℃程度であり、加熱時間は、３０分〜２時間程度である。第二の粘着シート２０は、封止部材を熱硬化させる際に、皺が生じないような耐熱性を有することが好ましい。また、第二の粘着シート２０は、熱硬化プロセス後に、半導体チップＣＰから剥離可能な材質で構成されていることが好ましい。   The second pressure-sensitive adhesive sheet 20 preferably has heat resistance. When the sealing member to be described later is a thermosetting resin, for example, the curing temperature is about 120 ° C. to 180 ° C., and the heating time is about 30 minutes to 2 hours. The second pressure-sensitive adhesive sheet 20 preferably has heat resistance such that wrinkles do not occur when the sealing member is thermoset. Moreover, it is preferable that the 2nd adhesive sheet 20 is comprised with the material which can peel from the semiconductor chip CP after a thermosetting process.

第二の粘着シート２０は、複数の半導体チップＣＰおよび第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２の上に、第二のリングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、第二のリングフレームの環形状の内側にて露出する第二の粘着剤層２２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、第二の粘着シート２０に複数の半導体チップＣＰを固定する。   The second adhesive sheet 20 may be attached to the plurality of semiconductor chips CP and the second ring frame. In this case, the second ring frame is placed on the second pressure-sensitive adhesive layer 22 of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20, and this is lightly pressed and fixed. Thereafter, the second pressure-sensitive adhesive layer 22 exposed inside the ring shape of the second ring frame is pressed against the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP to fix the plurality of semiconductor chips CP to the second pressure-sensitive adhesive sheet 20. To do.

図２（Ｂ）には、第一の粘着シート１０を剥離した後の、第二の粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
第二の粘着シート２０を貼着した後、第一の粘着シート１０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。第一の粘着シート１０を剥離した後も、ダイシングにより生じた、複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄは維持されており、第二の粘着剤層２２には、複数の半導体チップＣＰが貼着されていない領域２２１が形成されている。 FIG. 2B shows a plurality of semiconductor chips CP held on the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 after the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 is peeled off.
When the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 is peeled off after the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is adhered, the back surfaces W3 of the plurality of semiconductor chips CP are exposed. Even after the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 is peeled off, the distance D between the plurality of semiconductor chips CP generated by dicing is maintained, and the plurality of semiconductor chips CP are adhered to the second pressure-sensitive adhesive layer 22. A region 221 that has not been formed is formed.

［エネルギー線照射工程］
図３（Ａ）には、第二の粘着シート２０にエネルギー線Ｅを照射する工程（エネルギー線照射工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
エネルギー線照射工程では、第二の粘着シート２０にエネルギー線Ｅを照射し、図２（Ｂ）に示す、第二の粘着剤層２２の複数の半導体チップＣＰが貼着されていない領域２２１を硬化させる。本明細書において、この領域を未貼着領域と称する場合がある。
エネルギー線Ｅの照射は、第二の粘着シート２０に貼着されている複数の半導体チップＣＰの上から照射することが好ましい。エネルギー線Ｅを照射したときに、複数の半導体チップＣＰがエネルギー線Ｅを遮るので、第二の粘着剤層２２の半導体チップＣＰが貼着されている領域にはエネルギー線Ｅが到達しない。このため、第二の粘着剤層２２の未貼着領域２２１がエネルギー線Ｅの照射によって選択的に硬化され、硬化領域２２２が形成される。 [Energy beam irradiation process]
FIG. 3A shows a diagram for explaining a process of irradiating the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 with the energy beam E (sometimes referred to as an energy beam irradiation process).
In the energy ray irradiating step, the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is irradiated with energy rays E, and the region 221 where the plurality of semiconductor chips CP of the second pressure-sensitive adhesive layer 22 shown in FIG. Harden. In this specification, this region may be referred to as an unattached region.
It is preferable to irradiate the energy beam E from above the plurality of semiconductor chips CP adhered to the second adhesive sheet 20. When the energy beam E is irradiated, the plurality of semiconductor chips CP blocks the energy beam E, so that the energy beam E does not reach the region where the semiconductor chip CP of the second adhesive layer 22 is adhered. For this reason, the non-sticking area | region 221 of the 2nd adhesive layer 22 is selectively hardened | cured by irradiation of the energy ray E, and the hardening area | region 222 is formed.

エネルギー線Ｅとしては、電子線または紫外線などが挙げられる。エネルギー線Ｅの種類は、第二の粘着剤層２２に含まれるエネルギー線硬化型粘着剤の種類に応じて適宜決定される。
紫外線の照射は、高圧水銀ランプ、フュージョンＨランプ、キセノンランプ等によって行うことができ、紫外線の照射量は、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２〜１０００ｍＷ／ｃｍ^２、光量５０ｍＪ／ｃｍ^２〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２程度が好ましい。一方、電子線の照射は、電子線加速器等によって行うことができ、電子線の照射量は、１０ｋｒａｄ〜１０００ｋｒａｄ程度が好ましい。 Examples of the energy beam E include an electron beam and ultraviolet rays. The type of energy beam E is appropriately determined according to the type of energy beam curable pressure-sensitive adhesive contained in the second pressure-sensitive adhesive layer 22.
Irradiation of ultraviolet rays, a high-pressure mercury lamp, a fusion H lamp, can be carried out by a xenon lamp or the like, the dose of ultraviolet ray is intensity ^{50mW / cm 2 ~1000mW / cm 2} , light quantity 50mJ ^/ cm ² ~1000mJ ^/ cm 2 of about Is preferred. On the other hand, the electron beam irradiation can be performed by an electron beam accelerator or the like, and the irradiation amount of the electron beam is preferably about 10 krad to 1000 krad.

