JP6350057B2 - 光走査装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 40
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Description
[構成の説明]
第1実施形態の光走査装置1は、反射部3と、支持部5と、一対の第1の駆動部9とを備えている(図1〜図4参照)。
外周部10は矩形の枠であり、その枠内に、円板状の内周部11及び第2の駆動部13が配置されている。
一対の第1の駆動部9は、反射部3の左右にそれぞれ1つずつ設けられている。2つの第1の駆動部9は同様の構造を有する。第1の駆動部9は、その下端9Cにおいて支持部5に接続するとともに、その上端9Dの側において、反射部3に接続している。さらに詳しくは、第1の駆動部9は、その上端9Dの側において、反射部3の方向に張り出す接続部9Aを備えており、その接続部9Aの先端を、反射部3における上端3Aに接続させている。
第1実施形態の光走査装置1は、以下の方法で製造することができる。まず、Siからなる厚さ350μmの支持層、SiO2からなる厚さ2μmの中間酸化膜、及びSiからなる厚さ10μmの活性層を積層したSOIウエハを用意する。
次に、このSOIウエハを選択的にエッチングすることで、支持部5と、基板31,45と、接続部9Aと、外周部10と、反射部内梁部材12と、内周部11とを含む一体の部材を形成する。
図1に基づき、光走査装置1の動作について説明する。一対の端子55に、それぞれ第1駆動信号源101を接続し、60Hzの駆動信号S1を印加する。駆動信号S1により、第1の駆動部9における圧電素子47,49が屈曲し、接続部9Aが、図1の紙面の正面に向かって移動する。反射部3の上端3Aは第1の駆動部9の接続部9Aに接続しているので、第1の駆動部9の上述した屈曲により、反射部3の上端3Aは、図1における紙面における正面に向かって変位する。
また、一対の端子43のうちの一方に、第2駆動信号源103を直接接続すると共に、他方の端子43に、位相反転回路105を介して第2駆動信号源103を接続する。この結果、一対の端子43のうちの一方には、30kHzの駆動信号S2が印加され、他方の端子43には、駆動信号S2とは逆位相の駆動信号S3が印加される。
[構成の説明]
第2実施形態の光走査装置1は、第1実施形態の光走査装置1と同様の構成を有しているが、第2の駆動部13に繋がる配線41や、第3の駆動部14に繋がる配線22の配置位置や構成等が異なっている(図5参照)。
第2実施形態の光走査装置1は、以下の方法で製造することができる。まず、第1実施形態と同様のSOIウエハを用意する。
次に、第1〜第3の駆動部9,13,14における圧電素子を構成する下部電極とPZT膜を、SOIウエハの片面に順次製膜し、所定の形状にエッチングする。なお、右側の第1の駆動部9を構成する下部電極とPZT膜は、絶縁膜46の上に製膜される。
次に、このSOIウエハを選択的にエッチングすることで、支持部5と、基板31,45と、接続部9Aと、外周部10と、反射部内梁部材12と、内周部11とを含む一体の部材を形成する。
第2実施形態の光走査装置1もまた、第1実施形態と同様、端子55に60Hzの駆動信号S1が印可されると共に、一対の端子43の各々に30kHzの駆動信号S2,S3が印加され、さらに、端子24には、駆動信号S4が印可される(図5参照)。
[構成の説明]
第3実施形態の光走査装置1は、第1実施形態と同様の反射部3や、一対の第1の駆動部9や、第2の駆動部13に繋がる配線42等を備えている。しかし、第3実施形態の光走査装置1は、一対の梁部材7を備えている点や、支持部5の構成や、第3の駆動部14に繋がる配線23の構成や配置位置等において第1実施形態と相違している(図7参照)。
支持部5は、第1実施形態と同様、矩形の枠であり、その枠内に、反射部3、及び一対の第1の駆動部9が配置されている。しかし、支持部5は、その内側において、一対の突出部5A,5Bを有しており、この点において第1実施形態と相違する。突出部5A,5Bは、反射部3を両側から挟むように配置されている。一対の梁部材7は、それぞれ、上述したとおり、一端において外周部10に接続しているが、その反対側の端部において、突出部5A,5Bに接続している。よって、突出部5A,5Bは、一対の梁部材7を介して反射部3を支持する。
[製造方法について]
第3実施形態の光走査装置1は、以下の方法で製造することができる。まず、第1実施形態と同様のSOIウエハを用意する。
次に、第1〜第3の駆動部9,13,14における圧電素子を構成する下部電極とPZT膜を、SOIウエハの片面に順次製膜し、所定の形状にエッチングする。次に、これらの圧電素子を構成する上部電極を製膜し、所定の形状にエッチングする。
次に、このSOIウエハを選択的にエッチングすることで、支持部5(突出部5A,5Bを含む)、梁部材7、第1,第2の駆動部9,13を構成する基板、接続部9A、外周部10、反射部内梁部材12、及び内周部11を含む一体の部材を形成する。
図7に基づき、光走査装置1の動作について説明する。一対の端子55に、それぞれ第1駆動信号源101を接続し、第1実施形態と同様、60Hzの駆動信号S1を印加する。駆動信号S1により、第1の駆動部9における圧電素子47,49が屈曲し、接続部9Aが、図7の紙面の正面に向かって移動する。反射部3の上端3Aは第1の駆動部9の接続部9Aに接続しているので、第1の駆動部9の上述した屈曲により、反射部3の上端3Aは、図7における紙面における正面に向かって変位する。
また、第1実施形態と同様、第2駆動信号源103及び位相反転回路105により、一対の端子43のうちの一方には、30kHzの駆動信号S2を、他方の端子43には、駆動信号S2とは逆位相の駆動信号S3が印加される。これにより、第1実施形態と同様、内周部11に、A軸20を中心軸とする曲げ振動が生じる。
第1実施形態の光走査装置1によれば、第2,第3の駆動部13,14に繋がる配線21,40は、下部配線と非圧電性の絶縁層と上部配線とからなる多層構造となっている。これにより、配線21,40の配置領域の面積を低減することができ、光走査装置1を小型化することができる。
このため、第2,第3の駆動部13,14を構成する圧電素子に電圧を印可しても、配線21,40における変形部9Bに配された部分が屈曲変形することは無い。したがって、配線21,40は、第1の駆動部9を構成する基板45に配されているものの、変形部9Bの変位により行われるB軸18を中心軸とする曲げ振動を妨げることは無く、光ビームの操作軌跡が乱れないようにすることができる。
また、第3実施形態の光走査装置1によれば、第3の駆動部14に繋がる端子24は支持部5に配され、第3の駆動部14に繋がる配線23は右側の梁部材7と突出部5Bとに配されており、配線23は、第1の駆動部9を構成する基板45には配されていない。このため、第3の駆動部14に電圧を印可しても、変形部9Bの変位により行われるB軸18を中心軸とする曲げ振動を妨げることは無く、光ビームの操作軌跡が乱れないようにすることができる。
