JP6353762B2 - Circuit board - Google Patents
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Description
本発明は、回路基板に関する。 The present invention relates to a circuit board.
例えばミリ波を利用したレーダや通信装置では、送受信アンテナとミリ波発振回路とを接続するために伝送線路が必要となる。そこで、伝送線路を回路基板に設けたものがある。 For example, in a radar or communication device using millimeter waves, a transmission line is required to connect the transmission / reception antenna and the millimeter wave oscillation circuit. Therefore, there is a transmission line provided on a circuit board.
このような回路基板として、ストリップラインを成す基板と、マイクロストリップラインを成す基板とを接続し、所望の高周波回路を構成したものがある。更に、例えば、特許文献1の図5には、種類が異なる基板を積層して、相互をスルーホールにより接続した回路基板が開示されている。
As such a circuit board, there is one in which a desired high-frequency circuit is configured by connecting a substrate forming a stripline and a substrate forming a microstripline. Furthermore, for example, FIG. 5 of
前記のとおり、ストリップラインを成す基板とマイクロストリップラインを成す基板とをスルーホールによって接続して回路基板を構成する場合、スルーホールにより発生する反射波が影響を与え、この回路基板における反射特性が劣化するという問題点がある。 As described above, when a circuit board is configured by connecting a substrate forming a stripline and a substrate forming a microstripline by a through hole, a reflected wave generated by the through hole has an influence, and the reflection characteristic in the circuit board is There is a problem of deterioration.
そこで、本発明は、マイクロストリップラインとストリップラインとをスルーホールにより接続することで構成される回路基板において、反射特性を改善することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to improve reflection characteristics in a circuit board configured by connecting a microstrip line and a strip line by a through hole.
本発明の回路基板は、第1基板部、前記第1基板部の一方側の面に設けられている線状の導体箔からなる第1線路、及び、前記第1基板部の他方側の面に設けられている導体箔からなるグランドを有するマイクロストリップラインと、第2基板部、前記第2基板部の内部に設けられている線状の導体箔からなる第2線路、及び、前記第2基板部の両面にそれぞれ設けられている導体箔からなるグランドを有するストリップラインと、前記第1線路と前記第2線路とを高周波を伝送可能として接続するスルーホールとを備え、前記第1線路と前記スルーホールとの間、又は、前記スルーホールと前記第2線路との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部が設けられており、前記インピーダンス整合部を構成する前記導体箔は、前記スルーホールからλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さを有し、当該導体箔と連続する前記第1線路又は前記第2線路よりも幅広に設定されている。 The circuit board of the present invention includes a first substrate part, a first line made of a linear conductor foil provided on one surface of the first substrate part, and the other surface of the first substrate part. A microstrip line having a ground made of a conductive foil provided on the second substrate portion, a second line made of a linear conductive foil provided inside the second substrate portion, and the second A strip line having a ground made of a conductive foil provided on both surfaces of the substrate part; and a through hole connecting the first line and the second line so as to be able to transmit a high frequency. An impedance matching portion made of a conductor foil is provided between the through hole or between the through hole and the second line, and the conductor foil constituting the impedance matching portion is connected to the through hole. (The lambda frequency wavelength of the transmission) from the lambda / 4 Le has a length corresponding to an odd number of times, is set wider than the first line or the second line is continuous with the conductive foil.
本発明によれば、マイクロストリップラインとストリップラインとをスルーホールにより接続する場合であっても、マイクロストリップライン側の第1線路とスルーホールとの間、又は、スルーホールとストリップライン側の第2線路との間に、前記導体箔からなるインピーダンス整合部が設けられていることにより、反射特性を改善することが可能となる。
つまり、インピーダンス整合部を構成する導体箔は、スルーホールからλ/4の奇数倍に相当する長さを有し、そして、第1線路又は第2線路よりも幅広に設定されていることで段差部を有し、この段差部により生じる反射波をスルーホールで生じる反射波に対して逆位相とすることで、両反射波を打ち消し合う作用が生じ、回路基板における反射特性を改善することが可能となる。
According to the present invention, even when the microstrip line and the strip line are connected by a through hole, the first line and the through hole on the micro strip line side or the first line on the through hole and the strip line side are connected. By providing the impedance matching portion made of the conductor foil between the two lines, the reflection characteristics can be improved.