［エキスパンド工程］
図３（Ｂ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を引き延ばす工程（エキスパンド工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
エキスパンド工程では、第二の粘着シート２０を引き延ばして、第二の粘着剤層２２の硬化領域２２２を破断させる。さらに、引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。硬化領域２２２を破断させた後は、破断により分離した破断領域２２３，２２３間の間隔２２４が拡がる。エキスパンド工程において第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第二の粘着シート２０を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。 [Expanding process]
FIG. 3B shows a diagram illustrating a process of extending the second adhesive sheet 20 that holds a plurality of semiconductor chips CP (sometimes referred to as an expanding process).
In the expanding step, the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is stretched to break the cured region 222 of the second pressure-sensitive adhesive layer 22. Further, the distance between the plurality of semiconductor chips CP is increased by extending. After the hardened region 222 is broken, the interval 224 between the broken regions 223 and 223 separated by the breakage increases. The method for extending the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 in the expanding step is not particularly limited. Examples of the method of stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 include a method of stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 by pressing an annular or circular expander, and an outer periphery of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 using a gripping member or the like. For example, a method of grasping and extending the part.

本実施形態では、図３（Ｂ）に示されているように、エキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 3B, the distance between the semiconductor chips CP after the expanding process is D1. For example, the distance D1 is preferably 200 μm or more and 5000 μm or less.

［封止工程］
図４には、封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
封止工程は、エキスパンド工程の後に実施される。回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態では、第二の粘着シート２０により回路面Ｗ１および回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。 [Sealing process]
FIG. 4 is a diagram illustrating a process of sealing a plurality of semiconductor chips CP using the sealing member 30 (sometimes referred to as a sealing process).
The sealing step is performed after the expanding step. The sealing body 3 is formed by covering the plurality of semiconductor chips CP with the sealing member 30 while leaving the circuit surface W1. A sealing member 30 is also filled between the plurality of semiconductor chips CP. In this embodiment, since the circuit surface W1 and the circuit W2 are covered with the second adhesive sheet 20, it is possible to prevent the circuit surface W1 from being covered with the sealing member 30.

封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、距離Ｄ１が維持された状態で、封止部材３０により覆われることが好ましい。
封止部材３０で複数の半導体チップＣＰを覆う方法は、特に限定されない。例えば、金型内に、第二の粘着シート２０で回路面Ｗ１を覆ったまま複数の半導体チップＣＰを収容し、金型内に流動性の樹脂材料を注入し、樹脂材料を硬化させる方法を採用してもよい。
また、シート状の封止樹脂を複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を覆うように載置し、封止樹脂を加熱することで、複数の半導体チップＣＰを封止樹脂に埋め込ませる方法を採用してもよい。封止部材３０の材質としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止部材３０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、および硬化促進剤などが含まれていてもよい。 By the sealing process, the sealing body 3 in which a plurality of semiconductor chips CP separated by a predetermined distance are embedded in the sealing member is obtained. In the sealing step, the plurality of semiconductor chips CP are preferably covered with the sealing member 30 in a state where the distance D1 is maintained.
A method for covering the plurality of semiconductor chips CP with the sealing member 30 is not particularly limited. For example, a method in which a plurality of semiconductor chips CP are accommodated in a mold while the circuit surface W1 is covered with the second adhesive sheet 20, a fluid resin material is injected into the mold, and the resin material is cured. It may be adopted.
Further, a method of embedding the plurality of semiconductor chips CP in the sealing resin by placing the sheet-shaped sealing resin so as to cover the back surfaces W3 of the plurality of semiconductor chips CP and heating the sealing resin is adopted. May be. Examples of the material of the sealing member 30 include an epoxy resin. The epoxy resin used as the sealing member 30 may include, for example, a phenol resin, an elastomer, an inorganic filler, a curing accelerator, and the like.

封止工程で封止樹脂を埋め込んだ後は、第二の粘着剤層２２に第二の基材フィルム２１側からエネルギー線を照射し、複数の半導体チップＣＰが貼着されている領域における第二の粘着剤層２２のエネルギー線硬化型粘着剤を硬化させることが好ましい。エネルギー線硬化型粘着剤を硬化させると、第二の粘着剤層２２の凝集力が高まり、第二の粘着剤層２２と複数の半導体チップＣＰとの間の粘着力を低下または消失させることができるため、第二の粘着シート２０を剥離し易くなる。   After embedding the sealing resin in the sealing step, the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is irradiated with energy rays from the second base film 21 side, and the second adhesive layer 22 in the region where the plurality of semiconductor chips CP are attached. It is preferable to cure the energy ray curable adhesive of the second adhesive layer 22. When the energy ray curable pressure-sensitive adhesive is cured, the cohesive force of the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is increased, and the pressure-sensitive adhesive force between the second pressure-sensitive adhesive layer 22 and the plurality of semiconductor chips CP may be reduced or eliminated. Therefore, the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 can be easily peeled off.

封止工程の後、第二の粘着シート２０が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の第二の粘着シート２０と接触していた面３Ａが露出する。
なお、破断領域２２３，２２３間の間隔２２４にも、封止部材３０が充填されるが、間隔２２４に充填された封止部材は、第二の粘着シート２０の剥離時には除去できない。間隔２２４に充填された封止部材は、例えば、次工程の半導体パッケージの製造工程において、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する際のダイシングソーなどの切断手段を用いたダイシングによって除去される。
また、エキスパンド工程で第二の粘着シート２０を引き延ばすと、破断した部位が最も拡張されやすいので、破断領域２２３，２２３も拡張されて薄くなる場合がある。この場合、間隔２２４における第二の基材フィルム２１と破断領域２２３，２２３とによる段差もほぼ無くなると考えられる。そのため、封止工程で間隔２２４に充填された封止部材の厚さも薄くなる。間隔２２４に充填された封止部材の厚さが薄ければ、間隔２２４に充填された封止部材を除去する必要がない場合もある。 After the sealing step, when the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is peeled off, the surface 3A that has been in contact with the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP and the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 of the sealing body 3 is exposed.
In addition, although the sealing member 30 is filled also in the space | interval 224 between the fracture | rupture area | regions 223 and 223, the sealing member filled in the space | interval 224 cannot be removed at the time of peeling of the 2nd adhesive sheet 20. FIG. The sealing member filled in the interval 224 is obtained by, for example, dicing using a cutting means such as a dicing saw when the sealing body 3 is divided into individual semiconductor chips CP in the manufacturing process of the next semiconductor package. Removed.
Further, when the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is stretched in the expanding process, the broken part is most easily expanded, so that the broken regions 223 and 223 may also be expanded and thinned. In this case, it is considered that there is almost no step between the second base film 21 and the fracture regions 223 and 223 at the interval 224. Therefore, the thickness of the sealing member filled in the interval 224 in the sealing process is also reduced. If the thickness of the sealing member filled in the interval 224 is thin, it may not be necessary to remove the sealing member filled in the interval 224.

［半導体パッケージの製造工程］
図５および図６には、複数の半導体チップＣＰを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明する図が示されている。本実施形態は、このような半導体パッケージの製造工程を含んでいることが好ましい。 [Semiconductor package manufacturing process]
5 and 6 are diagrams for explaining a process for manufacturing a semiconductor package using a plurality of semiconductor chips CP. The present embodiment preferably includes a manufacturing process of such a semiconductor package.

［再配線層形成工程］
図５（Ａ）には、第二の粘着シート２０を剥離した後の封止体３の断面図が示されている。本実施形態では、第二の粘着シート２０が剥離された後の封止体３に再配線層を形成する再配線層形成工程をさらに含むことが好ましい。再配線層形成工程においては、露出した複数の半導体チップＣＰの回路Ｗ２と接続する再配線を、回路面Ｗ１の上および封止体３の面３Ａの上に形成する。再配線の形成に当たっては、まず、絶縁層を封止体３に形成する。 [Rewiring layer formation process]
FIG. 5A shows a cross-sectional view of the sealing body 3 after the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is peeled off. In this embodiment, it is preferable to further include a rewiring layer forming step of forming a rewiring layer on the sealing body 3 after the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is peeled off. In the rewiring layer forming step, rewirings connected to the circuits W2 of the plurality of exposed semiconductor chips CP are formed on the circuit surface W1 and the surface 3A of the sealing body 3. In forming the rewiring, first, an insulating layer is formed on the sealing body 3.

図５（Ｂ）には、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の面３Ａに第一の絶縁層４１を形成する工程を説明する断面図が示されている。絶縁性樹脂を含む第一の絶縁層４１を、回路面Ｗ１および面３Ａの上に、回路Ｗ２または回路Ｗ２の内部端子電極Ｗ４を露出させるように形成する。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、およびシリコーン樹脂などが挙げられる。内部端子電極Ｗ４の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。   FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating a process of forming the first insulating layer 41 on the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP and the surface 3A of the sealing body 3. A first insulating layer 41 containing an insulating resin is formed on the circuit surface W1 and the surface 3A so as to expose the circuit W2 or the internal terminal electrode W4 of the circuit W2. Examples of the insulating resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, and silicone resin. The material of the internal terminal electrode W4 is not limited as long as it is a conductive material, and examples thereof include gold, silver, metals such as copper and aluminum, and alloys.

図５（Ｃ）には、封止体３に封止された半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線５を形成する工程を説明する断面図が示されている。本実施形態では、第一の絶縁層４１の形成に続いて再配線５を形成する。再配線５の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。再配線５は、公知の方法により形成できる。   FIG. 5C is a cross-sectional view illustrating a process of forming the rewiring 5 that is electrically connected to the semiconductor chip CP sealed in the sealing body 3. In the present embodiment, the rewiring 5 is formed following the formation of the first insulating layer 41. The material of the rewiring 5 is not limited as long as it is a conductive material, and examples thereof include gold, silver, metals such as copper and aluminum, and alloys. The rewiring 5 can be formed by a known method.

図６（Ａ）には、再配線５を覆う第二の絶縁層４２を形成する工程を説明する断面図が示されている。再配線５は、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを有する。第二の絶縁層４２には開口などを設けて、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを露出させる。本実施形態では、外部電極パッド５Ａは、封止体３の半導体チップＣＰの領域（回路面Ｗ１に対応する領域）内および領域外（封止部材３０上の面３Ａに対応する領域）に露出させている。また、再配線５は、外部電極パッド５Ａがアレイ状に配置されるように、封止体３の面３Ａに形成されている。本実施形態では、封止体３の半導体チップＣＰの領域外に外部電極パッド５Ａを露出させる構造を有するので、ファンアウト型のＷＬＰを得ることができる。   FIG. 6A is a cross-sectional view illustrating a process of forming the second insulating layer 42 that covers the rewiring 5. The rewiring 5 has external electrode pads 5A for external terminal electrodes. The second insulating layer 42 is provided with an opening or the like to expose the external electrode pad 5A for the external terminal electrode. In the present embodiment, the external electrode pad 5A is exposed in the region of the semiconductor chip CP of the sealing body 3 (region corresponding to the circuit surface W1) and outside the region (region corresponding to the surface 3A on the sealing member 30). I am letting. The rewiring 5 is formed on the surface 3A of the sealing body 3 so that the external electrode pads 5A are arranged in an array. In the present embodiment, since the external electrode pad 5A is exposed outside the region of the semiconductor chip CP of the sealing body 3, a fan-out type WLP can be obtained.

［外部端子電極との接続工程］
図６（Ｂ）には、封止体３の外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させる工程を説明する断面図が示されている。第二の絶縁層４２から露出する外部電極パッド５Ａに、はんだボール等の外部端子電極６を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極６と外部電極パッド５Ａとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだや無鉛はんだ等が挙げられる。 [Connection process with external terminal electrode]
FIG. 6B is a cross-sectional view illustrating a process of connecting the external terminal electrode 6 to the external electrode pad 5A of the sealing body 3. The external terminal electrode 6 such as a solder ball is placed on the external electrode pad 5A exposed from the second insulating layer 42, and the external terminal electrode 6 and the external electrode pad 5A are electrically connected by solder bonding or the like. The material of the solder ball is not particularly limited, and examples thereof include lead-containing solder and lead-free solder.

