JP6340985B2 - 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 - Google Patents
物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6340985B2 JP6340985B2 JP2014164066A JP2014164066A JP6340985B2 JP 6340985 B2 JP6340985 B2 JP 6340985B2 JP 2014164066 A JP2014164066 A JP 2014164066A JP 2014164066 A JP2014164066 A JP 2014164066A JP 6340985 B2 JP6340985 B2 JP 6340985B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- physical quantity
- quantity sensor
- substrate
- diaphragm
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C5/00—Measuring height; Measuring distances transverse to line of sight; Levelling between separated points; Surveyors' levels
- G01C5/06—Measuring height; Measuring distances transverse to line of sight; Levelling between separated points; Surveyors' levels by using barometric means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
[適用例1]
本発明の物理量センサーは、一方の面側に開口している凹部を有する基板と、
前記凹部の底部を含んでいるダイヤフラム部と、
前記ダイヤフラム部に配置されているセンサー素子と、
空洞部を介して前記ダイヤフラム部に対向している天井部と、
前記基板と前記天井部との間に配置されていて、前記基板および前記天井部とともに前記空洞部を構成し、前記空洞部に面している内壁面を有する側壁部と、
を備え、
前記天井部および前記側壁部のうちの少なくとも一方が金属を含んで構成され、
前記基板の平面視において、前記底部の外周縁は、前記内壁面の前記基板側の端よりも前記ダイヤフラム部の中心側に位置し、
前記平面視で、前記側壁部の内周面の基板側の端との間の距離が0.1μm以上25μm以下の範囲内にある部分を有し、
前記ダイヤフラム部の厚さは、1μm以上8μm以下であり、
前記ダイヤフラム部の幅は、50μm以上300μm以下であることを特徴とする。
本発明の物理量センサーでは、前記天井部および前記側壁部が金属を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、気密性に優れた空洞部を形成することができる。
本発明の物理量センサーでは、前記金属は、アルミニウム、チタンまたは窒化チタンであることが好ましい。
本発明の物理量センサーでは、前記基板は、複数の前記凹部を有しており、
前記平面視で、1つの前記空洞部に複数の前記ダイヤフラム部が重なっていることが好ましい。
これにより、検出感度を向上させることができる。
本発明の物理量センサーでは、前記空洞部は、前記基板の前記凹部が開口している側とは反対側に配置されていることが好ましい。
このような場合、本発明の効果が顕著となる。
本発明の圧力センサーは、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、優れた温度特性を有する圧力センサーを提供することができる。
本発明の高度計は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、優れた温度特性を有する高度計を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る物理量センサーを示す断面図、図2は、図1に示す物理量センサーのピエゾ抵抗素子(センサー素子)および側壁部の配置を示す平面図である。図3は、図1に示す物理量センサーの作用を説明するための図であって、図3(a)は加圧状態を示す断面図、図3(b)は加圧状態を示す平面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1中の上側を「上」、下側を「下」という。
−基板−
基板2は、半導体基板21と、半導体基板21の一方の面上に設けられた絶縁膜22と、絶縁膜22の半導体基板21とは反対側の面上に設けられた絶縁膜23と、を有している。
複数のピエゾ抵抗素子5は、図1に示すように、それぞれ、ダイヤフラム部20の空洞部S側に形成されている。ここで、ピエゾ抵抗素子5は、半導体基板21のシリコン層213に形成されている。
積層構造体6は、前述した基板2との間に空洞部Sを画成するように形成されている。ここで、積層構造体6は、ダイヤフラム部20のピエゾ抵抗素子5側に配置されていてダイヤフラム部20(または基板2)とともに空洞部S(圧力基準室)を構成している「壁部」である。
以上、物理量センサー1の構成について簡単に説明した。
以下、側壁部について詳述する。
次に、物理量センサー1の製造方法を簡単に説明する。
まず、図8(a)に示すように、SOI基板である半導体基板21を用意する。
次に、図8(c)に示すように、シリコン層213上に絶縁膜22、絶縁膜23および段差形成層3をこの順で形成する。
次に、図8(d)に示すように、絶縁膜23上に、犠牲層41、配線層62、犠牲層42および配線層64をこの順で形成する。
次に、犠牲層41、42の一部を除去することにより、図9(e)に示すように、絶縁膜23と被覆層641との間に空洞部S(キャビティ)を形成する。これにより、層間絶縁膜61、63が形成される。
次に、図9(f)に示すように、被覆層641上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、Al、Cu、W、Ti、TiN等の金属膜等からなる封止層66をスパッタリング法、CVD法等により形成し、各細孔642を封止する。これより、空洞部Sが封止層66により封止され、積層構造体6を得る。
次に、シリコン層211の下面を必要に応じて研削した後、シリコン層211の下面の一部をエッチングにより除去(加工)することにより、図9(g)に示すように、凹部24を形成する。これにより、空洞部Sを介して被覆層641に対向するダイヤフラム部20が形成される。
以上のような工程により、物理量センサー1を製造することができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
次に、本発明の物理量センサーを備える圧力センサー(本発明の圧力センサー)ついて説明する。図13は、本発明の圧力センサーの一例を示す断面図である。
次に、本発明の物理量センサーを備える高度計(本発明の高度計)の一例について説明する。図14は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
次に、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したナビゲーションシステムについて説明する。図15は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体(本発明の移動体)について説明する。図16は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
1a、1b、1c、1d‥‥ユニット
1A‥‥物理量センサー
2‥‥基板
2A‥‥基板
3‥‥段差形成層
5‥‥ピエゾ抵抗素子(センサー素子)
5a‥‥ピエゾ抵抗素子(センサー素子)
5b‥‥ピエゾ抵抗素子(センサー素子)
5c‥‥ピエゾ抵抗素子(センサー素子)
5d‥‥ピエゾ抵抗素子(センサー素子)
6‥‥積層構造体
20‥‥ダイヤフラム部
21‥‥半導体基板
22‥‥絶縁膜
23‥‥絶縁膜
24‥‥凹部
25‥‥受圧面
41‥‥犠牲層
42‥‥犠牲層
61‥‥層間絶縁膜
62‥‥配線層
63‥‥層間絶縁膜
64‥‥配線層
65‥‥表面保護膜
66‥‥封止層
70‥‥ブリッジ回路
100‥‥圧力センサー
101‥‥筐体
102‥‥演算部
103‥‥配線
104‥‥貫通孔
200‥‥高度計
201‥‥表示部
211‥‥シリコン層
212‥‥酸化シリコン層
213‥‥シリコン層
214‥‥配線
214a‥‥配線
214b‥‥配線
214c‥‥配線
214d‥‥配線
241‥‥外周縁
300‥‥ナビゲーションシステム
301‥‥表示部
400‥‥移動体
401‥‥車体
402‥‥車輪
621‥‥端
621A‥‥端
641‥‥被覆層
642‥‥細孔
S‥‥空洞部
Claims (9)
- 一方の面側に開口している凹部を有する基板と、
前記凹部の底部を含んでいるダイヤフラム部と、
前記ダイヤフラム部に配置されているセンサー素子と、
空洞部を介して前記ダイヤフラム部に対向している天井部と、
前記基板と前記天井部との間に配置されていて、前記基板および前記天井部とともに前記空洞部を構成し、前記空洞部に面している内壁面を有する側壁部と、
