JP6368000B1 - Photomask, photomask blank, and photomask manufacturing method - Google Patents

Photomask, photomask blank, and photomask manufacturing method Download PDF

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Abstract

【課題】パターンの微細化と多階調とを両立できるハーフトーンマスクを提供する。
【解決手段】
透明基板上に、位相シフト膜及び半透過膜の積層領域と、上記積層領域より露光光の光透過率が高い半透過膜からなる半透過領域とを備え、上記積層領域は、上記半透過領域及び／又は透明基板が露出する透明領域と接する境界部を有し、上記位相シフト膜は露光光の位相をシフトさせ、また、上記積層領域の露光光に対する光透過率は、１〜８％である。上記境界部において、露光光の強度分布が急峻に変化し、露光されたフォトレジストパターンの断面形状を改善することができる。
【選択図】 図３A halftone mask capable of achieving both a fine pattern and multiple gradations is provided.
[Solution]
On a transparent substrate, a laminated region of a phase shift film and a semi-transmissive film, and a semi-transmissive region made of a semi-transmissive film having a higher light transmittance of exposure light than the laminated region, the laminated region is the semi-transmissive region And / or a boundary portion in contact with the transparent region where the transparent substrate is exposed, the phase shift film shifts the phase of the exposure light, and the light transmittance of the laminated region with respect to the exposure light is 1 to 8%. is there. At the boundary, the intensity distribution of exposure light changes sharply, and the cross-sectional shape of the exposed photoresist pattern can be improved.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等に使用される多階調のハーフトーンマスクの機能を有するフォトマスク及びフォトマスクブランクス並びにフォトマスクの製造方法に関する。   The present invention relates to a photomask having a function of a multi-tone halftone mask used for a flat panel display or the like, a photomask blank, and a photomask manufacturing method.

フラットパネルディスプレイ等の技術分野においては、半透過膜の光透過率で露光量を制限するという機能を備えた、ハーフトーンマスクと呼ばれる多階調のフォトマスクが使用されている。
ハーフトーンマスクは、透明基板と遮光膜と、それらの中間の光透過率を有する半透過膜とにより、３階調又はそれ以上の多階調のフォトマスクを実現することができる。 In a technical field such as a flat panel display, a multi-tone photomask called a halftone mask having a function of limiting an exposure amount by the light transmittance of a semi-transmissive film is used.
The halftone mask can realize a multi-tone photomask having three or more gradations by using a transparent substrate, a light-shielding film, and a semi-transmissive film having an intermediate light transmittance.

特許文献１には、透明基板に遮光膜を形成したフォトマスクブランクスを加工し、遮光膜のパターンを形成後、半透過膜を形成し、遮光膜と半透過膜とをパターニングすることにより、ハーフトーンマスクを形成する方法が開示されている。   In Patent Document 1, a photomask blank having a light-shielding film formed on a transparent substrate is processed, a pattern of the light-shielding film is formed, a semi-transmissive film is formed, and the light-shielding film and the semi-transmissive film are patterned. A method for forming a tone mask is disclosed.

このようなハーフトーンマスクは、例えばフラットパネルディスプレイの製造工程において、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のチャネル領域及びソース／ドレイン電極形成領域で、それぞれ膜厚の異なるフォトレジストパターンを１回の露光工程で形成することによりリソグラフィー工程を削減するために用いられることがある。   In such a halftone mask, for example, in a flat panel display manufacturing process, photoresist patterns having different film thicknesses are formed in a single exposure process in a TFT (thin film transistor) channel region and a source / drain electrode formation region. This may be used to reduce the lithography process.

その一方で、フラットパネルディスプレイの高画質化のため、配線パターンの微細化の要望が、ますます強くなってきている。プロジェクション露光機で、解像限界に近いパターンを露光しようとする場合、露光マージンを確保するため、遮光領域のエッジ部に位相を反転させる位相シフタを設けた位相シフトマスクが特許文献２に開示されている。   On the other hand, in order to improve the image quality of flat panel displays, there is an increasing demand for finer wiring patterns. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228688 discloses a phase shift mask provided with a phase shifter that inverts the phase at the edge portion of the light shielding region in order to secure an exposure margin when a projection exposure machine tries to expose a pattern close to the resolution limit. ing.

特開２００５−２５７７１２JP 2005-257712 A 特開２０１１−１３２８３JP2011-13283A

ハーフトーンマスクにおいては、半透過膜と遮光膜との境界部分での露光光強度の変化が比較的緩やかであり、ハーフトーンマスクを用いて露光したフォトレジストは、このような境界部分での断面形状が緩やかな傾斜を示し、プロセスマージンが低下し、その結果、微細なパターンを形成することが困難である。   In the halftone mask, the change in exposure light intensity at the boundary between the semi-transmissive film and the light-shielding film is relatively gradual, and the photoresist exposed using the halftone mask has a cross section at such a boundary. The shape shows a gentle inclination, and the process margin is lowered. As a result, it is difficult to form a fine pattern.

位相シフトマスクを使用することにより解像度を向上させ、パターンの更なる微細化は可能となるが、ハーフトーンマスクの様なリソグラフィー工程の削減は不可能である。そのため、フラットパネルディスプレイの製造に使用した場合、製造コストの低減に寄与することができない。   By using a phase shift mask, the resolution can be improved and the pattern can be further miniaturized. However, it is impossible to reduce the lithography process like a halftone mask. Therefore, when it is used for manufacturing a flat panel display, it cannot contribute to a reduction in manufacturing cost.

ハーフトーンマスクと異なる方式である微細パターンタイプのグレートーンマスクは、遮光部と半透過部との間で比較的急峻な露光光強度分布を得ることができるものの、焦点深度が浅くなるという問題がある。   The fine pattern type gray-tone mask, which is different from the half-tone mask, can obtain a relatively steep exposure light intensity distribution between the light-shielding part and the semi-transmissive part, but has a problem that the depth of focus becomes shallow. is there.

このように従来のフォトマスクでは、フラットパネルディスプレイ等の製造コストの低減と解像度の問題を両立させることは不可能であった。   Thus, with the conventional photomask, it has been impossible to achieve both a reduction in manufacturing cost of a flat panel display or the like and a resolution problem.

上記課題を鑑み、本発明は、リソグラフィー工程の削減とパターンの更なる微細化を両立することができるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above-described problems, an object of the present invention is to provide a photomask and a method for manufacturing the same that can achieve both reduction of the lithography process and further miniaturization of the pattern.

本発明に係るフォトマスクは、
透明基板上に半透過膜からなる半透過領域と、前記透明基板側から順に露光光の位相を反転させる位相シフト膜及び前記半透過膜の積層領域と、前記透明基板が露出する透明領域とを備え、
前記積層領域は、前記半透過領域と接する境界部、若しくは前記透明領域と接する境界部、又は前記半透過領域と接する境界部及び前記透明領域と接する境界部を有し、
前記半透過領域の露光光に対する光透過率は、前記積層領域の露光光に対する光透過率より大きく前記透明基板の露光光に対する光透過率より小さい
ことを特徴とする。 The photomask according to the present invention is
A semi-transmissive region composed of a semi-transmissive film on a transparent substrate, a phase shift film for reversing the phase of exposure light in order from the transparent substrate side, a laminated region of the semi-transmissive film, and a transparent region where the transparent substrate is exposed. Prepared,
The laminated region has a boundary portion in contact with the semi-transmissive region, or a boundary portion in contact with the transparent region, or a boundary portion in contact with the semi-transmissive region and a boundary portion in contact with the transparent region,
The light transmittance of the semi-transmissive region with respect to the exposure light is greater than the light transmittance of the laminated region with respect to the exposure light, and is smaller than the light transmittance with respect to the exposure light of the transparent substrate.

また、本発明に係るフォトマスクは、
前記積層領域の露光光に対する光透過率が１％〜８％である
ことを特徴とする。 The photomask according to the present invention is
The light transmittance of the laminated region with respect to exposure light is 1% to 8%.

このようなフォトマスクの構成とすることにより、半透過膜からなる半透過領域と半透過膜及び位相シフト膜が積層した領域（積層領域）との境界部において、急峻に変化する露光光の強度分布を得ることができる。その結果、フォトマスクを用いた１回の露光により得られたフォトレジストは、光透過率の異なるそれぞれの領域に対応して、膜厚が異なるフォトレジストを同時に形成できるとともに、異なる膜厚のフォトレジストの境界部において、膜厚変化が急峻になり、断面形状の矩形性が向上する。   By adopting such a photomask configuration, the intensity of exposure light that changes sharply at the boundary between a semi-transmissive region made of a semi-transmissive film and a region where the semi-transmissive film and the phase shift film are laminated (laminated region). Distribution can be obtained. As a result, the photoresist obtained by one-time exposure using the photomask can simultaneously form photoresists having different film thicknesses corresponding to the respective regions having different light transmittances, and the photomasks having different film thicknesses. At the boundary portion of the resist, the film thickness changes sharply, and the rectangular shape of the cross-sectional shape is improved.

また、本発明に係るフォトマスクは、
前記半透過膜の位相シフト角は、０．１度以上２０度以下である
ことを特徴とする。 The photomask according to the present invention is
The phase shift angle of the semi-transmissive film is 0.1 degrees or more and 20 degrees or less.

このようなフォトマスクの構成とすることにより、積層領域と透明領域との間の露光光の位相差が略１８０度となり、フォトマスクを用いた露光により得られたフォトレジストの断面形状は、積層領域と透明領域との境界部に相当する箇所において、急峻に変化し良好な矩形性を得ることができる。   By adopting such a photomask structure, the phase difference of the exposure light between the laminated region and the transparent region becomes approximately 180 degrees, and the cross-sectional shape of the photoresist obtained by the exposure using the photomask is laminated. In a portion corresponding to the boundary portion between the region and the transparent region, it changes sharply and a good rectangularity can be obtained.

本発明に係るフォトマスクは、
前記積層領域が前記透明領域と接する境界部において、前記積層領域における位相シフト膜の側壁の少なくとも一部が、前記半透過膜で覆われていることを特徴とする。 The photomask according to the present invention is
At the boundary where the laminated region is in contact with the transparent region, at least a part of the side wall of the phase shift film in the laminated region is covered with the semi-transmissive film.

このようなフォトマスクの構成とすることにより、積層領域をパターニングする際に、サイドエッチングにより、積層領域において半透過膜の端部が位相シフト膜の端部より後退することを防止することができる。その結果、前記積層領域が前記透明領域と接する境界部において所望の光学特性を得ることができ、良好なフォトレジストの断面形状を実現することができる。   With such a photomask structure, when patterning the stacked region, side etching can prevent the end of the semi-transmissive film from retreating from the end of the phase shift film in the stacked region. . As a result, desired optical characteristics can be obtained at the boundary where the laminated region is in contact with the transparent region, and a favorable cross-sectional shape of the photoresist can be realized.