［第二のダイシング工程］
図６（Ｃ）には、外部端子電極６が接続された封止体３を個片化させる工程（第二のダイシング工程と称する場合がある。）を説明する断面図が示されている。この第二のダイシング工程では、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、封止体３を個片化することができる。封止体３を個片化させる工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。 [Second dicing process]
FIG. 6C shows a cross-sectional view for explaining a process of separating the sealing body 3 to which the external terminal electrode 6 is connected (sometimes referred to as a second dicing process). In the second dicing process, the sealing body 3 is separated into individual semiconductor chips CP. The method for dividing the sealing body 3 into individual pieces is not particularly limited. For example, the sealing body 3 can be separated into pieces by adopting a method similar to the method of dicing the semiconductor wafer W described above. The step of dividing the sealing body 3 into pieces may be performed by sticking the sealing body 3 to an adhesive sheet such as a dicing sheet.

封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１が製造される。上述のように半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させた半導体パッケージ１は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として製造される。   By separating the sealing body 3 into pieces, the semiconductor package 1 in units of the semiconductor chip CP is manufactured. As described above, the semiconductor package 1 in which the external terminal electrode 6 is connected to the external electrode pad 5A fanned out outside the region of the semiconductor chip CP is manufactured as a fan-out type wafer level package (FO-WLP).

［実装工程］
本実施形態では、個片化された半導体パッケージ１を、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。 [Mounting process]
In the present embodiment, it is also preferable to include a step of mounting the separated semiconductor package 1 on a printed wiring board or the like.

本実施形態によれば、第二の粘着シート２０を引き延ばすエキスパンド工程を実施する前に、複数の半導体チップＣＰが貼着されていない領域２２１の粘着剤層を硬化させる。エキスパンド工程で第二の粘着シート２０を引き延ばして、粘着剤層の硬化領域２２２を破断させる。硬化領域２２２を破断させた後は、破断により分離した破断領域２２３，２２３間の間隔２２４が拡がるため、半導体チップＣＰが貼着されている領域においては、引き延ばされて半導体チップＣＰと粘着剤層との接触面積が狭くなる不具合を防止できる。このため、エキスパンド工程を実施しても、複数の半導体チップＣＰを安定して第二の粘着剤層２２に保持できる。したがって、半導体チップＣＰの取り扱い性を低下させることなく、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を大きく拡げることができる。   According to this embodiment, before carrying out the expanding step of stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet 20, the pressure-sensitive adhesive layer in the region 221 where the plurality of semiconductor chips CP are not attached is cured. In the expanding step, the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is stretched to break the cured region 222 of the pressure-sensitive adhesive layer. After the hardened region 222 is broken, the gap 224 between the broken regions 223 and 223 separated by the breakage is widened, so that in the region where the semiconductor chip CP is adhered, it is stretched and adhered to the semiconductor chip CP. The problem that the contact area with the agent layer becomes narrow can be prevented. For this reason, even if it implements an expanding process, several semiconductor chip CP can be stably hold | maintained at the 2nd adhesive layer 22. FIG. Therefore, the interval between the plurality of semiconductor chips CP can be greatly expanded without degrading the handling of the semiconductor chips CP.

本実施形態に係る方法は、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージ１を製造するプロセスへの適合性に優れる。具体的には、本実施形態によれば、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージ１におけるチップ間隔の均等性および正確性を向上させることができる。   The method according to the present embodiment is excellent in adaptability to the process of manufacturing the FO-WLP type semiconductor package 1. Specifically, according to the present embodiment, the uniformity and accuracy of the chip interval in the FO-WLP type semiconductor package 1 can be improved.

〔第二実施形態〕
第二実施形態は、第一実施形態におけるダイシング工程を実施後、転写工程を実施するまでの間にさらに別の工程を備える点で、第一実施形態と相違する。第二実施形態は、その他の点において第一実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。 [Second Embodiment]
The second embodiment is different from the first embodiment in that it includes another process after the dicing process in the first embodiment is performed and before the transfer process is performed. Since the second embodiment is the same as the first embodiment in other points, the description is omitted or simplified.

本実施形態では、ダイシング工程を実施した後、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡げる工程を含む。
図７には、複数の半導体チップＣＰを保持する第一の粘着シート１０を引き延ばす工程を説明する図が示されている。
ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化した後、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。この工程において第一の粘着シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第一の粘着シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第一の粘着シート１０を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第一の粘着シート１０の外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。 In the present embodiment, after the dicing step is performed, the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 is stretched to include a step of widening the interval between the plurality of semiconductor chips CP.
FIG. 7 is a diagram illustrating a process of extending the first adhesive sheet 10 that holds a plurality of semiconductor chips CP.
After dicing into several semiconductor chips CP by dicing, the 1st adhesive sheet 10 is extended and the space | interval between several semiconductor chips CP is expanded. The method for extending the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 in this step is not particularly limited. Examples of the method of stretching the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 include a method of stretching the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 by pressing an annular or circular expander, and an outer periphery of the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 using a gripping member or the like. For example, a method of grasping and extending the part.

本実施形態では、図７に示されているように、半導体チップＣＰ間の距離をＤ２とする。距離Ｄ２は、距離Ｄ１よりも小さい。距離Ｄ２としては、例えば、１５μｍ以上１１０μｍ以下とすることが好ましい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the distance between the semiconductor chips CP is D2. The distance D2 is smaller than the distance D1. The distance D2 is preferably 15 μm or more and 110 μm or less, for example.

本実施形態によれば、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。ダイシングにより生じた複数の半導体チップＣＰ間の間隔に比べて、複数の半導体チップＣＰ間の間隔が拡がるので、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０へ転写した後に、未貼着領域２２１にエネルギー線Ｅが確実に照射される。このため、エネルギー線Ｅの照射によって、硬化領域２２２を形成しやすくなる。   According to this embodiment, the 1st adhesive sheet 10 is extended and the space | interval between several semiconductor chip CP is expanded. Since the interval between the plurality of semiconductor chips CP is larger than the interval between the plurality of semiconductor chips CP generated by dicing, the plurality of semiconductor chips CP are transferred to the second pressure-sensitive adhesive sheet 20, and then the unbonded region 221 is transferred. The energy beam E is reliably irradiated. For this reason, it becomes easy to form the hardened region 222 by irradiation of the energy beam E.