を備え、
前記天井部および前記側壁部のうちの少なくとも一方が金属を含んで構成され、
前記基板の平面視において、前記底部の外周縁は、前記内壁面の前記基板側の端よりも前記ダイヤフラム部の中心側に位置し、
前記平面視で、前記側壁部の内周面の基板側の端との間の距離が0.1μm以上25μm以下の範囲内にある部分を有し、
前記ダイヤフラム部の厚さは、1μm以上8μm以下であり、
前記ダイヤフラム部の幅は、50μm以上300μm以下であることを特徴とする物理量センサー。 - 前記天井部および前記側壁部が金属を含んで構成されている請求項1に記載の物理量センサー。
- 前記金属は、アルミニウム、チタンまたは窒化チタンである請求項1または2に記載の物理量センサー。
- 前記基板は、複数の前記凹部を有しており、
前記平面視で、1つの前記空洞部に複数の前記ダイヤフラム部が重なっている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の物理量センサー。 - 前記空洞部は、前記基板の前記凹部が開口している側とは反対側に配置されている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の物理量センサー。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする圧力センサー。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする高度計。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移動体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014164066A JP6340985B2 (ja) | 2014-08-12 | 2014-08-12 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
US14/820,716 US9645027B2 (en) | 2014-08-12 | 2015-08-07 | Physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object |
TW104125832A TW201610405A (zh) | 2014-08-12 | 2015-08-07 | 物理量感測器、壓力感測器、高度計、電子機器及移動體 |
CN201510487846.7A CN105366623A (zh) | 2014-08-12 | 2015-08-10 | 物理量传感器、压力传感器、高度计、电子设备及移动体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014164066A JP6340985B2 (ja) | 2014-08-12 | 2014-08-12 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016040521A JP2016040521A (ja) | 2016-03-24 |
JP2016040521A5 JP2016040521A5 (ja) | 2017-06-29 |
JP6340985B2 true JP6340985B2 (ja) | 2018-06-13 |
Family
ID=55301967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014164066A Active JP6340985B2 (ja) | 2014-08-12 | 2014-08-12 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9645027B2 (ja) |
JP (1) | JP6340985B2 (ja) |
CN (1) | CN105366623A (ja) |
TW (1) | TW201610405A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6340985B2 (ja) * | 2014-08-12 | 2018-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
CN105698754A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-06-22 | 上海电力学院 | 基于变电站沉降测量的光纤光栅传感器 |
US10685944B2 (en) * | 2016-10-25 | 2020-06-16 | James Jen-Ho Wang | Film sensors array and method |
JP6874463B2 (ja) | 2017-03-27 | 2021-05-19 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、圧電アクチュエーター、超音波探触子、超音波装置、電子機器、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 |
WO2022266811A1 (zh) * | 2021-06-21 | 2022-12-29 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 感压电路板及感压电路板的制作方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0714017B1 (de) | 1994-11-24 | 2000-07-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Kapazitiver Drucksensor |
JPH09329516A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ及びこれを用いた複合伝送器 |
JP2004325361A (ja) | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Fujikura Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2005037309A (ja) | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Yokogawa Electric Corp | 振動式トランスデューサ |
FR2881224B1 (fr) * | 2005-01-21 | 2007-11-23 | Auxitrol Sa Sa | Ensemble de detection de la pression absolue d'un fluide |
JP4215076B2 (ja) | 2006-07-10 | 2009-01-28 | ヤマハ株式会社 | コンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
KR20080005854A (ko) | 2006-07-10 | 2008-01-15 | 야마하 가부시키가이샤 | 압력 센서 및 그의 제조 방법 |
JP2008114354A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
WO2009057620A1 (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Yamatake Corporation | 圧力センサ及びその製造方法 |
JP2010030020A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置 |
CN101551284B (zh) * | 2009-04-22 | 2011-07-27 | 江苏英特神斯科技有限公司 | 基于硅硅直接键合的压力传感器及其制造方法 |
US8770035B2 (en) * | 2009-07-24 | 2014-07-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor, pressure sensor apparatus, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor pressure sensor |
WO2011148973A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | ローム株式会社 | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
US10065851B2 (en) * | 2010-09-20 | 2018-09-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor |
JP2014115209A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Seiko Epson Corp | Mems素子、電子デバイス、高度計、電子機器および移動体 |