本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
透明基板上に位相シフト膜を形成する工程と、
前記位相シフト膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクに前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させ前記位相シフト膜のパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜上に第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストパターンをマスクに前記半透過膜及び前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させた透明領域、前記半透過膜のパターン並びに前記位相シフト膜及び前記半透過膜の積層パターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程とを含み、
前記第２のフォトレジストパターンの端部は、前記積層領域となる部分と前記透明領域となる部分が隣接する領域において、前記位相シフト膜のパターンの端部から前記積層領域となる側に所定の距離だけ後退していることを特徴とする。 A photomask manufacturing method according to the present invention includes:
Forming a phase shift film on the transparent substrate;
Forming a first photoresist on the phase shift film;
Forming a first photoresist pattern by exposing and patterning the first photoresist with a drawing apparatus; and
Etching the phase shift film using the first photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate to form a pattern of the phase shift film;
Removing the first photoresist;
Forming a semipermeable membrane;
Forming a second photoresist on the semi-transmissive film;
Exposing the second photoresist with a drawing apparatus and patterning to form a second photoresist pattern;
Etching the semi-transmissive film and the phase shift film using the second photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate, the pattern of the semi-transmissive film, and the phase shift film and the semi-transmissive film Forming a laminated pattern; and
Removing the second photoresist.
The end portion of the second photoresist pattern has a predetermined distance from the end portion of the pattern of the phase shift film to the side that becomes the laminated region in a region where the portion that becomes the laminated region and the portion that becomes the transparent region are adjacent to each other. It is characterized by receding by a distance.

また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
前記所定の距離は、前記第２のフォトレジストを露光する描画装置の重ね合わせ誤差以上であることを特徴とする。 In addition, the photomask manufacturing method according to the present invention includes:
The predetermined distance is greater than or equal to an overlay error of a drawing apparatus that exposes the second photoresist.

このようなフォトマスクの製造方法により、位相シフト膜及び半透過膜の積層パターンと半透過膜のパターンとを形成し、さらに上記積層パターンと半透過膜からなるパターンとが境界部で接するパターンを容易に形成することができる。
また、積層パターンの透明領域（透明基板が露出する領域）側の端部において、位相シフト膜の端部と半透過膜の端部の位置を一致させることができる。そのため、積層パターンは、透明領域と接する端部においても、位相シフト膜と半透過膜とが積層された構造を維持し、積層された膜としての光学特性を有する。 By such a photomask manufacturing method, a laminated pattern of a phase shift film and a semi-transmissive film and a semi-transmissive film pattern are formed, and a pattern in which the laminated pattern and the pattern made of the semi-transmissive film are in contact with each other at a boundary portion is formed. It can be formed easily.
In addition, at the end of the laminated pattern on the transparent region (region where the transparent substrate is exposed) side, the position of the end of the phase shift film and the end of the semi-transmissive film can be matched. For this reason, the laminated pattern maintains the structure in which the phase shift film and the semi-transmissive film are laminated even at the end in contact with the transparent region, and has optical characteristics as a laminated film.

本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
透明基板上に位相シフト膜を形成する工程と、
前記位相シフト膜上に第３のフォトレジストを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第３のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストパターンをマスクに前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させ前記位相シフト膜のパターンを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストを除去する工程と、
半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜上に第４のフォトレジストを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第４のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストパターンをマスクに前記半透過膜及び前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させた透明領域、前記半透過膜のパターン並びに前記位相シフト膜及び前記半透過膜の積層パターンを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストを除去する工程とを含み、
前記第３のフォトレジストパターンは、前記半透過膜のパターンを形成する領域に開口部を有することを特徴とする。 A photomask manufacturing method according to the present invention includes:
Forming a phase shift film on the transparent substrate;
Forming a third photoresist on the phase shift film;
Forming a third photoresist pattern by exposing and patterning the third photoresist with a drawing apparatus; and
Etching the phase shift film using the third photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate to form a pattern of the phase shift film;
Removing the third photoresist;
Forming a semipermeable membrane;
Forming a fourth photoresist on the semi-transmissive film;
Forming a fourth photoresist pattern by exposing and patterning the fourth photoresist with a drawing apparatus; and
Etching the semi-transmissive film and the phase shift film using the fourth photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate, the pattern of the semi-transmissive film, and the phase shift film and the semi-transmissive film Forming a laminated pattern; and
Removing the fourth photoresist;
The third photoresist pattern has an opening in a region where the pattern of the semi-transmissive film is formed.

このようなフォトマスクの製造方法により、積層パターンと半透過膜のパターンとが境界部で接するパターンを形成するための、第３のフォトレジストパターンの設計上の制約が緩和され、フォトマスクの製造が容易になる。   By such a photomask manufacturing method, the restrictions on the design of the third photoresist pattern for forming a pattern in which the laminated pattern and the semi-transmissive film pattern are in contact with each other at the boundary are alleviated, and the photomask is manufactured. Becomes easier.

また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
透明基板上に位相シフト膜を形成する工程と、
前記位相シフト膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクに前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させ前記位相シフト膜のパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜上に第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストパターンをマスクに前記半透過膜を、エッチングし、前記透明基板を露出させた透明領域、前記半透過膜のパターン並びに前記位相シフト膜及び前記半透過膜の積層パターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程とを含み、
前記第２のフォトレジストパターンの端部は、前記積層領域となる部分と前記透明領域となる部分が隣接する領域において、前記位相シフト膜のパターンの端部から前記透明領域となる側に所定の距離だけ突出していることを特徴とする。 In addition, the photomask manufacturing method according to the present invention includes:
Forming a phase shift film on the transparent substrate;
Forming a first photoresist on the phase shift film;
Forming a first photoresist pattern by exposing and patterning the first photoresist with a drawing apparatus; and
Etching the phase shift film using the first photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate to form a pattern of the phase shift film;
Removing the first photoresist;
Forming a semipermeable membrane;
Forming a second photoresist on the semi-transmissive film;
Exposing the second photoresist with a drawing apparatus and patterning to form a second photoresist pattern;
Etching the semi-transmissive film using the second photoresist pattern as a mask to form a transparent region exposing the transparent substrate, a pattern of the semi-transmissive film, and a laminated pattern of the phase shift film and the semi-transmissive film And a process of
Removing the second photoresist.
The end portion of the second photoresist pattern is a predetermined region from the end portion of the pattern of the phase shift film to the side that becomes the transparent region in a region where the portion that becomes the laminated region and the portion that becomes the transparent region are adjacent to each other. It is characterized by protruding by a distance.

また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
前記所定の距離は、半透過膜のサイドエッチング量及び前記第２のフォトレジストを露光する描画装置の重ね合わせ誤差のいずれよりも大きいことを特徴とする。 In addition, the photomask manufacturing method according to the present invention includes:
The predetermined distance is larger than both the side etching amount of the semi-transmissive film and the overlay error of the drawing apparatus that exposes the second photoresist.

このようなフォトマスクの製造方法により、ウェットエッチングのような等方エッチングにより半透過膜をエッチングした場合でも、積層領域の端部において、半透過膜の端部が位相シフト膜の端部に対して後退することを防止することができる。   Even when the transflective film is etched by isotropic etching such as wet etching, the end of the transflective film is at the end of the laminated region with respect to the end of the phase shift film. Can be prevented from retreating.

本発明にかかるフォトマスクブランクスは、
透明基板上に、露光光の位相を反転させる特性を有する位相シフト膜が形成されている
ことを特徴とする。 The photomask blanks according to the present invention are
A phase shift film having a characteristic of inverting the phase of exposure light is formed on a transparent substrate.

透明基板上に、予め露光光の位相を反転させる特性を有する位相シフト膜を備えたフォトマスクブランクスを用いることにより、フォトマスクの製造納期及びコストの低減が可能になる。   By using a photomask blank provided with a phase shift film having a characteristic of reversing the phase of exposure light on a transparent substrate in advance, it is possible to reduce the production time and cost of the photomask.

本発明によれば、ハーフトーン効果と位相シフト効果を両立し得るフォトマスクを実現することができ、パターンの微細化とリソグラフィーの工数削減に寄与することができる。   According to the present invention, a photomask capable of achieving both a halftone effect and a phase shift effect can be realized, which can contribute to pattern miniaturization and reduction in the number of lithography processes.

本発明の実施形態１によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the main manufacturing processes of the photomask by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the main manufacturing processes of the photomask by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the main manufacturing processes of the photomask by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態２によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the main manufacturing processes of the photomask by Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態２によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the main manufacturing processes of the photomask by Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態３によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the main manufacturing processes of the photomask by Embodiment 3 of this invention.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は、いずれも本発明の要旨の認定において限定的な解釈を与えるものではない。また、同一又は同種の部材については同じ参照符号を付して、説明を省略することがある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, none of the following embodiments gives a limited interpretation in the recognition of the gist of the present invention. The same or similar members are denoted by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.

（実施形態１）
以下、本発明に係るフォトマスクの実施形態１の主要な製造工程を説明する。 (Embodiment 1)
Hereinafter, main manufacturing steps of the first embodiment of the photomask according to the present invention will be described.

図１（ａ）に示すように、合成石英ガラス等の透明基板１１上に位相シフト膜１２、例えば、膜厚が１２０ｎｍのクロム（Ｃｒ）酸化膜を、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したフォトマスクブランクス１０を準備する。
なお、予め上記フォトマスクブランクス１０を準備しておくことで、フォトマスクの製造工期を短縮することもできる。 As shown in FIG. 1A, a phase shift film 12, for example, a chromium (Cr) oxide film having a film thickness of 120 nm is formed on a transparent substrate 11 such as synthetic quartz glass by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like. The formed photomask blanks 10 are prepared.
Note that the photomask manufacturing period can be shortened by preparing the photomask blanks 10 in advance.

位相シフト膜１２は、露光光の位相をシフトする機能を有し、単独膜により露光光の位相が反転する（すなわち位相シフト角が略１８０度）である性質を有する。位相シフト膜１２の光透過率は、後述する半透過膜１４との積層領域の露光光に対する光透過率が１〜８％、より好ましくは４〜７％となるような光学的特性を有するものがよい。   The phase shift film 12 has a function of shifting the phase of the exposure light, and has a property that the phase of the exposure light is inverted by a single film (that is, the phase shift angle is approximately 180 degrees). The light transmittance of the phase shift film 12 has such an optical characteristic that the light transmittance with respect to the exposure light in the laminated region with the semi-transmissive film 14 to be described later is 1 to 8%, more preferably 4 to 7%. Is good.

他方、半透過膜の光透過率は、このフォトマスクを用いて投影露光装置によりＦＰＤパネル上のフォトレジスト膜等に転写露光したときに、半透過領域パターンが転写された部分における現像後の残膜厚が所望の値となるように設定される。具体的には、半透過膜の光透過率は２０〜６０％の範囲内で設定されることが多い。このため、例えば、半透過膜の光透過率が約５０％である場合には、位相シフト膜単独膜としての光透過率は例えば７〜１５％程度に設定する。こうすることによって、積層領域の光透過率を１〜８％の範囲（好ましくは４〜７％）にすることができる。   On the other hand, the light transmittance of the semi-transmissive film is determined by the residual after development in the portion where the semi-transmissive area pattern is transferred when the projection exposure apparatus is used to transfer and expose the photoresist film on the FPD panel using this photomask. The film thickness is set to a desired value. Specifically, the light transmittance of the semi-transmissive film is often set within a range of 20 to 60%. Therefore, for example, when the light transmittance of the semi-transmissive film is about 50%, the light transmittance as the phase shift film alone film is set to about 7 to 15%, for example. By doing so, the light transmittance of the laminated region can be in the range of 1 to 8% (preferably 4 to 7%).

積層領域の光透過率を上記のような範囲に設定する主な理由は、位相シフト部を通過した露光光と、位相シフト部に隣接するその他の部分（すなわち半透過領域又は透明領域）を透過した露光光との相互作用である位相シフト効果を十分に発揮させることにより、境界部のレジスト形状の矩形性を向上させるという目的と、位相シフト部の隣接部でない部分（すなわち図３におけるＮやＬやＫの中央部）を透過する露光光の光量を抑えて、現像後のレジスト膜等の膜厚を確保してエッチング工程に耐える目的とを、両立させるためである。光透過率が低すぎると位相シフト効果が十分に発揮されず、逆に光透過率が高すぎると露光光の光量を抑えることができず現像後のレジスト膜等の膜厚を確保できない。   The main reason for setting the light transmittance of the laminated region in the above range is to transmit the exposure light that has passed through the phase shift portion and other portions adjacent to the phase shift portion (that is, a semi-transmissive region or a transparent region). The effect of improving the rectangularity of the resist shape at the boundary by fully exhibiting the phase shift effect that is the interaction with the exposure light, and the portion that is not adjacent to the phase shift portion (that is, N and N in FIG. 3) This is to reduce the amount of exposure light transmitted through the central portion of L and K), and to ensure the film thickness of a resist film after development and to withstand the etching process. If the light transmittance is too low, the phase shift effect is not sufficiently exhibited. Conversely, if the light transmittance is too high, the amount of exposure light cannot be suppressed, and the film thickness of the resist film after development cannot be secured.

例えば、クロム酸化膜を使用し、その組成及び膜厚を調整することで所定の光学特性を有する位相シフト膜１２を得ることができる。なお、位相シフト膜にクロム酸化膜を用いた場合、露光光の位相が反転する条件のもとで光透過率を調整できる範囲には限りがある。上述のとおり半透過膜の光透過率が約２０％である場合、位相シフト膜の光透過率を約２０〜４０％に設定する必要があるが、クロム酸化膜でこれを実現することは非現実的である。   For example, the phase shift film 12 having predetermined optical characteristics can be obtained by using a chromium oxide film and adjusting the composition and film thickness. When a chromium oxide film is used as the phase shift film, the range in which the light transmittance can be adjusted under the condition that the phase of the exposure light is reversed is limited. As described above, when the light transmittance of the semi-transmissive film is about 20%, it is necessary to set the light transmittance of the phase shift film to about 20 to 40%. However, it is not possible to realize this with the chromium oxide film. Realistic.

このような場合、クロム酸化膜よりも高い光透過率を有する膜を位相シフト膜として使用することもできる。例えば、二酸化ケイ素、フッ化マグネシウム、アルミナ（酸化アルミニウム）、チタニア（酸化チタン）、ジルコニア（酸化ジルコニア）、酸化タンタルなどが一例として挙げられる。これらは高い光透過率であることに加えて耐久性にも優れており、反射防止膜などにしばしば用いられる。また、代表的な透明導電膜の材料として、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＩ）、ニオブドープ酸化チタン（ＮＴＯ）などが挙げられる。   In such a case, a film having a higher light transmittance than the chromium oxide film can be used as the phase shift film. Examples thereof include silicon dioxide, magnesium fluoride, alumina (aluminum oxide), titania (titanium oxide), zirconia (zirconia oxide), and tantalum oxide. These have high durability in addition to high light transmittance, and are often used for antireflection films. Typical transparent conductive film materials include tin-doped indium oxide (ITO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), antimony-doped tin oxide (ATI), and niobium-doped titanium oxide (NTO).

位相シフト膜のその他の可能性としては、クロム酸窒化膜、膜厚方向に対して組成が変化する膜、組成が異なる膜を積層した膜を使用することができるが、これらに限定するものではない。   Other possibilities for the phase shift film include a chromic oxynitride film, a film whose composition changes in the film thickness direction, and a film in which films having different compositions are laminated, but is not limited thereto. Absent.

なお、光透過率、位相シフト角の値を決定する露光光とは、製品を製造するリソグラフィー工程で、フォトマスクを用いてフォトレジストを露光するための露光光を意味する。   The exposure light that determines the values of light transmittance and phase shift angle means exposure light for exposing a photoresist using a photomask in a lithography process for manufacturing a product.

その後、図１（ｂ）に示すように、位相シフト膜１２上に第１のフォトレジスト１３を塗布法等により形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 1B, a first photoresist 13 is formed on the phase shift film 12 by a coating method or the like.

その後、図１（ｃ）に示すように、第１のフォトレジスト１３を、例えばフォトマスク描画装置により露光し、その後現像することによりパターニングし、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 1C, the first photoresist 13 is exposed by, for example, a photomask drawing apparatus, and then developed to be patterned to form first photoresist patterns 13a, 13b, and 13c. To do.

その後、図１（ｄ）に示すように、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃをマスクに、位相シフト膜１２をエッチングし、位相シフト膜のパターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃを形成し、その後、アッシング等により第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃを除去する。
位相シフト膜１２のエッチング法は、ウェットエッチング法でもドライエッチング法でもよいが、製造コストの観点においてウェットエッチング法が好適に使用できる。
位相シフト膜１２としてクロム酸化膜等のクロム系膜を用いた場合、セリウム系のエッチング液、例えば硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液を好適に使用することができるが、これに限定するものではない。 Thereafter, as shown in FIG. 1D, the phase shift film 12 is etched using the first photoresist patterns 13a, 13b, and 13c as masks to form phase shift film patterns 12a, 12b, and 12c. The first photoresist patterns 13a, 13b and 13c are removed by ashing or the like.
The etching method of the phase shift film 12 may be a wet etching method or a dry etching method, but the wet etching method can be suitably used from the viewpoint of manufacturing cost.
When a chromium-based film such as a chromium oxide film is used as the phase shift film 12, a cerium-based etching solution, for example, a ceric ammonium nitrate aqueous solution can be preferably used, but is not limited thereto.

その後、図２（ａ）に示すように、半透過膜１４を、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成し、さらに半透過膜１４上に第２のフォトレジスト１５を塗布法等により形成する。
半透過膜１４の光透過率は、露光光に対して１０〜７０％になるよう設定する。また、半透過膜１４の位相シフト角は、例えば０．１度から８０度であるが、好適には１８０度と比較して十分に小さい値、例えば０．１度から２０度に設定する。 Thereafter, as shown in FIG. 2A, a semi-transmissive film 14 is formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like, and a second photoresist 15 is formed on the semi-transmissive film 14 by coating or the like. To do.
The light transmittance of the semi-transmissive film 14 is set to be 10 to 70% with respect to the exposure light. Further, the phase shift angle of the semi-transmissive film 14 is, for example, 0.1 to 80 degrees, but is preferably set to a sufficiently small value, for example, 0.1 to 20 degrees compared to 180 degrees.

半透過膜１４として、例えば膜厚４ｎｍのＣｒ（クロム）膜とすることで、光透過率が５０％で、位相シフト角が１．５度と小さい値を得ることができる。この場合、光透過率の露光光に対する変化を、ｇ線、ｈ線、ｉ線の露光光に対して２％以内に収めることができる。すなわち、露光光の波長依存性を小さくすることができるため、本実施形態で得られるフォトマスクを使用し、露光光としてｇ線、ｈ線、ｉ線の混合波長を採用した場合においても、安定した広範囲の露光条件を得ることができる。
さらに位相シフト角が、１８０度に比較して非常に小さいため、後述する位相シフト膜１２及び半透過膜１４が積層する領域の位相シフト角は、実質的に位相シフト膜１２のみの位相シフト角で決定される。その結果、半透過膜１４の位相シフト角を考慮することなく、位相シフト膜１２の材料及び膜厚を容易に設定することができる。 As the semi-transmissive film 14, for example, a Cr (chromium) film having a film thickness of 4 nm can be used to obtain a light transmittance of 50% and a phase shift angle as small as 1.5 degrees. In this case, the change of the light transmittance with respect to the exposure light can be kept within 2% with respect to the exposure light of g-line, h-line, and i-line. That is, since the wavelength dependence of exposure light can be reduced, even when a photomask obtained in this embodiment is used and a mixed wavelength of g-line, h-line, and i-line is used as exposure light, it is stable. A wide range of exposure conditions can be obtained.
Further, since the phase shift angle is very small compared to 180 degrees, the phase shift angle of the region where the phase shift film 12 and the semi-transmissive film 14 described later are laminated is substantially the phase shift angle of only the phase shift film 12. Determined by As a result, the material and film thickness of the phase shift film 12 can be easily set without considering the phase shift angle of the semi-transmissive film 14.

このように、半透過膜１４として、Ｃｒ薄膜（膜厚０．５〜５０ｎｍ）を採用することで、光透過率の露光光に対する変化を、ｇ線、ｈ線、ｉ線の露光光に対して２％以内に収めることができ、さらに位相シフト角を０．１〜２０度と、非常に小さい値に収めることができるため、特に半透過膜１４として好適に採用できる。
また、半透過膜１４の位相シフト角の影響が小さいため、透明基板１１上に位相シフト膜１２が成膜されているフォトマスクブランクスを予め準備しておき、顧客の要望に合わせて半透過膜１４の光透過率を設定することができる。そのため、フォトマスクの納期の短縮、製造コストの低減に寄与することも可能である。 Thus, by adopting a Cr thin film (film thickness of 0.5 to 50 nm) as the semi-transmissive film 14, the change of the light transmittance with respect to the exposure light can be changed with respect to the exposure light of g-line, h-line, and i-line. Therefore, the phase shift angle can be set to a very small value of 0.1 to 20 degrees, so that it can be suitably used as the semi-transmissive film 14 in particular.
In addition, since the influence of the phase shift angle of the semi-transmissive film 14 is small, a photomask blank in which the phase shift film 12 is formed on the transparent substrate 11 is prepared in advance, and the semi-transmissive film according to the customer's request. A light transmittance of 14 can be set. Therefore, it is possible to contribute to shortening the delivery time of the photomask and reducing the manufacturing cost.

また、半透過膜１４としてＣｒ酸化膜（膜厚１〜１５ｎｍ）を採用することもできる。このとき、ｇ、ｈ、ｉ線に対し光透過率の差が４〜８％程度生じるが位相シフト角は１〜２０度の範囲に収めることができる。半透過膜１４としてＣｒ酸化膜を用いた場合、位相シフト膜１２と組成が近いため、半透過膜１４と位相シフト膜１２とを同一工程でエッチングする場合、両方のエッチングレートを合わせ易いという利点がある。   Further, a Cr oxide film (film thickness: 1 to 15 nm) can be adopted as the semi-transmissive film 14. At this time, although the difference in light transmittance is about 4 to 8% with respect to the g, h and i lines, the phase shift angle can be kept in the range of 1 to 20 degrees. When a Cr oxide film is used as the semi-transmissive film 14, the composition is close to that of the phase shift film 12. Therefore, when the semi-transmissive film 14 and the phase shift film 12 are etched in the same process, both etching rates can be easily adjusted. There is.

なお、光透過率は、半透過膜１４の膜厚により調整することができ、所望の光透過率になる膜厚を選択すればよい。
また、半透過膜１４の材料はクロム膜が好適に採用できるが、これに限定するものではなく、上記光学的特性が得られれば、他の材料を用いてもよい。 The light transmittance can be adjusted by the film thickness of the semi-transmissive film 14, and a film thickness that provides a desired light transmittance may be selected.
Moreover, although the chromium film can employ | adopt suitably as the material of the semipermeable membrane 14, it will not be limited to this, Other materials may be used if the said optical characteristic is acquired.

その後、図２（ｂ）に示すように、第２のフォトレジスト１５を、例えばフォトマスク描画装置により露光し、その後現像することによりパターニングし、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂを形成する。
このとき、図２（ｂ）中に示すように、第２のフォトレジストパターン１５ａの端部位置が、位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃの端部位置に対して、所定の距離ｄだけ位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ側、すなわち透明基板を露出させる領域（以下、透明領域と称す）の反対側方向に移動している。同様に第２のフォトレジストパターン１５ｂの端部位置が、位相シフト膜のパターン１２ａの端部位置に対して、距離ｄだけ位相シフト膜のパターン１２ａ側、すなわち透明領域の反対側方向に移動している。 Thereafter, as shown in FIG. 2B, the second photoresist 15 is exposed by, for example, a photomask drawing apparatus, and then developed to be patterned to form second photoresist patterns 15a and 15b.
At this time, as shown in FIG. 2B, the end position of the second photoresist pattern 15a is phase-shifted by a predetermined distance d with respect to the end positions of the phase shift film patterns 12b and 12c. It moves to the pattern 12b, 12c side of the film, that is, in the direction opposite to the area where the transparent substrate is exposed (hereinafter referred to as the transparent area). Similarly, the end position of the second photoresist pattern 15b moves with respect to the end position of the phase shift film pattern 12a by the distance d toward the phase shift film pattern 12a, that is, in the direction opposite to the transparent region. ing.

このような第１、第２のフォトレジストパターンの配置は、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃが形成される領域と第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂが形成される領域とが重なる領域（後述する位相シフト膜及び半透過膜の積層領域）において、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃの端部が、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂの端部より、透明領域側に突出するよう、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃのパターン幅を調整することにより可能となる。   In such an arrangement of the first and second photoresist patterns, the region where the first photoresist patterns 13a, 13b and 13c are formed overlaps with the region where the second photoresist patterns 15a and 15b are formed. In the region (laminated region of the phase shift film and the semi-transmissive film described later), the end portions of the first photoresist patterns 13a, 13b, and 13c are more transparent than the end portions of the second photoresist patterns 15a and 15b. This can be achieved by adjusting the pattern widths of the first photoresist patterns 13a, 13b, and 13c so that the first photoresist patterns 13a, 13b, and 13c protrude.

ここで、上記距離ｄの値は、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂを形成するためのフォトマスク描画装置の重ね合わせ誤差以上の値に設定する。
その結果、第２のフォトレジスト１５を露光する場合に、フォトマスク描画装置による位相シフト膜のパターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃに対する重ね合わせズレが発生しても、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂの端部が位相シフト膜のパターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃより透明領域側に突出することはない。 Here, the value of the distance d is set to a value equal to or greater than the overlay error of the photomask drawing apparatus for forming the second photoresist patterns 15a and 15b.
As a result, when the second photoresist 15 is exposed, even if the overlay shift with respect to the phase shift film patterns 12a, 12b, 12c by the photomask drawing apparatus occurs, the second photoresist patterns 15a, 15b The end portion does not protrude from the phase shift film patterns 12a, 12b, and 12c toward the transparent region.

なお、位相シフト膜１２を、特にウェットエッチング法のような等方エッチングによりエッチングする場合、位相シフト膜１２のサイドエッチング量が重ね合わせ誤差に対し無視できない大きさであれば、距離ｄの値は、フォトマスク描画装置の重ね合わせ誤差に位相シフト膜１２のサイドエッチング量を加えた値に設定することができる。ただし、位相シフト膜１２と半透過膜１４のエッチングレートを合わせることで、サイドエッチ量の補正は不要となる。例えば、エッチングレートの合わせ方として、膜厚方向において、表層のエッチング速度を遅く、下層に行くに従ってエッチング速度を早くするように成膜条件を調整する方法などが挙げられる。   When the phase shift film 12 is etched by isotropic etching such as a wet etching method, if the side etching amount of the phase shift film 12 is a magnitude that cannot be ignored with respect to the overlay error, the value of the distance d is The value can be set to a value obtained by adding the side etching amount of the phase shift film 12 to the overlay error of the photomask lithography apparatus. However, by adjusting the etching rates of the phase shift film 12 and the semi-transmissive film 14, it is not necessary to correct the side etch amount. For example, as a method of adjusting the etching rate, there is a method of adjusting the film forming conditions so that the etching rate of the surface layer is slow in the film thickness direction, and the etching rate is increased toward the lower layer.

次に図３に示すように、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂをマスクにドライエッチング法又はウェットエッチング法により、半透過膜１４及び位相シフト膜のパターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃをエッチングし、半透過膜のパターン１４ａ、１４ｂ及び位相シフト膜のパターン１２ｄ、１２ｅ、１２ｆを形成する。
半透過膜１４及び位相シフト膜のパターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃのエッチングは同一工程で行ってもよく、異なる工程で行ってもよい。
その後、アッシング法等により第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂを除去する。 Next, as shown in FIG. 3, the semi-transmissive film 14 and the phase shift film patterns 12a, 12b, and 12c are etched by dry etching or wet etching using the second photoresist patterns 15a and 15b as masks. Transmission film patterns 14a and 14b and phase shift film patterns 12d, 12e and 12f are formed.
The semi-transmissive film 14 and the phase shift film patterns 12a, 12b, and 12c may be etched in the same process or in different processes.
Thereafter, the second photoresist patterns 15a and 15b are removed by an ashing method or the like.

このように、同一の第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂにより、半透過膜１４及び位相シフト膜のパターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃをエッチングする。そのため、位相シフト膜１２及び半透過膜１４が積層した領域（積層領域）が透明領域と接する境界部において、位相シフト膜１２の端部の位置と半透過膜１４の端部の位置とが一致する。
そのため、このような端部においても、位相シフト膜及び半透過膜が積層された構造を維持し、積層された膜としての光学特性を有する。 Thus, the semi-transmissive film 14 and the phase shift film patterns 12a, 12b, and 12c are etched by the same second photoresist pattern 15a and 15b. For this reason, the position of the end of the phase shift film 12 and the position of the end of the semi-transmissive film 14 coincide with each other at the boundary where the region where the phase shift film 12 and the semi-transmissive film 14 are laminated (laminated region) is in contact with the transparent region. To do.
Therefore, even at such an end portion, the structure in which the phase shift film and the semi-transmissive film are stacked is maintained, and the optical characteristics of the stacked films are obtained.

なお、半透過膜１４のエッチング法は、ウェットエッチング法でもドライエッチング法でもよいが、製造コストの観点においてウェットエッチング法が好適に使用できる。
半透過膜１４としてクロム膜を用いた場合、セリウム系のエッチング液である、例えば硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液を好適に使用することができるが、これに限定するものではない。
ただし、ウェットエッチング法を用いた場合、積層領域において、上層部ほどウェットエッチング量が多くなる。そのため、積層領域のパターンの断面は、厳密には上層が狭いテーパー形状となり、位相シフト膜１２の端部に対して半透過膜１４の端部が、積層領域となる側に後退する傾向となる。従って、ドライエッチング法は、製造コストは増大するが、一層微細なパターンを形成できるという利点がある。 The etching method of the semi-transmissive film 14 may be a wet etching method or a dry etching method, but the wet etching method can be preferably used from the viewpoint of manufacturing cost.
When a chromium film is used as the semipermeable membrane 14, a cerium-based etching solution, for example, a ceric ammonium nitrate aqueous solution can be preferably used, but the invention is not limited thereto.
However, when the wet etching method is used, the wet etching amount increases in the upper layer portion in the stacked region. Therefore, strictly speaking, the cross section of the pattern of the laminated region has a tapered shape with a narrow upper layer, and the end of the semi-transmissive film 14 tends to recede toward the side of the laminated region with respect to the end of the phase shift film 12. . Therefore, the dry etching method has an advantage that a finer pattern can be formed although the manufacturing cost increases.

また、半透過膜１４のエッチングと位相シフト膜のパターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃのエッチングとを同じエッチング液又はエッチングガスによりエッチングする場合、同一工程でエッチング処理が可能となり、製造コストの低減、工期の短縮が可能になる。例えば、半透過膜１４と位相シフト膜とをクロム系の膜を採用し、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液等をエッチング液として使用し、同一のエッチング工程でエッチングが可能になる。
なお、添加剤、エッチング温度等の調整により半透過膜１４と位相シフト膜のエッチング速度を合わせることが可能であり、市販のエッチング液を使用することができる。 Further, when the etching of the semi-transmissive film 14 and the etching of the phase shift film patterns 12a, 12b, and 12c are performed with the same etching solution or etching gas, the etching process can be performed in the same process, thereby reducing the manufacturing cost and the work period. Shortening becomes possible. For example, the semi-transmissive film 14 and the phase shift film are made of a chromium-based film, and an aqueous ceric ammonium nitrate solution or the like is used as an etching solution, so that etching can be performed in the same etching process.
It should be noted that the etching rate of the semi-transmissive film 14 and the phase shift film can be adjusted by adjusting the additive, the etching temperature, etc., and a commercially available etching solution can be used.

上述した位相シフト膜１２の光学特性により、半透過膜１４及び位相シフト膜１２が積層された膜と半透過膜１４の単独膜との位相差は、位相シフト膜１２の光学特性により略１８０度となる。
さらに、半透過膜１４の位相シフト角が、例えば２０度以下の（１８０度に対して）小さい値である場合、半透過膜１４及び位相シフト膜１２の積層された膜の位相シフト角は、実質的に位相シフト膜１２の位相シフト角によりほぼ決定される。そのため半透過膜１４及び位相シフト膜１２の積層領域と透明領域との位相差も略１８０度とすることができる。すなわち、半透過膜１４及び位相シフト膜１２の積層領域と半透過膜１４単独膜の領域との位相差と半透過膜１４及び位相シフト膜１２の積層領域と透明領域との位相差とを、共に略１８０度とすることも可能になる。このとき、前述の２つの位相差を略１８０度にするため、必要に応じて位相シフト膜１２の位相シフト角を膜厚等により微調整してもよい。
なお、本明細書において略１８０度とは、１８０±２０度を意味し、露光光の干渉効果が十分に得られる露光光の位相差をいう。 Due to the optical characteristics of the phase shift film 12 described above, the phase difference between the semi-transmissive film 14 and the film in which the phase shift film 12 is laminated and the single film of the semi-transmissive film 14 is approximately 180 degrees due to the optical characteristics of the phase shift film 12. It becomes.
Furthermore, when the phase shift angle of the semi-transmissive film 14 is a small value of, for example, 20 degrees or less (relative to 180 degrees), the phase shift angle of the film in which the semi-transmissive film 14 and the phase shift film 12 are stacked is It is substantially determined by the phase shift angle of the phase shift film 12. Therefore, the phase difference between the laminated region of the semi-transmissive film 14 and the phase shift film 12 and the transparent region can also be set to about 180 degrees. That is, the phase difference between the laminated region of the semi-transmissive film 14 and the phase shift film 12 and the region of the semi-transmissive film 14 alone film and the phase difference between the laminated region of the semi-transmissive film 14 and the phase shift film 12 and the transparent region, Both can be set to approximately 180 degrees. At this time, the phase shift angle of the phase shift film 12 may be finely adjusted according to the film thickness or the like as necessary in order to set the above-described two phase differences to about 180 degrees.
In the present specification, “approximately 180 degrees” means 180 ± 20 degrees, and means a phase difference of exposure light that can sufficiently obtain an interference effect of exposure light.

図３において、半透過膜１４及び位相シフト膜１２の積層領域は、位相シフト膜のパターン１２ｄ及び半透過膜のパターン１４ｂの積層領域（領域Ｋ）、位相シフト膜のパターン１２ｅ及び半透過膜のパターン１４ａの積層領域（領域Ｌ）並びに位相シフト膜のパターン１２ｆ及び半透過膜のパターン１４ａの積層領域（領域Ｎ）により示される。
透明基板が露出した部分における露光光の光透過率を１００％とした場合に、上記各積層領域の露光光の光透過率は１〜８％であり、半透過膜１４からなる領域の露光光の光透過率は１０〜７０％であり、透明基板１１の露光光の光透過率は１００％であるため、３階調のフォトマスクを得ることができる。 In FIG. 3, the laminated region of the semi-transmissive film 14 and the phase shift film 12 includes the laminated region (region K) of the phase shift film pattern 12d and the semi-transmissive film pattern 14b, the phase shift film pattern 12e, and the semi-transmissive film. This is indicated by the laminated region (region L) of the pattern 14a and the laminated region (region N) of the phase shift film pattern 12f and the semi-transmissive film pattern 14a.
When the light transmittance of the exposure light in the portion where the transparent substrate is exposed is 100%, the light transmittance of the exposure light in each of the laminated regions is 1 to 8%, and the exposure light in the region formed of the semi-transmissive film 14 Since the light transmittance of 10 to 70% and the light transmittance of the exposure light of the transparent substrate 11 is 100%, a three-tone photomask can be obtained.

本実施形態のフォトマスクを用いてフォトレジストを露光する場合、１回の露光プロセスにより、上記積層領域、半透過膜からなる領域及び透明領域に対応して、それぞれフォトレジストの膜厚が相対的に厚い領域、薄い領域及びフォトレジストが無い領域を形成することができる。   When exposing the photoresist using the photomask of this embodiment, the film thickness of the photoresist is relative to each other in one exposure process corresponding to the laminated region, the region made of a semi-transmissive film, and the transparent region. Thick regions, thin regions and regions without photoresist can be formed.

本実施形態により製造されたフォトマスクを用いて、フォトレジストを露光すると、領域Ｌと半透過膜１４ａの領域（領域Ｍで示され、半透過領域と称する）とが接する境界部、及び領域Ｎと領域Ｍとが接する境界部において、露光光の位相差が略１８０度となる。
上記領域Ｌ及び領域Ｎは、ゼロより大きい光透過率を有するため、露光光の一部は領域Ｌ及び領域Ｎを透過する。領域Ｌ及び領域Ｎを透過した露光光と領域Ｍを透過した露光光との位相差は略１８０度であり、光の干渉効果により、上記境界部分で露光光強度が急峻に変化する。 When the photoresist is exposed using the photomask manufactured according to the present embodiment, the boundary between the region L and the region of the semi-transmissive film 14a (indicated by the region M and referred to as a semi-transmissive region), and the region N And the region M are in contact with each other, the phase difference of the exposure light is approximately 180 degrees.
Since the region L and the region N have a light transmittance greater than zero, part of the exposure light passes through the region L and the region N. The phase difference between the exposure light transmitted through the region L and the region N and the exposure light transmitted through the region M is approximately 180 degrees, and the exposure light intensity changes sharply at the boundary portion due to the light interference effect.

また、半透過膜１４の位相シフト角が十分に小さければ、例えば位相シフト膜のパターン１２ｄ及び半透過膜のパターン１４ｂの積層領域（領域Ｋ）と透明領域（領域Ｐ、領域Ｑ）とが接する境界部、領域Ｎと透明領域（領域Ｒ）とが接する境界部及び領域Ｌと透明領域（領域Ｑ）とが接する境界部において、露光光の位相差が略１８０度となる。そのため、この境界部での露光光の強度が急峻に変化し、この境界部に対応する箇所のフォトレジストの膜厚が急峻に変化し、矩形性が向上する。さらに、領域Ｋの光透過率は１〜８％に設定されているため、位相シフト効果が得られないＮ、Ｌ、Ｋ領域の中央部（透明領域若しくは半透過膜の領域との境界部以外の部分）において、フォトレジストの感光が抑制され、現像後のフォトレジストの膜厚が十分確保できる。   If the phase shift angle of the semi-transmissive film 14 is sufficiently small, for example, the laminated region (region K) of the phase shift film pattern 12d and the semi-transmissive film pattern 14b is in contact with the transparent region (region P, region Q). The phase difference of the exposure light is approximately 180 degrees at the boundary portion, the boundary portion where the region N and the transparent region (region R) are in contact, and the boundary portion where the region L and the transparent region (region Q) are in contact. For this reason, the intensity of the exposure light at this boundary portion changes steeply, the film thickness of the photoresist corresponding to the boundary portion changes sharply, and the rectangularity is improved. Further, since the light transmittance of the region K is set to 1 to 8%, the central portion of the N, L, K region where the phase shift effect cannot be obtained (other than the boundary portion with the transparent region or the semi-transmissive film region) In this part), the exposure of the photoresist is suppressed, and the film thickness of the photoresist after development can be sufficiently secured.

本実施形態によるフォトマスクを用いて、例えば、フラットパネルディスプレイのＴＦＴを加工するためのフォトレジストの露光工程に適用する場合、１回の露光により、領域Ｍによりチャネル領域のフォトレジストパターンを形成し、領域Ｌ及び領域Ｎによりソース／ドレイン電極形成領域のフォトレジストパターンを形成することができる。この場合、チャネル領域のフォトレジストパターンと比較しソース／ドレイン電極形成領域のフォトレジストパターンの膜厚を厚くすることができる。
さらに、チャネル領域とソース／ドレイン電極形成領域の境界部におけるフォトレジストの断面形状が急峻なため、精確にチャネル長を制御でき、更にソース／ドレイン電極形成領域を精確に制御できるため、従来の遮光膜と半透過膜を用いたフォトマスクと比較し、微細なＴＦＴを製造することができる。 For example, when the photomask according to the present embodiment is applied to a photoresist exposure process for processing a TFT of a flat panel display, a photoresist pattern of a channel region is formed by the region M by one exposure. The photoresist pattern of the source / drain electrode formation region can be formed by the region L and the region N. In this case, the thickness of the photoresist pattern in the source / drain electrode formation region can be increased compared with the photoresist pattern in the channel region.
Furthermore, since the cross-sectional shape of the photoresist at the boundary between the channel region and the source / drain electrode formation region is steep, the channel length can be accurately controlled, and further, the source / drain electrode formation region can be accurately controlled. Compared with a photomask using a film and a semi-transmissive film, a fine TFT can be manufactured.

（実施形態２）
以下、図４、５を参照し、他の実施形態によるフォトマスクの製造方法について説明する。
本実施形態においては、位相シフト膜のパターンにおいて、フォトマスクの描画装置の重ね合わせ誤差を考慮したパターンの拡大が不要になる。その結果、パターン設計の制約が緩和され、設計の労力が低減される効果がある。 (Embodiment 2)
Hereinafter, a photomask manufacturing method according to another embodiment will be described with reference to FIGS.
In the present embodiment, in the phase shift film pattern, it is not necessary to enlarge the pattern in consideration of the overlay error of the photomask drawing apparatus. As a result, there are effects that the restrictions on the pattern design are relaxed and the design effort is reduced.