〔第三実施形態〕
第三実施形態は、第一実施形態におけるダイシング工程を実施後、封止工程を実施するまでの間にさらに別の工程を備える点で、第一実施形態と相違する。第三実施形態は、その他の点において第一実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。 [Third embodiment]
The third embodiment is different from the first embodiment in that it includes another process after the dicing process in the first embodiment is performed and before the sealing process is performed. Since the third embodiment is the same as the first embodiment in other points, the description is omitted or simplified.

図８（Ａ）には、本実施形態のダイシング工程の実施後、第二の粘着シート２０に転写された複数の半導体チップＣＰの整列状態を示す平面図が示されている。なお、本明細書において、説明の便宜上、複数の半導体チップＣＰの間隔を広く表す場合がある。例えば、図８（Ａ）から以後説明する図１０（Ｂ）までは、第三実施形態の内容をより理解し易くするために複数の半導体チップＣＰの間隔を広く表している。   FIG. 8A is a plan view showing an alignment state of the plurality of semiconductor chips CP transferred to the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 after the dicing process of the present embodiment is performed. In the present specification, for convenience of explanation, the interval between the plurality of semiconductor chips CP may be broadly expressed. For example, from FIG. 8 (A) to FIG. 10 (B) described below, the intervals between the plurality of semiconductor chips CP are broadly represented in order to make the contents of the third embodiment easier to understand.

本実施形態のダイシング工程は、第１の方向Ｍ１に沿って前記ウエハを切断して第１のストリートＳ１を形成する工程と、前記第１の方向Ｍ１と直交する第２の方向Ｍ２に沿って前記ウエハを切断して第２のストリートＳ２を形成する工程と、を含む。
第１のストリートＳ１および第２のストリートＳ２は、ダイシングソーなどの切断手段の厚みに応じた幅に形成される。
本実施形態のダイシング工程の後、前述と同様に転写工程を実施して、複数の半導体チップＣＰを、第二の粘着シート２０に転写する。 The dicing process of the present embodiment includes a process of cutting the wafer along the first direction M1 to form the first street S1, and a second direction M2 orthogonal to the first direction M1. Cutting the wafer to form a second street S2.
The 1st street S1 and the 2nd street S2 are formed in the width according to the thickness of cutting means, such as a dicing saw.
After the dicing process of the present embodiment, a transfer process is performed in the same manner as described above to transfer the plurality of semiconductor chips CP to the second adhesive sheet 20.

図８（Ｂ）には、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射する工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第１のストリートＳ１にて露出する第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２をエネルギー線Ｅの照射により硬化させる。
この工程では、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを選択的に照射し、第１のストリートＳ１にて露出する第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２を硬化させる。本実施形態では、第１のストリートＳ１に対応する部位に開口部５１Ａと、それ以外の部位にエネルギー線Ｅを遮断する遮断部５１Ｂとを有する第一のマスク５１を用いることが好ましい。 FIG. 8B shows a plan view illustrating a process of irradiating the first street S1 with the energy beam E.
In this step, the second pressure-sensitive adhesive layer 22 of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 exposed on the first street S1 is cured by irradiation with energy rays E.
In this step, the energy beam E is selectively irradiated to the first street S1, and the second pressure-sensitive adhesive layer 22 of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 exposed on the first street S1 is cured. In the present embodiment, it is preferable to use a first mask 51 having an opening 51A at a portion corresponding to the first street S1 and a blocking portion 51B that blocks the energy beam E at other portions.

図９（Ａ）には、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射する工程を説明する断面図が示されている。
第一のマスク５１を複数の半導体チップＣＰの上に設置して第１のストリートＳ１へエネルギー線Ｅを照射することが好ましい。エネルギー線Ｅは、第一のマスク５１の開口部５１Ａを通過して、第１のストリートＳ１にて露出する第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２に照射される。エネルギー線Ｅの照射方法等は、特に限定されず、上記第一実施形態のエネルギー線照射工程で説明した方法と同様に実施される。
ここで、第二の粘着シート２０は、前記第二の粘着剤層２２が積層される第二の基材フィルム２１を有し、第１の方向Ｍ１が第二の粘着シート２０の第二の基材フィルム２１のＭＤ方向であり、第２の方向Ｍ２が第二の粘着シート２０の第二の基材フィルム２１のＣＤ方向であることが好ましい。 FIG. 9A shows a cross-sectional view illustrating a process of irradiating the first street S1 with the energy beam E.
It is preferable that the first mask 51 is placed on the plurality of semiconductor chips CP and the first street S1 is irradiated with the energy beam E. The energy beam E passes through the opening 51A of the first mask 51 and is applied to the second adhesive layer 22 of the second adhesive sheet 20 exposed at the first street S1. The irradiation method of the energy beam E is not particularly limited, and is performed in the same manner as the method described in the energy beam irradiation step of the first embodiment.
Here, the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 has a second base film 21 on which the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is laminated, and the first direction M1 is the second direction of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20. It is preferably the MD direction of the base film 21, and the second direction M <b> 2 is the CD direction of the second base film 21 of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20.

図９（Ｂ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばす工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第二の粘着シート２０を第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばして、第１のストリートＳ１に沿って硬化させた第二の粘着剤層２２を破断させる。さらに、引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を第２の方向Ｍ２に拡げる。第２の方向Ｍ２に沿って第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばす方法などが挙げられる。 FIG. 9B is a plan view for explaining a process of extending the second adhesive sheet 20 holding the plurality of semiconductor chips CP along the second direction M2.
In this step, the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is stretched along the second direction M2, and the second pressure-sensitive adhesive layer 22 cured along the first street S1 is broken. Further, the distance between the plurality of semiconductor chips CP is extended in the second direction M2. The method of extending the second adhesive sheet 20 along the second direction M2 is not particularly limited. Examples of the method of stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 include a method of gripping the outer peripheral portion of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 using a gripping member or the like and stretching it along the second direction M2.

