JP6390052B2 - Quantum well structure and semiconductor device - Google Patents
Quantum well structure and semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6390052B2 JP6390052B2 JP2014176651A JP2014176651A JP6390052B2 JP 6390052 B2 JP6390052 B2 JP 6390052B2 JP 2014176651 A JP2014176651 A JP 2014176651A JP 2014176651 A JP2014176651 A JP 2014176651A JP 6390052 B2 JP6390052 B2 JP 6390052B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- quantum well
- substrate
- well structure
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、量子井戸構造およびその量子井戸構造を含む半導体装置に関する。 The present invention relates to a quantum well structure and a semiconductor device including the quantum well structure.
量子井戸（ＱＷ）を用いた光・電子デバイスの開発は非常に活発であり、従来から、量子井戸構造について、種々検討がなされている。
特許文献１には、基板結晶面上に原子層単位で酸化物をエピタキシー積層成長してなる酸化物人口超格子薄膜が記載されている。
特許文献２には、ノンドープのＺｎＯ層と、ｐ型にドーピングされたＺｎＴｅ層との量子井戸構造が記載されている。
特許文献３には、亜鉛酸化物または亜鉛酸化物混晶薄膜を量子井戸とする構造が記載されている。
特許文献４には、β−Ｇａ２Ｏ３基板上にＡｌＮバッファ層を介して形成されたＧａＮとＩｎＧａＮとの量子井戸構造が記載されている。
特許文献５には、ＩｎＧａＡｓＰ井戸層とＩｎＧａＰＳｂ障壁層からなる量子井戸を含む半導体レーザが記載されている。
The development of optical / electronic devices using quantum wells (QW) is very active, and various studies have been made on quantum well structures.
Patent Document 1 describes an oxide artificial superlattice thin film obtained by epitaxially growing an oxide in atomic layer units on a substrate crystal plane.
Patent Document 2 describes a quantum well structure of a non-doped ZnO layer and a p-type doped ZnTe layer.
Patent Document 3 describes a structure using a zinc oxide or zinc oxide mixed crystal thin film as a quantum well.
Patent Document 4 describes a quantum well structure of GaN and InGaN formed on a β-Ga 2 O 3 substrate via an AlN buffer layer.
Patent Document 5 describes a semiconductor laser including a quantum well composed of an InGaAsP well layer and an InGaPSb barrier layer.
しかしながら、量子井戸を作製するに当たって、原子層レベルで成膜を制御する必要があり、堆積した原子のマイグレーションがとても重要であるため、どうしても基板温度を高温（＞５００℃）にする必要があった。一方、ガラスなどの汎用機材にＱＷを作製する為には、より低温での成膜を試みなければならない。そこで、ビスマス等の界面活性剤を利用（サーファクタント効果）して、作製温度の低温化（４００℃程度）が試みられているが、まだまだ満足のいくものではなかった。 However, when fabricating quantum wells, it is necessary to control the film formation at the atomic layer level, and migration of the deposited atoms is very important, so the substrate temperature has to be increased to a high temperature (> 500 ° C.). . On the other hand, in order to produce QW on general-purpose equipment such as glass, it is necessary to try film formation at a lower temperature. Thus, attempts have been made to lower the production temperature (about 400 ° C.) by using a surfactant such as bismuth (surfactant effect), but this has not been satisfactory.
ところで、高耐圧、低損失および高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、バンドギャップの大きな酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を用いた半導体装置が注目されており、インバータなどの電力用半導体装置への適用が期待されている。当該酸化ガリウムは、非特許文献１によれば、インジウムやアルミニウムをそれぞれ、あるいは組み合わせて混晶とすることにより、バンドギャップを制御することが可能であり、中でも、ＩｎＸ’ＡｌＹ’ＧａＺ’Ｏ３（０≦Ｘ’≦２、０≦Ｙ’≦２、０≦Ｚ’≦２、Ｘ’＋Ｙ’＋Ｚ’＝１．５〜２．５）で表されるＩｎＡｌＧａＯ系半導体は、極めて魅力的な材料である。
しかしながら、ＩｎＡｌＧａＯ系半導体は、酸化インジウムや酸化ガリウムは低温成膜しなければコランダム構造を有する結晶を成長することができない。しかし、一方で、量子井戸を作製には原子のマイグレーション促進のための、高温成長（＞５００℃）が求められるという、トレードオフが存在したことが、ポテンシャルの高いコランダム構造を有するＩｎＡｌＧａＯ系の量子井戸構造の実現を阻害していたため、作成自体が困難であり、その製法の確立が待ち望まれていた。
By the way, a semiconductor device using gallium oxide (Ga 2 O 3 ) having a large band gap is attracting attention as a next-generation switching element capable of realizing high breakdown voltage, low loss, and high heat resistance, and a power semiconductor device such as an inverter. Application to is expected. According to Non-Patent Document 1, the gallium oxide can control the band gap by using mixed crystals of indium and aluminum, respectively. In particular, In X ′ Al Y ′ Ga Z An InAlGaO-based semiconductor represented by ' O 3 (0 ≦ X ′ ≦ 2, 0 ≦ Y ′ ≦ 2, 0 ≦ Z ′ ≦ 2, X ′ + Y ′ + Z ′ = 1.5 to 2.5) is extremely It is an attractive material.
However, an InAlGaO-based semiconductor cannot grow a crystal having a corundum structure unless indium oxide or gallium oxide is formed at a low temperature. On the other hand, however, the existence of a trade-off that high temperature growth (> 500 ° C.) is required to promote atomic migration in the fabrication of quantum wells is the reason that InAlGaO-based quantum having a high-potential corundum structure. Since the realization of the well structure was hindered, the production itself was difficult, and the establishment of the production method was awaited.