That is, the conductor foil constituting the impedance matching portion has a length corresponding to an odd multiple of λ / 4 from the through hole, and is set to be wider than the first line or the second line. By setting the reflected wave generated by this stepped part in reverse phase with respect to the reflected wave generated in the through hole, it is possible to cancel both reflected waves and improve the reflection characteristics on the circuit board It becomes.
また、前記第1基板部と前記第2基板部とは、共通する誘電体基板から構成されているのが好ましい。
この場合、誘電体基板の一方側にマイクロストリップラインが設けられ、その他方側にストリップラインが設けられた回路基板となる。
The first substrate unit and the second substrate unit are preferably formed of a common dielectric substrate.
In this case, a circuit board is provided in which a microstrip line is provided on one side of the dielectric substrate and a strip line is provided on the other side.
また、この回路基板において、前記スルーホールの周囲に、前記誘電体基板を貫通し内周に導体が設けられている孔が複数設けられており、隣り合う前記孔の間隔がλ/4(λは伝送する高周波の波長)未満に設定されているのが好ましい。
この場合、導体が内周に設けられている前記孔によって、スルーホールからの電磁波の漏洩を抑制することが可能となり、透過率を向上させることができる。
Further, in this circuit board, a plurality of holes are provided around the through-holes so as to penetrate the dielectric substrate and have conductors provided on the inner periphery, and the interval between the adjacent holes is λ / 4 (λ Is preferably set to less than the wavelength of the high frequency to be transmitted.
In this case, leakage of electromagnetic waves from the through hole can be suppressed by the hole in which the conductor is provided on the inner periphery, and the transmittance can be improved.
また、前記ストリップラインが有する一方側の前記グランドには、前記第1線路を位置させるための切り欠き部が設けられており、前記切り欠き部は、開口側に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分を有しているのが好ましい。
この場合、回路基板の透過率を向上させることができる。
The ground on one side of the stripline is provided with a notch for positioning the first line, and the notch becomes wider toward the opening side. It is preferable to have a portion.
In this case, the transmittance of the circuit board can be improved.
また、前記誘電体基板の一方側の面に、前記第1線路及び前記ストリップラインが有する一方側の前記グランドが、導体箔により形成され、前記誘電体基板の他方側の面に、前記マイクロストリップラインが有する前記グランド及び前記ストリップラインが有する他方側の前記グランドが、導体箔により形成され、前記誘電体基板の内部に、前記第2線路が設けられているのが好ましい。
この場合、誘電体基板の一方側及び他方側の面それぞれに、所定形状の導体パターンを設けることで、回路基板を構成することができる。
The ground on one side of the first line and the strip line is formed of a conductive foil on one surface of the dielectric substrate, and the microstrip is formed on the other surface of the dielectric substrate. Preferably, the ground included in the line and the ground on the other side included in the strip line are formed of a conductive foil, and the second line is provided inside the dielectric substrate.
In this case, the circuit board can be configured by providing a conductor pattern having a predetermined shape on each of the one side surface and the other side surface of the dielectric substrate.
本発明によれば、マイクロストリップラインとストリップラインとをスルーホールにより接続することで構成される回路基板において、前記インピーダンス整合部が設けられていることにより、反射特性を改善することが可能となる。 According to the present invention, in the circuit board configured by connecting the microstrip line and the strip line by a through hole, the reflection characteristic can be improved by providing the impedance matching portion. .
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本発明の回路基板1は、例えばミリ波を利用したレーダや通信装置に用いられ、(送受信)アンテナと(ミリ波)発振回路とを接続するための伝送路を備えている基板である。なお、以下に説明する回路基板1では、使用周波数帯を60GHzとしている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
The
図1は、本発明の回路基板1の実施の一形態を示す平面図である。図2は、図1に示す回路基板1の横断面図である。図3は、図1に示す回路基板1のV1矢視の断面図である。図4は、図1に示す回路基板1のV2矢視の断面図である。この回路基板1は、一つの基板からなり、この一つの基板にマイクロストリップライン2とストリップライン3とを有している。ここでは、マイクロストリップライン2側を入力側とし、ストリップライン3側を出力側としている。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a
マイクロストリップライン2は、第1基板部10、第1基板部10の一方側の面10aに設けられている線状の導体箔からなる第1線路11、及び、第1基板部10の他方側の面10bに設けられている導体箔からなるグランド12を有しており、高周波を伝送する伝送路を構成している。
ストリップライン3は、第2基板部20、第2基板部20の内部に設けられている線状の導体箔からなる第2線路21、及び、第2基板部20の両面20a,20bに設けられている導体箔からなるグランド22,23を有しており、高周波を伝送する伝送路を構成している。
そして、この回路基板1は、第1線路11と第2線路21とを高周波を伝送可能として接続するスルーホール30を備えている。
The
The
And this
本実施形態では、第1基板部10と第2基板部20とは、同一面(10b)上に並んで設けられており、共通する誘電体基板5から構成されている。誘電体基板5は、ガラスエポキシ樹脂やフッ素樹脂等を含む誘電体からなる。つまり、誘電体基板5の一方側(図2の左側)にマイクロストリップライン2が設けられ、その他方側(図2の右側)にストリップライン3が設けられた回路基板1となる。
In the present embodiment, the
したがって、誘電体基板5の一方側の面5aに、第1線路11、ストリップライン3が有する一方側のグランド22、及び、後述する第1線路11とスルーホール30との接続部(パッド部)15が、導体箔により形成されている。また、誘電体基板5の他方側の面5bに、マイクロストリップライン2が有するグランド12、ストリップライン3が有する他方側のグランド23、及び、後述する接続部(パッド部)35が、導体箔により形成されている。そして、誘電体基板5の内部に、第2線路21、及び、後述する第2線路21とスルーホール30との接続部(パッド部)25が設けられている。
Therefore, the
図5は、図1に示す回路基板1の背面図である。マイクロストリップライン2のグランド12と、ストリップライン3のグランド23とは、誘電体基板5の他方側の面5bに設けられている導体箔により形成されており、これらグランド12,23は相互に連続している。つまり、一つのグランドの一部が、マイクロストリップライン2用であり、他部が、ストリップライン3用である。
FIG. 5 is a rear view of the
以上より、この回路基板1は三層の導体箔を有しており、第一層として、第1線路11、グランド22及び第1の接続部15が設けられ、第二層(中間層)として、第2線路21及び第2の接続部25が設けられ、第三層として、グランド12,23及び第3の接続部35が設けられた構成となる。そして、各層が一部においてスルーホール30により接続される。前記各導体箔は、金属箔であり、本実施形態では銅箔である。
As described above, the
スルーホール30は、誘電体基板5を貫通して形成した孔の内周にめっき(導体膜)が付されることで構成されている。このスルーホール30のめっき層は、第1線路11の端部(図1参照)に設けられている第1の接続部(パッド部)15と、電気的に接続されている。なお、この第1の接続部15は、グランド22と絶縁されている。本実施形態では、この接続部15がスルーホール30に含まれるものとして説明する。第1の接続部15は、第1線路11及びグランド22と共に、誘電体基板5に貼り付けられた導体箔をエッチングすることにより得られる。
The through
前記のとおり、誘電体基板5の一方側の面5aに、マイクロストリップライン2の第1線路11と、ストリップライン3のグランド22とが設けられており、このグランド22には(図1参照)、第1線路11を位置させるための切り欠き部27が設けられている。そして、この切り欠き部27は、開口側(入力側)に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分を有している。本実施形態では、切り欠き部27は、間隔が広くなる部分として、第1線路11の両側にアール部27aを有している。
As described above, the
図6は、誘電体基板5の前記第二層(中間層)における断面図である。誘電体基板5の中間層において、第2線路21の端部に、後述するインピーダンス整合部7を挟んで、第2の接続部(パッド部)25が設けられており、スルーホール30のめっき層は、この接続部25と電気的に接続されている。本実施形態では、この接続部25は、スルーホール30に含まれるものとして説明する。第2の接続部25は、グランド12,22,23と絶縁されている。第2の接続部25は、第2線路21と共に、(後にも説明するが、)誘電体基板5の一部を構成する下層部に貼り付けられた導体箔をエッチングすることにより得られる。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the second layer (intermediate layer) of the
更に、誘電体基板5の他方側の面5bには、図5に示すように、第3の接続部(パッド部)35が設けられており、スルーホール30のめっき層は、この接続部35と電気的に接続されている。本実施形態では、この接続部35は、スルーホール30に含まれるものとして説明する。第3の接続部35は、グランド12,23と絶縁されている。第3の接続部35は、グランド12,23と共に、誘電体基板5に貼り付けられた導体箔をエッチングすることにより得られる。
