JP6365424B2 - ブートストラップ・プリドライバ - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について、図1および図2を参照して説明する。
図1は全体の回路構成を示すもので、誘導性負荷1としては、例えば直噴インジェクタのアクチュエータに用いるソレノイドなどである。誘導性負荷1は、駆動開始時には高電圧である第1電圧VD1で通電して駆動し、一旦動いた後は第1電圧VDよりも低い低電圧である第2電圧VD2で通電して駆動する方式を採用している。
図3は第2実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、通電路形成部10に代えて、通電路形成部36を設けた構成である。図3に示すように、この実施形態では、通電路形成部36として、ダイオード31は、PMOS32を介さずにそのままカソードを第2プリドライバ9の端子Dに接続している。また、ダイオード31以外の構成は無くし、代わりにツェナーダイオード37を設けている。ツェナーダイオード37は、ダイオード31のカソードと第2プリドライバ9の端子Fとの間に接続されている。ツェナーダイオード37のツェナー電圧は、例えばコンデンサ7の端子電圧よりも高いものが設けられている。
図4および図5は第3実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、IC5aとして、第1プリドライバ8、第2プリドライバ9、通電路形成部10に代えて、それぞれ対応するように第1プリドライバ38、第2プリドライバ39、通電路形成部40を設けている。
なお、本発明は、上述した一実施形態のみに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能であり、例えば、以下のように変形または拡張することができる。
第3実施形態では、通電路形成部40の構成として、PMOS32などを用いた構成としているが、第2実施形態で用いた通電路形成部36を設ける構成とすることもできる。
Claims (5)
- 第1電圧(VD1)の給電端子と誘導性負荷(1)との間に設けられたNチャンネル型の第1MOSFET(2)を駆動するように設けられ、第1コンデンサ(6)の電荷を利用するブートストラップ回路を備えた第1プリドライバ(8、38)と、
前記第1電圧より低い第2電圧(VD2)の給電端子と前記誘導性負荷との間に設けられたNチャンネル型の第2MOSFET(3)を駆動するように設けられ、第2コンデンサ(7)の電荷を利用するブートストラップ回路を備えた第2プリドライバ(9,39)と、
前記第1プリドライバによる前記第1MOSFETの駆動期間中に、前記第1コンデンサの電荷を前記第2プリドライバ側に取り込む通電経路を形成し前記第2MOSFETの駆動に使用する通電経路形成部(10、36、40)と
を備えたことを特徴とするブートストラップ・プリドライバ。 - 請求項1に記載のブートストラップ・プリドライバにおいて、
前記通電経路形成部(10)は、前記通電経路に順方向に設けられるダイオード(31)およびスイッチング素子(32)を有することを特徴とするブートストラップ・プリドライバ。 - 請求項1に記載のブートストラップ・プリドライバにおいて、
前記通電経路形成部(36)は、通電経路に順方向に設けられるダイオード(31)および当該ダイオードのカソード側の電位を保持するツェナーダイオード(37)を有することを特徴とするブートストラップ・プリドライバ。 - 請求項1から3の何れか一項に記載のブートストラップ・プリドライバにおいて、
前記第1プリドライバ(38)および前記第2プリドライバ(39)は、少なくとも一方のものが駆動能力を切り替える機能を持つように構成されることを特徴とするブートストラップ・プリドライバ。 - 請求項4に記載のブートストラップ・プリドライバにおいて、
前記第1プリドライバ(38)および前記第2プリドライバ(39)は、少なくとも一方のものが駆動能力が大きい状態から小さい状態に切り替える機能を持つように構成されることを特徴とするブートストラップ・プリドライバ。
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