本発明は、ポテンシャルの高いコランダム構造を有する酸化物からなる量子井戸構造を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the quantum well structure which consists of an oxide which has a corundum structure with high potential.
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、ミストＣＶＤ法を用いることにより、低温で、ワイドバンドギャップであり、パワーデバイス、光デバイスとしてポテンシャルの高い、コランダム構造を有する酸化物からなる量子井戸構造を作製できることを知見し、上記した従来の問題を一挙に解決できることを見出した。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて、本発明を完成させるに至った。
As a result of diligent studies to achieve the above object, the present inventors have used a mist CVD method to produce an oxide having a corundum structure with a low temperature, a wide band gap, and a high potential as a power device or an optical device. It was found that a quantum well structure composed of the above could be produced, and found that the conventional problems described above could be solved at once.
Moreover, after obtaining the said knowledge, the present inventors repeated investigation further, and came to complete this invention.
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］ 第１の層と、第１の層とは異なる材料を主成分とする第２の層とが、少なくとも１層ずつ交互に積層されている量子井戸構造であって、
第１の層の主成分が、コランダム構造を有する酸化物であり、
第２の層の主成分が、コランダム構造を有する材料であることを特徴とする量子井戸構造。
［２］ 酸化物が半導体である前記［１］記載の量子井戸構造。
［３］ 前記酸化物半導体が、ガリウム、鉄、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる１種または２種以上の金属を含む前記［１］または［２］に記載の量子井戸構造。
［４］ 前記材料が、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケルまたはコバルトを含む前記［１］〜［３］のいずれかに記載の量子井戸構造。
［５］ 第１の層および第２の層の厚さが、それぞれ２０ｎｍ以下である前記［１］〜［４］のいずれかに記載の量子井戸構造。
［６］ 第１の層と第２層とが、少なくとも２層ずつ積層されている前記［１］〜［５］のいずれかに記載の量子井戸構造。
［７］ コランダム構造を有する基板材料を主成分とする下地基板上に、ミストを用いて結晶成長されてなる前記［１］〜［６］のいずれかに記載の量子井戸構造。
［８］ 前記［１］〜［７］のいずれかに記載の量子井戸構造を含むことを特徴とする半導体装置。
［９］ 半導体レーザ、ダイオードまたはトランジスタである前記［８］記載の半導体装置。
That is, the present invention relates to the following inventions.
[1] A quantum well structure in which a first layer and a second layer mainly composed of a material different from the first layer are alternately stacked at least one layer,
The main component of the first layer is an oxide having a corundum structure,
A quantum well structure characterized in that the main component of the second layer is a material having a corundum structure.
[2] The quantum well structure according to [1], wherein the oxide is a semiconductor.
[3] The quantum well structure according to [1] or [2], wherein the oxide semiconductor includes one or more metals selected from gallium, iron, indium, and aluminum.
[4] The quantum well structure according to any one of [1] to [3], wherein the material includes gallium, iron, indium, aluminum, vanadium, titanium, chromium, rhodium, nickel, or cobalt.
[5] The quantum well structure according to any one of [1] to [4], wherein each of the first layer and the second layer has a thickness of 20 nm or less.
[6] The quantum well structure according to any one of the above [1] to [5], wherein the first layer and the second layer are laminated at least two layers.
[7] The quantum well structure according to any one of [1] to [6], wherein a crystal is grown using a mist on a base substrate containing a substrate material having a corundum structure as a main component.
[8] A semiconductor device including the quantum well structure according to any one of [1] to [7].
[9] The semiconductor device according to [8], which is a semiconductor laser, a diode, or a transistor.
本発明によれば、ポテンシャルの高いコランダム構造を有する酸化物からなる量子井戸構造を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the quantum well structure which consists of an oxide which has a corundum structure with high potential can be provided.
本発明の量子井戸構造は、第１の層と、第１の層とは異なる材料を主成分とする第２の層とが、少なくとも１層ずつ交互に積層されている量子井戸構造であって、第１の層の主成分が、コランダム構造を有する酸化物であり、第２の層の主成分が、コランダム構造を有する材料であることを特徴とする。 The quantum well structure of the present invention is a quantum well structure in which a first layer and a second layer mainly composed of a material different from that of the first layer are alternately stacked one by one. The main component of the first layer is an oxide having a corundum structure, and the main component of the second layer is a material having a corundum structure.
（第１の層）
第１の層は、半導体であっても絶縁体等であってもよいが、半導体を主成分とする層であるのが好ましく、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含んでいるのがより好ましい。なお、「主成分」とは、前記のコランダム構造を有する酸化物半導体が、原子比で、第１の層の全成分に対し、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、更に好ましくは９０％以上含まれることを意味し、１００％であってもよいことを意味する。
(First layer)
The first layer may be a semiconductor or an insulator, but is preferably a layer containing a semiconductor as a main component, and preferably contains an oxide semiconductor having a corundum structure as a main component. More preferred. Note that the “main component” means that the oxide semiconductor having the corundum structure has an atomic ratio of preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and still more preferably with respect to all components of the first layer. It means that 90% or more is included, and that it may be 100%.
前記酸化物半導体は、コランダム構造を有していれば特に限定されないが、本発明においては、ガリウム、鉄、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる１種または２種以上の金属を含むのが好ましく、ガリウムまたは鉄を含むのがより好ましい。
また、本発明においては、前記酸化物半導体が、α型ＩｎＸＡｌＹＧａＺＯ３（０≦Ｘ≦２、０≦Ｙ≦２、０≦Ｚ≦２、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．５〜２．５であり、０＜Ｘ又は０＜Ｚである。）であるのが好ましい。前記酸化物半導体がα型ＩｎＸＡｌＹＧａＺＯ３である場合の好ましい組成は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されないが、前記結晶性半導体膜に含まれる金属元素中のガリウム、インジウムおよびアルミニウムの合計の原子比が０．５以上であることが好ましく、０．８以上であることがより好ましい。また、前記酸化物半導体がガリウムを含む場合の好ましい組成は、前記結晶性半導体膜に含まれる金属元素中のガリウムの原子比が０．５以上であることが好ましく、０．８以上であるのがより好ましい。
The oxide semiconductor is not particularly limited as long as it has a corundum structure. In the present invention, the oxide semiconductor preferably contains one or more metals selected from gallium, iron, indium, and aluminum. More preferably, iron is included.
In the present invention, the oxide semiconductor may be α-type In X Al Y Ga Z O 3 (0 ≦ X ≦ 2, 0 ≦ Y ≦ 2, 0 ≦ Z ≦ 2, X + Y + Z = 1.5 to 2. 5 and 0 <X or 0 <Z.). A preferable composition in the case where the oxide semiconductor is α-type In X Al Y Ga Z O 3 is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but gallium in the metal element contained in the crystalline semiconductor film The total atomic ratio of indium and aluminum is preferably 0.5 or more, and more preferably 0.8 or more. In addition, a preferable composition in the case where the oxide semiconductor includes gallium is such that the atomic ratio of gallium in the metal element included in the crystalline semiconductor film is preferably 0.5 or more, and is 0.8 or more. Is more preferable.
（第２の層）
第２の層は、第１の層とは異なる材料を主成分とする層であり、コランダム構造を有する材料を主成分として含んでさえいれば特に限定されない。ここで、「第１の層とは異なる材料」とは、第１の層と異なる組成または組成比を有していることを意味し、たとえ、第１の主成分と同じ成分で構成されていても組成比が異なれば、前記の第１の層とは異なる材料に含まれるものとする。なお、「主成分」とは、前記のコランダム構造を有する材料が、原子比で、第２の層の全成分に対し、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、更に好ましくは９０％以上含まれることを意味し、１００％であってもよいことを意味する。
(Second layer)
The second layer is a layer mainly composed of a material different from that of the first layer, and is not particularly limited as long as it contains a material having a corundum structure as a main component. Here, the “material different from the first layer” means that it has a composition or composition ratio different from that of the first layer, and is composed of the same component as the first main component. However, if the composition ratio is different, it is included in a material different from that of the first layer. The “main component” means that the material having the corundum structure is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and still more preferably 90%, in terms of atomic ratio, with respect to all components of the second layer. This means that it is included, and it may be 100%.
第２の層におけるコランダム構造を有する材料としては、コランダム構造を有してさえいれば特に限定されないが、例えば、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケルまたはコバルトを含むコランダム構造を有する化合物などが挙げられる。本発明においては、前記材料が、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケルまたはコバルトを含む酸化物であるのが好ましく、半導体酸化物であるのがより好ましく、ガリウム、鉄、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる１種または２種以上の半導体酸化物であるのが最も好ましい。なお、前記酸化物としては、より具体的には例えば、α−Ｇａ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、α−Ｉｎ２Ｏ３、α−Ａｌ２Ｏ３、α−Ｖ２Ｏ３、α−Ｔｉ２Ｏ３、α−Ｃｒ２Ｏ３、α−Ｒｈ２Ｏ３、α−Ｎｉ２Ｏ３、α−Ｃｏ２Ｏ３などが挙げられる。 The material having a corundum structure in the second layer is not particularly limited as long as it has a corundum structure, and includes, for example, gallium, iron, indium, aluminum, vanadium, titanium, chromium, rhodium, nickel, or cobalt. Examples thereof include compounds having a corundum structure. In the present invention, the material is preferably an oxide containing gallium, iron, indium, aluminum, vanadium, titanium, chromium, rhodium, nickel or cobalt, more preferably a semiconductor oxide, gallium, Most preferred is one or more semiconductor oxides selected from iron, indium and aluminum. More specifically, examples of the oxide include α-Ga 2 O 3 , α-Fe 2 O 3 , α-In 2 O 3 , α-Al 2 O 3 , α-V 2 O 3 , Examples include α-Ti 2 O 3 , α-Cr 2 O 3 , α-Rh 2 O 3 , α-Ni 2 O 3 , α-Co 2 O 3 and the like.
前記第１の層または第２の層には、ドーパントが含まれていてもよい。前記ドーパントは、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されない。前記ドーパントとしては、例えば、スズ、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブ等のｎ型ドーパント、またはｐ型ドーパントなどが挙げられる。ドーパントの濃度は、通常、約１×１０１６／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３であってもよいし、また、ドーパントの濃度を例えば約１×１０１７／ｃｍ３以下の低濃度にしてもよい。また、さらに、本発明によれば、ドーパントを約１×１０２０／ｃｍ３以上の高濃度で含有させてもよい。
前記第１の層および第２の層は、ノンドープ、ｎ型またはｐ型の活性層として好適に用いることができる。
The first layer or the second layer may contain a dopant. The dopant is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. Examples of the dopant include n-type dopants such as tin, germanium, silicon, titanium, zirconium, vanadium or niobium, or p-type dopants. The concentration of the dopant may usually be about 1 × 10 16 / cm 3 to 1 × 10 22 / cm 3 , and the concentration of the dopant is set to a low concentration of about 1 × 10 17 / cm 3 or less, for example. May be. Furthermore, according to the present invention, the dopant may be contained at a high concentration of about 1 × 10 20 / cm 3 or more.
The first layer and the second layer can be suitably used as an undoped, n-type or p-type active layer.
本発明の量子井戸構造は、第１の層と、第１の層とは異なる材料を主成分とする第２の層とが、少なくとも１層ずつ交互に積層されていれば特に限定されない。本発明においては、第１の層と第２層とが、少なくとも２層ずつ積層されているのが好ましく、３層ずつ積層されているのがより好ましく、５層ずつ積層されているのが最も好ましい。
また、前記量子井戸構造は、通常、基体上に第１の層と第２の層とを少なくとも１層ずつ積層することにより設けられるが、本発明においては、基体上に、ミストを用いて結晶成長させるのが好ましい。
The quantum well structure of the present invention is not particularly limited as long as the first layer and the second layer whose main component is a material different from the first layer are alternately stacked one by one. In the present invention, the first layer and the second layer are preferably laminated at least 2 layers, more preferably 3 layers, and most preferably 5 layers. preferable.
In addition, the quantum well structure is usually provided by laminating at least one first layer and second layer on a substrate. In the present invention, a crystal is formed on the substrate using mist. It is preferably grown.
（基体）
前記基体は、量子井戸構造を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されないが、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、より好ましくは５０〜８００μｍである。
(Substrate)
The substrate is not particularly limited as long as it can support a quantum well structure. The material of the substrate is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, and may be a known substrate, an organic compound, or an inorganic compound. Examples of the shape of the substrate include plate shapes such as flat plates and disks, fiber shapes, rod shapes, columnar shapes, prismatic shapes, cylindrical shapes, spiral shapes, spherical shapes, ring shapes, and the like. A substrate is preferred. Although the thickness of a board | substrate is not specifically limited in this invention, Preferably, it is 10-2000 micrometers, More preferably, it is 50-800 micrometers.
前記基板は、板状であって、量子井戸構造の支持体となるものであれば特に限定されない。絶縁体基板であってもよいし、半導体基板であってもよいし、導電性基板であってもよいが、前記基板が、絶縁体基板であるのが好ましく、また、表面に金属膜を有する基板であるのも好ましい。前記基板としては、例えば、コランダム構造を有する基板材料を主成分として含む下地基板、またはβ−ガリア構造を有する基板材料を主成分として含む下地基板、六方晶構造を有する基板材料を主成分として含む下地基板などが挙げられる。ここで、「主成分」とは、前記特定の結晶構造を有する基板材料が、原子比で、基板材料の全成分に対し、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、更に好ましくは９０％以上含まれることを意味し、１００％であってもよいことを意味する。 The substrate is not particularly limited as long as it has a plate shape and serves as a support for a quantum well structure. The substrate may be an insulator substrate, a semiconductor substrate, or a conductive substrate, but the substrate is preferably an insulator substrate, and has a metal film on the surface. A substrate is also preferred. Examples of the substrate include a base substrate containing a substrate material having a corundum structure as a main component, a base substrate containing a substrate material having a β-gallia structure as a main component, and a substrate material having a hexagonal crystal structure as a main component. Examples thereof include a base substrate. Here, the “main component” means that the substrate material having the specific crystal structure is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and still more preferably 90% by atomic ratio with respect to all components of the substrate material. % Or more, meaning that it may be 100%.
基板材料は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知のものであってよい。前記のコランダム構造を有する基板材料としては、例えば、前記のコランダム構造を有する材料として例示したものと同じものなどが挙げられるが、本発明においては、α−Ａｌ２Ｏ３またはα−Ｇａ２Ｏ３が好ましい。そして、コランダム構造を有する基板材料を主成分とする下地基板としては、サファイア基板（好ましくはｃ面サファイア基板）や、α型酸化ガリウム基板などが好適な例として挙げられる。β−ガリア構造を有する基板材料を主成分とする下地基板としては、例えばβ−Ｇａ２Ｏ３基板、又はＧａ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３とを含みＡｌ２Ｏ３が０ｗｔ％より多くかつ６０ｗｔ％以下である混晶体基板などが挙げられる。また、六方晶構造を有する基板材料を主成分とする下地基板としては、例えば、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板、ＧａＮ基板などが挙げられる。なお、六方晶構造を有する基板材料を主成分とする下地基板上には、直接または別の層（例：緩衝層）を介して、各層を積層してもよい。
本発明においては、前記基体が、表面の一部または全部にコランダム構造を有する下地基板であるのが好ましく、表面の一部または全部に金属膜などを有していてもよいサファイア基板またはα型酸化ガリウム基板であるのがより好ましく、表面の一部または全部に金属膜などを有していてもよいｃ面サファイア基板であるのが最も好ましい。また、本発明においては、前記下地基板が、表面の半分以上がコランダム構造を有するのが好ましい。
The substrate material is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, and may be a known material. Examples of the substrate material having the corundum structure include the same materials as those exemplified as the material having the corundum structure. In the present invention, α-Al 2 O 3 or α-Ga 2 O is used. 3 is preferred. As a base substrate mainly composed of a substrate material having a corundum structure, a sapphire substrate (preferably a c-plane sapphire substrate), an α-type gallium oxide substrate, or the like is given as a suitable example. As a base substrate mainly composed of a substrate material having a β-gallia structure, for example, a β-Ga 2 O 3 substrate, or a Ga 2 O 3 and Al 2 O 3 containing Al 2 O 3 content of more than 0 wt% Examples thereof include a mixed crystal substrate of 60 wt% or less. In addition, examples of the base substrate whose main component is a substrate material having a hexagonal crystal structure include a SiC substrate, a ZnO substrate, and a GaN substrate. Note that each layer may be stacked directly or via another layer (for example, a buffer layer) on a base substrate whose main component is a substrate material having a hexagonal crystal structure.
In the present invention, the substrate is preferably a base substrate having a corundum structure on part or all of the surface, and a sapphire substrate or α-type that may have a metal film or the like on part or all of the surface. It is more preferably a gallium oxide substrate, and most preferably a c-plane sapphire substrate which may have a metal film or the like on part or all of its surface. In the present invention, it is preferable that half or more of the surface of the base substrate has a corundum structure.
（積層方法）
第１の層または第２の層の積層は、ミストＣＶＤ法、つまり、原料溶液を霧化し（霧化工程）、生成されるミストをキャリアガスによって前記基体に供給し（ミスト供給工程）、熱反応によって、前記基体上に成膜すること（成膜工程）により行うのが好ましい。
(Lamination method)
The first layer or the second layer is laminated by a mist CVD method, that is, atomizing a raw material solution (atomization step), supplying the generated mist to the substrate with a carrier gas (mist supply step), It is preferable to carry out the film formation on the substrate by a reaction (film formation process).
前記霧化工程は、原料溶液を調整し、前記原料溶液を霧化してミストを発生させる。原料溶液は、前記金属を錯体または塩の形態で有機溶媒または水に溶解または分散させることにより調整することができる。
前記金属の配合割合は、特に限定されないが、原料溶液全体に対して、０．０１〜７０質量％であるのが好ましく、０．１〜５０質量であるのがより好ましい。
In the atomization step, the raw material solution is adjusted, and the raw material solution is atomized to generate mist. The raw material solution can be prepared by dissolving or dispersing the metal in the form of a complex or salt in an organic solvent or water.
The blending ratio of the metal is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 70% by mass, and more preferably 0.1 to 50% by mass with respect to the entire raw material solution.
本工程では、前記原料溶液を霧化してミストを発生させる。霧化手段は、前記原料溶液を霧化できさえすれば特に限定されず、公知の霧化手段であってよいが、本発明においては、超音波を用いる霧化手段であるのが好ましい。 In this step, the raw material solution is atomized to generate mist. The atomizing means is not particularly limited as long as it can atomize the raw material solution, and may be a known atomizing means, but in the present invention, it is preferably an atomizing means using ultrasonic waves.
前記キャリアガス供給工程では、キャリアガスを前記ミストに供給する。キャリアガスの種類としては、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、窒素やアルゴン等の不活性ガス、または水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスなどが好適な例として挙げられる。また、キャリアガスの種類は１種類であってよいが、２種類以上であってもよく、キャリアガス濃度を変化させた希釈ガス（例えば１０倍希釈ガス等）などを、第２のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も１箇所だけでなく、２箇所以上あってもよい。 In the carrier gas supply step, a carrier gas is supplied to the mist. The type of the carrier gas is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. For example, an inert gas such as oxygen, ozone, nitrogen or argon, or a reducing gas such as hydrogen gas or forming gas is preferable. As mentioned. Further, the type of carrier gas may be one type, but may be two or more types, and a diluent gas (for example, a 10-fold diluted gas) whose carrier gas concentration is changed is used as the second carrier gas. Further, it may be used. Further, the supply location of the carrier gas is not limited to one location but may be two or more locations.
ミスト供給工程では、前記キャリアガスによって前記ミストを基体へ供給する。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、０．０１〜２０Ｌ／分であるのが好ましく、１〜１０Ｌ／分であるのがより好ましい。 In the mist supply step, the mist is supplied to the substrate by the carrier gas. The flow rate of the carrier gas is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 20 L / min, and more preferably 1 to 10 L / min.
成膜工程では、前記ミストを熱反応させて、前記基体表面の一部または全部に成膜する。前記熱反応は、熱でもって前記ミストが反応すればそれでよく、反応条件等も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。本工程においては、前記熱反応を、６００℃以下の温度で行うのが好ましく、５００℃以下の温度で行うのがより好ましい。また、熱反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよく、また、常圧下、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、常圧下または大気圧下で行われるのが好ましい。なお、膜厚は成膜時間を調整することにより、設定することができる。本発明においては、量子井戸における第１の層および第２の層の厚さが、それぞれ２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下であるのがより好ましく、２０ｎｍ以下であるのが最も好ましい。 In the film forming step, the mist is reacted by heat to form a film on part or all of the substrate surface. The thermal reaction may be performed as long as the mist reacts with heat, and the reaction conditions are not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. In this step, the thermal reaction is preferably performed at a temperature of 600 ° C. or lower, more preferably 500 ° C. or lower. Further, the thermal reaction may be performed under any atmosphere of vacuum, non-oxygen atmosphere, reducing gas atmosphere and oxygen atmosphere as long as the object of the present invention is not impaired. The reaction may be performed under any of the following conditions: under pressure, under pressure, and under reduced pressure, but in the present invention, it is preferably performed under normal pressure or atmospheric pressure. The film thickness can be set by adjusting the film formation time. In the present invention, the thicknesses of the first layer and the second layer in the quantum well are each preferably 200 nm or less, more preferably 100 nm or less, and most preferably 20 nm or less.
なお、本発明では、基体上に直接に第１の層および第２の層を積層してもよいし、基体上に、例えばバッファ層等の他の層を介して、積層してもよい。前記バッファ層等の他の層は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の層であってよい。 In the present invention, the first layer and the second layer may be laminated directly on the substrate, or may be laminated on the substrate via another layer such as a buffer layer. Other layers, such as the said buffer layer, are not specifically limited unless the objective of this invention is inhibited, You may be a well-known layer.
本発明の量子井戸構造は、コランダム構造を有する酸化物半導体を含むので、半導体装置に有用である。前記量子井戸構造を半導体装置に用いる場合には、そのまま半導体装置に用いてもよいし、量子井戸構造に後処理を施してから用いてもよい。 Since the quantum well structure of the present invention includes an oxide semiconductor having a corundum structure, the quantum well structure is useful for a semiconductor device. When the quantum well structure is used in a semiconductor device, the quantum well structure may be used as it is in a semiconductor device, or may be used after post-processing the quantum well structure.
本発明においては、基体として、サファイア基板等の絶縁体基板を用いる場合には、例えばｐ型半導体層等の他の層をはり合わせた後、基体から前記量子井戸構造を剥離して半導体装置に用いるのが好ましい。剥離手段は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段であってもよい。剥離手段としては、例えば、機械的衝撃を加えて剥離する手段、熱を加えて熱応力を利用して剥離する手段、超音波等の振動を加えて剥離する手段、エッチングして剥離する手段などが挙げられる。 In the present invention, when an insulator substrate such as a sapphire substrate is used as the substrate, for example, after bonding other layers such as a p-type semiconductor layer, the quantum well structure is peeled from the substrate to form a semiconductor device. It is preferable to use it. The peeling means is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, and may be a known means. Examples of the peeling means include a means for peeling by applying a mechanical impact, a means for peeling by applying heat and applying thermal stress, a means for peeling by applying vibration such as ultrasonic waves, a means for peeling by etching, etc. Is mentioned.
前記ｐ型半導体層は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、六方晶の結晶構造を有する金属酸化物を主成分として含むｐ型半導体層であるのが好ましい。前記金属酸化物としては、デラフォサイト（Delafossite）、酸化ロジウムまたはオキシカルコゲナイド（Oxycalcogenide）が好適な例として挙げられる。 The p-type semiconductor layer is not particularly limited as long as it does not hinder the object of the present invention, but is preferably a p-type semiconductor layer containing a metal oxide having a hexagonal crystal structure as a main component. Preferred examples of the metal oxide include Delafossite, rhodium oxide, and oxychalcogenide.
前記半導体装置は、電極が半導体層の片面側に形成された横型の素子（横型デバイス）と、半導体層の表裏両面側にそれぞれ電極を有する縦型の素子（縦型デバイス）に分類することができるが、本発明の量子井戸構造は、横型デバイスにも縦型デバイスにも好適に用いることができる。 The semiconductor device can be classified into a horizontal element (horizontal device) in which electrodes are formed on one side of a semiconductor layer and a vertical element (vertical device) having electrodes on both sides of the semiconductor layer. However, the quantum well structure of the present invention can be suitably used for both horizontal and vertical devices.
前記半導体装置としては、例えば、半導体レーザ、ダイオードまたはトランジスタなどが挙げられ、より具体的には、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、分布反射型（ＤＢＲ）レーザ、外部共振器型レーザ、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）または発光ダイオードなどが挙げられる。 Examples of the semiconductor device include a semiconductor laser, a diode, or a transistor, and more specifically, a distributed feedback (DFB) laser, a distributed reflection (DBR) laser, an external resonator laser, and a Schottky barrier. Diode (SBD), metal semiconductor field effect transistor (MESFET), high electron mobility transistor (HEMT), metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), electrostatic induction transistor (SIT), junction field effect transistor (JFET), Examples thereof include an insulated gate bipolar transistor (IGBT) or a light emitting diode.
なお、いうまでもないが、前記半導体装置には、さらに他の層（例えば絶縁体層、半絶縁体層、導体層、半導体層、緩衝層またはその他中間層等）などが含まれていてもよい。 Needless to say, the semiconductor device may include other layers (for example, an insulator layer, a semi-insulator layer, a conductor layer, a semiconductor layer, a buffer layer, or other intermediate layers). Good.
図１を用いて、本実施例で用いたミストＣＶＤ装置を説明する。図１のミストＣＶＤ装置は、供給部１０と、ファインチャネル構造を有する反応部１１とからなり、供給部１０には、超音波振動子１、容器２、キャリアガス供給手段から供給されるキャリアガス３の流量を調節する流量調節弁３ａ、および希釈ガス供給手段から供給される希釈ガス４の流量を調節する流量調節弁４ａが備え付けられている。また、反応部１１には、オゾン供給手段から供給されるオゾン５の流量を調節する流量調節弁５ａ、供給部１０から供給されるミストを混合するミスト混合部６、ヒーター７および基板８が備え付けられている。 The mist CVD apparatus used in this example will be described with reference to FIG. The mist CVD apparatus of FIG. 1 includes a supply unit 10 and a reaction unit 11 having a fine channel structure. The supply unit 10 includes a carrier gas supplied from the ultrasonic vibrator 1, the container 2, and a carrier gas supply unit. 3 is provided, and a flow rate adjusting valve 4a for adjusting the flow rate of the dilution gas 4 supplied from the dilution gas supply means is provided. The reaction unit 11 includes a flow rate adjusting valve 5a for adjusting the flow rate of ozone 5 supplied from the ozone supply means, a mist mixing unit 6 for mixing mist supplied from the supply unit 10, a heater 7 and a substrate 8. It has been.
原料溶液９ａを、超音波振動子１を用いて霧化してミスト９ｂとし、ミスト９ｂをキャリアガス３によって、反応部１１へ送り出す。ミスト９ｂには、反応部１１に至るまでの途中に、希釈ガスが供給され、さらに、ミスト混合部６に至るまでに、オゾン５が供給される。ミスト混合部６では、ミスト９ｂが混合され、混合されたミスト９ｂは、高さ１ｍｍの反応空間に送り出される。反応空間には基板８が備え付けられており、ヒーター７により、ミスト９ｂが熱反応し、さらにライデンフロスト効果が発現して、基板８上に成膜できるように構成されている。 The raw material solution 9 a is atomized by using the ultrasonic vibrator 1 to be a mist 9 b, and the mist 9 b is sent to the reaction unit 11 by the carrier gas 3. Dilution gas is supplied to the mist 9b on the way to the reaction section 11, and ozone 5 is further supplied to the mist mixing section 6. In the mist mixing unit 6, the mist 9b is mixed, and the mixed mist 9b is sent out to the reaction space having a height of 1 mm. A substrate 8 is provided in the reaction space, and the heater 7 causes the mist 9b to undergo a thermal reaction so that the Leidenfrost effect is developed and a film can be formed on the substrate 8.
上記ＣＶＤ装置を用いて、基板上に、α−Ｇａ２Ｏ３膜とα−Ｆｅ２Ｏ３膜を交互に積層して量子井戸構造を作製した。成膜条件を、下記表１および図２に示す。 Using the CVD apparatus, α-Ga 2 O 3 films and α-Fe 2 O 3 films were alternately stacked on the substrate to produce a quantum well structure. The film forming conditions are shown in Table 1 and FIG.
走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いて、得られた量子井戸構造を測定した。測定結果を図３に示す。図３から、基板上に量子井戸構造が形成されていることがわかる。また、エネルギー分散型Ｘ線分光器を用いて、作製した量子井戸構造のＦｅ源とＧａ源について測定し、ＳＴＥＭ像と比較した。結果を図４に示す。図４から、Ｆｅを含む層とＧａを含む層との交互層によって量子井戸が形成されていることがわかる。 The obtained quantum well structure was measured using a scanning transmission electron microscope (STEM). The measurement results are shown in FIG. FIG. 3 shows that a quantum well structure is formed on the substrate. In addition, using an energy dispersive X-ray spectrometer, the Fe source and Ga source of the produced quantum well structure were measured and compared with STEM images. The results are shown in FIG. It can be seen from FIG. 4 that the quantum well is formed by alternating layers including Fe and Ga.
得られた量子井戸構造につき、Ｘ線回折装置を用いて、各相を同定した。測定は、ＣｕＫα線を用いて、２θ／ωスキャンを行うことにより行った。Ｘ線回折像を図５に示し、Ｘ線回折パターンを図６に示す。図５のＸ線回折像からは、格子像がみえ、量子井戸構造が形成されていることがわかる。また、図６からは、α−Ｆｅ２Ｏ３相およびα−Ｇａ２Ｏ３相を確認することができ、ｃ面サファイア（α−Ａｌ２Ｏ３）基板上に、α−Ｆｅ２Ｏ３／α−Ｇａ２Ｏ３の量子井戸構造が良好に形成されていることがわかる。 About the obtained quantum well structure, each phase was identified using the X-ray-diffraction apparatus. The measurement was performed by performing 2θ / ω scan using CuKα rays. An X-ray diffraction image is shown in FIG. 5, and an X-ray diffraction pattern is shown in FIG. From the X-ray diffraction image of FIG. 5, it can be seen that a lattice image is seen and a quantum well structure is formed. Further, from FIG. 6, α-Fe 2 O 3 phase and α-Ga 2 O 3 phase can be confirmed, on c-plane sapphire (α-Al 2 O 3) substrate, α-Fe 2 O 3 It can be seen that the quantum well structure of / α-Ga 2 O 3 is well formed.
また、Ｘ線回折による（０００６）面の逆格子マッピングの結果を図７に示す。なお、参考までに、図８に、原子構造模型を用いて、図７における（０００６）面を示す。図７の逆格子マッピングに関し、非特許文献２および非特許文献３から座標軸ｑＺの（０００６）面における想定値を導き出し、下記表２のとおり、実測値と比較した。その結果、Ａｌ２Ｏ３とＧａ２Ｏ３は、想定値と実測値が整合し、圧縮応力がかかっていないことがわかる。一方、Ｆｅ２Ｏ３については、ピークがなく、Ｇａ２Ｏ３からの圧縮応力を受けていることがわかる。 FIG. 7 shows the result of reciprocal lattice mapping of the (0006) plane by X-ray diffraction. For reference, FIG. 8 shows the (0006) plane in FIG. 7 using an atomic structure model. Relates reciprocal lattice mapping of Fig. 7, derive an assumed value of (0006) plane of the axis q Z from the non-Patent Document 2 and Non-Patent Document 3, as shown in Table 2, were compared with measured values. As a result, it can be seen that Al 2 O 3 and Ga 2 O 3 match the assumed values and the actual measurement values and are not subjected to compressive stress. On the other hand, it can be seen that Fe 2 O 3 has no peak and receives compressive stress from Ga 2 O 3 .
また、Ｘ線回折による（１０−１，１０）面の逆格子マッピングの結果を図９に示し、（１１−２，９）面の逆格子マッピングの結果を図１１に示す。なお、参考までに、原子構造模型を用いて、図１０に図９における（１０−１，１０）面を示し、図１２に図１１における（１１−２，９）面を示す。これらの結果から、（１０−１０）面の法線方向をｘ軸とし、ｘ方向の面と、ｙ方向の面で測定し、ｑｚがそれぞれｚ方向に水平であるため、界面が、基板に対して平行であることがわかり、Ｇａ２Ｏ３／Ｆｅ２Ｏ３の量子井戸がＡｌ２Ｏ３に平行であることがわかる。 FIG. 9 shows the result of reciprocal lattice mapping of the (10-1, 10) plane by X-ray diffraction, and FIG. 11 shows the result of reciprocal lattice mapping of the (11-2, 9) plane. For reference, FIG. 10 shows the (10-1, 10) plane in FIG. 9 and FIG. 12 shows the (11-2, 9) plane in FIG. 11 using an atomic structure model. From these results, the normal direction of the (10-10) plane is taken as the x-axis, and measurement is performed on the x-direction plane and the y-direction plane. Since qz is horizontal in the z-direction, the interface is found to be parallel for, it can be seen that the quantum well of Ga 2 O 3 / Fe 2 O 3 is parallel to the Al 2 O 3.
また、図７、図９および図１１のサテライトピークの対比図を図１３に示す。サテライトピークからＧａ２Ｏ３／Ｆｅ２Ｏ３の量子井戸構造が良好に形成されていることがわかる。
なお、Ｘ線回折装置を用いて測定した量子井戸の間隔（Ｇａ２Ｏ３／Ｆｅ２Ｏ３の繰り返し単位の１単位あたりの長さ）は、約２０．５ｎｍであった。
FIG. 13 shows a comparison diagram of the satellite peaks of FIGS. 7, 9 and 11. From the satellite peak, it can be seen that the quantum well structure of Ga 2 O 3 / Fe 2 O 3 is well formed.