図１０（Ａ）には、第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを照射する工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第２のストリートＳ２にて露出する第二の粘着シートの粘着剤層をエネルギー線Ｅの照射により硬化させる。
この工程では、第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを選択的に照射し、第２のストリートＳ２にて露出する第二の粘着シートの粘着剤層を硬化させる。本実施形態では、第２のストリートＳ２に対応する部位に開口部と、それ以外の部位にエネルギー線Ｅを遮断する遮断部とを有する第二のマスク（図示略）を用いることが好ましい。
第二のマスク（図示略）を複数の半導体チップＣＰの上に設置して第２のストリートＳ２へエネルギー線Ｅを照射することが好ましい。エネルギー線Ｅの照射方法等は、特に限定されず、上記第一実施形態のエネルギー線照射工程で説明した方法と同様に実施される。 FIG. 10A shows a plan view for explaining the step of irradiating the second street S2 with the energy beam E. FIG.
In this step, the pressure-sensitive adhesive layer of the second pressure-sensitive adhesive sheet exposed at the second street S2 is cured by irradiation with energy rays E.
In this step, the energy beam E is selectively irradiated to the second street S2, and the pressure-sensitive adhesive layer of the second pressure-sensitive adhesive sheet exposed on the second street S2 is cured. In the present embodiment, it is preferable to use a second mask (not shown) having an opening at a portion corresponding to the second street S2 and a blocking portion that blocks the energy beam E at other portions.
It is preferable that a second mask (not shown) is placed on the plurality of semiconductor chips CP to irradiate the second street S2 with the energy beam E. The irradiation method of the energy beam E is not particularly limited, and is performed in the same manner as the method described in the energy beam irradiation step of the first embodiment.

図１０（Ｂ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばす工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第二の粘着シート２０を第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばして、第２のストリートＳ２に沿って硬化させた第二の粘着剤層２２を破断させる。さらに、引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を第１の方向Ｍ１に拡げる。第１の方向Ｍ１に沿って第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばす方法などが挙げられる。 FIG. 10B shows a plan view for explaining a process of extending the second adhesive sheet 20 holding the plurality of semiconductor chips CP along the first direction M1.
In this step, the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 is stretched along the first direction M1, and the second pressure-sensitive adhesive layer 22 cured along the second street S2 is broken. Further, the distance between the plurality of semiconductor chips CP is extended in the first direction M1. The method for extending the second adhesive sheet 20 along the first direction M1 is not particularly limited. Examples of the method of stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 include a method of gripping the outer peripheral portion of the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 using a gripping member or the like and stretching it along the first direction M1.

本実施形態によれば、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射した後、第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばし、続いて、第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを照射した後、第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばす。このように、第１の方向Ｍ１のエキスパンドと、第２の方向Ｍ２のエキスパンドとで、それぞれエキスパンド工程を分離して実施する。粘着シートの第１の方向および第２の方向の延び特性に応じて、それぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔がより均一に拡張される。
また、本実施形態によれば、第二の粘着シート２０を構成する第二の基材フィルム２１のＭＤ方向に沿って形成された第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射した後、基材フィルムのＣＤ方向に沿って引き延ばし、続いて、基材フィルムのＣＤ方向に沿って形成された第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを照射した後、基材フィルムのＭＤ方向に沿って引き延ばす。このように、エキスパンド工程を第二の基材フィルム２１のＭＤ方向の延び特性、およびＣＤ方向の延び特性に応じてそれぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップ同士の間隔がより一層均一に拡張される。 According to this embodiment, after irradiating the energy beam E to the first street S1, the first street S1 is stretched along the second direction M2, and then the second street S2 is irradiated with the energy beam E, then the first street Is stretched along the direction M1. As described above, the expanding process is separately performed for the expanding in the first direction M1 and the expanding in the second direction M2. Since the expanding process can be performed while adjusting the tensile force in each direction according to the extension characteristics of the pressure-sensitive adhesive sheet in the first direction and the second direction, the interval between the plurality of semiconductor chips CP is more uniformly expanded. The
Moreover, according to this embodiment, after irradiating the energy beam E to the 1st street S1 formed along MD direction of the 2nd base film 21 which comprises the 2nd adhesive sheet 20, a base material The film is stretched along the CD direction of the film. Subsequently, the second street S2 formed along the CD direction of the base film is irradiated with the energy beam E, and then stretched along the MD direction of the base film. As described above, the expanding process can be performed while adjusting the tensile force in each direction according to the extension characteristics in the MD direction of the second base film 21 and the extension characteristics in the CD direction. The distance between the chips is more evenly expanded.

〔実施形態の変形〕
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。 [Modification of Embodiment]
The present invention is not limited to the above-described embodiment. The present invention includes a modification of the above-described embodiment as long as the object of the present invention can be achieved.

例えば、半導体ウエハＷや半導体チップＣＰにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージ１における外部端子電極６との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。   For example, the circuits and the like in the semiconductor wafer W and the semiconductor chip CP are not limited to the illustrated arrangement and shape. The connection structure with the external terminal electrode 6 in the semiconductor package 1 is not limited to the aspect described in the above embodiment.

前記実施形態において、エネルギー線の照射は、第二の粘着シート２０に貼着されている複数の半導体チップＣＰの上から照射することを説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。
例えば、未貼着領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる透過部と、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる遮断部とを有するマスクを、第二の粘着シート２０の複数の半導体チップＣＰが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、エネルギー線Ｅを、このマスクの上から照射してもよい。
具体的には、図１１（Ａ）に示すように、第三のマスク５２を、第二の粘着シート２０の半導体チップＣＰが貼着されている面とは反対の面側に配置する。すなわち、図１１（Ａ）では、第二の基材フィルム２１に対向させて配置する。第三のマスク５２としては、例えば、図１１（Ｂ）に示すような、エネルギー線Ｅを透過させる平板などの基材５２Ａの上に、複数の半導体チップＣＰが貼着されている領域に対応する部位に、エネルギー線Ｅを遮蔽する遮蔽層５２Ｂを形成したものが挙げられる。第三のマスク５２では、遮蔽層５２Ｂが形成されていない領域が透過部５２Ｃとなる。そして、エネルギー線Ｅを第三のマスク５２の上から照射することで、透過部５２Ｃを通過したエネルギー線Ｅが、第二の粘着剤層２２の未貼着領域２２１に到達し、未貼着領域２２１が選択的に硬化される。
また、第三のマスク５２に代えて、第一の方向のみに開口を有する第四のマスクと、第一の方向と直交する第二の方向のみに開口を有する第五のマスクを使用して、エネルギー線を照射してもよい。第四のマスクおよび第五のマスクを用いる場合には、まず、第一の方向に開口が配置されるように第四のマスクを設置し、第四のマスクの上からエネルギー線Ｅを照射する。その後、第四のマスクを取り外し、引き続いて、第二の方向に開口が配置されるように第五のマスクを設置し、第五のマスクの上からエネルギー線Ｅを照射する。このように、第二の粘着剤層２２の未貼着領域２２１を第一の方向と第二の方向とに分けて、２段階で硬化させてもよい。
また、エネルギー線をスポット照射可能なエネルギー線照射装置を用いてもよい。例えば、プローブの先端からエネルギー線を照射可能な装置を用いる場合、当該プローブを硬化させたい領域に沿って走査させながらエネルギー線を照射させることができる。この場合、第１のストリートおよび第２のストリートに対して選択的にエネルギー線を照射させることができるので、マスクを設置する必要がない。
これらの態様では、複数の半導体チップＣＰにエネルギー線Ｅが照射されないため、エネルギー線Ｅの照射によって半導体チップＣＰが受ける影響を抑えることができる。 In the said embodiment, although irradiation of energy rays demonstrated irradiating from the several semiconductor chip CP stuck on the 2nd adhesive sheet 20, this invention is not limited to such an aspect. .
For example, a mask having a transmission part that transmits energy rays to a part corresponding to an unattached region and a blocking part that blocks irradiation of energy rays to a part to which a semiconductor chip is attached is used as a second adhesive. You may arrange | position along the surface on the opposite side to the surface where several semiconductor chip CP of the sheet | seat 20 is stuck, and may irradiate the energy beam E from on this mask.
Specifically, as shown in FIG. 11A, the third mask 52 is disposed on the surface opposite to the surface of the second adhesive sheet 20 to which the semiconductor chip CP is attached. That is, in FIG. 11 (A), it arrange | positions facing the 2nd base film 21. FIG. The third mask 52 corresponds to, for example, a region where a plurality of semiconductor chips CP are adhered on a base material 52A such as a flat plate that transmits energy rays E as shown in FIG. What formed the shielding layer 52B which shields the energy ray E in the site | part to perform is mentioned. In the third mask 52, a region where the shielding layer 52B is not formed becomes the transmission part 52C. Then, by irradiating the energy beam E from above the third mask 52, the energy beam E that has passed through the transmission part 52C reaches the unbonded region 221 of the second pressure-sensitive adhesive layer 22, and is not bonded. Region 221 is selectively cured.
Moreover, it replaces with the 3rd mask 52, and uses the 4th mask which has an opening only in a 1st direction, and the 5th mask which has an opening only in the 2nd direction orthogonal to a 1st direction. The energy beam may be irradiated. In the case of using the fourth mask and the fifth mask, first, the fourth mask is set so that the opening is arranged in the first direction, and the energy beam E is irradiated from above the fourth mask. . Thereafter, the fourth mask is removed, and subsequently, a fifth mask is installed so that the opening is arranged in the second direction, and the energy beam E is irradiated from above the fifth mask. As described above, the non-adhered region 221 of the second pressure-sensitive adhesive layer 22 may be divided into the first direction and the second direction and cured in two stages.
Moreover, you may use the energy ray irradiation apparatus which can carry out spot irradiation of an energy ray. For example, when using an apparatus that can irradiate an energy beam from the tip of the probe, the energy beam can be irradiated while scanning the probe along a region to be cured. In this case, it is possible to selectively irradiate the first street and the second street with the energy beam, so there is no need to install a mask.
In these aspects, since the energy beam E is not irradiated to the plurality of semiconductor chips CP, the influence of the semiconductor chip CP due to the irradiation of the energy beam E can be suppressed.

また、第一の粘着シート１０の第一の粘着剤層１２にも、エネルギー線硬化型粘着剤が配合されていてもよい。第一の粘着シート１０の剥離工程において、第一の粘着剤層１２に第一の基材フィルム１１側からエネルギー線を照射し、第一の粘着剤層１２のエネルギー線硬化型粘着剤を硬化させてから第一の粘着シート１０を剥離することが好ましい。この態様では、エネルギー線硬化型粘着剤を硬化させると、第一の粘着剤層１２の凝集力が高まり、第一の粘着剤層１２と複数の半導体チップＣＰとの間の粘着力を低下または消失させることができるため、第一の粘着シート１０を剥離し易くなる。   In addition, the first pressure-sensitive adhesive layer 12 of the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 may also contain an energy ray curable pressure-sensitive adhesive. In the peeling process of the first pressure-sensitive adhesive sheet 10, the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is irradiated with energy rays from the first base film 11 side to cure the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive of the first pressure-sensitive adhesive layer 12. It is preferable to peel off the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 after it has been made. In this aspect, when the energy ray curable pressure-sensitive adhesive is cured, the cohesive force of the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is increased, and the pressure-sensitive adhesive force between the first pressure-sensitive adhesive layer 12 and the plurality of semiconductor chips CP is reduced or Since it can lose | disappear, it becomes easy to peel the 1st adhesive sheet 10. FIG.

また、上記第二実施形態において、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げた後、マスクを使用して未貼着領域２２１を硬化させてもよい。ダイシングにより生じた複数の半導体チップＣＰ間の間隔に比べて、複数の半導体チップＣＰの間隔が広いため、マスクの位置合わせがし易く、より高い精度で硬化領域２２２を形成できる。   Further, in the second embodiment, after the interval between the plurality of semiconductor chips CP is expanded, the unbonded region 221 may be cured using a mask. Since the intervals between the plurality of semiconductor chips CP are wider than the intervals between the plurality of semiconductor chips CP generated by dicing, the masks can be easily aligned, and the hardened region 222 can be formed with higher accuracy.

本発明は、半導体装置の製造方法として利用できる。   The present invention can be used as a method for manufacturing a semiconductor device.

１０…第一の粘着シート、１１…第一の基材フィルム、１２…第一の粘着剤層、２０…第二の粘着シート、２１…第二の基材フィルム、２２…第二の粘着剤層、３０…封止部材、５２…第三のマスク、Ｅ…エネルギー線、ＣＰ…半導体チップ、Ｗ…半導体ウエハ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st adhesive sheet, 11 ... 1st base film, 12 ... 1st adhesive layer, 20 ... 2nd adhesive sheet, 21 ... 2nd base film, 22 ... 2nd adhesive Layer 30... Sealing member 52. Third mask E E Energy beam CP CP Semiconductor chip W Semiconductor wafer

Claims (7)

第一の粘着シートにウエハを貼着させる工程と、
前記第一の粘着シートに貼着された前記ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、
基材フィルムと、前記基材フィルム上に積層され、エネルギー線硬化型粘着剤が含まれる粘着剤層とを備えた第二の粘着シートの前記粘着剤層に、前記複数の半導体チップを転写する工程と、
前記第一の粘着シートを剥離する工程と、
前記第二の粘着シートにエネルギー線を照射し、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程と、
前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記粘着剤層の前記硬化させた領域を破断させるとともに、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、
半導体装置の製造方法。 Attaching the wafer to the first adhesive sheet;
Dividing the wafer attached to the first pressure-sensitive adhesive sheet into pieces by dicing, and forming a plurality of semiconductor chips;
The plurality of semiconductor chips are transferred to the pressure-sensitive adhesive layer of a second pressure-sensitive adhesive sheet that includes a base film and a pressure-sensitive adhesive layer that is laminated on the base film and includes an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. Process,
Peeling the first pressure-sensitive adhesive sheet;
Irradiating the second pressure-sensitive adhesive sheet with energy rays, and curing the region where the plurality of semiconductor chips of the pressure-sensitive adhesive layer are not attached;
Stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet, breaking the cured region of the pressure-sensitive adhesive layer, and widening the interval between the plurality of semiconductor chips.
A method for manufacturing a semiconductor device. 前記ウエハをダイシングにより個片化し、前記複数の半導体チップを形成した後に、前記第一の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程をさらに備える、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The wafer is further diced by dicing, and after forming the plurality of semiconductor chips, the first pressure-sensitive adhesive sheet is stretched to further increase the interval between the plurality of semiconductor chips.
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記エネルギー線を、前記第二の粘着シートに貼着されている前記複数の半導体チップの上から照射する、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 In the step of curing the region of the adhesive layer where the plurality of semiconductor chips are not attached, the energy rays are irradiated from above the plurality of semiconductor chips attached to the second adhesive sheet. ,
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記複数の半導体チップが貼着されていない領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる透過部と、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる遮断部とを有するマスクを、前記第二の粘着シートの前記複数の半導体チップが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、前記エネルギー線を、前記マスクの上から照射する、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 In the step of curing the region where the plurality of semiconductor chips of the pressure-sensitive adhesive layer are not adhered, a transmissive portion that transmits energy rays to a portion corresponding to the region where the plurality of semiconductor chips are not adhered, and a semiconductor A mask having a blocking portion for blocking irradiation of energy rays to a portion where the chip is bonded, a surface opposite to the surface where the plurality of semiconductor chips of the second adhesive sheet are bonded And irradiating the energy rays from above the mask,
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 前記ウエハのダイシングは、
第１の方向に沿って前記ウエハを切断して第１のストリートを形成する工程と、
前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って前記ウエハを切断して第２のストリートを形成する工程と、を含み、
前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程は、
前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、
前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、を含み、
前記第二の粘着シートを引き延ばして前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程は、
前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばす工程と、
前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばす工程と、を含み、
前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばし、続いて、前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばす、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 The dicing of the wafer is
Cutting the wafer along a first direction to form a first street;
Cutting the wafer along a second direction orthogonal to the first direction to form a second street,
The step of curing the region where the plurality of semiconductor chips of the pressure-sensitive adhesive layer are not attached,
Irradiating the energy beam to the first street;
Irradiating the energy beam to the second street,
The step of stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet to widen the interval between the plurality of semiconductor chips,
Stretching the second adhesive sheet along the second direction;
Stretching the second pressure-sensitive adhesive sheet along the first direction,
After irradiating the energy beam to the first street, the second adhesive sheet is stretched along the second direction, and then the energy beam is irradiated to the second street, Stretching the second adhesive sheet along the first direction;
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 第二の粘着シートは、前記粘着剤層が積層される基材フィルムを有し、
前記第１の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＭＤ方向であり、
前記第２の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＣＤ方向である、
請求項５に記載の半導体装置の製造方法。 The second pressure-sensitive adhesive sheet has a base film on which the pressure-sensitive adhesive layer is laminated,
The first direction is the MD direction of the base film of the second pressure-sensitive adhesive sheet,
The second direction is the CD direction of the base film of the second pressure-sensitive adhesive sheet.
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5. 前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備える、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 After extending the second pressure-sensitive adhesive sheet and expanding the interval between the plurality of semiconductor chips, further comprising a step of covering with a sealing member leaving the circuit surface of the plurality of semiconductor chips,
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.

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