(1)第1,第3実施形態において、第2,第3の駆動部13,14に繋がる各配線は、下部配線,絶縁層,上部配線からなる多層構造となっており、これらの配線のうち、第1の駆動部9における変形部9Bに位置する部分の絶縁層は、非圧電性の物質により構成されている。
(4)また、第3実施形態では、第3の駆動部14に繋がる配線23は、第1実施形態の配線21における変形部9B以外の部位に配置された部分と同様に構成されている。しかしながら、配線23(特に、駆動部材28に隣接して配された部分)は、第1実施形態の配線21における変形部9Bに配置された部分や、第2実施形態の配線22と同様に構成されていても良い。
上記実施形態の説明で用いた用語と、特許請求の範囲の記載に用いた用語との対応を示す。
Claims (4)
- 光ビームを反射させる反射面(19)と、前記反射面の向き又は形状を変化させる第1の圧電素子(14,33)と、を有する反射部(3)と、
基板(45)と、前記基板に配された第2の圧電素子(47,49)とを有し、前記第2の圧電素子の屈曲変形により前記基板を変位させることで、前記反射部の向きを変化させる駆動部(9)と、
前記第1の圧電素子に繋がっており、少なくともその一部が前記基板に配されている配線(21,40)と、
を備え、
前記配線は、下部配線(21c,40c)と、前記下部配線の上に配された絶縁層(21b,21d,40b)と、前記絶縁層の上に配された上部配線(21a,40a)とから構成されており、
前記基板に配された前記配線のうちの少なくとも一部は、前記絶縁層が非圧電性となっていること、
を特徴とする光走査装置(1)。 - 請求項1に記載の光走査装置において、
前記駆動部のうち、前記第2の圧電素子が屈曲変形することで変形する部分を、変形部(9B)とし、
前記変形部を構成する前記基板に配された前記配線は、前記絶縁層(21d)が非圧電性となっていること、
を特徴とする光走査装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の光走査装置において、
前記圧電素子は、下部電極(39,47c)と、前記下部電極の上に配された圧電膜(37,47b)と、前記圧電膜の上に配された上部電極(35,47a)とから構成されており、
非圧電性の前記絶縁層は、前記圧電膜をなす物質から圧電性を除去して得られた物質により構成されていること、
を特徴とする光走査装置。 - 請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の光走査装置において、
前記第1の圧電素子として、第2の方向に延びる第2の軸(20)を中心に前記反射面の傾きを変化させるA圧電素子(33)と、前記反射面の形状を変化させ、前記反射面の焦点を調整するB圧電素子(14)とが設けられており、
前記配線は、前記A圧電素子と前記B圧電素子とのうちの双方又は一方に繋がっており、
前記駆動部は、前記第2の方向に交差する第1の方向に延びる第1の軸(18)を中心に前記反射部の傾きを変化させること、
を特徴とする光走査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014145977A JP6350057B2 (ja) | 2014-07-16 | 2014-07-16 | 光走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014145977A JP6350057B2 (ja) | 2014-07-16 | 2014-07-16 | 光走査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016024222A JP2016024222A (ja) | 2016-02-08 |
JP6350057B2 true JP6350057B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=55271036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014145977A Expired - Fee Related JP6350057B2 (ja) | 2014-07-16 | 2014-07-16 | 光走査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6350057B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10142086A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサとその製造方法及びこれを用いた差圧伝送器 |
JP2005044913A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ebara Corp | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
US20040248405A1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-09 | Akira Fukunaga | Method of and apparatus for manufacturing semiconductor device |
US7508561B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-03-24 | Michael A. Carr | Deformable mirrors |
JP5446122B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2014-03-19 | パナソニック株式会社 | ミアンダ形振動子およびこれを用いた光学反射素子 |
JP2012008357A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Sony Corp | ミラー構造体及びその製造方法 |
JP5987510B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2016-09-07 | ミツミ電機株式会社 | 光走査装置及び光走査制御装置 |
WO2013161271A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | キヤノン電子株式会社 | 光走査装置及び画像読取装置 |
-
2014
- 2014-07-16 JP JP2014145977A patent/JP6350057B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016024222A (ja) | 2016-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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