Further, as shown in FIG. 5, a third connection portion (pad portion) 35 is provided on the
なお、本発明では、スルーホール30(めっき層)は、少なくとも第1線路11及び第2線路21と、電気的に接続されていればよい。このため、スルーホール30は、誘電体基板5の板厚方向の全体を貫通した孔でなくてもよく、中間層まで貫通した有底孔であってもよい。
In the present invention, the through hole 30 (plating layer) only needs to be electrically connected to at least the
そして、本実施形態では、図6及び図7に示すように、スルーホール30の第2の接続部25と第2線路21との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部7が設けられている。図7は、インピーダンス整合部7の説明図である。
インピーダンス整合部7を構成する導体箔は、スルーホール30からλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さLを有している。本実施形態の接続部25(15,35)は、円環形状であって、スルーホール30を構成する貫通孔と同一中心に配置されている。そこで、インピーダンス整合部7を構成する導体箔は、このスルーホール30の中心(接続部25の中心)からλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さLを有している。
And in this embodiment, as shown in FIG.6 and FIG.7, the
The conductor foil constituting the
また、図7に示すように、このインピーダンス整合部7を構成する導体箔は、この導体箔と連続する第2線路21よりも幅広に設定されている(インピーダンス整合部7の幅寸法W1>第2線路21の幅寸法W2)。また、このインピーダンス整合部7を構成する導体箔の幅寸法W1は、接続部25の外径Dよりも小さく設定されている。更に、この幅寸法W1は、接続部25の内径dよりも小さく設定されている。
更に、本実施形態では、接続部25におけるインピーダンスZ1よりも、インピーダンス整合部7におけるインピーダンスZ2が小さくなるように設定されており、また、インピーダンス整合部7におけるインピーダンスZ2よりも、第2線路21におけるインピーダンスZ3が小さくなるように設定されている(Z1>Z2>Z3)。
Further, as shown in FIG. 7, the conductor foil constituting the
Further, in the present embodiment, the impedance Z2 in the
本実施形態の回路基板1では、スルーホール30の周囲に、誘電体基板5を貫通し内周に導体(導体膜)が設けられている孔8が複数設けられている。なお、前記導体は、めっき層からなる。そして、隣り合う孔8の間隔は、λ/4(λは伝送する高周波の波長)未満に設定されている。これら導体が内周に設けられている孔8によって、スルーホール30からの電磁波の漏洩を抑制することが可能となり、透過率を向上させることができる。以下、この導体が設けられている孔8を、シールド用の孔8と呼ぶ。
In the
以上の構成を有する回路基板1によれば、マイクロストリップライン2とストリップライン3とを、スルーホール30により接続することができ、また、このように、マイクロストリップライン2とストリップライン3とをスルーホール30により接続する場合であっても、スルーホール30とストリップライン3側の第2線路21との間に、所定の形状を有する導体箔からなるインピーダンス整合部7が設けられていることにより、インピーダンス特性の不連続が緩和され、反射特性を改善することが可能となる。
According to the
つまり、インピーダンス整合部7を構成する導体箔は、スルーホール30からλ/4の奇数倍に相当する長さを有しており、そして、第2線路21よりも幅広に設定されていることで段差部7a(図7参照)を有している。この段差部7aに生じる反射波がスルーホール30で生じる反射波に対して逆位相となることで、両反射波を打ち消し合う作用が生じ、回路基板1における反射特性を改善することが可能となる。
以上より、本実施形態の回路基板1には、マイクロストリップライン2とストリップライン3との変換部が構成されていると言える。
That is, the conductor foil constituting the
From the above, it can be said that the
図8及び図9は、前記構成を有する回路基板1における反射量及び透過量についてのシミュレーション結果である。図1及び図2に示す形態を有する回路基板1の場合のシミュレーション結果を、実線で示している。なお、図8及び図9には、比較として、インピーダンス整合部7が設けられていない回路基板の場合のシミュレーション結果を、破線で示している。更に、図8及び図9には、(後述の)図13に示す形態を有する回路基板1の場合のシミュレーション結果(二点鎖線)についても記載しているが、これについては、後で説明する。
図8に示すように、本実施形態のようにインピーダンス整合部7を備えている回路基板1(実施例)によれば、使用周波数帯(60GHz)において、反射量を低減することが可能となり、図9に示すように、この実施例によれば透過量を増加させることが可能となる。
8 and 9 show simulation results for the reflection amount and transmission amount in the
As shown in FIG. 8, according to the circuit board 1 (example) provided with the