US20140157892A1 (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-12 | Seiko Epson Corporation | Mems element, electronic device, altimeter, electronic apparatus, and moving object |
CN103837289B (zh) * | 2013-11-22 | 2016-01-27 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 压力传感器件及其制作方法 |
JP2015184100A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
US9427967B2 (en) * | 2014-07-28 | 2016-08-30 | Rohm Co., Ltd. | Piezoelectric membrane, piezoelectric device, and inkjet head |
CN105314586A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-10 | 精工爱普生株式会社 | 物理量传感器、压力传感器、高度计、电子设备以及移动体 |
JP6340985B2 (ja) * | 2014-08-12 | 2018-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
JP2016095284A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
JP2016095267A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
JP2016099114A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
US20160209285A1 (en) * | 2015-01-20 | 2016-07-21 | Seiko Epson Corporation | Pressure sensor, method of manufacturing pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object |
-
2014
- 2014-08-12 JP JP2014164066A patent/JP6340985B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-07 TW TW104125832A patent/TW201610405A/zh unknown
- 2015-08-07 US US14/820,716 patent/US9645027B2/en active Active
- 2015-08-10 CN CN201510487846.7A patent/CN105366623A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160047704A1 (en) | 2016-02-18 |
TW201610405A (zh) | 2016-03-16 |
US9645027B2 (en) | 2017-05-09 |
CN105366623A (zh) | 2016-03-02 |
JP2016040521A (ja) | 2016-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9891125B2 (en) | Electronic device, physical quantity sensor, pressure sensor, vibrator, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
US9631992B2 (en) | Physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus and moving object | |
US9683907B2 (en) | Physical quantity sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
JP6340985B2 (ja) | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2016102768A (ja) | 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、振動子、高度計、電子機器および移動体 | |
US20160033347A1 (en) | Physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic device, and moving object | |
US20150217989A1 (en) | Mems device, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
US20160138990A1 (en) | Electronic Device, Physical Quantity Sensor, Pressure Sensor, Altimeter, Electronic Apparatus, And Moving Object | |
JP2016095284A (ja) | 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
US20150268114A1 (en) | Physical quantity sensor, method for manufacturing physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic device, and moving object | |
US20150219515A1 (en) | Physical quantity sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
US20150268112A1 (en) | Physical quantity sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
US9682858B2 (en) | Electronic device, physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
US10032936B2 (en) | Method for manufacturing resistive element, method for manufacturing pressure sensor element, pressure sensor element, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
JP2015118016A (ja) | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2016224045A (ja) | 抵抗素子の製造方法、圧力センサー素子の製造方法、圧力センサー素子、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
US9856138B2 (en) | Electronic device, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object | |
JP2016099302A (ja) | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2016138794A (ja) | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、圧力センサー、振動子、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2016031278A (ja) | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2016031279A (ja) | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2015125045A (ja) | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2016200534A (ja) | 電子デバイス、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2015141107A (ja) | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 | |
JP2016095270A (ja) | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170516 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6340985 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |