JP6365770B2 - 光学分析装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
光源であるLED(例えば深紫外LED)71から出射した測定光はフローセル72に照射される。測定光はフローセル72中の試料溶液を通過する際に、該試料溶液中の成分の種類や量に応じた吸収を受ける。そうした吸収を受けたあとの光が光検出器73に入射し、光検出器73はその光の光量に応じた検出信号を出力する。そして、図示しない信号処理部において、検出信号から試料による吸光度を算出する。
a)化合物半導体素子用、酸化物半導体素子用、又は有機半導体素子用の基板として用いられる透明又は半透明の材料から成り、その内部に試料溶液が流通する流路が形成されてなる基体と、
b)前記流路が内部に形成されている前記基体の外表面に一体に形成され、該基体中を透過して前記流路中の試料溶液に対し光を照射する半導体発光部と、
c)前記基体の外表面に一体に形成され、前記半導体発光部による照射光に対する前記流路中の試料溶液からの光が前記基体中を透過して到達する位置に形成された半導体受光部と、
を備えることを特徴としている。
なお、ここでいう透明又は半透明とは、幅広い波長に対して透光性を有している必要はなく、特定の波長(半導体発光部による発光光の波長)に対し透光性を有していれば十分である。また、望ましくは、屈折率が高いほうがよい。
さらにまた、本発明に係る光学分析装置では、例えば半導体発光部の駆動回路や半導体受光部で得られた信号を増幅する増幅器など、化合物半導体、酸化物半導体又は有機物半導体で作製可能な素子や回路を、流路が形成されている基体に実装することができる。また、各種の光学素子も同一基体上に作製可能である。例えばレンズについては、フォトニックポリマーなどの屈折率分散材料を用いて屈折率分布を持たせることができる。それによって、電気回路や光学系の機能を取り込んだ高機能な光学分析ユニットを提供することができる。
図1は本実施例の光学分析装置の概略構成図であり、(a)は流路の中心線を含む平面での断面図、(b)は(a)中のA−A’矢視線断面図である。
ここでは、基体2の材料としてサファイアを用いているが、化合物半導体素子用、酸化物半導体素子用、又は有機半導体素子用の基板に用いられる材料であって、透明又は半透明、つまりは所定の波長又は波長帯域の光を透過させる特性を有する材料であれば、使用可能な材料はサファイアに限らない。例えば、単結晶基板として一般に入手可能である、窒化アルミニウム、ビスマスゲルマニウムオキサイド、などでもよい。また、ダイヤモンド基板などでもよい。
図5はLED4の一例の概略断面図である。
基体2の表面には、n型の窒化ガリウム薄膜層(n-GaN層)41が結晶成長により形成され、その上に例えばインジウム窒化ガリウム(InGaN)と窒化ガリウムの多層膜である活性層42が形成され、さらにその上にp型の窒化ガリウム薄膜層(p-GaN層)43が形成される。そのあと、p-GaN層43及び活性層42の一部が除去され、露出したn-GaN層41の上とp-GaN層43の上とにそれぞれ電極45、46が形成される。さらに、図5では図示していないが、素子表面全体に保護膜が形成され、電極45、46の上の一部の保護膜にコンタクトホールが形成され、コンタクトホールを通して電極45、46に配線が接続される。
基体2の表面には、例えばn型の窒化ガリウム薄膜層(n-GaN層)51が結晶成長により形成され、その上に低バンドギャップのGaN系結晶層が受光層52として形成され、さらにその上にp型の窒化ガリウム薄膜層(p-GaN層)53が形成され、それによってダブルヘテロ接合構造が形成されている。p-GaN層53及び受光層52の一部は除去され、露出したn-GaN層51の上とp-GaN層53の上とにそれぞれ電極55、56が形成される。さらに、図5では図示していないが、全体に保護膜が形成され、電極55、56の上の一部の保護膜にコンタクトホールが形成され、コンタクトホールを通して電極55、56に配線が接続される。
さらにまた、上記実施例は本発明の一例にすぎず、本発明の趣旨に沿った範囲で適宜変形や修正、追加を行っても本願特許請求の範囲に包含されることは明らかである。
2…基体
3…流路
4…LED
41、51…n-GaN層
42…活性層
43、53…p-GaN層
45、46、55、56…電極
5…フォトダイオード
52…受光層
Claims (6)
- a)化合物半導体素子用、酸化物半導体素子用、又は有機半導体素子用の基板として用いられる透明又は半透明の材料から成り、その内部に試料溶液が流通する流路が形成されてなる基体と、
b)前記流路が内部に形成されている前記基体の外表面に一体に形成され、該基体中を透過して前記流路中の試料溶液に対し光を照射する半導体発光部と、
c)前記基体の外表面に一体に形成され、前記半導体発光部による照射光に対する前記流路中の試料溶液からの光が前記基体中を透過して到達する位置に形成された半導体受光部と、
を備えることを特徴とする光学分析装置。 - 請求項1に記載の光学分析装置であって、
前記半導体発光部は、前記基体の外表面に形成された第1のn型窒化ガリウム薄膜層と、該第1のn型窒化ガリウム薄膜層の上面に形成されたインジウム窒化ガリウム及び窒化ガリウムの多層膜である活性層と、該活性層の上面に形成された第1のp型窒化ガリウム薄膜層と、前記第1のn型窒化ガリウム薄膜層の上面に形成された第1電極と、前記第1のp型窒化ガリウム薄膜層の上面に形成された第2電極と、を含み、
前記半導体受光部は、前記基体の外表面に形成された第2のn型窒化ガリウム薄膜層と、該第2のn型窒化ガリウム薄膜層の上面に形成された低バンドギャップの窒化ガリウム系結晶層である受光層と、該受光層の上面に形成された第2のp型窒化ガリウム薄膜層と、前記第2のn型窒化ガリウム薄膜層の上面に形成された第3電極と、前記第2のp型窒化ガリウム薄膜層の上面に形成された第4電極と、を含むことを特徴とする光学分析装置。 - 請求項1に記載の光学分析装置であって、
前記流路は直管状であり、前記半導体発光部と前記半導体受光部とは前記流路の軸を挟んだ両側であって且つ該流路の長手方向に互いにずらした位置に配置されていることを特徴とする光学分析装置。 - 請求項1に記載の光学分析装置であって、
前記基体は、サファイア、窒化アルミニウム、ビスマスゲルマニウムオキサイド、ダイヤモンド、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、又は、酸化亜鉛から成ることを特徴とする光学分析装置。 - 化合物半導体素子用、酸化物半導体素子用、又は有機半導体素子用の基板として用いられる透明又は半透明の材料から成り、その内部に試料溶液が流通する流路が形成されてなる基体に対し、
前記流路が内部に形成されている前記基体の外表面に、該基体中を透過して前記流路中の試料溶液に対し光を照射する半導体発光部を半導体プロセスによって形成する第1工程と、
前記基体の外表面であって前記半導体発光部による照射光に対する前記流路中の試料溶液からの光が前記基体中を透過して到達する位置に、半導体プロセスによって半導体受光部を形成する第2工程と、を有することを特徴とする光学分析装置の製造方法。 - 請求項5に記載の光学分析装置の製造方法であって、
前記第1工程は、前記基体の外表面に第1のn型窒化ガリウム薄膜層を形成する工程と、該第1のn型窒化ガリウム薄膜層の上面にインジウム窒化ガリウム及び窒化ガリウムの多層膜である活性層を形成する工程と、該活性層の上面に第1のp型窒化ガリウム薄膜層を形成する工程と、前記第1のn型窒化ガリウム薄膜層の上面に第1電極を形成する工程と、前記第1のp型窒化ガリウム薄膜層の上面に第2電極を形成する工程と、を含み、
前記第2工程は、前記基体の外表面に第2のn型窒化ガリウム薄膜層を形成する工程と、該第2のn型窒化ガリウム薄膜層の上面に低バンドギャップの窒化ガリウム系結晶層である受光層を形成する工程と、該受光層の上面に第2のp型窒化ガリウム薄膜層を形成する工程と、前記第2のn型窒化ガリウム薄膜層の上面に第3電極を形成する工程と、前記第2のp型窒化ガリウム薄膜層の上面に第4電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする光学分析装置の製造方法。
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JPS486890U (ja) * | 1971-06-07 | 1973-01-25 | ||
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US6197503B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-03-06 | Ut-Battelle, Llc | Integrated circuit biochip microsystem containing lens |
GB2369428B (en) * | 2000-11-22 | 2004-11-10 | Imperial College | Detection system |
US7190449B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-03-13 | Nanopoint, Inc. | Cell tray |
US7087444B2 (en) | 2002-12-16 | 2006-08-08 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for integration of microelectronic components with microfluidic devices |
JP2004219401A (ja) | 2002-12-24 | 2004-08-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 表面プラズモンセンサー及び、表面プラズモン共鳴測定装置、検知チップ |
JP2005013905A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化学反応用マイクロチップおよびその製造方法 |
JP4455032B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 濃度測定装置および濃度測定方法 |
US7221455B2 (en) * | 2004-01-20 | 2007-05-22 | The Regents Of The Unversity Of California | Integrated, fluorescence-detecting microanalytical system |
JP2006084210A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 分析装置 |
JP2006184010A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kobe Steel Ltd | マイクロ流体デバイス及びその製造方法、並びにこのマイクロ流体デバイスを備えた化学分析装置 |
WO2007021815A2 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Eksigent Technologies, Llc | Microfluidic chip apparatuses, systems and methods having fluidic and fiber optic interconnections |
US20080277606A1 (en) * | 2005-11-11 | 2008-11-13 | Molecular Vision Limited | Microfluidic Device |
US7358476B2 (en) | 2005-12-22 | 2008-04-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Sensing photons from objects in channels |
GB0702560D0 (en) * | 2007-02-09 | 2007-03-21 | Univ Bath | Production of Semiconductor devices |
US8926906B2 (en) * | 2008-07-21 | 2015-01-06 | Concordia University | Microfluidic device and method for fabricating the microfluidic device |
WO2010030251A2 (en) * | 2008-09-15 | 2010-03-18 | Agency For Science, Technology And Research | Integrated optical sensors operating in the frequency domain |
US8213015B2 (en) | 2008-09-25 | 2012-07-03 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated flow cell with semiconductor oxide tubing |
EP2196796A1 (en) | 2008-12-09 | 2010-06-16 | Imec | Single molecule optical spectroscopy in solid-state nanopores in a transmission-based approach |
CN102782476A (zh) * | 2010-01-13 | 2012-11-14 | 弗劳森有限公司 | 包括发光设备的微液体*** |
EP2544220A4 (en) * | 2010-03-05 | 2015-12-02 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR THE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION PROCESS FOR A SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH A MULTILAYER FILM AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP2011237384A (ja) | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 分析用光学系及びその光学系を用いた分析装置 |
CN102288544B (zh) * | 2010-06-17 | 2013-05-22 | 北京利达科信环境安全技术有限公司 | 浊度流通池 |
JP5700424B2 (ja) | 2011-03-16 | 2015-04-15 | 独立行政法人理化学研究所 | 光学デバイス、光学分析チップ、およびその製造方法 |
US20140093993A1 (en) * | 2012-10-01 | 2014-04-03 | Justin PAYNE | Device of monolithically integrated optoelectrics |
US9366647B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical detection for bio-entities |
JP6174438B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-08-02 | 旭化成株式会社 | 紫外光発光装置、流体濃度測定装置、透析装置及びオゾン濃度測定装置 |
CN203811541U (zh) * | 2014-03-24 | 2014-09-03 | 长春美泰仪器有限公司 | 荧光增白剂检测装置 |
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