なお、インピーダンス整合部7は、スルーホール30からλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さLを有していればよい。図10は、インピーダンス整合部7の長さLを変化させた場合の反射量についてのシミュレーション結果である。この図10に示すように、λ/4、(3λ)/4、(5λ)/4・・・と、λ/4の奇数倍の長さを有するインピーダンス整合部7を備えた回路基板1によれば、反射量を小さくすることが可能となる。
The
前記のとおり(図1参照)、ストリップライン側のグランド22には、第1線路11を位置させるための切り欠き部27が設けられており、この切り欠き部27は、開口側に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分としてアール部27aを有している。
そこで、図11は、このようなアール部27aを有している場合(図12(A)参照)と、アール部を有していない場合(図12(B)参照)との透過量についてのシミュレーション結果を示している。なお、図12(A)に示すように、アール部27aを有する本実施形態の誘電体基板5の一方側の面5aには、第1線路11とグランド22とにより、トリプレートライン4が構成されている。つまり、この回路基板1は、マイクロストリップライン2からトリプレートライン4へと変換する変換部を有しているとも言える。
As described above (see FIG. 1), the
Therefore, FIG. 11 shows the amount of transmission between the case where such a
アール部27aを有している場合(図12(A)参照)では、マイクロストリップライン2からトリプレートライン4への変換が徐々に行われることから、アール部を有していない場合(図12(B)参照)と比較して、図11に示すように、使用周波数帯(60GHz)において回路基板1における透過を向上させることができる。
In the case where the
〔他の回路基板1について〕
図13は、本発明の回路基板1の他の形態を示す平面図である。図1に示す回路基板1と図13に示す回路基板1との異なる点は、インピーダンス整合部7が設けられている位置であり、その他は同じである。すなわち、図13に示す回路基板1では、マイクロストリップライン2が有する第1線路11と、スルーホール30の第1の接続部15との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部7が設けられている。
[About other circuit boards 1]
FIG. 13 is a plan view showing another embodiment of the
このインピーダンス整合部7を構成する導体箔は、図1に示す形態と同様に、スルーホール30からλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さLを有している。接続部15は、円形であって、スルーホール30を構成する貫通孔と同一中心に配置されていることから、インピーダンス整合部7を構成する導体箔は、このスルーホール30の中心(接続部15の中心)からλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さLを有している。
The conductor foil constituting the
そして、このインピーダンス整合部7を構成する導体箔は、この導体箔と連続する第1線路11よりも幅広に設定されている(インピーダンス整合部7の幅寸法>第1線路11の幅寸法)。また、このインピーダンス整合部7を構成する導体箔の幅寸法は、円環形状である接続部15の外径よりも小さく設定されている。更に、この導体箔の幅寸法は、接続部15の内径よりも小さく設定されている。
更に、この図13に示す回路基板1においても、接続部15におけるインピーダンスZ1よりも、インピーダンス整合部7におけるインピーダンスZ2が小さくなるように設定されており、また、インピーダンス整合部7におけるインピーダンスZ2よりも、第1線路11におけるインピーダンスZ3が小さくなるように設定されている(Z1>Z2>Z3)。
And the conductor foil which comprises this
Further, in the
この図13に示す回路基板1によれば、マイクロストリップライン2とストリップライン3とを、スルーホール30により接続することができ、また、このように、マイクロストリップライン2とストリップライン3とをスルーホール30により接続する場合であっても、マイクロストリップライン2側の第1線路11とスルーホール30との間に、所定の形状を有する導体箔からなるインピーダンス整合部7が設けられていることにより、インピーダンス特性の不連続が緩和され、反射特性を改善することが可能となる。
According to the
つまり、インピーダンス整合部7を構成する導体箔は、スルーホール30からλ/4の奇数倍に相当する長さを有しており、そして、第1線路11よりも幅広に設定されていることで段差部7aを有している。この段差部7aに生じる反射波がスルーホール30で生じる反射波に対して逆位相となることで、両反射波を打ち消し合う作用が生じ、回路基板1における反射特性を改善することが可能となる。
以上より、本実施形態の回路基板1には、マイクロストリップライン2とストリップライン3との変換部が構成されていると言える。
That is, the conductor foil constituting the
From the above, it can be said that the
図8及び図9には、図13に示す形態を有する回路基板1における反射量及び透過量についてのシミュレーション結果が、二点鎖線で示されている。図8及び図9に示すように、図13に示すインピーダンス整合部7を備えている回路基板1によれば、使用周波数帯(60GHz)において、反射量を低減することが可能となり、また、図9に示すように、透過量を増加させることが可能となる。
8 and 9, the simulation results for the reflection amount and the transmission amount in the
〔回路基板1の製造方法について〕
図14は、図1及び図2に示す回路基板1の製造方法を説明する説明図である。図14(A)に示すように、第1の誘電体板41の両面に導体箔(銅箔)43,44を設ける。ここで説明する製造方法によって回路基板1が完成すると、この誘電体板41は、図2に示す誘電体基板5の厚さ方向について一方側の層(下層部)となる。そして、図14(B)に示すように、この誘電体板41の一方側の面41aにおいて、第2線路21及び第2の接続部25(図1参照)となるパターンをエッチングする。
[About the manufacturing method of the circuit board 1]
FIG. 14 is an explanatory diagram for explaining a method of manufacturing the
また、第1の誘電体板41とは別に、図14(C)に示すように、第2の誘電体板42の片面に導体箔(銅箔)45を貼り付ける。ここで説明する製造方法によって回路基板1が完成すると、この誘電体板42は、図2に示す誘電体基板5の厚さ方向について他方側の層(上層部)となる。つまり、前記下層部と前記上層部とで誘電体基板5が得られる。
In addition to the
そして、図14(B)に示す誘電体板41と図14(C)に示す誘電体板42とを、図14(D)に示すように接合して誘電体基板5を得る。この誘電体基板5に対して、スルーホール30を構成するための孔と、シールド用の孔8を構成するための孔とを設けてから、図14(E)に示すように、この誘電体基板5に対してめっきを行う(めっき層49)。
Then, the
その後、図14(F)に示すように、この誘電体基板5の一方側の面5aにおいて、第1線路11、第1の接続部15、図外のグランド22となるパターンをエッチングし、また、他方側の面5bにおいて、第3の接続部35、グランド12、及び、図外のグランド23となるパターンをエッチングする。
以上より、図1及び図2に示す回路基板1が得られる。
After that, as shown in FIG. 14 (F), the pattern that becomes the
From the above, the
〔各形態の回路基板1について〕
前記各形態の回路基板1によれば、マイクロストリップライン2とストリップライン3とを、スルーホール30により接続することができ、また、このように、マイクロストリップライン2とストリップライン3とをスルーホール30により接続する場合であっても、スルーホール30とストリップライン3側の第2線路21との間に(図1参照)、又は、マイクロストリップライン2側の第1線路11とスルーホール30との間に(図13参照)、所定の形状を有する導体箔からなるインピーダンス整合部7が設けられていることにより、インピーダンス特性の不連続が緩和され、回路基板1における反射特性を改善することが可能となる。
[Regarding
According to each form of the
また、本実施形態では、マイクロストリップライン2を構成するための第1基板部10と、ストリップライン3を構成するための第2基板部20とは、共通する誘電体基板5から構成されているので、この誘電体基板5の一方側にマイクロストリップライン2が設けられ、その他方側にストリップライン3が設けられた回路基板1となる。
このため、この回路基板1を、その途中部において曲げて用いる場合、ストリップライン3の範囲で曲げるのが好ましい。つまり、ストリップライン3の範囲内に回路基板1の曲げ部が位置するのが好ましい。これは、ストリップライン3では、曲げ部の最外層には、グランド22(又は23)が位置し、高周波を伝送する線路(第2線路21)が設けられないことから、曲げ応力による断線の発生を抑制することができるためである。
In the present embodiment, the
For this reason, when this
なお、前記各形態では、インピーダンス整合部7を構成する導体箔は、スルーホール30の中心(接続部25,15の中心)からλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さLを有している場合について説明したが、このインピーダンス整合部7を構成する導体箔は、接続部25(又は接続部15)の端部e1(e2)からλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さLを有していてもよい(図15(A)(B)参照)。つまり、インピーダンス整合部7を構成する導体箔の端部位置P1は、接続部25(又は接続部15)の範囲内で調整可能であり、この端部位置P1からの長さLが、λ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍となるように設定されていればよい。
In each of the above embodiments, the conductor foil constituting the
本発明の回路基板1は、図示する形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。例えば、回路基板1をミリ波帯(60GHz)で使用できるものとして説明したが、電波帯(周波数帯)としては、ミリ波以外であってもよい。
また、図12(A)では、切り欠き部27の開口側をアール部27aとして説明したが、この開口側の形状は一方側(入力側)に向かうにしたがって、開口寸法が広くなる構成であればよく、アール部27aの代わりに直線形状であってもよい。なお、アール部27aとする場合、その曲率半径を大きくするほど、透過率を増加させることができる。
The
Further, in FIG. 12A, the opening side of the
1:回路基板 2:マイクロストリップライン 3:ストリップライン
5:誘電体基板 5a:一方側の面 5b:他方側の面
7:インピーダンス整合部 8:孔 10:第1基板部
10a:一方側の面 10b:他方側の面 11:第1線路
12:グランド 20:第2基板部 20a:一方側の面
20b:他方側の面 21:第2線路 22:グランド
23:グランド 27:切り欠き部 30:スルーホール
1: Circuit board 2: Microstrip line 3: Strip line 5:
Claims (3)
第2基板部、前記第2基板部の内部に設けられている線状の導体箔からなる第2線路、及び、前記第2基板部の両面にそれぞれ設けられている導体箔からなるグランドを有するストリップラインと、
前記第1線路と前記第2線路とを高周波を伝送可能として接続するスルーホールと、
を備え、
前記第1線路と前記スルーホールとの間、又は、前記スルーホールと前記第2線路との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部が設けられており、
前記インピーダンス整合部を構成する前記導体箔は、前記スルーホールからλ/4(λは伝送する高周波の波長)の奇数倍に相当する長さを有し、当該導体箔と連続する前記第1線路又は前記第2線路よりも幅広に設定されており、
前記第1基板部と前記第2基板部とは、共通する誘電体基板から構成され、
前記スルーホールの周囲に、前記誘電体基板を貫通し内周に導体が設けられている孔が複数設けられており、
隣り合う前記孔の間隔がλ/4(λは伝送する高周波の波長)未満に設定されていることを特徴とする回路基板。 The first substrate portion, the first line made of a linear conductor foil provided on one surface of the first substrate portion, and the conductor foil provided on the other surface of the first substrate portion A microstrip line having a ground consisting of:
A second substrate portion; a second line made of a linear conductor foil provided in the second substrate portion; and a ground made of a conductor foil provided on both surfaces of the second substrate portion. Stripline,
A through hole connecting the first line and the second line so as to transmit a high frequency;
With
Between the first line and the through hole, or between the through hole and the second line, an impedance matching portion made of a conductive foil is provided,
The conductor foil constituting the impedance matching portion has a length corresponding to an odd multiple of λ / 4 (λ is a wavelength of a high frequency to be transmitted) from the through hole, and is continuous with the conductor foil. Or it is set wider than the second line ,
The first substrate unit and the second substrate unit are composed of a common dielectric substrate,
Around the through hole, there are provided a plurality of holes penetrating the dielectric substrate and provided with a conductor on the inner periphery,
A circuit board, wherein an interval between adjacent holes is set to be less than λ / 4 (λ is a wavelength of a high frequency to be transmitted) .
前記切り欠き部は、開口側に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分を有している請求項1に記載の回路基板。 The ground on one side of the stripline is provided with a notch for positioning the first line,
The circuit board according to claim 1 , wherein the notch has a portion whose interval becomes wider toward the opening side.
前記誘電体基板の他方側の面に、前記マイクロストリップラインが有する前記グランド及び前記ストリップラインが有する他方側の前記グランドが、導体箔により形成され、
前記誘電体基板の内部に、前記第2線路が設けられている請求項1に記載の回路基板。 On one surface of the dielectric substrate, the ground on one side of the first line and the strip line is formed of a conductive foil,
The ground of the microstrip line and the ground of the other side of the strip line are formed of a conductive foil on the other surface of the dielectric substrate,
The interior of the dielectric substrate, the circuit board according to claim 1, wherein the second line is provided.
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