JP6348028B2

JP6348028B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP6348028B2
Application number: JP2014185489A
Authority: JP
Inventors: 都章山口; 小畠　厳貴; 厳貴小畠; 稔夫水野
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2014-09-11
Filing date: 2014-09-11
Publication date: 2018-06-27
Anticipated expiration: 2034-09-11
Also published as: JP6578040B2; JP2016058639A; JP2018137485A

Description

本発明は、半導体基板に対して各種処理をするための基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing various processes on a semiconductor substrate.

近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。 In recent years, a substrate processing apparatus has been used to perform various processes on a substrate such as a semiconductor wafer. As an example of the substrate processing apparatus, there is a CMP (Chemical Mechanical Polishing) apparatus for polishing a substrate.

ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送機構を備えている。ＣＭＰ装置は、搬送機構によって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。洗浄ユニットとしては、半導体基板に洗浄部材を当接させてスクラブ洗浄し、洗浄後の洗浄部材を表面が粗い修正部材１５の平面に擦り付けて自己洗浄するものが開示されている（特許文献１参照）。 The CMP apparatus includes a polishing unit for performing a polishing process on a substrate, a cleaning unit for performing a cleaning process and a drying process on the substrate, and a substrate that is transferred to the polishing unit and cleaned and dried by the cleaning unit. Loading / unloading unit, etc. The CMP apparatus also includes a transport mechanism that transports the substrate in the polishing unit, the cleaning unit, and the load / unload unit. The CMP apparatus sequentially performs various processes of polishing, cleaning, and drying while transporting the substrate by the transport mechanism. As the cleaning unit, there is disclosed a cleaning unit that makes a cleaning member abut on a semiconductor substrate for scrub cleaning, and rubs the cleaned cleaning member against the flat surface of the correction member 15 having a rough surface to perform self-cleaning (see Patent Document 1). ).

ところで、基板処理装置には、バフ処理モジュールが設けられる場合がある。このバフ処理モジュールは、基板に対してバフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を施すものである。バフ研磨処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間にスラリーを介在させることによりウェハの処理面を研磨除去する処理である。一方、バフ洗浄処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。 Incidentally, the substrate processing apparatus may be provided with a buff processing module. The buff processing module performs at least one of a buff polishing process and a buff cleaning process on the substrate. The buff polishing process is a process of polishing and removing the processing surface of the wafer by causing the wafer and the buff pad to move relative to each other while bringing the buff pad into contact with the wafer and interposing a slurry between the wafer and the buff pad. On the other hand, the buff cleaning process is a process in which the wafer and the buff pad are moved relative to each other while the buff pad is in contact with the wafer, and a cleaning processing solution (chemical solution or chemical solution and pure water) is interposed between the wafer and the buff pad. In this process, contaminants on the wafer surface are removed or the processing surface is modified.

バフパッドによってバフ研磨処理及びバフ洗浄処理を継続すると、バフパッドの表面は目詰まりを起こし、研磨性能や洗浄性能が低下してしまう。このため、バフパッドの性能を復活させるべく、ドレス処理（目立て）と呼ばれるコンディショニングを行う必要がある。このコンディショニングは、コンディショニング部で行われる。コンディショニング部は、ドレステーブルと、ドレステーブルに設置されたドレッサと、を備える。ドレステーブルは、駆動機構によって回転できるようになっている。ドレッサは、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。 When the buff polishing process and the buff cleaning process are continued by the buff pad, the surface of the buff pad is clogged, and the polishing performance and the cleaning performance are deteriorated. For this reason, in order to restore the performance of the buff pad, it is necessary to perform conditioning called dressing (sharpening). This conditioning is performed by the conditioning unit. The conditioning unit includes a dress table and a dresser installed on the dress table. The dress table can be rotated by a drive mechanism. The dresser is formed of a diamond dresser, a brush dresser, or a combination thereof.

バフ処理モジュールは、バフパッドのコンディショニングを行う際には、バフパッドがドレッサに対向する位置になるまでバフアームを旋回させる。バフ処理モジュールは、ドレステーブルを所定の回転軸周りに回転させるとともにバフヘッドを回転させ、バフパッドをドレッサに押し付けることによって、バフパッドのドレス処理（コンディショニング）が行われる。 When conditioning the buff pad, the buff processing module rotates the buff arm until the buff pad is positioned opposite the dresser. The buff processing module rotates the dress table around a predetermined rotation axis, rotates the buff head, and presses the buff pad against the dresser to perform buff pad dressing (conditioning).

特開平９−９２６３３号公報JP-A-9-92633

しかしながら上述した従来技術には、以下のような問題点があった。すなわち、従来技術は、バフパッドとドレッサとを相対運動させることによりバフパッドを洗浄するだけであるので、ある程度の洗浄処理は可能であるが、これだけではバフパッドを十分に洗浄することができない場合がある。 However, the above-described prior art has the following problems. That is, the conventional technique only cleans the buff pad by moving the buff pad and the dresser relative to each other, so that a certain amount of cleaning processing is possible. However, the buff pad may not be sufficiently cleaned only by this.

そこで、本願発明は、バフパッドの洗浄力を強化したバフ処理モジュールを提供すること、を目的とする。 Then, this invention aims at providing the buff processing module which strengthened the cleaning power of the buff pad.

本願発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、第１手段は、処理対象物を設置するためのバフテーブルと、前記処理対象物に対して所定の処理を行うためのバフパッドを保持するバフヘッドと、前記バフヘッドを支持して揺動するバフアームと、前記バフパッドをドレスするためのドレッサと、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間に配置された、前記バフパッドを洗浄するためのブラシ洗浄機構と、を備える。 This invention is made | formed in view of the said subject, Comprising: The 1st means hold | maintains the buffing table for installing a process target object, and the buff pad for performing a predetermined process with respect to the said process target object. A buff head, a buff arm that swings while supporting the buff head, a dresser for dressing the buff pad, and a brush cleaning mechanism for cleaning the buff pad disposed between the buff table and the dresser. .

第２手段は、第１手段の構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、という構成を採っている。 In addition to the structure of the first means, the second means adopts a structure in which the brush cleaning mechanism can clean the entire surface of the buff pad moving between the buff table and the dresser.

第３手段は、第２手段の構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの半径部分に接触できるように配置され、前記バフヘッドが回転することによって、前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、という構成を採っている。 In addition to the configuration of the second means, the third means is arranged so that the brush cleaning mechanism can contact a radius portion of the buff pad moving between the buff table and the dresser, and the buff head rotates. Therefore, the entire surface of the buff pad can be cleaned.

第４手段は、第１から３手段の何れかの構成に加え、前記バフパッドの移動経路に対して進入退避可能である、という構成を採っている。 The fourth means adopts a structure that can enter and retreat with respect to the movement path of the buff pad in addition to any of the structures of the first to third means.

第５手段は、第４手段の構成に加え、ロータリーアクチュエータによる回転移動、又はシリンダによる直線移動が可能である、という構成を採っている。 In addition to the configuration of the fourth means, the fifth means adopts a configuration in which rotational movement by a rotary actuator or linear movement by a cylinder is possible.

第６手段は、第１から５手段の何れかの構成に加え、前記ドレッサの近傍に台座を設け、当該台座に前記ブラシ洗浄機構を配置した、という構成を採っている。 In addition to any of the first to fifth means, the sixth means adopts a structure in which a pedestal is provided in the vicinity of the dresser and the brush cleaning mechanism is disposed on the pedestal.

第７手段は、第１から６手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、ドレス処理の前、ドレス処理中及びドレス処理後の少なくとも何れかの段階で行う、という構成を採っている。 In addition to any one of the first to sixth means, the seventh means is configured such that the cleaning by the brush cleaning mechanism is performed at least at any stage before the dressing process, during the dressing process, and after the dressing process. Adopted.

第８手段は、第１から第７手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドに向けて処理液を噴射する処理液噴出口を備えている、という構成を採っている。 In addition to any one of the first to seventh means, the eighth means adopts a structure in which the brush cleaning mechanism includes a processing liquid ejection port for injecting a processing liquid toward the buff pad. .

第９手段は、第１から第８手段の何れかの構成に加え、前記バフパッドの表面には中央部から外周部まで連続する溝が形成され、前記バフパッドの中央部には処理液が流出する処理液流出口が設けられており、前記処理液は、前記バフパットが前記ドレッサに当接した状態で前記処理液流出口から流出する、という構成を採っている。 In the ninth means, in addition to the structure of any one of the first to eighth means, a continuous groove is formed on the surface of the buff pad from the central portion to the outer peripheral portion, and the processing liquid flows out to the central portion of the buff pad. A treatment liquid outlet is provided, and the treatment liquid is configured to flow out from the treatment liquid outlet while the buff pad is in contact with the dresser.

第１０手段は、第９手段の構成に加え、バフパッドの最外周部近傍において前記処理液の流量を抑制する流量抑制部を備える、という構成を採っている。 In addition to the configuration of the ninth means, the tenth means adopts a configuration that includes a flow rate suppression unit that suppresses the flow rate of the processing liquid in the vicinity of the outermost peripheral portion of the buff pad.

第１１手段は、第１から第１０手段の何れかの構成に加え、前記ドレッサの表面にはドレッサ溝が形成されている、という構成を採っている。 The eleventh means adopts a structure in which a dresser groove is formed on the surface of the dresser in addition to the structure of any one of the first to tenth means.

第１２手段は、第１１手段の構成に加え、前記ドレッサ溝は、放射状または螺旋状である、という構成を採っている。 The twelfth means adopts a structure in which the dresser groove is radial or spiral in addition to the structure of the eleventh means.

第１３手段は、第８手段の構成に加え、前記処理液噴出口には、処理液の流量及び圧力の少なくとも何れか一方を調整する調整弁が接続されている、という構成を採っている。 In addition to the configuration of the eighth means, the thirteenth means adopts a configuration in which an adjustment valve for adjusting at least one of the flow rate and pressure of the processing liquid is connected to the processing liquid jet port.

第１４手段は、第１から第１３手段の何れかの構成に加え、前記バフパッドの近傍に、処理液の飛散を防止するバフヘッドカバーを備えた、という構成を採っている。 14 means, in addition to the first to any one of the thirteenth means, in the vicinity of the buffing pad, with a buff head cover for preventing scattering of the treatment liquid, and employs a configuration that.

第１５手段は、第１４手段の構成に加え、前記バフアームの少なくとも一部が、前記バフヘッドカバーの一部の機能を担っている、という構成を採っている。 15 means, in addition to the configuration of the fourteenth means, at least a portion of said Bafuamu has adopted a structure that is responsible for some of the functions of the buffing head cover.

第１６手段は、第１から第１５手段の何れかの構成に加え、前記処理液は、ＤＩＷ、薬液及びスラリーからなる群から選択される少なくとも１つの液体又はこの液体と圧縮空気との混合体である、という構成を採っている。 The sixteenth means, in addition to any one of the first to fifteenth means, is characterized in that the treatment liquid is at least one liquid selected from the group consisting of DIW, chemical liquid and slurry, or a mixture of this liquid and compressed air. Is adopted.

第１７手段は、第１６手段の構成に加え、前記各液体の供給は切替可能である、という構成を採っている。 In addition to the configuration of the sixteenth means, the seventeenth means adopts a configuration in which the supply of each liquid can be switched.

第１８手段は、第９から第１７手段の何れかの構成に加え、前記処理液に代えて或いは処理液と共に、超音波洗浄流体によってバフパッドの洗浄を行う、という構成を採っている。 In addition to any of the ninth to seventeenth means, the eighteenth means adopts a structure in which the buff pad is cleaned with an ultrasonic cleaning fluid instead of or together with the processing liquid.

第１９手段は、第１から第１８手段の何れかのバフ処理モジュールを備える基板処理装置、という構成を採っている。 The nineteenth means adopts a configuration of a substrate processing apparatus including any one of the first to eighteenth buff processing modules.

第２０手段は、処理対象物に対して所定の処理を行うためのバフパッドを洗浄するためのバフパッド洗浄方法であって、前記バフパッドを保持するバフヘッドをバフアームによって支持して揺動し、前記処理対象物を設置するためのバフテーブルと前記バフパッドをドレスするためのドレッサとの間に配置されたブラシ洗浄機構によって前記バフパッドを洗浄する、という構成を採っている。 A twentieth means is a buff pad cleaning method for cleaning a buff pad for performing a predetermined process on a processing object, wherein the buff head holding the buff pad is supported by a buff arm and swung, A configuration is adopted in which the buff pad is cleaned by a brush cleaning mechanism disposed between a buff table for placing an object and a dresser for dressing the buff pad.

第２１手段は、第２０手段の構成に加え、前記ブラシ洗浄機構によって前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの全面を洗浄する、という構成を採っている。 In addition to the structure of the twentieth means, the twenty-first means adopts a structure in which the entire surface of the buff pad moving between the buff table and the dresser is cleaned by the brush cleaning mechanism.

第２２手段は、第２１手段の構成に加え、前記バフヘッドを回転し、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの半径部分に接触できるように配置された前記ブラシ洗浄機構によって、前記バフパッドの全面を洗浄する、という構成を採っている。 In addition to the structure of the twenty-first means, the twenty-second means rotates the buff head, and the brush cleaning mechanism arranged to come into contact with a radial portion of the buff pad moving between the buff table and the dresser, The entire surface of the buff pad is cleaned.

第２３手段は、第２０から第２２手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドの移動経路に対して進入退避可能である、という構成を採っている。 In addition to any of the twentieth to twenty-second means, the twenty-third means adopts a structure in which the brush cleaning mechanism can enter and retreat with respect to the movement path of the buff pad.

第２４手段は、第２０から第２３手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、ロータリーアクチュエータによって回転移動するか、又はシリンダによって直線移動する、という構成を採っている。 The twenty-fourth means employs a structure in which the brush cleaning mechanism is rotated by a rotary actuator or linearly moved by a cylinder in addition to any of the twentieth to twenty-third means.

第２５手段は、第２０から第２４手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、ドレス処理の前、ドレス処理中及びドレス処理後の少なくとも何れかの段階で行う、という構成を採っている。 The twenty-fifth means, in addition to any one of the twentieth to twenty-fourth means, is configured such that the cleaning by the brush cleaning mechanism is performed at least at any stage before, during, and after the dressing process. Is adopted.

第２６手段は、第２０から第２５手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、前記ブラシ洗浄機構に設けられた処理液噴出口から処理液を噴射しながら行う、という構成を採っている。 In the twenty-sixth means, in addition to any of the twentieth to twenty-fifth means, the cleaning by the brush cleaning mechanism is performed while jetting the processing liquid from the processing liquid jet port provided in the brush cleaning mechanism. Is adopted.

かかる本願発明によれば、技術的効果の一例として、バフパッドの洗浄力を強化することができる。 According to this invention of this application, the cleaning power of a buff pad can be strengthened as an example of a technical effect.

図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of the substrate processing apparatus of the present embodiment. 図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing the polishing unit. 図３（ａ）は、洗浄ユニットの平面図であり、図３（ｂ）は、洗浄ユニットの側面図である。FIG. 3A is a plan view of the cleaning unit, and FIG. 3B is a side view of the cleaning unit. 図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a schematic configuration of the upper buff processing module. 図５は、バフテーブルとドレステーブルとの位置関係及びバフアームの揺動を説明するための図である。FIG. 5 is a view for explaining the positional relationship between the buff table and the dress table and the swing of the buff arm. 図６は、図５に開示したバフテーブルとドレステーブルにおける処理プロセスを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a processing process in the buff table and the dress table disclosed in FIG. 図７は、図６に開示した処理プロセスを示すバフテーブル、ドレステーブル及びバフヘッドの動作を説明する図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the operations of the buff table, the dress table, and the buff head showing the processing process disclosed in FIG. 図８は、バフパッドの洗浄を説明するための図であり、図８（Ａ）はバフパッドがドレッサに押し付けられた状態を示し、図８（Ｂ）ドレッサに形成されているドレッサ溝の形状を示す平面図であり、図８（Ｃ)は異なる形状のドレッサ溝を示す平面図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the cleaning of the buff pad. FIG. 8A shows a state where the buff pad is pressed against the dresser, and FIG. 8B shows the shape of the dresser groove formed in the dresser. FIG. 8C is a plan view showing different shapes of dresser grooves. 図９は、ブラシ洗浄機構を備えたバフ処理モジュールを示しており、図９（Ａ)は全体概要図であり、図９（Ｂ)はブラシ洗浄機構の詳細図である。FIG. 9 shows a buff processing module provided with a brush cleaning mechanism. FIG. 9A is an overall schematic view, and FIG. 9B is a detailed view of the brush cleaning mechanism. 図１０は、ドレステーブルの近傍に設けられた台座とブラシ洗浄機構を示す図であり、図１０（Ａ）は平面図を示し、図１０（Ｂ）は一部を断面とした側面図を示す。FIG. 10 is a view showing a pedestal and a brush cleaning mechanism provided in the vicinity of the dress table, FIG. 10 (A) shows a plan view, and FIG. 10 (B) shows a side view partly in cross section. . 図１１は、バフヘッドに設けられたバフヘッドカバーを示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a buff head cover provided on the buff head.

以下、本願発明の一実施形態に係る基板処理装置及びコンディショニング部について、図面に基づいて説明する。
＜基板処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置（ＣＭＰ装置）１０００は、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理装置に電源を供給する電源供給部と、基板処理動作を制御する制御装置５と、を備える。 Hereinafter, a substrate processing apparatus and a conditioning unit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
<Substrate processing equipment>
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus (CMP apparatus) 1000 includes a substantially rectangular housing 1. The interior of the housing 1 is partitioned into a load / unload unit 2, a polishing unit 3, and a cleaning unit 4 by partition walls 1a and 1b. The load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4 are assembled independently and exhausted independently. The cleaning unit 4 includes a power supply unit that supplies power to the substrate processing apparatus, and a control device 5 that controls the substrate processing operation.

＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセッ
トが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。 <Load / Unload unit>
The load / unload unit 2 includes two or more (four in this embodiment) front load units 20 on which wafer cassettes for stocking a large number of wafers (substrates) are placed. These front load portions 20 are disposed adjacent to the housing 1 and are arranged along the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus. The front load unit 20 can be equipped with an open cassette, a SMIF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod). Here, SMIF and FOUP are sealed containers that can maintain an environment independent of the external space by accommodating a wafer cassette inside and covering with a partition wall.

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、ウェハを反転させることができるように構成されている。 Further, a traveling mechanism 21 is laid along the front load portion 20 in the load / unload unit 2. On the traveling mechanism 21, two transfer robots (loader, transfer mechanism) 22 that can move along the arrangement direction of the wafer cassettes are installed. The transfer robot 22 can access the wafer cassette mounted on the front load unit 20 by moving on the traveling mechanism 21. Each transfer robot 22 has two hands up and down. The upper hand is used when returning processed wafers to the wafer cassette. The lower hand is used when a wafer before processing is taken out from the wafer cassette. In this way, the upper and lower hands can be used properly. Further, the lower hand of the transfer robot 22 is configured so that the wafer can be reversed.

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、基板処理装置外部、研磨ユニット３、及び、洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は、研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持される。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、又は、ケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからは、パーティクル、有毒蒸気、又は有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。 Since the load / unload unit 2 is an area where it is necessary to maintain the cleanest state, the inside of the load / unload unit 2 is higher than any of the substrate processing apparatus outside, the polishing unit 3 and the cleaning unit 4. Always maintained at pressure. The polishing unit 3 is the most dirty region because slurry is used as the polishing liquid. Accordingly, a negative pressure is formed inside the polishing unit 3, and the pressure is maintained lower than the internal pressure of the cleaning unit 4. The load / unload unit 2 is provided with a filter fan unit (not shown) having a clean air filter such as a HEPA filter, a ULPA filter, or a chemical filter. From the filter fan unit, clean air from which particles, toxic vapor, or toxic gas has been removed is constantly blown out.

＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列される。 <Polishing unit>
The polishing unit 3 is an area where the wafer is polished (flattened). The polishing unit 3 includes a first polishing unit 3A, a second polishing unit 3B, a third polishing unit 3C, and a fourth polishing unit 3D. The first polishing unit 3A, the second polishing unit 3B, the third polishing unit 3C, and the fourth polishing unit 3D are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus as shown in FIG.

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａと、を備えている。 As shown in FIG. 1, the first polishing unit 3A performs polishing while holding a wafer on the polishing table 30A to which a polishing pad 10 having a polishing surface is attached and pressing the wafer against the polishing pad 10 on the polishing table 30A. A top ring 31A, a polishing liquid supply nozzle 32A for supplying a polishing liquid or a dressing liquid (for example, pure water) to the polishing pad 10, a dresser 33A for dressing the polishing surface of the polishing pad 10, and a liquid And an atomizer 34A that sprays a fluid mixture (for example, pure water) and a gas (for example, nitrogen gas) or a liquid (for example, pure water) in the form of a mist onto the polishing surface.

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。 Similarly, the second polishing unit 3B includes a polishing table 30B, a top ring 31B, a polishing liquid supply nozzle 32B, a dresser 33B, and an atomizer 34B. The third polishing unit 3C includes a polishing table 30C, a top ring 31C, a polishing liquid supply nozzle 32C, a dresser 33C, and an atomizer 34C. The fourth polishing unit 3D includes a polishing table 30D, a top ring 31D, a polishing liquid supply nozzle 32D, a dresser 33D, and an atomizer 34D.

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａについてのみ説明する。 Since the first polishing unit 3A, the second polishing unit 3B, the third polishing unit 3C, and the fourth polishing unit 3D have the same configuration, only the first polishing unit 3A will be described below.

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。 FIG. 2 is a perspective view schematically showing the first polishing unit 3A. The top ring 31 A is supported by the top ring shaft 36. The polishing pad 10 is affixed to the upper surface of the polishing table 30A. The upper surface of the polishing pad 10 forms a polishing surface for polishing the wafer W. Note that fixed abrasive grains may be used in place of the polishing pad 10. The top ring 31 A and the polishing table 30 A are configured to rotate around their axes as indicated by arrows. The wafer W is held on the lower surface of the top ring 31A by vacuum suction. At the time of polishing, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 32A to the polishing surface of the polishing pad 10, and the wafer W to be polished is pressed against the polishing surface by the top ring 31A and polished.

＜搬送機構＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。 <Transport mechanism>
Next, a transport mechanism for transporting the wafer will be described. As shown in FIG. 1, a first linear transporter 6 is disposed adjacent to the first polishing unit 3A and the second polishing unit 3B. The first linear transporter 6 includes four transfer positions (first transfer position TP1, second transfer position TP2, and third transfer position in order from the load / unload unit side) along the direction in which the polishing units 3A and 3B are arranged. TP3 and fourth transfer position TP4).

また、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。 Further, the second linear transporter 7 is disposed adjacent to the third polishing unit 3C and the fourth polishing unit 3D. The second linear transporter 7 has three transfer positions along the direction in which the polishing units 3C and 3D are arranged (a fifth transfer position TP5, a sixth transfer position TP6, and a seventh transfer position in order from the load / unload unit side). TP7).

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。 The wafer is transferred to the polishing units 3A and 3B by the first linear transporter 6. The top ring 31A of the first polishing unit 3A moves between the polishing position and the second transport position TP2 by the swing operation of the top ring head. Therefore, the wafer is transferred to the top ring 31A at the second transfer position TP2. Similarly, the top ring 31B of the second polishing unit 3B moves between the polishing position and the third transfer position TP3, and the delivery of the wafer to the top ring 31B is performed at the third transfer position TP3. The top ring 31C of the third polishing unit 3C moves between the polishing position and the sixth transfer position TP6, and the delivery of the wafer to the top ring 31C is performed at the sixth transfer position TP6. The top ring 31D of the fourth polishing unit 3D moves between the polishing position and the seventh transfer position TP7, and the delivery of the wafer to the top ring 31D is performed at the seventh transfer position TP7.

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／又は第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨さ
れたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。 A lifter 11 for receiving a wafer from the transfer robot 22 is disposed at the first transfer position TP1. The wafer is transferred from the transfer robot 22 to the first linear transporter 6 via the lifter 11. A shutter (not shown) is provided between the lifter 11 and the transfer robot 22 in the partition wall 1a. When the wafer is transferred, the shutter is opened so that the wafer is transferred from the transfer robot 22 to the lifter 11. It has become. A swing transporter 12 is disposed between the first linear transporter 6, the second linear transporter 7, and the cleaning unit 4. The swing transporter 12 has a hand that can move between the fourth transport position TP4 and the fifth transport position TP5. Wafer transfer from the first linear transporter 6 to the second linear transporter 7 is performed by the swing transporter 12. The wafer is transferred to the third polishing unit 3C and / or the fourth polishing unit 3D by the second linear transporter 7. Further, the wafer polished by the polishing unit 3 is conveyed to the cleaning unit 4 via the swing transporter 12.

＜洗浄ユニット＞
図３（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、ロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、バフ処理室３００と、第３搬送室１９５と、に区画されている。 <Washing unit>
FIG. 3A is a plan view showing the cleaning unit 4, and FIG. 3B is a side view showing the cleaning unit 4. As shown in FIGS. 3A and 3B, the cleaning unit 4 includes a roll cleaning chamber 190, a first transfer chamber 191, a pen cleaning chamber 192, a second transfer chamber 193, and a drying chamber 194. And a buff processing chamber 300 and a third transfer chamber 195.

ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。 In the roll cleaning chamber 190, an upper roll cleaning module 201A and a lower roll cleaning module 201B arranged in the vertical direction are arranged. The upper roll cleaning module 201A is disposed above the lower roll cleaning module 201B. The upper roll cleaning module 201A and the lower roll cleaning module 201B are cleaning machines that clean the wafer by pressing two rotating sponges against the front and back surfaces of the wafer while supplying a cleaning liquid to the front and back surfaces of the wafer. Between the upper roll cleaning module 201A and the lower roll cleaning module 201B, a temporary wafer holder 204 is provided.

ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給しながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。 In the pen cleaning chamber 192, an upper pen cleaning module 202A and a lower pen cleaning module 202B arranged in the vertical direction are arranged. The upper pen cleaning module 202A is disposed above the lower pen cleaning module 202B. The upper pen cleaning module 202 A and the lower pen cleaning module 202 B perform cleaning to clean the wafer by pressing the rotating pencil sponge against the wafer surface and swinging in the radial direction of the wafer while supplying the cleaning liquid to the wafer surface. Machine. Between the upper pen cleaning module 202A and the lower pen cleaning module 202B, a temporary wafer placement table 203 is provided.

乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。 In the drying chamber 194, an upper drying module 205A and a lower drying module 205B arranged in the vertical direction are arranged. The upper drying module 205A and the lower drying module 205B are isolated from each other. Filter fan units 207 and 207 for supplying clean air into the drying modules 205A and 205B are provided above the upper drying module 205A and the lower drying module 205B, respectively.

上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定される。 The upper roll cleaning module 201A, the lower roll cleaning module 201B, the upper pen cleaning module 202A, the lower pen cleaning module 202B, the temporary placement table 203, the upper drying module 205A, and the lower drying module 205B are bolted to a frame (not shown). Fixed through.

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置される。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。 In the first transfer chamber 191, a first transfer robot (transfer mechanism) 209 that can move up and down is arranged. In the second transfer chamber 193, a second transfer robot 210 that can move up and down is arranged. In the third transfer chamber 195, a third transfer robot (transfer mechanism) 213 capable of moving up and down is arranged. The first transfer robot 209, the second transfer robot 210, and the third transfer robot 213 are movably supported by support shafts 211, 212, and 214 that extend in the vertical direction. The first transfer robot 209, the second transfer robot 210, and the third transfer robot 213 have a drive mechanism such as a motor inside, and can move up and down along the support shafts 211, 212, and 214. ing. The first transfer robot 209 has two upper and lower hands like the transfer robot 22. As shown by the dotted line in FIG. 3A, the first transfer robot 209 is disposed at a position where the lower hand can access the temporary table 180 described above. When the lower hand of the first transfer robot 209 accesses the temporary table 180, a shutter (not shown) provided on the partition wall 1b is opened.

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下
側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、仮置き台２０３、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、及び、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。 The first transfer robot 209 includes a temporary placing table 180, an upper roll cleaning module 201A, a lower roll cleaning module 201B, a temporary placing table 204, a temporary placing table 203, an upper pen cleaning module 202A, and a lower pen cleaning module 202B. It operates so that the wafer W may be conveyed between. The first transfer robot 209 uses the lower hand when transferring the wafer before cleaning (the wafer to which the slurry is attached), and uses the upper hand when transferring the cleaned wafer.

第２搬送ロボット２１０は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａ又は下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。 The second transfer robot 210 operates to transfer the wafer W between the upper pen cleaning module 202A, the lower pen cleaning module 202B, the temporary placement table 203, the upper drying module 205A, and the lower drying module 205B. . Since the second transfer robot 210 transfers only the cleaned wafer, it has only one hand. The transfer robot 22 shown in FIG. 1 takes out the wafer from the upper drying module 205A or the lower drying module 205B using the upper hand, and returns the wafer to the wafer cassette. When the upper hand of the transfer robot 22 accesses the drying modules 205A and 205B, a shutter (not shown) provided on the partition wall 1a is opened.

バフ処理室３００には、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂが備えられる。第３搬送ロボット２１３は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。 The buff processing chamber 300 includes an upper buff processing module 300A and a lower buff processing module 300B. The third transfer robot 213 transfers the wafer W between the upper roll cleaning module 201A, the lower roll cleaning module 201B, the temporary placement table 204, the upper buff processing module 300A, and the lower buff processing module 300B. Operate.

なお、本実施形態では、洗浄ユニット４内において、バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２、を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２の配置態様は、ウェハの品質及びスループットなどに応じて適宜選択し得る。以下、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂについて説明する。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂは、同様の構成であるため、上側バフ処理モジュール３００Ａのみ説明する。 In the present embodiment, an example in which the buff processing chamber 300, the roll cleaning chamber 190, and the pen cleaning chamber 192 are arranged in order from the far side from the load / unload unit 2 in the cleaning unit 4 is shown. However, it is not limited to this. The arrangement mode of the buff processing chamber 300, the roll cleaning chamber 190, and the pen cleaning chamber 192 can be appropriately selected according to the quality and throughput of the wafer. Hereinafter, the upper buff processing module 300A and the lower buff processing module 300B will be described. Since the upper buff processing module 300A and the lower buff processing module 300B have the same configuration, only the upper buff processing module 300A will be described.

＜バフ処理モジュール＞
図４は、上側バフ処理モジュール３００Ａの概略構成を示す図である。図４に示すように、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷが設置されるバフテーブル４００と、ウェハＷの処理面にバフ処理を行うためのバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するバフアーム６００と、各種処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部８００と、を備える。 <Buff processing module>
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the upper buff processing module 300A. As shown in FIG. 4, the upper buff processing module 300 A includes a buff table 400 on which a wafer W is installed, a buff head 500 in which a buff pad 502 for performing buff processing on the processing surface of the wafer W is attached, and a buff head 500. A buff arm 600 to be held, a liquid supply system 700 for supplying various processing liquids, and a conditioning unit 800 for conditioning the buff pad 502 are provided.

バフテーブル４００は、ウェハＷを吸着する機構を有する。また、バフテーブル４００は、図示していない駆動機構によって回転軸Ａ周りに回転できるようになっている。バフパッド５０２は、バフヘッド５００のウェハＷに対向する面に取り付けられている。バフアーム６００は、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００を矢印Ｃに示すようにウェハＷの径方向に揺動できるようになっている。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を揺動できるようになっている。 The buff table 400 has a mechanism for adsorbing the wafer W. Further, the buffing table 400 can be rotated around the rotation axis A by a driving mechanism (not shown). The buff pad 502 is attached to the surface of the buff head 500 that faces the wafer W. The buff arm 600 rotates the buff head 500 around the rotation axis B and can swing the buff head 500 in the radial direction of the wafer W as indicated by an arrow C. Further, the buff arm 600 can swing the buff head 500 to a position where the buff pad 502 faces the conditioning unit 800.

液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に純水（ＤＩＷ）を供給するための純水ノズル７１０を備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設けられる。図示しない制御装置は、開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタ
イミングでウェハＷの処理面に純水を供給することができる。 The liquid supply system 700 includes a pure water nozzle 710 for supplying pure water (DIW) to the processing surface of the wafer W. The pure water nozzle 710 is connected to a pure water supply source 714 via a pure water pipe 712. The pure water pipe 712 is provided with an on-off valve 716 that can open and close the pure water pipe 712. A control device (not shown) can supply pure water to the processing surface of the wafer W at an arbitrary timing by controlling opening and closing of the on-off valve 716.

また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための薬液ノズル７２０を備える。薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。制御装置は、開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に薬液を供給することができる。 In addition, the liquid supply system 700 includes a chemical nozzle 720 for supplying a chemical (Chemi) to the processing surface of the wafer W. The chemical solution nozzle 720 is connected to a chemical solution supply source 724 via a chemical solution pipe 722. The chemical solution pipe 722 is provided with an on-off valve 726 that can open and close the chemical solution pipe 722. The control device can supply the chemical solution to the processing surface of the wafer W at an arbitrary timing by controlling the opening / closing of the on-off valve 726.

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフアーム６００、バフヘッド５００、及びバフパッド５０２を介して、ウェハＷの処理面に、純水、薬液、又はスラリーを選択的に供給できるようになっている。 The upper buff processing module 300 A can selectively supply pure water, a chemical solution, or slurry to the processing surface of the wafer W via the buff arm 600, the buff head 500, and the buff pad 502.

すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー供給源７３４に接続されたスラリー配管７３２、は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。スラリー配管７３２には、スラリー配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。 That is, the branched pure water pipe 712 a branches from between the pure water supply source 714 and the on-off valve 716 in the pure water pipe 712. Further, a branched chemical liquid pipe 722 a branches from between the chemical liquid supply source 724 and the on-off valve 726 in the chemical liquid pipe 722. The branched pure water pipe 712 a, the branched chemical liquid pipe 722 a, and the slurry pipe 732 connected to the slurry supply source 734 merge into the liquid supply pipe 740. The branch pure water pipe 712a is provided with an on-off valve 718 that can open and close the branch pure water pipe 712a. The branch chemical liquid pipe 722a is provided with an on-off valve 728 that can open and close the branch chemical liquid pipe 722a. The slurry pipe 732 is provided with an on-off valve 736 that can open and close the slurry pipe 732.

液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及びスラリー配管７３２の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５００の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷの処理面に向けて開口する。制御装置は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷの処理面に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。 The first end of the liquid supply pipe 740 is connected to three systems of a branched pure water pipe 712 a, a branched chemical liquid pipe 722 a, and a slurry pipe 732. The liquid supply pipe 740 extends through the inside of the buff arm 600, the center of the buff head 500, and the center of the buff pad 500. The second end of the liquid supply pipe 740 opens toward the processing surface of the wafer W. The control device controls opening / closing of the opening / closing valve 718, the opening / closing valve 728, and the opening / closing valve 736, so that any one of pure water, a chemical solution, and a slurry is added to the processing surface of the wafer W at any timing, or these A liquid mixture of any combination of the above can be supplied.

上側バフ処理モジュール３００Ａは、液供給配管７４０を介してウェハＷに処理液を供給するとともに、バフテーブル４００を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面に押圧し、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、ウェハＷに対してバフ処理を行うことができる。なお、本実施形態のバフパッドは、処理対象であるウェハよりも相当に小さな直径を有している。これは、バフ処理において高い平坦性を実現できるからである。 The upper buff processing module 300A supplies the processing liquid to the wafer W via the liquid supply pipe 740, rotates the buff table 400 around the rotation axis A, presses the buff pad 502 against the processing surface of the wafer W, and the buff head 500. The wafer W can be buffed by swinging in the direction of arrow C while rotating around the rotation axis B. Note that the buff pad of this embodiment has a considerably smaller diameter than the wafer to be processed. This is because high flatness can be realized in the buff processing.

ここで、バフ処理とは、バフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を含むものである。バフ研磨処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間にスラリーを介在させることにより、ウェハＷの処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージ又は汚染物が付着した表層部の除去、研磨ユニット３における主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又は主研磨後のモフォロジー改善、を実現することができる。 Here, the buff processing includes at least one of buff polishing processing and buff cleaning processing. In the buffing process, the wafer W and the buff pad 502 are moved relative to each other while the buff pad 502 is brought into contact with the wafer W, and a slurry is interposed between the wafer W and the buff pad 502 to thereby change the processing surface of the wafer W. This is a polishing removal process. In the buff polishing process, the physical action force applied to the wafer W by the roll sponge in the roll cleaning chamber 190 and the physical action force applied to the wafer W by the pen sponge in the pen cleaning chamber 192 are stronger than the physical action force. This process can be added to W. By the buffing treatment, it is possible to realize removal of the surface layer portion to which damage such as scratches or contaminants adheres, additional removal of portions that could not be removed by the main polishing in the polishing unit 3, or improvement of morphology after the main polishing. .

また、バフ洗浄処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハＷ表面の汚染物を除去した
り、処理面を改質したりする処理である。バフ洗浄処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。 In the buff cleaning process, the wafer W and the buff pad 502 are moved relative to each other while the buff pad 502 is brought into contact with the wafer W, and a cleaning process liquid (chemical solution or chemical solution and pure liquid is interposed between the wafer W and the buff pad 502. In this process, contaminants on the surface of the wafer W are removed and the processing surface is modified. In the buff cleaning process, the physical action force applied to the wafer W by the roll sponge in the roll cleaning chamber 190 and the physical action force applied to the wafer W by the pen sponge in the pen cleaning chamber 192 are stronger than the physical action force. This process can be added to W.

コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするためのものである。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０の上に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できるようになっている。ドレッサ８２０は、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。 The conditioning unit 800 is for conditioning the surface of the buff pad 502. The conditioning unit 800 includes a dress table 810 and a dresser 820 installed on the dress table 810. The dress table 810 can be rotated around the rotation axis D by a driving mechanism (not shown). The dresser 820 is formed of a diamond dresser, a brush dresser, or a combination thereof.

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる。上側バフ処理モジュール３００Ａは、ドレステーブル８１０を回転軸Ｄ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００をも回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。 When conditioning the buff pad 502, the upper buff processing module 300 A rotates the buff arm 600 until the buff pad 502 reaches a position facing the dresser 820. The upper buff processing module 300A performs conditioning of the buff pad 502 by rotating the dress table 810 around the rotation axis D and also rotating the buff head 500 and pressing the buff pad 502 against the dresser 820.

＜コンディショニング部＞
次に、各種図面に基づいて、コンディショニング部８００及びバフパッド５０２に対する洗浄処理における具体的プロセスについて説明する。図５は、ウェハＷを保持しているバフテーブル４００と、バフパッド５０２をコンディショニングするためのドレッサ８２０を支持しているドレッサテーブル８１０を示している。これらドレッサ８２０およびドレッサテーブル８１０並びに他の構成要素により、コンディショニング部８００が形成されている。 <Conditioning department>
Next, a specific process in the cleaning process for the conditioning unit 800 and the buff pad 502 will be described based on various drawings. FIG. 5 shows a dresser table 810 that supports a buff table 400 that holds the wafer W and a dresser 820 for conditioning the buff pad 502. The dressing unit 800 is formed by the dresser 820, the dresser table 810, and other components.

コンディショニング部８００はバフテーブル４００に隣接配置されており、その位置はバフアーム６００の揺動中心Ｌに関して、バフテーブル４００と概ね同じ半径位置である。このため、バフアーム６００が揺動（図５では反時計まわりに揺動）した場合に、バフパッド５０２がコンディショニング部８００におけるドレッサ８２０の上方に位置決めできるようになっている。コンディショニング部８００においては、ドレステーブル８１０が回転して、バフパッド５０２の回転との複合作用により、バフパッド５０２の表面がドレス処理されるようになっている。 The conditioning unit 800 is disposed adjacent to the buffing table 400, and the position thereof is substantially the same radial position as the buffing table 400 with respect to the swing center L of the buffing arm 600. Therefore, when the buff arm 600 swings (counterclockwise in FIG. 5), the buff pad 502 can be positioned above the dresser 820 in the conditioning unit 800. In the conditioning unit 800, the dress table 810 rotates and the surface of the buff pad 502 is dressed by a combined action with the rotation of the buff pad 502.

また、バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間には、ブラシ洗浄機構９６０が設けられている。このブラシ洗浄機構９６０は、バフパッド５０２の表面をブラッシング洗浄するためのものである。バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間にブラシ洗浄機構９６０を設けたのは、ここがバフアーム６００の揺動によってバフパッド５０２が移動する経路となるからである。ブラシ洗浄機構９６０の具体的な構造及び作用については後述する。 A brush cleaning mechanism 960 is provided between the buff table 400 and the dress table 810. The brush cleaning mechanism 960 is for brushing and cleaning the surface of the buff pad 502. The reason why the brush cleaning mechanism 960 is provided between the buff table 400 and the dress table 810 is that this is a path through which the buff pad 502 moves due to the swinging of the buff arm 600. The specific structure and operation of the brush cleaning mechanism 960 will be described later.

図６及び図７は、バフ洗浄及びそれに関連する具体的なプロセスを説明するための図である。図６のうち、上段はバフテーブル４００でのプロセスを示し、下段はドレステーブル８１０でのプロセスを示している。これら各プロセスは同時並行的に行われる。また、図中の丸印はバフパッド５０２の位置を示している。例えば、バフ洗浄処理の時はバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置しており、その後のパッドリンス処理の際にはドレステーブル８１０に移動する。なお、図７において、バフヘッド５００の一部は、説明の便宜上断面図としている。また、本実施形態で用いられるバフヘッド５００には、半球状の凹凸面からなるジンバル機構が設けられ、バフヘッド５００が僅かに首振りできるようになっている。 6 and 7 are diagrams for explaining buff cleaning and a specific process related thereto. In FIG. 6, the upper part shows the process at the buff table 400, and the lower part shows the process at the dress table 810. Each of these processes is performed in parallel. Further, the circles in the drawing indicate the positions of the buff pads 502. For example, the buff pad 502 is positioned on the buff table 400 during the buff cleaning process, and moves to the dress table 810 during the subsequent pad rinse process. In FIG. 7, a part of the buff head 500 is a cross-sectional view for convenience of explanation. The buff head 500 used in this embodiment is provided with a gimbal mechanism having a hemispherical uneven surface so that the buff head 500 can swing slightly.

先ず、バフテーブル４００においてウェハＷに対してバフ洗浄処理（ステップＳ１１)が行われる。このとき、言うまでもなくバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置している。バフ洗浄処理では、液供給配管７４０からバフ洗浄のための処理液が供給され、バフアーム及びバフヘッド回転軸６０１（図５参照）の内部を通って、バフパッド５０２の中央部に供給される。それと同時に、回転するバフパッド５０２がウェハＷに押し付けられた状態でバフアーム６００が揺動し、バフテーブル４００と共に回転するウェハＷの表面を洗浄処理するようになっている（図７（Ａ）参照）。バフパッド５０２は次のプロセスでドレッサ８２０の上方に移動して、以後ドレス関連処理が行われるが、これについては後述する。 First, a buff cleaning process (step S11) is performed on the wafer W in the buff table 400. At this time, needless to say, the buff pad 502 is positioned on the buff table 400. In the buff cleaning process, a processing liquid for buff cleaning is supplied from the liquid supply pipe 740 and supplied to the center of the buff pad 502 through the buff arm and the buff head rotating shaft 601 (see FIG. 5). At the same time, the buff arm 600 swings in a state where the rotating buff pad 502 is pressed against the wafer W, and the surface of the wafer W rotating together with the buffing table 400 is cleaned (see FIG. 7A). . The buff pad 502 moves to above the dresser 820 in the next process, and dress-related processing is performed thereafter. This will be described later.

バフテーブル４００においては、ウェハリンス処理（ステップＳ１２)が行われる。このウェハリンス処理は、ＤＩＷによってウェハＷを洗浄する処理である。ウェハＷのウェハリンス処理が完了すると、次にウェハＷはバフテーブル４００から取り出されて（ステップＳ１３)、次の工程へ搬送される。その後、バフテーブル４００はＤＩＷでバフテーブルリンス処理によって洗浄が行われる（ステップＳ１４）。これによりバフテーブルにおける一連のプロセスが完了し、次に処理するための新しいウェハＷが取り込まれ（ステップＳ１５)、上述の各処理プロセスが繰り返される。 In the buff table 400, a wafer rinse process (step S12) is performed. This wafer rinsing process is a process of cleaning the wafer W with DIW. When the wafer rinsing process for the wafer W is completed, the wafer W is then taken out from the buffing table 400 (step S13) and transferred to the next step. Thereafter, the buffing table 400 is cleaned by DIW with a buffing table rinsing process (step S14). As a result, a series of processes in the buff table is completed, a new wafer W to be processed next is taken in (step S15), and the above-described processing processes are repeated.

一方、ドレステーブル８１０において、上記プロセスと並行して、バフパッド５０２のドレス処理が行われる。バフ洗浄（ステップＳ１１)に用いられたバフパッド５０２（図７（Ａ）参照）は、ドレッサ８２０の上方に移動する。この時、バフパッド５０２は鉛直下方を向いている。そして、バフパッド５０２の斜め下方に配置されたバフパッド洗浄機構８３０から洗浄液（ＤＩＷ）が噴射され、バフパッド５０２の表面がパッドリンス処理（ステップＳ２２)される（図７（Ｂ）参照）。パッドリンス処理の間、バフパッド５０２は回転しており、全面が均等に洗浄される。なお、バフパッドの洗浄に使う洗浄液として、超音波洗浄液を用いることも可能である。 On the other hand, the dressing process of the buff pad 502 is performed in the dress table 810 in parallel with the above process. The buff pad 502 (see FIG. 7A) used for the buff cleaning (step S11) moves above the dresser 820. At this time, the buff pad 502 faces vertically downward. Then, the cleaning liquid (DIW) is sprayed from the buff pad cleaning mechanism 830 disposed obliquely below the buff pad 502, and the surface of the buff pad 502 is subjected to pad rinse processing (step S22) (see FIG. 7B). During the pad rinsing process, the buff pad 502 is rotating and the entire surface is cleaned evenly. An ultrasonic cleaning liquid can also be used as a cleaning liquid used for cleaning the buff pad.

次に、バフヘッド５００が降下してドレッサ８２０に当接して、バフパッド５０２に対するドレス処理（ステップＳ２３）が行われる（図７（Ｃ）参照）。ドレス処理は、バフパッド５０２の中央部に処理液が供給されている状態で行われる。ドレス処理の間は、バフパッド５０２及びドレッサ８２０が共に回転している。なお、ドレス処理は、バフパッド５０２の回転中心とドレッサ８２０の回転中心とがずれた状態で行われる。これは、バフパッド５０２とドレッサ８２０の特定部位同士が摺動し続けることを防止するための対策である。 Next, the buff head 500 descends and comes into contact with the dresser 820, and dressing processing (step S23) is performed on the buff pad 502 (see FIG. 7C). The dressing process is performed in a state where the processing liquid is supplied to the central portion of the buff pad 502. During the dressing process, the buff pad 502 and the dresser 820 are both rotating. Note that the dressing process is performed in a state where the rotation center of the buff pad 502 and the rotation center of the dresser 820 are shifted. This is a measure for preventing the specific parts of the buff pad 502 and the dresser 820 from sliding on each other.

ドレス処理が行われた後は、バフヘッド５００がブラシ洗浄機構の上方に移動し、ドレス処理後のバフパッドがブラッシング処理（ステップＳ２４）される（図７（Ｄ）参照）。また、ドレス処理（ステップＳ２３)に使用されたドレッサ８２０は、その近傍に設けられたドレッサ洗浄機構（図示略）から噴射される洗浄液（ＤＩＷ）によって、ドレスリンス処理（ステップＳ２１)が行われる。ドレスリンス処理の間，ドレステーブル８１０は回転しており、ドレッサ８２０の表面を均一に洗浄できるようになっている。 After the dressing process is performed, the buff head 500 moves above the brush cleaning mechanism, and the buff pad after the dressing process is brushed (step S24) (see FIG. 7D). The dresser 820 used in the dressing process (step S23) is subjected to a dress rinse process (step S21) by a cleaning liquid (DIW) sprayed from a dresser cleaning mechanism (not shown) provided in the vicinity thereof. During the dress rinse process, the dress table 810 is rotating so that the surface of the dresser 820 can be cleaned uniformly.

なお、上述の説明ではバフパッド５０２が鉛直下方を向いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、バフパッド５０２が鉛直上方を向いている場合や、水平方向を向いている場合でも、本発明を適用することは可能である。 In the above description, the case where the buff pad 502 faces vertically downward has been described. However, the present invention is not limited to this, and the case where the buff pad 502 faces vertically upward or horizontally. Even in this case, the present invention can be applied.

次に、図８に基づいて、ドレス処理（図６ステップＳ２３)の際のバフパッド５０２の洗浄について詳述する。バフパッド５０２は上述したように、ドレス処理によって表面のドレッシング（目立て）が行われる。その際に、バフパッド５０２はドレッサの表面に接触した状態とされる。バフパッドの表面には、中心部から外周部に連続する溝が形成され
ている。そして、バフパッド５０２の中央部の処理液流出口５０３から処理液が流出する。流出した処理液は、バフパッド５０２の回転によって生じる遠心力及び吐出圧力により、バフパッド５０２の溝を通って外部に排出される。このため、溝に蓄積された堆積物も処理液と共に外部に排出される。上記に加え、処理液を高圧で流出させれば、溝の内部を処理液が勢いよく流れ、更に効果的に溝の内部を洗浄することが可能である。 Next, the cleaning of the buff pad 502 during the dressing process (step S23 in FIG. 6) will be described in detail with reference to FIG. As described above, the surface of the buff pad 502 is dressed (sharpened) by dressing. At that time, the buff pad 502 is in contact with the surface of the dresser. On the surface of the buff pad, a groove continuous from the central portion to the outer peripheral portion is formed. Then, the processing liquid flows out from the processing liquid outlet 503 at the center of the buff pad 502. The processing liquid that has flowed out is discharged to the outside through the groove of the buff pad 502 by centrifugal force and discharge pressure generated by the rotation of the buff pad 502. For this reason, the deposit accumulated in the groove is also discharged to the outside together with the processing liquid. In addition to the above, if the processing liquid is allowed to flow out at a high pressure, the processing liquid flows vigorously through the groove, and the inside of the groove can be more effectively cleaned.

バフパッドに形成する溝の形状は様々なものが考えられる。例えば、単純な直線状の溝を円周方向に沿って放射状に形成したり、螺旋状の溝を形成することも考えられる。また、格子状の溝を形成した場合でも、この溝がバフパッド５０２の最外周部まで連続していれば、堆積物を外部に排出することは可能である。また、溝の断面形状や断面積は、その長手方向に沿って一定である必要はない。特に、バフパッド５０２は高速回転するものであるため、溝の構造に何ら工夫を施さない場合、処理液が広範囲に飛散してしまうこともある。これを回避するために、バフパッド５０２の最外周部近傍において溝に流量抑制部を形成して、因みに、図８（Ａ）においては、説明の便宜上、バフヘッド５００の回転軸６０１の内部に処理液の流路が形成され、この処理液がバフパッド５０２の中央部の処理液流出口５０３に滞留している状態を示している。そしてさらに、処理液がバフパッド５０２とドレッサ８２０の境界領域にも滞留している状態を示している。 Various shapes can be considered for the groove formed in the buff pad. For example, it is also conceivable to form simple linear grooves radially along the circumferential direction, or to form spiral grooves. Even when the lattice-shaped grooves are formed, the deposits can be discharged to the outside as long as the grooves continue to the outermost peripheral portion of the buff pad 502. Further, the cross-sectional shape and cross-sectional area of the groove need not be constant along the longitudinal direction. In particular, since the buff pad 502 rotates at a high speed, the processing liquid may be scattered over a wide range if no special arrangement is made to the groove structure. In order to avoid this, a flow rate suppressing portion is formed in the groove in the vicinity of the outermost peripheral portion of the buff pad 502. In FIG. 8A, for convenience of explanation, the processing liquid is provided inside the rotating shaft 601 of the buff head 500. This flow path is formed, and this treatment liquid is retained in the treatment liquid outlet 503 at the center of the buff pad 502. Furthermore, the state is shown in which the processing liquid stays in the boundary region between the buff pad 502 and the dresser 820.

図８（Ｂ）及び図８（Ｃ)は、ドレッサ８２０Ａ，８２０Ｂの表面に形成されたドレッサ溝８２１Ａ，８２１Ｂを示している。図８（Ｂ）のドレッサ溝８２１Ａは放射状の溝である。このような放射状の溝であれば、遠心力によって円滑に処理液が排出される。この時、バフパッド５０２の溝から剥離した堆積物が比較的大きなサイズであっても、ドレッサ８２０Ａのドレッサ溝８２１Ａを容易に通過できる。このため、バフパッド５０２の溝のみで堆積物を排出する場合と比較し、排出効果を高めることができる。 8B and 8C show dresser grooves 821A and 821B formed on the surfaces of the dressers 820A and 820B. The dresser groove 821A in FIG. 8B is a radial groove. With such a radial groove, the processing liquid is smoothly discharged by centrifugal force. At this time, even if the deposit separated from the groove of the buff pad 502 has a relatively large size, it can easily pass through the dresser groove 821A of the dresser 820A. For this reason, compared with the case where deposits are discharged only by the grooves of the buff pad 502, the discharge effect can be enhanced.

図８（Ｃ）は、ドレッサ８２０Ｂに形成された螺旋状のドレッサ溝８２１Ｂを示している。螺旋状のドレッサ溝８２１Ｂは、回転方向と回転速度を適切に設定することで、放射状のドレッサ溝８２１Ａよりも堆積物の排出効果を高めることができる場合がある。なお、ドレッサ溝は、放射状の溝と螺旋状の溝を組み合わせたような構造であってもよい。また、本実施形態では、約１０°の角度毎に合計３６本の溝を形成しているが、これは一例であって、溝の数をもっと少なくしても良いし、もっと多くしてもよい。 FIG. 8C shows a spiral dresser groove 821B formed in the dresser 820B. In some cases, the spiral dresser groove 821B can enhance the deposit discharging effect more than the radial dresser groove 821A by appropriately setting the rotation direction and the rotation speed. The dresser groove may have a structure in which a radial groove and a spiral groove are combined. In the present embodiment, a total of 36 grooves are formed at an angle of about 10 °. However, this is an example, and the number of grooves may be reduced or increased. Good.

図９は、ドレッサテーブル８１０の近傍に、ブラシ洗浄機構９６０を設けた実施形態を示している。図９（Ａ）において、ブラシ洗浄機構９６０は、バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間の領域に配置されている。このため、バフヘッド５００及びバフパッド５０２が、バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間を通過する際に、バフパッド５０２の表面がブラシ洗浄機構９６０と接触して（図７（Ｄ）参照）、バフパッド５０２の表面がブラシ洗浄される。なお、ブラシ洗浄機構は、バフパッド５０２の移動の妨げになる場合もある。このため、ブラシ洗浄機構を昇降させたり、バフパッドの移動経路から水平方向に退避させるような機構を設けてもよい。本実施形態は、ブラシ洗浄機構９６０を設けることによって、ドレッサ８２０を用いてバフパッド５０２を洗浄することに加えて、ブラシ洗浄機構９６０によってバフパッド５０２を洗浄することができる。その結果、本実施形態によれば、バフパッド５０２の洗浄力を強化することができる。 FIG. 9 shows an embodiment in which a brush cleaning mechanism 960 is provided in the vicinity of the dresser table 810. In FIG. 9A, the brush cleaning mechanism 960 is disposed in a region between the buff table 400 and the dress table 810. Therefore, when the buff head 500 and the buff pad 502 pass between the buff table 400 and the dress table 810, the surface of the buff pad 502 comes into contact with the brush cleaning mechanism 960 (see FIG. 7D). The surface is brush cleaned. Note that the brush cleaning mechanism may hinder the movement of the buff pad 502. For this reason, you may provide a mechanism which raises / lowers a brush washing | cleaning mechanism or retracts it horizontally from the movement path | route of a buff pad. In this embodiment, by providing the brush cleaning mechanism 960, the buff pad 502 can be cleaned by the brush cleaning mechanism 960 in addition to cleaning the buff pad 502 using the dresser 820. As a result, according to the present embodiment, the cleaning power of the buff pad 502 can be enhanced.

本実施形態のブラシ洗浄機構９６０は、バフパッド５０２の少なくとも半径分程度をカバーできる寸法であればよい。これは、バフパッド５０２自体が回転しており、バフパッド５０２が１回転することで全面がブラシ洗浄機構９６０と接触することができるからである。但し、ブラシ洗浄機構９６０がバフパッド５０２の直径分をカバーするように、ブラシ洗浄機構９６０の寸法、位置を設定してもよい。 The brush cleaning mechanism 960 of the present embodiment only needs to have a size that can cover at least the radius of the buff pad 502. This is because the buff pad 502 itself is rotating, and the entire surface can come into contact with the brush cleaning mechanism 960 by rotating the buff pad 502 once. However, the size and position of the brush cleaning mechanism 960 may be set so that the brush cleaning mechanism 960 covers the diameter of the buff pad 502.

図９（Ｂ）は、ブラシ洗浄機構９６０の詳細図である。この図に示すように、ブラシ洗浄機構９６０は、ブラシ部９６１と、このブラシ部９６１を支持する本体部９６３とを備えている。そして本体部９６３の内部には液体流通路９６５が形成されている。また、本体部９６３の上面には、ブラシ部材９６１の隙間から液体を噴出されるための液体噴出口９６７が形成されている。そして、この液体噴出口９６７は液体流通路９６５に連通している。このため、液体流通路９６５に高圧の液体が供給されると、液体噴出口９６７から液体（洗浄液）９６９が噴出する。 FIG. 9B is a detailed view of the brush cleaning mechanism 960. As shown in this figure, the brush cleaning mechanism 960 includes a brush portion 961 and a main body portion 963 that supports the brush portion 961. A liquid flow path 965 is formed inside the main body 963. In addition, a liquid ejection port 967 for ejecting liquid from a gap between the brush members 961 is formed on the upper surface of the main body 963. The liquid jet port 967 communicates with the liquid flow path 965. For this reason, when a high-pressure liquid is supplied to the liquid flow passage 965, the liquid (cleaning liquid) 969 is ejected from the liquid ejection port 967.

また、図１０は、ドレステーブル８１０の近傍に台座９７０を設け、その台座９７０にブラシ洗浄機構９６０を設けた例を示している。図に示すように、台座９７０はドレステーブル８１０の外周部に沿うように、円弧状の部分を有しており、所定の角度範囲にわたってドレステーブル８１０に近接している。台座９７０の表面は、ドレッサ８２０のほぼ同一面となるように位置決めされている。これは、バフヘッド５００にはジンバル機構が設けられており、台座９７０とドレッサ８２０の高さが異なると、バフヘッド５００が傾いてしまうからである。 FIG. 10 shows an example in which a pedestal 970 is provided near the dress table 810 and a brush cleaning mechanism 960 is provided on the pedestal 970. As shown in the figure, the pedestal 970 has an arcuate portion along the outer periphery of the dress table 810 and is close to the dress table 810 over a predetermined angular range. The surface of the pedestal 970 is positioned so as to be substantially flush with the dresser 820. This is because the buff head 500 is provided with a gimbal mechanism, and if the height of the pedestal 970 and the dresser 820 are different, the buff head 500 is inclined.

そして、この台座９７０には、ブラシ洗浄機構手段が固定されている。ブラシ洗浄機構９６０は、台座９７０の表面からブラシ部９６１が突出するようになっており、このブラシ部がバフパッド５０２の表面と接触してブラシ洗浄する。ブラシ洗浄機構９６０は、一例ではあるが、ドレステーブル８１０の半径方向に平行な方向に延びている。このような、ブラシ洗浄機構９６０と台座９７０が設けられている場合にも、バフテーブル４００とドレステーブル８１０との間をバフパッド５０２が移動することで、バフパッド５０２の表面がブラシ洗浄機構９６０によって洗浄される。 The pedestal 970 is fixed with brush cleaning mechanism means. The brush cleaning mechanism 960 has a brush portion 961 protruding from the surface of the pedestal 970, and the brush portion contacts the surface of the buff pad 502 to perform brush cleaning. The brush cleaning mechanism 960 is an example, but extends in a direction parallel to the radial direction of the dress table 810. Even when the brush cleaning mechanism 960 and the base 970 are provided, the surface of the buff pad 502 is cleaned by the brush cleaning mechanism 960 by moving the buff pad 502 between the buff table 400 and the dress table 810. Is done.

次に、図１１に基づいて、飛散防止用のカバーの変形例について説明する。図１１に示す例では、バフヘッド５００にバフヘッドカバー９１０が取り付けられている。すなわち、バフヘッド５００の所定箇所に有底円筒形状のバフヘッドカバー９１０が、開口を下方に向けて設けられている。バフヘッドカバー９１０は、その下端部がドレッサ８２０の表面よりも僅かに高い位置となるように、その寸法及び形状が決定されている。また、バフヘッドカバー９１０の内径は、ドレッサ８２０の直径よりも大きくなっている。このため、バフパッド５０２とドレッサ８２０との境界から流出した処理液が遠心力で飛散しても、このバフヘッドカバー９１０によって飛散が防止される。特に、バフヘッドカバー９１０はバフアームと共に揺動するので、常にバフパッド及びドレッサから飛散する処理液や洗浄液を受け止めることができる。また、バフヘッドカバー９１０は、ブラシ洗浄機構９６０によってバフパッド５０２の表面を洗浄する際の洗浄液の飛散防止用のカバーの役割も兼用する。すなわち、ブラシ洗浄機構９６０によってバフパッド５０２の表面を洗浄する際に、液体噴出口９６７から噴出した液体（洗浄液）９６９がバフパッド５０２から飛散しても、バフヘッドカバー９１０によって飛散が防止される。 Next, a modified example of the cover for preventing scattering will be described with reference to FIG. In the example shown in FIG. 11, a buff head cover 910 is attached to the buff head 500. That is, a bottomed cylindrical buff head cover 910 is provided at a predetermined position of the buff head 500 with the opening facing downward. The size and shape of the buff head cover 910 are determined so that the lower end portion thereof is slightly higher than the surface of the dresser 820. Further, the inner diameter of the buff head cover 910 is larger than the diameter of the dresser 820. For this reason, even if the processing liquid flowing out from the boundary between the buff pad 502 and the dresser 820 is scattered by centrifugal force, the buff head cover 910 prevents the scattering. Particularly, since the buff head cover 910 swings together with the buff arm, it is possible to always receive the processing liquid and the cleaning liquid scattered from the buff pad and the dresser. Further, the buff head cover 910 also serves as a cover for preventing scattering of cleaning liquid when the surface of the buff pad 502 is cleaned by the brush cleaning mechanism 960. That is, when the surface of the buff pad 502 is cleaned by the brush cleaning mechanism 960, even if the liquid (cleaning liquid) 969 ejected from the liquid ejection port 967 is scattered from the buff pad 502, the buff head cover 910 prevents the buff head cover 910 from scattering.

なお、以上の説明では、様々な特徴点について説明した。これらの特徴点を併せ持つ発明も本出願が想定する発明ではある。しかし一方で、各特徴点がそれぞれ単独でも発明として成立する場合がある。このため、本発明の技術思想の範囲としては、上記各特徴点それぞれが単独で規定する範囲のみならず、これらの特徴点の任意の組み合わせによって規定される範囲も本発明の想定する範囲である。 In the above description, various feature points have been described. An invention having these characteristics is also an invention assumed by the present application. However, on the other hand, each feature point may be established as an invention even if it is independent. For this reason, the scope of the technical idea of the present invention is not limited to the range defined by each of the above feature points alone, but also the range defined by any combination of these feature points is the range assumed by the present invention. .

３００バフ処理モジュール
４００バフテーブル
５００バフヘッド
５０２バフパッド
５０３液体流出口
６００バフアーム
６０１回転軸
８００コンディショニング部
８１０ドレステーブル
８２０，８２０Ａ，８２０Ｂドレッサ
８２１Ａ，８２１Ｂドレッサ溝
９１０バフヘッドカバー
９６０ブラシ洗浄機構
９６１ブラシ部
９６３本体部
９６５液体流通路
９６７液体噴出口
９７０台座
１０００基板処理装置
Ｌバフアームの揺動中心
Ｗウェハ 300 Buff processing module 400 Buff table 500 Buff head 502 Buff pad 503 Liquid outlet 600 Buff arm 601 Rotating shaft 800 Conditioning unit 810 Dressing table 820, 820A, 820B Dresser 821A, 821B Dresser groove 910 Buff head cover 960 Brush cleaning mechanism 961 Brush unit 963 Main body 965 Liquid flow path 967 Liquid outlet 970 Base 1000 Substrate processing apparatus L Buff arm swing center W Wafer

Claims

処理対象物を設置するためのバフテーブルと、
前記処理対象物に対して所定の処理を行うためのバフパッドを保持するバフヘッドと、
前記バフヘッドを支持して揺動するバフアームと、
前記バフパッドをドレスするためのドレッサと、
前記バフテーブルと前記ドレッサとの間に配置された、前記バフパッドを洗浄するためのブラシ洗浄機構と、
を備える、バフ処理モジュール。 A buffing table for installing the processing object;
A buff head for holding a buff pad for performing predetermined processing on the processing object;
A buff arm that supports and swings the buff head;
A dresser for dressing the buff pad;
A brush cleaning mechanism disposed between the buff table and the dresser for cleaning the buff pad;
A buff processing module.

前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、
請求項１に記載のバフ処理モジュール。 The brush cleaning mechanism can clean the entire surface of the buff pad that moves between the buff table and the dresser.
The buff processing module according to claim 1.

前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの半径部分に接触できるように配置され、前記バフヘッドが回転することによって、前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、
請求項２に記載のバフ処理モジュール。 The brush cleaning mechanism is disposed so as to come into contact with a radial portion of the buff pad moving between the buff table and the dresser, and the entire surface of the buff pad can be cleaned by rotating the buff head. ,
The buff processing module according to claim 2.

前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドの移動経路に対して進入退避可能である、請求項１から３の何れか１項に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to any one of claims 1 to 3, wherein the brush cleaning mechanism is capable of entering and retracting with respect to a movement path of the buff pad.

前記ブラシ洗浄機構は、ロータリーアクチュエータによる回転移動、又はシリンダによる直線移動が可能である、請求項４に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to claim 4, wherein the brush cleaning mechanism is capable of rotational movement by a rotary actuator or linear movement by a cylinder.

前記ドレッサの近傍に台座を設け、当該台座に前記ブラシ洗浄機構を配置した、請求項１から５の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to any one of claims 1 to 5, wherein a pedestal is provided in the vicinity of the dresser, and the brush cleaning mechanism is disposed on the pedestal.

前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、ドレス処理の前、ドレス処理中及びドレス処理後の少なくとも何れかの段階で行う、請求項１から６の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。 The buffing module according to any one of claims 1 to 6, wherein the cleaning by the brush cleaning mechanism is performed at least at any stage before, during, or after the dressing process.

前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドに向けて処理液を噴射する処理液噴出口を備えている、請求項１から７の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to any one of claims 1 to 7, wherein the brush cleaning mechanism includes a processing liquid ejection port that ejects a processing liquid toward the buff pad.

前記バフパッドの表面には中央部から外周部まで連続する溝が形成され、前記バフパッドの中央部には処理液が流出する処理液流出口が設けられており、
前記処理液は、前記バフパットが前記ドレッサに当接した状態で前記処理液流出口から流出する、請求項１から８の何れか１項のバフ処理モジュール。 On the surface of the buff pad, a continuous groove is formed from the central part to the outer peripheral part, and a processing liquid outlet is provided in the central part of the buff pad.
9. The buff processing module according to claim 1, wherein the processing liquid flows out from the processing liquid outlet in a state where the buff pad is in contact with the dresser.

前記バフパッドの溝は、バフパッドの最外周部近傍において前記処理液の流量を抑制する流量抑制部を備える、請求項９に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to claim 9, wherein the groove of the buff pad includes a flow rate suppressing unit that suppresses the flow rate of the processing liquid in the vicinity of the outermost peripheral portion of the buff pad.

前記ドレッサの表面にはドレッサ溝が形成されている、請求項１から１０の何れか１項に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to any one of claims 1 to 10, wherein a dresser groove is formed on a surface of the dresser.

前記ドレッサ溝は、放射状または螺旋状である、請求項１１に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to claim 11, wherein the dresser groove is radial or spiral.

前記処理液噴出口には、処理液の流量及び圧力の少なくとも何れか一方を調整する調整弁が接続されている、請求項８に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to claim 8, wherein an adjustment valve that adjusts at least one of a flow rate and a pressure of the processing liquid is connected to the processing liquid jet port.

前記バフパッドの近傍に、処理液の飛散を防止するバフヘッドカバーを備えた、請求項１から１３の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。 Wherein in the vicinity of the buffing pad, with a buff head cover for preventing scattering of the processing solution, buffing module according to any one of claims 1 13.

前記バフアームの少なくとも一部が、前記バフヘッドカバーの一部の機能を担っている、請求項１４に記載のバフ処理モジュール。 Wherein at least a portion of Bafuamu is plays a part of the function of the buffing head cover, buffed module of claim 14.

前記処理液は、ＤＩＷ、薬液及びスラリーからなる群から選択される少なくとも１つの液体又はこの液体と圧縮空気との混合体である、請求項８から１０、および１３から１５の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。 The said process liquid is at least 1 liquid selected from the group which consists of DIW, a chemical | medical solution, and a slurry, or the mixture of this liquid and compressed air in any one of Claims 8-10 and 13-15. The buff processing module described.

前記各液体の供給は切替可能である、請求項１６に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to claim 16, wherein the supply of each liquid is switchable.

前記処理液に代えて或いは処理液と共に、超音波洗浄流体によってバフパッドの洗浄を行う、請求項８に記載のバフ処理モジュール。 The buff processing module according to claim 8 , wherein the buff pad is cleaned with an ultrasonic cleaning fluid instead of or together with the processing liquid.

請求項１から１８の何れか一項に記載のバフ処理モジュールを備える、基板処理装置。 A substrate processing apparatus comprising the buff processing module according to claim 1.

処理対象物に対して所定の処理を行うためのバフパッドを洗浄するためのバフパッド洗浄方法であって、
前記バフパッドを保持するバフヘッドをバフアームによって支持して揺動し、
前記処理対象物を設置するためのバフテーブルと前記バフパッドをドレスするためのドレッサとの間に配置されたブラシ洗浄機構によって前記バフパッドを洗浄する、
方法。 A buff pad cleaning method for cleaning a buff pad for performing a predetermined process on a processing object,
A buff head holding the buff pad is supported by a buff arm and swings,
Cleaning the buff pad by a brush cleaning mechanism disposed between a buff table for placing the processing object and a dresser for dressing the buff pad;
Method.

前記ブラシ洗浄機構によって前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの全面を洗浄する、
請求項２０に記載のバフパッド洗浄方法。 Cleaning the entire surface of the buff pad moving between the buff table and the dresser by the brush cleaning mechanism;
The buff pad cleaning method according to claim 20.

前記バフヘッドを回転し、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの半径部分に接触できるように配置された前記ブラシ洗浄機構によって、前記バフパッドの全面を洗浄する、
請求項２１に記載のバフパッド洗浄方法。 Rotating the buff head to clean the entire surface of the buff pad by the brush cleaning mechanism disposed so as to be in contact with a radial portion of the buff pad moving between the buff table and the dresser.
The buff pad cleaning method according to claim 21.

前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドの移動経路に対して進入退避可能である、請求項２０から２２の何れか１項に記載の方法。 The method according to any one of claims 20 to 22, wherein the brush cleaning mechanism is capable of entering and retracting with respect to a movement path of the buff pad.

前記ブラシ洗浄機構は、ロータリーアクチュエータによって回転移動するか、又はシリンダによって直線移動する、請求項２０から２３の何れか１項に記載の方法。 The method according to any one of claims 20 to 23, wherein the brush cleaning mechanism is rotated by a rotary actuator or linearly moved by a cylinder.

前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、ドレス処理の前、ドレス処理中及びドレス処理後の少なくとも何れかの段階で行う、請求項２０から２４の何れか一項に記載の方法。 The method according to any one of claims 20 to 24, wherein the cleaning by the brush cleaning mechanism is performed at least at any stage before the dressing process, during the dressing process, and after the dressing process.

前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、前記ブラシ洗浄機構に設けられた処理液噴出口から処理液を噴射しながら行う、請求項２０から２５の何れか一項に記載の方法。 The method according to any one of claims 20 to 25, wherein the cleaning by the brush cleaning mechanism is performed while ejecting a processing liquid from a processing liquid jet port provided in the brush cleaning mechanism.