The distance between the quantum well was measured using an X-ray diffractometer (length per unit of the repeating units of the Ga 2 O 3 / Fe 2 O 3) was about 20.5 nm.
本発明の量子井戸構造は、半導体（例えば化合物半導体電子デバイス等）、電子部品・電気機器部品、光学・電子写真関連装置、工業部材などあらゆる分野に用いることができるが、特に、半導体分野に有用である。 The quantum well structure of the present invention can be used in various fields such as semiconductors (for example, compound semiconductor electronic devices), electronic parts / electric equipment parts, optical / electrophotographic related apparatuses, industrial members, etc., but particularly useful in the semiconductor field. It is.
１ 超音波振動子
２ 容器
３ キャリアガス
３ａ 流量調節弁
４ 希釈ガス
４ａ 流量調節弁
５ オゾン
５ａ 流量調節弁
６ ミスト混合部
７ ヒーター
８ 基板
９ａ 原料溶液
９ｂ ミスト
１０ 供給部
１１ 反応部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ultrasonic vibrator 2 Container 3 Carrier gas 3a Flow control valve 4 Dilution gas 4a Flow control valve 5 Ozone 5a Flow control valve 6 Mist mixing part 7 Heater 8 Substrate 9a Raw material solution 9b Mist 10 Supply part 11 Reaction part
Claims (7)
第１の層の主成分が、コランダム構造を有する酸化物であり、
第２の層の主成分が、コランダム構造を有しており、且つ、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケルまたはコバルトを含む材料であることを特徴とする量子井戸構造。 The quantum well structure in which the first layer and the second layer mainly composed of a material different from the first layer are alternately stacked at least one layer,
The main component of the first layer is an oxide having a corundum structure,
The main component of the second layer, and have a corundum structure, and, gallium, iron, indium, aluminum, vanadium, quantum well, which is a material comprising titanium, chromium, rhodium, nickel or cobalt Construction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014176651A JP6390052B2 (en) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | Quantum well structure and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014176651A JP6390052B2 (en) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | Quantum well structure and semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016051825A JP2016051825A (en) | 2016-04-11 |
| JP6390052B2 true JP6390052B2 (en) | 2018-09-19 |
Family
ID=55659106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014176651A Active JP6390052B2 (en) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | Quantum well structure and semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6390052B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6533982B2 (en) * | 2015-02-25 | 2019-06-26 | 株式会社Flosfia | Quantum well structure, laminated structure and semiconductor device |
| JP6774592B2 (en) * | 2015-09-08 | 2020-10-28 | 株式会社Flosfia | Deep ultraviolet light emitting element |
| JP6620328B2 (en) * | 2015-09-08 | 2019-12-18 | 株式会社Flosfia | Deep ultraviolet light generation target, deep ultraviolet light source and deep ultraviolet light emitting device |
| US11424320B2 (en) | 2016-06-30 | 2022-08-23 | Flosfia Inc. | P-type oxide semiconductor and method for manufacturing same |
| CN110741479B (en) * | 2017-06-09 | 2023-10-13 | 株式会社Uacj | Semiconductor layer, oscillation element, and method for manufacturing semiconductor layer |
| JP2019151922A (en) | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 株式会社Flosfia | Laminate and semiconductor device |
| WO2021064803A1 (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 日本碍子株式会社 | α-Ga2O3 SEMICONDUCTOR FILM |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4287702B2 (en) * | 2003-06-04 | 2009-07-01 | シャープ株式会社 | Oxide semiconductor light emitting device |
| JP6067532B2 (en) * | 2013-10-10 | 2017-01-25 | 株式会社Flosfia | Semiconductor device |
-
2014
- 2014-08-29 JP JP2014176651A patent/JP6390052B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016051825A (en) | 2016-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6390052B2 (en) | Quantum well structure and semiconductor device | |
| JP6680434B2 (en) | Peeling method, crystalline semiconductor film and semiconductor device | |
| JP6916426B2 (en) | Laminated structure and its manufacturing method, semiconductor device and crystal film | |
| US10804362B2 (en) | Crystalline oxide semiconductor film, crystalline oxide semiconductor device, and crystalline oxide semiconductor system | |
| CN110164961B (en) | Crystalline multilayer structure and semiconductor device | |
| JP2016051824A (en) | Epitaxial growth method and growth device, and method of producing quantum well structure | |
| US11967618B2 (en) | Crystalline oxide semiconductor film and semiconductor device | |
| US20200211919A1 (en) | Crystalline oxide film | |
| JP6904517B2 (en) | Crystalline oxide semiconductor film and its manufacturing method | |
| JP2016157878A (en) | Crystal oxide semiconductor film, and semiconductor device | |
| JP7014355B2 (en) | Laminated structures and semiconductor devices | |
| JP2018082144A (en) | Crystal oxide semiconductor film and semiconductor device | |
| JP7404594B2 (en) | Semiconductor devices and semiconductor systems including semiconductor devices | |
| JP6945121B2 (en) | Crystalline semiconductor membranes and semiconductor devices | |
| JP2022172066A (en) | Crystalline oxide semiconductor film, and semiconductor device | |
| JP6533982B2 (en) | Quantum well structure, laminated structure and semiconductor device | |
| US11233129B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
| JP7011219B2 (en) | Laminated structures and semiconductor devices | |
| JP6176064B2 (en) | Group III nitride semiconductor devices | |
| WO2021106809A1 (en) | Semiconductor device, and semiconductor system having semiconductor device | |
| KR20220106816A (en) | Semiconductor devices and semiconductor systems | |
| WO2021106811A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170828 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170904 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180625 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180710 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180802 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6390052 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |