JP6389782B2 - Multilayer insulating film, method for manufacturing multilayer substrate, and multilayer substrate - Google Patents

Multilayer insulating film, method for manufacturing multilayer substrate, and multilayer substrate Download PDF

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Description

本発明は、少なくとも2つの絶縁層を備える多層絶縁フィルムに関する。また、本発明は、上記多層絶縁フィルムを用いた多層基板の製造方法及び多層基板に関する。   The present invention relates to a multilayer insulating film comprising at least two insulating layers. The present invention also relates to a method for producing a multilayer substrate using the multilayer insulating film and a multilayer substrate.

従来、積層板及びプリント配線板等の電子部品を得るために、様々な樹脂組成物が用いられている。例えば、多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂組成物が用いられている。上記絶縁層の表面には、一般に金属層である配線が積層される。また、絶縁層を形成するために、上記樹脂組成物をフィルム化した絶縁フィルムが用いられることがある。   Conventionally, various resin compositions have been used to obtain electronic components such as laminates and printed wiring boards. For example, in a multilayer printed wiring board, a resin composition is used in order to form an insulating layer for insulating inner layers or to form an insulating layer located in a surface layer portion. Wiring, which is generally a metal layer, is laminated on the surface of the insulating layer. Moreover, in order to form an insulating layer, the insulating film which made the said resin composition into a film may be used.

上記絶縁層を形成するための材料の一例として、下記の特許文献1には、(1)臭素化率が20%以上であり、重量平均分子量が10000以上である臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂又は臭素化フェノキシ樹脂(A)、及び(2)エポキシ当量が1000以下であるビスフェノール型エポキシ樹脂(B)を必須成分として含有する絶縁樹脂組成物を、銅箔に塗布してなる絶縁接着剤が開示されている。この絶縁接着剤では、樹脂層を2層以上とし、銅箔側の最外樹脂層のフローを実質的にゼロとし、最外樹脂層の軟化点を60〜90℃としている。   As an example of the material for forming the insulating layer, the following Patent Document 1 includes (1) a brominated bisphenol type epoxy resin or bromine having a bromination rate of 20% or more and a weight average molecular weight of 10,000 or more. Disclosed is an insulating adhesive obtained by coating a copper foil with an insulating resin composition containing, as an essential component, a phenoxy resin (A) and (2) a bisphenol type epoxy resin (B) having an epoxy equivalent of 1000 or less ing. In this insulating adhesive, two or more resin layers are used, the flow of the outermost resin layer on the copper foil side is substantially zero, and the softening point of the outermost resin layer is 60 to 90 ° C.

下記の特許文献2には、2層以上の絶縁樹脂層を備える多層プリント配線板用絶縁樹脂フィルムが開示されている。この絶縁樹脂フィルムでは、分子量の異なる樹脂成分を2種以上配合し、これらの配合比率を変えることによって各層の熱時流動性を異ならせている。   Patent Document 2 below discloses an insulating resin film for a multilayer printed wiring board having two or more insulating resin layers. In this insulating resin film, two or more kinds of resin components having different molecular weights are blended, and the fluidity during heating of each layer is varied by changing the blending ratio thereof.

下記の特許文献3には、支持フィルム上に以下のA層及びB層を含む樹脂組成物層が積層され、かつA層が支持ベースフィルムと隣接して積層されている接着フィルムが開示されている。   Patent Document 3 listed below discloses an adhesive film in which a resin composition layer including the following A layer and B layer is laminated on a support film, and the A layer is laminated adjacent to the support base film. Yes.

(A層):1分子中に2以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及びエポキシ硬化剤を含有し、無機充填材の含有割合が0〜40重量%未満であり、熱硬化した際に得られる硬化物表面が、アルカリ性過マンガン酸溶液による粗化処理後、メッキにより導体層の形成が可能である常温で固形状の熱硬化性樹脂組成物層   (Layer A): Curing obtained when it contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule and an epoxy curing agent, the content of the inorganic filler is less than 0 to 40% by weight, and is thermally cured. Thermosetting resin composition layer that is solid at room temperature, the surface of which can be formed by plating after the roughening treatment with an alkaline permanganate solution

(B層):1分子中に2以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及びエポキシ硬化剤を含有し、無機充填材の含有割合が40重量%以上である常温で固形状の熱硬化性樹脂組成物層   (B layer): a thermosetting resin composition that is solid at room temperature, containing an epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule and an epoxy curing agent, and the content of the inorganic filler being 40% by weight or more layer

上記接着フィルムは、上記樹脂組成物層又はB層がラミネート条件下で回路基板のラミネートと同時にスルーホール及び/又はビアホール内の樹脂充填が可能な流動性を有する。上記接着フィルムでは、B層が回路基板に直接接するようラミネートされる。   The adhesive film has fluidity such that the resin composition layer or the B layer can be filled with resin in the through hole and / or via hole simultaneously with the lamination of the circuit board under the lamination condition. In the adhesive film, the B layer is laminated so as to be in direct contact with the circuit board.

特開平11−54937号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-54937 特開2002−64275号公報JP 2002-64275 A WO2003/047324A1WO2003 / 047324A1

特許文献1では、フェノキシ樹脂のような高分子成分を樹脂全体の55重量%以上配合し、最外樹脂層の軟化点を60〜90℃にしている。この場合に、溶剤の乾燥速度が非常に遅く、生産効率が悪い。特許文献2においても、高分子のエポキシ樹脂またはフェノキシ樹脂の量を低分子のエポキシ樹脂に対して2倍から10倍程度配合し、最外樹脂層の軟化点を50〜90℃にしている。この場合も同様に、溶剤の乾燥速度が非常に遅く、生産効率が悪い。特許文献1では、加熱で反応を進めることも記載されているが、そのような加熱を行うと生産効率がより一層悪くなる。   In Patent Document 1, a polymer component such as phenoxy resin is blended in an amount of 55% by weight or more of the entire resin, and the softening point of the outermost resin layer is set to 60 to 90 ° C. In this case, the drying speed of the solvent is very slow and the production efficiency is poor. Also in Patent Document 2, the amount of high molecular epoxy resin or phenoxy resin is blended about 2 to 10 times with respect to low molecular weight epoxy resin, and the softening point of the outermost resin layer is set to 50 to 90 ° C. In this case as well, the drying rate of the solvent is very slow and the production efficiency is poor. Patent Document 1 also describes that the reaction is advanced by heating, but when such heating is performed, the production efficiency is further deteriorated.

また、特許文献1,2の絶縁層を形成するための材料を、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材上に積層して、プレス工程を経て絶縁層を形成する場合、熱硬化後のアンジュレーションが大きくなり、表面の平坦性が低下することがある。   In addition, when the material for forming the insulating layer of Patent Documents 1 and 2 is laminated on a lamination target member having a concave portion or a convex portion on the surface, and the insulating layer is formed through a pressing process, Undulation may increase and surface flatness may decrease.

特許文献3では、接着フィルムを、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材上に積層して、プレス工程を経て絶縁層を形成した後、絶縁層の積層対象部材側とは反対の表面上に金属層を形成した場合に、絶縁層と金属層との接着強度がある程度高くなる部分が生じることがある一方で、絶縁層と金属層との接着強度が十分に高くならない部分も生じやすい。特に、A層の厚みが薄くなると、絶縁層の部分によって、絶縁層と金属層との接着強度が低くなることがある。   In patent document 3, after laminating | stacking an adhesive film on the lamination | stacking object member which has a recessed part or a convex part on the surface and forming an insulating layer through a press process, on the surface on the opposite side to the lamination | stacking object member side of an insulating layer When the metal layer is formed, a portion where the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased to some extent may be generated, while a portion where the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is not sufficiently increased is likely to be generated. In particular, when the thickness of the A layer is reduced, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer may be lowered depending on the portion of the insulating layer.

本発明の目的は、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に積層して、プレス工程を経て絶縁層を形成した後、絶縁層の積層対象部材とは反対の表面上に金属層を形成したときに、絶縁層の表面の平坦性を高くし、かつ絶縁層と金属層との接着強度を高めることができる多層絶縁フィルムを提供することである。また、本発明は、上記多層絶縁フィルムを用いた多層基板の製造方法及び多層基板を提供することである。   The purpose of the present invention is to laminate on a surface having a concave or convex portion of a lamination target member having a concave portion or a convex portion on the surface, and after forming an insulating layer through a pressing step, To provide a multilayer insulating film capable of increasing the flatness of the surface of the insulating layer and increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer when the metal layer is formed on the opposite surface. Moreover, this invention is providing the manufacturing method of a multilayer substrate using the said multilayer insulation film, and a multilayer substrate.

本発明の広い局面によれば、2層以上の絶縁層を備え、一方の最外層が、熱硬化性成分を含み、かつ無機充填材を含まないか又は含み、前記一方の最外層を除く層が、熱硬化性成分と無機充填材とを含み、前記一方の最外層の無機充填材の含有量が、前記一方の最外層を除く層の無機充填材の含有量よりも少なく、周波数6.28rad/secでの動的粘弾性測定を行った時に、前記一方の最外層の弾性率をG’(A)とし、前記一方の最外層を除く層の弾性率をG’(B)としたときに、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))が0以上2以下である、多層絶縁フィルムが提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a layer including two or more insulating layers, one outermost layer including a thermosetting component and not including or including an inorganic filler, and excluding the one outermost layer. Includes a thermosetting component and an inorganic filler, and the content of the inorganic filler in the one outermost layer is less than the content of the inorganic filler in the layer excluding the one outermost layer, and a frequency of 6. When dynamic viscoelasticity measurement was performed at 28 rad / sec, the elastic modulus of the one outermost layer was G ′ (A), and the elastic modulus of the layer excluding the one outermost layer was G ′ (B). Sometimes, a multilayer insulating film is provided wherein (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) is 0 or more and 2 or less.

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記多層絶縁フィルムは、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に、前記一方の最外層側とは反対側から積層されて用いられる。   In a specific aspect of the multilayer insulating film according to the present invention, the multilayer insulating film has a concave portion or a convex portion on the surface, and the one outermost layer side is on the surface having the concave portion or convex portion of the lamination target member. It is used by being laminated from the opposite side.

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記多層絶縁フィルムは、多層プリント配線基板において絶縁層を形成するために用いられる。   On the specific situation with the multilayer insulating film which concerns on this invention, the said multilayer insulating film is used in order to form an insulating layer in a multilayer printed wiring board.

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記一方の最外層を除く層の前記無機充填材の含有量が50重量%以上、85重量%以下である。   On the specific situation with the multilayer insulating film which concerns on this invention, content of the said inorganic filler of the layer except said one outermost layer is 50 to 85 weight%.

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記一方の最外層を除く層に含まれる無機充填材の平均粒径が100nm以上、5μm以下である。   On the specific situation with the multilayer insulating film which concerns on this invention, the average particle diameter of the inorganic filler contained in the layer except said one outermost layer is 100 nm or more and 5 micrometers or less.

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記100℃における弾性率G
’(B)が10Pa以上、1000Pa以下である。
In a specific aspect of the multilayer insulating film according to the present invention, the elastic modulus G at 100 ° C.
'(B) is 10 Pa or more and 1000 Pa or less.

本発明の広い局面によれば、凹部又は凸部を表面に有する回路基板の凹部又は凸部がある表面上に、上述した多層絶縁フィルムを前記一方の最外層側とは反対側からラミネートする工程と、前記回路基板上に積層された前記多層絶縁フィルムを、前記回路基板側とは反対の表面側からプレスする工程と、前記多層絶縁フィルムの前記回路基板側とは反対の表面上に、金属層を配置する工程と、前記金属層を配置した後に、前記多層絶縁フィルムを熱硬化させる工程とを備える、多層基板の製造方法が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, the step of laminating the above-described multilayer insulating film from the side opposite to the outermost layer side on the surface of the circuit board having the recesses or projections on the surface thereof. A step of pressing the multilayer insulating film laminated on the circuit board from a surface side opposite to the circuit board side, and a metal on a surface of the multilayer insulating film opposite to the circuit board side. There is provided a method for producing a multilayer substrate, comprising: a step of arranging a layer; and a step of thermally curing the multilayer insulating film after arranging the metal layer.

本発明の広い局面によれば、凹部又は凸部を表面に有する回路基板と、前記回路基板の凹部又は凸部がある表面上に配置された絶縁層と、前記絶縁層の前記回路基板側とは反対の表面上に配置された金属層とを備え、前記絶縁層が、凹部又は凸部を表面に有する回路基板の凹部又は凸部がある表面上に、上述した多層絶縁フィルムを前記一方の最外層側とは反対側からラミネートし、前記回路基板上に積層された前記多層絶縁フィルムを、前記回路基板側とは反対の表面側からプレスし、前記多層絶縁フィルムの前記回路基板側とは反対の表面上に、金属層を配置し、前記多層絶縁フィルムを熱硬化させることにより形成されている、多層基板が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a circuit board having a recess or a protrusion on its surface, an insulating layer disposed on the surface of the circuit board having a recess or a protrusion, and the circuit board side of the insulating layer; Comprises a metal layer disposed on the opposite surface, and the insulating layer has the concave or convex portion of the circuit board having the concave or convex portion on the surface, and the multilayer insulating film described above is disposed on the one surface. Laminating from the side opposite to the outermost layer side, pressing the multilayer insulating film laminated on the circuit board from the surface side opposite to the circuit board side, what is the circuit board side of the multilayer insulating film? A multilayer substrate is provided which is formed by disposing a metal layer on the opposite surface and thermally curing the multilayer insulating film.

本発明に係る多層絶縁フィルムは、2層以上の絶縁層を備えており、一方の最外層が、熱硬化性成分を含み、かつ無機充填材を含まないか又は含み、上記一方の最外層を除く層が、熱硬化性成分と無機充填材とを含み、上記一方の最外層の無機充填材の含有量が、上記一方の最外層を除く層の無機充填材の含有量よりも少なく、周波数6.28rad/secでの動的粘弾性測定を行った時に、上記一方の最外層の弾性率をG’(A)とし、上記一方の最外層を除く層の弾性率をG’(B)としたときに、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))が0以上2以下であるので、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に積層して、プレス工程を経て絶縁層を形成した後、絶縁層の積層対象部材とは反対の表面上に金属層を形成したときに、絶縁層の表面の平坦性を高くし、かつ絶縁層と金属層との接着強度を高めることができる。   The multilayer insulating film according to the present invention includes two or more insulating layers, and one outermost layer includes a thermosetting component and does not include an inorganic filler or includes the one outermost layer. The layer to be removed includes a thermosetting component and an inorganic filler, and the content of the inorganic filler in the one outermost layer is less than the content of the inorganic filler in the layer excluding the one outermost layer, and the frequency When dynamic viscoelasticity measurement was performed at 6.28 rad / sec, the elastic modulus of the one outermost layer was G ′ (A), and the elastic modulus of the layer excluding the one outermost layer was G ′ (B). When (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) is 0 or more and 2 or less, a laminate having a concave portion or a convex portion on the surface Laminate on the surface of the target member with concave or convex parts and insulate it through a pressing process After forming the metal layer, when the metal layer is formed on the surface opposite to the member on which the insulating layer is to be laminated, the surface flatness of the insulating layer is increased and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased. Can do.

図1は、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer insulating film according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(d)は、図1に示す多層絶縁フィルムを用いて多層基板を得る各工程を説明するための図である。2A to 2D are views for explaining each step of obtaining a multilayer substrate using the multilayer insulating film shown in FIG. 図3は、図1に示す多層絶縁フィルムを用いた多層基板を模式的に示す部分切欠正面断面図である。FIG. 3 is a partially cutaway front sectional view schematically showing a multilayer substrate using the multilayer insulating film shown in FIG. 図4(a)及び(b)は、本発明に含まれない多層絶縁フィルムを用いて多層基板を得る際の、プレス後の状態及び金属層を形成した後の状態を説明するための図である。FIGS. 4A and 4B are diagrams for explaining a state after pressing and a state after forming a metal layer when a multilayer substrate is obtained using a multilayer insulating film not included in the present invention. is there.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

(多層絶縁フィルム)
図1に、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを模式的に断面図で示す。
(Multilayer insulation film)
In FIG. 1, the multilayer insulating film which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with sectional drawing.

図1に示す多層絶縁フィルム1は、第1の絶縁層2(硬化前)と、第1の絶縁層2の一方の表面に積層された第2の絶縁層3(硬化前)とを有する。本実施形態では、第1の絶
縁層2は、一方の最外層である。第2の絶縁層3は、第1の絶縁層を除く層(一方の最外層を除く層)である。
A multilayer insulating film 1 shown in FIG. 1 has a first insulating layer 2 (before curing) and a second insulating layer 3 (before curing) laminated on one surface of the first insulating layer 2. In the present embodiment, the first insulating layer 2 is one outermost layer. The second insulating layer 3 is a layer excluding the first insulating layer (a layer excluding one outermost layer).

第1の絶縁層2は、熱硬化性成分を含み、無機充填材を含んでいてもよい。第1の絶縁層2は、無機充填材を含まないか、又は含む。第2の絶縁層3は、熱硬化性成分と無機充填材とを含む。第1の絶縁層2の無機充填材の含有量は、第2の絶縁層3の無機充填材の含有量よりも少ない。このため、第1の絶縁層2は、絶縁層と金属層との接着強度を高めることに寄与する。第2の絶縁層3は、絶縁層の熱による寸法安定性の向上に寄与する。絶縁層の熱による寸法安定性をより一層高めるために、第2の絶縁層3は、無機充填材を75重量%以上含んでいてもよい。   The first insulating layer 2 includes a thermosetting component and may include an inorganic filler. The first insulating layer 2 does not contain or contains an inorganic filler. The second insulating layer 3 includes a thermosetting component and an inorganic filler. The content of the inorganic filler in the first insulating layer 2 is less than the content of the inorganic filler in the second insulating layer 3. For this reason, the 1st insulating layer 2 contributes to raising the adhesive strength of an insulating layer and a metal layer. The second insulating layer 3 contributes to improvement of dimensional stability due to heat of the insulating layer. In order to further improve the dimensional stability due to heat of the insulating layer, the second insulating layer 3 may contain 75 wt% or more of an inorganic filler.

多層絶縁フィルム1のように、本発明に係る多層絶縁フィルムは、2層以上の絶縁層を備える。本発明に係る多層絶縁フィルムは、2層の絶縁層を備えていてもよく、3層以上の絶縁層を備えていてもよい。なお、本発明に係る多層絶縁フィルムは、実質的に1つの絶縁フィルムにおいて、絶縁フィルムにおける各成分の含有量に差異を生じさせることで形成されていてもよい。この場合に、各成分の含有量に差異が生じている部分を層界面と解釈することができる。上記絶縁層は、例えば樹脂層であってもよく、絶縁樹脂層であってもよい。   Like the multilayer insulating film 1, the multilayer insulating film according to the present invention includes two or more insulating layers. The multilayer insulating film according to the present invention may include two insulating layers or may include three or more insulating layers. In addition, the multilayer insulating film which concerns on this invention may be formed by making a difference in content of each component in an insulating film in substantially one insulating film. In this case, a portion where the content of each component is different can be interpreted as a layer interface. The insulating layer may be, for example, a resin layer or an insulating resin layer.

上記一方の最外層は、熱硬化性成分を含み、無機充填材を含んでいてもよい。上記一方の最外層は、無機充填材を含まないか、又は含む。この熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂と熱硬化剤とを含むことが好ましい。この熱硬化性成分は、硬化促進剤を含むことが好ましい。   The one outermost layer includes a thermosetting component and may include an inorganic filler. The one outermost layer does not contain or contains an inorganic filler. This thermosetting component preferably contains a thermosetting resin and a thermosetting agent. This thermosetting component preferably contains a curing accelerator.

上記一方の最外層を除く層は、熱硬化性成分と無機充填材とを含む。この熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂と熱硬化剤とを含むことが好ましい。この熱硬化性成分は、硬化促進剤を含むことが好ましい。   The layer excluding the one outermost layer includes a thermosetting component and an inorganic filler. This thermosetting component preferably contains a thermosetting resin and a thermosetting agent. This thermosetting component preferably contains a curing accelerator.

上記一方の最外層の無機充填材の含有量が、上記一方の最外層を除く層の無機充填材の含有量よりも少ない。   The content of the inorganic filler in the one outermost layer is less than the content of the inorganic filler in the layer excluding the one outermost layer.

上記多層絶縁フィルムでは、周波数6.28rad/secでの動的粘弾性測定を行った時に、上記一方の最外層の弾性率をG’(A)とし、上記一方の最外層を除く層の弾性率をG’(B)としたときに、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))が0以上2以下であることによって、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に積層して、絶縁層を形成した後、絶縁層の積層対象部材とは反対の表面上に金属層を形成したときに、絶縁層の表面の平坦性を高くし、かつ絶縁層と金属層との接着強度をより効果的に高めることができる。   In the multilayer insulating film, when dynamic viscoelasticity measurement was performed at a frequency of 6.28 rad / sec, the elastic modulus of the one outermost layer was G ′ (A), and the elasticity of the layer excluding the one outermost layer was When the rate is G ′ (B), (Log 10 (G ′ (B)) at 100 ° C.) − (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) is 0 or more and 2 or less, so that Or, after laminating on the surface with a concave or convex part of the lamination target member having a convex part on the surface and forming an insulating layer, when forming a metal layer on the surface opposite to the lamination target member of the insulating layer In addition, the flatness of the surface of the insulating layer can be increased, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer can be increased more effectively.

上記動的粘弾性測定は、Rheometer装置(TAインスツルメント社製「AR−2000」)を用いて、周波数6.28rad/sec、開始温度60℃、昇温速度5℃/分、及び歪み0.75%にて行われる。   The above dynamic viscoelasticity measurement was performed using a Rheometer device (“AR-2000” manufactured by TA Instruments) with a frequency of 6.28 rad / sec, a starting temperature of 60 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a strain of 0. At 75%.

なお、上記動的粘弾性測定の測定温度を100℃としたのは、ガラスクロスを含まない絶縁フィルムを加工する際に一般的に使用されるプレス加工温度を考慮したためである。また、上記動的粘弾性測定の周波数を周波数6.28rad/secとしたのは、プレス加工時の成形スピードを模擬したためである。   The reason why the measurement temperature of the dynamic viscoelasticity measurement is set to 100 ° C. is that a press processing temperature generally used when processing an insulating film not including glass cloth is taken into consideration. The frequency of the dynamic viscoelasticity measurement is 6.28 rad / sec because the molding speed at the time of press working is simulated.

凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に積層して、絶
縁層を形成した後、絶縁層の積層対象部材とは反対の表面上に金属層を形成したときに、絶縁層と金属層との接着強度をより一層高める観点から、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))は2以下である。上記範囲内にあることにより、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に多層絶縁フィルムを100℃前後の温度でプレスした場合でも、各層同士が均一に動くと考えられる。つまり密着性を発現するために必要な最外層厚みを、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材全体にて維持できる。接着強度及び平坦性をより一層高める観点からは、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))は好ましくは1.85以下、より好ましくは1.5以下、更に好ましくは1.0以下である。この好ましい値以下では、フィルム全体の厚みを薄くするために、最外層をより薄くした場合でも、絶縁層と金属層との高い接着強度を確保することができる。また(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))は0以上である。このため、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に多層絶縁フィルムを積層して、熱により硬化した際の表面の平坦性を高く保つことができる。この理由としては、G’(A)がG’(B)より低いことにより、積層対象部材の凹部と凸部における樹脂の硬化収縮量の差が、硬化時における最外層表面の微小なフローにより緩和できるためであると考えられる。平坦性をより一層高める観点からは、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))は好ましくは0.25以上である。
After laminating on the surface where the concave or convex portion of the lamination target member having concave or convex portions on the surface is formed and forming an insulating layer, a metal layer is formed on the surface opposite to the laminated target member of the insulating layer Sometimes, from the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, (Log 10 (G ′ (B))) at −100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) is 2 or less. is there. By being within the above range, even when the multilayer insulating film is pressed at a temperature of about 100 ° C. on the surface having the recesses or protrusions of the lamination target member having recesses or protrusions on the surface, the layers move uniformly. it is conceivable that. That is, the thickness of the outermost layer necessary for expressing the adhesion can be maintained over the entire lamination target member having the concave portion or the convex portion on the surface. From the viewpoint of further improving the adhesive strength and flatness, (Log 10 (G ′ (B))) at −100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) is preferably 1.85 or less, more preferably Is 1.5 or less, more preferably 1.0 or less. Below this preferred value, a high adhesive strength between the insulating layer and the metal layer can be ensured even when the outermost layer is made thinner in order to reduce the thickness of the entire film. Further, (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A))) at 100 ° C. is 0 or more. For this reason, the flatness of the surface when the multilayer insulation film is laminated | stacked on the surface with the recessed part or convex part of the lamination | stacking object member which has a recessed part or a convex part on the surface, and it hardens | cures by heat can be kept high. The reason for this is that G ′ (A) is lower than G ′ (B), so that the difference in the amount of cure shrinkage of the resin in the concave and convex portions of the lamination target member is due to the minute flow on the outermost layer surface during curing. This is thought to be due to relaxation. From the viewpoint of further improving the flatness, (Log 10 (G ′ (B))) − (Log 10 (G ′ (A))) at 100 ° C.) is preferably 0.25 or more.

100℃における弾性率G’(A)は好ましくは500Pa以下、より好ましくは100Pa以下であり、この場合には、平坦性の向上効果がより一層高くなる。100℃における弾性率G’(B)は好ましくは10Pa以上である。100℃における弾性率G’(B)が10Pa以上であれば、プレスした際の周辺部の樹脂のはみ出し量を適正な量に抑えることができる。また100℃における弾性率G’(B)は好ましくは20000Pa以下、より好ましくは5000Pa以下、更に好ましくは1000Pa以下であり、この場合には、多層絶縁フィルムを、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上にラミネート及びプレスした場合でも、多層絶縁フィルムを積層対象部材に、ボイドを抑えつつ均一に埋め込むことができ、平坦性がより一層良好になる。   The elastic modulus G ′ (A) at 100 ° C. is preferably 500 Pa or less, more preferably 100 Pa or less. In this case, the flatness improving effect is further enhanced. The elastic modulus G ′ (B) at 100 ° C. is preferably 10 Pa or more. When the elastic modulus G ′ (B) at 100 ° C. is 10 Pa or more, the amount of protrusion of the resin in the peripheral portion during pressing can be suppressed to an appropriate amount. The elastic modulus G ′ (B) at 100 ° C. is preferably 20000 Pa or less, more preferably 5000 Pa or less, and still more preferably 1000 Pa or less. In this case, the multilayer insulating film has a concave or convex portion on the surface. Even when laminated and pressed on the surface of the target member having a concave portion or convex portion, the multilayer insulating film can be uniformly embedded in the laminated target member while suppressing voids, and the flatness is further improved.

図1に示す多層絶縁フィルム1は、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に、第1の絶縁層2(上記一方の最外層)側とは反対側(第2の絶縁層3側)から積層されて用いられることが好ましい。   The multilayer insulating film 1 shown in FIG. 1 is on the surface opposite to the first insulating layer 2 (the one outermost layer) side on the surface having the concave portions or convex portions of the member to be laminated having concave portions or convex portions on the surface. It is preferable to be laminated and used from the (second insulating layer 3 side).

多層基板を得るために、多層絶縁フィルム1は、図2(a)〜(d)に示す各工程を経て、絶縁層を形成するように用いられることが好ましい。   In order to obtain a multilayer substrate, the multilayer insulating film 1 is preferably used so as to form an insulating layer through the steps shown in FIGS.

図2(a),(b)に示すように、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材21の凹部又は凸部がある表面上に、多層絶縁フィルム1を第1の絶縁層2(一方の最外層)側とは反対側からラミネートする(ラミネート工程)。多層絶縁フィルム1を第2の絶縁層3側からラミネートする。積層対象部材21の表面にある凹部又は凸部は、積層対象部材本体21a上に金属層21bを配置することにより形成されている。積層対象部材21は、回路基板であることが好ましい。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the multilayer insulating film 1 is placed on the first insulating layer 2 (one side) on the surface having the concave portions or convex portions of the lamination target member 21 having concave portions or convex portions on the surface. Laminating from the side opposite to the outermost layer) side (laminating step). The multilayer insulating film 1 is laminated from the second insulating layer 3 side. The concave portion or the convex portion on the surface of the lamination target member 21 is formed by disposing the metal layer 21b on the lamination target member main body 21a. The lamination target member 21 is preferably a circuit board.

多層絶縁フィルム1を用いることによって、ラミネートにより、積層対象部材21の凹部又は凸部に対して、多層絶縁フィルム1を積層対象部材21に、ボイドを抑えつつ追従させることができる。   By using the multilayer insulating film 1, the multilayer insulating film 1 can be caused to follow the lamination target member 21 while suppressing voids with respect to the concave portion or the convex portion of the lamination target member 21 by lamination.

次に、積層対象部材21上に積層された多層絶縁フィルム1を、積層対象部材21側とは反対側の表面からプレスする(プレス工程)。第1の絶縁層2(一方の最外層)側から
プレスする。図2(c)に示すように、プレス後に、第1の絶縁層2の積層対象部材21側とは反対の表面が平坦化される。多層絶縁フィルム1を用いることによって、高い圧力にて表面を平坦化させるプレス工程後も多層構造を保持することができ、絶縁層の積層対象部材とは反対の表面上に金属層を形成したときに、絶縁層と金属層との高い接着強度を確保することができる。
Next, the multilayer insulating film 1 laminated on the lamination target member 21 is pressed from the surface opposite to the lamination target member 21 side (pressing process). Pressing from the first insulating layer 2 (one outermost layer) side. As shown in FIG.2 (c), the surface opposite to the lamination | stacking target member 21 side of the 1st insulating layer 2 is planarized after pressing. By using the multilayer insulating film 1, the multilayer structure can be maintained even after the pressing step of flattening the surface with high pressure, and when the metal layer is formed on the surface opposite to the lamination target member of the insulating layer In addition, high adhesive strength between the insulating layer and the metal layer can be ensured.

次に、図2(d)に示すように、プレス後の多層絶縁フィルム1の積層対象部材21側と反対の表面上に、金属層22を配置する(金属層形成工程)。第1の絶縁層2(一方の最外層)の表面上に金属層22を配置する。金属層22の形成は例えば、絶縁フィルムを熱硬化させ、表面を粗化した後に、無電解メッキ及び電解メッキを行うようなアディティブプロセス、セミアディティブプロセスや、絶縁フィルムを熱硬化後にその表面に金属をスパッタすることにより行うことができる。   Next, as shown in FIG.2 (d), the metal layer 22 is arrange | positioned on the surface opposite to the lamination | stacking object member 21 side of the multilayer insulation film 1 after a press (metal layer formation process). A metal layer 22 is disposed on the surface of the first insulating layer 2 (one outermost layer). The metal layer 22 may be formed by, for example, an additive process such as electroless plating or electrolytic plating after the insulating film is heat-cured and roughened, or a metal on the surface after the insulating film is heat-cured. Can be performed by sputtering.

次に、金属層22を配置した後に、多層絶縁フィルム1を熱硬化させる(熱硬化工程)。このようにして、多層基板などの積層体が得られる。   Next, after the metal layer 22 is disposed, the multilayer insulating film 1 is thermally cured (thermosetting step). In this way, a laminate such as a multilayer substrate is obtained.

上記のようにして多層基板などの積層体を得る際に、プレス後の多層絶縁フィルム1では、第1の絶縁層2は、第2の絶縁層3の一方の表面上の全体に配置されている(図2(c)参照)。このため、金属層22は、第1の絶縁層2上に形成され、第2の絶縁層3が第1の絶縁層2側に露出しにくく、その露出した第2の絶縁層3上に金属層22が形成されることは起こりにくい(図2(d)参照)。この結果、最終的に得られる絶縁層のどの部分に金属層を形成しても、絶縁層と金属層との接着強度が高くなる。例えば、第2の絶縁層3上に金属層22を形成すると、絶縁層と金属層との接着強度が低くなりやすいが、第1の絶縁層2上に金属層22を形成すると、絶縁層と金属層との接着強度が高くなる。多層絶縁フィルム1を用いれば、プレス後に、第2の絶縁層3上に第1の絶縁層2が位置しているために、絶縁層と金属層との接着強度が高くなる。   When a multilayer body such as a multilayer substrate is obtained as described above, in the multilayer insulating film 1 after pressing, the first insulating layer 2 is disposed on the entire surface of the second insulating layer 3. (See FIG. 2C). Therefore, the metal layer 22 is formed on the first insulating layer 2, and the second insulating layer 3 is difficult to be exposed on the first insulating layer 2 side, and the metal is formed on the exposed second insulating layer 3. The formation of the layer 22 is unlikely to occur (see FIG. 2D). As a result, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased regardless of the portion of the finally obtained insulating layer. For example, if the metal layer 22 is formed on the second insulating layer 3, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer tends to be low, but if the metal layer 22 is formed on the first insulating layer 2, the insulating layer and Adhesive strength with the metal layer is increased. If the multilayer insulating film 1 is used, since the first insulating layer 2 is positioned on the second insulating layer 3 after pressing, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased.

これに対して、図4(a)に、本発明に含まれない多層絶縁フィルム101を用いた場合のプレス後の状態を示す。プレス前の多層絶縁フィルム101は、第1の絶縁層102(一方の最外層)と、第2の絶縁層103(一方の最外層を除く層)とを備える。第2の絶縁層103の無機充填材の含有量は、第1の絶縁層102の無機充填材の含有量と同等以上であるか、又は、周波数6.28rad/secでの動的粘弾性測定を行った時に、第1の絶縁層102の弾性率をG’(A)とし、第2の絶縁層103の弾性率をG’(B)としたときに、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))が2を超える。   On the other hand, FIG. 4A shows a state after pressing when the multilayer insulating film 101 not included in the present invention is used. The multilayer insulating film 101 before pressing includes a first insulating layer 102 (one outermost layer) and a second insulating layer 103 (a layer excluding one outermost layer). The content of the inorganic filler in the second insulating layer 103 is equal to or greater than the content of the inorganic filler in the first insulating layer 102, or dynamic viscoelasticity measurement at a frequency of 6.28 rad / sec. When the elastic modulus of the first insulating layer 102 is G ′ (A) and the elastic modulus of the second insulating layer 103 is G ′ (B), Log 10 (G ′ at 100 ° C. (B)))-(Log 10 (G ′ (A))) at 100 ° C. exceeds 2.

図4(a)に示すように、上記のような多層絶縁フィルム101を用いた場合には、プレス後に第1の絶縁層102は、第2の絶縁層103の一方の表面の全体に配置されにくい。従って、積層対象部材121に金属層122を形成した後に、金属層122は、第2の絶縁層103上にも形成されやすい(図4(b)参照)。(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))が2を超える場合には、絶縁層と金属層との接着強度が問題となる。   As shown in FIG. 4A, when the multilayer insulating film 101 as described above is used, the first insulating layer 102 is disposed on the entire surface of one side of the second insulating layer 103 after pressing. Hateful. Therefore, after forming the metal layer 122 on the stacking target member 121, the metal layer 122 is easily formed on the second insulating layer 103 (see FIG. 4B). When (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A))) at 100 ° C. exceeds 2, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer becomes a problem.

絶縁層と金属層との接着強度を効果的に高めることができるので、上記多層絶縁フィルムは、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に、上記一方の最外層側とは反対側から積層されて用いられることが好ましい。絶縁層と金属層との接着強度を効果的に高めることができるので、上記多層絶縁フィルムは、多層プリント配線基板において絶縁層を形成するために好適に用いられる。   Since the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer can be effectively increased, the multilayer insulating film is formed on the surface having the concave portion or convex portion of the lamination target member having the concave portion or convex portion on the surface. It is preferable to use by laminating from the side opposite to the outermost layer side. Since the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer can be effectively increased, the multilayer insulating film is suitably used for forming an insulating layer in a multilayer printed wiring board.

平坦性を効果的に高める観点からは、硬化温度は好ましくは120℃以上、好ましくは
180℃以下である。硬化温度が120℃以上であると、硬化時にG’(A)が効果的に低くなり、樹脂が微小にフローすることができるためである。
From the viewpoint of effectively increasing the flatness, the curing temperature is preferably 120 ° C. or higher, and preferably 180 ° C. or lower. This is because when the curing temperature is 120 ° C. or higher, G ′ (A) is effectively lowered during curing, and the resin can flow minutely.

埋め込み性をより一層良好にする観点からは、プレス温度は、好ましくは80℃以上である。絶縁層と金属層との接着強度を高くする観点及びプレス後の樹脂のはみ出し量を適正な量に抑える観点から、プレス温度は好ましくは120℃以下である。   From the viewpoint of further improving the embedding property, the press temperature is preferably 80 ° C. or higher. From the viewpoint of increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, and from the viewpoint of suppressing the amount of protruding resin after pressing to an appropriate amount, the pressing temperature is preferably 120 ° C. or lower.

以下、本発明に係る多層絶縁フィルムに用いられる各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, the detail of each component used for the multilayer insulation film which concerns on this invention is demonstrated.

[熱硬化性樹脂]
上記熱硬化性樹脂は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermosetting resin]
The thermosetting resin is not particularly limited. As for the said thermosetting resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂及びビニルベンジル樹脂等が挙げられる。絶縁性及び機械強度をより一層良好にする観点からは、上記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることが好ましい。   Examples of the thermosetting resin include epoxy resins, cyanate ester resins, phenol resins, bismaleimide-triazine resins, polyimide resins, acrylic resins, and vinylbenzyl resins. From the viewpoint of further improving the insulation and mechanical strength, the thermosetting resin is preferably an epoxy resin.

上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ樹脂、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ樹脂等が挙げられる。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Fluorene type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, naphthol aralkyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, epoxy resin having adamantane skeleton, epoxy resin having tricyclodecane skeleton, and triazine nucleus Examples thereof include an epoxy resin having a skeleton.

上記エポキシ樹脂は、常温(23℃)で液状であってもよく、固形であってもよい。上記多層絶縁フィルムの各層はそれぞれ、常温(23℃)で液状であるエポキシ樹脂を含むことが好ましい。   The epoxy resin may be liquid at normal temperature (23 ° C.) or may be solid. Each layer of the multilayer insulating film preferably contains an epoxy resin that is liquid at room temperature (23 ° C.).

上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層100重量%中、常温で液状であるエポキシ樹脂の含有量はそれぞれ、好ましくは5重量%以上、より好ましくは8重量%以上、好ましくは30重量%以下である。常温で液状であるエポキシ樹脂の含有量が上記下限以上であると、上記一方の最外層を薄くした場合でも、良好なハンドリングを維持することができ、その後の積層工程で割れといった不具合が発生しにくくなる。また上記一方の最外層を除く層に無機充填材を高濃度で充填した場合でも、良好なハンドリングを維持することができる。また各層をラミネートにて積層する際の密着性が良好になる。   In 100% by weight of the one outermost layer and the layer excluding the one outermost layer, the content of the epoxy resin that is liquid at room temperature is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, preferably 30%. % By weight or less. When the content of the epoxy resin that is liquid at room temperature is equal to or more than the above lower limit, even when the one outermost layer is thinned, good handling can be maintained, and problems such as cracking occur in the subsequent lamination process. It becomes difficult. Moreover, even when the inorganic filler is filled in a high concentration in the layer excluding the one outermost layer, good handling can be maintained. Moreover, the adhesiveness at the time of laminating | stacking each layer by a lamination becomes favorable.

常温で液状であるエポキシ樹脂の含有量が上記上限以下であると、最外層の形成において塗工及び乾燥して得られたロールから、カバーフィルムを剥がして、積層工程を行う際に、カバーフィルムが剥がれにくいといった不具合がなく、生産時の取り回しが良好になる。また上記一方の最外層を除く層への無機充填材の含有量を多くすることが容易になる。   When the content of the epoxy resin that is liquid at room temperature is not more than the above upper limit, the cover film is peeled off from the roll obtained by coating and drying in the formation of the outermost layer, and the lamination process is performed. There is no problem that it is difficult to peel off, and handling during production is improved. Moreover, it becomes easy to increase content of the inorganic filler to the layer except said one outermost layer.

絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くする観点からは、上記熱硬化性樹脂の熱硬化性官能基の当量は、好ましくは90以上、より好ましくは100以上、好ましくは1000以下、より好ましくは800以下である。上記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合に、上記熱硬化性官能基の当量はエポキシ当量を示す。   From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, the equivalent of the thermosetting functional group of the thermosetting resin is preferably 90 or more, more preferably 100 or more, preferably 1000 or less, more Preferably it is 800 or less. When the said thermosetting resin is an epoxy resin, the equivalent of the said thermosetting functional group shows an epoxy equivalent.

上記熱硬化性樹脂の分子量は1000以下であることが好ましい。この場合には、多層絶縁フィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることが容易である。さらに、無機充填材の含有量が多くても、G’(B)を2000Pa以下に保つことができるため、良好な埋め込み性を確保することができる。また(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))を効果的に低くすることができ、接着力が高くなる。また、分子量が1000以下である熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との併用により、G’(B)を10Pa以上に保つことができるため、プレスした際の周辺部の樹脂のはみ出し量を適正な量に抑えることができる。   The molecular weight of the thermosetting resin is preferably 1000 or less. In this case, it is easy to increase the content of the inorganic filler in the multilayer insulating film. Furthermore, even if the content of the inorganic filler is large, G ′ (B) can be maintained at 2000 Pa or less, so that good embeddability can be ensured. Further, (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) can be effectively lowered, and the adhesive force is increased. Moreover, since G ′ (B) can be maintained at 10 Pa or more by using a thermosetting resin having a molecular weight of 1000 or less and a thermoplastic resin, the amount of protrusion of the resin in the peripheral portion when pressed is set appropriately. The amount can be suppressed.

上記熱硬化性樹脂の分子量及び後述する熱硬化剤の分子量は、上記熱硬化性樹脂又は熱硬化剤が重合体ではない場合、及び上記熱硬化性樹脂又は熱硬化剤の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記熱硬化性樹脂又は熱硬化剤が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。   The molecular weight of the thermosetting resin and the molecular weight of the thermosetting agent described below are when the thermosetting resin or thermosetting agent is not a polymer, and when the structural formula of the thermosetting resin or thermosetting agent can be specified. Means a molecular weight that can be calculated from the structural formula. Moreover, when the said thermosetting resin or thermosetting agent is a polymer, a weight average molecular weight is meant.

上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。   The weight average molecular weight indicates a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層の無機充填材を除く樹脂100重量%中、上記熱硬化性樹脂の各含有量は、好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは70重量%以下である。上記熱硬化性樹脂の含有量が上記下限以上であると、耐熱性が良好になる。また絶縁層と金属との密着性もより一層良好になる。上記熱硬化性樹脂の含有量が上記上限以下であると、熱を加えた際の硬化性が良好になり、高温高湿度下での絶縁性がより一層良好になる。   In 100% by weight of the resin excluding the inorganic filler in the layer except the one outermost layer and the one outermost layer, the content of the thermosetting resin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight. Above, preferably 80% by weight or less, more preferably 70% by weight or less. Heat resistance becomes favorable in content of the said thermosetting resin being more than the said minimum. In addition, the adhesion between the insulating layer and the metal is further improved. When the content of the thermosetting resin is not more than the above upper limit, the curability when heat is applied becomes good, and the insulation under high temperature and high humidity becomes even better.

[熱硬化剤(熱硬化性成分)]
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermosetting agent (thermosetting component)]
The said thermosetting agent is not specifically limited. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記熱硬化剤としては、シアネートエステル化合物(シアネートエステル熱硬化剤)、フェノール化合物(フェノール熱硬化剤)、アミン化合物(アミン熱硬化剤)、チオール化合物(チオール熱硬化剤)、イミダゾール化合物、ホスフィン化合物、酸無水物、活性エステル化合物及びジシアンジアミド等が挙げられる。接着強度を高める観点からは、最外層に含まれる熱硬化剤は、これらの熱硬化剤の中の活性エステル化合物を除く熱硬化剤であることが好ましく、活性エステル化合物ではないことが好ましい。なかでも、熱による寸法変化がより一層小さい絶縁層を得る観点からは、上記熱硬化剤は、シアネートエステル化合物又はフェノール化合物であることが好ましい。上記熱硬化剤は、シアネートエステル化合物であることが好ましく、フェノール化合物であることも好ましい。上記熱硬化剤は、上記熱硬化性樹脂の熱硬化性官能基と反応可能な官能基を有することが好ましい。上記熱硬化剤は、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。   Examples of the thermosetting agent include a cyanate ester compound (cyanate ester thermosetting agent), a phenol compound (phenol thermosetting agent), an amine compound (amine thermosetting agent), a thiol compound (thiol thermosetting agent), an imidazole compound, and a phosphine compound. , Acid anhydrides, active ester compounds and dicyandiamide. From the viewpoint of increasing the adhesive strength, the thermosetting agent contained in the outermost layer is preferably a thermosetting agent excluding the active ester compound in these thermosetting agents, and is preferably not an active ester compound. Among these, from the viewpoint of obtaining an insulating layer with a smaller dimensional change due to heat, the thermosetting agent is preferably a cyanate ester compound or a phenol compound. The thermosetting agent is preferably a cyanate ester compound, and is preferably a phenol compound. The thermosetting agent preferably has a functional group capable of reacting with the thermosetting functional group of the thermosetting resin. The thermosetting agent preferably has a functional group capable of reacting with the epoxy group of the epoxy resin.

絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成する観点からは、上記熱硬化剤は、シアネートエステル化合物、フェノール化合物又は活性エステル化合物であることが好ましい。さらに、熱硬化剤でより一層良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記熱硬化剤は、シアネートエステル化合物、又は活性エステル化合物であることがより好ましい。   From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer and forming finer wiring on the surface of the insulating layer, the thermosetting agent is a cyanate ester compound, a phenol compound, or an active ester compound. It is preferable. Furthermore, from the viewpoint of imparting better insulation reliability with a thermosetting agent, the thermosetting agent is more preferably a cyanate ester compound or an active ester compound.

絶縁層の誘電正接をより一層低くし、金属層を流れる電気信号の伝送損失を抑制する観点からは、上記硬化剤は、活性エステル化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of further reducing the dielectric loss tangent of the insulating layer and suppressing transmission loss of an electric signal flowing through the metal layer, the curing agent is preferably an active ester compound.

上記シアネートエステル化合物の使用により、絶縁層のガラス転移温度がより一層高くなり、耐熱性が向上する。上記シアネートエステル化合物は特に限定されない。該シアネートエステル化合物として、従来公知のシアネートエステル化合物を使用可能である。上記シアネートエステル化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   By using the cyanate ester compound, the glass transition temperature of the insulating layer is further increased, and the heat resistance is improved. The cyanate ester compound is not particularly limited. A conventionally known cyanate ester compound can be used as the cyanate ester compound. As for the said cyanate ester compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記シアネートエステル化合物としては、ノボラック型シアネートエステル樹脂、ビスフェノール型シアネートエステル樹脂、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂及びアルキルフェノール型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル樹脂としては、ビスフェノールA型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールE型シアネートエステル樹脂及びテトラメチルビスフェノールF型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。   Examples of the cyanate ester compound include novolac-type cyanate ester resins, bisphenol-type cyanate ester resins, and prepolymers in which these are partially trimerized. As said novolak-type cyanate ester resin, a phenol novolak-type cyanate ester resin, an alkylphenol-type cyanate ester resin, etc. are mentioned. Examples of the bisphenol type cyanate ester resin include bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol E type cyanate ester resin, and tetramethylbisphenol F type cyanate ester resin.

上記シアネートエステル化合物の市販品としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT−30」及び「PT−60」)、及びビスフェノール型シアネートエステル樹脂が三量化されたプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA−230S」、「BA−3000S」、「BTP−1000S」及び「BTP−6020S」)等が挙げられる。   Commercially available products of the above-mentioned cyanate ester compounds include phenol novolac type cyanate ester resins (Lonza Japan "PT-30" and "PT-60"), and prepolymers (Lonza Japan) in which bisphenol type cyanate ester resins are trimerized. "BA-230S", "BA-3000S", "BTP-1000S", and "BTP-6020S") manufactured by the company.

上記シアネートエステル化合物の分子量は、3000以下であることが好ましい。この場合には、多層絶縁フィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることができ、無機充填材の含有量が多くても、G’(B)を2000Pa以下に保つことができるため、良好な埋め込み性を確保することができる。また(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))を効果的に低くすることができ、絶縁層と金属層との接着強度が高くなる。   The molecular weight of the cyanate ester compound is preferably 3000 or less. In this case, the content of the inorganic filler in the multilayer insulating film can be increased, and even if the content of the inorganic filler is large, G ′ (B) can be maintained at 2000 Pa or less, which is favorable. The embeddability can be ensured. Further, (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) can be effectively reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased. .

上記フェノール化合物の使用により、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。また、上記フェノール化合物の使用により、例えば、絶縁層の表面上の銅配線の表面を黒化処理又はCz処理したときに、絶縁層と銅配線との接着強度がより一層高くなる。   By using the phenol compound, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased. Further, by using the phenol compound, for example, when the surface of the copper wiring on the surface of the insulating layer is blackened or Cz-treated, the adhesive strength between the insulating layer and the copper wiring is further increased.

上記フェノール化合物は特に限定されない。該フェノール化合物として、従来公知のフェノール化合物を使用可能である。上記フェノール化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The phenol compound is not particularly limited. A conventionally well-known phenol compound can be used as this phenol compound. As for the said phenol compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。   Examples of the phenol compound include novolak type phenol, biphenol type phenol, naphthalene type phenol, dicyclopentadiene type phenol, aralkyl type phenol, dicyclopentadiene type phenol and the like.

上記フェノール化合物の市販品としては、ノボラック型フェノール(DIC社製「TD−2091」)、ビフェニルノボラック型フェノール(明和化成社製「MEH−7851」)、アラルキル型フェノール化合物(明和化成社製「MEH−7800」)、並びにアミノトリアジン骨格を有するフェノール(DIC社製「LA1356」及び「LA3018−50P」)等が挙げられる。   Examples of commercially available phenolic compounds include novolak type phenol (“TD-2091” manufactured by DIC), biphenyl novolac type phenol (“MEH-7851” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), and aralkyl type phenol compound (“MEH manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.). -7800 "), and phenols having an aminotriazine skeleton (" LA1356 "and" LA3018-50P "manufactured by DIC).

硬化物と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な金属配線を形成する観点からは、上記フェノール化合物は、ビフェニルノボラック型フェノール化合物、又はアラルキル型フェノール化合物であることが好ましい。硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくする観点からは、上記フェノール化合物はフェノール性水酸基を2個以上有することが好ましい。   From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the cured product and the metal layer and forming a finer metal wiring on the surface of the cured product, the phenol compound is a biphenyl novolac type phenol compound or an aralkyl type phenol compound. Preferably there is. From the viewpoint of further reducing the surface roughness of the cured product, the phenol compound preferably has two or more phenolic hydroxyl groups.

上記フェノール化合物の分子量は、1000以下であることが好ましい。この場合には、多層絶縁フィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることができ、無機充填材の含有量が多くても、G’(B)を2000Pa以下に保つことができるため、良好な埋め込み性を確保することができる。また(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))を効果的に低くすることができ、絶縁層と金属層との接着強度が高くなる。   The molecular weight of the phenol compound is preferably 1000 or less. In this case, the content of the inorganic filler in the multilayer insulating film can be increased, and even if the content of the inorganic filler is large, G ′ (B) can be maintained at 2000 Pa or less, which is favorable. The embeddability can be ensured. Further, (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) can be effectively reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased. .

上記活性エステル化合物は特に限定されない。上記活性エステル化合物の市販品としては、DIC社製「HPC−8000」、「HPC−8000−65T」及び「EXB9416−70BK」等が挙げられる。   The active ester compound is not particularly limited. As a commercial item of the said active ester compound, "HPC-8000", "HPC-8000-65T", "EXB9416-70BK" by DIC, etc. are mentioned.

上記活性エステル化合物の分子量は、1000以下であることが好ましい。この場合には、多層絶縁フィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることができ、無機充填材の含有量が多くても、G’(B)を2000Pa以下に保つことができるため、良好な埋め込み性を確保することができる。また(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))を効果的に低くすることができ、絶縁層と金属層との接着強度が高くなる。   The molecular weight of the active ester compound is preferably 1000 or less. In this case, the content of the inorganic filler in the multilayer insulating film can be increased, and even if the content of the inorganic filler is large, G ′ (B) can be maintained at 2000 Pa or less, which is favorable. The embeddability can be ensured. Further, (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) can be effectively reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased. .

絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成し、かつ熱硬化剤によって良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記熱硬化剤は、当量が250以下である熱硬化剤を含むことが好ましい。上記熱硬化剤の当量は、例えば、熱硬化剤がシアネートエステル化合物である場合にはシアネートエステル基当量を示し、熱硬化剤がフェノール化合物である場合にはフェノール性水酸基当量を示し、熱硬化剤が活性エステル化合物である場合には活性エステル基当量を示す。   From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, forming finer wiring on the surface of the insulating layer, and providing good insulation reliability with the thermosetting agent, the thermosetting agent described above. Preferably contains a thermosetting agent having an equivalent weight of 250 or less. For example, when the thermosetting agent is a cyanate ester compound, the equivalent of the thermosetting agent indicates a cyanate ester group equivalent, and when the thermosetting agent is a phenol compound, it indicates a phenolic hydroxyl group equivalent. When is an active ester compound, an active ester group equivalent is shown.

上記熱硬化剤の全体100重量%中、当量が250以下である熱硬化剤の含有量は、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上である。上記熱硬化剤の全量が、当量が250以下である熱硬化剤であってもよい。当量が250以下である熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、絶縁層の表面により一層微細な配線が形成される。さらに、当量が250以下である熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、絶縁層のガラス転移温度がより一層高くなる。   The content of the thermosetting agent having an equivalent of 250 or less in 100% by weight of the whole thermosetting agent is preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more. The total amount of the thermosetting agent may be a thermosetting agent having an equivalent weight of 250 or less. When the content of the thermosetting agent having an equivalent weight of 250 or less is not less than the above lower limit, finer wiring is formed on the surface of the insulating layer. Furthermore, the glass transition temperature of an insulating layer becomes it still higher that content of the thermosetting agent whose equivalent is 250 or less is more than the said minimum.

上記熱硬化性樹脂と上記熱硬化剤との配合比は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂と熱硬化剤との配合比は、熱硬化性樹脂と熱硬化剤との種類により適宜決定される。   The compounding ratio of the thermosetting resin and the thermosetting agent is not particularly limited. The blending ratio of the thermosetting resin and the thermosetting agent is appropriately determined depending on the types of the thermosetting resin and the thermosetting agent.

上記一方の最外層の無機充填材を除く全成分100重量%中及び上記一方の最外層を除く層の無機充填材を除く全成分100重量%中、上記熱硬化性樹脂と上記熱硬化剤との合計の含有量は、好ましくは60重量%以上、より好ましくは70重量%以上、好ましくは100重量%以下、より好ましくは90重量%以下である。   The thermosetting resin and the thermosetting agent in 100% by weight of all components excluding the inorganic filler in the one outermost layer and in 100% by weight of all components excluding the inorganic filler in the layer excluding the one outermost layer. The total content of is preferably 60% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, preferably 100% by weight or less, more preferably 90% by weight or less.

[無機充填材]
上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層はそれぞれ、無機充填材を含む。無機充填材の使用により、絶縁層の熱線膨張率が低くなり、かつ絶縁層と金属層との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材は特に限定されない。上記無機充填材は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Inorganic filler]
Each of the layers other than the one outermost layer and the one outermost layer includes an inorganic filler. By using the inorganic filler, the thermal expansion coefficient of the insulating layer is lowered, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is effectively increased. The inorganic filler is not particularly limited. As for the said inorganic filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記無機充填材としては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。   Examples of the inorganic filler include silica, talc, clay, mica, hydrotalcite, alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and boron nitride.

絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成し、かつ絶縁層により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、絶縁層の熱線膨張率がより一層低くなり、かつ絶縁層と金属層との接着強度が効果的に高くなる。シリカの形状は略球状であることが好ましい。   From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, forming finer wiring on the surface of the insulating layer, and imparting good insulation reliability to the insulating layer, the inorganic filler is Silica or alumina is preferred, silica is more preferred, and fused silica is still more preferred. By using silica, the thermal expansion coefficient of the insulating layer is further reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is effectively increased. The shape of silica is preferably substantially spherical.

上記一方の最外層に含まれていてもよい上記無機充填材の平均粒径は、好ましくは50nm以上、より好ましくは150nm以上、好ましくは2μm以下、より好ましくは1μm以下である。また、粗化処理又はデスミア処理などにより形成される孔の大きさが微細になり、孔の数が多くなる。この結果、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。   The average particle diameter of the inorganic filler that may be contained in the one outermost layer is preferably 50 nm or more, more preferably 150 nm or more, preferably 2 μm or less, more preferably 1 μm or less. Further, the size of the holes formed by the roughening process or the desmear process becomes fine, and the number of holes increases. As a result, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased.

上記一方の最外層を除く層に含まれる上記無機充填材の平均粒径は、好ましくは100nm以上、より好ましくは150nm以上、更に好ましくは250nm以上、好ましくは5μm以下、より好ましくは2μm以下である。上記無機充填材の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、G’(B)を2000Pa以下に保つことができるため、多層絶縁フィルムを、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上にラミネート及びプレスした場合でも、多層絶縁フィルムを積層対象部材に、ボイドを抑えつつ均一に埋め込むことができ、平坦性がより一層良好になる。   The average particle size of the inorganic filler contained in the layer excluding the one outermost layer is preferably 100 nm or more, more preferably 150 nm or more, further preferably 250 nm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 2 μm or less. . Since the average particle size of the inorganic filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, G ′ (B) can be maintained at 2000 Pa or less, and therefore the multilayer insulating film has a concave or convex portion on the surface. Even when laminated and pressed on the surface of the member having concave or convex portions, the multilayer insulating film can be uniformly embedded in the lamination target member while suppressing voids, and the flatness is further improved.

また一方の最外層を除く層に含まれる無機充填材の平均粒径D1の一方の最外層に含まれる無機充填材の平均粒径D2に対する比(D1/D2)は、好ましくは1以上、より好ましくは1.5以上、好ましくは4以下、より好ましくは3以下である。このような関係を満足すると、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))を効果的に低く出できるため、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。   The ratio (D1 / D2) of the average particle diameter D1 of the inorganic filler contained in the layer excluding one outermost layer to the average particle diameter D2 of the inorganic filler contained in one outermost layer is preferably 1 or more. Preferably it is 1.5 or more, preferably 4 or less, more preferably 3 or less. If such a relationship is satisfied, (Log 10 (G ′ (B))) at 100 ° C .− (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) can be effectively reduced, so that the insulating layer and the metal layer The adhesive strength of the is further increased.

上記無機充填材の平均粒径として、50%となるメディアン径(d50)の値が採用される。上記平均粒径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定可能である。   A median diameter (d50) value of 50% is employed as the average particle diameter of the inorganic filler. The average particle size can be measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.

上記無機充填材は、球状であることが好ましく、球状シリカであることがより好ましい。この場合には、絶縁層と金属層との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材が球状である場合には、上記無機充填材のアスペクト比は好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下である。   The inorganic filler is preferably spherical and more preferably spherical silica. In this case, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is effectively increased. When the inorganic filler is spherical, the aspect ratio of the inorganic filler is preferably 2 or less, more preferably 1.5 or less.

上記無機充填材は、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤により表面処理されていることがより好ましい。これにより、無機充填材と樹脂との密着性が良好になり、絶縁層全体の機械強度が向上し、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。さらに、より一層良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性が絶縁層に付与される。また無機充填材の分散性が向上し、粗化処理又はデスミア処理などにより形成される粗面がより微細になり、絶縁層の表面により一層微細な配線が形成できる。   The inorganic filler is preferably surface-treated, and more preferably surface-treated with a coupling agent. Thereby, the adhesiveness between the inorganic filler and the resin is improved, the mechanical strength of the entire insulating layer is improved, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased. Furthermore, much better inter-wiring insulation reliability and interlayer insulation reliability are imparted to the insulating layer. In addition, the dispersibility of the inorganic filler is improved, the rough surface formed by roughening treatment or desmearing treatment becomes finer, and finer wiring can be formed on the surface of the insulating layer.

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、メタクリルシラン、アクリルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン、ビニルシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。   Examples of the coupling agent include silane coupling agents, titanate coupling agents, and aluminum coupling agents. Examples of the silane coupling agent include methacryl silane, acrylic silane, amino silane, imidazole silane, vinyl silane, and epoxy silane.

上記一方の最外層100重量%中、上記無機充填材の含有量は好ましくは0重量%(未含有)以上、より好ましくは20重量%以上、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上であると、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))が効果的に低くなり、絶縁層と金属層との接着強度がより一層良好になる。上記無機充填材の含有量が上記上限以下であると、100℃におけるG’(A)を500Pa以下に抑えることができ、熱硬化時に微小フローが発生しやすくなり、平坦性がより一層良好になる。また粗化処理又はデスミア処理などにより形成される孔の数が効果的に多くなり、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。   In 100% by weight of the one outermost layer, the content of the inorganic filler is preferably 0% by weight (not contained) or more, more preferably 20% by weight or more, preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight. It is as follows. When the content of the inorganic filler is not less than the above lower limit, (Log 10 (G ′ (B))) − (Log 10 (100 ′ C) at 100 ° C. (G ′ (A)))) is effectively lowered and insulation is achieved. The adhesive strength between the layer and the metal layer is further improved. When the content of the inorganic filler is not more than the above upper limit, G ′ (A) at 100 ° C. can be suppressed to 500 Pa or less, a micro flow is likely to occur during thermosetting, and the flatness is further improved. Become. Further, the number of holes formed by roughening treatment or desmearing treatment is effectively increased, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased.

上記一方の最外層を除く層100重量%中、上記無機充填材の含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、好ましくは90重量%以下、より好ましくは85重量%以下、更に好ましくは80重量%以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上であると、絶縁層全体の熱線膨張率がより一層良好になる。上記無機充填材の含有量が上記上限以下であると、100℃におけるG’(B)を2000Pa以下に保つことができるため、埋め込み性、及び平坦性がより一層良好になる。   In 100% by weight of the layer excluding the one outermost layer, the content of the inorganic filler is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less. More preferably, it is 80% by weight or less. When the content of the inorganic filler is not less than the above lower limit, the thermal expansion coefficient of the entire insulating layer is further improved. When the content of the inorganic filler is not more than the above upper limit, G ′ (B) at 100 ° C. can be kept at 2000 Pa or less, so that the embedding property and flatness are further improved.

上記一方の最外層を除く層の無機充填材の含有量と上記一方の最外層の無機充填材の含有量との差の絶対値は、好ましくは40重量%以下、より好ましくは30重量%以下である。このような含有量の差の絶対値の関係を満足すると、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。   The absolute value of the difference between the content of the inorganic filler in the layer excluding the one outermost layer and the content of the inorganic filler in the one outermost layer is preferably 40% by weight or less, more preferably 30% by weight or less. It is. When the relationship of the absolute values of the difference in content is satisfied, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased.

[熱可塑性樹脂]
上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層はそれぞれ、熱可塑性樹脂を含まないか又は含む。上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層はそれぞれ、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。該熱可塑性樹脂は特に限定されない。上記熱可塑性樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermoplastic resin]
The one outermost layer and the layers other than the one outermost layer each do not contain or contain a thermoplastic resin. Each of the one outermost layer and the layer excluding the one outermost layer preferably includes a thermoplastic resin. The thermoplastic resin is not particularly limited. As for the said thermoplastic resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記熱可塑性樹脂としては、イミド樹脂、アミドイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ゴム成分及び有機フィラー等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂と相溶性が高い熱可塑性樹脂であることが好ましい。相溶性の高い熱可塑性樹脂を用いることで、G’(B)を容易に調節することが可能であるため、プレスした際の周辺部の樹脂のはみ出し量を適正な量に抑えることができる。かつ多層絶縁フィルムを積層対象部材に、ボイドを抑えつつ埋め込むことができる。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合は、上記熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、又はアミドイミド樹脂であることが好ましく、フェノキシ樹脂であることが特に好ましい。これらの好ましい熱可塑性樹脂の使用により、無機充填材の分散性が更に一層良好になり、粗化処理又はデスミア処理などにより形成される粗面がより微細になり、絶縁層の表面により一層微細な配線が形成できる。   Examples of the thermoplastic resin include imide resins, amidoimide resins, phenoxy resins, polyvinyl acetal resins, rubber components, and organic fillers. The thermoplastic resin is preferably a thermoplastic resin highly compatible with the thermosetting resin. Since G ′ (B) can be easily adjusted by using a highly compatible thermoplastic resin, the amount of protrusion of the resin in the peripheral portion when pressed can be suppressed to an appropriate amount. And a multilayer insulating film can be embedded in a lamination | stacking object member, suppressing a void. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, the thermoplastic resin is preferably a phenoxy resin, a polyvinyl acetal resin, or an amideimide resin, and particularly preferably a phenoxy resin. By using these preferable thermoplastic resins, the dispersibility of the inorganic filler becomes even better, the rough surface formed by roughening treatment or desmear treatment becomes finer, and the surface of the insulating layer becomes finer. Wiring can be formed.

上記アミドイミド樹脂は、成形加工性を高める観点から、溶剤可溶型のアミドイミド樹脂であることが好ましい。上記アミドイミド樹脂の市販品としては、DIC社製:ユニディック シリーズが挙げられる。   The amidoimide resin is preferably a solvent-soluble amidoimide resin from the viewpoint of improving molding processability. As a commercial item of the said amide imide resin, the DIC company make: Unidic series is mentioned.

上記ポリビニルアセタール樹脂は特に限定されないが、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の市販品としては、電気化学工業社製:電化ブチラール4000−2、5000−A、6000−C、6000−EP、積水化学工業社製:エスレックBHシリーズ、BXシリーズ、KSシリーズ、BLシリーズ、BMシリーズ等が挙げられる。   The polyvinyl acetal resin is not particularly limited, but a polyvinyl butyral resin is preferable. Commercially available products of polyvinyl acetal resin include: Denki Butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co., Ltd .: S-REC BH series, BX series, KS series, BL Series, BM series, etc. are mentioned.

上記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型の骨格、ビスフェノールF型の骨格、ビスフェノールS型の骨格、ビフェニル骨格、ノボラック骨格、ナフタレン骨格及びイミド骨格などの骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。   Examples of the phenoxy resin include phenoxy resins having a skeleton such as a bisphenol A skeleton, a bisphenol F skeleton, a bisphenol S skeleton, a biphenyl skeleton, a novolac skeleton, a naphthalene skeleton, and an imide skeleton.

上記フェノキシ樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵住金化学社製の「YP50」、「YP55」及び「YP70」、並びに三菱化学社製の「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及び「YX8100BH30」等が挙げられる。   Examples of commercially available phenoxy resins include “YP50”, “YP55” and “YP70” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., and “1256B40”, “4250”, “4256H40” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “ 4275 "," YX6954BH30 "," YX8100BH30 ", and the like.

上記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは5000以上、好ましくは100000以下である。上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。   The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 5000 or more, and preferably 100,000 or less. The weight average molecular weight indicates a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

上記一方の最外層100重量%中、上記熱可塑性樹脂の含有量(熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂である場合にはフェノキシ樹脂の含有量)は、好ましくは3重量%以上、より好ましくは5重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下である。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上であると、多層絶縁フィルムの成膜性が高くなり、より一層良好な絶縁層が得られる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、多層絶縁フィルムの成膜時の乾燥速度が速くなり、フィルムの生産性が良好になる。   The content of the thermoplastic resin (the content of the phenoxy resin when the thermoplastic resin is a phenoxy resin) in the one outermost layer of 100% by weight is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight. Above, preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less. When the content of the thermoplastic resin is not less than the above lower limit, the film formability of the multilayer insulating film is enhanced, and a further better insulating layer is obtained. When the content of the thermoplastic resin is not more than the above upper limit, the drying rate at the time of forming the multilayer insulating film is increased, and the productivity of the film is improved.

上記一方の最外層を除く層100重量%中、上記熱可塑性樹脂の含有量(熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂である場合にはフェノキシ樹脂の含有量)は、好ましくは1重量%以上、より好ましくは3重量%以上、好ましくは20重量%以下、より好ましくは10重量%以下である。   In 100% by weight of the layer excluding the outermost layer, the content of the thermoplastic resin (the content of the phenoxy resin when the thermoplastic resin is a phenoxy resin) is preferably 1% by weight or more, more preferably It is 3% by weight or more, preferably 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less.

上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上であると、多層絶縁フィルムの成膜性が高くなり、より一層良好な絶縁層が得られる。またG’(B)を10Pa以上に保ちやすくなり、プレスした際の周辺部の樹脂のはみ出し量を適正な量に抑えることができる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、絶縁層全体の熱線膨張率がより一層低くなる。また無機充填材を多く配合した場合でも、G’(B)を2000Pa以下に保ちやすくなり、凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材への埋め込み性が良好になる。   When the content of the thermoplastic resin is not less than the above lower limit, the film formability of the multilayer insulating film is enhanced, and a further better insulating layer is obtained. Further, G ′ (B) can be easily maintained at 10 Pa or more, and the amount of protrusion of the resin in the peripheral portion when pressed can be suppressed to an appropriate amount. When the content of the thermoplastic resin is not more than the above upper limit, the thermal expansion coefficient of the entire insulating layer is further lowered. Further, even when a large amount of inorganic filler is blended, G ′ (B) can be easily maintained at 2000 Pa or less, and the embedding property to a lamination target member having a concave portion or a convex portion on the surface is improved.

また上記一方の最外層および上記一方の最外層を除く層の上記熱可塑性樹脂の含有量が上記を満たすことにより、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))を効果的に低くできるため、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。   Moreover, when content of the said thermoplastic resin of the layer except said one outermost layer and said one outermost layer satisfy | fills the said, (Log10 at 100 degreeC (G '(B)))-(Log10 at 100 degreeC ( G ′ (A))) can be effectively reduced, so that the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased.

上記熱可塑性樹脂は、ゴム成分及び有機フィラーを含むことも好ましい。ゴム成分及び有機フィラーを用いることで、上記一方の最外層に含まれる無機充填材の量が少ない場合でも、粗化処理又はデスミア処理などにより孔を形成させることができ、絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くすることができる。   The thermoplastic resin preferably contains a rubber component and an organic filler. By using the rubber component and the organic filler, even when the amount of the inorganic filler contained in the one outermost layer is small, holes can be formed by roughening treatment or desmear treatment, and the insulating layer and the metal layer. The adhesive strength can be further increased.

[硬化促進剤(熱硬化性成分)]
上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層はそれぞれ、硬化促進剤を含まないか又は含む。上記樹脂組成物及び上記第1,第2の絶縁層はそれぞれ、硬化促進剤を含むことが好ましい。上記硬化促進剤の使用により、硬化速度がより一層速くなる。多層絶縁フィルムを速やかに硬化させることで、絶縁層における架橋構造が均一になると共に、未反応の官能基数が減り、結果的に架橋密度が高くなる。上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing accelerator (thermosetting component)]
Each of the layers other than the one outermost layer and the one outermost layer does not include or includes a curing accelerator. Each of the resin composition and the first and second insulating layers preferably contains a curing accelerator. By using the curing accelerator, the curing rate is further increased. By rapidly curing the multilayer insulating film, the crosslinked structure in the insulating layer becomes uniform, the number of unreacted functional groups decreases, and as a result, the crosslinking density increases. The said hardening accelerator is not specifically limited. As for the said hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。   Examples of the curing accelerator include imidazole compounds, phosphorus compounds, amine compounds, and organometallic compounds.

上記イミダゾール化合物としては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。   Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl- 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-un Decylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2 ′ -Methyl Midazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine Isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole Can be mentioned.

上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。   Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine.

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン及び4,4−ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。   Examples of the amine compound include diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine and 4,4-dimethylaminopyridine.

上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)及びトリスアセチルアセトナートコバルト(III)等が挙げられる。   Examples of the organometallic compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), and trisacetylacetonate cobalt (III).

上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層100重量%中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは0.01重量%以上、好ましくは3重量%以下である。上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、多層絶縁フィルムが効率的に硬化する。   The content of the curing accelerator is not particularly limited. The content of the curing accelerator is preferably 0.01% by weight or more and preferably 3% by weight or less in 100% by weight of the one outermost layer and the layer excluding the one outermost layer. When the content of the curing accelerator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the multilayer insulating film is efficiently cured.

[他の成分]
耐衝撃性、耐熱性、樹脂の相溶性及び作業性等の改善を目的として、上記一方の最外層及び上記一方の最外層を除く層にはそれぞれ、難燃剤、カップリング剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤、消泡剤、増粘剤及び揺変性付与剤等を添加してもよい。
[Other ingredients]
For the purpose of improving impact resistance, heat resistance, resin compatibility, workability, etc., the one outermost layer and the layers other than the one outermost layer are respectively flame retardant, coupling agent, colorant, oxidation An inhibitor, an ultraviolet degradation inhibitor, an antifoaming agent, a thickener, a thixotropic agent, and the like may be added.

[多層絶縁フィルムの他の詳細]
樹脂組成物をフィルム状に成形する方法としては、例えば、押出機を用いて、樹脂組成物を溶融混練し、押出した後、Tダイ又はサーキュラーダイ等により、フィルム状に成形する押出成形法、樹脂組成物を溶剤に溶解又は分散させた後、キャスティングしてフィルム状に成形するキャスティング成形法、並びに従来公知のその他のフィルム成形法等が挙げられる。なかでも、薄型化に対応可能であることから、押出成形法又はキャスティング成形法が好ましい。フィルムにはシートが含まれる。該フィルムは、少なくとも2層の絶縁層を有する多層絶縁フィルムである。多層化する方法としては、例えばそれぞれ別に成形した2つのフィルムを熱ロールラミネーター等で貼り合わせる方法、塗工や押出の際に同時もしくは逐次にフィルムを成形して多層絶縁フィルムを成形する方法、キャスティン
グ成形時に絶縁フィルムにおける各成分の含有量に差異を生じさせ、実質的に1つの絶縁フィルムにおいて多層絶縁フィルムを成形する方法、並びに従来公知のその他の多層絶縁フィルム成形法等が挙げられる。中でも上記フィルム成形法に連動できることから、多層押出成形法又は多層キャスティング成形法が好ましい。
[Other details of multilayer insulation film]
As a method of forming the resin composition into a film, for example, using an extruder, the resin composition is melt-kneaded, extruded, and then extruded into a film with a T-die or a circular die, Examples thereof include a casting molding method in which a resin composition is dissolved or dispersed in a solvent and then cast into a film, and other conventionally known film molding methods. Especially, since it can respond to thickness reduction, the extrusion molding method or the casting molding method is preferable. The film includes a sheet. The film is a multilayer insulating film having at least two insulating layers. As a method of multilayering, for example, a method in which two separately formed films are bonded with a hot roll laminator, a method in which a film is formed simultaneously or sequentially at the time of coating or extrusion, a method of forming a multilayer insulating film, casting Examples include a method of producing a difference in the content of each component in the insulating film at the time of molding, and forming the multilayer insulating film in substantially one insulating film, and other conventionally known multilayer insulating film forming methods. Among them, the multilayer extrusion molding method or the multilayer casting molding method is preferable because it can be interlocked with the film molding method.

樹脂組成物をフィルム状に成形し、熱による硬化が進行し過ぎない程度に、例えば90〜200℃で1〜180分間加熱乾燥させることにより、Bステージフィルムを得ることができる。   A B-stage film can be obtained by forming the resin composition into a film and drying it by heating at 90 to 200 ° C. for 1 to 180 minutes, for example, to such an extent that curing by heat does not proceed excessively.

上述のような乾燥工程により得ることができるフィルム状の樹脂組成物をBステージフィルムと称する。上記Bステージフィルムは、半硬化状態にある半硬化物である。半硬化物は、完全に硬化しておらず、硬化がさらに進行され得る。   The film-like resin composition that can be obtained by the drying process as described above is referred to as a B-stage film. The B-stage film is a semi-cured product in a semi-cured state. The semi-cured product is not completely cured and curing can proceed further.

上記多層絶縁フィルムは、一方の表面又は両面に基材が積層され、積層フィルムの状態で用いることができる。上記積層フィルムは、上記多層絶縁フィルムと、上記多層絶縁フィルムの一方の表面又は両面に積層された基材とを備えることが好ましい。   The multilayer insulating film can be used in the state of a laminated film in which a substrate is laminated on one surface or both surfaces. The laminated film preferably includes the multilayer insulating film and a base material laminated on one surface or both surfaces of the multilayer insulating film.

上記積層フィルムの上記基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルムなどのオレフィン樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、銅箔及びアルミニウム箔などの金属箔等が挙げられる。上記基材の表面は、必要に応じて、離型処理されていてもよい。   Examples of the base material of the laminated film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film, olefin resin films such as polyethylene film and polypropylene film, polyimide resin film, metal foil such as copper foil and aluminum foil, and the like. Can be mentioned. The surface of the base material may be subjected to a release treatment as necessary.

上記多層樹脂フィルムを回路の絶縁層として用いる場合、上記多層樹脂フィルムにより形成された絶縁層の厚さは、回路を形成する導体層(金属層)の厚さ以上であることが好ましい。上記絶縁層の厚さは、好ましくは5μm以上、好ましくは200μm以下である。   When the multilayer resin film is used as an insulating layer of a circuit, the thickness of the insulating layer formed of the multilayer resin film is preferably equal to or greater than the thickness of the conductor layer (metal layer) that forms the circuit. The thickness of the insulating layer is preferably 5 μm or more, and preferably 200 μm or less.

(プリント配線板)
上記多層絶縁フィルムは、プリント配線板(プリント配線基板)において絶縁層を形成するために好適に用いられる。
(Printed wiring board)
The multilayer insulating film is suitably used for forming an insulating layer in a printed wiring board (printed wiring board).

上記プリント配線板は、例えば、上記多層絶縁フィルムを加熱加圧成形することにより得られる。   The printed wiring board can be obtained by, for example, heat-pressing the multilayer insulating film.

(銅張り積層板及び多層基板)
上記多層樹脂フィルムは、銅張り積層板を得るために好適に用いられる。上記銅張り積層板の一例として、銅箔と、該銅箔の一方の表面に積層された多層絶縁フィルムとを備える銅張り積層板が挙げられる。
(Copper-clad laminate and multilayer board)
The multilayer resin film is suitably used for obtaining a copper-clad laminate. An example of the copper-clad laminate is a copper-clad laminate comprising a copper foil and a multilayer insulating film laminated on one surface of the copper foil.

上記銅張り積層板の上記銅箔の厚さは特に限定されない。上記銅箔の厚さは、1〜50μmの範囲内であることが好ましい。また、上記多層絶縁フィルムを硬化させた絶縁層と銅箔との接着強度を高めるために、上記銅箔は微細な凹凸を表面に有することが好ましい。凹凸の形成方法は特に限定されない。上記凹凸の形成方法としては、公知の薬液を用いた処理による形成方法等が挙げられる。   The thickness of the copper foil of the copper-clad laminate is not particularly limited. The thickness of the copper foil is preferably in the range of 1 to 50 μm. Moreover, in order to raise the adhesive strength of the insulating layer which hardened the said multilayer insulating film, and copper foil, it is preferable that the said copper foil has a fine unevenness | corrugation on the surface. The method for forming the unevenness is not particularly limited. Examples of the method for forming the unevenness include a formation method by treatment using a known chemical solution.

上記多層絶縁フィルムは、多層基板を得るために好適に用いられる。上記多層基板の一例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された絶縁層とを備える多層基板が挙げられる。この多層基板の絶縁層が、上記多層絶縁フィルムを用いて形成される。上記絶縁層は、回路基板の回路が設けられた表面上に積層されていることが好ましい。回路基板
は表面に凹部又は凸部を有することが好ましい。上記絶縁層の一部は、上記回路間に埋め込まれていることが好ましい。
The multilayer insulating film is suitably used for obtaining a multilayer substrate. As an example of the multilayer substrate, a multilayer substrate including a circuit substrate and an insulating layer stacked on the surface of the circuit substrate can be given. The insulating layer of the multilayer substrate is formed using the multilayer insulating film. The insulating layer is preferably laminated on the surface of the circuit board on which the circuit is provided. The circuit board preferably has a concave portion or a convex portion on the surface. Part of the insulating layer is preferably embedded between the circuits.

上記多層基板では、上記絶縁層の上記回路基板が積層された表面とは反対側の表面が粗化処理されていることが好ましい。   In the multilayer substrate, it is preferable that the surface of the insulating layer opposite to the surface on which the circuit substrate is laminated is roughened.

粗化処理方法は、従来公知の粗化処理方法を用いることができ特に限定されない。上記絶縁層の表面は、粗化処理の前に膨潤処理されていてもよい。   The roughening method can be any conventionally known roughening method and is not particularly limited. The surface of the insulating layer may be subjected to a swelling treatment before the roughening treatment.

また、上記多層基板は、上記絶縁層の粗化処理された表面に積層された銅めっき層をさらに備えることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the said multilayer substrate is further equipped with the copper plating layer laminated | stacked on the surface by which the roughening process of the said insulating layer was carried out.

また、上記多層基板の他の例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された絶縁層と、該絶縁層の上記回路基板が積層された表面とは反対側の表面に積層された銅箔とを備える多層基板が挙げられる。上記絶縁層及び上記銅箔が、銅箔と該銅箔の一方の表面に積層された樹脂フィルムとを備える銅張り積層板を用いて、上記多層絶縁フィルムを熱硬化させることにより形成されていることが好ましい。さらに、上記銅箔はエッチング処理されており、銅回路であることが好ましい。   As another example of the multilayer board, the circuit board, the insulating layer laminated on the surface of the circuit board, and the surface of the insulating layer opposite to the surface on which the circuit board is laminated are laminated. And a multilayer substrate provided with copper foil. The said insulation layer and the said copper foil are formed by thermosetting the said multilayer insulation film using the copper clad laminated board provided with the resin film laminated | stacked on one surface of copper foil and this copper foil. It is preferable. Furthermore, it is preferable that the copper foil is etched and is a copper circuit.

上記多層基板の他の例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された複数の絶縁層とを備える多層基板が挙げられる。上記回路基板上に配置された上記複数層の絶縁層の内の少なくとも1層が、上記多層絶縁フィルムを用いて形成される。上記多層基板は、上記多層絶縁フィルムを用いて形成されている上記絶縁層の少なくとも一方の表面に積層されている回路をさらに備えることが好ましい。   Another example of the multilayer substrate is a multilayer substrate including a circuit board and a plurality of insulating layers stacked on the surface of the circuit board. At least one of the plurality of insulating layers arranged on the circuit board is formed using the multilayer insulating film. The multilayer substrate preferably further includes a circuit laminated on at least one surface of the insulating layer formed using the multilayer insulating film.

図3に、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを用いた多層基板を模式的に部分切欠正面断面図で示す。なお、図3では、多層絶縁フィルムを熱硬化させた絶縁層は略図で示されている。   In FIG. 3, the multilayer substrate using the multilayer insulation film which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with partial notch front sectional drawing. In FIG. 3, the insulating layer obtained by thermosetting the multilayer insulating film is schematically shown.

図3に示す多層基板11では、回路基板12の上面12aに、複数層の絶縁層13〜16が積層されている。絶縁層13〜16は、硬化物層である。回路基板12の上面12aの一部の領域には、金属層17が形成されている。複数層の絶縁層13〜16のうち、回路基板12側とは反対の外側の表面に位置する絶縁層16以外の絶縁層13〜15には、上面の一部の領域に金属層17が形成されている。金属層17は回路である。回路基板12と絶縁層13の間、及び積層された絶縁層13〜16の各層間に、金属層17がそれぞれ配置されている。下方の金属層17と上方の金属層17とは、図示しないビアホール接続及びスルーホール接続の内の少なくとも一方により互いに接続されている。   In the multilayer substrate 11 shown in FIG. 3, a plurality of insulating layers 13 to 16 are laminated on the upper surface 12 a of the circuit substrate 12. Insulating layers 13-16 are hardened material layers. A metal layer 17 is formed in a partial region of the upper surface 12 a of the circuit board 12. Among the plurality of insulating layers 13 to 16, the metal layer 17 is formed in a partial region of the upper surface of the insulating layers 13 to 15 other than the insulating layer 16 located on the outer surface opposite to the circuit board 12 side. Has been. The metal layer 17 is a circuit. Metal layers 17 are respectively disposed between the circuit board 12 and the insulating layer 13 and between the stacked insulating layers 13 to 16. The lower metal layer 17 and the upper metal layer 17 are connected to each other by at least one of via hole connection and through hole connection (not shown).

多層基板11では、絶縁層13〜16が、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを用いて形成されている。本実施形態では、絶縁層13〜16の表面が粗化処理されているので、絶縁層13〜16の表面に図示しない微細な孔が形成されている。また、微細な孔の内部に金属層17が至っている。また、多層基板11では、金属層17の幅方向寸法(L)と、金属層17が形成されていない部分の幅方向寸法(S)とを小さくすることができる。また、多層基板11では、図示しないビアホール接続及びスルーホール接続で接続されていない上方の金属層と下方の金属層との間に、良好な絶縁信頼性が付与されている。   In the multilayer substrate 11, the insulating layers 13-16 are formed using the multilayer insulating film which concerns on one Embodiment of this invention. In this embodiment, since the surfaces of the insulating layers 13 to 16 are roughened, fine holes (not shown) are formed on the surfaces of the insulating layers 13 to 16. Further, the metal layer 17 reaches the inside of the fine hole. Moreover, in the multilayer substrate 11, the width direction dimension (L) of the metal layer 17 and the width direction dimension (S) of the part in which the metal layer 17 is not formed can be made small. In the multilayer substrate 11, good insulation reliability is imparted between an upper metal layer and a lower metal layer that are not connected by via-hole connection and through-hole connection (not shown).

(粗化処理及び膨潤処理)
上記多層絶縁フィルムは、粗化処理又はデスミア処理される硬化物を得るために用いられることが好ましい。上記硬化物には、更に硬化が可能な予備硬化物も含まれる。
(Roughening treatment and swelling treatment)
The multilayer insulating film is preferably used to obtain a cured product that is roughened or desmeared. The cured product includes a precured product that can be further cured.

上記多層絶縁フィルムを予備硬化させることにより得られた硬化物の表面に微細な凹凸を形成するために、硬化物は粗化処理されることが好ましい。粗化処理の前に、硬化物は膨潤処理されることが好ましい。硬化物は、予備硬化の後、かつ粗化処理される前に、膨潤処理されており、さらに粗化処理の後に硬化されていることが好ましい。ただし、硬化物は、必ずしも膨潤処理されなくてもよい。   In order to form fine irregularities on the surface of the cured product obtained by pre-curing the multilayer insulating film, the cured product is preferably roughened. Prior to the roughening treatment, the cured product is preferably subjected to a swelling treatment. The cured product is preferably subjected to a swelling treatment after preliminary curing and before the roughening treatment, and is further cured after the roughening treatment. However, the cured product is not necessarily subjected to the swelling treatment.

上記膨潤処理の方法としては、例えば、エチレングリコールなどを主成分とする化合物の水溶液又は有機溶媒分散溶液などにより、硬化物を処理する方法が用いられる。膨潤処理に用いる膨潤液は、一般にpH調整剤などとして、アルカリを含む。膨潤液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。具体的には、例えば、上記膨潤処理は、40重量%エチレングリコール水溶液等を用いて、処理温度30〜85℃で1〜30分間、硬化物を処理することにより行なわれる。上記膨潤処理の温度は50〜85℃の範囲内であることが好ましい。上記膨潤処理の温度が低すぎると、膨潤処理に長時間を要し、更に絶縁層と金属層との接着強度が低くなる傾向がある。   As a method for the swelling treatment, for example, a method of treating a cured product with an aqueous solution or an organic solvent dispersion of a compound mainly composed of ethylene glycol or the like is used. The swelling liquid used for the swelling treatment generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The swelling liquid preferably contains sodium hydroxide. Specifically, for example, the swelling treatment is performed by treating the cured product with a 40 wt% ethylene glycol aqueous solution at a treatment temperature of 30 to 85 ° C. for 1 to 30 minutes. The swelling treatment temperature is preferably in the range of 50 to 85 ° C. If the temperature of the swelling treatment is too low, it takes a long time for the swelling treatment, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer tends to be low.

上記粗化処理には、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物などの化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。粗化処理に用いられる粗化液は、一般にpH調整剤などとしてアルカリを含む。粗化液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。   For the roughening treatment, for example, a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound, or a persulfuric acid compound is used. These chemical oxidizers are used as an aqueous solution or an organic solvent dispersion after water or an organic solvent is added. The roughening liquid used for the roughening treatment generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The roughening solution preferably contains sodium hydroxide.

上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。   Examples of the manganese compound include potassium permanganate and sodium permanganate. Examples of the chromium compound include potassium dichromate and anhydrous potassium chromate. Examples of the persulfate compound include sodium persulfate, potassium persulfate, and ammonium persulfate.

上記粗化処理の方法は特に限定されない。上記粗化処理の方法として、例えば、30〜90g/L過マンガン酸又は過マンガン酸塩溶液及び30〜90g/L水酸化ナトリウム溶液を用いて、処理温度30〜85℃及び1〜30分間の条件で、硬化物を処理する方法が好適である。上記粗化処理の温度は50〜85℃の範囲内であることが好ましい。上記粗化処理の回数は1回又は2回であることが好ましい。   The method for the roughening treatment is not particularly limited. As a method of the said roughening process, 30-90 g / L permanganic acid or a permanganate solution and 30-90 g / L sodium hydroxide solution are used, for example, process temperature 30-85 degreeC and 1-30 minutes. A method of treating a cured product under conditions is preferable. It is preferable that the temperature of the said roughening process exists in the range of 50-85 degreeC. The number of times of the roughening treatment is preferably once or twice.

絶縁層の表面の算術平均粗さRaは好ましくは50nm以上、好ましくは350nm以下、より好ましくは200nm未満、更に好ましくは100nm未満である。この場合には、絶縁層と金属層又は配線との接着強度が高くなり、更に絶縁層の表面により一層微細な配線が形成される。   The arithmetic average roughness Ra of the surface of the insulating layer is preferably 50 nm or more, preferably 350 nm or less, more preferably less than 200 nm, still more preferably less than 100 nm. In this case, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer or the wiring is increased, and further finer wiring is formed on the surface of the insulating layer.

(デスミア処理)
上記多層絶縁フィルムを予備硬化させることにより得られた硬化物に、貫通孔が形成されることがある。上記多層基板などでは、貫通孔として、ビア又はスルーホール等が形成される。例えば、ビアは、COレーザー等のレーザーの照射により形成できる。ビアの直径は特に限定されないが、60〜80μm程度である。上記貫通孔の形成により、ビア内の底部には、硬化物に含まれている樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアが形成されることが多い。
(Desmear treatment)
Through holes may be formed in a cured product obtained by pre-curing the multilayer insulating film. In the multilayer substrate or the like, a via or a through hole is formed as a through hole. For example, the via can be formed by irradiation with a laser such as a CO 2 laser. The diameter of the via is not particularly limited, but is about 60 to 80 μm. Due to the formation of the through hole, a smear, which is a resin residue derived from the resin component contained in the cured product, is often formed at the bottom of the via.

上記スミアを除去するために、絶縁層の表面は、デスミア処理されることが好ましい。デスミア処理が粗化処理を兼ねることもある。   In order to remove the smear, the surface of the insulating layer is preferably desmeared. The desmear process may also serve as a roughening process.

上記デスミア処理には、上記粗化処理と同様に、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物などの化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有
機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。デスミア処理に用いられるデスミア処理液は、一般にアルカリを含む。デスミア処理液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。
In the desmear treatment, for example, a chemical oxidant such as a manganese compound, a chromium compound, or a persulfate compound is used in the same manner as the roughening treatment. These chemical oxidizers are used as an aqueous solution or an organic solvent dispersion after water or an organic solvent is added. The desmear treatment liquid used for the desmear treatment generally contains an alkali. The desmear treatment liquid preferably contains sodium hydroxide.

上記デスミア処理の方法は特に限定されない。上記デスミア処理の方法として、例えば、30〜90g/L過マンガン酸又は過マンガン酸塩溶液及び30〜90g/L水酸化ナトリウム溶液を用いて、処理温度30〜85℃及び1〜30分間の条件で、1回又は2回、硬化物を処理する方法が好適である。上記デスミア処理の温度は50〜85℃の範囲内であることが好ましい。   The method for the desmear treatment is not particularly limited. As a method for the desmear treatment, for example, using a 30 to 90 g / L permanganate or permanganate solution and a 30 to 90 g / L sodium hydroxide solution, a treatment temperature of 30 to 85 ° C. and a condition of 1 to 30 minutes And the method of processing hardened | cured material once or twice is suitable. It is preferable that the temperature of the said desmear process exists in the range of 50-85 degreeC.

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by giving examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

(熱硬化性樹脂)
(1)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製「850−S」)
(2)ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC−3000」)
(3)ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC−3000−H」)
(4)p−アミノフェノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「630」)
(5)ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200H」)
(Thermosetting resin)
(1) Bisphenol A type epoxy resin (DIC Corporation "850-S")
(2) Biphenyl type epoxy resin (“NC-3000” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
(3) Biphenyl type epoxy resin (“NC-3000-H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
(4) p-aminophenol type epoxy resin ("630" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
(5) Dicyclopentadiene type epoxy resin (DIC Corporation "HP-7200H")

(硬化剤)
(1)アミノトリアジン骨格クレゾールノボラック樹脂含有液(DIC社製「LA−3018−50P」、固形分50重量%とプロピレングリコールモノエチルエーテル50重量%とを含む)
(2)アミノトリアジン骨格フェノールノボラック樹脂含有液(DIC社製「LA−1356」、固形分60重量%とメチルエチルケトン40重量%とを含む)
(3)活性エステル樹脂含有液(DIC社製「EXB9416−70BK」、固形分70重量%とメチルイソブチルケトン30重量%とを含む)
(4)シアネートエステル樹脂含有液(ロンザ社製「BA−3000S」、固形分75重量%とメチルエチルケトン25重量%とを含む)
(Curing agent)
(1) Aminotriazine skeleton cresol novolac resin-containing liquid (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, including 50 wt% solid content and 50 wt% propylene glycol monoethyl ether)
(2) Aminotriazine skeleton phenol novolac resin-containing liquid (“LA-1356” manufactured by DIC, including 60 wt% solid content and 40 wt% methyl ethyl ketone)
(3) Liquid containing active ester resin (“EXB9416-70BK” manufactured by DIC, including 70 wt% solid content and 30 wt% methyl isobutyl ketone)
(4) Cyanate ester resin-containing liquid ("BA-3000S" manufactured by Lonza Corporation, including 75 wt% solid content and 25 wt% methyl ethyl ketone)

(硬化促進剤)
(1)イミダゾール化合物(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業社製「2P4MZ」)
(Curing accelerator)
(1) Imidazole compound (2-phenyl-4-methylimidazole, “2P4MZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)

(熱可塑性樹脂)
(1)フェノキシ樹脂含有液(三菱化学社製「YX6954BH30」、固形分30重量%とメチルエチルケトン35重量%とシクロヘキサノン35重量%とを含む)
(2)ポリビニルアセタール樹脂(積水化学工業社製「BX−5」)
(3)ポリアミドイミド樹脂含有液(DIC社製「ユニディックELG−486」、固形分30重量%とN,N−ジメチルアセトアミド70重量%とを含む)
(Thermoplastic resin)
(1) Phenoxy resin-containing liquid ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, containing 30 wt% solids, 35 wt% methyl ethyl ketone, and 35 wt% cyclohexanone)
(2) Polyvinyl acetal resin (“BX-5” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.)
(3) Polyamideimide resin-containing liquid (“Unidic ELG-486” manufactured by DIC, including 30 wt% solid content and 70 wt% N, N-dimethylacetamide)

(無機充填材)
(1)球状シリカ1(アドマテックス社製「SOC4」100重量部をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)0.4重量部によって表面処理した球状シリカ、平均粒子径1.0μm)
(2)球状シリカ2(アドマテックス社製「SOC2」100重量部をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)0.6重量部によって表面処理した球状シリカ、平均粒子径0.5μm)
(3)球状シリカ3(アドマテックス社製「SOC1」100重量部をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)1.0重量部によって表面処理した球状シリカ、平均粒子径0.25μm)
(4)球状シリカ4(アドマテックス社製「SOC5」100重量部をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−57
3」)0.4重量部によって表面処理した球状シリカ、平均粒子径1.5μm)
(Inorganic filler)
(1) Spherical silica 1 (100 parts by weight of “SOC4” manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 0.4 parts by weight of a silane coupling agent having an N-phenyl-3-aminopropyl group (“KBM-573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (Spherical silica surface-treated with an average particle diameter of 1.0 μm)
(2) Spherical silica 2 (100 parts by weight of “SOC2” manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 0.6 parts by weight of a silane coupling agent having an N-phenyl-3-aminopropyl group (“KBM-573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (Spherical silica surface-treated with an average particle diameter of 0.5 μm)
(3) Spherical silica 3 (100 parts by weight of “SOC1” manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 1.0 part by weight of a silane coupling agent having an N-phenyl-3-aminopropyl group (“KBM-573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (Spherical silica surface-treated with an average particle diameter of 0.25 μm)
(4) Spherical silica 4 (100 parts by weight of “SOC5” manufactured by Admatechs Co., Ltd. was used as a silane coupling agent having an N-phenyl-3-aminopropyl group (“KBM-57 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
3 ") Spherical silica surface-treated with 0.4 parts by weight, average particle size 1.5 μm)

(溶剤)
(1)溶剤(CHN、シクロヘキサノン、和光純薬工業社製「037−05096」)
(solvent)
(1) Solvent (CHN, cyclohexanone, “037-05096” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

(実施例1)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製「850−S」)13.2重量部に、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC−3000−H」)13.5重量部と、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200H」)7.7重量部と、アミノトリアジン骨格クレゾールノボラック樹脂含有液(DIC社製「LA−3018−50P」)38.2重量部(固形分で19.1重量部)と、イミダゾール化合物(四国化成工業社製「2P4MZ」)0.4重量部と、フェノキシ樹脂含有液(三菱化学社製「YX6954BH30」)27.0重量部(固形分で8.1重量部)とシクロヘキサノン(CHN)60.0重量部とを混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂組成物ワニスAを得た。
Example 1
13.2 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (“850-S” manufactured by DIC), 13.5 parts by weight of a biphenyl type epoxy resin (“NC-3000-H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and dicyclopentadiene 7.7 parts by weight of epoxy resin (“HP-7200H” manufactured by DIC) and 38.2 parts by weight (19% in solid content) of an aminotriazine skeleton cresol novolac resin-containing liquid (“LA-3018-50P” manufactured by DIC) 0.1 part by weight), 0.4 part by weight of an imidazole compound (“2P4MZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 27.0 parts by weight (8. 1 part by weight) and 60.0 parts by weight of cyclohexanone (CHN) were mixed and stirred at room temperature until a uniform solution was obtained, to obtain a resin composition varnish A.

最外層の形成:
得られた樹脂組成物ワニスAに、球状シリカ2(アドマテックス社製「SOC2」をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)で表面処理した球状シリカ)76.0重量部を混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂組成物ワニスBを得た。
Formation of outermost layer:
In the obtained resin composition varnish A, spherical silica 2 ("SOC2" manufactured by Admatechs Co., Ltd.) is added with a silane coupling agent having an N-phenyl-3-aminopropyl group ("KBM-573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). (Surface-treated spherical silica) 76.0 parts by weight were mixed and stirred at room temperature until a uniform solution was obtained, to obtain a resin composition varnish B.

アプリケーターを用いて、PETフィルム(厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂組成物ワニスBを塗工した後、100℃のギアオーブン内で20秒間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが2μmのシート状の成形体A(一方の最外層)を得た。   After applying the resin composition varnish B obtained on the release-treated surface of a PET film (thickness 25 μm) using an applicator, it was dried in a gear oven at 100 ° C. for 20 seconds to volatilize the solvent. In this way, a sheet-like molded product A (one outermost layer) having a thickness of 2 μm was obtained on the PET film.

内層(ラミネート後に内層になる層(ラミネート前には最外層))の形成:形成方法1−塗工による積層
得られた樹脂組成物ワニスAに、球状シリカ1(アドマテックス社製「SOC4」をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)で表面処理した球状シリカ)186.0重量部を混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂組成物ワニスCを得た。
Formation of inner layer (layer that becomes inner layer after laminating (outermost layer before laminating)): Formation method 1-Lamination by coating To the obtained resin composition varnish A, spherical silica 1 ("SOC4" manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 186.0 parts by weight of a silane coupling agent having a N-phenyl-3-aminopropyl group (spherical silica surface-treated with “KBM-573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is mixed and mixed at room temperature until a uniform solution is obtained. The resin composition varnish C was obtained.

次に、得られたシート状の成形体Aの上に、全体厚みが40μmとなるように、得られた樹脂組成物ワニスCを塗工した後、100℃のギアオーブン内で2分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、シート状の成形体A上に、厚さ38μmのシート状の成形体C’(一方の最外層を除く層)を形成し、厚さが40μmのシート状の成形体Bを得た。シート状の成形体Bは、シート状の成形体Aと、シート状の成形体C’とを有する。   Next, after coating the obtained resin composition varnish C on the obtained sheet-like molded product A so that the total thickness becomes 40 μm, it is dried in a gear oven at 100 ° C. for 2 minutes. The solvent was volatilized. In this manner, a sheet-shaped molded body C ′ (a layer excluding one outermost layer) having a thickness of 38 μm is formed on the sheet-shaped molded body A, and a sheet-shaped molded body B having a thickness of 40 μm is formed. Obtained. The sheet-shaped molded body B includes a sheet-shaped molded body A and a sheet-shaped molded body C ′.

[接着強度(ピール強度)]
銅張り積層板(厚さ150μmのガラスエポキシ基板と厚さ35μmの銅箔との積層体)を用意した。銅箔をエッチング処理し、L/Sが1mm/1mm及び長さが5cmである銅パターンを25本作製し、凹凸基板を得た。
[Adhesive strength (peel strength)]
A copper-clad laminate (a laminate of a 150 μm thick glass epoxy substrate and a 35 μm thick copper foil) was prepared. The copper foil was etched to produce 25 copper patterns having an L / S of 1 mm / 1 mm and a length of 5 cm to obtain an uneven substrate.

上記凹凸基板の両面を銅表面粗化剤(メック社製「メックエッチボンド CZ−8100」)に浸漬して、銅表面を粗化処理した。   Both surfaces of the concavo-convex substrate were immersed in a copper surface roughening agent (“MEC etch bond CZ-8100” manufactured by MEC) to roughen the copper surface.

得られたシート状の成形体Bを、シート状の成形体C’側から、凹凸基板の凹凸表面に重ねて、真空加圧式ラミネーター機(名機製作所社製「MVLP−500」)を用いて、ラミネート圧0.4MPa及びラミネート温度80℃で20秒間ラミネートし、更にプレス圧力1.0MPa及びプレス温度100℃で20秒間プレスした。このようにして、凹
凸基板上にシート状の成形体Bが積層されている積層体を得た。得られた積層体において、PETフィルムを剥がした後、シート状の成形体Bを150℃で60分間硬化させ、積層サンプルDを得た。
The obtained sheet-like molded body B is stacked on the uneven surface of the uneven substrate from the sheet-shaped molded body C ′ side, and a vacuum pressure laminator machine (“MVLP-500” manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) is used. The laminate was laminated at a lamination pressure of 0.4 MPa and a lamination temperature of 80 ° C. for 20 seconds, and further pressed at a press pressure of 1.0 MPa and a press temperature of 100 ° C. for 20 seconds. Thus, the laminated body by which the sheet-like molded object B was laminated | stacked on the uneven substrate was obtained. In the obtained laminated body, after peeling off the PET film, the sheet-like molded body B was cured at 150 ° C. for 60 minutes to obtain a laminated sample D.

次に、得られた積層サンプルDについて、以下の膨潤処理、粗化処理、無電解めっき処理を行った。   Next, the obtained laminated sample D was subjected to the following swelling treatment, roughening treatment, and electroless plating treatment.

膨潤処理:
60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップセキュリガントP」と和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」とを含む水溶液)に、上記積層サンプルDを入れて、膨潤温度60℃で20分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。
Swelling treatment:
The laminated sample D is put into a 60 ° C. swelling liquid (an aqueous solution containing “Swelling Dip Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) and “sodium hydroxide” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., and the swelling temperature is 60 ° C. Rocked for 20 minutes. Thereafter, it was washed with pure water.

粗化処理(過マンガン酸塩処理):
80℃の過マンガン酸ナトリウム粗化水溶液(アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトCP」、和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」)に、膨潤処理された上記積層サンプルを入れて、粗化温度80℃で20分間揺動させた。その後、40℃の洗浄液(アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントP」、和光純薬工業社製「硫酸」)により10分間洗浄した後、純水でさらに洗浄した。このようにして、エッチングにより内層回路を形成したガラスエポキシ基板上に、粗化処理された硬化物を形成した。
Roughening treatment (permanganate treatment):
Put the above laminated sample swollen into 80 ° C sodium permanganate roughening aqueous solution ("Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan, "Sodium hydroxide" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and roughening temperature Rocked at 80 ° C. for 20 minutes. Then, after washing | cleaning for 10 minutes with a 40 degreeC washing | cleaning liquid ("Reduction securigant P" by the Atotech Japan company, "Sulfuric acid" by Wako Pure Chemical Industries Ltd.), it wash | cleaned further with the pure water. In this way, a roughened cured product was formed on the glass epoxy substrate on which the inner layer circuit was formed by etching.

無電解めっき処理:
上記粗化処理された硬化物の表面を、60℃のアルカリクリーナ(アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント902」)で5分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、上記硬化物を25℃のプリディップ液(アトテックジャパン社製「プリディップネオガントB」)で2分間処理した。その後、上記硬化物を40℃のアクチベーター液(アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント834」)で5分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、30℃の還元液(アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントWA」)により、硬化物を5分間処理した。
Electroless plating treatment:
The surface of the roughened cured product was treated with a 60 ° C. alkali cleaner (“Cleaner Securigant 902” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes and degreased and washed. After washing, the cured product was treated with a 25 ° C. pre-dip solution (“Pre-Dip Neogant B” manufactured by Atotech Japan) for 2 minutes. Thereafter, the cured product was treated with an activator solution at 40 ° C. (“Activator Neo Gantt 834” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes to attach a palladium catalyst. Next, the cured product was treated with a reducing solution at 30 ° C. (“Reducer Neogant WA” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes.

次に、上記硬化物を化学銅液(全てアトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントMSK−DK」、「カッパープリントガントMSK」、「スタビライザープリントガントMSK」、「リデューサーCu」)に入れ、無電解めっきをめっき厚さが0.5μm程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、120℃の温度で30分間アニールをかけた。無電解めっきの工程までのすべての工程は、ビーカースケールで処理液を2Lとし、硬化物を揺動させながら実施した。   Next, the cured product is put into a chemical copper solution (all manufactured by Atotech Japan “Basic Print Gantt MSK-DK”, “Copper Print Gantt MSK”, “Stabilizer Print Gantt MSK”, “Reducer Cu”). Was carried out until the plating thickness reached about 0.5 μm. After the electroless plating, annealing was performed at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes in order to remove the remaining hydrogen gas. All the steps up to the electroless plating step were performed with a treatment liquid of 2 L on a beaker scale and while the cured product was swung.

次に、無電解めっき処理された硬化物に、電解めっきをめっき厚さが25μmとなるまで実施した。電解銅めっきとして硫酸銅溶液(和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド HL」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド GS」)を用いて、0.6A/cm2の電流を流しめっき厚さが25μm程度となるまで電解めっきを実施した。銅めっき処理後、硬化物を190℃で2時間加熱し、硬化物を更に硬化させた。このようにして、銅めっき層が上面に積層された硬化物を得た。   Next, electrolytic plating was performed on the cured product that had been subjected to electroless plating until the plating thickness reached 25 μm. As an electrolytic copper plating, a copper sulfate solution (“copper sulfate pentahydrate” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., “sulfuric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., “basic leveler kaparaside HL” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., “ Using the corrector Kaparaside GS "), electroplating was carried out at a current of 0.6 A / cm2 until the plating thickness was about 25 µm. After the copper plating treatment, the cured product was heated at 190 ° C. for 2 hours to further cure the cured product. Thus, the hardened | cured material with which the copper plating layer was laminated | stacked on the upper surface was obtained.

得られた銅めっき層が積層された硬化物において、銅めっき層の表面に、L/Sに対して垂直方向に10mm幅に切り欠きを入れた。その後、引張試験機(島津製作所社製「AG−5000B」)を用いて、測定長さ3cm、クロスヘッド速度5mm/分の条件で、硬化物と銅めっき層との接着強度(ピール強度)を測定した。   In the cured product obtained by laminating the obtained copper plating layer, the surface of the copper plating layer was cut into a width of 10 mm in a direction perpendicular to L / S. Then, using a tensile tester (“AG-5000B” manufactured by Shimadzu Corporation), the adhesive strength (peel strength) between the cured product and the copper plating layer was measured under the conditions of a measurement length of 3 cm and a crosshead speed of 5 mm / min. It was measured.

[接着強度の判定基準]
◎:測定領域3cm内の測定値の最小値が5.9N/cm以上
○:測定領域3cm内の測定値の最小値が4.9N/cm以上、5.9N/cm未満
×:測定領域3cm内の測定値の最小値が4.9N/cm未満
[Criteria for adhesive strength]
A: Minimum value of measurement value in measurement area 3 cm is 5.9 N / cm or more. O: Minimum value of measurement value in measurement area 3 cm is 4.9 N / cm or more and less than 5.9 N / cm. The minimum measured value is less than 4.9 N / cm

[平坦性測定]
Veeco社製「WYKO」を用いて、得られた積層サンプルDの硬化物の上面の凹凸の値を測定した。具体的には、凹凸の隣り合う凹部部分と凸部部分との高低差の最大値、凹凸の値として採用した。平坦性を下記の基準で判定した。
[Flatness measurement]
Using “WYKO” manufactured by Veeco, the unevenness value of the upper surface of the cured product of the obtained laminated sample D was measured. Specifically, it was adopted as the maximum value of the height difference between the concave and convex portions adjacent to the concave and convex portions and the value of the concave and convex portions. Flatness was determined according to the following criteria.

[平坦性の判定基準]
◎:凹凸の値が1.5μm以下
○:凹凸の値が1.5μmより大きく、2.0μm以下
×:凹凸の値が2.0μmを超える
[Criteria for flatness]
A: Uneven value is 1.5 μm or less. ○: Uneven value is larger than 1.5 μm and 2.0 μm or less. X: Uneven value exceeds 2.0 μm.

[動的粘弾性測定]
得られたシート状の成形体A、シート状の成形体CからPETフィルムを剥離し、Rheometer装置(TAインスツルメント社製「AR−2000」)を用いて、周波数6.28rad/sec、開始温度60℃、昇温速度5℃/分、歪み0.75%にて動的粘弾性を測定し、貯蔵弾性率G’を測定した。(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))(表では、G’差と記載)を求めた。
[Dynamic viscoelasticity measurement]
The PET film is peeled from the obtained sheet-like molded product A and sheet-like molded product C, and the frequency is 6.28 rad / sec, using a Rheometer device (“AR-2000” manufactured by TA Instruments). Dynamic viscoelasticity was measured at a temperature of 60 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a strain of 0.75%, and a storage elastic modulus G ′ was measured. (Log 10 at 100 ° C. (G ′ (B))) − (Log 10 at 100 ° C. (G ′ (A))) (denoted as G ′ difference in the table) was determined.

[平均線膨張率(CTE)]
得られたシート状の成形体Bを、PETフィルム上で150℃及び60分の硬化条件で硬化させ、更に190℃で2時間加熱した。その後、PETフィルムを剥離することにより、シート状の硬化物を得た。得られた硬化物を、3mm×25mmの大きさに裁断した。熱機械的分析装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「EXSTAR TMA/SS6100」)を用いて、引っ張り荷重33mN、昇温速度5℃/分の条件で、裁断された硬化物の25℃から150℃までの平均線膨張率(ppm/℃)を算出した。
[Average linear expansion coefficient (CTE)]
The obtained sheet-like molded body B was cured on a PET film under curing conditions of 150 ° C. and 60 minutes, and further heated at 190 ° C. for 2 hours. Thereafter, the PET film was peeled off to obtain a sheet-like cured product. The obtained cured product was cut into a size of 3 mm × 25 mm. Using a thermomechanical analyzer (“EXSTAR TMA / SS6100” manufactured by SII Nano Technology), the cured product cut at 25 ° C. to 150 ° C. under the conditions of a tensile load of 33 mN and a heating rate of 5 ° C./min. The average linear expansion coefficient (ppm / ° C.) was calculated.

(実施例2)
内層の形成方法を、以下の形成方法2に変更し、得られたシート状の成形体B’を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、サンプルを作製し、評価を行った。
(Example 2)
A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the inner layer forming method was changed to the following forming method 2 and the obtained sheet-like molded product B ′ was used.

内層の形成:形成方法2−ラミネートによる積層
アプリケーターを用いて、PETフィルム(厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂組成物ワニスCを塗工した後、100℃のギアオーブン内で20秒間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが38μmのシート状の成形体Cを得た。
Formation of inner layer: forming method 2-lamination by laminating After applying the resin composition varnish C obtained on the release-treated surface of a PET film (thickness 25 μm) using an applicator, in a gear oven at 100 ° C The solvent was evaporated after drying for 20 seconds. In this way, a sheet-like molded body C having a thickness of 38 μm was obtained on the PET film.

シート状の成形体Aとシート状の成形体Cとを、互いに塗工面が重なるように真空加圧式ラミネーター機(名機製作所社製「MVLP−500」)を用いて、ラミネート圧0.4MPa及びラミネート温度60℃で20秒間ラミネートのみを行い、シート状の成形体B’を得た。   Using a vacuum pressurization laminator machine (“MVLP-500” manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) so that the coated surfaces of the sheet-shaped molded body A and the sheet-shaped molded body C overlap each other, a laminating pressure of 0.4 MPa and Only lamination was performed at a lamination temperature of 60 ° C. for 20 seconds to obtain a sheet-like molded product B ′.

(実施例3〜7、9〜13及び比較例1〜3)
実施例1に対し、表1,2のように配合を変更した以外は、実施例1と同様にして、サンプルを作製し、評価を行った。
(Examples 3-7, 9-13 and Comparative Examples 1-3)
Samples were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the formulation was changed as shown in Tables 1 and 2 with respect to Example 1.

(実施例8)
最外層の形成:
実施例1で得られた樹脂組成物ワニスAに、球状シリカ2(アドマテックス社製「SO
C2」をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)で表面処理した球状シリカ)76.0重量部を混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂組成物ワニスBを得た。
(Example 8)
Formation of outermost layer:
The resin composition varnish A obtained in Example 1 was added to spherical silica 2 (“SOMAT” manufactured by Admatechs).
C2 "is mixed with 76.0 parts by weight of a silane coupling agent having a N-phenyl-3-aminopropyl group (spherical silica surface-treated with" KBM-573 "manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), The resin composition varnish B was obtained by stirring at room temperature.

アプリケーターを用いて、PETフィルム(厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂組成物ワニスBを塗工した後、100℃のギアオーブン内で20秒間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが2μmのシート状の成形体A(一方の最外層)を得た。   After applying the resin composition varnish B obtained on the release-treated surface of a PET film (thickness 25 μm) using an applicator, it was dried in a gear oven at 100 ° C. for 20 seconds to volatilize the solvent. In this way, a sheet-like molded product A (one outermost layer) having a thickness of 2 μm was obtained on the PET film.

内層1(中間層)の形成:
得られた樹脂組成物ワニスAに、球状シリカ1(アドマテックス社製「SOC4」をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)で表面処理した球状シリカ)186.0重量部を混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂組成物ワニスCを得た。
Formation of inner layer 1 (intermediate layer):
In the obtained resin composition varnish A, spherical silica 1 (“SOC4” manufactured by Admatechs Co., Ltd.) with a silane coupling agent having an N-phenyl-3-aminopropyl group (“KBM-573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (Surface-treated spherical silica) 186.0 parts by weight were mixed and stirred at room temperature until a uniform solution was obtained, to obtain a resin composition varnish C.

次に、得られたシート状の成形体Aの上に、全体厚みが20μmとなるように、得られた樹脂組成物ワニスCを塗工した後、100℃のギアオーブン内で1分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、シート状の成形体A上に、厚さ18μmのシート状の成形体C’(一方の最外層を除く中間層)を形成し、厚さが20μmのシート状の成形体Bを得た。シート状の成形体Bは、シート状の成形体Aと、シート状の成形体C’とを有する。   Next, the obtained resin composition varnish C is applied on the obtained sheet-like molded body A so that the total thickness becomes 20 μm, and then dried in a gear oven at 100 ° C. for 1 minute. The solvent was volatilized. In this way, a sheet-shaped molded body C ′ (intermediate layer excluding one outermost layer) having a thickness of 18 μm is formed on the sheet-shaped molded body A, and a sheet-shaped molded body B having a thickness of 20 μm. Got. The sheet-shaped molded body B includes a sheet-shaped molded body A and a sheet-shaped molded body C ′.

内層2(ラミネート後に内層になる層(ラミネート前には最外層))の形成:
得られた樹脂組成物ワニスAに、球状シリカ4(アドマテックス社製「SOC5」をN−フェニル−3−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−573」)で表面処理した球状シリカ)186.0重量部を混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂組成物ワニスDを得た。
Formation of inner layer 2 (layer that becomes inner layer after lamination (outermost layer before lamination)):
In the obtained resin composition varnish A, spherical silica 4 ("SOC5" manufactured by Admatechs Co., Ltd.) is added with a silane coupling agent having an N-phenyl-3-aminopropyl group ("KBM-573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). (Surface-treated spherical silica) 186.0 parts by weight was mixed and stirred at room temperature until a uniform solution was obtained, to obtain a resin composition varnish D.

次に、得られたシート状の成形体Bの上に、全体厚みが40μmとなるように、得られた樹脂組成物ワニスDを塗工した後、100℃のギアオーブン内で1分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、シート状の成形体B上に、厚さ20μmのシート状の成形体D’(一方の最外層と中間層とを除く層)を形成し、厚さが40μmのシート状の成形体B’を得た。シート状の成形体B’は、シート状の成形体Aと、シート状の成形体C’と、シート状の成形体D’とを有する。   Next, after applying the obtained resin composition varnish D on the obtained sheet-like molded body B so that the total thickness becomes 40 μm, the coating composition is dried in a gear oven at 100 ° C. for 1 minute. The solvent was volatilized. In this manner, a sheet-shaped molded body D ′ (a layer excluding one outermost layer and an intermediate layer) having a thickness of 20 μm is formed on the sheet-shaped molded body B, and a sheet-shaped molded body having a thickness of 40 μm is formed. A molded product B ′ was obtained. The sheet-shaped molded body B ′ includes a sheet-shaped molded body A, a sheet-shaped molded body C ′, and a sheet-shaped molded body D ′.

実施例8の動的粘弾性測定には、下記フィルムを用いた。   The following film was used for the dynamic viscoelasticity measurement of Example 8.

アプリケーターを用いて、PETフィルム(厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂組成物ワニスCを塗工した後、100℃のギアオーブン内で1分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが18μmのシート状の成形体Cを得た。その後、さらに得られたシート状の成形体Cの上に、樹脂組成物ワニスDを塗工した後、100℃のギアオーブン内で1分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして得られた、厚さが38μm(=2層で)のシート状の成形体を用いた。   After applying the resin composition varnish C obtained on the release-treated surface of the PET film (thickness 25 μm) using an applicator, it was dried in a gear oven at 100 ° C. for 1 minute to volatilize the solvent. In this way, a sheet-like molded body C having a thickness of 18 μm was obtained on the PET film. Thereafter, the resin composition varnish D was applied onto the obtained sheet-like molded body C, and then dried in a gear oven at 100 ° C. for 1 minute to volatilize the solvent. The sheet-like molded body having a thickness of 38 μm (= 2 layers) thus obtained was used.

上記以外は、実施例8における上記記載と同様にして、サンプルを作製し、評価を行った。   Samples were prepared and evaluated in the same manner as described above in Example 8 except for the above.

詳細及び結果を下記の表1,2に示す。   Details and results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 0006389782
Figure 0006389782

Figure 0006389782
Figure 0006389782

なお、実施例3〜5,9,12,13の接着強度の評価結果はいずれも「○」であるが、実施例5の接着強度の測定値の最小値は、実施例3,4,9,12,13の接着強度の測定値の最小値よりも小さかった。また、実施例3,4,9,12,13の接着強度の評価結果はいずれも「○」であるが、実施例9では、最外層に活性エステル化合物を用いているために実施例9の接着強度の測定値の最小値は、実施例3,4,12,13の接着強
度の測定値の最小値よりも小さかった。
In addition, although the evaluation results of the adhesive strengths of Examples 3 to 5, 9, 12, and 13 are all “◯”, the minimum value of the measured values of the adhesive strength of Example 5 is Examples 3, 4, and 9. , 12 and 13 are smaller than the minimum value of the measured values of the adhesive strength. Moreover, although the evaluation results of the adhesive strengths of Examples 3, 4, 9, 12, and 13 are all “◯”, in Example 9, since the active ester compound was used for the outermost layer, the results of Example 9 The minimum value of the measured value of the adhesive strength was smaller than the minimum value of the measured value of the adhesive strength of Examples 3, 4, 12, and 13.

なお、実施例4,5,7の平坦性の評価結果はいずれも「○」であるが、実施例7の平坦性の凹凸の値は、実施例4,5の平坦性の凹凸の値よりも大きかった。   The flatness evaluation results of Examples 4, 5, and 7 are all “◯”, but the flatness unevenness value of Example 7 is more than the flatness unevenness value of Examples 4 and 5. Was also big.

1…多層絶縁フィルム
2…第1の絶縁層(一方の最外層)
3…第2の絶縁層(一方の最外層を除く層)
11…多層基板
12…回路基板
12a…上面
13〜16…絶縁層
17…金属層(配線)
21…積層対象部材
21a…積層対象部材本体
21b…金属層
22…金属層

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Multilayer insulating film 2 ... 1st insulating layer (one outermost layer)
3 ... 2nd insulating layer (layer except one outermost layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Multilayer substrate 12 ... Circuit board 12a ... Upper surface 13-16 ... Insulating layer 17 ... Metal layer (wiring)
21 ... Lamination target member 21a ... Lamination target member body 21b ... Metal layer 22 ... Metal layer

Claims (8)

2層以上の絶縁層を備え、
一方の最外層が、熱硬化性成分を含み、かつ無機充填材を含まないか又は含み、
前記一方の最外層を除く層が、熱硬化性成分と無機充填材とを含み、
前記一方の最外層の無機充填材の含有量が、前記一方の最外層を除く層の無機充填材の含有量よりも少なく、
周波数6.28rad/secでの動的粘弾性測定を行った時に、前記一方の最外層の弾性率をG’(A)とし、前記一方の最外層を除く層の弾性率をG’(B)としたときに、(100℃におけるLog10(G’(B)))−(100℃におけるLog10(G’(A)))が0以上2以下である、多層絶縁フィルム。
Comprising two or more insulating layers,
One outermost layer includes a thermosetting component and does not include or includes an inorganic filler;
The layer excluding the one outermost layer includes a thermosetting component and an inorganic filler,
The content of the inorganic filler in the one outermost layer is less than the content of the inorganic filler in the layer excluding the one outermost layer,
When dynamic viscoelasticity measurement is performed at a frequency of 6.28 rad / sec, the elastic modulus of the one outermost layer is G ′ (A), and the elastic modulus of the layer excluding the one outermost layer is G ′ (B ), (Log 10 (G ′ (B)) at 100 ° C.) − (Log 10 (G ′ (A)) at 100 ° C.) is 0 or more and 2 or less.
凹部又は凸部を表面に有する積層対象部材の凹部又は凸部がある表面上に、前記一方の最外層側とは反対側から積層されて用いられる、請求項1に記載の多層絶縁フィルム。   The multilayer insulating film according to claim 1, wherein the multilayer insulating film is used by being laminated from a side opposite to the one outermost layer side on a surface having a concave portion or a convex portion of a lamination target member having a concave portion or a convex portion on the surface. 多層プリント配線基板において絶縁層を形成するために用いられる、請求項1又は2に記載の多層絶縁フィルム。   The multilayer insulation film of Claim 1 or 2 used in order to form an insulation layer in a multilayer printed wiring board. 前記一方の最外層を除く層の前記無機充填材の含有量が50重量%以上、85重量%以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の多層絶縁フィルム。   The multilayer insulating film according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the inorganic filler in a layer excluding the one outermost layer is 50 wt% or more and 85 wt% or less. 前記一方の最外層を除く層に含まれる無機充填材の平均粒径が100nm以上、5μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の多層絶縁フィルム。   The multilayer insulation film of any one of Claims 1-4 whose average particle diameter of the inorganic filler contained in the layer except said one outermost layer is 100 nm or more and 5 micrometers or less. 前記100℃における弾性率G’(B)が10Pa以上、1000Pa以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の多層絶縁フィルム。   The multilayer insulating film according to claim 1, wherein the elastic modulus G ′ (B) at 100 ° C. is 10 Pa or more and 1000 Pa or less. 凹部又は凸部を表面に有する回路基板の凹部又は凸部がある表面上に、請求項1〜6のいずれか1項に記載の多層絶縁フィルムを前記一方の最外層側とは反対側からラミネートする工程と、
前記回路基板上に積層された前記多層絶縁フィルムを、前記回路基板側とは反対の表面側からプレスする工程と、
前記多層絶縁フィルムの前記回路基板側とは反対の表面上に、金属層を配置する工程と、
前記金属層を配置した後に、前記多層絶縁フィルムを熱硬化させる工程とを備える、多層基板の製造方法。
The multilayer insulating film according to any one of claims 1 to 6 is laminated from the side opposite to the one of the outermost layers on the surface of the circuit board having a recess or protrusion on the surface. And a process of
Pressing the multilayer insulating film laminated on the circuit board from the surface side opposite to the circuit board side;
Disposing a metal layer on the surface of the multilayer insulating film opposite to the circuit board side;
And a step of thermally curing the multilayer insulating film after disposing the metal layer.
凹部又は凸部を表面に有する回路基板と、
前記回路基板の凹部又は凸部がある表面上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の前記回路基板側とは反対の表面上に配置された金属層とを備え、
前記絶縁層が、凹部又は凸部を表面に有する回路基板の凹部又は凸部がある表面上に、請求項1〜6のいずれか1項に記載の多層絶縁フィルムを前記一方の最外層側とは反対側からラミネートし、前記回路基板上に積層された前記多層絶縁フィルムを、前記回路基板側とは反対の表面側からプレスし、前記多層絶縁フィルムの前記回路基板側とは反対の表面上に、金属層を配置し、前記多層絶縁フィルムを熱硬化させることにより形成されている、多層基板。

A circuit board having concave or convex portions on the surface;
An insulating layer disposed on the surface of the circuit board having a concave or convex portion, and
A metal layer disposed on a surface opposite to the circuit board side of the insulating layer,
The multilayer insulating film according to any one of claims 1 to 6, wherein the insulating layer has a concave portion or a convex portion on a surface of the circuit board having a concave portion or a convex portion on the surface. Is laminated from the opposite side, the multilayer insulating film laminated on the circuit board is pressed from the surface side opposite to the circuit board side, and the multilayer insulating film is on the surface opposite to the circuit board side. A multilayer substrate, which is formed by disposing a metal layer and thermally curing the multilayer insulating film.

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