図４（ａ）に示すように、透明基板１１上に位相シフト膜１２を蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により成膜することで、フォトマスクブランクス１０を準備する。
その後、位相シフト膜１２上に第３のフォトレジスト１６を塗布法等により形成する。
なお、本実施形態２の位相シフト膜１２は、実施形態１と同じ位相シフト膜を使用することができる。 As shown in FIG. 4A, a photomask blank 10 is prepared by forming a phase shift film 12 on a transparent substrate 11 by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like.
Thereafter, a third photoresist 16 is formed on the phase shift film 12 by a coating method or the like.
Note that the same phase shift film as in the first embodiment can be used as the phase shift film 12 in the second embodiment.

その後、図４（ｂ）に示すように、半透過膜の単独膜からなるパターンを形成する領域（領域Ｍ）に開口部を有するように、第３のフォトレジスト１７を、例えばフォトマスク描画装置により露光し、その後現像することによりパターニングし、第３のフォトレジストパターン１６ａ、１６ｂを形成する。
実施形態１の図１（ｃ）により示される工程においては、隣接する位相シフト膜１２及び半透過膜１４の積層領域（図３中領域Ｌと領域Ｋ）に挟まれた透明領域（図３中領域Ｑ）を形成する領域において、第１のフォトレジスト１３に開口部を設けた。しかし、図４（ｂ）の第３のフォトレジスト１７においては、領域Ｑに相当する領域Ｑ’（図５（ｃ）参照）を開口する必要はない。 Thereafter, as shown in FIG. 4B, the third photoresist 17 is applied to, for example, a photomask drawing apparatus so as to have an opening in a region (region M) where a pattern made of a single semi-transmissive film is formed. Then, patterning is performed by developing, and third photoresist patterns 16a and 16b are formed.
In the step shown in FIG. 1C of the first embodiment, a transparent region (in FIG. 3) sandwiched between laminated regions (region L and region K in FIG. 3) of adjacent phase shift film 12 and semi-transmissive film 14. In the region where the region Q) is to be formed, an opening is provided in the first photoresist 13. However, in the third photoresist 17 in FIG. 4B, it is not necessary to open the region Q ′ (see FIG. 5C) corresponding to the region Q.

なお、第３のフォトレジスト１７の開口部には、図５（ｃ）の領域Ｍ’で示すような半透過領域のみを形成する場合だけでなく、例えば、複数の半透過領域が隣接し、それらの領域間に透明領域が存在する場合（半透過膜の単独膜からなるラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターン等）や半透過領域と積層領域の間に透明領域が存在する場合のように、半透過領域と透明領域とが存在するパターンを形成してもよい。
また、例えば、エッチング後の膜厚検査用のモニター部の形成や、ドライエッチングのエッチングレートを制御するために開口面積を調整する等の特別な目的において、第３のフォトレジスト１７に対して、透明領域となる領域に開口部を設けることを妨げるものではない。 In addition, in the opening of the third photoresist 17, not only the case where a semi-transmissive region as shown by the region M ′ in FIG. 5C is formed, for example, a plurality of semi-transmissive regions are adjacent, As in the case where a transparent region exists between these regions (such as a line-and-space (L / S) pattern made up of a single semi-permeable membrane) or a transparent region exists between the semi-transmissive region and the laminated region A pattern in which a semi-transmissive region and a transparent region exist may be formed.
Further, for the special purpose such as, for example, the formation of a monitor portion for film thickness inspection after etching and the adjustment of the opening area in order to control the etching rate of dry etching, It does not prevent the opening from being provided in the region to be the transparent region.

その後、図４（ｃ）に示すように、第３のフォトレジストパターン１７ａ、１７ｂをマスクにして、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により位相シフト膜１２をエッチングし、位相シフト膜のパターン１２ｇ、１２ｈを形成する。
その後、アッシング法等により、第３のフォトレジストパターン１６ａ、１６ｂを除去する。 Thereafter, as shown in FIG. 4C, the phase shift film 12 is etched by the dry etching method or the wet etching method using the third photoresist patterns 17a and 17b as a mask, and the phase shift film patterns 12g and 12h are obtained. Form.
Thereafter, the third photoresist patterns 16a and 16b are removed by an ashing method or the like.

その後、図５（ａ）に示すように、半透過膜１４を、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成し、さらに半透過膜１４上に第４のフォトレジスト１７を塗布法等により形成する。
なお、本実施形態２の半透過膜１４は、実施形態１と同じ半透過膜を使用することができる。 Thereafter, as shown in FIG. 5A, a semi-transmissive film 14 is formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like, and a fourth photoresist 17 is formed on the semi-transmissive film 14 by coating or the like. To do.
The semi-permeable membrane 14 of the second embodiment can use the same semi-permeable membrane as that of the first embodiment.

その後、図５（ｂ）に示すように、第４のフォトレジスト１７を、例えばフォトマスク描画装置により露光し、その後現像することによりパターニングし、第４のフォトレジストパターン１７ａ、１７ｂを形成する。
この場合、第４のフォトレジストパターン１７ａ、１７ｂは、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂと同様のパターンを使用することが可能である。 Thereafter, as shown in FIG. 5B, the fourth photoresist 17 is exposed by, for example, a photomask drawing apparatus, and then developed to be patterned to form fourth photoresist patterns 17a and 17b.
In this case, the fourth photoresist patterns 17a and 17b can use the same pattern as the second photoresist patterns 15a and 15b.

その後、図５（ｃ）に示すように、第４のフォトレジストパターン１７ａ、１７ｂをマスクにドライエッチング法又はウェットエッチング法により、半透過膜１４及び位相シフト膜のパターン１２ｇ、１２ｈをエッチングし、半透過膜のパターン１４ａ、１４ｂ及び位相シフト膜のパターン１２ｉ、１２ｊ、１２ｋを形成する。
半透過膜１４及び位相シフト膜のパターン１２ｇ、１２ｈのエッチングは、同一工程で行ってもよく、異なる工程で行ってもよい。
その後、アッシング法等により第４のフォトレジストパターン１７ａ、１７ｂを除去する。
図５（ｃ）において、半透過膜１４及び位相シフト膜１２が同じウェットエッチング液又はエッチングガスによりエッチング可能な場合、同一工程でエッチングが可能であり、製造工程の削減が可能になる。 Thereafter, as shown in FIG. 5C, the patterns 12g and 12h of the semi-transmissive film 14 and the phase shift film are etched by a dry etching method or a wet etching method using the fourth photoresist patterns 17a and 17b as a mask, Semi-transmissive film patterns 14a and 14b and phase shift film patterns 12i, 12j and 12k are formed.
The etching of the semi-transmissive film 14 and the phase shift film patterns 12g and 12h may be performed in the same process or in different processes.
Thereafter, the fourth photoresist patterns 17a and 17b are removed by an ashing method or the like.
In FIG. 5C, when the semi-transmissive film 14 and the phase shift film 12 can be etched by the same wet etching solution or etching gas, the etching can be performed in the same process, and the manufacturing process can be reduced.

本実施形態２のフォトマスクを用いてフォトレジストを露光した場合、実施形態１と同様に、急峻な断面形状を有するフォトレジストパターンを得ることができる。   When the photoresist is exposed using the photomask of the second embodiment, a photoresist pattern having a steep cross-sectional shape can be obtained as in the first embodiment.

本実施形態２においては、位相シフト膜１２上に形成する第３のフォトレジストパターン１６ａ、１６ｂは、フォトマスク描画装置の重ね合わせ誤差を考慮して拡大させる必要がなく、第３のフォトレジストパターン設計の制約が緩和され、第３のフォトレジストパターン設計が容易になる。   In the second embodiment, the third photoresist patterns 16a and 16b formed on the phase shift film 12 do not need to be enlarged in consideration of the overlay error of the photomask drawing apparatus, and the third photoresist pattern The design constraints are eased, and the third photoresist pattern design is facilitated.

さらに、実施形態１においては、第１のフォトレジストパターン１３ａ及び第１のフォトレジストパターン１３ｂ間のスペースが、所定の距離ｄの２倍（２ｄ）だけ、第２のフォトレジストパターン１５ａ及び第２のフォトレジストパターン１５ｂより狭くなる。
そのため、電子回路が高集積化され位相シフト膜１２上に形成する第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃが密に配置されると、第１のフォトレジストパターン１３ａ及び第１のフォトレジストパターン１３ｂ間のスペースが、フォトマスク描画装置の解像限界により律速される。
本実施形態２においては、上記解像限界によるパターン設計の制約が解除されるため、パターンの微細化が可能になる。特に位相シフト膜１２及び半透過膜１４の積層パターンが隣接し、高集積化等のために、例えばラインアンドスペースのパターンが峡ピッチで並ぶ場合や位相シフト膜１２及び半透過膜１４の積層パターン間のスペースが狭い場合、これらの積層パターンにより挟まれた透明領域（スペース部）となる箇所に開口部を設ける必要がなく、微細化に寄与する効果は大きい。 Furthermore, in the first embodiment, the space between the first photoresist pattern 13a and the first photoresist pattern 13b is twice the predetermined distance d (2d), so that the second photoresist pattern 15a and the second photoresist pattern 15b. It becomes narrower than the photoresist pattern 15b.
Therefore, if the first photoresist patterns 13a, 13b, and 13c formed on the phase shift film 12 with high integration of electronic circuits are densely arranged, the first photoresist pattern 13a and the first photoresist pattern The space between 13b is rate-limited by the resolution limit of a photomask drawing apparatus.
In the second embodiment, since the restriction on the pattern design due to the resolution limit is released, the pattern can be miniaturized. In particular, when the laminated pattern of the phase shift film 12 and the semi-transmissive film 14 are adjacent to each other and, for example, a line-and-space pattern is arranged at a gorge pitch for high integration, the laminated pattern of the phase-shift film 12 and the semi-transmissive film 14 When the space between them is narrow, there is no need to provide an opening in a portion that becomes a transparent region (space portion) sandwiched between these laminated patterns, and the effect of contributing to miniaturization is great.

（実施形態３）
以下、図６を参照し、他の実施形態によるフォトマスクの製造方法について説明する。
本実施形態では、位相シフト膜１２及び半透過膜１４をウェットエッチングのように等方エッチングする場合のサイドエッチングによる半透過膜１４の後退を防止することができる。 (Embodiment 3)
Hereinafter, a photomask manufacturing method according to another embodiment will be described with reference to FIG.
In this embodiment, the semi-transmissive film 14 can be prevented from retreating due to side etching when the phase shift film 12 and the semi-transmissive film 14 are isotropically etched like wet etching.

例えば、半透過膜１４としてＣｒ薄膜を用い、位相シフト膜１２としてＣｒ酸化膜を用いる場合、半透過膜１４は、位相シフト膜１２の上層にあるため、位相シフト膜１２を例えばウェットエッチングのように等方にエッチングする際に、Ｃｒ薄膜のサイドエッチング量が大きくなる。特に半透過膜１４の膜厚が位相シフト膜１２の膜厚より薄い場合には、このサイドエッチング量が顕著になる。   For example, when a Cr thin film is used as the semi-transmissive film 14 and a Cr oxide film is used as the phase shift film 12, the semi-transmissive film 14 is on the phase shift film 12. When etching isotropically, the side etching amount of the Cr thin film becomes large. In particular, when the film thickness of the semi-transmissive film 14 is smaller than the film thickness of the phase shift film 12, this side etching amount becomes significant.

このようなサイドエッチングはパターンの微細化を妨げるという問題がある。
この問題は、ドライエッチング法により解決するものの、製造コストの観点からはウェットエッチング法の使用が有利である。以下ではウェットエッチングを用いても、上記のようなサイドエッチングの問題を防止する方法について説明する。 Such side etching has a problem of hindering pattern miniaturization.
Although this problem is solved by the dry etching method, the wet etching method is advantageous from the viewpoint of manufacturing cost. Hereinafter, a method for preventing the above-described side etching problem even when wet etching is used will be described.

図２（ｂ）の工程では、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂの端部の位置は、位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ、１２ａの端部位置に対して、透明領域の反対側方向に移動している。
これに対して、本実施形態においては、図２（ａ）の工程後に、例えばフォトマスク描画装置により露光し、その後現像することによりパターニングし、図６（ａ）で示すように第２のフォトレジストパターン１５ｃ、１５ｄを形成する。 In the step of FIG. 2B, the positions of the end portions of the second photoresist patterns 15a and 15b are opposite to the end positions of the phase shift film patterns 12b, 12c and 12a in the direction opposite to the transparent region. Has moved.
On the other hand, in the present embodiment, after the step of FIG. 2A, exposure is performed by, for example, a photomask drawing apparatus, followed by development to perform patterning, and the second photo as shown in FIG. 6A. Resist patterns 15c and 15d are formed.

図６（ａ）で示す第２のフォトレジストパターン１５ｃ、１５ｄの端部の位置は、位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ、１２ａの端部位置に対して、透明領域側方向に距離ｅだけ移動している。
このｅの値は、サイドエッチング量及び第２のフォトレジストを露光する描画装置の重ね合わせ誤差のいずれよりも大きい距離に設定する。ｅの値は、ウェットエッチング処理時間や描画装置に依存するが、具体的には、例えば０．１〜０．９［μｍ］の値になる。 The positions of the end portions of the second photoresist patterns 15c and 15d shown in FIG. 6A are moved by a distance e in the transparent region side direction with respect to the end positions of the phase shift film patterns 12b, 12c and 12a. doing.
The value of e is set to a distance larger than both the side etching amount and the overlay error of the drawing apparatus that exposes the second photoresist. The value of e depends on the wet etching processing time and the drawing apparatus, but specifically becomes a value of 0.1 to 0.9 [μm], for example.

なお、実施形態１においては、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃの端部が、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂの端部より、透明領域側に突出するよう、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃのパターン幅を調整した。しかし、本実施形態においては、第１のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃのパターン幅を広げるというような調整をする必要はない。   In the first embodiment, the first photo resist pattern 13a, 13b, 13c has the first photo pattern so that the end of the first photo resist pattern 13a, 13b, 13c protrudes from the end of the second photo resist pattern 15a, 15b to the transparent region side. The pattern widths of the resist patterns 13a, 13b, and 13c were adjusted. However, in this embodiment, there is no need to make adjustments such as increasing the pattern width of the first photoresist patterns 13a, 13b, and 13c.

次に図６（ｂ）に示すように、第２のフォトレジストパターン１５ｃ、１５ｄをマスクにウェットエッチング法により、半透過膜１４をエッチングし、半透過膜のパターン１４ｃ、１４ｄを形成し、その後アッシング等により、第２のフォトレジストパターン１５ｃ、１５ｄを除去する。   Next, as shown in FIG. 6B, the semi-transmissive film 14 is etched by wet etching using the second photoresist patterns 15c and 15d as a mask to form semi-transmissive film patterns 14c and 14d. The second photoresist patterns 15c and 15d are removed by ashing or the like.

エッチング処理時間は半透過膜１４の膜厚ばらつきを考慮し、最大の膜厚がエッチングできる時間に設定する。エッチング処理時間は、半透過膜１４のみをエッチングする時間に設定されているため、位相シフト膜１２及び半透過膜１４をエッチングする場合と比較し、ウェットエッチング時間は短縮される。その結果、半透過膜１４に対するオーバーエッチング量は低減する。   The etching process time is set to a time during which the maximum film thickness can be etched in consideration of the film thickness variation of the semi-transmissive film 14. Since the etching processing time is set to the time for etching only the semi-transmissive film 14, the wet etching time is shortened as compared with the case where the phase shift film 12 and the semi-transmissive film 14 are etched. As a result, the amount of overetching with respect to the semipermeable membrane 14 is reduced.

このとき、好適には、半透過膜１４のエッチング速度に対して位相シフト膜１２ｂ、１２ｃ、１２ａのエッチング速度が十分低い（例えば１０分の１以下）エッチング液を使用する。このようなエッチング液は、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液を使用し、添加剤、エッチング温度等の調整により可能であり、市販のエッチング液を使用することができる。   At this time, it is preferable to use an etching solution in which the etching rate of the phase shift films 12b, 12c, and 12a is sufficiently low (for example, 1/10 or less) with respect to the etching rate of the semi-transmissive film 14. Such an etchant uses a ceric ammonium nitrate aqueous solution and can be adjusted by adjusting additives, etching temperature, etc., and commercially available etchants can be used.

図６（ｂ）は、位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ、１２ａの側壁面は、半透過膜１４との境界部近傍においては半透過膜１４に覆われ、透明基板１１側では位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ、１２ａが露出する状態を示している。
この場合でも、位相シフト膜１２ｂ、１２ｃ、１２ａのエッチング速度が十分低いため、露出した位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ、１２ａの側壁部分は、サイドエッチングを抑制することができる。 6B, the side wall surfaces of the phase shift film patterns 12b, 12c, and 12a are covered with the semi-transmissive film 14 in the vicinity of the boundary with the semi-transmissive film 14, and the phase shift film is formed on the transparent substrate 11 side. The patterns 12b, 12c, and 12a are exposed.
Even in this case, since the etching rate of the phase shift films 12b, 12c, and 12a is sufficiently low, side etching of the exposed side wall portions of the patterns 12b, 12c, and 12a of the phase shift film can be suppressed.

以上のように、位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ、１２ａ上において、半透過膜のパターン１４ｃ、１４ｄのサイドエッチングの進行を防止することができる。   As described above, it is possible to prevent the side etching of the semi-transmissive film patterns 14c and 14d from proceeding on the phase shift film patterns 12b, 12c, and 12a.

なお、図６（ｂ）において、半透過膜のパターン１４ｃ、１４ｄは、位相シフト膜のパターン１２ｂ、１２ｃ、１２ａから一部が突出する形状となるが、半透過膜１４は、薄いクロム膜であり、透明領域側に突出する量は、その膜厚以下程度である。さらに一般的に蒸着やスパッタ膜のサイドカバレッジは低いため、突出量は形成する半透過膜１４よりも小さくなる。そのため半透過膜のパターン１４ｃ、１４ｄの突出した部分が、本マスクを用いてフォトレジストを露光する場合において悪影響を与えることは無い。   In FIG. 6 (b), the semi-transmissive film patterns 14c and 14d have a shape partially protruding from the phase shift film patterns 12b, 12c and 12a, but the semi-transmissive film 14 is a thin chrome film. Yes, the amount protruding to the transparent region side is about the film thickness or less. Further, since the side coverage of the vapor deposition or sputtered film is generally low, the protruding amount is smaller than that of the semi-transmissive film 14 to be formed. Therefore, the protruding portions of the semi-transmissive film patterns 14c and 14d do not adversely affect the exposure of the photoresist using this mask.

本発明によれば、製品製造時のフォトリソグラフィー工程の削減と、パターンの微細化を実現することができるフォトマスクを提供することができ、産業上の利用可能性は極めて大きい。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photomask which can implement | achieve reduction of the photolithographic process at the time of product manufacture and pattern miniaturization can be provided, and industrial applicability is very large.

１０ フォトマスクブランクス
１１ 透明基板
１２ 位相シフト膜
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉ、１２ｊ、１２ｋ 位相シフト膜のパターン
１３ 第１のフォトレジスト
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ 第１のフォトレジストパターン
１４ 半透過膜
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ 半透過膜のパターン
１５ 第２のフォトレジスト
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ 第２のフォトレジストパターン
１６ 第３のフォトレジスト
１６ａ、１６ｂ 第３のフォトレジストパターン
１７ 第４のフォトレジスト
１７ａ、１７ｂ 第４のフォトレジストパターン 10 Photomask blanks 11 Transparent substrate 12 Phase shift films 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f, 12g, 12h, 12i, 12j, 12k Phase shift film pattern 13 First photoresist 13a, 13b, 13c First Photoresist pattern 14 Semi-transmissive film 14a, 14b, 14c, 14d Semi-permeable film pattern 15 Second photoresist 15a, 15b, 15c, 15d Second photoresist pattern 16 Third photoresist 16a, 16b Third Photoresist pattern 17 Fourth photoresist 17a, 17b Fourth photoresist pattern

Claims (8)

透明基板上に半透過膜からなる半透過領域と、前記透明基板側から順に露光光の位相を反転させる位相シフト膜及び前記半透過膜の積層領域と、前記透明基板が露出する透明領域とを備え、
前記積層領域は、前記半透過領域と接する境界部、若しくは前記透明領域と接する境界部、又は前記半透過領域と接する境界部及び前記透明領域と接する境界部を有し、
前記半透過領域の露光光に対する光透過率は、前記積層領域の露光光に対する光透過率より大きく前記透明基板の露光光に対する光透過率より小さく、
前記半透過膜の位相シフト角は、０．１度以上２０度以下である
ことを特徴とするフォトマスク。 A semi-transmissive region composed of a semi-transmissive film on a transparent substrate, a phase shift film for reversing the phase of exposure light in order from the transparent substrate side, a laminated region of the semi-transmissive film, and a transparent region where the transparent substrate is exposed. Prepared,
The laminated region has a boundary portion in contact with the semi-transmissive region, or a boundary portion in contact with the transparent region, or a boundary portion in contact with the semi-transmissive region and a boundary portion in contact with the transparent region,
The light transmittance of exposure light of the semi-transmissive region is rather smaller than the light transmittance for exposure light of large the transparent substrate than the light transmittance for exposure light of said deposition area,
The photomask according to claim 1, wherein a phase shift angle of the semi-transmissive film is not less than 0.1 degrees and not more than 20 degrees . 前記積層領域の露光光に対する光透過率が、前記透明基板の露光光に対する光透過率を１００％とした場合に、１％〜８％である
ことを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。 2. The photomask according to claim 1, wherein the light transmittance of the laminated region with respect to the exposure light is 1% to 8% when the light transmittance with respect to the exposure light of the transparent substrate is 100%. 前記積層領域が前記透明領域と接する境界部において、前記積層領域における位相シフト膜の側壁の少なくとも一部が、前記半透過膜で覆われている
ことを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスク。 3. The photo according to claim 1, wherein at the boundary portion where the laminated region is in contact with the transparent region, at least a part of a side wall of the phase shift film in the laminated region is covered with the semi-transmissive film. mask. 透明基板上に露光光の位相を反転させる位相シフト膜を形成する工程と、
前記位相シフト膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクに前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させ前記位相シフト膜のパターンを形成する第１のエッチング工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
前記位相シフト膜のパターンを覆うように半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜上に第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストパターンをマスクに前記半透過膜及び前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させた透明領域、前記半透過膜のパターン並びに前記位相シフト膜及び前記半透過膜の積層パターンを形成する第２のエッチング工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程とを含み、
前記半透過膜の位相シフト角は、０．１度以上２０度以下であると共に、
前記位相シフト膜上に前記半透過膜が形成された積層部分と前記透明基板上に直接前記半透過膜が形成されその後前記透明領域となる部分が隣接する領域において、
前記第２のフォトレジストパターンの端部は、前記第２のエッチング工程前における前記位相シフト膜のパターンの端部から前記積層領域となる側に所定の距離だけ後退していることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 Forming a phase shift film for inverting the phase of exposure light on a transparent substrate;
Forming a first photoresist on the phase shift film;
Forming a first photoresist pattern by exposing and patterning the first photoresist with a drawing apparatus; and
A first etching step of forming a pattern of the first photoresist pattern by etching the phase shift film as a mask, the phase shift film to expose the transparent substrate,
Removing the first photoresist;
Forming a semi-transmissive film so as to cover the pattern of the phase shift film ;
Forming a second photoresist on the semi-transmissive film;
Exposing the second photoresist with a drawing apparatus and patterning to form a second photoresist pattern;
Etching the semi-transmissive film and the phase shift film using the second photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate, the pattern of the semi-transmissive film, and the phase shift film and the semi-transmissive film A second etching step for forming a laminated pattern;
Removing the second photoresist.
The phase shift angle of the semipermeable membrane is not less than 0.1 degrees and not more than 20 degrees,
In the region where the layered portion where the semi-transmissive film is formed on the phase shift film and the portion where the semi-transmissive film is directly formed on the transparent substrate and then becomes the transparent region are adjacent,
An end portion of the second photoresist pattern is set back by a predetermined distance from an end portion of the pattern of the phase shift film before the second etching step toward the side of the stacked region. Photomask manufacturing method. 前記所定の距離は、前記第２のフォトレジストを露光する描画装置の重ね合わせ誤差以上であることを特徴とする請求項４記載のフォトマスクの製造方法。   5. The method of manufacturing a photomask according to claim 4, wherein the predetermined distance is equal to or greater than an overlay error of a drawing apparatus that exposes the second photoresist. 透明基板上に露光光の位相を反転させる位相シフト膜を形成する工程と、
前記位相シフト膜上に第３のフォトレジストを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第３のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストパターンをマスクに前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させ前記位相シフト膜のパターンを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストを除去する工程と、
前記位相シフト膜のパターンを覆うように半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜上に第４のフォトレジストを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第４のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストパターンをマスクに前記半透過膜及び前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させた透明領域、前記半透過膜のパターン並びに前記位相シフト膜及び前記半透過膜の積層パターンを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストを除去する工程とを含み、
前記半透過膜の位相シフト角は、０．１度以上２０度以下であると共に、
前記第３のフォトレジストパターンは、前記半透過膜のパターンを形成する領域に開口部を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 Forming a phase shift film for inverting the phase of exposure light on a transparent substrate;
Forming a third photoresist on the phase shift film;
Forming a third photoresist pattern by exposing and patterning the third photoresist with a drawing apparatus; and
Etching the phase shift film using the third photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate to form a pattern of the phase shift film;
Removing the third photoresist;
Forming a semi-transmissive film so as to cover the pattern of the phase shift film ;
Forming a fourth photoresist on the semi-transmissive film;
Forming a fourth photoresist pattern by exposing and patterning the fourth photoresist with a drawing apparatus; and
Etching the semi-transmissive film and the phase shift film using the fourth photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate, the pattern of the semi-transmissive film, and the phase shift film and the semi-transmissive film Forming a laminated pattern; and
Removing the fourth photoresist;
The phase shift angle of the semipermeable membrane is not less than 0.1 degrees and not more than 20 degrees,
The method of manufacturing a photomask, wherein the third photoresist pattern has an opening in a region where the pattern of the semi-transmissive film is formed. 透明基板上に露光光の位相を反転させる位相シフト膜を形成する工程と、
前記位相シフト膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクに前記位相シフト膜をエッチングし、前記透明基板を露出させ前記位相シフト膜のパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
前記位相シフト膜のパターンを覆うように半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜上に第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストを描画装置により露光し、パターニングすることにより、第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストパターンをマスクに前記半透過膜を、エッチングし、前記透明基板を露出させた透明領域、前記半透過膜のパターン並びに前記位相シフト膜及び前記半透過膜の積層パターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程とを含み、
前記半透過膜の位相シフト角は、０．１度以上２０度以下であると共に、
前記位相シフト膜上に前記半透過膜が形成された積層部分と前記透明基板上に直接前記半透過膜が形成されその後前記透明領域となる部分が隣接する領域において、
前記第２のフォトレジストパターンの端部は前記位相シフト膜のパターンの端部から前記透明領域となる側に所定の距離だけ突出している
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 Forming a phase shift film for inverting the phase of exposure light on a transparent substrate;
Forming a first photoresist on the phase shift film;
Forming a first photoresist pattern by exposing and patterning the first photoresist with a drawing apparatus; and
Etching the phase shift film using the first photoresist pattern as a mask to expose the transparent substrate to form a pattern of the phase shift film;
Removing the first photoresist;
Forming a semi-transmissive film so as to cover the pattern of the phase shift film ;
Forming a second photoresist on the semi-transmissive film;
Exposing the second photoresist with a drawing apparatus and patterning to form a second photoresist pattern;
Etching the semi-transmissive film using the second photoresist pattern as a mask to form a transparent region exposing the transparent substrate, a pattern of the semi-transmissive film, and a laminated pattern of the phase shift film and the semi-transmissive film And a process of
Removing the second photoresist.
The phase shift angle of the semipermeable membrane is not less than 0.1 degrees and not more than 20 degrees,
In the region where the layered portion where the semi-transmissive film is formed on the phase shift film and the portion where the semi-transmissive film is directly formed on the transparent substrate and then becomes the transparent region are adjacent,
An end of the second photoresist pattern protrudes from the end of the phase shift film pattern by a predetermined distance toward the transparent region. 前記所定の距離は、前記積層パターンにおける前記半透過膜のサイドエッチング量及び前記第２のフォトレジストを露光する描画装置の重ね合わせ誤差のいずれよりも大きいことを特徴とする請求項７記載のフォトマスクの製造方法。 8. The photo according to claim 7, wherein the predetermined distance is larger than any of a side etching amount of the semi-transmissive film and an overlay error of a drawing apparatus that exposes the second photoresist in the laminated pattern. Mask manufacturing method.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309863B (en) * 2019-07-31 2024-02-23 上海积塔半导体有限公司 Ultralow on-resistance LDMOS and manufacturing method thereof
JP7383490B2 (en) * 2020-01-07 2023-11-20 株式会社エスケーエレクトロニクス photo mask
CN111965887A (en) * 2020-09-18 2020-11-20 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 Mask manufacturing method and color film substrate manufacturing process

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04342255A (en) * 1991-05-20 1992-11-27 Hitachi Ltd Photomask and its production
JPH06175346A (en) * 1992-12-03 1994-06-24 Hoya Corp Production of phase shift mask and phase shift mask blank
JP2005257712A (en) * 2004-03-09 2005-09-22 Hoya Corp Gray tone mask and its manufacturing method
JP2011013283A (en) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk Method for producing phase shift mask, method for manufacturing flat panel display, and phase shift mask
JP2011186506A (en) * 2011-07-01 2011-09-22 Sk Electronics:Kk Halftone photomask
WO2013058385A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 大日本印刷株式会社 Large-sized phase-shift mask, and method for producing large-sized phase-shift mask
JP2016071059A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 Hoya株式会社 Photomask and manufacturing method of display device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI461833B (en) * 2010-03-15 2014-11-21 Hoya Corp Multi-tone photomask, method of manufacturing a multi-tone photomask, and pattern transfer method
JP2011215226A (en) * 2010-03-31 2011-10-27 Hoya Corp Multi-level gradation photomask, method for manufacturing multi-level gradation photomask, blank for multi-level gradation photomask, and method for transferring pattern
JP6081716B2 (en) * 2012-05-02 2017-02-15 Hoya株式会社 Photomask, pattern transfer method, and flat panel display manufacturing method
JP2015212720A (en) * 2014-05-01 2015-11-26 Hoya株式会社 Method of producing multi-gradation photo mask, the multi-gradation photo mask, and method of producing display device
KR20160024222A (en) * 2014-08-25 2016-03-04 주식회사 에스앤에스텍 Photomask for Flat Panel Display and manufacturing method thereof
JP6612326B2 (en) * 2015-03-19 2019-11-27 Ｈｏｙａ株式会社 Mask blank, transfer mask, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP6456748B2 (en) * 2015-03-28 2019-01-23 Hoya株式会社 Photomask manufacturing method, photomask and flat panel display manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04342255A (en) * 1991-05-20 1992-11-27 Hitachi Ltd Photomask and its production
JPH06175346A (en) * 1992-12-03 1994-06-24 Hoya Corp Production of phase shift mask and phase shift mask blank
JP2005257712A (en) * 2004-03-09 2005-09-22 Hoya Corp Gray tone mask and its manufacturing method
JP2011013283A (en) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk Method for producing phase shift mask, method for manufacturing flat panel display, and phase shift mask
JP2011186506A (en) * 2011-07-01 2011-09-22 Sk Electronics:Kk Halftone photomask
WO2013058385A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 大日本印刷株式会社 Large-sized phase-shift mask, and method for producing large-sized phase-shift mask
JP2016071059A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 Hoya株式会社 Photomask and manufacturing method of display device

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