JP6400281B2 - 複数の発光構造を有する発光素子 - Google Patents
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Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1]米国意匠登録第681570号明細書
10 発光装置
11、13 電極
12 サブマウント
120 回路
14 はんだ
16 電気接続構造
2、2’、3、3’、4、4’、5、5’、6 発光素子
20 基板
200 パターン化上面
21 第1の電極
21A 第1のワイヤボンディング領域
21B 第1の延在部
22 発光スタック
220 第1の半導体層
221 第1の上面
222 活性層
223 第1の側辺
224 第2の半導体層
225 第2の側辺
23 第2の電極
23A 第2のワイヤボンディング領域
23B 第2の延在部
24 透明導電層
25、41、50、60 第1の溝
27、43、62 第2の溝
30、40、54 第1のブリッジ接続部
31、45、52 第3の溝
32 電気絶縁部
33 第4の溝
42 第2のブリッジ接続部
431 第1の領域
432 第2の領域
451 第3の領域
452 第4の領域
47、64 露出部
51 第1の接続線
53 第2の接続線
7 電球
71 ランプカバー
73 マウント
74 照明モジュール
75 ランプソケット
76 放熱溝
77 連結部
78 電気連結器
Claims (10)
- 第1の半導体層と、
連続的な前記第1の半導体層の上に位置する第1の発光構造及び第2の発光構造と、
前記第1の半導体層の上に位置し、且つ前記第1の半導体層に接続されている第1の電極と、
前記第1の発光構造の上に位置する第2の電極と、
前記第1の発光構造と前記第2の発光構造との間に位置し、前記第1の半導体層の上面を露出させる第1の溝と、
前記第1の溝内に位置し、且つ前記第1の発光構造と前記第2の発光構造とを接続させる第1のブリッジ接続部と、を含み、
前記第1の電極は前記第1の溝内に位置しておらず、
前記第2の電極は前記第1のブリッジ接続部の上に位置し、
前記第1の溝は、上から見ると、固定幅の溝幅を有する、発光素子。 - 前記第1の溝は、前記第1の発光構造と前記第2の発光構造とを空間上で区切る、請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1の発光構造及び前記第2の発光構造それぞれは、
前記第1の半導体層の上に位置する活性層と、
前記活性層の上に位置する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に位置する透明導電層と、を含む、請求項1に記載の発光素子。 - 前記第2の半導体層は側辺を含み、前記側辺と前記第1の電極との距離は約60μm〜100μmである、請求項3に記載の発光素子。
- 前記第1の電極は、第1のワイヤボンディング部を含み、
前記第2の電極は、第2のワイヤボンディング部を含み、
前記第2の半導体層は、第1の側辺と、該第1の側辺から離れた第2の側辺とを含み、
前記第1のワイヤボンディング部は前記第1の側辺に近接し、前記第2のワイヤボンディング部は前記第2の側辺に近接する、請求項3に記載の発光素子。 - 前記第1のワイヤボンディング部と前記第1の側辺との間は間隔を含み、該間隔は前記第1のワイヤボンディング部のサイズである、請求項5に記載の発光素子。
- 前記第1のブリッジ接続部は電気絶縁材料を含む、請求項1に記載の発光素子。
- 第1の半導体層と、
連続的な前記第1の半導体層の上に位置する第1の発光構造及び第2の発光構造であって、前記第1の発光構造と前記第2の発光構造とは第1のブリッジ接続部を介して接続され、前記第1の発光構造及び前記第2の発光構造それぞれは複数の発光領域を含む、第1の発光構造及び第2の発光構造と、
前記第1の発光構造と前記第2の発光構造との間に位置し、前記第1の半導体層の上面を露出させる第1の溝と、
前記第1の溝と平行せず、前記第1の半導体層を露出させ、前記複数の発光領域の間に位置し、且つ第1の領域及び第2の領域を含む第2の溝と、
前記第1の領域と前記第2の領域との間に位置し、前記複数の発光領域を接続させる第2のブリッジ接続部と、
前記第1の溝内に位置する第1の電極と、
ワイヤボンディング部と、該ワイヤボンディング部から延在する複数の延在部とを含む第2の電極であって、前記複数の延在部のうち1つが前記第2のブリッジ接続部の上に位置する、第2の電極と、を含む、発光素子。 - 前記ワイヤボンディング部は、前記第1のブリッジ接続部の上に位置する、請求項8に記載の発光素子。
- 前記第1の溝と平行せず、第3の領域及び第4の領域を含む第3の溝をさらに含み、
前記第2のブリッジ接続部は、前記第3の領域と前記第4の領域との間に位置する、請求項8に記載の発光素子。
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