JP6408490B2 - 中性ビームを配向するための方法および装置 - Google Patents
中性ビームを配向するための方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6408490B2 JP6408490B2 JP2015556236A JP2015556236A JP6408490B2 JP 6408490 B2 JP6408490 B2 JP 6408490B2 JP 2015556236 A JP2015556236 A JP 2015556236A JP 2015556236 A JP2015556236 A JP 2015556236A JP 6408490 B2 JP6408490 B2 JP 6408490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas cluster
- neutral
- tilt angle
- gas
- tilt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 title claims description 178
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 152
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 61
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 27
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 203
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 61
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 60
- 238000004980 dosimetry Methods 0.000 description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 6
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004082 amperometric method Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N methamphetamine Chemical compound CN[C@@H](C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
- H05H3/02—Molecular or atomic beam generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0473—Changing particle velocity accelerating
- H01J2237/04735—Changing particle velocity accelerating with electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0812—Ionized cluster beam [ICB] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1502—Mechanical adjustments
- H01J2237/1503—Mechanical scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
- H01J2237/1518—Electrostatic means for X-Y scanning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Description
GCIBがある時間照射(秒)にわたってワークピースを照射するとき、ワークピースが受け取るエネルギー(ジュール)は、ビーム電力と照射時間の積である。そのようなビームの処理の効果は、それがより広い領域を処理するとき、その領域(例えば、cm2)にわたって分散される。イオンビームの場合、照射されたイオン/cm2を単位とする処理ドーズ量を特定することは好都合に従来から行われており、ここでイオンは既知であるか、または加速時において平均荷電状態qを有し、かつ電位差VAccボルトで加速され、従って各イオンがqVAcceV(eVは、約1.6×10−19ジュールである)のエネルギーを有するものと仮定される。従って、VAccによって加速され、かつイオン/cm2で特定される平均荷電状態qのイオンビームドーズ量は、ジュール/cm2で表される、容易に計算されるエネルギードーズ量に相当する。ここで利用されるように加速されたGCIBに由来する加速された中性ビームの場合、加速時のqの値およびVAccの値は、(後に形成され分離される)荷電されたビームの割合分および荷電されていないビームの割合分の両方について同一である。GCIBの2つの(中性のおよび荷電された)割合分における電力は、各ビーム割合分における質量に比例して分けられる。従って、ここで使用される加速された中性ビームの場合には、等しい面積が等しい時間照射された場合における、中性ビームによって堆積されたエネルギードーズ量(ジュール/cm2)は、全GCIBによって堆積されるエネルギードーズ量より必然的に小さくなる。全GCIBにおける電力PGと中性ビームにおける電力PN(通常は全GCIBの電力の約5%〜95%であることがわかっている)と測定する熱センサを用いることによって、中性ビーム処理線量測定において使用するための補償係数を計算することができる。PNがaPGであるとき、その補償係数はk=1/aである。従って、ワークピースを、GCIBに由来する中性ビームを用いて処理する場合には、処理時間については、ドーズ量Dイオン/cm2を達成するために必要とされる全GCIB(荷電ビーム部分および中性のビーム部分を含む)の場合の処理時間よりk倍長い時間とされ、中性ビームと全GCIBの両方によってワークピースに堆積されるエネルギードーズ量は同一となる(但し、2種のビームの粒子サイズの差異に起因する処理の効果における品質の差のために、結果は異なったものとなり得る)。本明細書においては、このように補償される中性ビームプロセスのドーズ量は、ドーズ量Dイオン/cm2に等価なエネルギー/cm2を有するものとして記載されることがある。
Claims (18)
- 初期経路を外囲する出口開口を有するイオンソースで形成された初期経路を有するガスクラスターイオンビームに由来する中性ビームの方向を制御するための装置であって、
(a)前記出口開口から離隔され、かつ前記初期経路を外囲する開口を有する加速電極であって、
前記加速電極は、前記イオンソースの前記出口開口と前記加速電極の開口との間の領域において前記ガスクラスターイオンビームを加速するべく、前記イオンソースに対して電気的にバイアスされ、
更に前記加速電極およびその開口は、前記ガスクラスターイオンビームの前記初期経路に対して第1の傾斜軸に沿って第1の傾斜角で傾斜され、
更に前記加速電極およびその開口は、前記ガスクラスターイオンビームの前記初期経路に対して第2の傾斜軸に沿って第2の傾斜角で傾斜され、
更に前記第1の傾斜角及び前記第2の傾斜角によって、前記ガスクラスターイオンビームが第1の偏向経路に沿って前記初期経路から離れる複合偏向が結果的に生ずる、該加速電極と、
(b)前記偏向されたガスクラスターイオンビームのためのドリフト空間であって、加速されたガスクラスターイオンビームにおけるガスクラスターイオンの解離が生じ、加速された中性粒子が生成される、該ドリフト空間と、
(c)前記加速された中性粒子が中性ビームとして前記偏向されたビーム経路に従うように、前記偏向されたビーム経路からイオンを除去するべく中性粒子からイオンを分離するための手段と、を備えることを特徴とする装置。 - 前記第1の傾斜角は、90度未満であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1の傾斜角は、70度超であることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記第1の傾斜角は制御可能に可変であって、前記ガスクラスターイオンビームに結果的に生ずる偏向が可変であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第2の傾斜角は、90度未満で、かつ70度超であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記偏向が、中性ビーム位置整合またはセンタリング効果を提供することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第2の傾斜角は制御可能に可変であって、前記ガスクラスターイオンビームの結果的に生ずる偏向が可変であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1の傾斜角および前記第2の傾斜角は各々が制御可能に可変であって、前記第1の傾斜軸と前記第2の傾斜軸とは異なることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- ラスター走査される中性ビームを生成するべく、前記第1の傾斜角および前記第2の傾斜角は各々が制御するための手段を更に備えることを特徴とする請求項8に記載の装置。
- 初期経路を外囲する出口開口を有するイオンソースで形成された初期経路を有するガスクラスターイオンビームに由来する中性ビームの偏向を生成するための方法であって、
(a)前記出口開口から離隔され、かつ前記初期経路を外囲する開口を有する加速電極を設けるステップと、
(b)前記イオンソースの前記出口開口と前記加速電極の開口との間の領域において前記ガスクラスターイオンビームを加速するべく、前記加速電極を前記イオンソースに対して電気的にバイアスするステップと、
(c)前記加速電極およびその開口を、前記ガスクラスターイオンビームの前記初期経路に対して第1の傾斜軸に沿って第1の傾斜角で傾斜させる第1の傾斜ステップであって、前記ガスクラスターイオンビームを第1の偏向経路に沿って前記初期経路から離れるように偏向させる、該第1の傾斜ステップと、
(d)前記加速電極およびその開口を、前記ガスクラスターイオンビームの前記初期経路に対して第2の傾斜軸に沿って第2の傾斜角で傾斜させる第2の傾斜ステップであって、複合偏向である結果的に生ずる偏向を生成する、該第2の傾斜ステップと、
(e)前記偏向されたガスクラスターイオンビームのためのドリフト空間であって、加速されたガスクラスターイオンビームにおけるガスクラスターイオンの解離が生じ、加速された中性粒子が生成される、該ドリフト空間を提供するステップと、
(f)前記加速された中性粒子が中性ビームとして前記偏向されたビーム経路に従うように、前記偏向されたビーム経路からイオンを除去するべく中性粒子からイオンを分離するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記第1の傾斜角は、90度未満で、かつ70度超であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記第1の傾斜角は、制御可能に可変であって、前記ガスクラスターイオンビームに結果的に生ずる偏向が可変であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記第2の傾斜角は、前記初期経路に対して90度未満で、かつ70度超であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記偏向が、前記中性ビームを位置整合させるか、またはセンタリングさせることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記第2の傾斜角は制御可能に可変であって、前記ガスクラスターイオンビームの結果的に生ずる偏向が可変であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記第1の傾斜角および前記第2の傾斜角は各々が制御可能に可変であって、前記第1の傾斜軸と前記第2の傾斜軸とは異なることを特徴とする請求項10に記載の方法。
前記第1の傾斜軸と前記第2の傾斜軸とは相互に、および前記初期経路に対して直交し得る。 - 走査される中性ビームを生成するべく、前記第1の傾斜角または前記第2の傾斜角を可変的に制御するステップを更に含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 二次元に走査される中性ビームを生成するべく、前記第1の傾斜角および前記第2の傾斜角を可変的に制御するステップを更に含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361760238P | 2013-02-04 | 2013-02-04 | |
US61/760,238 | 2013-02-04 | ||
PCT/US2014/014720 WO2014121285A2 (en) | 2013-02-04 | 2014-02-04 | Method and apparatus for directing a neutral beam |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016507133A JP2016507133A (ja) | 2016-03-07 |
JP6408490B2 true JP6408490B2 (ja) | 2018-10-17 |
Family
ID=51263133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015556236A Active JP6408490B2 (ja) | 2013-02-04 | 2014-02-04 | 中性ビームを配向するための方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20150366044A1 (ja) |
EP (1) | EP2952070B1 (ja) |
JP (1) | JP6408490B2 (ja) |
HK (1) | HK1218828A1 (ja) |
RU (1) | RU2653581C2 (ja) |
WO (1) | WO2014121285A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103180030B (zh) | 2010-08-23 | 2017-04-12 | 艾克索乔纳斯公司 | 基于气体团簇离子束技术的中性射束处理方法和设备 |
US10181402B2 (en) * | 2010-08-23 | 2019-01-15 | Exogenesis Corporation | Method and apparatus for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology and articles produced thereby |
US10825685B2 (en) | 2010-08-23 | 2020-11-03 | Exogenesis Corporation | Method for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology and articles produced thereby |
US9540725B2 (en) * | 2014-05-14 | 2017-01-10 | Tel Epion Inc. | Method and apparatus for beam deflection in a gas cluster ion beam system |
US9685298B1 (en) * | 2016-02-01 | 2017-06-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for contamination control in ion beam apparatus |
CA3208941A1 (en) * | 2021-01-22 | 2022-07-28 | Exogenesis Corporation | Accelerated neutral atom beam (anab) modified polypropylene for reducing bacteria colonization without antibiotics |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL278803A (ja) * | 1961-05-25 | |||
US3588230A (en) * | 1969-01-13 | 1971-06-28 | Us Navy | Adjustable lens mount |
JPS5719946A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Hitachi Ltd | Ion take-out section for ion injector |
DE3235068A1 (de) * | 1982-09-22 | 1984-03-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Varioformstrahl-ablenkobjektiv fuer neutralteilchen und verfahren zu seinem betrieb |
US4775789A (en) * | 1986-03-19 | 1988-10-04 | Albridge Jr Royal G | Method and apparatus for producing neutral atomic and molecular beams |
JPS6412453A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | Ion implanter |
US4935623A (en) * | 1989-06-08 | 1990-06-19 | Hughes Aircraft Company | Production of energetic atom beams |
JPH08184698A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Ebara Corp | 高速原子線装置 |
US5693939A (en) * | 1996-07-03 | 1997-12-02 | Purser; Kenneth H. | MeV neutral beam ion implanter |
JPH11185647A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Nec Corp | イオン源装置 |
US6441382B1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Deceleration electrode configuration for ultra-low energy ion implanter |
JP2003521812A (ja) * | 1999-12-06 | 2003-07-15 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビーム・スムーザー装置 |
JP3727050B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2005-12-14 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置及びそのイオンソース系の調節方法。 |
WO2004068148A2 (en) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Epion Corporation | Method of and apparatus for measurement and control of a gas cluster ion beam |
JP5100963B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-12-19 | 株式会社Sen | ビーム照射装置 |
US7825389B2 (en) * | 2007-12-04 | 2010-11-02 | Tel Epion Inc. | Method and apparatus for controlling a gas cluster ion beam formed from a gas mixture |
RU2362277C1 (ru) * | 2008-02-14 | 2009-07-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ генерации нейтронных импульсов |
US7994488B2 (en) * | 2008-04-24 | 2011-08-09 | Axcelis Technologies, Inc. | Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation |
EP2567012B1 (en) * | 2010-05-05 | 2015-12-16 | Exogenesis Corporation | Methods for improving the bioactivity characteristics of a surface and objects with surfaces improved thereby |
US8481960B2 (en) * | 2010-06-28 | 2013-07-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Deceleration lens |
CN103180030B (zh) * | 2010-08-23 | 2017-04-12 | 艾克索乔纳斯公司 | 基于气体团簇离子束技术的中性射束处理方法和设备 |
-
2014
- 2014-02-04 US US14/763,989 patent/US20150366044A1/en not_active Abandoned
- 2014-02-04 WO PCT/US2014/014720 patent/WO2014121285A2/en active Application Filing
- 2014-02-04 JP JP2015556236A patent/JP6408490B2/ja active Active
- 2014-02-04 EP EP14745537.2A patent/EP2952070B1/en active Active
- 2014-02-04 RU RU2015137676A patent/RU2653581C2/ru active
-
2016
- 2016-06-10 HK HK16106680.4A patent/HK1218828A1/zh unknown
-
2019
- 2019-09-19 US US16/576,458 patent/US20200022247A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2952070B1 (en) | 2018-05-30 |
RU2653581C2 (ru) | 2018-05-15 |
JP2016507133A (ja) | 2016-03-07 |
EP2952070A4 (en) | 2016-10-12 |
HK1218828A1 (zh) | 2017-03-10 |
EP2952070A2 (en) | 2015-12-09 |
US20200022247A1 (en) | 2020-01-16 |
RU2015137676A (ru) | 2017-03-10 |
US20150366044A1 (en) | 2015-12-17 |
WO2014121285A2 (en) | 2014-08-07 |
WO2014121285A3 (en) | 2015-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6408490B2 (ja) | 中性ビームを配向するための方法および装置 | |
US10209617B2 (en) | Treatment method for defect reduction in a substrate and substrates treated thereby | |
KR101603196B1 (ko) | 조정가능한 통공을 구비한 이온 소스 | |
JP6752490B2 (ja) | 基板処理方法における欠陥削減 | |
JP2008518407A (ja) | ガスクラスターイオンビーム形成のためのイオナイザおよび方法 | |
JP2004527875A (ja) | ガスクラスターイオンビームのための充電制御および線量測定システム | |
US10627352B2 (en) | Methods and apparatus for employing an accelerated neutral beam for improved surface analysis | |
KR102542804B1 (ko) | 가스 클러스터 이온빔 기술에 기반한 중성빔 처리 방법 및 이에 의해 제조되는 물품 | |
US9117628B2 (en) | Diagnostic method and apparatus for characterization of a neutral beam and for process control therewith | |
WO2015175934A1 (en) | Deposition and patterning using emitted electrons | |
US20200387065A1 (en) | Film and methods of forming same | |
US20240018003A1 (en) | Using anab technology to remove production processing residuals from graphene |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171031 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180125 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180828 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6408490 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |